JP2006047894A - 光導波装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光入射部から光出射部へ光を導くSiO2膜等の光導波路21aと、この光導波路21aの外面に接して設けられたフォトダイオード等の受光部2と、光導波路21aに内設された45°ミラー面の光反射部5とを有し、垂直入射光11をミラー9で反射後に導びかれた信号光11を光反射部5によって90°光路変換して受光部2に入射してモニタを行う一方、残りの信号光を光導波路21aから出射する、光導波装置23a。
【選択図】 図1
Description
図1〜図3は、本発明の第1の実施の形態を示すものである。
図4〜図5は、本発明の第2の実施の形態を示すものである。
図6〜図8は、本発明の第3の実施の形態を示すものである。
図9〜図11は、本発明の第4の実施の形態を示すものである。
図12〜図14は、本発明の第5の実施の形態を示すものである。
図15は、本発明の第6の実施の形態を示すものである。
4…レジスト、5…光反射面、5a、15a…凹部、5b…反射面材、
6…不純物ドープ層、8、10…孔部、9…ミラー、11…入射光、
12…バイポーラトランジスタ、13…MOSトランジスタ、
15、25、35…グレーティング、15b…グレーティング材、16、17…プラグ、
18…VCSEL(光源)、19…絶縁層、20…マイクロレンズ(アレイ)、
21a、21b、21c、21d、21e、21f…光導波路、
23a、23b、23c、23d、23e、23f…光導波装置、25a…凹部
Claims (12)
- 光入射部から光出射部へ光を導く光導波路と、前記光導波路の外面に接して設けられた光電変換素子と、前記光導波路に内設された光反射部とを有し、前記光反射部によって前記光導波路と前記光電変換素子との間で光路変換が行われる、光導波装置。
- 前記光導波路に交差して配置された前記光入射部からの入射光が、前記光導波路に内設された光反射手段によって光路変換されて、少なくとも前記光反射部に導かれる、請求項1に記載の光導波装置。
- 前記光導波路を伝搬する前記入射光が、前記光反射部を介して前記光電変換素子に入射する、請求項1又は2に記載の光導波装置。
- 前記光反射部から前記光電変換素子への入射光が、前記光導波路への入射光のモニタ用として用いられる、請求項3に記載の光導波装置。
- 前記光導波路の一部分が切除され、この切除部が低屈折率物質で充填されることによって、前記光反射部及び/又は前記光反射手段が構成されている、請求項3に記載の光導波装置。
- 前記光反射部及び/又は前記光反射手段が、波長選択性のあるグレーティングとして構成されている、請求項3に記載の光導波装置。
- 前記グレーティングによって、多重波長の入射信号光が選択若しくは分離され、前記光反射部を介して前記光電変換素子に入射する、請求項6に記載の光導波装置。
- 共通の前記光導波路に前記光反射手段を介して連設された複数の前記光入射部に対応して、光源がアレイ状に配置されている、請求項1に記載の光導波装置。
- 前記光源アレイからの各出射光が光収束手段により収束されて前記光入射部へ導かれる、請求項8に記載の光導波装置。
- 前記光導波路が、第1及び第2の半導体基板間に挟持され、前記第1の半導体基板に前記光電変換素子及び半導体集積回路素子が組み込まれている、請求項1に記載の光導波装置。
- 前記光導波路のコアが前記第1及び第2の半導体基板間の絶縁層からなる、請求項10に記載の光導波装置。
- 前記光導波路のコアが前記第1の半導体基板側の不純物ドープの半導体層によって形成されている、請求項10に記載の光導波装置。
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