JP2006038791A - プローバ針切り換え装置、プローバ装置および半導体素子測定方法 - Google Patents
プローバ針切り換え装置、プローバ装置および半導体素子測定方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】複数のプローバ針を複数の素子に接触させ、測定素子切り換え手段により測定素子を順次切り換えて測定を行う。これにより、プローバ装置の移動時間及びプローバ針の接触にかかる時間が短縮でき効率が上がる。また、複数の素子に対して1つのテスタで測定ができ、プローバ装置にかかるコストの低減化およびプローバ装置の省スペース化を図ることができる。
【選択図】 図3
Description
前記プローバ針に接続し、前記複数のプローバ針を順次切り換えて個別に前記素子の測定を行う測定素子切り換え手段とを具備することを特徴とするものである。
前記プローバ針に測定信号を送信して前記素子の測定を行う1つのテスタと、
前記テスタに測定開始信号を送信するプローバ制御部と、
前記テスタおよび前記プローバ針に接続し、前記複数のプローバ針を順次切り換えて個別に前記素子の測定を行う測定素子切り換え手段とを具備することを特徴とするものである。
前記複数のプローバ針に接続する測定素子切り換え手段により1つの前記素子の測定を行う1組のプローバ針を選択する工程と、
テスタより測定信号を送信し、前記1つの素子の測定を行う工程と、
前記測定素子切り換え手段により前記プローバ針を切り換える工程と、
を具備することを特徴とするものである。
2 テスタ
3 プローバ針切り換え装置
4 HEADBOX
5 I/Fケーブル
6 ウェハ
7 アナログケーブル
8、8a、8b、・・・ 素子
9、9a、9b、・・・ リレー部
10、11、12、13 リレー
14 プローバ装置
15、16、17、18 プローバ針
19 ステージ
21 定電流源
22 定電圧源
23、24 スイッチ
25 ドレイン電極
26 ゲート電極パッド
27 ソース電極パッド
30 配線
31 基板
32 HEADBOX接続部
33 プロービングカード接続部
34、34a、34b、・・・ プローブ部
35 プロービングカード
36 プローバ制御部接続部
37 絶縁体
38 基板接続部
39 測定素子切り換え手段
40 テストプロセッサ
41 論理パターン発生部
44 テスタ部
45 パルスパターン発生部
46 ドライバ
47 コンパレータ
48 論理比較部
60 DUT(Device Under Test)
Claims (12)
- 半導体ウェハ上の複数のディスクリート素子に一括して接触し該素子と個々に対応する複数のプローバ針と、
前記プローバ針に接続し、前記複数のプローバ針を順次切り換えて個別に前記素子の測定を行う測定素子切り換え手段とを具備することを特徴とするプローバ針切り換え装置。 - 前記測定素子切り換え手段は、前記複数の素子に対応して用意され、外部からの切り換え信号を受信して前記複数のプローバ針を切り換えるリレー回路により構成されることを特徴とする請求項1に記載のプローバ針切り換え装置。
- 前記リレー回路は水銀リレー回路であることを特徴とする請求項2に記載のプローバ針切り換え装置。
- 半導体ウェハ上の複数のディスクリート素子に一括して接触し該素子と個々に対応する複数のプローバ針と、
前記プローバ針に少なくとも測定信号を送信して前記素子の測定を行う1つのテスタと、
前記テスタに少なくとも測定開始信号を送信するプローバ制御部と、
前記テスタおよび前記プローバ針に接続し、前記複数のプローバ針を順次切り換えて個別に前記素子の測定を行う測定素子切り換え手段とを具備することを特徴とするプローバ装置。 - 前記測定素子切り換え手段は、前記複数の素子に対応して用意され、外部からの切り換え信号を受信して前記複数のプローバ針を切り換えるリレー回路により構成されることを特徴とする請求項4に記載のプローバ装置。
- 前記リレー回路は水銀リレー回路であることを特徴とする請求項5に記載のプローバ装置。
- 半導体ウェハ上の複数のディスクリート素子と個々に対応する複数のプローバ針を一括して前記複数の素子に接触させ、前記複数のプローバ針のうち1組のプローバ針を選択して1つの前記素子の測定を行い、前記プローバ針を切り換えることにより前記複数の素子を順次測定することを特徴とする半導体素子測定方法。
- 半導体ウェハ上の複数のディスクリート素子と個々に対応する複数のプローバ針を一括して前記複数の素子に接触させる工程と、
前記複数のプローバ針に接続する測定素子切り換え手段により1つの前記素子の測定を行う1組のプローバ針を選択する工程と、
テスタより測定信号を送信し、前記1つの素子の測定を行う工程と、
前記測定素子切り換え手段により前記プローバ針を切り換える工程と、
を具備することを特徴とする半導体素子測定方法。 - 前記測定素子切り換え手段はリレー回路により構成され、プローバ制御部が送信する素子選択信号により前記リレー回路を順次切り換えることを特徴とする請求項8に記載の半導体素子測定方法。
- 前記リレー回路は水銀リレー回路であることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子測定方法。
- 前記リレー回路により、前記素子の4端子測定を行うことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子測定方法。
- 前記測定素子切り換え手段の切り換え時間は、20ms以下であることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004222883A JP2006038791A (ja) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | プローバ針切り換え装置、プローバ装置および半導体素子測定方法 |
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Family
ID=35903930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004222883A Pending JP2006038791A (ja) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | プローバ針切り換え装置、プローバ装置および半導体素子測定方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2006038791A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013207016A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の測定方法及び半導体素子の測定装置 |
US9000789B2 (en) | 2010-12-13 | 2015-04-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and equipment for testing semiconductor apparatuses simultaneously and continuously |
WO2021153100A1 (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-05 | 日本電産リード株式会社 | 半導体測定装置、半導体測定システム、及び半導体測定方法 |
-
2004
- 2004-07-30 JP JP2004222883A patent/JP2006038791A/ja active Pending
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