JP2006019426A - 発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 発光素子10は、Si基板11上に設けられたβ−FeSi2膜12と、β−FeSi2膜12上に設けられたSiキャップ層13を有する。基板11の裏面11bには下部電極14が、Siキャップ層13の表面13aには上部電極15がそれぞれ設けられている。β−FeSi2膜12はSi基板と同じ導電型を有している。Siキャップ層13はβ−FeSi2膜12と異なる導電型を有している。このような構造の発光素子は高い発光強度を有する。
【選択図】 図1
Description
Claims (8)
- 所定の導電型を有するSi基板と、
前記Si基板の表面上に設けられ、前記Si基板と同じ導電型を有するβ−FeSi2膜と、
前記β−FeSi2膜上に設けられ、前記β−FeSi2膜と異なる導電型を有するSi層と、
前記Si層上に設けられた第1の電極と、
前記Si基板の裏面上に設けられた第2の電極と
を備える発光素子。 - 前記Si基板および前記β−FeSi2膜の導電型は、n型であり、
前記Si層の導電型は、p型である、
請求項1に記載の発光素子。 - 前記Si基板および前記β−FeSi2膜の導電型は、p型であり、
前記Si層の導電型は、n型である、
請求項1に記載の発光素子。 - 所定の導電型を有するSi基板の表面上に、前記Si基板と同じ導電型を有するβ−FeSi2膜を形成する工程と、
前記β−FeSi2膜上に、前記β−FeSi2膜と異なる導電型を有するSi層を形成する工程と、
前記Si層上および前記Si基板の裏面上に電極を形成する工程と
を備える発光素子の製造方法。 - 前記β−FeSi2膜を形成する工程は、n型の前記Si基板の表面上に、p型のβ−FeSi2からなる初期層を第1の温度で形成し、前記初期層を前記第1の温度より高い第2の温度で成長させてp型のβ−FeSi2膜を形成し、そのβ−FeSi2膜をアニールして、その導電型をp型からn型に転換し、
前記Si層を形成する工程は、前記n型のβ−FeSi2膜上にp型のSi層を形成する、
請求項4に記載の発光素子の製造方法。 - 前記β−FeSi2膜を形成する工程は、n型の前記Si基板の表面上に、p型のβ−FeSi2からなる初期層を第1の温度で形成し、前記初期層を前記第1の温度より高い第2の温度で成長させてp型のβ−FeSi2膜を形成し、そのβ−FeSi2膜にn型ドーパントを添加して、その導電型をp型からn型に転換し、
前記Si層を形成する工程は、n型の前記β−FeSi2膜上にp型のSi層を形成する、
請求項4に記載の発光素子の製造方法。 - 前記β−FeSi2膜を形成する工程は、n型の前記Si基板の表面上に、n型ドーパントを含むn型のβ−FeSi2からなる初期層を第1の温度で形成し、前記初期層を前記第1の温度より高い第2の温度で成長させてn型のβ−FeSi2膜を形成し、
前記Si層を形成する工程は、n型の前記β−FeSi2膜上にp型のSi層を形成する、
請求項4に記載の発光素子の製造方法。 - 前記β−FeSi2膜を形成する工程は、p型の前記Si基板の表面上に、p型のβ−FeSi2からなる初期層を第1の温度で形成し、前記初期層を前記第1の温度より高い第2の温度で成長させてp型のβ−FeSi2膜を形成し、
前記Si層を形成する工程は、前記p型のβ−FeSi2膜上にn型のSi層を形成する、
請求項4に記載の発光素子の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008053446A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体素子 |
JP2008053445A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Hamamatsu Photonics Kk | シリコン素子の製造方法 |
US8110836B2 (en) | 2006-08-24 | 2012-02-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device |
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