JP2006014724A - 温度制御方法及び温度制御装置 - Google Patents

Abstract

【課題】微生物等の温度を精度良く制御する。
【解決手段】温度制御装置は、微生物等を格納する複数のセル２と、ヒータ１１、１２，…，１ｎと、冷却部とを備える。ヒータ１１、１２，…，１ｎは複数のセル２を選択的に加熱し、冷却部は複数のセル２を全体的に冷却する。複数の箇所の温度の最大値が第１の上限値以上の場合には冷却部を駆動する。ある箇所の温度が第１の下限値以下の場合には当該箇所を加熱するヒータを駆動する。最大値が第２の下限値以下の場合には冷却部を停止する。ある箇所の温度が第２の上限値以上の場合には当該箇所を加熱するヒータを駆動しない。
【選択図】図３

Description

本発明は、温度制御装置に関し、例えば微生物又は細胞（以下「微生物等」と称す）の培養に適用することができる。

微生物等の培養速度は、これらを格納する容器（以下「セル」と称す）の温度（以下「セル温度」と称す）に敏感である。よって微生物等の培養に際しては、セル温度を精度良く制御することが望ましい。

一方、セル温度は等しくても、その他の条件を異ならせて微生物等を並行して培養したい場合もある。かかる培養を行う技術として、例えば個体数の初期値が異なる複数のセルを用い、微生物等を並行して培養する技術が、非特許文献１に例示されている。

また、バイオテクノロジーの分野で検体を至適温度に管理するために、ヒータと冷却モジュールを適用する技術が、特許文献１に例示されている。

特開平９−１２２５０７号公報 "食品細菌検査システムＤＯＸ−６０Ｆ／３０Ｆ（従来法との比較）"、［online］、ダイキン工業株式会社、［平成１７年３月２２日］、インターネット＜URL：http://www.del.co.jp/products/dox/sub3.html＞

しかし、特許文献１に記載された技術は単にヒータと冷却モジュールを併有するに過ぎない。その故、セル温度以外の複数の条件が異なる複数のセルを用いて微生物等を並行して培養する際、セル温度を相互に精度よく等しくする観点がなかった。

本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、複数の容器の温度を相互に精度よく等しくする技術を提供することを目的とする。

この発明にかかる温度制御方法の第１の態様は、温度制御される被温度制御対象（２０）と、前記被温度制御対象の複数の箇所を加熱するヒータ（１１，１２，…，１ｎ）と、前記被温度制御対象の全体を冷却する冷却部（７）とを備える温度制御装置を制御する。そして下記ステップ（ａ）〜（ｃ）を実行する：（ａ）前記複数の箇所の温度（Ｔ１〜Ｔｎ）を測定するステップ（Ｓ１０１）；（ｂ）前記箇所の前記温度の少なくとも一つが第１の上限値（Ｔｓ＋δ１）以上の場合には前記冷却部を駆動するステップ（Ｓ１０３，Ｓ１０４）；（ｃ）一の前記箇所の前記温度が第１の下限値（Ｔｓ−δ２）以下の場合には当該一の前記箇所を加熱する前記ヒータを駆動するステップ（Ｓ１０７，Ｓ１０８）。

例えば前記第１の上限値は前記被温度制御対象（２０）の温度の目標値（Ｔｓ）に第１の正値（δ１）を加算した値であり、前記第１の下限値は前記目標値から第２の正値（δ２）を差し引いた値である。

この発明にかかる温度制御方法の第２の態様は、第１の態様にかかる温度制御方法であって、下記ステップ（ｄ），（ｅ）をも実行する：（ｄ）全ての前記箇所の前記温度（Ｔ１〜Ｔｎ）が第２の下限値（Ｔｓ＋δ３）以下の場合には前記冷却部を駆動しないステップ（Ｓ１０５，Ｓ１０６）；（ｅ）一の前記箇所の前記温度が第２の上限値（Ｔｓ＋δ４）以上の場合には当該一の前記箇所を加熱する前記ヒータを駆動しないステップ（Ｓ１０９，Ｓ１１０）。

例えば前記第２の下限値は前記第１の上限値（Ｔｓ＋δ１）よりも低く、前記被温度制御対象（２０）の温度の目標値（Ｔｓ）に第３の正値（δ３）を加算した値である。また前記第２の上限値は前記第１の下限値（Ｔｓ−δ２）よりも高く、前記目標値に第４の正値（δ４）を加算した値である。

この発明にかかる温度制御方法の第３の態様は、第２の態様にかかる温度制御方法であって、（ｆ）前記箇所の前記温度の少なくとも一つが前記第２の下限値（Ｔｓ＋δ３）より高くかつ全ての前記箇所の前記温度（Ｔ１〜Ｔｎ）が前記第１の上限値（Ｔｓ＋δ１）より低く、いずれの前記箇所の前記温度も第１の下限値（Ｔｓ−δ２）より高くかつ前記第２の上限値（Ｔｓ＋δ４）より低いある場合に、前記温度制御装置の雰囲気温度（Ｔａ）に従って前記被温度制御対象（２０）の温度の目標値（Ｔｓ）を校正して新たな目標値（Ｔｃ）に更新するステップ（Ｓ８００）を更に実行する。そして前記ステップ（ｆ）で更新された前記目標値を用いて前記ステップ（ｂ）、（ｃ）を再度実行する。

望ましくは前記ステップ（ｆ）で更新された前記目標値を用いて前記ステップ（ｄ）、（ｅ）を再度実行する。

この発明にかかる温度制御方法の第４の態様は、第１乃至第３の態様にかかる温度制御方法であって、前記被温度制御対象（２０）は培養物を収納可能な容器（２）の複数を有する。

この発明にかかる温度制御装置の第１の態様は、収納部（１０１）と、冷却部（７）と、複数のヒータ（１１，１２，…，１ｎ）と、複数のセンサ（４１，４２，…４ｎ）とを備える。前記収納部は、温度制御される容器（２）を複数収納する。前記冷却部は、前記収納部に収納された複数の前記容器全てを並行して冷却する。前記複数のヒータは、複数の前記容器を選択的に加熱する。前記複数のセンサは、前記複数の前記ヒータの各々の加熱箇所を測温する。

この発明にかかる温度制御装置の第２の態様は、第１の態様にかかる温度制御装置であって、制御部（６）を更に備える。前記制御部は、前記容器の温度の目標値（Ｔｓ）に基づいて前記冷却器の駆動を制御する。また前記目標値と前記複数のセンサの各々の前記測温結果とに基づいて当該センサに対応する前記ヒータの駆動をも制御する。

この発明にかかる温度制御装置の第３の態様は、第２の態様にかかる温度制御装置であって、センサ（４０）と、計算部（８）とを更に備える。前記センサは、雰囲気温度（Ｔａ）を測定する。前記計算部は、前記雰囲気温度及び前記目標値（Ｔｓ）に基づいて前記目標値を更新する。

この発明にかかる温度制御装置の第４の態様は、第２の態様にかかる温度制御装置であって、センサ（４０）と、記憶部（５）とを更に備える。前記センサは、雰囲気温度（Ｔａ）を測定する。前記記憶部は、前記雰囲気温度及び前記目標値（Ｔｓ）に基づいて校正値（Ｔｃ）を与える校正データを記憶する。前記制御部（６）は、前記校正データと前記雰囲気温度及び前記目標値とに基づいて前記校正値を以て前記目標値を更新する。

この発明にかかる温度制御方法の第１の態様によれば、温度自体の精度のみならず、温度分布の精度を高めることができる。特に冷却部が全体を冷却するので、雰囲気温度よりも低い温度で温度制御を行う場合であっても、ヒータのオンオフ制御において等価的に雰囲気温度を低下させることになり、好適である。

この発明にかかる温度制御方法の第２の態様によれば、過度の冷却、過度の加熱が抑制される。

この発明にかかる温度制御方法の第３の態様によれば、温度制御の際に雰囲気温度が考慮されるので、雰囲気温度が被温度制御対象の温度に与える影響を小さくする。

この発明にかかる温度制御方法の第４の態様によれば、温度に敏感な培養に対して精度よく温度制御できるので、複数の培養物に対して均等に温度条件を設定することができる。

この発明の温度制御装置の第１の態様によれば、第１乃至第３の態様にかかる温度制御方法を実行することができる。

この発明の温度制御装置の第２の態様によれば、第１の態様及び第２の態様にかかる温度制御方法を実行することができる。

この発明の温度制御装置の第３の態様及び第４の態様によれば、第３の態様にかかる温度制御方法を実行することができる。

以下では本発明にかかる温度制御技術を、微生物等の培養に適用した場合を例にとって説明する。しかし微生物等の培養以外にも本発明にかかる温度制御技術を適用可能である。

第１の実施の形態．
図１は、本実施の形態にかかる温度制御装置の概念的な斜視図である。図２（ａ）及び（ｂ）は、図１で示される温度制御装置の位置ＡＡ及び位置ＢＢでの断面図である。温度制御装置は、セル群２０、セル群２０を収納する収納部であるケース１０１、いずれもセル温度の制御に供せられるヒータ群１と冷却部７とを備える。セル群２０は、微生物等を格納する容器であるセル２の複数で構成されている。

ケース１０１には、セル群２０を収納するための穴２１が複数設けられている。例えばセル２は、微生物等を抽入する開口部と、開口部を閉じるための蓋とを有する。そして開口部側がケース１０１の表面側に位置するようにセル２が穴２１に収納される。

なお、図１で例示されるように、温度制御装置にカバー１００を設けてもよい。穴２１に埃等の異物が入ることを防ぐためである。

ヒータ群１はセル２の周辺に設けられる。冷却部７は、冷却ファン７１と冷却フィン７２、アルミ伝導ブロック７３、ペルチェ素子７４、放熱フィン７５、放熱ファン７６とを有する。

冷却ファン７１は、セル群２０近傍の空気を経路７０１に沿って冷却フィン７２へと送風する。冷却フィン７２で冷却された空気は経路７０２に沿ってセル群２０近傍へと送風される。このような空気の循環及び冷却により、ケース１０１に収納されたセル２の全てが並行して冷却される。経路７０１，７０２とは逆に空気が流れてもセル群２０は冷却される。

冷却フィン７２が得た熱は、アルミ伝導ブロック７３へ与えられる。ペルチェ素子７４は、アルミ伝導ブロック７３側から放熱フィン７５側へと熱を移動させる。放熱フィン７５へ移動した熱は、放熱ファン７６により外部へと放出される。

図３は穴２１とヒータ群１との位置関係を例示する平面図である。但し、図示の煩雑を避けるため、ケース１０１自体の表示は省略している。

ヒータ群１は複数のヒータ１１，１２，…，１ｎを有している。穴２１にはセル２が収納されている。穴２１はヒートブロック３を介して一つ以上のヒータと隣接している。これにより、穴２１、ひいてはセル２は、ヒータ群１によって選択的に加熱可能である。

例えば図面上で位置Ｃにおいて配列される穴２１は、その配列に直交する方向の両側から、異なるヒートブロック３を介してヒータ１１と隣接している。また位置Ｄにおいて配列される穴２１は、その配列に直交する方向の一方からヒータ１１と、他方からヒータ１２と、それぞれ異なるヒートブロック３を介して隣接している。

ヒータ１ｋ（ｋ＝１、２，…，ｎ）と隣接するヒートブロック３の一つには、ヒータ１ｋの加熱箇所を測温するセンサ４ｋが設けられている。

図４は本実施の形態にかかる温度制御方法を例示するフローチャートである。温度制御される対象はセル群２０であり、より詳細にはケース１０１に収納されるセル２の全体である。セル温度として、ヒートブロック３の温度を採用する。これはセル２内で微生物等の培養を行う際にセル２内にセンサが挿入されるのは好ましくないこと、またヒートブロック３に隣接する穴２１に収納されたセル２は、このヒートブロック３の温度でほぼ均一なセル温度を呈していると考えられるからである。

上述のように、温度制御の対象となるセル２は複数存在し、複数の箇所をヒータ１１，１２，…，１ｎが選択的に加熱する。他方、温度制御の対象の全体を冷却部７が冷却する。

設定したいセル温度の目標値をＴｓとする。この目標値は全てのセル２について共通である。上記温度制御装置の運転スイッチが投入されると、まずステップＳ１０１において、ヒータ１１，１２，…，１ｎが加熱する複数の箇所の温度Ｔ１〜Ｔｎを測定する。具体的には、温度Ｔ１〜Ｔｎはそれぞれセンサ４１〜４ｎで測定される。

次にステップＳ１０３により、これらの温度Ｔｋのうち、少なくとも一つが所定の上限値（Ｔｓ＋δ１）以上であるかどうかが判断される。これを図４では、コロンの右側に示された条件、即ち上限値（Ｔｓ＋δ１）以上であるという条件を満足する温度Ｔｋが存在することを、記号∃を用いて示している。ここでδ１は例えば正値であり、例えば１℃が採用される。

ステップＳ１０３の条件を満足した温度Ｔｋに対応するセルが少なくとも一つ存在すると判断された場合には、処理がステップＳ１０４に進んで冷却部７を駆動する。そしてステップＳ１０１へと戻る。

全ての温度ＴｋがステップＳ１０３の条件を満足しないと判断された場合には、ステップＳ１０５へ進む。そして全ての温度Ｔｋが所定の下限値（Ｔｓ＋δ３）以下であるかどうかが判断される。これを図４では、コロンの右側に示された条件、即ち下限値（Ｔｓ＋δ３）以下であるという条件を全ての温度Ｔｋが満足することを、記号∀を用いて示している。ここでδ３はδ１より小さく、例えば正値であり、例えば０．５℃が採用される。

全ての温度ＴｋがステップＳ１０４の条件を満足する場合には、全てのセル２のセル温度が目標値に対して冷えすぎであると判断される。よって処理がステップＳ１０６に進んで冷却部７を停止する。そしてステップＳ１０１へと戻る。

少なくとも一つの温度ＴｋがステップＳ１０４の条件を満足しない場合には、ステップＳ１０７へ進む。そして個々の測定温度Ｔｋが所定の下限値（Ｔｓ−δ２）と比較される。ここでδ２は例えば正値であり、例えば０．１℃が採用される。

ある測定温度Ｔｋが下限値（Ｔｓ−δ２）以下である場合には、センサ４ｋが配置されたヒートブロック３に隣接するセル２が冷えすぎであると判断される。よってセンサ４ｋに対応するヒータ１ｋをオンする。そしてステップＳ１０１へと戻る。

測定温度Ｔ１〜Ｔｎのいずれもが下限値（Ｔｓ−δ２）より高い場合には、ステップＳ１０９へ進む。そして個々の測定温度Ｔｋが所定の上限値（Ｔｓ＋δ４）と比較される。ここでδ４は−δ２よりも大きく、例えば正値であり、例えば０．１℃が採用される。

ある測定温度Ｔｋが上限値（Ｔｓ＋δ４）以上である場合には、センサ４ｋが配置されたヒートブロック３に隣接するセル２が過熱していると判断される。よってセンサ４ｋに対応するヒータ１ｋをオフする。そしてステップＳ１０１へと戻る。

測定温度Ｔ１〜Ｔｎのいずれもが上限値（Ｔｓ＋δ４）より低い場合には、ステップＳ９００へ進む。そして運転スイッチがオフされない限りステップＳ１０１へと戻る。図４においてステップＳ１００はステップＳ１０１〜Ｓ１０９及びステップＳ１０４，Ｓ１０６，Ｓ１０８，Ｓ１１０からステップＳ１０１への帰路を含む。よってステップＳ９００の判断が肯定的となるまで、ステップＳ１００が繰り返されると把握することができる。

このように、上限値（Ｔｓ＋δ１）以上となる温度Ｔｋが存在する場合には冷却部７を駆動し（Ｓ１０４）、ある測定温度Ｔｋが下限値（Ｔｓ−δ２）以下の場合にはヒータ１ｋをオンする（Ｓ１０８）ので、温度自体の精度のみならず、温度分布の精度を高めることができる。特に冷却部７が全てのセル２を並行して冷却するので、雰囲気温度よりも低い温度で温度制御を行う場合であっても、ヒータのオンオフ制御において等価的に雰囲気温度を低下させることになり、好適である。

また、全ての温度Ｔｋが下限値（Ｔｓ＋δ３）以下の場合には冷却部７を駆動させず（Ｓ１０６）、ある測定温度Ｔｋが上限値（Ｔｓ＋δ４）以上の場合にはヒータ１ｋをオフする（Ｓ１１０）ので、セル２への過度の冷却、過度の加熱を抑制できる。

以上のように、本発明にかかる温度制御技術を用いれば、温度に敏感な培養に対して精度よく温度制御できるので、複数の培養物に対して均等に温度条件を設定することができる。

第２の実施の形態．
図５は本発明にかかる温度制御方法を例示するフローチャートである。本実施の形態では、図４のステップＳ１００の実行後、ステップＳ９００の実行までにステップＳ８００、Ｓ２００をこの順に実行する。

即ち、少なくとも一つの温度Ｔｋが下限値（Ｔｓ＋δ３）より高くかつ全ての温度Ｔ１〜Ｔｎが上限値（Ｔｓ＋δ１）より低く、いずれの温度Ｔ１〜Ｔｎについても、下限値（Ｔｓ−δ２）より高くかつ上限値（Ｔｓ＋δ４）より低い場合に、ステップＳ８００に処理が進む。

ステップＳ８００では温度制御装置の雰囲気温度Ｔａに従って目標値Ｔｓを校正して新たな目標値Ｔｃに更新する。そしてステップＳ２００へと処理がすすむ。

ステップＳ２００はステップＳ１００における目標値Ｔｓを目標値Ｔｃに変更したステップである。このように温度制御の際に雰囲気温度を考慮することにより、雰囲気温度Ｔａがセル温度に与える影響を小さくできる。ステップＳ１００において既に温度Ｔ１〜Ｔｎは測定されているので、ステップＳ２００においてはステップＳ１００中のステップＳ１０１相当の処理を省略してもよい。

第３の実施の形態．
上記ステップＳ１０３，Ｓ１０５ではｎ個の温度と上限値、下限値との比較を行うので、合計２ｎ個の比較演算を行う。しかし一旦、温度Ｔ１〜Ｔｎの最大値Ｍを求めてしまえば、比較回数を２回で済ませて第１の実施の形態で示された効果を得ることができる。

図６は図４に相当するフローチャートであり、ステップＳ１００がステップＳ３００で置換されている。ステップＳ３００はステップＳ１００のステップＳ１０３，Ｓ１０３をそれぞれステップＳ１１３，Ｓ１１５で置換した上で、ステップＳ１０１とステップＳ１１３との間にステップＳ１０２を追加した構成を有している。

ステップＳ１０２では温度Ｔ１〜Ｔｎの最大値Ｍを求める。図６では記号ｍａｘはその右隣の括弧内の複数の値の最大値を示している。

ステップＳ１１３では最大値Ｍが所定の上限値（Ｔｓ＋δ１）以上であるかどうかが判断される。この判断が肯定的である場合には、加熱されたセル２が少なくとも一つ存在することになるので、ステップＳ１０４へと処理が進む。

最大値Ｍが所定の上限値（Ｔｓ＋δ１）よりも小さい場合には、全ての温度Ｔ１〜Ｔｎが所定の上限値（Ｔｓ＋δ１）よりも小さいのであるから、ステップＳ１１５へと進む。

ステップＳ１１５では最大値Ｍが所定の下限値（Ｔｓ＋δ３）以下であるかどうかが判断される。この判断が肯定的である場合には、全てのセル２のセル温度が目標値に対して冷えすぎであるので、ステップＳ１０６へと処理が進む。

最大値Ｍが所定の下限値（Ｔｓ＋δ３）よりも大きい場合には、ステップＳ１０７あるいは更にステップＳ１０９へと進み、個々の測定温度Ｔｋがそれぞれ所定の下限値（Ｔｓ−δ２）及び上限値（Ｔｓ＋δ４）と比較される。

図７は図５に相当するフローチャートであり、ステップＳ１００，Ｓ２００がそれぞれステップＳ３００、Ｓ４００で置換されており、第２の実施の形態で示された効果を得ることができる。

ステップＳ４００はステップＳ３００に対して目標値Ｔｓを目標値Ｔｃに変更したステップである。ステップＳ３００において既に温度Ｔ１〜Ｔｎは測定されているので、ステップＳ４００においてはステップＳ３００中のステップＳ１０１，Ｓ１０２相当の処理を省略してもよい。

もちろん、ステップＳ１００を実行後、ステップＳ８００及びステップＳ４００を実行してもよい。その場合にはステップＳ４００において最大値Ｍを求める必要がある。またステップＳ３００を実行後、ステップＳ８００及びステップＳ２００を実行してもよい。

第４の実施の形態．
図８は、ヒータ群１及び冷却部７による制御を雰囲気温度Ｔａにより補正する技術を例示するブロック図であり、第１乃至第３の実施の形態の動作を実現する。温度制御装置は、温度計４０と、記憶部５と、制御部６とを更に備える。制御部６は図４乃至図７に示されたフローチャートに従って、ヒータ群１及び冷却部７を制御する。温度計４０は温度制御装置が設置されている環境の雰囲気温度Ｔａを測定し、記憶部５は校正データを記憶する。

校正データは例えば次のようにして得られる。異なる雰囲気温度Ｔａ毎に、ステップＳ１００を用いて制御されたセル温度を予め測定する。そして、雰囲気温度Ｔａ毎に、ヒータ温度の目標値Ｔｓとセル温度との関係をテーブルで表し、これを校正データとして採用する。

制御部には、セル温度の目標値Ｔｓのみならず、温度計４０からは雰囲気温度Ｔａが、記憶部５からは校正データが、それぞれ与えられる。制御部６は、雰囲気温度Ｔａに従ってセル温度の目標値Ｔｓと校正データとに基づいて、セル温度が目標値Ｔｓとなるような新たな目標値Ｔｃを得る。そして制御部６は、更新後の目標値Ｔｃを用いてステップＳ２００を実行する。

図９は、ヒータ群１及び冷却部７による制御を雰囲気温度Ｔａにより補正する他の技術を例示するブロック図である。温度制御装置は、記憶部５に代えて計算部８を備える。

計算部８には所定の関数と、雰囲気温度Ｔａと、目標値Ｔｓとが与えられる。目標値Ｔｓは例えば制御部６から与えられる。

当該関数は、例えば次のようにして得られる。異なる雰囲気温度Ｔａ毎に、ステップＳ１００又はステップＳ３００を用いて制御されたセル温度を予め測定する。そして、雰囲気温度Ｔａ、目標値Ｔｓ、セル温度の関係を当該関数として採用する。

計算部８は当該関数を用いて、雰囲気温度Ｔａ及び目標値Ｔｓから、セル温度が目標値Ｔｓとなるような新たな目標値Ｔｃを得る。そして制御部６は、更新後の目標値Ｔｃを用いてステップＳ２００又はステップＳ４００を実行する。

上述した温度制御装置は、微生物等を培養する場合だけでなく、微生物等を媒体として、例えば微生物等の呼吸活性を利用して、化学物質の量や影響等を測定する場合や、例えば微生物等が死滅していく場合にも利用することができる。

本発明の第１の実施の形態にかかる温度制御装置の概念的な斜視図である。 図１に示された温度制御装置の位置ＡＡ及び位置ＢＢでの断面図である。 穴２１とヒータ群１との位置関係を例示する平面図である。 本発明の第１の実施の形態にかかる温度制御方法を例示するフローチャートである。 本発明の第２の実施の形態にかかる温度制御方法を例示するフローチャートである。 本発明の第３の実施の形態にかかる温度制御方法を例示するフローチャートである。 本発明の第３の実施の形態にかかる温度制御方法を例示するフローチャートである。 本発明の第４の実施の形態の構成を例示するブロック図である。 本発明の第４の実施の形態の他の構成を例示するブロック図である。

符号の説明

１ ヒータ群
１１，１２，…，１ｎ ヒータ
２ セル
２０ セル群
４１，４２，…４ｎ センサ
５ 記憶部
６ 制御部
７ 冷却部
８ 計算部
４０ 温度計
１０１ ケース

Claims (11)

1. 温度制御される被温度制御対象（２０）と、
   前記被温度制御対象の複数の箇所を加熱するヒータ（１１，１２，…，１ｎ）と、
   前記被温度制御対象の全体を冷却する冷却部（７）と
   を備える温度制御装置を制御する方法であって、
   （ａ）前記複数の箇所の温度（Ｔ１〜Ｔｎ）を測定するステップ（Ｓ１０１）と、
   （ｂ）前記箇所の前記温度の少なくとも一つが第１の上限値（Ｔｓ＋δ１）以上の場合には前記冷却部を駆動するステップ（Ｓ１０３，Ｓ１０４）と、
   （ｃ）一の前記箇所の前記温度が第１の下限値（Ｔｓ−δ２）以下の場合には当該一の前記箇所を加熱する前記ヒータを駆動するステップ（Ｓ１０７，Ｓ１０８）と
   を実行する温度制御方法。
2. 前記第１の上限値は前記被温度制御対象（２０）の温度の目標値（Ｔｓ）に第１の正値（δ１）を加算した値であり、
   前記第１の下限値は前記目標値から第２の正値（δ２）を差し引いた値である、請求項１記載の温度制御方法。
3. （ｄ）全ての前記箇所の前記温度（Ｔ１〜Ｔｎ）が第２の下限値（Ｔｓ＋δ３）以下の場合には前記冷却部を駆動しないステップ（Ｓ１０５，Ｓ１０６）と、
   （ｅ）一の前記箇所の前記温度が第２の上限値（Ｔｓ＋δ４）以上の場合には当該一の前記箇所を加熱する前記ヒータを駆動しないステップ（Ｓ１０９，Ｓ１１０）と
   を更に実行する、請求項１及び請求項２のいずれか一つに記載の温度制御方法。
4. 前記第２の下限値は前記第１の上限値（Ｔｓ＋δ１）よりも低く、前記被温度制御対象（２０）の温度の目標値（Ｔｓ）に第３の正値（δ３）を加算した値であり、
   前記第２の上限値は前記第１の下限値（Ｔｓ−δ２）よりも高く、前記目標値に第４の正値（δ４）を加算した値である、請求項３記載の温度制御方法。
5. （ｆ）前記箇所の前記温度の少なくとも一つが前記第２の下限値（Ｔｓ＋δ３）より高くかつ全ての前記箇所の前記温度（Ｔ１〜Ｔｎ）が前記第１の上限値（Ｔｓ＋δ１）より低く、いずれの前記箇所の前記温度も第１の下限値（Ｔｓ−δ２）より高くかつ前記第２の上限値（Ｔｓ＋δ４）より低い場合に、前記温度制御装置の雰囲気温度（Ｔａ）に従って前記目標値（Ｔｓ）を校正して新たな目標値（Ｔｃ）に更新するステップ（Ｓ８００）
   を更に実行し、
   前記ステップ（ｆ）で更新された前記目標値を用いて前記ステップ（ｂ），（ｃ）を再度実行する、請求項４記載の温度制御方法。
6. 前記ステップ（ｆ）で更新された前記目標値を用いて前記ステップ（ｄ），（ｅ）を再度実行する、請求項５記載の温度制御方法。
7. 前記被温度制御対象（２０）は培養物を収納可能な容器（２）の複数を有する、請求項１乃至請求項６のいずれか一つに記載の温度制御方法。
8. 温度制御される容器（２）を複数収納する収納部（１０１）と、
   前記収納部に収納された複数の前記容器の全てを並行して冷却する冷却部（７）と、
   複数の前記容器を選択的に加熱する複数のヒータ（１１，１２，…，１ｎ）と、
   前記複数の前記ヒータの各々の加熱箇所を測温する複数のセンサ（４１，４２，…４ｎ）と
   を備える、温度制御装置。
9. 前記容器の温度の目標値（Ｔｓ）と前記複数のセンサの測温結果（Ｔ１，Ｔ２，…，Ｔｎ）とに基づいて前記冷却器の駆動を制御し、前記目標値と前記複数のセンサの各々の前記測温結果とに基づいて当該センサに対応する前記ヒータの駆動を制御する制御部（６）
   を更に備える、請求項８記載の温度制御装置。
10. 雰囲気温度（Ｔａ）を測定するセンサ（４０）と、
    前記雰囲気温度及び前記目標値（Ｔｓ）に基づいて前記目標値を更新する計算部（８）と
    を更に備える、請求項９記載の温度制御装置。
11. 雰囲気温度（Ｔａ）を測定するセンサ（４０）と、
    前記雰囲気温度及び前記目標値（Ｔｓ）に基づいて校正値（Ｔｃ）を与える校正データを記憶する記憶部（５）と
    を更に備え、
    前記制御部（６）は前記校正データと前記雰囲気温度及び前記目標値とに基づいて前記校正値を以て前記目標値を更新する、請求項９記載の温度制御装置。

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