JP2006005241A - 基板搬送装置および露光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板をステージ装置に吊り下げ保持する場合において、静電チャックから確実に基板を搬出できる基板搬送装置を提供する。
【解決手段】基板搬送装置は、ステージ１１に配置され基板５を保持する吸着面を下向きに有するチャック４と、前記基板５を上側に載置する基板載置部２を備え、前記チャック４の下側で前記基板５の搬入または搬出を行う搬送アーム１と、前記基板載置部２を隔てて配置された複数の引掛爪３と、を有し、前記引掛爪３は、前記基板載置部２に形成され前記基板５よりも上側に突出する基部３ａと前記基部３ａから前記基板載置部２に向けて張り出した爪部３ｂとを備え、前記基板載置部２と前記チャック４とは前記搬出時において上下方向に離間して、前記吸着面に吸着された前記基板５を前記爪部３ｂに押圧させることを特徴とする。
【選択図】図３

Description

本発明は、露光装置においてレチクル、マスク、ウエハ等を搬送する基板搬送装置に関する。

半導体デバイスのリソグラフィ等に使用される露光装置内には、レチクル、マスク、ウエハ等の基板を配置するためのステージが備えられている。
多くの場合、このレチクル、マスク、ウエハ等の基板はステージ上に載置され、静電チャック等で基板が保持される構成が一般的である。この場合の基板の搬送には基板をすくい上げて搬送する方式の基板搬送装置が使用される。この基板搬送装置では、基板の搬出時に残留吸着力によって静電チャックに基板が吸着した状態でも、基板を持ち上げることで確実に基板を搬出することができる。

一方、特許文献１には、レチクルステージ下面に固定された静電チャックにレチクルを保持させる装置の構成が開示されている。
特開平１１−７４１８２号公報

ここで、特許文献１のように静電チャックを下向きに配置してステージに基板を吊り下げ保持する場合には、基板をすくい上げて搬送する方式の基板搬送装置では静電チャックから基板を搬送することができない。また、上記の場合に静電チャックの残留吸着力が基板の自重を上回ると静電チャックに基板が吸着したままとなる。そのため、上記の場合において基板の搬出時に静電チャックから確実に基板を引きはがすことのできる基板搬送装置が要望されている。

本発明は上記従来技術の課題を解決するためにされたものであり、その目的は、基板をステージ装置に吊り下げ保持する場合において、静電チャックから確実に基板を搬出できる基板搬送装置を提供することである。

請求項１の発明に係る基板搬送装置は、ステージに配置され基板を保持する吸着面を下向きに有するチャックと、前記基板を上側に載置する基板載置部を備え、前記チャックの下側で前記基板の搬入または搬出を行う搬送アームと、前記基板載置部を隔てて配置された複数の引掛爪と、を有し、前記引掛爪は、前記基板載置部に形成され前記基板よりも上側に突出する基部と前記基部から前記基板載置部に向けて張り出した爪部とを備え、前記基板載置部と前記チャックとは前記搬出時において上下方向に離間して、前記吸着面に吸着された前記基板を前記爪部に押圧させることを特徴とする。

請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記引掛爪は前記基板載置部に固定されていることを特徴とする。
請求項３の発明は、請求項１の発明において、前記引掛爪は、前記基板載置部の上側に前記爪部が張り出した閉止状態と、前記基板載置部の上側から前記爪部が退避した開放状態とを切り替え可能であることを特徴とする。

請求項４の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記チャックの側面部には前記爪部を水平方向に通過させる溝が形成され、前記基板載置部が前記チャックの下側で水平方向に移動可能であることを特徴とする。
請求項５の発明は、請求項１から請求項４の発明において、前記チャックの側面部には、前記基板載置部が前記チャックの下側に位置決めされた状態において、前記爪部の上下方向の移動を許容する切り欠きが形成されていることを特徴とする。

請求項６の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記静電チャックの幅が前記爪部の先端の間隔よりも小さく設定されてなることを特徴とする。
請求項７の発明に係る露光装置は、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板搬送装置を有することを特徴とする。

本発明では、吸着面を下向きに有するチャックに基板を安定して搬送できる。特にチャックの残留吸着力が基板の自重を上回るときでも、基板搬出時にチャックおよび基板載置部を上下方向に離間させることで基板の上面を引掛爪が押圧し、引掛爪によってチャックから確実に基板を離脱できる。

（第１実施形態の説明）
図１に本発明の第１実施形態の基板搬送装置を示す（請求項１、２、４、５の基板搬送装置に対応する）。第１実施形態の基板搬送装置は、搬送アーム１と、基板載置部２と、引掛爪３と、静電チャック４とを有している。この第１実施形態の基板搬送装置はレチクル、マスク、ウエハ等の基板５を露光装置のステージに吊り下げ保持する場合に適用される。

搬送アーム１は、架台６に固定されたベース７と、ベース７に対して水平回転可能に取り付けられた第１アーム８と、第１アーム８の先端に水平回転可能に連結された第２アーム９と、第２アーム９の先端に水平回転可能に連結された基板載置部２とから構成される（図５参照）。ベース７には図示しない昇降機構が設けられ、該昇降機構によって搬送アーム１全体が上下方向に移動可能となっている。この搬送アーム１は、ベース７に対して９０°の角度に位置するステーションＳ１と、静電チャック４が取り付けられるステージ１１との間で基板５を搬送する。

基板載置部２は基板５の幅寸法よりもその幅寸法が幅広に設定され、その上面に基板５を載置して基板５の搬送を行う。基板載置部２の上面にはゴム等の弾性部材で構成された台座１０と引掛爪３とが設けられている。台座１０は基板載置部２の上面に４つ配置され、基板載置部２の上面に載置される基板５を台座１０が支持するようになっている。
引掛爪３は基板載置部２の両側縁に沿って２つずつ合計４つ配置されている。両側縁に位置する引掛爪３は基板載置部２を隔ててそれぞれ対向状態で固定されている。各引掛爪３は基板載置部２から上側に突出した基部３ａと、基板載置部２に向けて基部３ａから張り出した爪部３ｂとを備え、その全体形状は基板載置部２の正面方向からみて倒立Ｌ字状をなしている。

図３に示すように、各引掛爪３の爪部３ｂは少なくとも台座１０に載置された基板５の上面よりも上側に位置するように設定されている。すなわち、爪部３ｂは台座１０に載置された基板５の上側に張り出しており、対向する爪部３ｂの先端の間隔は基板５の幅よりも小さくなっている。したがって、図２に示すように、台座１０に載置された基板５を基板載置部２の上側に移動させる場合には基板５と爪部３ｂとが干渉することとなる。

静電チャック４は露光装置のステージ１１の下面に配置される。静電チャック４の下面は鉛直方向下向きに基板５を吸着する吸着面をなしており、この静電チャック４の下面の寸法は基板５の大きさと概ね一致するように設定されている。そして、静電チャック４の下面に基板５を当接させた状態で静電チャック４に設けられた電極に電圧を印加すると、静電チャック４と基板５との間にクーロン力が発生し、基板５は静電チャック４の下面に吸着されて吊り下げ状態で保持されることとなる。

静電チャック４の側面部には水平方向に沿って溝４ａがそれぞれ両側に形成されている。溝４ａの断面形状は、引掛爪３の爪部３ｂが水平方向に通過可能な形状に設定されている。また静電チャック４の下面から溝４ａまでの間隔は、基板載置部２に載置された基板５の上面と引掛爪３の爪部３ｂとの間隔よりも小さく設定されている。したがって、基板載置部２が静電チャック４に正面方向から水平にアクセスする場合において、引掛爪３の爪部３ｂは溝４ａを通過して静電チャック４と干渉しないようになっている。

また静電チャック４の側面部には、溝４ａの下側を静電チャック４の下面まで上下方向に切り欠いてなる切り欠き４ｂが左右両側に２箇所ずつ形成されている。各切り欠き４ｂの形状は爪部３ｂの大きさよりも大きく設定されている。そして、切り欠き４ｂの位置は基板載置部２が静電チャック４の下側に位置決めされた状態の引掛爪３の位置にそれぞれ対応している。したがって、基板載置部２が静電チャック４の下側で位置決めされた状態では引掛爪３が切り欠き４ｂを通過できるので、基板載置部２を上下方向に移動させることが可能である。

第１実施形態の基板搬送装置は上記のように構成され、以下、その動作を基板搬入工程および基板搬出工程に分けて説明する。
［第１実施形態の基板搬入工程］
（１）まずステーションＳ１で基板載置部２に基板５を載置する。次に図１ａに示すように基板載置部２の引掛爪３を溝４ａの位置に合致させてから、基板載置部２を静電チャック４の正面方向から水平移動させる。そして、図１ｂに示すように、静電チャック４の下側に基板載置部２を位置決めする。

（２）基板載置部２を上昇させて静電チャック４の吸着面に基板５の上面を密着させる。そして静電チャック４に電圧を印加し、基板５を静電チャック４に吸着させる。
（３）その後に基板載置部２を下降させて水平移動時の高さに戻し、基板５から基板載置部２を離間させる。
（４）基板載置部２を静電チャック４の正面方向へ水平移動させて、静電チャック４の下側から基板載置部２を退避させる。以上で第１実施形態の基板搬入工程が終了する。

［第１実施形態の基板搬出工程］
（１）まず基板５が載置されていない状態の基板載置部２を上記と同様に静電チャック４の下側に位置決めする。
（２）次に基板載置部２を上昇させて基板載置部２の台座１０と基板５の下面とを密着させる。その後に静電チャック４の電圧印加を解除する。なお、通常はこの段階で静電チャック４から基板５が離脱するが、静電チャック４の残留吸着力が基板５の自重を上回るときには静電チャック４に基板５が吸着されたままの状態となっている。

（３）基板載置部２を下降させて切り欠き４ｂに引掛爪３の爪部３ｂを通して、爪部３ｂを静電チャック４の下側まで押し下げる。このとき、静電チャック４に残留吸着力で基板５が吸着していても爪部３ｂが基板５を上側から押圧するので、基板５は確実に離脱して基板載置部２の上面に載置されることとなる（図４参照）。
（４）その後に基板載置部２をさらに下降させて、静電チャック４の下側から基板載置部２を退避させる。なお、基板５を載置した基板載置部２の退避は、基板載置部２を水平移動時の高さに戻してから静電チャック４の正面方向へ水平移動させて行ってもよい。以上で第１実施形態の基板搬出工程が終了する。

上記した第１実施形態の基板搬送装置によれば、吸着面を下向きに有する静電チャック４に基板５を安定して搬送できる。特に基板搬出工程において静電チャック４の残留吸着力が基板５の自重を上回るときでも基板載置部２の下降によって引掛爪３が基板５の上面を押圧するので、静電チャック４から確実に基板５を離脱させることができる。
（第２実施形態の説明）
図６に本発明の第２実施形態の基板搬送装置を示す（請求項１、２、６の基板搬送装置に対応する）。なお、以下の実施形態において第１実施形態と共通の構成には同一符号を付して説明を省略する。

第２実施形態の基板搬送装置は第１実施形態の変形例であって、静電チャック４の形状のみが第１実施形態と相違する。第２実施形態では、静電チャック４の幅寸法が対向する爪部３ｂの先端の間隔よりも小さく設定されており、静電チャック４の側面部から爪部３ｂとの間にクリアランスを有している。なお、第２実施形態では静電チャック４の側部に溝および切り欠きは形成されていない。

以下、第２実施形態の基板搬送装置の基板搬入工程および基板搬出工程を説明する。
［第２実施形態の基板搬入工程］
（１）まずステーションＳ１で基板載置部２に基板５を載置する。次に基板載置部２を移動させて静電チャック４の下側に基板載置部２を位置決めする。このとき、第２実施形態では第１実施形態と同様の経路で基板載置部２を移動させてもよく、また静電チャック４の下面よりも爪部３ｂが下側に位置する高さで基板載置部２を任意の方向から水平移動させて静電チャック４の下側に位置決めしてもよい。

（２）基板載置部２を上昇させて静電チャック４の吸着面に基板５の上面を密着させる。次に静電チャック４に電圧を印加し、基板５を静電チャック４に吸着させる。
（３）その後に基板載置部２を下降させて、引掛爪３および基板載置部２の台座１０が基板５から離れた状態にする。
（４）基板載置部２を静電チャック４の正面方向へ水平移動させて、静電チャック４の下側から基板載置部２を退避させる。以上で第２実施形態の基板搬入工程が終了する。

［第２実施形態の基板搬出工程］
（１）基板５が載置されていない状態の基板載置部２を静電チャック４の正面方向から水平移動させて、引掛爪３の内側に基板５を通して静電チャック４の下側に位置決めする。
（２）次に基板載置部２を上昇させて基板載置部２の台座１０と基板５の下面とを密着させる。その後に静電チャック４の電圧印加を解除する。

（３）基板載置部２を下降させて、引掛爪３の爪部３ｂを静電チャック４の下側まで押し下げる。このとき、静電チャック４に残留吸着力で基板５が吸着していても爪部３ｂが基板５を上側から押圧するので、基板５は確実に離脱して基板載置部２の上面に載置されることとなる。
（４）その後に基板載置部２をさらに下降させるか、あるいは基板載置部２を水平移動時の高さに戻してから水平移動させることで、静電チャック４の下側から基板載置部２を退避させる。以上で第２実施形態の基板搬出工程が終了する。

上記した第２実施形態の基板搬送装置では上記第１実施形態と同様の効果に加えて、引掛爪３を溝に通すことなく静電チャック４の下側に基板載置部２をアクセスさせることができる。したがって、第１実施形態における溝４ａと静電チャック４の下面との幅の分だけ、第２実施形態では引掛爪３の爪部３ｂと基板５との隙間を小さくすることができる。また、第１実施形態と同様の経路で基板５を搬入および搬出する場合には搬送アーム１の上下方向のストロークを小さくすることができる。

（第３実施形態の説明）
図７に本発明の第３実施形態の基板搬送装置を示す（請求項１、３、５の基板搬送装置に対応する）。
第３実施形態の基板搬送装置では、基板載置部２に各引掛爪３を可動させる開閉機構（図示を省略する）が設けられている。各引掛爪３は基板載置部２の幅方向に開閉可能にピン支持されている。そして各引掛爪３は、基板載置部２の上側に爪部３ｂが張り出した閉止状態（図７では破線で示す）と、基板載置部２の上側から爪部３ｂが退避した開放状態（図７では実線で示す）とを切り替え可能となっている。

一方、静電チャック４の側面部には、引掛爪３の形状に対応した切り欠き４ｂが左右両側に２箇所ずつ形成されている。この切り欠き４ｂの位置は基板載置部２が静電チャック４の下側に位置決めされた状態の引掛爪３の位置にそれぞれ対応している。
第３実施形態の基板搬送装置は上記のように構成され、以下、その動作を基板搬入工程および基板搬出工程に分けて説明する。

［第３実施形態の基板搬入工程］
（１）まず引掛爪３を開放状態に設定する。ここで基板搬入工程の引掛爪３は常時開放状態に設定されている。次にステーションＳ１で基板載置部２に基板５を載置する。そして、搬送アーム１を操作して基板載置部２を移動させ、静電チャック４の下側に基板載置部２を位置決めする。なお、開放状態の引掛爪３は静電チャック４と干渉しないので、基板載置部２を位置決めする際の経路は自由に設定することができる。

（２）基板載置部２を上昇させて静電チャック４の吸着面に基板５の上面を密着させる。次に静電チャック４に電圧を印加し、基板５を静電チャック４に吸着させる。
（３）基板載置部２を下降させて、静電チャック４の下側から基板載置部２を退避させる。なお、引掛爪３は開放状態であるので、退避動作においても引掛爪３が静電チャックおよび基板５と干渉することはない。以上で第３実施形態の基板搬入工程が終了する。

［第３実施形態の基板搬出工程］
（１）まず引掛爪３を開放状態に設定する。そして搬送アーム１を操作して、基板５が載置されていない状態の基板載置部２を静電チャック４の下側に位置決めする。
（２）次に基板載置部２を上昇させて基板載置部２の台座１０と基板５の下面とを密着させる。その後に静電チャック４の電圧印加を解除する。

（３）基板載置部２の引掛爪３を閉止状態に切り替える。そして基板載置部２を下降させて切り欠き４ｂに引掛爪３の爪部３ｂを通して、爪部３ｂを静電チャック４の下側まで押し下げる。
このとき、静電チャック４に残留吸着力で基板５が吸着していても爪部３ｂが基板５を上側から押圧するので、基板５は確実に離脱して基板載置部２の上面に載置されることとなる。

（４）その後に基板載置部２をさらに下降させて、静電チャック４の下側から基板載置部２を退避させる。以上で第３実施形態の基板搬出工程が終了する。
第３実施形態の基板搬送装置では上記第１実施形態と同様の効果に加えて、引掛爪３を基板５の上側から退避可能としたので、静電チャック４の下側に基板載置部２を位置決めする際の経路を自由に設定できる。また、第３実施形態でも、第２実施形態のように第１実施形態よりも引掛爪３の爪部３ｂと基板５との隙間を小さくすることができる。また、第１実施形態と同様の経路で基板５を搬入および搬出する場合には搬送アーム１の上下方向のストロークを小さくすることができる。

（第４実施形態の説明）
図８に本発明の第４実施形態に係るＥＵＶ光リソグラフィシステム１００を模式化して示す（請求項７の露光装置に対応する）。この第４実施形態は露光の照明光としてＵＶ範囲の光を用いた投影露光装置である。ＥＵＶ光は０．１〜４００ｎｍの間の波長を持つもので、特に１〜５０ｎｍ程度の波長が好ましい。投影像は像光学系システム１０１を用いたもので、ウエハ１０３上に反射型マスク１０２によるパターンの縮小像を形成するものである。なお、図８において像光学系システム１０１の光軸はＺ方向に伸びている。Ｙ方向は紙面に垂直な方向である。

上述のようにウエハ１０３上に映されるパターンは、マスクステージ１０４に配置されている反射型マスク１０２により決められる。この反射型マスク１０２は、マスクステージ１０４の下面に配置された静電チャック４によって下向きに保持される。反射型マスク１０２の搬入および搬出は、第１実施形態から第３実施形態のいずれかの基板搬送装置によって行われる（基板搬送装置の図示は省略する）。

またウエハ１０３はウエハステージ１０５の上に載せられている。典型的には、露光はステップ・スキャンによりなされる。ここで、マスクパターンは連続的な部分（露光領域）に投影され、露光の間、マスクステージ１０４とウエハステージ１０５はそれぞれ相対的に位相を合わせて移動する。反射型マスク１０２とウエハ１０３とのスキャンは、像光学システム１０１に対して１自由度方向に行なわれる。反射型マスク１０２の全ての領域をウエハのそれぞれの領域に露光すると、ウエハ１０３のダイ上へのパターンの露光は完了する。次に、露光はウエハ１０３の次のダイへとステップして進む。

露光時の照明光として使用するＥＵＶ光は大気に対する透過性が低いので、ＥＵＶ光が通過する光経路は、適当な真空ポンプ１０７を用いて真空に保たれた真空チャンバ１０６に囲まれている。またＥＵＶ光はレーザプラズマＸ線源によって生成される。レーザプラズマＸ線源はレーザ源１０８（励起光源として作用）とキセノンガス供給装置１０９からなっている。レーザプラズマＸ線源は真空チャンバ１１０によって取り囲まれている。レーザプラズマＸ線源によって生成されたＥＵＶ光は真空チャンバ１１０の窓１１１を通過する。窓１１１はレーザプラズマＸ線源が妨害を受けずに通過できるような開口としても構わない。なお、キセノンガスを放出するノズル１１２によりゴミが生成される傾向があるので、真空チャンバ１１０は真空チャンバ１０６から分離されていることが望ましい。

レーザ源１０８は紫外線以下の波長を持つレーザ光を発生させるものであって、例えば、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザが使用される。レーザ源１０８からのレーザ光は集光され、ノズル１１２から放出されたキセノンガス（キセノンガス供給装置１０９から供給されている）の流れに照射される。キセノンガスの流れにレーザ光を照射するとレーザ光がキセノンガスを十分に暖め、プラズマを生じさせる。レーザで励起されたキセノンガスの分子が低いエネルギ状態に落ちる時、ＥＵＶ光の光子が放出される。

放物面ミラー１１３は、キセノンガス放出部の近傍に配置されている。放物面ミラー１１３はプラズマによって生成されたＥＵＶ光を集光する。放物面ミラー１１３は集光光学系を構成し、ノズル１１２からのキセノンガスが放出される位置の近傍に焦点位置がくるように配置されている。放物面ミラー１１３はＥＵＶ光を反射するのに適当な多層膜からなっている。多層膜は、典型的には、放物面ミラー１１３の凹面の表面に備えられている。ＥＵＶ光は多層膜で反射し、真空チャンバ１１０の窓１１１を通じて集光ミラー１１４へと達する。集光ミラー１１４は反射型マスク１０２へとＥＵＶ光を集光、反射させる。集光ミラー１１４はまた、ＥＵＶ光を反射する多層膜からなっている。ＥＵＶ光は集光ミラー１１４で反射され、反射型マスク１０２の所定の部分を照明する。すなわち、放物面ミラー１１３と集光ミラー１１４は図８に示した装置の照明システムを構成する。

反射型マスク１０２は、多層膜のＥＵＶを反射する表面を持っている。反射型マスク１０２でＥＵＶ光が反射されると、ＥＵＶ光は反射型マスク１０２からのパターンデータにより「パターン化」される。パターン化されたＥＵＶ光は投影システム１０１を通じてウエハ１０３に達する。
第４実施形態での像光学システム１０１は、凹面第１ミラー１１５ａ、凸面第２ミラー１１５ｂ、凸面第３ミラー１１５ｃ、凹面第４ミラー１１５ｄの４つの反射ミラーからなっている。各ミラー１１５ａ〜１１５ｄはＥＵＶ光を反射する多層膜が備えられている。本実施形態のミラー１１５ａ〜１１５ｄは、それぞれの光軸が互いに一致するように配置されている。

各ミラー１１５ａ〜１１５ｄによって決定される光路が妨げられるのを防ぐために、第１ミラー１１５ａ、第２ミラー１１５ｂ、第４ミラー１１５ｄには、適当な切り欠きが設けられている（図８において、ミラーの破線部分はそれぞれの切り欠き部分を示している）。反射型マスク１０２により反射されたＥＵＶ光は第１ミラー１１５ａから第４ミラー１１５ｄまで順次反射されて、マスクパターンの縮小された像を形成する。この場合、ウエハ１０３の露光域内で所定の縮小率β（例えば、１／４、１／５、１／６）で像が形成される。像光学系システム１０１は、像の側（ウエハの側）でテレセントリックになるようになっている。

反射型マスク１０２は可動のマスクステージ１０４によって少なくともＸ−Ｙ平面内で支持されている。ウエハ１０３は、好ましくはＸ，Ｙ，Ｚ方向に可動のウエハステージ１０５によって支持されている。ウエハ上のダイを露光するときには、ＥＵＶ光が照明システムにより反射型マスク１０２の所定の領域に照射され、反射型マスク１０２とウエハ１０３は像光学系システム１０１に対して像光学系システム１０１の縮小率に従った所定の速度で動く。このようにして、マスクパターンはウエハ１０３上の所定の露光範囲（ダイに対して）に露光される。

露光の際には、ウエハ１０３上のレジストから生じるガスが像光学系システム１０１のミラー１１５ａ〜１１５ｄに影響を与えないように、ウエハ１０３はパーティション１１６の後ろに配置されることが望ましい。パーティション１１６は開口１１６ａを持っており、それを通じてＥＵＶ光がミラー１１５ｄからウエハ１０３へと照射される。パーティション１１６内の空間は真空ポンプ１１７により真空排気されている。このように、レジストに照射することにより生じるガス状のゴミがミラー１１５ａ〜１１５ｄあるいは反射型マスク１０２に付着するのを防ぐ。それゆえ、これらの光学性能の悪化を防いでいる。

上記の第４実施形態の露光装置では、第１実施形態から第３実施形態のいずれかの基板搬送装置を用いることで静電チャック４に反射型マスク１０２を安定して搬入および搬出でき、露光装置の信頼性や生産性をより向上させることができる。
（実施形態の補足事項）
以上、本発明を上記の実施形態によって説明してきたが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、チャック側に昇降手段を設けて静電チャック４を上下動させるようにしてもよい。

引掛爪３の配置および構成は上記実施形態に限定されることはない。例えば、基板載置部２の上面からみて千鳥状に互い違いとなるように引掛爪を配置してもよく、幅広の引掛爪を基板載置部２の両側に一対のみ配置するようにしてもよい。また第２実施形態では、引掛爪３の爪部３ｂを水平方向に回動できるように構成し、閉止状態の爪部３ｂを水平方向に９０°移動させて開放状態に切り替えるようにしてもよい（いずれも図示を省略する）。

さらに、上記実施形態ではＥＵＶ光を用いた投影露光装置の例を説明しているが、本発明の基板搬送装置は、荷電粒子線、ｉ線、ｇ線、ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ２等を用いた露光装置にも勿論適用することができる。

本発明は、例えばＥＵＶ、荷電粒子線、ｉ線、ｇ線、ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ２等を用いた露光装置においてレチクル、マスク、ウエハ等を搬送する基板搬送装置に適用できる。

第１実施形態の基板搬送装置の斜視図 基板載置部の平面図 第１実施形態の基板搬送装置の断面図 図３において引掛爪が基板を押圧する状態を示す図 搬送アームの概要を示す平面図 第２実施形態の基板搬送装置の断面図 第３実施形態の基板搬送装置の斜視図 第４実施形態の露光装置の概要図

符号の説明

１ 搬送アーム
２ 基板載置部
３ 引掛爪
３ａ 基部
３ｂ 爪部
４ 静電チャック
４ａ 溝
４ｂ 切り欠き
５ 基板
６ 架台
７ ベース
８ 第１アーム
９ 第２アーム
１０ 台座
１１ ステージ
１００ ＥＵＶ光リソグラフィシステム
１０１ 像光学系システム
１０２ 反射型マスク
１０３ ウエハ
１０４ マスクステージ
１０５ ウエハステージ
１０６ 真空チャンバ
１０７ 真空ポンプ
１０８ レーザ源
１０９ キセノンガス供給装置
１１０ 真空チャンバ
１１１ 窓
１１２ ノズル
１１３ 放物面ミラー
１１４ 集光ミラー
１１５ａ〜１１５ｄ ミラー
１１６ 放物面ミラー
１１６ａ 開口
１１７ 真空ポンプ

Claims (7)

1. ステージに配置され基板を保持する吸着面を下向きに有するチャックと、
   前記基板を上側に載置する基板載置部を備え、前記チャックの下側で前記基板の搬入または搬出を行う搬送アームと、
   前記基板載置部を隔てて配置された複数の引掛爪と、を有し、
   前記引掛爪は、前記基板載置部に形成され前記基板よりも上側に突出する基部と前記基部から前記基板載置部に向けて張り出した爪部とを備え、
   前記基板載置部と前記チャックとは前記搬出時において上下方向に離間して、前記吸着面に吸着された前記基板を前記爪部に押圧させることを特徴とする基板搬送装置。
2. 前記引掛爪は前記基板載置部に固定されていることを特徴とする請求項１に記載の基板搬送装置。
3. 前記引掛爪は、前記基板載置部の上側に前記爪部が張り出した閉止状態と、前記基板載置部の上側から前記爪部が退避した開放状態とを切り替え可能であることを特徴とする請求項１に記載の基板搬送装置。
4. 前記チャックの側面部には前記爪部を水平方向に通過させる溝が形成され、
   前記基板載置部が前記チャックの下側で水平方向に移動可能であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板搬送装置。
5. 前記チャックの側面部には、前記基板載置部が前記チャックの下側に位置決めされた状態において、前記爪部の上下方向の移動を許容する切り欠きが形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板搬送装置。
6. 前記静電チャックの幅が前記爪部の先端の間隔よりも小さく設定されてなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板搬送装置。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板搬送装置を有することを特徴とする露光装置。

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