JP2006005024A - 基板処理装置および基板移動装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 占有面積を縮小することができると共に、振動静定性や位置決め精度、位置決めタクトタイムの向上を図ることができる基板位置決め装置およびこれを用いたフラットパネルディスプレイ製造装置を提供する。
【解決手段】 直線移動機構により、ガラス基板10の中心Cが局所処理部20に対向する。次いで、ガラス基板10が個別処理領域の一つ、例えば個別処理領域10Aを含む可動範囲32A内で移動すると共に、局所処理部20によりガラス基板10の個別処理領域10Aに対する処理が行われる。処理が終了したのち、回転機構によりガラス基板10が90度だけ回転することによりガラス基板10上の他の個別処理領域、例えば個別処理領域10Bが可動範囲32Aに合わせられ、そののち直線移動機構および局所処理部20によるガラス基板10の処理が行われる。
【選択図】図3
【解決手段】 直線移動機構により、ガラス基板10の中心Cが局所処理部20に対向する。次いで、ガラス基板10が個別処理領域の一つ、例えば個別処理領域10Aを含む可動範囲32A内で移動すると共に、局所処理部20によりガラス基板10の個別処理領域10Aに対する処理が行われる。処理が終了したのち、回転機構によりガラス基板10が90度だけ回転することによりガラス基板10上の他の個別処理領域、例えば個別処理領域10Bが可動範囲32Aに合わせられ、そののち直線移動機構および局所処理部20によるガラス基板10の処理が行われる。
【選択図】図3
Description
本発明は、液晶または有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ製造装置全般に好適な基板処理装置およびこれに用いる基板移動装置に関する。
液晶または有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに代表されるフラットパネルディスプレイ(FPD;Flat Panel Display)は、近年ますます大型化し、これに伴いパネル材料となるガラス基板の寸法も大型化してきている。
ここで問題となっているのが、検査機、リペア機またはステッパ(TFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)アレーパターニング用の分割露光機)などのフラットパネルディスプレイ製造装置の巨大化である。従来のフラットパネルディスプレイ製造装置では、例えば図7に示したように、基台111上のガラス基板110の上方に、装置目的に応じた処理を行うための局所処理部120が設けられている。局所処理部120は、具体的には、検査機では顕微鏡、リペア機では加工ヘッド、ステッパでは露光部や小型マスク等である。局所処理部120は、架橋部121に固定され、架橋部121の脚部121A,121Bは基台111に取り付けられている。ガラス基板110は、基台111上に設けられた基板保持部131に保持されている。基板保持部131は、X軸ユニット132XおよびY軸ユニット132Yにより構成された直線移動機構132によりガラス基板110をX−Y軸方向に移動させ、ガラス基板110を局所処理部120に対向する位置に位置決めすることができるようになっている(例えば、特許文献1参照。)。
特開平9−311350号公報
しかしながら、このような従来のフラットパネルディスプレイ製造装置では、ガラス基板110上のすべての点を局所処理部120に合わせるためには、ガラス基板110の面積の約4倍の最大移動範囲110Mが必要となる。一方、ガラス基板110の寸法は、近年いわゆる第7世代(1870mm×2200mm)まで達し、装置の巨大化の問題は更に深刻になっている。
そこで、従来では、少しでも占有面積を小さくするために、例えば図8に示したように、局所処理部120をX軸ユニット132Xに搭載し、局所処理部120を移動させることによりガラス基板110の最大移動範囲110Mを小さくする方法が採用されてきた。更に、図9に示したように、基台111に基板保持部131を固定する一方、局所処理部120をX軸ユニット132Xに搭載し、かつ局所処理部120を支持する架橋部121および脚部121A,121BをY軸ユニット132Yに搭載するようにしたものも開発されている。
しかし、図8または図9に示した構成では、局所処理部120にレーザやカメラ等、振動の影響を受けやすい部品が含まれている場合、局所処理部120の移動に伴う振動により故障の原因となってしまうおそれがあった。このため、例えば、レーザは固定し、ファイバーケーブルによりレーザ光を加工ヘッドに供給することも提案されているが、ファイバーケーブル内部でのパワー損失があり、特に紫外領域のレーザではパワー損失が激しく実用に耐えないという問題があった。
また、局所処理部120を動かすためには、X軸ユニット132Xを局所処理部120と共に基台111の上方に設置することになる。その結果、装置の重心が高くなってしまい、振動静定性の悪化、位置決め精度の低下、位置決めタクトタイムの悪化等の問題の原因になっていた。更に、レーザCVD(Chemical Vapor Deposition ;化学的気相成長)法によるリペア機のように局所処理部120にガスを供給する必要がある場合には、ガス導入用の配管を局所処理部120と共に動かす必要があった。しかし、十分な耐屈曲性を持ち、長期間ガスリークを起こさずに使用可能な配管を製作することは困難であった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、占有面積を縮小することができると共に、振動静定性や位置決め精度、位置決めタクトタイムの向上を図ることができる基板処理装置およびこれに用いる基板移動装置を提供することにある。
本発明による基板処理装置は、表面に分割された複数の個別処理領域を有する基板に対して、個別処理領域毎に所定の処理を行うものであり、以下の(A)〜(E)の要件を備えたものである。
(A)二次元座標系の固定位置に設けられ、基板に対して局所的に処理を行う局所処理部
(B)基板を固定して保持する基板保持部
(C)基板保持部に保持された基板を二次元座標軸方向に移動させる直線移動機構
(D)基板保持部に保持された基板をその特定位置を中心として二次元座標面内で回転させる回転機構
(E)直線移動機構により、基板の特定位置を局所処理部に対向させたのち、基板を個別処理領域を含む可動範囲内で移動させると共に、局所処理部により基板の個別処理領域に対する処理を行わせ、処理が終了したのち、回転機構により基板を所定の角度だけ回転させることにより基板上の他の個別処理領域を可動範囲に合わせ、そののち直線移動機構および局所処理部による基板の処理を行わせる制御部
(A)二次元座標系の固定位置に設けられ、基板に対して局所的に処理を行う局所処理部
(B)基板を固定して保持する基板保持部
(C)基板保持部に保持された基板を二次元座標軸方向に移動させる直線移動機構
(D)基板保持部に保持された基板をその特定位置を中心として二次元座標面内で回転させる回転機構
(E)直線移動機構により、基板の特定位置を局所処理部に対向させたのち、基板を個別処理領域を含む可動範囲内で移動させると共に、局所処理部により基板の個別処理領域に対する処理を行わせ、処理が終了したのち、回転機構により基板を所定の角度だけ回転させることにより基板上の他の個別処理領域を可動範囲に合わせ、そののち直線移動機構および局所処理部による基板の処理を行わせる制御部
本発明による基板移動装置は、二次元座標系の固定位置に局所処理部を有し、局所処理部により、表面に分割された複数の個別処理領域を有する基板に対して個別処理領域毎に所定の処理を行う基板処理装置に用いるものであって、以下の(F)〜(I)の要件を備えたものである。
(F)基板を固定して保持する基板保持部
(G)基板保持部に保持された基板を二次元座標軸方向に移動させる直線移動機構
(H)基板保持部に保持された基板をその特定位置を中心として二次元座標面内で回転させる回転機構
(I)直線移動機構により、基板の特定位置を局所処理部に対向させたのち、基板を個別処理領域を含む可動範囲内で移動させると共に、局所処理部による処理が終了したのち、回転機構により基板を所定の角度だけ回転させることにより基板上の他の個別処理領域を可動範囲に合わせ、そののち直線移動機構により基板を移動させる制御部
(F)基板を固定して保持する基板保持部
(G)基板保持部に保持された基板を二次元座標軸方向に移動させる直線移動機構
(H)基板保持部に保持された基板をその特定位置を中心として二次元座標面内で回転させる回転機構
(I)直線移動機構により、基板の特定位置を局所処理部に対向させたのち、基板を個別処理領域を含む可動範囲内で移動させると共に、局所処理部による処理が終了したのち、回転機構により基板を所定の角度だけ回転させることにより基板上の他の個別処理領域を可動範囲に合わせ、そののち直線移動機構により基板を移動させる制御部
本発明の基板処理装置では、直線移動機構により、基板の特定位置が局所処理部に対向したのち、基板が、個別処理領域を含む可動範囲内で移動すると共に、局所処理部により基板の個別処理領域に対する処理が行われる。処理が終了したのち、回転機構により基板が所定の角度だけ回転することにより基板上の他の個別処理領域が可動範囲に合わせられ、そののち直線移動機構および局所処理部による基板の処理が行われる。
本発明の基板移動装置では、直線移動機構により、基板の特定位置が局所処理部に対向したのち、基板が個別処理領域を含む可動範囲内で移動する。局所処理部による処理が終了したのち、回転機構により基板が所定の角度だけ回転することにより基板上の他の個別処理領域が可動範囲に合わせられ、そののち直線移動機構により基板が移動する。
本発明の基板処理装置、または本発明の基板移動装置によれば、直線移動機構により、基板の特定位置を局所処理部に対向させたのち、基板を個別処理領域を含む可動範囲内で移動させると共に、局所処理部により基板の個別処理領域に対する処理を行わせ、処理が終了したのち、回転機構により基板を所定の角度だけ回転させることにより基板上の他の個別処理領域を可動範囲に合わせ、そののち直線移動機構および局所処理部による基板の処理を行わせるようにしたので、直線移動機構の可動範囲を基板面積よりも小さく制限しても、基板上のすべての点を局所処理部に合わせることが可能となる。よって、直線移動機構の可動距離(ストローク)を短くすると共に基板の最大移動範囲を小さくし、装置の占有面積を縮小することができる。占有面積の縮小により、装置が設置されるクリーンルームの運用コストもそれだけ削減することができ、低コスト化に有利である。特に、年々大型化するフラットパネルディスプレイ用のガラス基板を対象とした検査機、リペア機またはステッパ等、フラットパネルディスプレイ製造装置全般に極めて好適である。
また、局所処理部は固定位置に配置することができるので、直線移動機構や回転機構を装置の下方に設け、装置の重心を低くすることができる。よって、振動静定性や位置決め精度を向上させ、位置決めタクトタイムを短縮することができる。更に、レーザやカメラ等、振動の影響を受けやすい部品を移動させる必要がなく、振動に起因した故障を防止することができる。加えて、レーザCVD法によるリペア機のように局所処理部にガスを供給する必要がある場合であっても、ガス導入用の配管に対する機械的負担を小さくすることができ、ガスリークを抑制することができる。
特に、制御部が、基板を回転させる際に、基板を、その特定位置が局所処理部に対向する位置からずれるように退避させ、所定の角度回転させたのち、特定位置が局所処理部に対向するよう復帰させるようにすれば、基板を回転させても最大移動範囲を拡大させることがない。よって、余った場所に局所処理部を支える架橋部の脚部を立てることなども可能となり、貴重な空間を節約して装置を更に小型化し、占有面積を縮小することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面構成を表している。この基板処理装置は、例えば、液晶あるいは有機エレクトロルミネッセンスディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの製造において、検査機、リペア機あるいはステッパ等として用いられるものであり、基台11上に、処理対象であるフラットパネルディスプレイ用のガラス基板10に対して局所的な処理を行うための局所処理部20と、局所処理部20を基準点としてガラス基板10を位置決めする基板移動部30と、局所処理部20および基板移動部30を制御する制御部40を備えている。
ガラス基板10は、図2に示したように、全体が矩形状であり、表面に四分割された個別処理領域10A,10B,10C,10Dを有すると共に、各個別処理領域10A,10B,10C,10Dの処理がなされる毎に後述する回転機構33により90度回転するようになっている。これら四つの個別処理領域10A,10B,10C,10Dは、ガラス基板10の中心Cを含む2本の線分により対称形状をなすように分割されている。
図1に示した局所処理部20は、X−Y二次元座標系の固定位置に設けられ、ガラス基板10に対して装置目的に応じた処理を行うためのものである。局所処理部20は、具体的には、検査機では顕微鏡、リペア機では加工ヘッド、ステッパでは露光部や小型マスク等であり、それぞれ公知の構成のものを用いることができる。局所処理部20は、架橋部21に支持され、架橋部21の脚部21A,21Bは基台11に取り付けられている。なお、局所処理部20には、必要に応じてレーザやカメラ等、振動の影響を受けやすい部品や、ガス導入用の配管などが設けられている。
図1に示した基板移動部30は、ガラス基板10を固定して保持する基板保持部31と、X軸ユニット32XおよびY軸ユニット32Yを有し、基板保持部31に保持されたガラス基板10をX−Y軸方向に移動させる直線移動機構32と、基板保持部31に保持されたガラス基板10を特定位置、例えば中心Cの周りでX−Y座標面内で回転させる回転機構33とを有している。
制御部40は、直線移動機構33により、ガラス基板10の中心Cを局所処理部20に対向させたのち、図2に示したように、ガラス基板10を個別処理領域の一つ、例えば個別処理領域10Aを含む可動範囲32A(図2において斜線を付した領域)内で移動させると共に、局所処理部20によりガラス基板10の個別処理領域10Aに対する処理を行わせ、処理が終了したのち、回転機構33によりガラス基板10を90度だけ回転させることによりガラス基板10上の他の個別処理領域、例えば個別処理領域10Bを可動範囲32Aに合わせ、そののち直線移動機構32および局所処理部20によるガラス基板10の処理を行わせるものである。これにより、この基板処理装置では、直線移動機構32の可動範囲32Aをガラス基板10の面積よりも小さくしても、ガラス基板10上のすべての点を局所処理部20に合わせることが可能となっている。直線移動機構32による可動範囲32Aは、例えば、ガラス基板10の長辺の2分の1の長さを一辺とする正方形をなしている。
直線移動機構32によるガラス基板10の最大移動範囲10Mは、図3に示したように、ガラス基板10が横長に配置されている場合の移動範囲と、ガラス基板10が縦長に配置されている場合の移動範囲とを合わせた略十字形の領域(図1および図3において太い2点鎖線で囲まれた領域)となる。図4は、この基板処理装置と、図7に示した従来の装置との占有面積を比較して表したものである。比較のため、架橋部21,121の脚部21A,21B,121A,121Bを同じ大きさで表している。図4から分かるように、本実施の形態の基板処理装置では、従来に比べて占有面積が約3分の2に小さくなっており、明らかに占有面積を縮小することができる。
更に、制御部40は、図3に示したように、ガラス基板10を回転させる際に、ガラス基板10を、その中心Cが局所処理部20に対向する位置からずれるように退避させ、90度回転させたのち、中心Cが局所処理部20に対向するよう復帰させるようになっている。これにより、ガラス基板10が回転することにより最大移動範囲10Mが広くなってしまうことを防ぐと共に、余剰部分50A,50B,50C,50Dに、局所処理部20を支える架橋部21の脚部21A,21Bを立てることができ、貴重な空間を節約して装置を更に小型化し、占有面積を縮小することができる。ガラス基板10の退避位置、すなわちガラス基板10の回転中心位置33Aは、例えば、回転機構32によるガラス基板10の回転範囲が直線移動機構32によるガラス基板10の最大移動範囲10M内に収まる位置(図3において細い点線で示した位置)となるようにすることが好ましい。
図5は、ガラス基板10の個別処理領域10A,10B,10C,10D毎に局所処理部20による処理を行う工程を表すものであり、制御部40による局所処理部20、直線移動機構32および回転機構33の制御によって、以下の動作が行われる。まず、基板保持部31にガラス基板10が載置されると、直線移動機構32によりガラス基板10が適宜移動することにより、ガラス基板10の中心Cが局所処理部20に対向する(ステップS101)。このとき、ガラス基板10の四つの個別処理領域10A,10B,10C,10Dのいずれか、例えば個別処理領域10Aが直線移動機構32の可動範囲32Aに合わせられる。なお、このとき、必要に応じて回転機構33によりガラス基板10を回転させて傾きを直すようにしてもよい。
次いで、直線移動機構32により、ガラス基板10が可動範囲32A内で移動すると共に、局所処理部20によりガラス基板10の個別処理領域10Aに対する処理が行われる。(ステップS102)。ここでは、局所処理部20は固定位置に設けられているので、直線移動機構32や回転機構33は装置の下方に設けられ、装置の重心が低くなっている。よって、振動静定性および位置決め精度が向上すると共に位置決めタクトタイムが短くなる。また、レーザやカメラ等の振動の影響を受けやすいものを移動させる必要がなくなるので、振動によって故障するようなことがなくなる。更に、レーザCVD法によるリペア機のように局所処理部20にガスを供給する必要がある場合にも、ガス導入用の配管に対する機械的負担が小さくなり、ガスリークが抑制される。
処理が終了したのち、直線移動機構32により、ガラス基板10が、その中心Cが局所処理部20に対向する位置からずれるように退避し(ステップS103)、中心Cが回転中心位置33Aに合わせられる。
そののち、回転機構33により、ガラス基板10が90度回転する(ステップS104)。このとき、ガラス基板10の中心Cが局所処理部20に対向する位置からずれた回転中心位置33Aに合わせられているので、ガラス基板10を回転させても最大移動範囲10Mが広がってしまうことがなくなる。よって、余剰部分50A,50B,50C,50Dに、局所処理部20を支える架橋部21の脚部21A,21Bが設けられている場合であっても、ガラス基板10が回転する際に脚部21A,21Bに衝突することなどが防止される。
ガラス基板10が回転したのち、直線移動機構32により、ガラス基板10が、その中心Cが局所処理部20に対向するように復帰する(ステップS105)。これにより、ガラス基板10上の他の個別処理領域、例えば個別処理領域10Bが直線移動機構32の可動範囲32Aに合わせられる。
ガラス基板10が元の位置に復帰したのち、直線移動機構32および局所処理部20によりガラス基板10の個別処理領域10Bに対する処理が行われる(ステップS106)。
処理が終了したのち、ガラス基板10上に設定されたすべての個別処理領域10A,10B,10C,10Dの処理が終了したか否かが判断される(ステップS107)。すべての個別処理領域10A,10B,10C,10Dの処理が終了していないと判断された場合(ステップS107;N)、ステップS103ないしステップS106の工程が繰り返されることにより個別処理領域10C,10Dが順次処理される。このようにして最後の個別処理領域10Dの処理が完了し(ステップS106)、すべての個別処理領域10A,10B,10C,10Dの処理が終了したと判断された場合(ステップS107;Y)、ガラス基板10の処理は完了する。処理が終了したガラス基板10は、基板保持部31から取り外すことができる。
このように本実施の形態では、直線移動機構32により、ガラス基板10を個別処理領域10A,10B,10C,10Dの一つ、例えば個別処理領域10Aを含む可動範囲32A内で移動させると共に、局所処理部20によりガラス基板10の個別処理領域10Aに対する処理を行わせ、処理が終了したのち、回転機構33によりガラス基板10を90度だけ回転させることによりガラス基板10上の他の個別処理領域、例えば個別処理領域10Bを可動範囲32Aに合わせ、そののち直線移動機構32および局所処理部20によるガラス基板10の処理を行わせるようにしたので、直線移動機構32の可動範囲32Aをガラス基板10の面積よりも小さく制限しても、ガラス基板20上のすべての点を局所処理部20に合わせることが可能となる。よって、直線移動機構32の可動距離(ストローク)を短くすると共にガラス基板10の最大移動範囲10Mを小さくし、装置の占有面積を縮小することができる。占有面積の縮小により、装置が設置されるクリーンルームの運用コストもそれだけ削減することができ、低コスト化に有利である。特に、年々大型化するフラットパネルディスプレイ用のガラス基板を対象とした検査機、リペア機またはステッパ等、フラットパネルディスプレイ製造装置全般に極めて好適である。
また、局所処理部20は固定位置に配置することができるので、直線移動機構32や回転機構33を装置の下方に設け、装置の重心を低くすることができる。よって、振動静定性や位置決め精度を向上させ、位置決めタクトタイムを短縮することができる。更に、レーザやカメラ等、振動の影響を受けやすい部品を移動させる必要がなく、振動に起因した故障を防止することができる。加えて、レーザCVD法によるリペア機のように局所処理部20にガスを供給する必要がある場合であっても、ガス導入用の配管に対する機械的負担を小さくすることができ、ガスリークを抑制することができる。
特に、制御部40が、ガラス基板10を回転させる際に、ガラス基板10を、その中心Cが局所処理部20に対向する位置からずれるように退避させ、90度回転させたのち、中心Cが局所処理部20に対向するよう復帰させるようにすれば、ガラス基板10を回転させても最大移動範囲10Mを拡大させることがない。よって、余剰部分50A,50B,50C,50Dに局所処理部20を支える架橋部21の脚部21A,21Bを立てることなども可能となり、貴重な空間を節約して装置を更に小型化し、占有面積を縮小することができる。
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態においては、基板処理装置の構成を具体的に挙げて説明したが、基板処理装置の構成は上記実施の形態に限られない。例えば、上記実施の形態では、制御部40が、局所処理部20および基板移動部30の両方を制御する場合について説明したが、制御部40は基板移動部30のみを制御し、局所処理部20は別途制御を受けるようにしてもよい。その場合、制御部40は、直線移動機構33により、ガラス基板10の中心Cを局所処理部20に対向させたのち、ガラス基板10を個別処理領域10A,10B,10C,10Dの一つ、例えば個別処理領域10Aを含む可動範囲32A内で移動させると共に、局所処理部20による処理が終了したのち、回転機構33によりガラス基板10を90度だけ回転させることによりガラス基板10上の他の個別処理領域、例えば個別処理領域10Bを可動範囲32Aに合わせ、そののち直線移動機構32によりガラス基板10を移動させる。
また、上記実施の形態では、ガラス基板10は、中心Cを含む二本の線分により個別処理領域10A,10B,10C,10Dに4分割され、個別処理領域10A,10B,10C,10Dの処理がなされる毎に90度回転する場合について説明したが、ガラス基板10に設定される複数の領域の数は必ずしも四つに限られない。例えば、図6に示したように、ガラス基板10を、その中心Cを含む一本の線分で個別処理領域10E,10Fに2分割し、個別処理領域10E,10Fの処理がなされる毎に180度回転するようにした場合にも、装置の占有面積をある程度小さくすることができる。その場合、直線移動機構32はガラス基板10の半分に対応する可動範囲32Aを有するようにすればよい。
更に、上記実施の形態では、ガラス基板10を中心Cの周りに回転させる場合について説明したが、ガラス基板10上の他の特定位置を中心として回転させるようにしてもよい。ただし、ガラス基板10を中心Cの周りに回転させるようにすれば、回転範囲を小さくすることができるので好ましい。
加えて、上記実施の形態では、ガラス基板10の中心Cを局所処理部20に対向させる場合について説明したが、ガラス基板10上の他の特定位置を局所処理部20に対向させるようにしてもよい。
本発明の基板処理装置または本発明の基板移動装置は、上述したようにフラットパネルディスプレイ用のガラス基板を対象とした検査機、リペア機またはステッパ等、フラットパネルディスプレイ製造装置全般に極めて好適であるが、これに限らず、半導体ウェハを対象とした半導体製造装置や、あるいはプリント配線基板等を対象とした電子回路基板製造装置などにも適用することができる。
10…ガラス基板、10A,10B,10C,10D…個別処理領域、10M…最大移動範囲、11…基台、20…局所処理部、21…架橋部、21A,21B…脚部、30…基板移動部、31…基板保持部、32…直線移動機構、32A…可動範囲、32X…X軸ユニット、32Y…Y軸ユニット、33…回転機構、33A…回転中心位置、40…制御部、50A,50B,50C,50D…余剰部分,C…中心
Claims (14)
- 表面に分割された複数の個別処理領域を有する基板に対して、個別処理領域毎に所定の処理を行う基板処理装置であって、
二次元座標系の固定位置に設けられ、基板に対して局所的に処理を行う局所処理部と、
基板を固定して保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板を二次元座標軸方向に移動させる直線移動機構と、
前記基板保持部に保持された基板をその特定位置を中心として二次元座標面内で回転させる回転機構と、
前記直線移動機構により、前記基板の特定位置を前記局所処理部に対向させたのち、前記基板を個別処理領域を含む可動範囲内で移動させると共に、前記局所処理部により前記基板の個別処理領域に対する処理を行わせ、処理が終了したのち、前記回転機構により前記基板を所定の角度だけ回転させることにより前記基板上の他の個別処理領域を前記可動範囲に合わせ、そののち前記直線移動機構および局所処理部による基板の処理を行わせる制御部と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記特定位置は基板の中心であり、前記基板の個別処理領域は、前記特定位置を含む1または複数の線分により対称形状をなすように分割されたものである
ことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記基板は、全体が矩形状であり、4分割された個別処理領域を有すると共に処理がなされる毎に90度回転する
ことを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。 - 前記直線移動機構による可動範囲は、長辺の2分の1の長さを一辺とする正方形をなす
ことを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。 - 前記基板は、全体が矩形状であり、2分割された個別処理領域を有すると共に処理がなされる毎に180度回転する
ことを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、基板を回転させる際に、前記基板を、その特定位置が前記局所処理部に対向する位置からずれるように退避させ、所定の角度回転させたのち、特定位置が前記局所処理部に対向するよう復帰させる
ことを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。 - 前記基板は、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板である
ことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 二次元座標系の固定位置に局所処理部を有し、前記局所処理部により、表面に分割された複数の個別処理領域を有する基板に対して個別処理領域毎に所定の処理を行う基板処理装置に用いる基板移動装置であって、
基板を固定して保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板を二次元座標軸方向に移動させる直線移動機構と、
前記基板保持部に保持された基板をその特定位置を中心として二次元座標面内で回転させる回転機構と、
前記直線移動機構により、前記基板の特定位置を前記局所処理部に対向させたのち、前記基板を個別処理領域を含む可動範囲内で移動させると共に、前記局所処理部による処理が終了したのち、前記回転機構により前記基板を所定の角度だけ回転させることにより前記基板上の他の個別処理領域を前記可動範囲に合わせ、そののち前記直線移動機構により基板を移動させる制御部と
を備えたことを特徴とする基板移動装置。 - 前記特定位置は基板の中心であり、前記基板の個別処理領域は、前記特定位置を含む1または複数の線分により対称形状をなすように分割されたものである
ことを特徴とする請求項8記載の基板移動装置。 - 前記基板は、全体が矩形状であり、4分割された個別処理領域を有すると共に処理がなされる毎に90度回転する
ことを特徴とする請求項9記載の基板移動装置。 - 前記直線移動機構による可動範囲は、長辺の2分の1の長さを一辺とする正方形をなす
ことを特徴とする請求項10記載の基板移動装置。 - 前記基板は、全体が矩形状であり、2分割された個別処理領域を有すると共に処理がなされる毎に180度回転する
ことを特徴とする請求項9記載の基板移動装置。 - 前記制御部は、基板を回転させる際に、前記基板を、その特定位置が前記局所処理部に対向する位置からずれるように退避させ、所定の角度回転させたのち、特定位置が前記局所処理部に対向するよう復帰させる
ことを特徴とする請求項9記載の基板移動装置。 - 前記基板は、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板である
ことを特徴とする請求項8記載の基板移動装置。
Priority Applications (1)
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JP2004177516A JP2006005024A (ja) | 2004-06-15 | 2004-06-15 | 基板処理装置および基板移動装置 |
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-
2004
- 2004-06-15 JP JP2004177516A patent/JP2006005024A/ja active Pending
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