JP2006004650A - 表示素子及び光学デバイス - Google Patents

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Abstract

【課題】長期にわたって良好な表示性能を維持することができる表示素子及び光学デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】 基板主面100Aに形成され、画像を表示するための複数の表示素子を備えた有効部106と、基板主面100Aの少なくとも有効部106を覆うように配置された封止体300と、を備え、封止体300は、少なくとも2層のバッファ層311及び312と、バッファ層311及び312より大きなパターンであってしかも各バッファ層311及び312を被覆するバリア層320、321、322と、を積層した構造を有し、第1バッファ層311は、第2バッファ層312とは異なる膜厚を有することを特徴とする。
【選択図】 図4

Description

この発明は、表示素子及び光学デバイスに係り、特に、複数の自己発光素子などの表示素子を含んで構成される光学デバイスに関する。
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置が注目されている。この有機EL表示装置は、自己発光素子を備えた表示装置であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
これらの特徴から、有機EL表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機EL表示装置は、自己発光素子として有機EL素子をマトリックス状に配置して構成されたアレイ基板を備えている。有機EL素子は、陽極と陰極との間に、発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を挟持した構造を有している。
有機EL素子は、外気に含まれる水分や酸素に触れると、その発光特性が急速に劣化する。このため、アレイ基板上の有機EL素子を配置した主面を、外気との接触から遮蔽し封止する技術が各種提案されている。このような技術は各種提案されており、例えば、有機EL素子の表面側に配置された電極上に、有機膜と無機膜とを積層成膜する膜封止技術が開示されている(例えば、非特許文献1参照)。
柳雄二,「薄型,大型,フレキシブル基板の量産に対応」,フラットパネル・ディスプレイ2003,日経BP社,2002年12月27日,p.264−270
有機EL素子を封止する保護層には、良好な段差被覆性を有し、ピンホールやクラックなどの欠陥のない膜を成膜することが要求される。しかし、完全な無欠陥膜を得ることは現実には困難である。このため、有機EL素子を外気から完全に遮蔽することができず、長期にわたって十分な性能を維持することが困難となる。
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、封止性に優れ良好な表示性能を維持することができる表示素子及び光学デバイスを提供することにある。
この発明の第1の様態による表示素子は、
基板主面に形成された表示素子であって、
前記表示素子を覆うように配置された封止体を備え、
前記封止体は、少なくとも2層のバッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかも各バッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
少なくとも1層のバッファ層は、他のバッファ層とは異なる膜厚を有することを特徴とする。
この発明の第2の様態による光学デバイスは、
基板主面に形成され、複数の表示素子を備えた有効部と、
基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように配置された封止体と、を備え、
前記封止体は、少なくとも2層のバッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかも各バッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
少なくとも1層のバッファ層は、他のバッファ層とは異なる膜厚を有することを特徴とする。
この発明の第3の様態による表示素子は、
基板主面に形成された表示素子であって、
前記表示素子を覆うように配置された封止体を備え、
前記封止体は、バッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかもバッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
前記バッファ層の側面と基板主面との成す角度は、鋭角であることを特徴とする。
この発明の第4の様態による光学デバイスは、
基板主面に形成され、複数の表示素子を備えた有効部と、
基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように配置された封止体と、を備え、
前記封止体は、バッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかもバッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
前記バッファ層の側面と基板主面との成す角度は、鋭角であることを特徴とする。
この発明によれば、封止性に優れ良好な表示性能を維持することができる表示素子及び光学デバイスを提供することができる。
以下、この発明の一実施の形態に係る表示素子及び光学デバイスについて図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、光学デバイスとして、自己発光型表示装置、例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置を例にして説明する。
図1及び図2に示すように、有機EL表示装置1は、画像を表示する表示エリア102を有するアレイ基板100と、アレイ基板100の少なくとも表示エリア102を密封する封止体300とを備えて構成されている。アレイ基板100の表示エリア102は、マトリクス状に配置された複数の画素PX(R、G、B)によって構成されている。
各画素PX(R、G、B)は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ10と、画素スイッチ10を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ20と、駆動トランジスタ20のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子30とを備えている。これら画素スイッチ10及び駆動トランジスタ20は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここではそれらの半導体層にポリシリコンを用いている。
また、各画素PX(R、G、B)は、表示素子としての有機EL素子40(R、G、B)をそれぞれ備えている。すなわち、赤色画素PXRは、赤色に発光する有機EL素子40Rを備え、緑色画素PXGは、緑色に発光する有機EL素子40Gを備え、さらに、青色画素PXBは、青色に発光する有機EL素子40Bを備えている。
各種有機EL素子40(R、G、B)の構成は、基本的に同一であって、有機EL素子40は、マトリクス状に配置され画素PX毎に独立島状に形成された第1電極60と、第1電極60に対向して配置され全画素PXに共通に形成された第2電極66と、これら第1電極60と第2電極66との間に保持された有機活性層64と、によって構成されている。
アレイ基板100は、画素PXの行方向(すなわち図1のY方向)に沿って配置された複数の走査線Ym(m=1、2、…)と、走査線Ymと略直交する方向(すなわち図1のX方向)に沿って配置された複数の信号線Xn(n=1、2、…)と、有機EL素子40の第1電極60側に電源を供給するための電源供給線Pと、を備えている。
電源供給線Pは、表示エリア102の周囲に配置された図示しない第1電極電源線に接続されている。有機EL素子40の第2電極66側は、表示エリア102の周囲に配置されコモン電位(ここでは接地電位)を供給する図示しない第2電極電源線に接続されている。
また、アレイ基板100は、表示エリア102の外周に沿った周辺エリア104に、走査線Ymのそれぞれに走査信号を供給する走査線駆動回路107と、信号線Xnのそれぞれに映像信号を供給する信号線駆動回路108と、を備えている。すべての走査線Ymは、走査線駆動回路107に接続されている。また、すべての信号線Xnは、信号線駆動回路108に接続されている。
画素スイッチ10は、ここでは走査線Ymと信号線Xnとの交差部近傍に配置されている。画素スイッチ10のゲート電極は走査線Ymに接続され、ソース電極は信号線Xnに接続され、ドレイン電極は蓄積容量素子30を構成する一方の電極及び駆動トランジスタ20のゲート電極に接続されている。駆動トランジスタ20のソース電極は蓄積容量素子30を構成する他方の電極及び電源供給線Pに接続され、ドレイン電極は有機EL素子40の第1電極60に接続されている。
図2に示すように、アレイ基板100は、配線基板120上に配置された表示素子すなわち有機EL素子40を備えている。なお、配線基板120は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性支持基板上に、画素スイッチ10、駆動トランジスタ20、蓄積容量素子30、走査線駆動回路107、信号線駆動回路108、各種配線(走査線、信号線、電源供給線等)などを備えて構成されたものとする。
有機EL素子40を構成する第1電極60は、配線基板120表面の絶縁膜上に配置されている。この第1電極60は、ここではITO(Indium Tin Oxide:インジウム・ティン・オキサイド)やIZO(Indium Zinc Oxide:インジウム・ジンク・オキサイド)などの光透過性導電部材によって形成され、陽極として機能している。
有機活性層64は、少なくとも発光機能を有する有機化合物を含んで構成され、各色共通に形成されるホールバッファ層、エレクトロンバッファ層、及び各色毎に形成される有機発光層の3層積層で構成されても良く、機能的に複合された2層または単層で構成されても良い。例えば、ホールバッファ層は、陽極および有機発光層間に配置され、芳香族アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体などの薄膜によって形成されている。有機発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成されている。この有機発光層は、例えば高分子系の発光材料を採用する場合には、PPV(ポリパラフェニレンビニレン)やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などの薄膜により構成されている。
第2電極66は、有機活性層64上に各有機EL素子40に共通に配置されている。この第2電極66は、例えばCa(カルシウム)、Al(アルミニウム)、Ba(バリウム)、Ag(銀)、Yb(イッテルビウム)などの電子注入機能を有する金属膜によって形成され、陰極として機能している。この第2電極66は、陰極として機能する金属膜の表面をカバーメタルで被覆した2層構造であっても良い。カバーメタルは、例えばアルミニウムによって形成されている。
この第2電極66の表面は、乾燥剤として吸湿性を有する材料で被覆されることが望ましい。すなわち、有機EL素子40は、水分に触れると、その発光特性が急速に劣化する。このため、有機EL素子40を水分から保護する目的で、その表面に相当する第2電極66上に乾燥剤68が配置されている。この乾燥剤68は、吸湿性を有する材料であれば良く、例えばリチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)などのアルカリ金属単体またはその酸化物、あるいは、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、バリウム(Ba)などのアルカリ土類金属またはその酸化物などで形成されている。
また、アレイ基板100は、表示エリア102において、少なくとも隣接する色毎に画素RX(R、G、B)間を分離する隔壁70を備えている。隔壁70は、各画素を分離するよう形成することが望ましく、ここでは、隔壁70は、各第1電極60の周縁に沿って格子状に配置され、第1画素電極を露出する隔壁の開口形状が円形または多角形となるよう形成されている。この隔壁70は、樹脂材料によって形成されるが、例えば、親液性を有する有機材料によって形成された第1絶縁層、及び、第1絶縁層上に配置され疎液性を有する有機材料によって形成された第2絶縁層を積層した構造を有している。
このように構成された有機EL素子40では、第1電極60と第2電極66との間に挟持された有機活性層64にホール及び電子を注入し、これらを再結合させることにより励起子を生成し、この励起子の失活時に生じる所定波長の光放出により発光する。ここでは、このEL発光は、アレイ基板100の下面側すなわち第1電極60側から出射され、表示画面を構成する。
ところで、アレイ基板100は、配線基板120の主面に形成された有効部106を備えている。この有効部106は、ここでは少なくとも画像を表示するための有機EL素子(表示素子)40をそれぞれ有する複数の画素PX(R、G、B)を備えた表示エリア102を含むものとするが、走査線駆動回路107や信号線駆動回路108などを備えた周辺エリア104を含んでも良い。
封止体300は、図2及び図3に示すように、アレイ基板100の主面すなわち有機EL素子40が形成された表面のうち、少なくとも有効部106を覆うように配置されている。この封止体300の表面は、ほぼ平坦化されている。
封止部材200は、図2に示すように、封止体300の表面全体に塗布された接着剤により封止体300に接着されている。この封止部材200は、例えばプラスチックシートなどの光透過性を有する絶縁性フィルムや、ダイアモンドライクカーボン等によって構成されている。
封止体300は、バッファ層311、312…と、このバッファ層より形成面積が大きなパターンであってしかもバッファ層を外気から遮蔽するよう被覆するバリア層321、322…と、を積層した構造を有している。封止体300の最外層及び最内層は、バリア層であることが望ましい。このため、封止体300は、少なくとも2層のバリア層を有している。
図2に示した例では、封止体300は、2層のバッファ層311、312と、3層のバリア層320、321、322とで構成され、バリア層とバッファ層を交互に積層した構造を有しており、最内層(有効部106に最も近い層)にバリア層320を有するとともに、最外層(有効部106から最も離れた層)にバリア層322を有している。また、各バリア層は、その周囲で下層のバッファ層の側面を含む全体を被覆することが望ましい。つまり、バリア層同士の密着性及び封止体としての封止性能を考慮すると、バリア層がそれぞれの周縁部で積層されることが望ましい。
バッファ層311、312…は、例えば、CNx:Hなどの窒化炭素、CFxなどのフッ化炭素をはじめとする種々の有機系材料、水添ジシクロペンタジエニルジアクリレートなどのアクリル系樹脂をはじめとする種々の樹脂材料により形成されている。バッファ層311、312…は、少なくとも有効部106と同等のサイズ、より望ましくはそれ以上のサイズのパターンを有している。ここでは、これらのバッファ層311、312…を形成する材料としては、比較的粘性の低い液体の状態で塗布され、バッファ層の少なくとも一層が下層の凹凸を吸収した状態で硬化するような材料を選択することが望ましく、基板表面を平坦化する平坦化層としての機能を有する。例えば、平坦化層としての機能を有するバッファ層は、2〜3μm程度の膜厚で形成され、隔壁と同程度あるいは隔壁よりも厚い膜厚で形成される。また、緩衝層としての機能を有するバッファ層は、100nm〜1μm程度の膜厚で形成される。
バリア層320、321、322…は、例えば、アルミニウムやチタンなどの金属材料、ITOやIZOなどの金属酸化物材料、または、SiNx、SiOx、アルミナなどのセラミック系材料などの無機系材料により、例えば50nm〜300nmの膜厚で形成される。EL発光を第1電極60側から取り出す下面発光方式の場合、バリア層320、321、322…の少なくとも1層として適用される材料は、遮光性及び光反射性を有していることが望ましい。
図2に示したような少なくとも2層のバッファ層311及び312を備えた構成の封止体300においては、少なくとも1層のバッファ層は、他のバッファ層とは異なる膜厚を有している。
例えば、図4及び図5に示すように、封止体300は、有効部106を被覆するように配置された第1バリア層320と、第1バリア層320上において有効部106に対応して配置された第1バッファ層311と、第1バッファ層311より大きなパターンであって第1バッファ層311を被覆するように配置された第2バリア層321と、第2バリア層321上において有効部106に対応して配置された第2バッファ層312と、第2バッファ層312より大きなパターンであって第2バッファ層312を被覆するように配置された第3バリア層322と、を備えて構成されている。
図4に示した例の場合には、有効部106の最も近くに配置された第1バッファ層311の膜厚は、第1バッファ層311より上層(有効部106から離れた層)に配置された第2バッファ層312より大きい。また、図5に示した例の場合には、有効部106の最も近くに配置された第1バッファ層311の膜厚は、第1バッファ層311より上層(有効部106から離れた層)に配置された第2バッファ層312より小さい。
ここで、膜厚とは、アレイ基板100の有効部106を配置した主面の法線方向に沿ったバッファ層の厚さに相当し、特に、各バッファ層における最も厚い部分の膜厚として定義する。図2に示したように、有効部106は、凹部106R及び凸部106Pを有している。すなわち、有効部106の凸部106Pは、隔壁70の形成部分に対応し、また、有効部106の凹部106Rは、隔壁70で囲まれた有機EL素子40の中央部分に対応する。
バッファ層は、上述したように、このような有効部106の凹凸を吸収してその表面を平坦化するため、少なくとも1層のバッファ層は、少なくとも隔壁70の厚さより大きな膜厚を有することが要求される。図4及び図5に示した構造例の場合、各バッファ層は、有効部106の凹部106Rに対応した部分が最も厚く、この部分の厚さをバッファ層の膜厚Dとする。
つまり、図4に示した例の場合には、第1バッファ層311の膜厚D1は、第2バッファ層312の膜厚D2より大きく(D1>D2)、また、図5に示した例の場合には、第1バッファ層311の膜厚D1は、第2バッファ層312の膜厚D2より小さい(D1<D2)。
このように、封止体300を構成する少なくとも1層のバッファ層が比較的厚い膜厚を有するように形成されることで、有効部106の凹凸を十分に吸収することができ、バッファ層のほぼ平坦化された表面上にバリア層を配置することが可能となる。このため、バッファ層を覆うバリア層での欠陥の発生を抑制することができ、カバレッジ不良の発生を防止することができる。このため、水分や酸素などの有機EL素子内への侵入を防止することができ、有機EL素子の劣化を抑制することができる。したがって、長期にわたって良好な表示性能を維持することができる。
また、少なくとも1層のバッファ層が比較的厚い膜厚を有するように形成されることで、比較的薄い膜厚のバッファ層を複数積層する場合と比較して、バッファ層を少ない積層数でその表面を十分に平坦化することが可能である。このため、バッファ層の積層数を少なくすることができ、封止体300を構成する全体の層数を低減することができる。したがって、生産性を向上することが可能となる。
一方で、少なくとも2層のバッファ層を備えて構成される封止体300では、少なくとも1層のバッファ層が比較的厚い膜厚を有するとともに、他のバッファ層が比較的薄い膜厚を有するように形成されることが望ましい。すなわち、複数のバッファ層を比較的厚い膜厚を有するように形成することで、確実に有効部106の凹凸を吸収することができ、上層のバッファ層ほどその表面を平坦化することが可能である。
しかしながら、このような構成は、封止体300全体の厚さを増す結果となり、薄型化の表示装置を実現するためには不利である。また、バッファ層材料を蒸着することで比較的厚い膜厚のバッファ層を形成する場合、複数の厚い膜厚のバッファ層を形成することは生産性の低下を招く。したがって、1層のバッファ層の膜厚を厚く形成するとともに他のバッファ層の膜厚を薄く形成することにより、装置全体の薄型化及び生産性の改善が可能となる。
また、図4に示したように、下層の第1バッファ層311を比較的厚い膜厚とし、上層の第2バッファ層312を比較的薄い膜厚とすることにより、封止体300を形成する比較的早期の段階(有効部に近い下層を形成する段階)で有効部106の凹凸を十分に平坦化することができ、その後に積層されるバリア層のカバレッジ性能を向上することができる。結果として、少ない層数の封止体で十分な封止性能を実現可能である。
また、図5に示したように、下層の第1バッファ層311を比較的薄い膜厚とし、上層の第2バッファ層312を比較的厚い膜厚とすることにより、有効部106に配置された有機EL素子40への水分や酸素などの影響を軽減することができる。
すなわち、図5に示したように、比較的薄い膜厚のバッファ層を有効部106に近接して配置するとともに比較的厚い膜厚のバッファ層を有効部106から離間して配置することにより、水分や酸素などの有機EL素子内への侵入を防止することができ、有機EL素子の劣化を抑制することができる。
なお、図4及び図5では、封止体300が2層のバッファ層を備えて構成された例について説明したが、封止体300は、3層以上のバッファ層を備えて構成されても良く、この場合、少なくとも1層のバッファ層が他より厚い膜厚で構成されていれば良く、厚い膜厚のバッファ層は、封止体300を構成するいずれの層として配置されても良い。
また、図6に示すように、バッファ層311の側面311Sと基板100の主面100Aとの成す角度θは、鋭角である。つまり、バッファ層311は、その上面(有効部106から離れた面)311Tから下面(有効部106に近接した面)311Bにわたって広がりを持った断面形状を有しており、その側面311Sがテーパ(順テーパ)形状をなすように形成されている。これにより、バッファ層311を被覆する第2バリア層321がバッファ層311の側面311Sに沿って配置され、ピンホールなどの欠陥発生を防止することができる。
また、バッファ層を被覆するバリア層での欠陥発生を確実に防止するためには、成す角度θは、できるだけ小さいことが望ましく、60度以下、より好ましくは45°以下であることが望ましい。このような構成により、バリア層によって被覆されるバッファ層の上面及び側面に急峻な凹凸が形成されず、バリア層は、バッファ層の上面及び側面を連続的に被覆することができる。このため、バリア層は、下層に配置されたバッファ層の影響を受けにくく、欠陥の発生を抑制することができる。
なお、封止体300が単層のバッファ層を備えて構成される場合であっても、バッファ層の側面と基板主面とのなす角度θが鋭角であることが望ましいことは言うまでもない。
なお、上述の実施形態においては、複数のバッファ層の平面サイズが、各バッファ層毎に異なる場合について説明したが、同一マスクを用いて、同一サイズとなるよう形成してもよい。
なお、上述の実施形態においては、アレイ基板側がら光を取り出す下面発光方式を例にとり説明したが、第2電極および封止体に光透過性をもたせ、封止体側から光を取り出す上面発光方式に本発明を適用することもできる。この際、第1電極に光反射性をもたせるか、光透過性の第1電極と別層に光反射膜を備えることが望ましい。
次に、有機EL表示装置の製造方法について説明する。ここでは、説明を簡略化するために、図4に示した構造の封止体を備えた有機EL表示装置の製造方法について説明する。
まず、図7Aに示すように、主面上に有効部106を形成した基板SUBを用意する。この有効部106は、金属膜及び絶縁膜の成膜やパターニングなどの処理を繰り返すことによって形成された、画素スイッチ10、駆動トランジスタ20、蓄積容量素子30、走査線駆動回路107、信号線駆動回路108の他に、信号線Xn、走査線Ym、電源供給線P等の各種配線、さらには、それぞれ有機EL素子40を備えた複数の画素PXを含むものとする。
続いて、基板SUBの主面の少なくとも有効部106を覆うように封止体300を配置する。
この封止体300は、例えば図8に示すような構成の製造装置600によって形成される。すなわち、製造装置600は、バリア層を形成するための第1チャンバ601、バッファ層用の樹脂材料を成膜するための第2チャンバ602、及び、成膜された樹脂材料を硬化するための第3チャンバ603を備えている。
第1チャンバ601では、バリア層として機能する金属材料が、所定形状の開口部を有するバリア層用マスクを介して蒸着される。ここで適用されるバリア層用マスクは、有効部106を蒸着源側に向けて導入された基板SUBに対して所定の位置関係で位置合わせされるように第1チャンバ601内に設置されても良いし、有効部106を形成した基板SUBに対して予め所定の位置関係で位置合わせされた状態で装着されても良い。
第2チャンバ602では、バッファ層として機能する樹脂材料の液体モノマを蒸発させ、所定形状の開口部を有するバッファ層用マスクを介して成膜する。この第2チャンバ602は、図9に示すように、バッファ層を形成するための材料源Sと基板SUBの有効部106が形成された主面との間にバッファ層用マスクMを備えている。バッファ層用マスクMが所定位置に配置されることで、材料源Sから飛散する樹脂材料の基板SUB主面への到達が規制され、開口部APを通過した樹脂材料が基板SUBの主面の所定領域ARに到達する。つまり、樹脂材料は所定領域ARに成膜される。
第3チャンバ603では、成膜されたモノマをポリマ化することによって樹脂材料を硬化する。モノマとして、感光性樹脂材料(例えば紫外線硬化型樹脂材料)が適用された場合、第3チャンバ603は、所定波長(例えば紫外線波長)の光源を備えている。このような第3チャンバ603においては、成膜されたモノマを所定露光量で露光することにより、モノマがポリマ化されることで硬化し、バッファ層が形成される。
また、モノマとして、電子線硬化型樹脂材料が適用された場合、第3チャンバ603は、電子線源を備えている。このような第3チャンバ603においては、成膜されたモノマに電子ビームを照射することにより、モノマがポリマ化されることで硬化し、バッファ層が形成される。
ここでは、バッファ層を形成するために、成膜用の第2チャンバ602と硬化用の第3チャンバ603とを用意したが、第2チャンバ602が所定波長の光源または電子線源などを備え、第2チャンバ602にて成膜工程と硬化工程とを同時に行っても良い。また、第2チャンバ602にて気相でポリマ化する樹脂材料を蒸着することで、硬化工程(第3チャンバ)を不要とすることも可能である。
封止体300を形成する過程においては、まず、図7Bに示すように、基板SUBの主面において、有効部106を外気から遮蔽する第1バリア層320を形成する。すなわち、主面に有効部106が形成された基板SUBは、第1チャンバ601に導入される。第1バリア層320は、第1チャンバ601において、マスクを介して金属材料を蒸着することによって形成される。このとき、第1バリア層320は、基板SUBの主面において、有効部106を含み、且つ、有効部106より大きな範囲にわたって形成される。
続いて、図7Cに示すように、第1バリア層320上において、少なくとも有効部106より大きなパターンの第1バッファ層311を有効部106に対応して形成する。すなわち、第1バリア層320が形成された基板SUBは、第2チャンバ602に導入される。第2チャンバ602においては、樹脂材料として、例えば紫外線硬化型樹脂材料の液体モノマを蒸発させ、バッファ層用マスクMを介して基板主面の所定領域ARにモノマを成膜する。この所定領域ARは、直下の第1バリア層320より小さな範囲であって、且つ、有効部106を含みしかも有効部106よりも大きな範囲である。
その後、基板SUBは、第3チャンバ603に導入される。第3チャンバ603においては、基板SUBの主面に成膜されたモノマを紫外線波長の光によって所定露光量で露光する。これにより、モノマがポリマ化されて硬化し、第1バッファ層311が形成される。
続いて、図7Dに示すように、基板SUBの主面において、第1バリア層320と同様に、第1チャンバ601において第1バッファ層311及び第1バリア層320の表面を外気から遮蔽する第2バリア層321を形成する。この第2バリア層321は、直下の第1バッファ層311より大きな範囲にわたって形成される。
続いて、図7Eに示すように、第2バリア層321上において、少なくとも有効部106より大きなパターンの第2バッファ層312を有効部106に対応して形成する。すなわち、第2バリア層321が形成された基板SUBは、第2チャンバ602に導入される。第2チャンバ602においては、紫外線硬化型樹脂材料の液体モノマを蒸発させ、バッファ層用マスクMを介して基板主面の所定領域ARにモノマを成膜する。この所定領域ARは、直下の第2バリア層321より小さな範囲であって、且つ、有効部106を含みしかも有効部106よりも大きな範囲である。
この第2バッファ層312を形成するためのモノマ成膜条件は、第1バッファ層311を形成するためのモノマ成膜条件とは異なる。例えば、図4に示したような構造の封止体300では、先に形成される第1バッファ層311の膜厚が後に形成される第2バッファ層321の膜厚よりも厚い。第1バッファ層311は、例えば、200Å/secの成膜レートでモノマを成膜したのに対して、第2バッファ層312は、例えば、1.3Å/secの成膜レートでモノマを成膜し、膜厚100nmの第1バッファ層311、膜厚2μmの第2バッファ層312を形成した。このように、膜厚に応じて成膜レートを制御することで、平坦化性確保のための厚膜バッファ層成膜においてはタクトを確保しつつ、薄膜バッファ層においては、より緻密な膜形成を行なうことができる。
その後、基板SUBは、第3チャンバ603に導入される。第3チャンバ603においては、基板SUBの主面に成膜されたモノマを紫外線波長の光によって所定露光量で露光する。これにより、モノマがポリマ化されて硬化し、第2バッファ層312が形成される。
続いて、図7Fに示すように、基板SUBの主面において、第1バリア層320と同様に、第1チャンバ601において第2バッファ層312及び第2バリア層321の表面を外気から遮蔽する第3バリア層322を形成する。この第3バリア層322は、直下の第2バッファ層312より大きな範囲にわたって形成される。以上のような工程を経て、図4に示すような構造の封止体300が形成される。
続いて、封止体300の表面、すなわち第2バリア層321の表面全体に接着剤を塗布し、封止部材200を接着する。また、必要に応じてEL発光を取り出す側の表面に偏光板を貼り付けても良い。
なお、マザー基板上に複数のアレイ部を形成した場合には、この後、マザー基板をアレイ部毎に単個サイズに切り出す。これにより、マザー基板SUBから封止体300及び封止部材200を取り付けられた単個のアレイ基板100が形成される。また、マザー基板を用いることなく基板上に単個のアレイ部を形成した場合には、単個サイズに切り出す工程は不要であり、この場合、基板SUBを用いて封止体300及び封止部材200を取り付けられた単個のアレイ基板100が直接形成される。
上述したような製造工程によって製造された有機EL表示装置1によれば、下層の影響を受けにくく有効部106に形成された有機EL素子40を確実に被覆することができる。また、これらバッファ層またはバリア層のいずれかに微小な間隙が形成されたとしても、複数層を積層したことにより、有機EL素子40へ到達するまでのルートが長くなり、長寿命化に対して十分な効果がある。したがって、有機EL素子40を外気から遮蔽することができ、長期にわたって十分な性能を維持することができる。また、封止体300上に接着剤によって封止部材200を接着する際、あるいは、封止部材200上に接着剤によって偏光板を接着する際に、接着剤に含まれる不純物の有機EL素子40内への侵入を防止することができ、有機EL素子40の性能の劣化を防止することができる。
また、複数のバッファ層を備えて構成される封止体300においては、少なくとも1層のバッファ層は、他のバッファ層312とは異なる膜厚を有するように形成されている。このような各バッファ層は、樹脂材料を成膜するそれぞれの成膜工程において、異なる成膜条件を設定することで形成可能である。
さらに、封止体300を構成する各バッファ層の側面と基板主面とのなす角度は、第2チャンバ602における樹脂材料の成膜工程において、成膜レートや、バッファ層形成ようマスクと基板主面との間の距離などを適宜設定することで制御可能である。
例えば、図9に示したような第2チャンバでは、バッファ層用マスクMは、基板SUBの主面に対して平行な状態で基板SUBの法線方向に移動可能に構成され、基板SUBとバッファ層用マスクMとの間隔Gが広がると、基板SUBの主面に成膜されるパターンがバッファ層用マスクMの開口部APよりも広がることを利用しても良い。
また、図10に示したような第2チャンバは、少なくとも1つのバッファ層用マスクMを備え、バッファ層用マスクMの開口部APは、基板SUBに近接する側が蒸着源側より広がるような側面MSによって規定されている。このような開口部APを有するようなバッファ層用マスクMを基板SUBの主面に近接(または密着)して配置した状態で、樹脂材料を蒸着することにより、側面MSと基板SUBとの成す角度に対応してバッファ層側面と基板主面とのなす角度を制御することが可能である。
さらには、図11に示したような第2チャンバは、複数のバッファ層用マスクM1、M2、M3…を備え、基板SUBの主面に近接(または密着)して配置されたバッファ層用マスクM1は他より大きな面積の開口部AP1を有し、バッファ層用マスクM2は開口部AP1より小さな面積の開口部AP2を有し、バッファ層用マスクM3は開口部AP2より小さな面積の開口部AP3を有している。このような複数のバッファ層用マスクM1、M2、M3…を積層することで、基板SUBに近接する側が蒸着源側より広がるような開口部APを規定することができ、この状態で樹脂材料を蒸着することにより、バッファ層側面と基板主面とのなす角度を制御することが可能である。
以上説明したように、この実施の形態によれば、基板主面に形成され画像を表示するための複数の画素を備えたほぼ矩形状の有効部と、基板主面の少なくとも有効部を覆うように配置された封止体と、を備えた光学デバイスが提供される。この光学デバイスにおいて、封止体は、少なくとも2層のバッファ層及びバッファ層より大きなパターンであって各バッファ層を被覆するバリア層を積層した構造を有している。しかも、少なくとも1層のバッファ層は、他のバッファ層とは異なる膜厚を有している。
このように、封止体を構成する少なくとも1層のバッファ層が比較的厚い膜厚を有するように形成されることで、有効部の凹凸を十分に吸収することができ、バッファ層のほぼ平坦化された表面上にバリア層を配置することが可能となる。このため、バッファ層を覆うバリア層での欠陥の発生を抑制することができ、カバレッジ不良の発生を防止することができる。このため、封止体としての封止性能を向上することができる。したがって、外部からの不純物や外気に対して高い遮蔽性を確保することができ、長期にわたって良好な表示性能を維持することができる。
また、1層のバッファ層の膜厚を厚く形成するとともに他のバッファ層の膜厚を薄く形成することにより、装置全体の薄型化及び生産性の改善が可能となる。
さらに、この光学デバイスにおいては、封止体は、バッファ層及びバッファ層より大きなパターンであって各バッファ層を被覆するバリア層を積層した構造を有している。しかも、バッファ層の側面と基板主面とのなす角度は鋭角である。これにより、バッファ層を被覆するバリア層がバッファ層の側面に沿って配置され、ピンホールなどの欠陥発生を防止することができる。このため、水分や酸素などの有機EL素子内への侵入を防止することができ、有機EL素子の劣化を抑制することができる。したがって、長期にわたって良好な表示性能を維持することができる。
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
上述した実施の形態では、封止体を構成するバッファ層が2層でバリア層が3層の場合(図4及び図5)を例に説明したが、それぞれの層数の組み合わせはこの例に限定されるものではない。なお、封止体を10層以上の薄膜を積層して構成するような場合は工程数が多すぎて生産性が低下する。このため、積層する薄膜の層数は、2層以上10層未満であって、望ましくは3乃至5層に設定される。
図1は、この発明の一実施の形態に係る有機EL表示装置の構成を概略的に示す図である。 図2は、図1に示した有機EL表示装置の画素構造を概略的に示す断面図である。 図3は、封止体が配置されたアレイ基板の外観を概略的に示す斜視図である。 図4は、図3に示したアレイ基板をA−B線で切断したときのアレイ基板及び封止体の断面構造を概略的に示す図である。 図5は、図3に示したアレイ基板をA−B線で切断したときの他の封止体の断面構造を概略的に示す図である。 図6は、図3に示したアレイ基板をA−B線で切断したときの他の封止体の断面構造を概略的に示す図である。 図7Aは、有機EL表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図7Bは、有機EL表示装置に適用される封止体の第1バリア層の製造方法を説明するための概略断面図である。 図7Cは、有機EL表示装置に適用される封止体の第1バッファ層の製造方法を説明するための概略断面図である。 図7Dは、有機EL表示装置に適用される封止体の第2バリア層の製造方法を説明するための概略断面図である。 図7Eは、有機EL表示装置に適用される封止体の第2バッファ層の製造方法を説明するための概略断面図である。 図7Fは、有機EL表示装置に適用される封止体の第3バリア層の製造方法を説明するための概略断面図である。 図8は、封止体を形成するための製造装置の構成を概略的に示す図である。 図9は、図8に示した製造装置における第2チャンバの構成を概略的に示す図である。 図10は、図8に示した製造装置における第2チャンバの他の構成を概略的に示す図である。 図11は、図8に示した製造装置における第2チャンバの他の構成を概略的に示す図である。
符号の説明
1…有機EL表示装置、10…画素スイッチ、20…駆動トランジスタ、30…蓄積容量素子、40…有機EL素子、60…第1電極、64…有機活性層、66…第2電極、70…隔壁、100…アレイ基板、106…有効部、120…配線基板、200…封止部材、300…封止体、311…第1バッファ層、312…第2バッファ層、320…第1バリア層、321…第2バリア層、322…第3バリア層、PX…画素、M…バッファ層用マスク、B…バッファ層用マスク

Claims (10)

  1. 基板主面に形成された表示素子であって、
    前記表示素子を覆うように配置された封止体を備え、
    前記封止体は、少なくとも2層のバッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかも各バッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
    少なくとも1層のバッファ層は、他のバッファ層とは異なる膜厚を有することを特徴とする表示素子。
  2. 基板主面に形成され、複数の表示素子を備えた有効部と、
    基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように配置された封止体と、を備え、
    前記封止体は、少なくとも2層のバッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかも各バッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
    少なくとも1層のバッファ層は、他のバッファ層とは異なる膜厚を有することを特徴とする光学デバイス。
  3. 前記有効部の最も近くに配置された第1バッファ層の膜厚は、前記第1バッファ層の上層に配置された第2バッファ層より大きいことを特徴とする請求項2に記載の光学デバイス。
  4. 前記有効部の最も近くに配置された第1バッファ層の膜厚は、前記第1バッファ層の上層に配置された第2バッファ層より小さいことを特徴とする請求項2に記載の光学デバイス。
  5. 基板主面に形成された表示素子であって、
    前記表示素子を覆うように配置された封止体を備え、
    前記封止体は、バッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかもバッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
    前記バッファ層の側面と基板主面との成す角度は、鋭角であることを特徴とする表示素子。
  6. 基板主面に形成され、複数の表示素子を備えた有効部と、
    基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように配置された封止体と、を備え、
    前記封止体は、バッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかもバッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
    前記バッファ層の側面と基板主面との成す角度は、鋭角であることを特徴とする光学デバイス。
  7. 前記バッファ層の側面と基板主面との成す角度は、60度以下であることを特徴とする請求項6に記載の光学デバイス。
  8. 前記有効部は、マトリクス状に配置され画素毎に独立島状に形成された第1電極と、前記第1電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に保持された有機活性層と、を含むことを特徴とする請求項2または6に記載の光学デバイス。
  9. 前記バリア層は、金属材料、金属酸化物材料、または、セラミック系材料によって形成されたことを特徴とする請求項2または6に記載の光学デバイス。
  10. 前記バッファ層は、樹脂材料によって形成されたことを特徴とする請求項2または6に記載の光学デバイス。
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