JP2005353398A - 表示素子、光学デバイス、及び光学デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】封止性に優れ、良好な表示性能を維持することができる表示装置及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板主面１００Ａに形成され、画像を表示するための複数の表示素子を備えた有効部１０６と、基板主面１００Ａの少なくとも有効部１０６を覆うように配置された封止体３００と、を備え、封止体３００は、少なくとも２層のバッファ層３１１及び３１２と、バッファ層３１１及び３１２より大きなパターンであってしかも各バッファ層３１１及び３１２を被覆するバリア層３２０、３２１、３２２と、を積層した構造を有し、第１バッファ層３１１は、その上層に配置された第２バッファ層３１２とは異なるサイズのパターンを有し、第２バッファ層３１２は、その外縁部３１２Ａが基板主面内において、第１バッファ層３１１の外縁部３１１Ａより内側に位置するように積層されたことを特徴とする。
【選択図】 図４Ａ

Description

この発明は、表示素子、光学デバイス、及び、光学デバイスの製造方法に係り、特に、複数の自己発光素子などの表示素子を含んで構成される光学デバイス及びその製造方法に関する。

近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自己発光素子を備えた表示装置であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。

これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機ＥＬ表示装置は、自己発光素子として有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置して構成されたアレイ基板を備えている。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を挟持した構造を有している。

有機ＥＬ素子は、外気に含まれる水分や酸素に触れると、その発光特性が急速に劣化する。このため、アレイ基板上の有機ＥＬ素子を配置した主面を、外気との接触から遮蔽し封止する技術が各種提案されている。このような技術は各種提案されており、例えば、有機ＥＬ素子の表面側に配置された電極上に、有機膜と無機膜とを積層成膜する膜封止技術が開示されている（例えば、非特許文献１参照）。
柳雄二，「薄型，大型，フレキシブル基板の量産に対応」，フラットパネル・ディスプレイ２００３，日経ＢＰ社，２００２年１２月２７日，ｐ．２６４−２７０

有機ＥＬ素子を封止するには、良好な段差被覆性を有し、ピンホールやクラックなどの欠陥のない膜を成膜することが要求される。しかし、完全な無欠陥膜を得ることは現実には困難である。このため、有機ＥＬ素子を外気から完全に遮蔽することができず、長期にわたって十分な性能を維持することが困難となる。

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、封止性に優れ、良好な表示性能を維持することができる表示素子、光学デバイス、及び光学デバイスの製造方法を提供することにある。

この発明の第１の様態による表示素子は、
基板主面に形成された表示素子であって、
前記表示素子を覆うように配置された封止体を備え、
前記封止体は、少なくとも２層のバッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかも各バッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
第１バッファ層は、その上層に配置された第２バッファ層とは異なるサイズのパターンを有し、
前記第２バッファ層は、その外縁部が基板主面内において、前記第１バッファ層の外縁部より内側または外側に位置するように積層されたことを特徴とする。

この発明の第２の様態による光学デバイスは、
基板主面に形成され、複数の表示素子を備えた有効部と、
基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように配置された封止体と、を備え、
前記封止体は、少なくとも２層のバッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかも各バッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
第１バッファ層は、その上層に配置された第２バッファ層とは異なるサイズのパターンを有し、
前記第２バッファ層は、その外縁部が基板主面内において、前記第１バッファ層の外縁部より内側または外側に位置するように積層されたことを特徴とする。

この発明の第３の様態による光学デバイスの製造方法は、
基板主面に、複数の画素を備えた有効部を形成し、
基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように封止体を配置する、光学デバイスの製造方法であって、
前記封止体の製造工程は、
前記有効部に対応して第１バッファ層を形成する工程と、
前記第１バッファ層より大きなパターンであって前記第１バッファ層を被覆するバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上において前記有効部に対応して第２バッファ層を形成する工程と、を備え、
前記第１バッファ層及び前記第２バッファ層を形成する工程は、同一パターンのマスクを介して樹脂材料を成膜する成膜工程を含み、それぞれの成膜工程では、基板主面から前記マスクまでの間隔が異なるように位置合わせし、
前記第１バッファ層は、前記第２バッファ層とは異なるサイズのパターンを有するように形成され、
前記第２バッファ層は、その外縁部が基板主面内において、前記第１バッファ層の外縁部より内側または外側に位置するように積層されたことを特徴とする。

この発明によれば、封止性に優れ、良好な表示性能を維持することができる表示素子、光学デバイス、及び、光学デバイスの製造方法を提供することができる。

以下、この発明の一実施の形態に係る表示素子、光学デバイス、及び、光学デバイスの製造方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、光学デバイスとして、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。

図１及び図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示する表示エリア１０２を有するアレイ基板１００と、アレイ基板１００の少なくとも表示エリア１０２を密封する封止体３００とを備えて構成されている。アレイ基板１００の表示エリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。

各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ１０と、画素スイッチ１０を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ２０と、駆動トランジスタ２０のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子３０とを備えている。これら画素スイッチ１０及び駆動トランジスタ２０は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここではそれらの半導体層にポリシリコンを用いている。

また、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、表示素子としての有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）をそれぞれ備えている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、赤色に発光する有機ＥＬ素子４０Ｒを備え、緑色画素ＰＸＧは、緑色に発光する有機ＥＬ素子４０Ｇを備え、さらに、青色画素ＰＸＢは、青色に発光する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。

各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の構成は、基本的に同一であって、有機ＥＬ素子４０は、マトリクス状に配置され画素ＰＸ毎に独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素ＰＸに共通に形成された第２電極６６と、これら第１電極６０と第２電極６６との間に保持された有機活性層６４と、によって構成されている。

アレイ基板１００は、画素ＰＸの行方向（すなわち図１のＹ方向）に沿って配置された複数の走査線Ｙｍ（ｍ＝１、２、…）と、走査線Ｙｍと略直交する方向（すなわち図１のＸ方向）に沿って配置された複数の信号線Ｘｎ（ｎ＝１、２、…）と、有機ＥＬ素子４０の第１電極６０側に電源を供給するための電源供給線Ｐと、を備えている。

電源供給線Ｐは、表示エリア１０２の周囲に配置された図示しない第１電極電源線に接続されている。有機ＥＬ素子４０の第２電極６６側は、表示エリア１０２の周囲に配置されコモン電位（ここでは接地電位）を供給する図示しない第２電極電源線に接続されている。

また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２の外周に沿った周辺エリア１０４に、走査線Ｙｍのそれぞれに走査信号を供給する走査線駆動回路１０７と、信号線Ｘｎのそれぞれに映像信号を供給する信号線駆動回路１０８と、を備えている。すべての走査線Ｙｍは、走査線駆動回路１０７に接続されている。また、すべての信号線Ｘｎは、信号線駆動回路１０８に接続されている。

画素スイッチ１０は、ここでは走査線Ｙｍと信号線Ｘｎとの交差部近傍に配置されている。画素スイッチ１０のゲート電極は走査線Ｙｍに接続され、ソース電極は信号線Ｘｎに接続され、ドレイン電極は蓄積容量素子３０を構成する一方の電極及び駆動トランジスタ２０のゲート電極に接続されている。駆動トランジスタ２０のソース電極は蓄積容量素子３０を構成する他方の電極及び電源供給線Ｐに接続され、ドレイン電極は有機ＥＬ素子４０の第１電極６０に接続されている。

図２に示すように、アレイ基板１００は、配線基板１２０上に配置された表示素子すなわち有機ＥＬ素子４０を備えている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性支持基板上に、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、走査線駆動回路１０７、信号線駆動回路１０８、各種配線（走査線、信号線、電源供給線等）などを備えて構成されたものとする。

有機ＥＬ素子４０を構成する第１電極６０は、配線基板１２０表面の絶縁膜上に配置されている。この第１電極６０は、ここではＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウム・ティン・オキサイド）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：インジウム・ジンク・オキサイド）などの光透過性導電部材によって形成され、陽極として機能している。

有機活性層６４は、少なくとも発光機能を有する有機化合物を含んで構成され、各色共通に形成されるホールバッファ層、エレクトロンバッファ層、及び各色毎に形成される有機発光層などの多層積層で構成されても良く、機能的に複合された２層または単層で構成されても良い。例えば、ホールバッファ層は、陽極および有機発光層間に配置され、芳香族アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体などの薄膜によって形成されている。有機発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成されている。この有機発光層は、例えば高分子系の発光材料を採用する場合には、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などの薄膜により構成されている。

第２電極６６は、有機活性層６４上に各有機ＥＬ素子４０に共通に配置されている。この第２電極６６は、例えばＣａ（カルシウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｂａ（バリウム）、Ａｇ（銀）、Ｙｂ（イッテルビウム）などの電子注入機能を有する金属膜によって形成され、陰極として機能している。この第２電極６６は、陰極として機能する金属膜の表面をカバーメタルで被覆した２層構造であっても良い。カバーメタルは、例えばアルミニウムによって形成されている。

この第２電極６６の表面は、乾燥剤として吸湿性を有する材料で被覆されることが望ましい。すなわち、有機ＥＬ素子４０は、水分に触れると、その発光特性が急速に劣化する。このため、有機ＥＬ素子４０を水分から保護する目的で、その表面に相当する第２電極６６上に乾燥剤６８が配置されている。この乾燥剤６８は、吸湿性を有する材料であれば良く、例えばリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）などのアルカリ金属単体またはその酸化物、あるいは、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）などのアルカリ土類金属またはその酸化物などで形成されている。

また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２において、少なくとも隣接する色毎に画素ＲＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。隔壁７０は、各画素を分離するよう形成することが望ましく、ここでは、隔壁７０は、各第１電極６０の周縁に沿って格子状に配置され、第１画素電極を露出する隔壁の開口形状が円形または多角形となるよう形成されている。この隔壁７０は、樹脂材料によって形成されるが、例えば、親液性を有する有機材料によって形成された第１絶縁層、及び、第１絶縁層上に配置され疎液性を有する有機材料によって形成された第２絶縁層を積層した構造を有している。

このように構成された有機ＥＬ素子４０では、第１電極６０と第２電極６６との間に挟持された有機活性層６４にホール及び電子を注入し、これらを再結合させることにより励起子を生成し、この励起子の失活時に生じる所定波長の光放出により発光する。ここでは、このＥＬ発光は、アレイ基板１００の下面側すなわち第１電極６０側から出射され、表示画面を構成する。

ところで、アレイ基板１００は、配線基板１２０の主面に形成された有効部１０６を備えている。この有効部１０６は、ここでは少なくとも画像を表示するための有機ＥＬ素子（表示素子）４０をそれぞれ有する複数の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を備えた表示エリア１０２を含むものとするが、走査線駆動回路１０７や信号線駆動回路１０８などを備えた周辺エリア１０４を含んでも良い。

封止体３００は、図２及び図３に示すように、アレイ基板１００の主面すなわち有機ＥＬ素子４０が形成された表面のうち、少なくとも有効部１０６を覆うように配置されている。この封止体３００の表面は、ほぼ平坦化されている。

封止部材２００は、図２に示すように、封止体３００の表面全体に塗布された接着剤により封止体３００に接着されている。この封止部材２００は、例えばプラスチックシートなどの光透過性を有する絶縁性フィルムや、ダイアモンドライクカーボン等によって構成されている。

封止体３００は、少なくとも２層のバッファ層３１１、３１２…と、これらのバッファ層より形成面積が大きなパターンであってしかも各バッファ層を外気から遮蔽するよう被覆するバリア層３２１、３２２…と、を積層した構造を有している。封止体３００の最内層は、バリア層であることが望ましく、ここでは、最内層にバリア層３２０を備えている。このため、封止体３００は、少なくとも３層のバリア層を有している。図２に示した例では、封止体３００は、最内層にバリア層３２０を有するとともに、最外層にバリア層３２２を有している。また、各バリア層は、その周囲で下層のバッファ層の側面を含む全体を被覆することが望ましい。つまり、バリア層同士の密着性及び封止体としての封止性能を考慮すると、バリア層がそれぞれの周縁部で積層されることが望ましい。

各バッファ層３１１、３１２…は、例えばアクリル系樹脂などの有機系材料（樹脂材料）により、例えば０．１〜５μｍ程度の膜厚で形成されている。各バッファ層３１１、３１２…は、少なくとも有効部１０６と同等のサイズ、より望ましくはそれ以上のサイズのパターンを有している。ここでは、これらのバッファ層３１１、３１２…を形成する材料としては、比較的粘性の低い液体の状態で塗布され、下層の凹凸を吸収した状態で硬化するような材料を選択することが望ましい。このような材料を用いて形成されたバッファ層３１１、３１２…は、それらの表面を平坦化する平坦化層としての機能を有する。

各バリア層３２０、３２１、３２２…は、例えば、アルミニウムやチタンなどの金属材料、ＩＴＯやＩＺＯなどの金属酸化物材料、または、アルミナなどのセラミック系材料などの無機系材料により、例えば５００オングストローム〜３μｍ程度、望ましくは２０００オングストローム程度の膜厚で形成される。ＥＬ発光を第１電極６０側から取り出す下面発光方式の場合、バリア層３２０、３２１、３２２…の少なくとも１層として適用される材料は、遮光性及び光反射性を有していることが望ましい。また、ＥＬ発光を第２電極６６側から取り出す上面発光方式の場合、バリア層３２０、３２１、３２２…として適用される材料は光透過性を有していることが望ましい。上面発光方式の場合、バッファ層３１１、３１２…として適用される材料も同様に光透過性を有していることが望ましい。

このような構成の封止体３００においては、少なくとも１層のバッファ層は、他のバッファ層とは異なるサイズのパターンを有している。しかも、少なくとも１層のバッファ層は、その外縁部が基板主面内において、他のバッファ層の外縁部より内側または外側に位置するように積層されている。

例えば、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、封止体３００は、有効部１０６を被覆するように配置された第１バリア層３２０と、第１バリア層３２０上において有効部１０６に対応して配置された第１バッファ層３１１と、第１バッファ層３１１より大きなパターンであって第１バッファ層３１１を被覆するように配置された第２バリア層３２１と、第２バリア層３２１上において有効部１０６に対応して配置された第２バッファ層３１２と、第２バッファ層３１２より大きなパターンであって第２バッファ層３１２を被覆するように配置された第３バリア層３２２と、を備えて構成されている。

図４Ａ及び図４Ｂに示した例の場合、第１バッファ層３１１は、その上層に配置された第２バッファ層３１２より大きいサイズのパターンを有し、しかも、第２バッファ層３１２の外縁部３１２Ａは、基板主面内において、第１バッファ層３１１の外縁部３１１Ａより内側に位置するように積層されている。

より具体的に説明すると、封止体３００が配置されたアレイ基板１００をその主面の法線方向から観察したとき、第２バッファ層３１２の外縁部３１２Ａは、第１バッファ層３１１の外縁部３１１Ａより、有効部１０６の端部１０６Ａの近くに位置する。すなわち、封止体３００が配置されたアレイ基板１００を平面的に見た場合、第１バッファ層３１１の外縁部３１１Ａから有効部１０６の端部１０６Ａまでの間隔Ｄ１は、第２バッファ層３１２の外縁部３１２Ａから有効部１０６の端部１０６Ａまでの間隔Ｄ２とは異なり、ここでは、間隔Ｄ１が間隔Ｄ２より大きい。

つまり、この第２バッファ層３１２は、第１バッファ層３１１と完全に一致するような位置に形成されず、その外縁部３１２Ａは、第１バッファ層３１１の外縁部３１１Ａに対して相対的にずれた状態で重なる。

積層される２層のバッファ層すべてが完全に一致するような位置に形成された場合、各バッファ層の外縁部がほぼ同じ位置で重なるため、封止体３００の周縁は、アレイ基板１００の主面に対する法線とほぼ平行な急峻な斜面によって形成されることになる。このような構造の場合、各バッファ層を被覆するバリア層の膜厚は、バッファ層の膜厚の１／１〜１／１０程度であるため、上層のバッファ層を被覆するバリア層ほどバッファ層の周縁を被覆しにくくなり、カバレッジ不良を招くおそれがある。

このため、封止体３００を構成する複数のバッファ層は、すべて同程度の膜厚で形成されており、少なくともバッファ層の膜厚程度、望ましくはバッファ層の膜厚の１０倍程度を目安に互いの外縁部がずれた状態で積層されている。バッファ層外縁部のずれ量は、例えば、（Ｄ１−Ｄ２）で規定される。

例えば、これらバッファ層が１０μｍオーダの膜厚で形成されている場合、第１バッファ層３１１の外縁部３１１Ａと第２バッファ層３１２の外縁部３１２Ａとは１０μｍ程度のオーダでずれた状態で重なっている。

なお、これらバッファ層のずれ量が１桁小さい１μｍ程度のオーダの場合、ずれ量が各バッファ層形成時のマージンに吸収されてしまい、複数のバッファ層をずらして積層したことによる効果が十分に得られない可能性がある。また、これらバッファ層のずれ量が１桁大きい１００μｍ程度のオーダの場合、積層するバッファ層の層数が多くなるにしたがって有効部１０６の周縁からアレイ基板１００の周縁までの額縁幅を十分に大きく確保する必要があり、狭額縁化には不利である。したがって、ここでは、各バッファ層のずれ量は１０〜１００μｍ程度のオーダが望ましい。つまり、各バッファ層のずれ量は、各バッファ層の膜厚や、積層するバッファ層の層数、狭額縁化を実現可能な額縁幅などに基づいて適宜決定される。

つまり、第１バッファ層３１１、及び、第２バッファ層３１２は、それぞれ有効部１０６を覆うように配置されつつ、それぞれの外縁部が互いにずれた状態で積層される。これにより、各バッファ層のいずれの辺もほぼ同じ位置で重なることがなく、封止体３００の周縁が緩やかな斜面３００Ｓによって形成される。

これにより、上層のバッファ層を被覆するバリア層を形成する場合でも各バッファ層の外縁部を確実に被覆することができ、カバレッジ不良の発生を防止することができる。このため、水分や酸素などの有機ＥＬ素子内への侵入を防止することができ、有機ＥＬ素子の劣化を抑制することができる。したがって、長期にわたって良好な表示性能を維持することができる。

なお、図４Ａ及び図４Ｂに示した例では、封止体３００が２層のバッファ層を備えて構成された場合について説明したが、３層以上のバッファ層を備える場合には、上層のバッファ層ほど（アレイ基板１００から離間したバッファ層ほど）小さいサイズのパターンを有することが望ましい。しかしながら、少なくとも１層のバッファ層が他のバッファ層とは異なるサイズのパターンを有し、しかも、互いの外縁部がずれた状態で積層されることで、封止体３００の周縁が緩やかな斜面３００Ｓによって形成されるので、上述したのと同様の効果が得られる。

図５Ａ及び図５Ｂに示した封止体３００は、有効部１０６を被覆するように配置された第１バリア層３２０と、第１バリア層３２０上において有効部１０６に対応して配置された第１バッファ層３１１と、第１バッファ層３１１より大きなパターンであって第１バッファ層３１１を被覆するように配置された第２バリア層３２１と、第２バリア層３２１上において有効部１０６に対応して配置された第２バッファ層３１２と、第２バッファ層３１２より大きなパターンであって第２バッファ層３１２を被覆するように配置された第３バリア層３２２と、を備えて構成されている。

図５Ａ及び図５Ｂに示した例の場合、第１バッファ層３１１は、その上層に配置された第２バッファ層３１２より大きいサイズのパターンを有し、しかも、第２バッファ層３１２の外縁部３１２Ａは、基板主面内において、第１バッファ層３１１の外縁部３１１Ａより外側に位置するように積層されている。

より具体的に説明すると、封止体３００が配置されたアレイ基板１００をその主面の法線方向から観察したとき、第１バッファ層３１１の外縁部３１１Ａは、第２バッファ層３１２の外縁部３１２Ａより、有効部１０６の端部１０６Ａの近くに位置する。すなわち、封止体３００が配置されたアレイ基板１００を平面的に見た場合、第１バッファ層３１１の外縁部３１１Ａから有効部１０６の端部１０６Ａまでの間隔Ｄ１は、第２バッファ層３１２の外縁部３１２Ａから有効部１０６の端部１０６Ａまでの間隔Ｄ２とは異なり、ここでは、間隔Ｄ１が間隔Ｄ２より小さい。

つまり、この第２バッファ層３１２は、第１バッファ層３１１と完全に一致するような位置に形成されず、その外縁部３１２Ａは、第１バッファ層３１１の外縁部３１１Ａに対して相対的にずれた状態で重なる。図４Ａ及び図４Ｂに示した例と同様に、封止体３００を構成する複数のバッファ層は、すべて同程度の膜厚で形成されており、少なくともバッファ層の膜厚程度、望ましくはバッファ層の膜厚の１０倍程度を目安に互いの外縁部がずれた状態で積層されている。バッファ層外縁部のずれ量は、例えば、（Ｄ２−Ｄ１）で規定される。複数のバッファ層をずらして積層したことによる効果、及び、狭額縁化を考慮した場合、各バッファ層のずれ量は１０〜１００μｍ程度のオーダが望ましい。

このように、第１バッファ層３１１、及び、第２バッファ層３１２は、それぞれ有効部１０６を覆うように配置されつつ、それぞれの外縁部が互いにずれた状態で積層される。特に、上層のバッファ層が下層のバッファ層を被覆するように配置されるため、封止体としての封止性能を向上することができる。このため、水分や酸素などの有機ＥＬ素子内への侵入を防止することができ、有機ＥＬ素子の劣化を抑制することができる。したがって、長期にわたって良好な表示性能を維持することができる。

なお、図５Ａ及び図５Ｂに示した例では、封止体３００が２層のバッファ層を備えて構成された場合について説明したが、３層以上のバッファ層を備える場合には、上層のバッファ層ほど（アレイ基板１００から離間したバッファ層ほど）大きいサイズのパターンを有することが望ましい。しかしながら、少なくとも１層のバッファ層が他のバッファ層とは異なるサイズのパターンを有し、しかも、互いの外縁部がずれた状態で積層されることで、上層のバッファ層が確実に下層のバッファ層を被覆できるので、上述したのと同様の効果が得られる。

なお、図４Ａ及び図４Ｂ、及び、図５Ａ及び図５Ｂに図示したいずれの例においてもすべてのバリア層を同一サイズに形成したが、特にこのような構造に限定されるものではなく、各層でサイズが異なっても良い。

次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。ここでは、説明を簡略化するために、図４Ａ及び図４Ｂに示した構造の封止体を備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。

まず、図６Ａに示すように、主面上に有効部１０６を形成した基板ＳＵＢを用意する。この有効部１０６は、金属膜及び絶縁膜の成膜やパターニングなどの処理を繰り返すことによって形成された、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、走査線駆動回路１０７、信号線駆動回路１０８の他に、信号線Ｘｎ、走査線Ｙｍ、電源供給線Ｐ等の各種配線、さらには、それぞれ有機ＥＬ素子４０を備えた複数の画素ＰＸを含むものとする。

続いて、基板ＳＵＢの主面の少なくとも有効部１０６を覆うように封止体３００を配置する。
この封止体３００は、例えば図７に示すような構成の製造装置６００によって形成される。すなわち、製造装置６００は、バリア層を形成するための第１チャンバ６０１、バッファ層用の樹脂材料を成膜するための第２チャンバ６０２、及び、成膜された樹脂材料を硬化するための第３チャンバ６０３を備えている。

第１チャンバ６０１では、バリア層として機能する金属材料が、所定形状の開口部を有するバリア層用マスクを介して蒸着される。ここで適用されるバリア層用マスクは、有効部１０６を蒸着源側に向けて導入された基板ＳＵＢに対して所定の位置関係で位置合わせされるように第１チャンバ６０１内に設置されても良いし、有効部１０６を形成した基板ＳＵＢに対して予め所定の位置関係で位置合わせされた状態で装着されても良い。

第２チャンバ６０２では、バッファ層として機能する樹脂材料の液体モノマを蒸発させ、所定形状の開口部を有するバッファ層用マスクを介して成膜する。この第２チャンバ６０２は、図８に示すように、バッファ層を形成するための材料源Ｓと基板ＳＵＢの有効部１０６が形成された主面との間にバッファ層用マスクＭを備えている。このバッファ層用マスクＭは、基板ＳＵＢの主面に対して平行な状態で基板ＳＵＢの法線方向に移動可能である。

すなわち、この第２チャンバ６０２では、基板ＳＵＢとバッファ層用マスクＭとの間隔が広がると、基板ＳＵＢの主面に成膜されるパターンがバッファ層用マスクＭの開口部ＡＰよりも広がることを利用している。

例えば、バッファ層用マスクＭが基板ＳＵＢの主面から比較的離れた第１位置Ｐ１に位置決めされた場合、基板ＳＵＢとバッファ層用マスクＭとの間に比較的大きい第１間隔Ｇ１が形成される。このような第１位置Ｐ１にバッファ層用マスクＭを配置することで、材料源Ｓから飛散する樹脂材料の基板ＳＵＢ主面への到達が規制され、開口部ＡＰを通過した樹脂材料が基板ＳＵＢの主面の第１領域ＡＲ１に到達する。つまり、樹脂材料は第１領域ＡＲ１に成膜される。

これに対して、バッファ層用マスクＭが基板ＳＵＢの主面に比較的近い第２位置Ｐ２に位置決めされた場合、基板ＳＵＢとバッファ層用マスクＭとの間に比較的小さい第２間隔Ｇ２が形成される。このような第２位置Ｐ２にバッファ層用マスクＭを配置することで、材料源Ｓから飛散する樹脂材料の基板ＳＵＢ主面への到達がさらに規制され、開口部ＡＰを通過した樹脂材料が基板ＳＵＢの主面の第２領域ＡＲ２に到達する。つまり、樹脂材料は第１領域ＡＲ１より小さな第２領域ＡＲ２に成膜される。

要するに、封止体３００を構成する各バッファ層を形成するに当たり、同一パターンの開口部ＡＰを有するマスクＭを介して樹脂材料を成膜する際、それぞれの成膜工程において、基板ＳＵＢの主面からマスクＭまでの間隔が異なるように位置合わせすることにより、それぞれ異なるサイズのパターンを有するバッファ層を形成することができる。このため、異なるサイズのパターンを有する複数のバッファ層を形成するために、複数のマスクを用意する必要がなく、製造コストの削減が可能となる。

第３チャンバ６０３では、成膜されたモノマをポリマ化することによって樹脂材料を硬化する。モノマとして、感光性樹脂材料（例えば紫外線硬化型樹脂材料）が適用された場合、第３チャンバ６０３は、所定波長（例えば紫外線波長）の光源を備えている。このような第３チャンバ６０３においては、成膜されたモノマを所定露光量で露光することにより、モノマがポリマ化されることで硬化し、バッファ層が形成される。

また、モノマとして、電子線硬化型樹脂材料が適用された場合、第３チャンバ６０３は、電子線源を備えている。このような第３チャンバ６０３においては、成膜されたモノマに電子ビームを照射することにより、モノマがポリマ化されることで硬化し、バッファ層が形成される。

ここでは、バッファ層を形成するために、成膜用の第２チャンバ６０２と硬化用の第３チャンバ６０３とを用意したが、第２チャンバ６０２が所定波長の光源または電子線源などを備え、第２チャンバ６０２にて成膜工程と硬化工程とを同時に行っても良い。また、第２チャンバ６０２にて気相でポリマ化する樹脂材料を蒸着することで、硬化工程（第３チャンバ）を不要とすることも可能である。

ここで説明する封止体３００の形成過程においては、バリア層用マスクは、有効部１０６を形成した基板ＳＵＢに対して予め所定の位置関係で位置合わせされた状態で装着されているものとする。

まず、図６Ｂに示すように、基板ＳＵＢの主面において、有効部１０６を外気から遮蔽する第１バリア層３２０を形成する。すなわち、有効部１０６が形成された主面にバリア層用マスクＢＭを備えた基板ＳＵＢは、第１チャンバ６０１に導入される。第１バリア層３２０は、第１チャンバ６０１において、バリア層用マスクＢＭを介して金属材料を蒸着することによって形成される。このとき、第１バリア層３２０は、基板ＳＵＢの主面において、有効部１０６を含み、且つ、有効部１０６より大きな範囲にわたって形成される。

続いて、図６Ｃに示すように、第１バリア層３２０上において、少なくとも有効部１０６より大きなパターンの第１バッファ層３１１を有効部１０６に対応して形成する。すなわち、バリア層用マスクＢＭを備えた基板ＳＵＢは、第２チャンバ６０２に導入される。第２チャンバ６０２においては、バッファ層用マスクＭは、第１位置Ｐ１に位置決めされ、基板ＳＵＢの主面とバッファ層用マスクＭとの間に比較的大きい第１間隔Ｇ１が形成される。そして、樹脂材料として、例えば紫外線硬化型樹脂材料の液体モノマを蒸発させ、バッファ層用マスクＭを介して基板主面の第１領域ＡＲ１にモノマを成膜する。この第１領域ＡＲ１は、直下の第１バリア層３２０より小さな範囲であって、且つ、有効部１０６を含みしかも有効部１０６よりも大きな範囲である。

そして、バリア層用マスクＢＭを備えた基板ＳＵＢは、第３チャンバ６０３に導入される。第３チャンバ６０３においては、基板ＳＵＢの主面に成膜されたモノマを紫外線波長の光によって所定露光量で露光する。これにより、モノマがポリマ化されて硬化し、第１バッファ層３１１が形成される。

続いて、図６Ｄに示すように、基板ＳＵＢの主面において、第１バリア層３２０と同様に、第１チャンバ６０１において第１バッファ層３１１及び第１バリア層３２０の表面を外気から遮蔽する第２バリア層３２１を形成する。この第２バリア層３２１は、直下の第１バッファ層３１１より大きな範囲にわたって形成される。また、この第２バリア層３２１は、基板ＳＵＢに装着されたバリア層用マスクＢＭを介して形成されるため、第１バリア層３２０と同一パターンとして形成される。

続いて、図６Ｅに示すように、第２バリア層３２１上において、少なくとも有効部１０６より大きなパターンの第２バッファ層３１２を有効部１０６に対応して形成する。すなわち、バリア層用マスクＢＭを備えた基板ＳＵＢは、第２チャンバ６０２に導入される。第２チャンバ６０２においては、バッファ層用マスクＭは、第１位置Ｐ１から基板ＳＵＢの主面に対する法線方向に平行移動され、第２位置Ｐ２に位置決めされる。これにより、基板ＳＵＢの主面とバッファ層用マスクＭとの間に比較的小さい第２間隔Ｇ２が形成される。そして、紫外線硬化型樹脂材料の液体モノマを蒸発させ、バッファ層用マスクＭを介して基板主面の第２領域ＡＲ２にモノマを成膜する。この第２領域ＡＲ２は、直下の第２バリア層３２１より小さな範囲であって、且つ、有効部１０６を含みしかも有効部１０６よりも大きな範囲である。

そして、バリア層用マスクＢＭを備えた基板ＳＵＢは、第３チャンバ６０３に導入される。第３チャンバ６０３においては、基板ＳＵＢの主面に成膜されたモノマを紫外線波長の光によって所定露光量で露光する。これにより、モノマがポリマ化されて硬化し、第２バッファ層３１２が形成される。

この第２バッファ層３１２は、第１バッファ層３１１を形成した場合に適用したのと同一のバッファ層用マスクＭを用いて形成されているため、第１バッファ層３１１と相似形となる。また、第２バッファ層３１２は、バッファ層用マスクＭを、第１位置Ｐ１から基板ＳＵＢの主面に対する法線方向に平行移動した第２位置Ｐ２に位置決めした状態で形成されるため、その重心Ｏ２が第１バッファ層３１１の重心Ｏ１と一致する（Ｏ２がＯ２を通る基板主面の法線Ｎ上に位置する）。

第２バッファ層３１２を形成するためにバッファ層用マスクＭを位置決めした第２位置Ｐ２は、第１バッファ層３１１を形成するために位置決めされた第１位置Ｐ１に対して、基板ＳＵＢの主面に対する法線方向に平行移動され
この第２バッファ層３１２は、その下層に配置された第１バッファ層３１１より小さいサイズのパターンを有するように形成され、しかも、第２バッファ層３１２の外縁部３１２Ａは、基板主面内において、第１バッファ層３１１の外縁部３１１Ａより内側に位置するように積層されている。

続いて、図６Ｆに示すように、基板ＳＵＢの主面において、第１バリア層３２０と同様に、第１チャンバ６０１において第２バッファ層３１２及び第２バリア層３２１の表面を外気から遮蔽する第３バリア層３２２を形成する。この第３バリア層３２２は、直下の第２バッファ層３１２より大きな範囲にわたって形成される。また、この第３バリア層３２２は、基板ＳＵＢに装着されたバリア層用マスクＢＭを介して形成されるため、第１バリア層３２０及び第２バリア層３２１と同一パターンとして形成される。以上のような工程を経て、図４Ａ及び図４Ｂに示すような構造の封止体３００が形成される。封止体３００が形成された後には、バリア層用マスクＢＭは、基板ＳＵＢから取り外される。

続いて、封止体３００の表面、すなわち第２バリア層３２１の表面全体に接着剤を塗布し、封止部材２００を接着する。また、必要に応じてＥＬ発光を取り出す側の表面に偏光板を貼り付けても良い。

なお、マザー基板上に複数のアレイ部を形成した場合には、この後、マザー基板をアレイ部毎に単個サイズに切り出す。これにより、マザー基板ＳＵＢから封止体３００及び封止部材２００を取り付けられた単個のアレイ基板１００が形成される。また、マザー基板を用いることなく基板上に単個のアレイ部を形成した場合には、単個サイズに切り出す工程は不要であり、この場合、基板ＳＵＢを用いて封止体３００及び封止部材２００を取り付けられた単個のアレイ基板１００が直接形成される。

上述したような製造工程によって製造された有機ＥＬ表示装置１によれば、下層の影響を受けにくく有効部１０６に形成された有機ＥＬ素子４０を確実に被覆することができる。また、これらバッファ層またはバリア層のいずれかに微小な間隙が形成されたとしても、複数層を積層したことにより、有機ＥＬ素子４０へ到達するまでのルートが長くなり、長寿命化に対して十分な効果がある。したがって、有機ＥＬ素子４０を外気から遮蔽することができ、長期にわたって十分な性能を維持することができる。また、封止体３００上に接着剤によって封止部材２００を接着する際、あるいは、封止部材２００上に接着剤によって偏光板を接着する際に、接着剤に含まれる不純物の有機ＥＬ素子４０内への侵入を防止することができ、有機ＥＬ素子４０の性能の劣化を防止することができる。

また、第１バッファ層３１１は、その上層に配置された第２バッファ層３１２とは異なるサイズのパターンを有するように形成され、しかも、第２バッファ層３１２は、その外縁部３１２Ａが基板主面内において、第１バッファ層３１１の外縁部３１１Ａより内側または外側に位置するように積層される。このような各バッファ層は、同一パターンのバッファ層用マスクを介して樹脂材料を成膜するそれぞれの成膜工程において、基板主面からバッファ層用マスクまでの間隔が異なるように位置合わせすることで形成可能である。

図４Ａ及び図４Ｂに示した封止体３００のように、第２バッファ層３１２がその下層の第１バッファ層３１１より小さいサイズのパターンを有する場合、第２バッファ層３１２の外縁部３１２Ａは、基板主面内において、第１バッファ層３１１の外縁部３１１Ａより内側に位置する。このような構造は、第２バッファ層３１２を形成するための成膜工程での基板ＳＵＢの主面からバッファ層用マスクＭまでの間隔Ｇ２を、第１バッファ層３１１を形成するための成膜工程での間隔Ｇ１より小さく設定することで形成される。

つまり、封止体３００を構成する各バッファ層のサイズが上層ほど小さいような構造は、各バッファ層の成膜工程において基板主面からバッファ層用マスク間での間隔を順次小さくする（上層のバッファ層成膜工程での基板−マスク間の間隔を下層のバッファ層成膜工程より小さくする）ことで形成可能である。

また、図５Ａ及び図５Ｂに示した封止体３００のように、第２バッファ層３１２がその下層の第１バッファ層３１１より大きいサイズのパターンを有する場合、第２バッファ層３１２の外縁部３１２Ａは、基板主面内において、第１バッファ層３１１の外縁部３１１Ａより外側に位置する。このような構造は、第２バッファ層３１２を形成するための成膜工程での基板ＳＵＢの主面からバッファ層用マスクＭまでの間隔Ｇ２を、第１バッファ層３１１を形成するための成膜工程での間隔Ｇ１より大きく設定することで形成される。

すなわち、図６Ｅに示したように、第１バッファ層３１１を形成するために第２位置Ｐ２に位置決めしたバッファ層用マスクＭを介した成膜工程及び硬化工程を経た後に、図６Ｃに示したように、第２バッファ層３１２を形成するために第１位置Ｐ１に位置決めしたバッファ層用マスクＭを介した成膜工程及び硬化工程を行う。

つまり、封止体３００を構成する各バッファ層のサイズが上層ほど大きいような構造は、各バッファ層の成膜工程において基板主面からバッファ層用マスク間での間隔を順次大きくする（上層のバッファ層成膜工程での基板−マスク間の間隔を下層のバッファ層成膜工程より大きくする）ことで形成可能である。

以上説明したように、この実施の形態によれば、基板主面に形成され画像を表示するための複数の画素を備えたほぼ矩形状の有効部と、基板主面の少なくとも有効部を覆うように配置された封止体と、を備えた光学デバイスが提供される。この光学デバイスにおいて、封止体は、少なくとも２層のバッファ層及びバッファ層より大きなパターンであって各バッファ層を被覆するバリア層を積層した構造を有している。しかも、第１バッファ層は、その上層に配置された第２バッファ層とは異なるサイズのパターンを有し、且つ、第２バッファ層は、その外縁部が基板主面内において、第１バッファ層の外縁部より内側または外側に位置するように積層されている。

このため、有効部に形成された表示素子を確実に被覆することができる。しかも、上層に積層されるバッファ層ほど小さいサイズのパターンを有して互いの外縁部がずれた状態で重ねられた構造の場合、封止体の周縁を緩やかな斜面として形成することができる。これにより、バリア層によりバッファ層の外縁部を含めた全体を確実に被覆することができ、カバレッジ不良の発生を防止することができる。また、上層に積層されるバッファ層ほど大きいサイズのパターンを有して互いの外縁部がずれた状態で重ねられた構造の場合、上層のバッファ層が下層のバッファ層を被覆するように配置されるため、封止体としての封止性能を向上することができる。したがって、外部からの不純物や外気に対して高い遮蔽性を確保することができ、長期にわたって良好な表示性能を維持することができる。

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

上述した実施の形態では、基板主面からバッファ層用マスクまでの間隔を異ならせるために、第２チャンバ内において、バッファ層用マスクを基板主面の法線方向に移動させたが、この例に限定されるものではない。例えば、基板をその法線方向に移動させることでバッファ層用マスクまでの間隔を異ならせても良いし、基板とバッファ層用マスクとの両者を基板法線方向に移動させても良い。

また、基板主面からバッファ層用マスクまでの間隔を異ならせるために、第２チャンバ内において、バッファ層用マスク及び基板の少なくとも一方を基板法線方向に移動させて所定位置に位置決めしたが、基板主面とバッファ層用マスクとの間隔を精度よくコントロールするために、これらの間に所定の高さを有するスペーサを挿入するように構成しても良い。

また、上述した実施の形態では、封止体を構成するバッファ層が２層でバリア層が３層の場合（図４Ａ及び図５Ａ）を例に説明したが、それぞれの層数の組み合わせはこの例に限定されるものではない。なお、封止体を１０層以上の薄膜を積層して構成するような場合は工程数が多すぎて生産性が低下する。このため、積層する薄膜の層数は、２層以上１０層未満であって、望ましくは３乃至５層に設定される。

図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置のアレイ基板の構成を概略的に示す図である。 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の１画素分の構造を概略的に示す断面図である。 図３は、封止体が配置されたアレイ基板の外観を概略的に示す斜視図である。 図４Ａは、図３に示したアレイ基板をＡ−Ｂ線で切断したときの封止体の断面構造を概略的に示す図である。 図４Ｂは、図４Ａに示したアレイ基板及び封止体の平面構造を概略的に示す図である。 図５Ａは、図３に示したアレイ基板をＡ−Ｂ線で切断したときの他の封止体の断面構造を概略的に示す図である。 図５Ｂは、図５Ａに示したアレイ基板及び封止体の平面構造を概略的に示す図である。 図６Ａは、有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図６Ｂは、有機ＥＬ表示装置に適用される封止体の第１バリア層の製造方法を説明するための概略断面図である。 図６Ｃは、有機ＥＬ表示装置に適用される封止体の第１バッファ層の製造方法を説明するための概略断面図である。 図６Ｄは、有機ＥＬ表示装置に適用される封止体の第２バリア層の製造方法を説明するための概略断面図である。 図６Ｅは、有機ＥＬ表示装置に適用される封止体の第２バッファ層の製造方法を説明するための概略断面図である。 図６Ｆは、有機ＥＬ表示装置に適用される封止体の第３バリア層の製造方法を説明するための概略断面図である。 図７は、封止体を形成するための製造装置の構成を概略的に示す図である。 図８は、図７に示した製造装置における第２チャンバの構成を概略的に示す図である。

符号の説明

１…有機ＥＬ表示装置、１０…画素スイッチ、２０…駆動トランジスタ、３０…蓄積容量素子、４０…有機ＥＬ素子、６０…第１電極、６４…有機活性層、６６…第２電極、７０…隔壁、１００…アレイ基板、１０６…有効部、１２０…配線基板、２００…封止部材、３００…封止体、３１１…第１バッファ層、３１２…第２バッファ層、３２０…第１バリア層、３２１…第２バリア層、３２２…第３バリア層、ＰＸ…画素、Ｍ…バッファ層用マスク、ＢＭ…バリア層用マスク

Claims (12)

1. 基板主面に形成された表示素子であって、
   前記表示素子を覆うように配置された封止体を備え、
   前記封止体は、少なくとも２層のバッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかも各バッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
   第１バッファ層は、その上層に配置された第２バッファ層とは異なるサイズのパターンを有し、
   前記第２バッファ層は、その外縁部が基板主面内において、前記第１バッファ層の外縁部より内側または外側に位置するように積層されたことを特徴とする表示素子。
2. 基板主面に形成され、複数の表示素子を備えた有効部と、
   基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように配置された封止体と、を備え、
   前記封止体は、少なくとも２層のバッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかも各バッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
   第１バッファ層は、その上層に配置された第２バッファ層とは異なるサイズのパターンを有し、
   前記第２バッファ層は、その外縁部が基板主面内において、前記第１バッファ層の外縁部より内側または外側に位置するように積層されたことを特徴とする光学デバイス。
3. 前記第１バッファ層は、前記第２バッファ層より大きいサイズのパターンを有し、
   前記第２バッファ層の外縁部は、基板主面内において、前記第１バッファ層の外縁部より内側に位置することを特徴とする請求項２に記載の光学デバイス。
4. 前記第１バッファ層は、前記第２バッファ層より小さいサイズのパターンを有し、
   前記第２バッファ層の外縁部は、基板主面内において、前記第１バッファ層の外縁部より外側に位置することを特徴とする請求項２に記載の光学デバイス。
5. 前記有効部は、マトリクス状に配置され画素毎に独立島状に形成された第１電極と、前記第１電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に保持された有機活性層と、を含むことを特徴とする請求項２に記載の光学デバイス。
6. 前記バリア層は、金属材料、金属酸化物材料、または、セラミック系材料によって形成されたことを特徴とする請求項２に記載の光学デバイス。
7. 前記バッファ層は、樹脂材料によって形成されたことを特徴とする請求項２に記載の光学デバイス。
8. 基板主面に、複数の画素を備えた有効部を形成し、
   基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように封止体を配置する、光学デバイスの製造方法であって、
   前記封止体の製造工程は、
   前記有効部に対応して第１バッファ層を形成する工程と、
   前記第１バッファ層より大きなパターンであって前記第１バッファ層を被覆するバリア層を形成する工程と、
   前記バリア層上において前記有効部に対応して第２バッファ層を形成する工程と、を備え、
   前記第１バッファ層及び前記第２バッファ層を形成する工程は、同一パターンのマスクを介して樹脂材料を成膜する成膜工程を含み、それぞれの成膜工程では、基板主面から前記マスクまでの間隔が異なるように位置合わせし、
   前記第１バッファ層は、前記第２バッファ層とは異なるサイズのパターンを有するように形成され、
   前記第２バッファ層は、その外縁部が基板主面内において、前記第１バッファ層の外縁部より内側または外側に位置するように積層されたことを特徴とする光学デバイスの製造方法。
9. 前記第２バッファ層を形成するための前記成膜工程での基板主面から前記マスクまでの間隔は、前記第１バッファ層を形成するための前記成膜工程より小さく設定し、
   前記第２バッファ層は、前記第１バッファ層より小さいサイズのパターンを有し、
   前記第２バッファ層の外縁部は、基板主面内において、前記第１バッファ層の外縁部より内側に位置することを特徴とする請求項８に記載の光学デバイスの製造方法。
10. 前記第２バッファ層を形成するための前記成膜工程での基板主面から前記マスクまでの間隔は、前記第１バッファ層を形成するための前記成膜工程より大きく設定し、
    前記第２バッファ層は、前記第１バッファ層より大きいサイズのパターンを有し、
    前記第２バッファ層の外縁部は、基板主面内において、前記第１バッファ層の外縁部より外側に位置することを特徴とする請求項８に記載の光学デバイスの製造方法。
11. 基板主面に、複数の画素を備えた有効部を形成し、
    基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように封止体を配置する、光学デバイスの製造方法であって、
    前記封止体の製造工程は、
    前記有効部が形成された基板主面にバリア層用マスクを装着する工程と、
    前記バリア層用マスクを介して少なくとも前記有効部を被覆する第１バリア層を形成する工程と、
    前記第１バリア層上において前記有効部に対応して第１バッファ層を形成する工程と、
    前記バリア層用マスクを介して前記第１バッファ層より大きなパターンであって前記第１バッファ層を被覆する第２バリア層を形成する工程と、
    前記第２バリア層上において前記有効部に対応して第２バッファ層を形成する工程と、
    前記バリア層用マスクを介して前記第２バッファ層より大きなパターンであって前記第２バッファ層を被覆する第３バリア層を形成する工程と、を備え、
    前記第１バッファ層及び前記第２バッファ層を形成する工程は、同一パターンのマスクを介して樹脂材料を成膜する成膜工程を含み、それぞれの成膜工程では、基板主面から前記マスクまでの間隔が異なるように位置合わせし、
    前記第１バッファ層は、前記第２バッファ層とは異なるサイズのパターンを有するように形成され、
    前記第２バッファ層は、その外縁部が基板主面内において、前記第１バッファ層の外縁部より内側または外側に位置するように積層されたことを特徴とする光学デバイスの製造方法。
12. 基板主面に形成され、画像を表示するための複数の画素を備えた表示領域と、
    前記表示領域を覆うように配置された第１薄膜と、
    前記第１薄膜を被覆する第２薄膜と、
    前記表示領域を覆い、かつ、前記第２薄膜を部分的に被覆する第３薄膜と、
    前記第３薄膜を被覆する第４薄膜と、を積層してなる積層体と、を備え、
    前記１薄膜及び前記第３薄膜は、平面形状が互いに異なることを特徴とする光学デバイス。

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