JP2005528776A - バリア層とシード層の一体化 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、一般に、バリア層を堆積し、そのバリア層を覆ってシード層を堆積する装置及び方法に関する。より詳細には、本発明は、バリア層を堆積し、そのバリア層を覆って銅及び別の金属を含むシード層を堆積する装置及び方法に関する。
サブミクロン以下の特徴部を高い信頼性で製造することは、半導体デバイスの次世代の超大規模集積(VLSI)及び極超大規模集積(ULSI)のための重要な技術の1つである。しかしながら、回路技術のフリンジがプレスされるときには、VLSI及びULSI技術における相互接続部の寸法収縮により処理能力に付加的な要求が課せられる。この技術の中心に位置する多レベルの相互接続部は、ビア及び他の相互接続部のようなアスペクト比の高い特徴部の高精度処理を必要とする。これらの相互接続部を高い信頼性で製造することは、VLSI及びULSIの成功にとって非常に重要であると共に、個々の基板の回路密度及び品質を高める努力を続けるためにも非常に重要である。
本発明は、一般に、バリア層を堆積し、そのバリア層を覆ってシード層を堆積し、更に、そのシード層を覆って導電層を堆積することにより特徴部を埋め込むことに関する。一実施形態において、シード層は、バリア層を覆って堆積された銅合金のシード層で構成される。例えば、銅合金のシード層は、銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組み合せのような金属とを含む。別の実施形態では、シード層は、バリア層を覆って堆積された銅合金のシード層と、この銅合金のシード層を覆って堆積された第2のシード層とで構成される。銅合金のシード層は、銅の他に、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組み合せのような金属とを含む。第2のシード層は、非ドープの銅のような金属で構成される。更に別の実施形態では、シード層は、第1シード層と、第2シード層とを含む。第1シード層は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組み合せのような金属で構成される。第2シード層は、非ドープ銅のような金属で構成される。
バリア層を堆積するためのプロセスチャンバー
図1は、本発明の態様に基づき原子層堆積によって1つ以上のバリア層を形成するのに使用される処理システム10の一実施形態を示す概略断面図である。もちろん、他の処理システムも使用できる。
図1に例示されたチャンバーは、次のプロセスを実施するのに使用可能である。もちろん、他のプロセスチャンバーも使用できる。図2A−図2Bは、本発明の1つ以上の態様に基づく相互接続構造体を製造するためのバリア層形成の一実施形態を示す。
一実施形態において、シード層は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、無電解堆積のような適当な技術又はこれら技術の組み合せにより堆積される。シード層を堆積するのに適した物理的気相堆積技術は、高密度プラズマ物理的気相堆積(HDP PVD)或いはコリメート式又は長射程(long throw)スパッタリングのような技術を含む。HDP PVDの一形式は、自己イオン化プラズマ物理的気相堆積である。シード層を自己イオン化プラズマ物理的気相堆積することのできるチャンバーは、例えば、カリフォルニア州サンタクララのアプライド・マテリアルズ社から入手できるSIPTMチャンバーである。自己イオン化物理的気相堆積することのできるチャンバーの実施例は、本発明と矛盾しない程度に参考としてここに援用する「Rotating Sputter Magnetron Assembly」と題する米国特許第6,183,614号に開示されている。
図4に例示したチャンバーを使用して、次のプロセスが実施される。もちろん、他のプロセスチャンバーが使用されてもよい。図5A−図5Cは、バリア層を覆ってシード層を堆積する実施形態を示す概略断面図である。
実施例1
TaN層を原子層堆積により基板上に約20Åの厚みまで堆積した。このTaN層を覆ってシード層を物理的気相堆積により約100Åの厚みまで堆積した。シード層は、1)非ドープの銅を含むターゲットを使用して堆積された非ドープの銅、2)約2.0原子パーセントの濃度のアルミニウムを含む銅−アルミニウムターゲットを使用して堆積された約2.0原子パーセントの濃度のアルミニウムを含む銅合金、3)約2.0原子パーセントの濃度のスズを含む銅−スズターゲットを使用して堆積された約2.0原子パーセントの濃度のスズを含む銅合金、又は4)約2.0原子パーセントの濃度のジルコニウムを含む銅−ジルコニウムターゲットを使用して堆積された約2.0原子パーセントの濃度のジルコニウムを含む銅合金で構成された。それにより得られた基板を、窒素(N2)及び水素(H2)雰囲気中で約380℃の温度で約15分間アニールした。
2.0原子パーセントの濃度のアルミニウムを含む銅−アルミニウムターゲットを使用して、約2.0原子パーセントのアルミニウムを含む銅−アルミニウム合金膜を、物理的気相堆積により種々の基板上に堆積した。それにより得られた基板は、1)ALD TaN層を覆って約50Åの厚みまで堆積された銅−アルミニウム層、2)約100ÅのTa層を覆って約50Åの厚みまで堆積された銅−アルミニウム層、3)ALD TaN層を覆って約100Åの厚みまで堆積された銅−アルミニウム層、4)窒化シリコン(SiN)層を覆って約100Åの厚みまで堆積された銅−アルミニウム層、及び5)酸化シリコン層を覆って約100Åの厚みまで堆積された銅−アルミニウム層を含むものであった。それにより得られた基板は、窒素(N2)及び水素(H2)雰囲気中で約380℃の温度で約15分間アニールされた。走査電子顕微鏡写真は、種々の基板上の銅−アルミニウム合金に著しい凝集がないことを示した。
2.0原子パーセントの濃度のアルミニウムを含む銅−アルミニウムターゲットを使用して、約2.0原子パーセントのアルミニウムを含む銅−アルミニウム合金膜を、物理的気相堆積により、ALD TaN層を覆って50Å又は100Åの厚みまで堆積した。それにより得られた基板を、窒素(N2)及び水素(H2)雰囲気中で、約380℃、約450℃又は約500℃の温度で約15分間アニールした。走査電子顕微鏡写真は、約380℃又は約450℃の温度でアニールした基板の場合に銅−アルミニウム合金に著しい凝集がないことを示した。約500℃の温度でアニールした基板の場合には銅−アルミニウム合金がある程度の水分除去の発生を示した。
約2.0原子パーセントの濃度のアルミニウムを含む銅−アルミニウムターゲットを使用して、約2.0原子パーセントのアルミニウムを含む銅−アルミニウム合金膜を、物理的気相堆積により、ALD TaN層を覆って50Å又は100Åの厚みまで堆積した。それにより得られた基板を、窒素(N2)及び水素(H2)雰囲気中で約450℃の温度で約30分間アニールした。走査電子顕微鏡写真は、約450℃の温度で約30分間アニールした基板の場合に銅−アルミニウム合金に著しい凝集がないことを示した。
Claims (76)
- バリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆って(over)シード層を堆積するステップであって、該シード層は、銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成される前記ステップと、
上記シード層を覆って銅の導電性材料層を堆積するステップと、
を備えた特徴部を埋め込む方法。 - バリア層を覆ってシード層を堆積し、その後、該シード層を覆って導電性材料層を堆積する方法において、
上記バリア層を覆って銅合金シード層を堆積するステップであって、該銅合金シード層は、銅と、濃度が約0.001原子パーセントから約5.0原子パーセントの金属とで構成され、該金属は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された前記ステップを備えた方法。 - バリア層を覆ってシード層を堆積し、その後、該シード層を覆って導電性材料層を堆積する方法において、
上記バリア層を覆って銅合金シード層を堆積するステップであって、該銅合金シード層は、銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成された前記ステップと、
上記銅合金シード層を覆って第2のシード層を堆積するステップと、
を備えた方法。 - 上記銅合金シード層は、濃度が約0.001原子パーセントから約5.0原子パーセントの金属を含む、請求項3に記載の方法。
- 上記銅合金シード層は、濃度が約0.01原子パーセントから約2.0原子パーセントの金属を含む、請求項2又は3に記載の方法。
- 上記銅合金シード層は、濃度が約0.1原子パーセントから約1.0原子パーセントの金属を含む、請求項2又は3に記載の方法。
- バリア層を覆ってシード層を堆積し、その後、該シード層を覆って導電性材料層を堆積する方法において、
上記バリア層を覆って第1シード層を堆積するステップであって、該第1シード層は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属で構成されたものであるステップと、
上記第1シード層を覆って第2シード層を堆積するステップと、
を備えた方法。 - 上記第1シード層は、下位の単層(a sub-monolayer)から約50Åの側壁カバレージまで堆積される請求項7に記載の方法。
- 上記第1シード層は、下位の単層から約40Åの側壁カバレージまで堆積される、請求項7に記載の方法。
- 上記銅の導電性材料層は、上記第2シード層を覆って堆積される、請求項3又は7に記載の方法。
- 約50Å以下の側壁カバレージまでバリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆ってシード層を堆積するステップであって、該シード層は、銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成された前記ステップと、
を備えた銅金属化のための基板構造体を準備する方法。 - 上記バリア層は、約20Å以下の側壁カバレージまで堆積される、請求項11に記載の方法。
- 上記バリア層は、約10Å以下の側壁カバレージまで堆積される、請求項11に記載の方法。
- 上記シード層は、上記銅及び金属の銅合金シード層で構成される、請求項1又は11に記載の方法。
- バリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆って銅合金シード層を堆積するステップであって、該銅合金シード層は、銅と、濃度が約0.01原子パーセントから5.0原子パーセントの金属とで構成され、該金属は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された前記ステップと、
上記銅合金シード層を覆って銅の導電性材料層を堆積するステップと、
を備えた特徴部を埋め込む方法。 - 上記バリア層は、原子層堆積、化学的気相堆積、物理的気相堆積、及びその組合せより成るグループから選択された技術によって堆積される、請求項1、11又は15に記載の方法。
- 原子層堆積によりバリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆って銅合金シード層を堆積するステップであって、該銅合金シード層は、銅と、濃度が約0.01原子パーセントから5.0原子パーセントの金属とで構成され、該金属は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された前記ステップと、
上記銅合金シード層を覆って第2シード層を堆積するステップと、
上記第2シード層を覆って銅の導電性材料層を堆積するステップと、
を備えた特徴部を埋め込む方法。 - 上記銅合金シード層は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、原子層堆積、無電解堆積、及びその組合せより成るグループから選択された技術によって堆積される、請求項2、3、15又は17に記載の方法。
- 原子層堆積によりバリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆ってアルミニウムを含む第1シード層を下位の単層から約50Åの側壁カバレージまで堆積するステップと、
上記第1シード層を覆って第2シード層を堆積するステップと、
上記第2シード層を覆って導電性材料層を堆積するステップと、
を備えた特徴部を埋め込む方法。 - 上記第1シード層は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、原子層堆積、無電解堆積及びその組合せより成るグループから選択された技術により堆積される、請求項7又は19に記載の方法。
- 上記第2シード層は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、原子層堆積、無電解堆積及びその組合せより成るグループから選択された技術により堆積される、請求項3、7、17又は19に記載の方法。
- 上記銅の導電性材料層は、電気メッキ、無電解堆積、化学的気相堆積、物理的気相堆積及びその組合せより成るグループから選択された技術により堆積される、請求項1、15、17又は19に記載の方法。
- 原子層堆積によりバリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆って銅及びアルミニウムを含むシード層を堆積するステップと、
を備えた銅の電気メッキのための基板構造体を準備する方法。 - 上記シード層は、銅及びアルミニウムの銅合金シード層で構成され、該銅合金シード層に存在するアルミニウムは、濃度が約0.001原子パーセントから約5.0原子パーセントである、請求項23に記載の方法。
- 上記シード層は、上記バリア層を覆って堆積された第1シード層と、該第1シード層を覆って堆積された第2シード層とで構成される、請求項1、11又は23に記載の方法。
- 上記第1シード層は、銅及びアルミニウムの銅合金シード層で構成され、該銅合金シード層に存在するアルミニウムは、濃度が約0.001原子パーセントから約5.0原子パーセントであり、更に、上記第2シード層は、非ドープの銅で構成される、請求項25に記載の方法。
- 上記銅合金シード層は、約0.01原子パーセントから約2.0原子パーセントの濃度でアルミニウムを含む、請求項24に記載の方法。
- 上記銅合金シード層は、約0.01原子パーセントから約2.0原子パーセントの濃度でアルミニウムを含む、請求項26に記載の方法。
- 上記銅合金シード層は、約0.1原子パーセントから約1.0原子パーセントの濃度でアルミニウムを含む、請求項24に記載の方法。
- 上記銅合金シード層は、約0.1原子パーセントから約1.0原子パーセントの濃度でアルミニウムを含む、請求項26に記載の方法。
- 上記第1シード層は、下位の単層から約50Åの側壁カバレージまでアルミニウムを含み、更に、上記第2シード層は、非ドープの銅を含む、請求項25に記載の方法。
- 上記バリア層は、チタン、窒化チタン、窒化チタンシリコン、タンタル、窒化タンタル、窒化タンタルシリコン、タングステン、窒化タングステン、窒化タングステンシリコン及びその組合せより成るグループから選択された材料で構成される、請求項1、11、15、17、19又は23に記載の方法。
- 上記シード層は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、原子層堆積、無電解堆積及びその組合せより成るグループから選択された技術により堆積される、請求項1又は11に記載の方法。
- 上記第1シード層は、銅及び金属の銅合金シード層で構成される、請求項25に記載の方法。
- 上記第1シード層は、金属で構成される、請求項25に記載の方法。
- 上記第2シード層は、非ドープの銅で構成される、請求項3、7又は17に記載の方法。
- 上記第2シード層は、非ドープの銅で構成される、請求項34に記載の方法。
- 上記第2シード層は、非ドープの銅で構成される、請求項35に記載の方法。
- シード層を物理的気相堆積するためのターゲットにおいて、
銅と、
アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属と、
を含み、上記金属は、上記ターゲットに約0.001原子パーセントから約5.0原子パーセントの濃度で存在するようにされたターゲット。 - 上記金属は、上記ターゲットに約0.01原子パーセントから約2.0原子パーセントの濃度で存在する、請求項39に記載のターゲット。
- 上記金属は、約0.1原子パーセントから約1.0原子パーセントの濃度で存在する、請求項39に記載のターゲット。
- シード層を堆積するためのチャンバーにおいて、
銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成されたターゲットを備え、上記金属は、上記ターゲットに約0.001原子パーセントから約5.0原子パーセントの濃度で存在するようにされたチャンバー。 - 上記金属は、上記ターゲットに約0.01原子パーセントから約2.0原子パーセントの濃度で存在する、請求項42に記載のチャンバー。
- 上記金属は、約0.1原子パーセントから約1.0原子パーセントの濃度で存在する、請求項42に記載のチャンバー。
- 基板を処理するためのシステムにおいて、
銅合金シード層を堆積するための第1チャンバーを備え、上記銅合金シード層は、銅の他に、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成され、上記金属は、上記銅合金に約0.01原子パーセントから約2.0原子パーセントの濃度で存在するようにされたシステム。 - バリア層を堆積するための第2チャンバーを更に備え、上記銅合金シード層は、該バリア層を覆って堆積される、請求項45に記載のシステム。
- 上記第2チャンバーは、原子層堆積チャンバー、化学的気相堆積チャンバー、及び物理的気相堆積チャンバーより成るグループから選択される、請求項46に記載のシステム。
- 上記第1チャンバーは、物理的気相堆積チャンバーであり、上記第2チャンバーは、原子層堆積チャンバーである、請求項46に記載のシステム。
- 上記第1チャンバー及び上記第2チャンバーに連通する移送チャンバーを更に備えた、請求項46に記載のシステム。
- 上記チャンバーの少なくとも2つは、単一チャンバーである、請求項46に記載のシステム。
- 基板を処理するためのシステムにおいて、
銅合金シード層を堆積するための第1チャンバーであって、上記銅合金シード層は、銅の他に、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成されるものである第1チャンバーと、
上記銅合金シード層を覆って非ドープ銅のシード層を堆積するための第2チャンバーと、
を備えたシステム。 - バリア層を堆積するための第3チャンバーを更に備え、上記銅合金シード層は、該バリア層を覆って堆積される請求項51に記載のシステム。
- 基板を処理するためのシステムにおいて、
金属シード層を堆積するための第1チャンバーであって、上記金属シード層は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属で構成されるものである第1チャンバーと、
上記金属シード層を覆って非ドープ銅のシード層を堆積するための第2チャンバーと、
を備えたシステム。 - バリア層を堆積するための第3チャンバーを更に備え、上記金属シード層は、該バリア層を覆って堆積される、請求項53に記載のシステム。
- 上記第1チャンバーは、物理的気相堆積チャンバー、化学的気相堆積チャンバー、原子層堆積チャンバー、及び無電解堆積チャンバーより成るグループから選択される、請求項45、51又は53に記載のシステム。
- 上記第2チャンバーは、物理的気相堆積チャンバー、化学的気相堆積チャンバー、原子層堆積チャンバー、及び無電解堆積チャンバーより成るグループから選択される、請求項51又は53に記載のシステム。
- 上記第3チャンバーは、原子層堆積チャンバー、化学的気相堆積チャンバー及び物理的気相堆積チャンバーより成るグループから選択される、請求項52又は54に記載のシステム。
- 上記第1チャンバーは、物理的気相堆積チャンバーであり、上記第2チャンバーは、物理的気相堆積チャンバーであり、上記第3チャンバーは、原子層堆積チャンバーである、請求項52又は54に記載のシステム。
- 上記第1チャンバー、上記第2チャンバー及び上記第3チャンバーと連通する移送チャンバーを更に備えた、請求項52又は54に記載のシステム。
- 上記チャンバーの少なくとも2つは、単一チャンバーである、請求項52又は54に記載のシステム。
- 上部に誘電体層が形成された基板であって、上記誘電体層には上記基板の上面へとアパーチャーが形成されている基板と、
上記誘電体層を覆って形成された少なくとも1つのバリア層と、
上記少なくとも1つのバリア層を覆って形成された銅合金のシード層であって、該銅合金のシード層は、銅と、濃度が約0.001原子パーセントから約5.0原子パーセントの金属とで構成され、該金属は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択されたものである銅合金のシード層と、
上記銅合金のシード層を覆って形成された銅の導電性材料層と、
を備えた構造体。 - 上記銅合金のシード層は、濃度が約0.01原子パーセントから約2.0原子パーセントの金属を含む、請求項61に記載の構造体。
- 上記銅合金のシード層は、濃度が約0.1原子パーセントから約1.0原子パーセントの金属を含む、請求項61に記載の構造体。
- 上部に誘電体層が形成された基板であって、上記誘電体層には上記基板の上面へとアパーチャーが形成されている基板と、
上記誘電体層を覆って形成された少なくとも1つのバリア層と、
上記少なくとも1つのバリア層を覆って形成された銅合金のシード層であって、該銅合金のシード層は、銅の他に、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属で構成される銅合金のシード層と、
上記銅合金のシード層を覆って形成された第2シード層と、
上記第2シード層を覆って形成された銅の導電性材料層と、
を備えた構造体。 - 上記第2シード層は、非ドープ銅で構成される、請求項64に記載の構造体。
- 上記銅合金のシード層は、濃度が約0.001原子パーセントから約5.0原子パーセントの金属を含む、請求項64に記載の構造体。
- 上記銅合金のシード層は、濃度が約0.01原子パーセントから約2.0原子パーセントの金属を含む、請求項64に記載の構造体。
- 上記銅合金のシード層は、濃度が約0.1原子パーセントから約1.0原子パーセントの金属を含む、請求項64に記載の構造体。
- 誘電体層が形成された基板であって、上記誘電体層には上記基板の上面へとアパーチャーが形成されている基板と、
上記誘電体層を覆って形成された少なくとも1つのバリア層と、
上記少なくとも1つのバリア層を覆って形成された第1シード層であって、該第1シード層は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属で構成される第1シード層と、
上記第1シード層を覆って形成された第2シード層と、
上記第2シード層を覆って形成された銅の導電性材料層と、
を備えた構造体。 - 上記第2シード層は、非ドープ銅で構成される、請求項69に記載の構造体。
- 上記第1シード層は、下位の単層から約50Åの側壁カバレージを有する、請求項69に記載の構造体。
- 上記第1シード層は、下位の単層から約40Åの側壁カバレージを有する、請求項69に記載の構造体。
- 上記バリア層は、チタン、窒化チタン、窒化チタンシリコン、タンタル、窒化タンタル、窒化タンタルシリコン、タングステン、窒化タングステン、窒化タングステンシリコン及びその組合せより成るグループから選択された材料で構成される、請求項61、64又は69に記載の構造体。
- 上記バリア層は、約50Å以下の側壁カバレージを有する、請求項61、64又は69に記載の構造体。
- 上記バリア層は、約20Å以下の側壁カバレージを有する、請求項61、64又は69に記載の構造体。
- 上記バリア層は、約10Å以下の側壁カバレージを有する、請求項61、64又は69に記載の構造体。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008288574A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-11-27 | Kobe Steel Ltd | 半導体装置のCu配線およびその製造方法 |
JP2012060015A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Hitachi Cable Ltd | 電子デバイス配線用Cu合金スパッタリングターゲット材、及び素子構造 |
JP2012151417A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Japan Display Central Co Ltd | 薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法 |
JP2014123605A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Tokyo Electron Ltd | Cu配線の形成方法 |
JP2017008353A (ja) * | 2015-06-19 | 2017-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理方法及びめっき処理部品並びにめっき処理システム |
JP2019135330A (ja) * | 2019-05-09 | 2019-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理方法及びめっき処理部品並びにめっき処理システム |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7186385B2 (en) | 2002-07-17 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing gas to a processing chamber |
KR101104058B1 (ko) * | 2003-05-27 | 2012-01-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 처리 장치를 위한 프리커서를 생성하는 방법 및장치 |
KR100968312B1 (ko) * | 2004-06-02 | 2010-07-08 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 저-k 물질 상의 TaN 확산장벽 영역의 PE-ALD |
US20100255625A1 (en) * | 2007-09-07 | 2010-10-07 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for atomic layer deposition using an atmospheric pressure glow discharge plasma |
JP5135002B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2013-01-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2010087094A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
CN101937864B (zh) * | 2009-07-03 | 2012-03-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 接触孔填充方法 |
WO2011046517A1 (en) | 2009-10-16 | 2011-04-21 | Empire Technology Development Llc | Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer |
KR101139696B1 (ko) * | 2010-04-20 | 2012-05-02 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 화학기상 증착장치 |
KR101357171B1 (ko) * | 2010-11-12 | 2014-01-29 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 화학기상증착장치 |
CN102790009B (zh) * | 2011-05-16 | 2015-04-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 降低铜电镀工艺中边缘效应的方法及铜互连结构制造方法 |
US8729702B1 (en) * | 2012-11-20 | 2014-05-20 | Stmicroelectronics, Inc. | Copper seed layer for an interconnect structure having a doping concentration level gradient |
US8981564B2 (en) * | 2013-05-20 | 2015-03-17 | Invensas Corporation | Metal PVD-free conducting structures |
CN105845620A (zh) * | 2015-01-16 | 2016-08-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 铜互连结构的制作方法、半导体器件及电子装置 |
US9859157B1 (en) | 2016-07-14 | 2018-01-02 | International Business Machines Corporation | Method for forming improved liner layer and semiconductor device including the same |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5913147A (en) * | 1997-01-21 | 1999-06-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for fabricating copper-aluminum metallization |
JPH11297696A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH11340229A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-12-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 金属シ―ド層を挿入する構造の銅の相互接続 |
WO2001015220A1 (en) * | 1999-08-24 | 2001-03-01 | Asm America, Inc. | Method for bottomless deposition of barrier layers in integrated circuit metallization schemes |
JP2001254181A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-09-18 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6251759B1 (en) * | 1998-10-03 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing material upon a semiconductor wafer using a transition chamber of a multiple chamber semiconductor wafer processing system |
KR20010001543A (ko) * | 1999-06-05 | 2001-01-05 | 김기범 | 구리 배선 구조를 가지는 반도체 소자 제조 방법 |
-
2002
- 2002-09-09 JP JP2003531517A patent/JP2005528776A/ja active Pending
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- 2002-09-09 EP EP02757668A patent/EP1433202A2/en not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5913147A (en) * | 1997-01-21 | 1999-06-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for fabricating copper-aluminum metallization |
JPH11297696A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH11340229A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-12-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 金属シ―ド層を挿入する構造の銅の相互接続 |
WO2001015220A1 (en) * | 1999-08-24 | 2001-03-01 | Asm America, Inc. | Method for bottomless deposition of barrier layers in integrated circuit metallization schemes |
JP2001254181A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-09-18 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008288574A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-11-27 | Kobe Steel Ltd | 半導体装置のCu配線およびその製造方法 |
JP2012060015A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Hitachi Cable Ltd | 電子デバイス配線用Cu合金スパッタリングターゲット材、及び素子構造 |
JP2012151417A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Japan Display Central Co Ltd | 薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法 |
JP2014123605A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Tokyo Electron Ltd | Cu配線の形成方法 |
JP2017008353A (ja) * | 2015-06-19 | 2017-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理方法及びめっき処理部品並びにめっき処理システム |
US10179950B2 (en) | 2015-06-19 | 2019-01-15 | Tokyo Electron Limited | Plating method, plated component, and plating system |
JP2019135330A (ja) * | 2019-05-09 | 2019-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理方法及びめっき処理部品並びにめっき処理システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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