JP2005528776A - Integration of barrier layer and seed layer - Google Patents

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Abstract

本発明は、一般に、バリア層を堆積し、そのバリア層を覆ってシード層を堆積し、更に、そのシード層を覆って導電層を堆積することにより特徴部を埋め込むことに関する。一実施形態において、シード層は、バリア層を覆って堆積された銅合金のシード層で構成される。例えば、銅合金のシード層は、銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組み合せのような金属とを含んでもよい。別の実施形態では、シード層は、バリア層を覆って堆積された銅合金のシード層と、この銅合金のシード層を覆って堆積された第２のシード層とで構成される。銅合金のシード層は、銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組み合せのような金属とを含んでもよい。第２のシード層は、非ドープの銅のような金属で構成される。更に別の実施形態では、シード層は、第１シード層と、第２シード層とを含む。第１シード層は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組み合せのような金属で構成されてもよい。第２シード層は、非ドープ銅のような金属で構成されてもよい。The present invention generally relates to depositing a barrier layer, depositing a seed layer over the barrier layer, and further embedding features by depositing a conductive layer over the seed layer. In one embodiment, the seed layer comprises a copper alloy seed layer deposited over the barrier layer. For example, a copper alloy seed layer may include copper and metals such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. In another embodiment, the seed layer is comprised of a copper alloy seed layer deposited over the barrier layer and a second seed layer deposited over the copper alloy seed layer. The copper alloy seed layer may include copper and metals such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. The second seed layer is composed of a metal such as undoped copper. In yet another embodiment, the seed layer includes a first seed layer and a second seed layer. The first seed layer may be composed of a metal such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. The second seed layer may be composed of a metal such as undoped copper.

Description

発明の内容The content of the invention

技術分野
本発明は、一般に、バリア層を堆積し、そのバリア層を覆ってシード層を堆積する装置及び方法に関する。より詳細には、本発明は、バリア層を堆積し、そのバリア層を覆って銅及び別の金属を含むシード層を堆積する装置及び方法に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates generally to an apparatus and method for depositing a barrier layer and depositing a seed layer over the barrier layer. More particularly, the present invention relates to an apparatus and method for depositing a barrier layer and depositing a seed layer comprising copper and another metal over the barrier layer.

背景技術
サブミクロン以下の特徴部を高い信頼性で製造することは、半導体デバイスの次世代の超大規模集積（ＶＬＳＩ）及び極超大規模集積（ＵＬＳＩ）のための重要な技術の１つである。しかしながら、回路技術のフリンジがプレスされるときには、ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩ技術における相互接続部の寸法収縮により処理能力に付加的な要求が課せられる。この技術の中心に位置する多レベルの相互接続部は、ビア及び他の相互接続部のようなアスペクト比の高い特徴部の高精度処理を必要とする。これらの相互接続部を高い信頼性で製造することは、ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩの成功にとって非常に重要であると共に、個々の基板の回路密度及び品質を高める努力を続けるためにも非常に重要である。 BACKGROUND OF THE INVENTION Manufacturing sub-micron features with high reliability is one of the key technologies for next-generation ultra-large scale integration (VLSI) and ultra-large scale integration (ULSI) of semiconductor devices. However, when circuit technology fringes are pressed, additional demands are placed on processing power due to dimensional shrinkage of interconnects in VLSI and ULSI technologies. Multi-level interconnects at the heart of this technology require high precision processing of high aspect ratio features such as vias and other interconnects. Manufacturing these interconnects with high reliability is very important to the success of VLSI and ULSI, as well as to continue efforts to increase the circuit density and quality of individual substrates.

回路密度が高まるにつれて、ビア、コンタクト及び他の特徴部、並びにそれらの間の誘電体材料の巾がサブミクロン寸法（例えば、０．２０マイクロメーター未満）へと減少するが、誘電体層の厚みは実質的に一定のままであり、その結果、特徴部のアスペクト比、即ち高さを巾で除算したものが高くなる。多くの慣習的な堆積プロセスでは、アスペクト比が４：１を越える場合、特に、アスペクト比が１０：１を越える場合には、サブミクロン特徴部を埋め込むことが困難である。それ故、アスペクト比の高いサブミクロン特徴部は実質的に空所がなく且つ継ぎ目がないものを形成するように多大な努力が払われ続けている。   As circuit density increases, vias, contacts and other features, and the width of the dielectric material between them, decreases to sub-micron dimensions (eg, less than 0.20 micrometers), but the thickness of the dielectric layer Remains substantially constant, so that the aspect ratio of the feature, i.e. the height divided by the width, becomes higher. In many conventional deposition processes, it is difficult to embed sub-micron features when the aspect ratio exceeds 4: 1, especially when the aspect ratio exceeds 10: 1. Therefore, great efforts continue to be made to form high aspect ratio submicron features that are substantially void-free and seamless.

現在、銅及びその合金が、サブミクロン相互接続技術に対して選択された金属となっている。というのは、銅はアルミニウムより抵抗率が低く（アルミニウムが３．１μΩ−ｃｍであるのに対して１．７μΩ−ｃｍ）、且つ通電容量が高いと共に、電子移動抵抗が著しく高いからである。これらの特性は、高い集積レベル及び高いデバイス速度において経験する高い電流密度をサポートするために重要である。更に、銅は、熱伝導率が良く、高純度の状態で入手できる。   Currently, copper and its alloys have become the metals of choice for submicron interconnect technology. This is because copper has a lower resistivity than aluminum (1.7 μΩ-cm compared to 3.1 μΩ-cm for aluminum), a high current carrying capacity, and an extremely high electron transfer resistance. These characteristics are important to support the high current density experienced at high integration levels and high device speeds. Furthermore, copper has good thermal conductivity and can be obtained in a high purity state.

銅の金属化は、種々の技術により行うことができる。典型的な方法は、一般的に、特徴部を覆ってバリア層を物理的に気相堆積し、そのバリア層を覆って銅のシード層を物理的に気相堆積し、次いで、その銅のシード層を覆って銅の導電性材料層を電気メッキして特徴部を埋め込むことを含む。最終的に、気相堆積された層と誘電体層が、例えば、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により平坦化され、導電性相互接続特徴部が画成される。   Copper metallization can be performed by various techniques. A typical method generally involves physically vapor depositing a barrier layer over a feature, physically vapor depositing a copper seed layer over the barrier layer, and then the copper layer. Including electroplating a copper conductive material layer over the seed layer to embed the feature. Finally, the vapor deposited layer and the dielectric layer are planarized by, for example, chemical mechanical polishing (CMP) to define conductive interconnect features.

しかしながら、銅の使用に伴う１つの問題は、銅がシリコンや二酸化シリコンや他の誘電体材料へ拡散してデバイスの完全性を危うくすることである。それ故、銅の拡散を防止するために適合バリア層が益々重要になってきている。窒化タンタルは、銅がその下の層へ拡散するのを防止するためのバリア材料として使用されている。しかしながら、窒化タンタル及び他のバリア層の公知使用に伴う１つの問題は、これらバリア層が、銅を堆積するには濡れ性に乏しい物質であり、多数の問題を引き起こすことである。例えば、これらバリア層を覆って銅のシード層を堆積する間に、銅のシード層が凝集して不連続となり、銅のシード層上への銅の導電性材料層の均一堆積（即ち銅層の電気メッキ）を妨げることになる。別の例では、これらバリア層を覆って銅の層が堆積された基板構造体をその後に高温度で処理したときに、水分が抜けて銅層に空所が形成される。更に別の例では、形成されたデバイスの使用中にデバイスの熱ストレスにより銅層に空所が生じ、デバイスの故障を招く。従って、改良された相互接続構造体、及び相互接続構造体を堆積する方法が要望される。   However, one problem with using copper is that copper diffuses into silicon, silicon dioxide, and other dielectric materials, compromising device integrity. Therefore, conformal barrier layers are becoming increasingly important to prevent copper diffusion. Tantalum nitride is used as a barrier material to prevent copper from diffusing into the underlying layers. However, one problem with the known use of tantalum nitride and other barrier layers is that these barrier layers are poorly wettable materials for depositing copper and cause a number of problems. For example, while depositing a copper seed layer over these barrier layers, the copper seed layer agglomerates and becomes discontinuous, resulting in a uniform deposition of a copper conductive material layer on the copper seed layer (ie, a copper layer). Electroplating). In another example, when the substrate structure on which the copper layer is deposited over these barrier layers is subsequently processed at high temperatures, moisture escapes and voids are formed in the copper layer. In yet another example, device thermal stress creates voids in the copper layer during use of the formed device, leading to device failure. Accordingly, improved interconnect structures and methods for depositing interconnect structures are desired.

発明の開示
本発明は、一般に、バリア層を堆積し、そのバリア層を覆ってシード層を堆積し、更に、そのシード層を覆って導電層を堆積することにより特徴部を埋め込むことに関する。一実施形態において、シード層は、バリア層を覆って堆積された銅合金のシード層で構成される。例えば、銅合金のシード層は、銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組み合せのような金属とを含む。別の実施形態では、シード層は、バリア層を覆って堆積された銅合金のシード層と、この銅合金のシード層を覆って堆積された第２のシード層とで構成される。銅合金のシード層は、銅の他に、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組み合せのような金属とを含む。第２のシード層は、非ドープの銅のような金属で構成される。更に別の実施形態では、シード層は、第１シード層と、第２シード層とを含む。第１シード層は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組み合せのような金属で構成される。第２シード層は、非ドープ銅のような金属で構成される。 Disclosure of the Invention The present invention generally relates to depositing a barrier layer, depositing a seed layer over the barrier layer, and further embedding features by depositing a conductive layer over the seed layer. In one embodiment, the seed layer comprises a copper alloy seed layer deposited over the barrier layer. For example, a copper alloy seed layer includes copper and metals such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. In another embodiment, the seed layer is comprised of a copper alloy seed layer deposited over the barrier layer and a second seed layer deposited over the copper alloy seed layer. In addition to copper, the copper alloy seed layer includes metals such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. The second seed layer is composed of a metal such as undoped copper. In yet another embodiment, the seed layer includes a first seed layer and a second seed layer. The first seed layer is composed of a metal such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. The second seed layer is made of a metal such as undoped copper.

上記で簡単に述べた本発明の特徴、効果及び目的をいかに達成するかを詳細に理解できるようにするため、添付図面に示した本発明の実施形態を参照して、本発明を詳細に説明する。   DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS To make it possible to understand in detail how to achieve the features, effects and objects of the present invention briefly described above, the present invention will be described in detail with reference to the embodiments of the present invention shown in the attached drawings. To do.

しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態を例示するに過ぎず、本発明の範囲を何ら限定するものではなく、本発明は、それ以外にも等しく有効に実施できることに注意されたい。   However, it should be noted that the accompanying drawings are merely illustrative of typical embodiments of the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention in any way, and that the present invention can be otherwise equally effective. .

好ましい実施形態の詳細な説明
バリア層を堆積するためのプロセスチャンバー
図１は、本発明の態様に基づき原子層堆積によって１つ以上のバリア層を形成するのに使用される処理システム１０の一実施形態を示す概略断面図である。もちろん、他の処理システムも使用できる。 Detailed Description of the Preferred Embodiment
Process Chamber for Depositing Barrier Layer FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating one embodiment of a processing system 10 used to form one or more barrier layers by atomic layer deposition in accordance with aspects of the present invention. is there. Of course, other processing systems can be used.

処理システム１０は、一般に、プロセスチャンバー１００と、ガスパネル１３０と、制御ユニット１１０と、電源１０６と、真空ポンプ１０２とを備えている。プロセスチャンバー１００は、一般に、支持ペデスタル１５０を収容し、これは、半導体ウェア１９０のような基板をプロセスチャンバー１００内に支持するのに使用される。   The processing system 10 generally includes a process chamber 100, a gas panel 130, a control unit 110, a power source 106, and a vacuum pump 102. Process chamber 100 generally contains a support pedestal 150, which is used to support a substrate, such as semiconductor ware 190, within process chamber 100.

チャンバー１００において、支持ペデスタル１５０は、埋設された加熱素子１７０により加熱される。例えば、ペデスタル１５０は、ＡＣ電源から加熱素子１７０へ電流を通流することにより抵抗加熱される。次いで、ウェハ１９０がペデスタル１５０により加熱され、希望の処理温度範囲、例えば、特定のプロセスに基づき約２０℃から約１０００℃の範囲に維持される。   In the chamber 100, the support pedestal 150 is heated by an embedded heating element 170. For example, the pedestal 150 is resistively heated by passing current from an AC power source to the heating element 170. The wafer 190 is then heated by the pedestal 150 and maintained in a desired processing temperature range, for example, a range of about 20 ° C. to about 1000 ° C. based on the particular process.

ペデスタルの温度を監視するために、熱電対のような温度センサ１７２がウェハ支持ペデスタル１５０に埋め込まれる。例えば、測定された温度は、フィードバックループに使用され、電源１０６から加熱素子１７０へ供給される電流を制御して、ウェハの温度を希望の温度又はあるプロセス用途に適した希望の温度範囲内に維持し又は制御することができる。ペデスタル１５０は、放射熱（図示せず）又は他の加熱方法を使用して加熱されてもよい。   A temperature sensor 172, such as a thermocouple, is embedded in the wafer support pedestal 150 to monitor the temperature of the pedestal. For example, the measured temperature is used in a feedback loop to control the current supplied from the power source 106 to the heating element 170 to bring the wafer temperature within a desired temperature or a desired temperature range suitable for certain process applications. Can be maintained or controlled. The pedestal 150 may be heated using radiant heat (not shown) or other heating methods.

真空ポンプ１０２は、プロセスチャンバー１００からプロセスガスを排気するのに使用されると共に、チャンバー１００内に希望の圧力又は圧力範囲内の希望の圧力を維持する助けをするのに使用される。チャンバー１００の壁を貫通するオリフィス１２０は、プロセスチャンバー１００へプロセスガスを導入するのに使用される。オリフィス１２０のサイズは、従来、プロセスチャンバー１００のサイズに依存する。   The vacuum pump 102 is used to evacuate the process gas from the process chamber 100 and is used to help maintain a desired pressure or a desired pressure within the pressure range within the chamber 100. An orifice 120 through the wall of the chamber 100 is used to introduce process gas into the process chamber 100. The size of the orifice 120 conventionally depends on the size of the process chamber 100.

オリフィス１２０は、その一部がバルブ１２５によりガスパネル１３０へ結合される。ガスパネル１３０は、２つ以上のガス源１３５、１３６から合成プロセスガスを受け取ってオリフィス１２０及びバルブ１２５を経てプロセスチャンバー１００へ供給するように構成される。ガス源１３５、１３６は、液相の先駆物質を室温で保管してもよく、それらは、後でガスパネル１３０内において加熱されて、蒸気相に変換され、チャンバー１００へ導入される。又、ガス源１３５、１３６は、キャリアガスの使用により先駆物質を供給するようにされてもよい。ガスパネル１３０は、更に、パージガス源１３８からパージガスを受け取ってオリフィス１２０及びバルブ１２５を経てプロセスチャンバー１００へ供給するようにも構成されてもよい。シャワーヘッド１６０がオリフィス１２０に結合されてもよく、プロセスガス、パージガス又は他のガスを支持ペデスタル１５０上のウェハ１９０に向けて配送する。   A portion of the orifice 120 is coupled to the gas panel 130 by a valve 125. The gas panel 130 is configured to receive synthesis process gas from two or more gas sources 135, 136 and supply it to the process chamber 100 via an orifice 120 and a valve 125. The gas sources 135, 136 may store the liquid phase precursors at room temperature, which are later heated in the gas panel 130 to be converted to the vapor phase and introduced into the chamber 100. The gas sources 135, 136 may also be configured to supply precursors through the use of a carrier gas. The gas panel 130 may further be configured to receive the purge gas from the purge gas source 138 and supply it to the process chamber 100 via the orifice 120 and the valve 125. A showerhead 160 may be coupled to the orifice 120 to deliver process gas, purge gas or other gas toward the wafer 190 on the support pedestal 150.

シャワーヘッド１６０及び支持ペデスタル１５０は、離間された電極として機能してもよく、プラズマを点火するための電界を発生する。ＲＦ電源１６２がシャワーヘッド１６０に結合されるか、ＲＦ電源１６３が支持ペデスタル１５０に結合されるか、或いはＲＦ電源１６２、１６３が各々シャワーヘッド１６０及び支持ペデスタル１５０に結合される。ＲＦ電源１６２、１６３にはマッチングネットワーク１６４が結合され、このネットワークは、ＲＦ電源１６２、１６３に供給される電力を制御するために制御ユニット１１０に結合されてもよい。   The showerhead 160 and support pedestal 150 may function as spaced apart electrodes and generate an electric field for igniting the plasma. The RF power source 162 is coupled to the shower head 160, the RF power source 163 is coupled to the support pedestal 150, or the RF power sources 162 and 163 are coupled to the shower head 160 and the support pedestal 150, respectively. A matching network 164 is coupled to the RF power sources 162, 163, which may be coupled to the control unit 110 to control the power supplied to the RF power sources 162, 163.

プログラムされたパーソナルコンピュータやワークステーションコンピュータ等の制御ユニット１１０は、ウェハ処理シーケンスの異なる段階中にガスパネル１３０及びバルブ１２５を通る種々のプロセスガスの流れを制御するように構成することもできる。説明上、制御ユニット１１０は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１１２と、サポート回路１１４と、関連制御ソフトウェア１１３を含むメモリ１１６とを備えている。ガスパネル１３０を通るプロセスガスの制御に加えて、制御ユニット１１０は、ウェハ処理に使用される他の活動、とりわけ、ウェハの搬送や温度制御やチャンバー排気を自動的に制御する役割も果たすように構成され、その幾つかは本明細書で別途に説明する。   A control unit 110, such as a programmed personal computer or workstation computer, can also be configured to control the flow of various process gases through the gas panel 130 and valve 125 during different stages of the wafer processing sequence. For the sake of explanation, the control unit 110 includes a central processing unit (CPU) 112, a support circuit 114, and a memory 116 including related control software 113. In addition to controlling the process gas through the gas panel 130, the control unit 110 also serves to automatically control other activities used for wafer processing, notably wafer transport, temperature control and chamber evacuation. Some of which are described elsewhere herein.

制御ユニット１１０は、種々のチャンバーを制御するための工業用設定に使用できる任意の形式の汎用コンピュータプロセッサ及び下位のプロセッサの１つでよい。ＣＰＵ１１２は、ランダムアクセスメモリやリードオンリメモリやフロッピーディスクドライブやハードディスクや、他の形式のローカル又はリモートのデジタル記憶装置のような適当なメモリ１１６を使用してもよい。種々のサポート回路は、システム１０をサポートするためにＣＰＵ１１２に結合されてもよい。ソフトウェアルーチン１１３は、必要に応じて、メモリ１１６に記憶されるか、又はリモート配置の第２のコンピュータプロセッサ（図示せず）により実行される。制御ユニット１１０とウェハ処理システム１０の他の種々の要素との間の双方向通信は、信号バス１１８として集合的に示された多数の信号ケーブルを経て取り扱われ、図１には幾つかのケーブルしか示されていない。   The control unit 110 may be one of any type of general purpose computer processor and subordinate processor that can be used in an industrial setting to control various chambers. The CPU 112 may use any suitable memory 116 such as random access memory, read only memory, floppy disk drive, hard disk, or other type of local or remote digital storage. Various support circuits may be coupled to the CPU 112 to support the system 10. Software routine 113 may be stored in memory 116 or executed by a remotely located second computer processor (not shown) as required. Bi-directional communication between the control unit 110 and various other elements of the wafer processing system 10 is handled via a number of signal cables, collectively shown as signal bus 118, and FIG. Only shown.

バリア層の形成
図１に例示されたチャンバーは、次のプロセスを実施するのに使用可能である。もちろん、他のプロセスチャンバーも使用できる。図２Ａ−図２Ｂは、本発明の１つ以上の態様に基づく相互接続構造体を製造するためのバリア層形成の一実施形態を示す。 Formation of the Barrier Layer The chamber illustrated in FIG. 1 can be used to perform the following process. Of course, other process chambers can be used. 2A-2B illustrate one embodiment of barrier layer formation for manufacturing an interconnect structure according to one or more aspects of the present invention.

図２Ａは、誘電体層２０２が堆積された基板２００の一実施形態を示す概略断面図である。処理段階に基づき、基板２００は、シリコン半導体ウェハであるか、又はウェハ上に形成された他の材料層でもよい。誘電体層２０２は、基板２００の露出面部分２０２Ｔへと延びるコンタクトホール又はビア２０２Ｈを形成するように成形及びパターン化された酸化物、酸化シリコン、炭素−シリコン−酸化物、フルオロ−シリコン、多孔性誘電体又は他の適当な誘電体でもよい。明瞭化のために、基板２００は、膜処理が実行される任意のワークピースを指し、そして基板構造体２５０は、基板２００と、この基板２００に形成された他の材料層、例えば、誘電体層２０２とを示すために使用される。又、当業者であれば、本発明がデュアルダマシンプロセス流にも使用できることが理解されよう。   FIG. 2A is a schematic cross-sectional view illustrating one embodiment of a substrate 200 having a dielectric layer 202 deposited thereon. Depending on the processing stage, the substrate 200 may be a silicon semiconductor wafer or other material layer formed on the wafer. Dielectric layer 202 may be an oxide, silicon oxide, carbon-silicon-oxide, fluoro-silicon, porous, shaped and patterned to form contact holes or vias 202H extending to exposed surface portion 202T of substrate 200. It may be a dielectric or other suitable dielectric. For clarity, the substrate 200 refers to any workpiece on which film processing is performed, and the substrate structure 250 includes the substrate 200 and other material layers formed on the substrate 200, such as dielectrics. Used to indicate layer 202. Those skilled in the art will also appreciate that the present invention can be used with dual damascene process streams.

図２Ｂは、原子層堆積（ＡＬＤ）により図２Ａの基板構造体２５０を覆って形成されたバリア層２０４の一実施形態を示す概略断面図である。バリア層は、窒化タンタル層で構成されるのが好ましい。使用することのできる他のバリア層材料は、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化チタンシリコン（ＴｉＳｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタルシリコン（ＴａＳｉＮ）、タングステン（Ｗ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化タングステンシリコン（ＷＳｉＮ）、及びその組合せを含む。   FIG. 2B is a schematic cross-sectional view illustrating one embodiment of a barrier layer 204 formed over the substrate structure 250 of FIG. 2A by atomic layer deposition (ALD). The barrier layer is preferably composed of a tantalum nitride layer. Other barrier layer materials that can be used include, for example, titanium (Ti), titanium nitride (TiN), titanium nitride silicon (TiSiN), tantalum (Ta), tantalum silicon nitride (TaSiN), tungsten (W), nitride Includes tungsten (WN), tungsten silicon nitride (WSiN), and combinations thereof.

明瞭化のため、窒化タンタルバリア層で構成されたバリア層の一実施形態を参照して、バリア層の堆積を詳細に説明する。１つの態様において、窒化タンタルバリア層の原子層堆積は、図１のプロセスチャンバーのようなプロセスチャンバーへタンタル含有化合物及び窒素含有化合物を順次供給することを含む。タンタル含有化合物及び窒素含有化合物を順次供給すると、基板構造体２５０上にタンタル含有化合物の単層及び窒素含有化合物の単層が交互に化学吸着される可能性がある。   For clarity, barrier layer deposition will be described in detail with reference to one embodiment of a barrier layer composed of a tantalum nitride barrier layer. In one embodiment, atomic layer deposition of a tantalum nitride barrier layer includes sequentially supplying a tantalum-containing compound and a nitrogen-containing compound to a process chamber, such as the process chamber of FIG. When the tantalum-containing compound and the nitrogen-containing compound are sequentially supplied, a single layer of the tantalum-containing compound and a single layer of the nitrogen-containing compound may be chemisorbed alternately on the substrate structure 250.

図３Ａ−図３Ｃは、集積回路製造のある段階、特に、バリア層形成段階において基板３００の例示部分にタンタル含有化合物及び窒素含有化合物の単層を交互に化学吸着する一実施形態を示す。図３Ａにおいて、タンタル含有化合物３０５のパルスを図１に示すプロセスチャンバーのようなプロセスチャンバーに導入することによりタンタル含有化合物の単層が基板３００に化学吸着される。タンタル含有化合物３０５の単層を吸着するのに使用される化学吸着プロセスは、基板の表面にはタンタル含有化合物を化学吸着する場所が一定数しかないので所与のパルス中に基板３００の表面には１つの単層しか化学吸着されないという点で自己制限的であると考えられる。一定数の場所がタンタル含有化合物３０５によって占有されると、タンタル含有化合物のそれ以上の化学吸着は阻止される。   FIGS. 3A-3C illustrate one embodiment of alternating chemisorption of a single layer of tantalum-containing compound and nitrogen-containing compound on an exemplary portion of the substrate 300 during certain stages of integrated circuit fabrication, particularly the barrier layer formation stage. 3A, a single layer of tantalum-containing compound is chemisorbed onto the substrate 300 by introducing a pulse of tantalum-containing compound 305 into a process chamber such as the process chamber shown in FIG. The chemisorption process used to adsorb a monolayer of tantalum-containing compound 305 is that the surface of the substrate has only a certain number of locations for chemisorbing tantalum-containing compounds, so that the surface of the substrate 300 during a given pulse Is considered self-limiting in that only one monolayer is chemisorbed. When a certain number of places are occupied by the tantalum-containing compound 305, further chemisorption of the tantalum-containing compound is prevented.

タンタル含有化合物３０５は、通常、タンタル原子３１０を１つ以上の反応種３１５と共に含む。一実施形態では、タンタル含有化合物は、タンタル系有機金属先駆物質又はその派生物である。有機金属先駆物質は、ペンタジメチルアミノタンタル（ＰＤＭＡＴ：Ｔａ（ＮＭｅ２）５）であるのが好ましい。ＰＤＭＡＴは、多数の理由で効果的に使用できる。ＰＤＭＡＴは、比較的安定している。ＰＤＭＡＴは、充分な蒸気圧を有し、供給を容易にする。特に、ＰＤＭＡＴは、低いハロゲン化物含有量で製造できる。ＰＤＭＡＴは、そのハロゲン化物含有量が１００ｐｐｍ未満で製造でき、又、ハロゲン化物含有量が３０ｐｐｍ未満又は５ｐｐｍ未満でも製造できる。理論で束縛されることを望まないが、バリア層に組み込まれるハロゲン化物（塩素のような）が、それを覆って堆積された銅の層を侵食するために、ハロゲン化物含有量の低い有機金属先駆物質が有益であると考えられる。 The tantalum-containing compound 305 typically includes a tantalum atom 310 with one or more reactive species 315. In one embodiment, the tantalum-containing compound is a tantalum-based organometallic precursor or derivative thereof. The organometallic precursor is preferably pentadimethylamino tantalum (PDMAT: Ta (NMe 2 ) 5 ). PDMAT can be used effectively for a number of reasons. PDMAT is relatively stable. PDMAT has sufficient vapor pressure to facilitate delivery. In particular, PDMAT can be produced with a low halide content. PDMAT can be produced with a halide content of less than 100 ppm, and can be produced with a halide content of less than 30 ppm or less than 5 ppm. While not wishing to be bound by theory, a low halide content organometallic, because halides (such as chlorine) incorporated into the barrier layer erode the copper layer deposited over it Precursors are considered beneficial.

タンタル含有化合物は、他の有機金属先駆物質又はその派生物でもよく、例えば、ペンタエチルメチルアミノ−タンタル（ＰＥＭＡＴ：Ｔａ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５ＣＨ３）２］５）、ペンダジエチルアミノ−タンタル（ＰＤＥＡＴ：Ｔａ（ＮＥｔ２）５）、並びにＰＥＭＡＴ、ＰＤＥＡＴ又はＰＤＭＡＴのいずれか及び全ての派生物でもよいが、これらに限定されない。他のタンタル含有化合物は、ＴＢＴＤＥＴ（Ｔａ（ＮＥｔ２）３ＮＣ４Ｈ９又はＣ１６Ｈ３９Ｎ４Ｔａ）及びハロゲン化タンタル、例えば、Ｘをフッ素（Ｆ）、臭素（Ｂｒ）、又は塩素（Ｃｌ）、及びその派生物とすればＴａＸ５を含むが、これに限定されない。 The tantalum-containing compound may be other organometallic precursors or derivatives thereof, such as pentaethylmethylamino-tantalum (PEMAT: Ta [N (C 2 H 5 CH 3 ) 2 ] 5 ), pendadiethylamino-tantalum ( PEAT: Ta (NEt 2 ) 5 ) and any and all derivatives of PEMAT, PDEAT or PDMAT may be used, but are not limited to these. Other tantalum-containing compounds include TBTDET (Ta (NEt 2 ) 3 NC 4 H 9 or C 16 H 39 N 4 Ta) and tantalum halides such as X for fluorine (F), bromine (Br), or chlorine ( Cl), and including TaX 5 if its derivatives, but is not limited thereto.

タンタル含有化合物は、ガスとして供給されてもよいし、又はキャリアガスの助けで供給されてもよい。使用することのできるキャリアガスは、例えば、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）を含むが、これらに限定されない。 The tantalum-containing compound may be supplied as a gas or may be supplied with the aid of a carrier gas. Carrier gases that can be used include, but are not limited to, helium (He), argon (Ar), nitrogen (N 2 ), and hydrogen (H 2 ).

タンタル含有化合物の単層が基板３００に化学吸着された後に、パージガスのパルスを導入することにより余計なタンタル含有化合物がプロセスチャンバーから除去される。使用することのできるパージガスは、例えば、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）及び他のガスを含んでもよいが、これらに限定されない。 After the monolayer of the tantalum-containing compound is chemisorbed on the substrate 300, the excess tantalum-containing compound is removed from the process chamber by introducing a pulse of purge gas. Purge gases that can be used may include, but are not limited to, for example, helium (He), argon (Ar), nitrogen (N 2 ), hydrogen (H 2 ), and other gases.

図３Ｂを参照すれば、プロセスチャンバーがパージされた後に、窒素含有化合物３２５のパルスがプロセスチャンバーに導入される。窒素含有化合物３２５は、単独で供給されてもよいし、又はキャリアガスの助けで供給されてもよい。窒素含有化合物３２５は、窒素原子３３０を１つ以上の反応種３３５と共に含む。窒素含有化合物は、アンモニアガス（ＮＨ３）で構成されるのが好ましい。使用することのできる他の窒素含有化合物は、ｘ及びｙを整数とすれば、ＮｘＨｙ（例えば、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４））、ジメチルヒドラジン（（ＣＨ３）２Ｎ２Ｈ２）、ｔ−ブチルヒドラジン（Ｃ４Ｈ９Ｎ２Ｈ３）、フェニルヒドラジン（Ｃ６Ｈ５Ｎ２Ｈ３）、他のヒドラジン派生物、窒素プラズマソース（例えば、Ｎ２、Ｎ２／Ｈ２、ＮＨ３又はＮ２Ｈ４プラズマ）、２，２’アゾイソブタン（（ＣＨ３）６Ｃ２Ｎ２）、エチルアジド（Ｃ２Ｈ５Ｎ３）、及び他の適当なガスを含んでもよいが、これらに限定されない。必要に応じて、キャリアガスを使用して、窒素含有化合物を配送してもよい。 Referring to FIG. 3B, after the process chamber is purged, a pulse of nitrogen-containing compound 325 is introduced into the process chamber. Nitrogen-containing compound 325 may be supplied alone or with the aid of a carrier gas. Nitrogen-containing compound 325 includes nitrogen atom 330 along with one or more reactive species 335. The nitrogen-containing compound is preferably composed of ammonia gas (NH 3 ). Other nitrogen-containing compounds that can be used include N x H y (eg, hydrazine (N 2 H 4 )), dimethyl hydrazine ((CH 3 ) 2 N 2 H 2 ), where x and y are integers. , t- butyl hydrazine (C 4 H 9 N 2 H 3), phenylhydrazine (C 6 H 5 N 2 H 3), other hydrazine derivatives, a nitrogen plasma source (e.g., N 2, N 2 / H 2, NH 3 or N 2 H 4 plasma), 2,2 ′ azoisobutane ((CH 3 ) 6 C 2 N 2 ), ethyl azide (C 2 H 5 N 3 ), and other suitable gases, It is not limited to these. If necessary, a nitrogen-containing compound may be delivered using a carrier gas.

窒素含有化合物３２５の単層が、タンタル含有化合物３０５の単層に化学吸着されてもよい。原子層堆積（ＡＬＤ）中の表面における先駆物質の組成及び構造は、正確には分からない。理論で束縛されることは望まないが、窒素含有化合物３２５の化学吸着された単層が、タンタル含有化合物３０５の単層と反応して、窒化タンタル層３０９を生成すると考えられる。反応種３１５、３３５は、副産物３４０を生成し、これは、基板面から真空システムにより搬送される。窒素含有化合物３２５とタンタル含有化合物３０５との反応は、タンタル含有化合物３０５の１つの単層しか基板面に化学吸着されないので、自己制限されると考えられる。別の理論では、先駆物質は、基板の表面上にあるときに中間状態となる。更に、堆積された窒化タンタル層は、タンタル（Ｔａ）又は窒素（Ｎ）の単純な元素以上のものも含んでもよく、むしろ、窒化タンタル層は、炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）、及び／又は酸素（Ｏ）を有する更に複雑な分子も含んでもよい。   A single layer of nitrogen-containing compound 325 may be chemisorbed to a single layer of tantalum-containing compound 305. The composition and structure of the precursor on the surface during atomic layer deposition (ALD) is not known accurately. While not wishing to be bound by theory, it is believed that the chemisorbed monolayer of nitrogen-containing compound 325 reacts with the monolayer of tantalum-containing compound 305 to produce tantalum nitride layer 309. The reactive species 315, 335 produce a byproduct 340, which is transported from the substrate surface by a vacuum system. The reaction between the nitrogen-containing compound 325 and the tantalum-containing compound 305 is considered to be self-limiting because only one single layer of the tantalum-containing compound 305 is chemisorbed on the substrate surface. Another theory is that the precursor is in an intermediate state when it is on the surface of the substrate. Further, the deposited tantalum nitride layer may include more than a simple element of tantalum (Ta) or nitrogen (N); rather, the tantalum nitride layer comprises carbon (C), hydrogen (H), and / or Or more complex molecules with oxygen (O) may also be included.

窒素含有化合物３２５の単層がタンタル含有化合物の単層に化学吸着された後に、パージガスの別のパルスを導入することにより余計な窒素含有化合物がプロセスチャンバーから除去される。その後、図３Ｃに示すように、タンタル含有化合物及び窒素含有化合物の単層の交互の化学吸着の窒化タンタル層堆積を、希望の窒化タンタル厚みに達するまで、必要に応じて繰り返すことができる。   After the monolayer of nitrogen-containing compound 325 is chemisorbed to the monolayer of tantalum-containing compound, the extra nitrogen-containing compound is removed from the process chamber by introducing another pulse of purge gas. Thereafter, as shown in FIG. 3C, alternating chemisorption tantalum nitride layer deposition of single layers of tantalum-containing compounds and nitrogen-containing compounds can be repeated as needed until the desired tantalum nitride thickness is reached.

図３Ａ−図３Ｃでは、窒化タンタル層の生成は、基板上にタンタル含有化合物の単層を化学吸着させることから始め、その後、窒素含有化合物の単層を化学吸着させるとして説明した。或いは又、窒化タンタル層の生成は、基板に窒素含有化合物の単層を化学吸着させることから始め、その後、タンタル含有化合物の単層を化学吸着させるようにしてもよい。更に、別の実施形態では、反応ガスのパルスとパルスとの間にポンプ排気だけを使用して反応ガスの混合を防止することもできる。   In FIGS. 3A-3C, the generation of the tantalum nitride layer has been described as starting with chemisorbing a monolayer of a tantalum-containing compound on the substrate and then chemisorbing the monolayer of the nitrogen-containing compound. Alternatively, the generation of the tantalum nitride layer may be started by chemisorbing the monolayer of the nitrogen-containing compound on the substrate and then chemisorbing the monolayer of the tantalum-containing compound. Furthermore, in another embodiment, only pumping can be used between pulses of reactive gas to prevent reaction gas mixing.

タンタル含有化合物、窒素含有化合物及びパージガスの各パルスに対する時間巾は、可変であり、使用する堆積チャンバー及びそれに結合された真空システムの容積容量に依存する。例えば、（１）ガスのチャンバー圧力が低いと、長いパルス時間を必要とし、（２）ガス流量が低いと、チャンバー圧力を上昇して安定化するのに長い時間を要し、従って、長いパルス時間が必要となり、（３）大容積のチャンバーは、充填するに長時間を要し、チャンバー圧力を安定化するのに長時間がかかり、従って、長いパルス時間を必要とする。同様に、各パルスとパルスとの間の時間も可変であり、プロセスチャンバー及びそれに結合された真空システムの容積容量に依存する。一般に、タンタル含有化合物又は窒素含有化合物のパルスの時間巾は、化合物の単層の化学吸着に充分な長さでなければならない。一般に、パージガスのパルス時間は、プロセスチャンバーに残留する反応副産物及び／又は残留材料を除去するに充分な長さでなければならない。   The time span for each pulse of tantalum-containing compound, nitrogen-containing compound and purge gas is variable and depends on the volumetric capacity of the deposition chamber used and the vacuum system coupled thereto. For example, (1) when the gas chamber pressure is low, a long pulse time is required, and (2) when the gas flow rate is low, it takes a long time to increase and stabilize the chamber pressure, and thus a long pulse time is required. Time is required, (3) Large volume chambers take a long time to fill, take a long time to stabilize the chamber pressure and therefore require a long pulse time. Similarly, the time between each pulse is also variable and depends on the volumetric capacity of the process chamber and the vacuum system coupled to it. In general, the pulse duration of a tantalum-containing compound or nitrogen-containing compound should be long enough for chemisorption of a single layer of the compound. In general, the purge gas pulse time should be long enough to remove reaction byproducts and / or residual material remaining in the process chamber.

一般に、基板上に交互の単層を化学吸着するのに、タンタル含有化合物に対して約１．０秒以下のパルス時間、及び窒素含有化合物に対して約１．０秒以下のパルス時間で通常充分である。プロセスチャンバーに残留する反応副産物及び／又は残留材料を除去するのに、パージガスに対して約１．０秒以下のパルス時間で通常充分である。もちろん、タンタル含有化合物及び窒素含有化合物の化学吸着を確保すると共に、反応副産物の除去を確保するのに、長いパルス時間を使用してもよい。   Generally, chemisorption of alternating monolayers on a substrate is usually performed with a pulse time of about 1.0 seconds or less for tantalum-containing compounds and a pulse time of about 1.0 seconds or less for nitrogen-containing compounds. It is enough. A pulse time of about 1.0 second or less for the purge gas is usually sufficient to remove reaction byproducts and / or residual material remaining in the process chamber. Of course, a long pulse time may be used to ensure chemisorption of tantalum-containing compounds and nitrogen-containing compounds and to ensure removal of reaction byproducts.

原子層堆積中に、基板は、選択されたタンタル含有化合物の熱分解温度以下にほぼ維持される。ここに示すタンタル含有化合物に使用されるヒータ温度範囲は、例えば、チャンバー圧力が約１００ｔｏｒｒ未満で、好ましくは、５０ｔｏｒｒ未満であるときに、約２０℃から約５００℃である。タンタル含有ガスがＰＤＭＡＴであるときには、ヒータ温度は、好ましくは、約１００℃から約３００℃であり、更に好ましくは、約１７５℃から約２５０℃である。別の実施形態では、他の温度も使用できることが理解されよう。例えば、熱分解温度より高い温度を使用することができる。しかしながら、温度は、堆積活動の５０％以上が化学吸着プロセスであるように選択されねばならない。別の例では、熱分解温度より高い温度は、各先駆物質堆積中の分解量を制限して、成長モードが原子層堆積の成長モードと同様になるように使用されてもよい。   During atomic layer deposition, the substrate is substantially maintained below the thermal decomposition temperature of the selected tantalum-containing compound. The heater temperature range used for the tantalum-containing compounds shown here is, for example, from about 20 ° C. to about 500 ° C. when the chamber pressure is less than about 100 torr, preferably less than 50 torr. When the tantalum-containing gas is PDMAT, the heater temperature is preferably about 100 ° C. to about 300 ° C., more preferably about 175 ° C. to about 250 ° C. It will be appreciated that in other embodiments, other temperatures may be used. For example, a temperature higher than the pyrolysis temperature can be used. However, the temperature must be selected such that 50% or more of the deposition activity is a chemisorption process. In another example, a temperature above the pyrolysis temperature may be used such that the growth mode is similar to the growth mode of atomic layer deposition, limiting the amount of decomposition during each precursor deposition.

図１のプロセスチャンバーのようなプロセスチャンバーにおいて原子層堆積により窒化タンタル層を堆積する１つの例示的プロセスは、先ず、ペンタジメチルアミノ−タンタル（ＰＤＭＡＴ）を、約１００ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍの流量、好ましくは、約２００ｓｃｃｍから５００ｓｃｃｍの流量で、約１．０秒以下の時間中供給し、次いで、アンモニアを、約１００ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍの流量、好ましくは、約２００ｓｃｃｍから５００ｓｃｃｍの流量で、約１．０秒以下の時間中供給し、更に、パージガスを、約１００ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍの流量、好ましくは、約２００ｓｃｃｍから５００ｓｃｃｍの流量で、約１．０秒以下の時間中供給することを含む。ヒータ温度は、約１．０から約５．０ｔｏｒｒのチャンバー圧力において約１００℃から約３００℃に維持されるのが好ましい。このプロセスは、サイクル当たり約０．５Åから約１．０Åの厚みで窒化チタン層を生成する。希望の厚みが得られるまで交互のシーケンスが繰り返されてもよい。   One exemplary process for depositing a tantalum nitride layer by atomic layer deposition in a process chamber, such as the process chamber of FIG. 1, first involves pentadimethylamino-tantalum (PDMAT) at a flow rate of about 100 sccm to about 1000 sccm, preferably At a flow rate of about 200 sccm to 500 sccm for a period of about 1.0 second or less, then ammonia is supplied at a flow rate of about 100 sccm to about 1000 sccm, preferably about 200 seconds to 500 sccm for about 1.0 second. And supplying a purge gas at a flow rate of about 100 sccm to about 1000 sccm, preferably about 200 sccm to 500 sccm for a time of about 1.0 seconds or less. The heater temperature is preferably maintained from about 100 ° C. to about 300 ° C. at a chamber pressure of about 1.0 to about 5.0 torr. This process produces a titanium nitride layer at a thickness of about 0.5 to about 1.0 inch per cycle. The alternating sequence may be repeated until the desired thickness is obtained.

一実施形態では、窒化タンタルバリア層のようなバリア層が約５０Å未満の側壁カバレージに堆積される。別の実施形態では、バリア層が約２０Å未満の側壁カバレージに堆積される。更に別の実施形態では、バリア層が約１０Å未満の側壁カバレージに堆積される。銅の拡散を防止するには、厚みが約１０Å未満のバリア層で充分であると考えられる。１つの態様では、アスペクト比の高いサブミクロン以下の特徴部を埋め込むのに薄いバリア層が効果的に使用されてもよい。もちろん、側壁カバレージが５０Åより大きいバリア層を使用してもよい。   In one embodiment, a barrier layer, such as a tantalum nitride barrier layer, is deposited on the sidewall coverage of less than about 50 inches. In another embodiment, a barrier layer is deposited on the sidewall coverage of less than about 20 mm. In yet another embodiment, a barrier layer is deposited on the sidewall coverage of less than about 10 mm. A barrier layer with a thickness of less than about 10 mm is considered sufficient to prevent copper diffusion. In one aspect, a thin barrier layer may be effectively used to embed high aspect ratio sub-micron features. Of course, a barrier layer with sidewall coverage greater than 50 mm may be used.

バリア層は、更に、プラズマアニールされてもよい。一実施形態では、バリア層は、アルゴンプラズマ又はアルゴン／水素プラズマでプラズマアニールされてもよい。ＲＦ電極に供給されるＲＦ電力は、約１００Ｗから約２０００Ｗであり、好ましくは、２００ｍｍ直径の基板の場合に約５００Ｗから約１０００Ｗであり、更に、好ましくは、３００ｍｍ直径の基板の場合に約１０００Ｗから約２０００Ｗでよいが。チャンバーの圧力は、１００ｔｏｒｒ未満でよいが、好ましくは、０．１ｔｏｒｒから約５ｔｏｒｒであり、更に好ましくは、約１ｔｏｒｒから３ｔｏｒｒである。ヒータ温度は、約２０℃から約５００℃でもよい。プラズマアニールは、１サイクルの後、複数のサイクルの後、又はバリア層生成の後に実行される。   The barrier layer may further be plasma annealed. In one embodiment, the barrier layer may be plasma annealed with argon plasma or argon / hydrogen plasma. The RF power supplied to the RF electrode is about 100 W to about 2000 W, preferably about 500 W to about 1000 W for a 200 mm diameter substrate, and more preferably about 1000 W for a 300 mm diameter substrate. From about 2000W. The chamber pressure may be less than 100 torr, but is preferably from 0.1 torr to about 5 torr, more preferably from about 1 torr to 3 torr. The heater temperature may be about 20 ° C to about 500 ° C. Plasma annealing is performed after one cycle, after multiple cycles, or after barrier layer generation.

バリア層の原子層堆積の実施形態は、基板上に反応物質の単層を化学吸着させるものとして以上に述べた。本発明は、反応物質が単層以上のもの又はそれ以下のものに堆積される実施形態も包含する。又、本発明は、反応物質が自己制限的に堆積されない実施形態も包含する。又、本発明は、反応物質が逐次に又は同時に供給される化学気相堆積プロセスにおいてバリア層２０４が主として堆積されるような実施形態も包含する。又、本発明は、ターゲットが堆積されるべき材料で構成される（即ち窒化タンタルを堆積するための窒素雰囲気中におけるタンタルターゲット）物理的気相堆積プロセスにおいてバリア層２０４が堆積されるような実施形態も包含する。   Embodiments of atomic layer deposition of the barrier layer have been described above as chemisorbing a monolayer of reactants on a substrate. The invention also includes embodiments in which the reactants are deposited in one or more monolayers or less. The invention also encompasses embodiments in which the reactants are not deposited in a self-limiting manner. The present invention also encompasses embodiments in which the barrier layer 204 is primarily deposited in a chemical vapor deposition process in which reactants are supplied sequentially or simultaneously. The present invention is also practiced such that the barrier layer 204 is deposited in a physical vapor deposition process in which the target is composed of the material to be deposited (ie, a tantalum target in a nitrogen atmosphere for depositing tantalum nitride). It includes forms.

シード層を堆積するためのプロセスチャンバー
一実施形態において、シード層は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、無電解堆積のような適当な技術又はこれら技術の組み合せにより堆積される。シード層を堆積するのに適した物理的気相堆積技術は、高密度プラズマ物理的気相堆積（ＨＤＰ ＰＶＤ）或いはコリメート式又は長射程(long throw)スパッタリングのような技術を含む。ＨＤＰ ＰＶＤの一形式は、自己イオン化プラズマ物理的気相堆積である。シード層を自己イオン化プラズマ物理的気相堆積することのできるチャンバーは、例えば、カリフォルニア州サンタクララのアプライド・マテリアルズ社から入手できるＳＩＰＴＭチャンバーである。自己イオン化物理的気相堆積することのできるチャンバーの実施例は、本発明と矛盾しない程度に参考としてここに援用する「Rotating Sputter Magnetron Assembly」と題する米国特許第６，１８３，６１４号に開示されている。 Process Chamber for Depositing Seed Layer In one embodiment, the seed layer is deposited by any suitable technique such as physical vapor deposition, chemical vapor deposition, electroless deposition, or a combination of these techniques. Suitable physical vapor deposition techniques for depositing the seed layer include techniques such as high density plasma physical vapor deposition (HDP PVD) or collimated or long throw sputtering. One type of HDP PVD is self-ionized plasma physical vapor deposition. A chamber capable of self-ionized plasma physical vapor deposition of the seed layer is, for example, a SIPTM chamber available from Applied Materials, Inc., Santa Clara, California. An example of a chamber capable of self-ionized physical vapor deposition is disclosed in US Pat. No. 6,183,614, entitled “Rotating Sputter Magnetron Assembly”, incorporated herein by reference to the extent not inconsistent with the present invention. ing.

図４は、シード層の堆積に使用される物理的気相堆積を行うことのできる処理システム４１０の一実施形態を示す概略断面図である。もちろん、他の処理システム及び他の形式の物理的気相堆積も使用できる。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating one embodiment of a processing system 410 capable of performing physical vapor deposition used for seed layer deposition. Of course, other processing systems and other types of physical vapor deposition can be used.

処理システム４１０は、真空チャンバー４１２を含み、これは、ヒータペデスタル４１８に保持されたウェハ４１６に堆積されるスパッタリング材料で構成されたＰＶＤターゲット４１４に対して密封されている。チャンバー内に保持されたシールド４２０は、チャンバー４１２の壁をスパッタ材料から保護すると共に、アノード接地平面を形成する。選択可能なＤＣ電源４２２がターゲット４１４をシールド４２０に対して負にバイアスする。   The processing system 410 includes a vacuum chamber 412 that is sealed against a PVD target 414 composed of sputtering material deposited on a wafer 416 held in a heater pedestal 418. A shield 420 held in the chamber protects the walls of the chamber 412 from sputtered material and forms an anode ground plane. A selectable DC power source 422 biases the target 414 negative with respect to the shield 420.

ガス源４２４は、スパッタ作用ガス、通常、化学的に不活性なガスであるアルゴンを、質量流量コントローラ４２６を経てチャンバー４１２へ供給する。真空システム４２８は、チャンバーを低圧力に維持する。コンピュータベースのコントローラ４３０は、ＤＣ電源４２２及び質量流量コントローラ４２６を含む反応炉を制御する。   The gas source 424 supplies a sputtering gas, typically argon, which is a chemically inert gas, to the chamber 412 via the mass flow controller 426. A vacuum system 428 maintains the chamber at a low pressure. Computer-based controller 430 controls the reactor including DC power supply 422 and mass flow controller 426.

アルゴンがチャンバーに導入されると、ターゲット４１４とシールド４２０との間のＤＣ電圧によりアルゴンがプラズマへと点火され、正に荷電されたアルゴンイオンが、負に荷電されたターゲット４１４へ引き付けられる。これらイオンは、相当のエネルギーでターゲット４１４に当たり、ターゲットの原子又は原子クラスターをターゲット４１４からスパッタリングさせる。ターゲット粒子のあるものがウェハ４１６に当たってそこに堆積され、ターゲット材料の膜を形成する。   As argon is introduced into the chamber, the DC voltage between the target 414 and the shield 420 ignites the argon into the plasma and attracts positively charged argon ions to the negatively charged target 414. These ions strike the target 414 with considerable energy and cause atoms or atomic clusters of the target to be sputtered from the target 414. Some of the target particles strike the wafer 416 and are deposited there to form a film of target material.

効率的なスパッタリングを行うために、ターゲット４１４の後部にマグネトロン４３２が配置されている。これは、逆極性の磁石４３４、４３６を有し、チャンバー内でこれら磁石４３４、４３６の近傍に磁界が形成される。この磁界は、電子を捕獲し、電荷中性化のために、イオン密度も高まって、チャンバー内でマグネトロン４３２の付近に高密度プラズマ領域４３８を形成する。マグネトロン４３２は、通常、ターゲット４１４の中心にある回転軸４５８の周りで回転し、ターゲット４１４のスパッタリングにおける全カバレージを達成する。   In order to perform efficient sputtering, a magnetron 432 is disposed behind the target 414. This has magnets 434, 436 of opposite polarity, and a magnetic field is formed in the vicinity of these magnets 434, 436 in the chamber. This magnetic field captures electrons and increases the ion density for charge neutralization, forming a high-density plasma region 438 in the vicinity of the magnetron 432 in the chamber. The magnetron 432 typically rotates about a rotation axis 458 at the center of the target 414 to achieve full coverage in sputtering of the target 414.

ペデスタル４１８は、ＤＣ自己バイアスを発生し、これは、イオン化スパッタ粒子を、プラズマから、ウェハ４１６の付近のプラズマシースを横切って引き付ける。その結果は、ペデスタル電極４１８の付加的なＤＣ又はＲＦバイアスで強調され、プラズマシースを横切ってウェハ４１６に向って抽出されるイオン化粒子を更に加速させ、スパッタ堆積の方向性を制御することができる。   Pedestal 418 generates a DC self-bias that attracts ionized sputtered particles from the plasma across the plasma sheath near wafer 416. The result is emphasized by the additional DC or RF bias of the pedestal electrode 418 and can further accelerate ionized particles extracted across the plasma sheath and toward the wafer 416 to control the direction of sputter deposition. .

シード層の形成
図４に例示したチャンバーを使用して、次のプロセスが実施される。もちろん、他のプロセスチャンバーが使用されてもよい。図５Ａ−図５Ｃは、バリア層を覆ってシード層を堆積する実施形態を示す概略断面図である。 Formation of Seed Layer The following process is performed using the chamber illustrated in FIG. Of course, other process chambers may be used. 5A-5C are schematic cross-sectional views illustrating an embodiment of depositing a seed layer over a barrier layer.

図５Ａに示す一実施形態は、図２Ｂのバリア層２０４を覆って銅合金のシード層５０２を堆積し、この銅合金のシード層５０２を覆って銅の導電性材料層５０６を堆積して、特徴部を埋め込むことを含む。ここで使用する「銅の導電性材料層」という語は、銅又は銅合金で構成された層として定義される。銅合金のシード層５０２は、その上にその後に材料を堆積する上で助けとなる銅金属合金で構成される。銅合金のシード層５０２は、銅及び第２の金属、例えば、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、他の金属及びその組合せで構成される。第２の金属は、好ましくは、アルミニウム、マグネシウム、チタン及びその組合せで構成され、更に好ましくは、アルミニウムで構成される。ある実施形態では、銅合金のシード層は、その第２金属の濃度の下限が、約０．００１原子パーセント、約０．０１原子パーセント、又は約０．１原子パーセントであり、その上限が、約５．０原子パーセント、約２．０原子パーセント又は約１．０原子パーセントである。いずれの下限からいずれの上限までの範囲内の第２金属の濃度も、本発明の範囲内である。銅合金シード層５０２における第２金属の濃度は、その銅合金シード層５０２の抵抗を下げるためには約５．０原子パーセント未満であるのが好ましい。ここで使用する「層」という語は、１枚以上の層として定義される。例えば、銅合金シード層５０２が、銅と、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの範囲の第２金属とで構成される場合に、この銅合金シード層５０２は、層の合計組成が、銅と、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの第２金属とを含む複数の層で構成されてもよい。説明上、層の合計組成が、銅と、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの第２金属とを含む複数の層で構成される銅合金シード層５０２は、例えば、その第２金属で構成された第１シード層及び銅で構成された第２シード層を備えてもよいし、銅／第２金属合金で構成された第１シード層及び銅／第２金属合金で構成された第２シード層を備えてもよいし、或いは銅／第２金属合金で構成された第１シード層及び銅等で構成された第２シード層を備えてもよい。   5A deposits a copper alloy seed layer 502 over the barrier layer 204 of FIG. 2B and deposits a copper conductive material layer 506 over the copper alloy seed layer 502; Including embedding features. As used herein, the term “copper conductive material layer” is defined as a layer composed of copper or a copper alloy. The copper alloy seed layer 502 is comprised of a copper metal alloy that aids in subsequent deposition of material thereon. The copper alloy seed layer 502 is comprised of copper and a second metal, such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, other metals, and combinations thereof. The second metal is preferably composed of aluminum, magnesium, titanium, and combinations thereof, and more preferably is composed of aluminum. In certain embodiments, the copper alloy seed layer has a lower concentration of the second metal of about 0.001 atomic percent, about 0.01 atomic percent, or about 0.1 atomic percent, and the upper limit is About 5.0 atomic percent, about 2.0 atomic percent, or about 1.0 atomic percent. The concentration of the second metal within the range from any lower limit to any upper limit is within the scope of the present invention. The concentration of the second metal in the copper alloy seed layer 502 is preferably less than about 5.0 atomic percent to reduce the resistance of the copper alloy seed layer 502. As used herein, the term “layer” is defined as one or more layers. For example, if the copper alloy seed layer 502 is composed of copper and a second metal having a concentration in the range of about 0.001 atomic percent to about 5.0 atomic percent, the copper alloy seed layer 502 is a layer May comprise a plurality of layers comprising copper and a second metal having a concentration of about 0.001 atomic percent to about 5.0 atomic percent. For illustrative purposes, the copper alloy seed layer 502 is composed of a plurality of layers in which the total composition of the layers includes copper and a second metal having a concentration of about 0.001 atomic percent to about 5.0 atomic percent. The first seed layer made of the second metal and the second seed layer made of copper may be provided, or the first seed layer made of copper / second metal alloy and the copper / second metal alloy The second seed layer may be provided, or the first seed layer may be provided with a copper / second metal alloy, and the second seed layer may be provided with copper or the like.

銅合金シード層５０２は、特徴部の側壁の少なくとも約５Åカバレージの厚みに堆積されるか、又は特徴部の側壁の少なくとも連続的なカバレージの厚みに堆積される。一実施形態では、銅合金シード層５０２は、フィールドエリアにおいて、約１０Åから約２０００Åの厚みに堆積され、物理的気相堆積により堆積される銅合金シード層５０２で、約５００Åから約１０００Åに堆積されるのが好ましい。   The copper alloy seed layer 502 is deposited to a thickness of at least about 5 mm of coverage on the feature sidewall, or to a thickness of at least continuous coverage on the feature sidewall. In one embodiment, the copper alloy seed layer 502 is deposited in the field area to a thickness of about 10 to about 2000 and is deposited by physical vapor deposition to a thickness of about 500 to about 1000. Preferably it is done.

図５Ｂに示す別の実施形態は、図２Ｂのバリア層２０４を覆って銅合金のシード層５１２を堆積し、この銅合金のシード層５１２を覆って第２のシード層５１４を堆積し、更に、この第２のシード層５１４を覆って銅の導電性材料層５１６を堆積して、特徴部を埋め込むことを含む。銅合金のシード層５１２は、銅及び第２の金属、例えば、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、他の金属及びその組合せで構成される。第２の金属は、好ましくは、アルミニウム、マグネシウム、チタン及びその組合せで構成され、更に好ましくは、アルミニウムで構成される。ある実施形態では、銅合金のシード層は、その第２金属の濃度の下限が、約０．００１原子パーセント、約０．０１原子パーセント、又は約０．１原子パーセントであり、その上限が、約５．０原子パーセント、約２．０原子パーセント又は約１．０原子パーセントである。いずれの下限からいずれの上限までの範囲内の第２金属の濃度も、本発明の範囲内である。一実施形態では、第２シード層５１４は、非ドープの銅（即ち純粋な銅）で構成される。１つの態様において、非ドープの銅で構成された第２シード層５１４が使用されるのは、その電気抵抗率が同じ厚みの銅合金シード層５１２より低く且つ表面酸化に対する抵抗が高いためである。   5B deposits a copper alloy seed layer 512 over the barrier layer 204 of FIG. 2B, deposits a second seed layer 514 over the copper alloy seed layer 512, and , Depositing a copper conductive material layer 516 over the second seed layer 514 to embed the features. The copper alloy seed layer 512 is comprised of copper and a second metal, such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, other metals, and combinations thereof. The second metal is preferably composed of aluminum, magnesium, titanium, and combinations thereof, and more preferably is composed of aluminum. In certain embodiments, the copper alloy seed layer has a lower concentration of the second metal of about 0.001 atomic percent, about 0.01 atomic percent, or about 0.1 atomic percent, and the upper limit is About 5.0 atomic percent, about 2.0 atomic percent, or about 1.0 atomic percent. The concentration of the second metal within the range from any lower limit to any upper limit is within the scope of the present invention. In one embodiment, the second seed layer 514 is composed of undoped copper (ie, pure copper). In one embodiment, the second seed layer 514 composed of undoped copper is used because its electrical resistivity is lower than a copper alloy seed layer 512 of the same thickness and has a higher resistance to surface oxidation. .

銅合金シード層５１２は、特徴部の側壁を覆って単層未満の厚み（即ち下位の単層厚み又は不連続層）に堆積されてもよい。一実施形態では、フィールドエリアにおける銅合金シード層５１２及び第２シード層５１４の合成厚みは、約１０Åから約２０００Åであり、物理的気相堆積により堆積される銅合金シード層５１２及び第２シード層５１４については、約５００Åから約１０００Åであるのが好ましい。   The copper alloy seed layer 512 may be deposited over the sidewall of the feature to a thickness that is less than a single layer (ie, a lower single layer thickness or a discontinuous layer). In one embodiment, the combined thickness of the copper alloy seed layer 512 and the second seed layer 514 in the field area is from about 10 to about 2000 and the copper alloy seed layer 512 and the second seed deposited by physical vapor deposition. For layer 514, it is preferably about 500 to about 1000 inches.

図５Ｃに示す更に別の実施形態は、図２Ｂのバリア層２０４を覆って第１シード層５２３を堆積し、この第１シード層５２３を覆って第２シード層５２４を堆積し、更に、この第２シード層５２４を覆って銅の導電性材料層５２６を堆積して、特徴部を埋め込むことを含む。第１シード層５２３は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属で構成される。この第１シード層５２３は、アルミニウムで構成されるのが好ましい。一実施形態では、第２シード層５１４は、非ドープの銅（即ち純粋な銅）で構成される。   5C deposits a first seed layer 523 over the barrier layer 204 of FIG. 2B, deposits a second seed layer 524 over the first seed layer 523, and Depositing a copper conductive material layer 526 overlying the second seed layer 524 and embedding the features. The first seed layer 523 is made of a metal selected from the group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. The first seed layer 523 is preferably made of aluminum. In one embodiment, the second seed layer 514 is composed of undoped copper (ie, pure copper).

第１シード層５２３は、特徴部の側壁を覆って単層未満の厚み（即ち下位の単層厚み又は不連続層）に堆積されてもよい。一実施形態では、第１シード層は、合成シード層の合計抵抗を下げるために、約５０Å側壁カバレージ未満、好ましくは、約４０Å側壁カバレージ未満の厚みに堆積される。フィールドエリアにおける第１シード層５２３及び第２シード層５２４の合成厚みは、約１０Åから約２０００Åであり、物理的気相堆積により堆積される第１シード層５２３及び第２シード層５２４については、約５００Åから約１０００Åであるのが好ましい。   The first seed layer 523 may be deposited to a thickness less than a single layer (ie, a lower single layer thickness or a discontinuous layer) over the sidewalls of the feature. In one embodiment, the first seed layer is deposited to a thickness of less than about 50 Å sidewall coverage, preferably less than about 40 Å sidewall coverage, to reduce the total resistance of the synthetic seed layer. The combined thickness of the first seed layer 523 and the second seed layer 524 in the field area is about 10 mm to about 2000 mm, and for the first seed layer 523 and the second seed layer 524 deposited by physical vapor deposition, It is preferably about 500 to about 1000 inches.

銅合金シード層５０２、５１２、第１シード層５２３又は第２シード層５１４、５２４は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、原子層堆積、無電解堆積を含む技術又はこれら技術の組み合せによって堆積することができる。一般に、シード層が、物理的気相堆積技術を使用して堆積される場合には、図４に示すチャンバー４１２のようなチャンバーは、堆積されるよう意図された金属又は金属合金と同様の組成を有するターゲット４１４のようなターゲットを備えている。例えば、銅合金シード層５０２、５１２を堆積するためには、ターゲットは、銅、及び第２の金属、例えば、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、他の金属及びその組合せで構成されてもよい。第２の金属は、アルミニウムで構成されるのが好ましい。ある実施形態では、ターゲットは、その第２金属の濃度の下限が、約０．００１原子パーセント、約０．０１原子パーセント、又は約０．１原子パーセントであり、その上限が、約５．０原子パーセント、約２．０原子パーセント又は約１．０原子パーセントである。いずれの下限からいずれの上限までの範囲内の第２金属の濃度も、本発明の範囲内である。別の例において、第１シード層５２３を堆積するためには、ターゲットは、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組合せより成るグループから選択された金属で構成される。シード層が化学的気相堆積又は原子層堆積により堆積される場合には、図１に示したチャンバーのようなチャンバーは、堆積されるべき金属又は金属合金の適当な先駆金属物質を与えるように構成される。   The copper alloy seed layer 502, 512, the first seed layer 523 or the second seed layer 514, 524 may be a technique including physical vapor deposition, chemical vapor deposition, atomic layer deposition, electroless deposition, or a combination of these techniques. Can be deposited by. In general, if the seed layer is deposited using physical vapor deposition techniques, a chamber such as chamber 412 shown in FIG. 4 has a composition similar to the metal or metal alloy intended to be deposited. A target such as target 414 having For example, to deposit the copper alloy seed layers 502, 512, the target may be composed of copper and a second metal, such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, other metals, and combinations thereof. Good. The second metal is preferably composed of aluminum. In certain embodiments, the target has a lower concentration of the second metal of about 0.001 atomic percent, about 0.01 atomic percent, or about 0.1 atomic percent, and an upper limit of about 5.0 atomic percent. Atomic percent, about 2.0 atomic percent, or about 1.0 atomic percent. The concentration of the second metal within the range from any lower limit to any upper limit is within the scope of the present invention. In another example, to deposit the first seed layer 523, the target is comprised of a metal selected from the group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. If the seed layer is deposited by chemical vapor deposition or atomic layer deposition, a chamber such as the chamber shown in FIG. 1 will provide a suitable precursor metal material of the metal or metal alloy to be deposited. Composed.

図４のプロセスチャンバーのようなプロセスチャンバー内で物理的気相堆積によりシード層を堆積する１つのプロセス例は、堆積されるべき材料のターゲットを使用することを含む。プロセスチャンバーは、約０．１ｍｔｏｒｒから約１０ｍｔｏｒｒの圧力に維持されてもよい。ターゲットは、約５ｋＷから約１００ｋＷの電力でＤＣバイアスされてもよい。ペデスタルは、約０から約１０００Ｗの電力でＲＦバイアスされてもよい。ペデスタルは、加熱されなくてもよい（即ち、室温）。   One example process for depositing a seed layer by physical vapor deposition in a process chamber such as the process chamber of FIG. 4 includes using a target of the material to be deposited. The process chamber may be maintained at a pressure of about 0.1 mtorr to about 10 mtorr. The target may be DC biased with a power of about 5 kW to about 100 kW. The pedestal may be RF biased with a power of about 0 to about 1000 W. The pedestal may not be heated (ie, room temperature).

銅の導電性材料層５０６、５１６、５２６は、電気メッキ、物理的気相堆積、化学的気相堆積、無電解堆積又はこれら技術の組み合せによって堆積することができる。銅の導電性材料層５０６、５１６、５２６は、電気メッキプロセスで得られるボトムアップ成長のために電気メッキで堆積されるのが好ましい。電気メッキ方法は、例えば、本発明と矛盾しない程度に参考としてここに援用する２０００年９月５日付の「Electro Deposition Chemistry」と題する米国特許第６，１１３，７７１号に開示されている。   The copper conductive material layers 506, 516, 526 can be deposited by electroplating, physical vapor deposition, chemical vapor deposition, electroless deposition, or a combination of these techniques. Copper conductive material layers 506, 516, 526 are preferably deposited by electroplating for bottom-up growth obtained by an electroplating process. An electroplating method is disclosed, for example, in US Pat. No. 6,113,771 entitled “Electro Deposition Chemistry” dated September 5, 2000, incorporated herein by reference to the extent not inconsistent with the present invention.

銅−アルミニウムシード層のような銅合金シード層は、バリア層上に非ドープ銅のシード層を設ける場合に比して、バリア層に対する接着性が改善されることが分かっている。銅合金シード層は、バリア層に対して良好な接着性を有するので、銅合金シード層は、そこに堆積される材料に対して良好な濡れ物質として作用する。理論で束縛されることを望まないが、銅シード層の銅及び他の金属の濃度が、シード層に良好な濡れ特性及び良好な電気的特性を与えると考えられる。更に、合計厚みが単層未満である銅合金シード層は、非ドープシード層のような第２シード層がその上に堆積されて少なくとも結合連続シード層を形成する限り、銅合金シード層が材料の堆積に対して改善された界面を与えるので、これを使用できると考えられる。   It has been found that a copper alloy seed layer, such as a copper-aluminum seed layer, has improved adhesion to the barrier layer as compared to providing an undoped copper seed layer on the barrier layer. Since the copper alloy seed layer has good adhesion to the barrier layer, the copper alloy seed layer acts as a good wetting substance for the material deposited thereon. While not wishing to be bound by theory, it is believed that the copper and other metal concentrations in the copper seed layer give the seed layer good wetting and good electrical properties. In addition, a copper alloy seed layer having a total thickness of less than a single layer may be made of material as long as a second seed layer, such as an undoped seed layer, is deposited thereon to form at least a bonded continuous seed layer. This could be used because it provides an improved interface to deposition.

同様に、アルミニウムシード層のような金属シード層も、バリア層上に非ドープ銅のシード層を設ける場合に比して、バリア層に対する接着性が改善されることが観察されている。金属シード層は、バリア層に対して良好な接着性を有するので、金属シード層は、そこに堆積される材料に対して良好な濡れ物質として作用する。理論で束縛されることを望まないが、合計厚みが単層未満であるアルミニウムシード層のような金属シード層は、この金属層が、その上に堆積される非ドープ銅のシード層のような材料の堆積に対して改善された界面を与えるので、これを使用できると考えられる。   Similarly, it has been observed that a metal seed layer, such as an aluminum seed layer, has improved adhesion to the barrier layer as compared to providing an undoped copper seed layer on the barrier layer. Since the metal seed layer has good adhesion to the barrier layer, the metal seed layer acts as a good wetting substance for the material deposited thereon. Without wishing to be bound by theory, a metal seed layer, such as an aluminum seed layer, with a total thickness of less than a single layer is similar to an undoped copper seed layer on which the metal layer is deposited. This could be used because it provides an improved interface to material deposition.

ここに開示するシード層は、バリア層に対する改善された接着性を有すると共に、その上に堆積される材料、例えば、その上に堆積される銅の導電性材料層に対して良好な濡れ特性を有する。それ故、シード層は、銅の導電性材料層を堆積する間、その後に高温度で処理する間、及びデバイス使用中にデバイスに熱ストレスがかかる間に、銅の導電性材料層における凝集、水分除去又は空所の形成のおそれを低減することによりデバイスの信頼性を高める。   The seed layer disclosed herein has improved adhesion to the barrier layer and good wetting properties for the material deposited thereon, for example, a copper conductive material layer deposited thereon. Have. Therefore, the seed layer is agglomerated in the copper conductive material layer during deposition of the copper conductive material layer, followed by high temperature processing, and during device thermal stress during device use. Increase device reliability by reducing the risk of moisture removal or void formation.

１つの態様において、シード層は、いかなるバリア層と共に使用されてもよく、且ついかなる堆積技術で堆積されたバリア層と共に使用されてもよい。又、シード層は、いかなる堆積技術で堆積されてもよい。更に、銅の導電性材料層のような導電性材料層は、いかなる堆積技術によってシード層上に堆積されてもよい。   In one embodiment, the seed layer may be used with any barrier layer and may be used with a barrier layer deposited by any deposition technique. The seed layer may also be deposited by any deposition technique. Further, a conductive material layer, such as a copper conductive material layer, may be deposited on the seed layer by any deposition technique.

本発明のプロセスは、開口巾が約０．２ミクロン未満で且つアスペクト比が約４：１、約６：１又は約１０：１以上のアパーチャーを埋め込むのに効果的に使用できる。   The process of the present invention can be effectively used to embed apertures having an aperture width of less than about 0.2 microns and an aspect ratio of about 4: 1, about 6: 1, or about 10: 1 or more.

ここに開示するプロセスは、個別のチャンバーで実行されてもよいし、或いは複数のチャンバーを有する多チャンバー処理システムで実行されてもよい。図６は、ここに開示するプロセスを実行するように構成された多チャンバー処理システム６００の一例を示す概略上面図である。この装置は、ＥＮＤＵＲＡＴＭシステムであり、カリフォルニア州サンタクララのアプライド・マテリアルズ・インクから商業的に入手できるものである。同様の多チャンバー処理システムが、本開示と矛盾しない程度に参考としてここに援用する１９９３年２月１６日付の「Stage Vacuum Wafer Processing System and Method」と題する（テップマン氏等の）米国特許第５，１８６，７１８号に開示されている。システム６００の特定の実施形態は、本発明を例示するためのものであり、本発明の範囲をこれに限定するものではない。   The processes disclosed herein may be performed in individual chambers or may be performed in a multi-chamber processing system having multiple chambers. FIG. 6 is a schematic top view illustrating an example of a multi-chamber processing system 600 configured to perform the processes disclosed herein. This device is an ENDURA ™ system and is commercially available from Applied Materials, Inc. of Santa Clara, California. A similar multi-chamber processing system, US Pat. No. 5, entitled “Stage Vacuum Wafer Processing System and Method” dated February 16, 1993, incorporated herein by reference to the extent not inconsistent with the present disclosure. 186,718. The particular embodiment of system 600 is intended to be illustrative of the invention and is not intended to limit the scope of the invention.

システム６００は、一般に、基板をシステム６００へ及びそこから移送するためのロードロックチャンバー６０２、６０４を備えている。通常、システム６００は真空状態にあるので、ロードロックチャンバー６０２、６０４は、システム６００へ導入される基板を「ポンプダウン」する。第１ロボット６１０は、ロードロックチャンバー６０２、６０４と、プロセスチャンバー６１２、６１４と、移送チャンバー６２２、６２４と、他のチャンバー６１６、６１８との間で基板を移送可能である。第２ロボット６３０は、プロセスチャンバー６３２、６３４、６３６、６３８と、移送チャンバー６２２、６２４との間で基板を移送可能である。プロセスチャンバー６１２、６１４、６３２、６３４、６３６、６３８は、システム６００により実行される特定のプロセスに対して必要がなければシステム６００から除去されてもよい。   The system 600 generally includes load lock chambers 602, 604 for transferring substrates to and from the system 600. Since the system 600 is typically in a vacuum, the load lock chambers 602, 604 “pump down” the substrate introduced into the system 600. The first robot 610 can transfer substrates between the load lock chambers 602 and 604, the process chambers 612 and 614, the transfer chambers 622 and 624, and the other chambers 616 and 618. The second robot 630 can transfer the substrate between the process chambers 632, 634, 636, and 638 and the transfer chambers 622 and 624. Process chambers 612, 614, 632, 634, 636, 638 may be removed from system 600 if not required for a particular process performed by system 600.

一実施形態において、システム６００は、プロセスチャンバー６３４が銅合金シード層５０２を堆積するように構成される。例えば、銅合金シード層５０２を堆積するためのプロセスチャンバー６３４は、物理的気相堆積チャンバーでもよいし、化学的気相堆積チャンバーでもよいし、又は原子層堆積チャンバーでもよい。システム６００は、更に、プロセスチャンバー６３２がバリア層２０４を堆積するように構成され、上記銅合金シード層５０２はこのバリア層を覆って堆積されてもよい。例えば、バリア層２０４を堆積するためのプロセスチャンバー６３２は、原子層堆積チャンバーでもよいし、化学的気相堆積チャンバーでもよいし、又は物理的気相堆積チャンバーでもよい。１つの特定の実施形態では、プロセスチャンバー６３２は、図１に示すチャンバーのような原子層堆積チャンバーでもよく、又、プロセスチャンバー６３４は、図４に示すチャンバーのような物理的気相堆積チャンバーでもよい。   In one embodiment, system 600 is configured such that process chamber 634 deposits copper alloy seed layer 502. For example, the process chamber 634 for depositing the copper alloy seed layer 502 may be a physical vapor deposition chamber, a chemical vapor deposition chamber, or an atomic layer deposition chamber. The system 600 may further be configured such that the process chamber 632 deposits a barrier layer 204, and the copper alloy seed layer 502 may be deposited over the barrier layer. For example, the process chamber 632 for depositing the barrier layer 204 may be an atomic layer deposition chamber, a chemical vapor deposition chamber, or a physical vapor deposition chamber. In one particular embodiment, process chamber 632 may be an atomic layer deposition chamber, such as the chamber shown in FIG. 1, and process chamber 634 may be a physical vapor deposition chamber, such as the chamber shown in FIG. Good.

別の実施形態では、システム６００は、プロセスチャンバー６３４が銅合金シード層５１２を堆積すると共に、プロセスチャンバー６３６がその銅合金シード層５１２を覆って第２のシード層５１４を堆積するように構成される。例えば、銅合金シード層５１２を堆積するためのプロセスチャンバー６３４及び／又は第２のシード層を堆積するためのプロセスチャンバー６３６は、物理的気相堆積チャンバーでもよいし、化学的気相堆積チャンバーでもよいし、又は原子層堆積チャンバーでもよい。システム６００は、更に、プロセスチャンバー６３２がバリア層２０４を堆積するように構成されてもよく、銅合金シード層５１２がこのバリア層を覆って堆積されてもよい。例えば、バリア層２０４を堆積するためのプロセスチャンバー６３２は、原子層堆積チャンバーでもよいし、化学的気相堆積チャンバーでもよいし、又は物理的気相堆積チャンバーでもよい。１つの特定の実施形態では、プロセスチャンバー６３２は、図１に示すチャンバーのような原子層堆積チャンバーでもよいし、プロセスチャンバー６３４、６３６は、図４に示すチャンバーのような物理的気相堆積チャンバーでもよい。   In another embodiment, the system 600 is configured such that the process chamber 634 deposits a copper alloy seed layer 512 and the process chamber 636 deposits a second seed layer 514 over the copper alloy seed layer 512. The For example, the process chamber 634 for depositing the copper alloy seed layer 512 and / or the process chamber 636 for depositing the second seed layer may be a physical vapor deposition chamber or a chemical vapor deposition chamber. Or an atomic layer deposition chamber. The system 600 may further be configured such that the process chamber 632 deposits a barrier layer 204, and a copper alloy seed layer 512 may be deposited over the barrier layer. For example, the process chamber 632 for depositing the barrier layer 204 may be an atomic layer deposition chamber, a chemical vapor deposition chamber, or a physical vapor deposition chamber. In one particular embodiment, process chamber 632 may be an atomic layer deposition chamber such as the chamber shown in FIG. 1, and process chambers 634 and 636 may be physical vapor deposition chambers such as the chamber shown in FIG. But you can.

別の実施形態では、システム６００は、プロセスチャンバー６３４が金属シード層５２３を堆積してもよく、プロセスチャンバー６３６がその金属シード層５２３を覆って第２のシード層５２４を堆積するように構成されてもよい。例えば、金属シード層５２３を堆積するためのプロセスチャンバー６３４及び／又は第２のシード層５２４を堆積するためのプロセスチャンバー６３６は、物理的気相堆積チャンバーでもよいし、化学的気相堆積チャンバーでもよいし、又は原子層堆積チャンバーでもよい。システムは、更に、プロセスチャンバー６３２がバリア層２０４を堆積するように構成されてもよいし、金属シード層５２３がこのバリア層を覆って堆積されてもよい。例えば、バリア層２０４を堆積するためのプロセスチャンバー６３２は、原子層堆積チャンバーでもよいし、化学的気相堆積チャンバーでもよいし、又は物理的気相堆積チャンバーでもよい。１つの特定の実施形態では、プロセスチャンバー６３２は、図１に示すチャンバーのような原子層堆積チャンバーでもよいし、プロセスチャンバー６３４、６３６は、図４に示すチャンバーのような物理的気相堆積チャンバーでもよい。   In another embodiment, the system 600 may be configured such that the process chamber 634 may deposit the metal seed layer 523 and the process chamber 636 deposits the second seed layer 524 over the metal seed layer 523. May be. For example, the process chamber 634 for depositing the metal seed layer 523 and / or the process chamber 636 for depositing the second seed layer 524 may be a physical vapor deposition chamber or a chemical vapor deposition chamber. Or an atomic layer deposition chamber. The system may further be configured such that the process chamber 632 deposits the barrier layer 204, or a metal seed layer 523 may be deposited over the barrier layer. For example, the process chamber 632 for depositing the barrier layer 204 may be an atomic layer deposition chamber, a chemical vapor deposition chamber, or a physical vapor deposition chamber. In one particular embodiment, process chamber 632 may be an atomic layer deposition chamber such as the chamber shown in FIG. 1, and process chambers 634 and 636 may be physical vapor deposition chambers such as the chamber shown in FIG. But you can.

１つの態様において、バリア層２０４と、シード層（銅合金シード層５０２、銅合金シード層５１２及び第２シード層５１４、又は金属シード層５２３及び第２シード層５２４）との堆積は、空気及び他の不純物が層に入り込むのを防止すると共に、バリア層２０４を覆ってシード構造体を維持するために、多チャンバー処理システムにおいて真空状態のもとで実行可能である。   In one aspect, the deposition of the barrier layer 204 and the seed layer (copper alloy seed layer 502, copper alloy seed layer 512 and second seed layer 514, or metal seed layer 523 and second seed layer 524) comprises air and In order to prevent other impurities from entering the layer and to maintain the seed structure over the barrier layer 204, it can be performed under vacuum conditions in a multi-chamber processing system.

システム６００の他の実施形態も本発明の範囲内である。例えば、システムにおける特定のプロセスチャンバーの位置が変更されてもよい。別の例では、単一のプロセスチャンバーが２つの異なる層を堆積するように構成されてもよい。   Other embodiments of the system 600 are within the scope of the present invention. For example, the position of a particular process chamber in the system may be changed. In another example, a single process chamber may be configured to deposit two different layers.

実施例
実施例１
ＴａＮ層を原子層堆積により基板上に約２０Åの厚みまで堆積した。このＴａＮ層を覆ってシード層を物理的気相堆積により約１００Åの厚みまで堆積した。シード層は、１）非ドープの銅を含むターゲットを使用して堆積された非ドープの銅、２）約２．０原子パーセントの濃度のアルミニウムを含む銅−アルミニウムターゲットを使用して堆積された約２．０原子パーセントの濃度のアルミニウムを含む銅合金、３）約２．０原子パーセントの濃度のスズを含む銅−スズターゲットを使用して堆積された約２．０原子パーセントの濃度のスズを含む銅合金、又は４）約２．０原子パーセントの濃度のジルコニウムを含む銅−ジルコニウムターゲットを使用して堆積された約２．０原子パーセントの濃度のジルコニウムを含む銅合金で構成された。それにより得られた基板を、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）雰囲気中で約３８０℃の温度で約１５分間アニールした。 Example Example 1
A TaN layer was deposited on the substrate to about 20 mm thick by atomic layer deposition. A seed layer was deposited to a thickness of about 100 mm by physical vapor deposition over the TaN layer. The seed layer was deposited using 1) undoped copper deposited using a target containing undoped copper and 2) a copper-aluminum target containing aluminum at a concentration of about 2.0 atomic percent. A copper alloy containing aluminum at a concentration of about 2.0 atomic percent, 3) about 2.0 atomic percent concentration of tin deposited using a copper-tin target containing about 2.0 atomic percent concentration of tin Or 4) a copper alloy containing about 2.0 atomic percent concentration of zirconium deposited using a copper-zirconium target containing about 2.0 atomic percent concentration of zirconium. The resulting substrate was annealed at a temperature of about 380 ° C. for about 15 minutes in a nitrogen (N 2 ) and hydrogen (H 2 ) atmosphere.

走査電子顕微鏡写真は、アニール後に非ドープ銅層の凝集を示した。銅−ジルコニウム合金は、非ドープ銅層より僅かな凝集を示した。銅−スズ合金は、銅−ジルコニウム合金より僅かな凝集を示した。銅−アルミニウム合金は、著しい凝集を示さなかった。   Scanning electron micrographs showed aggregation of the undoped copper layer after annealing. The copper-zirconium alloy showed slightly more agglomeration than the undoped copper layer. The copper-tin alloy showed less agglomeration than the copper-zirconium alloy. The copper-aluminum alloy did not show significant agglomeration.

実施例２
２．０原子パーセントの濃度のアルミニウムを含む銅−アルミニウムターゲットを使用して、約２．０原子パーセントのアルミニウムを含む銅−アルミニウム合金膜を、物理的気相堆積により種々の基板上に堆積した。それにより得られた基板は、１）ＡＬＤ ＴａＮ層を覆って約５０Åの厚みまで堆積された銅−アルミニウム層、２）約１００ÅのＴａ層を覆って約５０Åの厚みまで堆積された銅−アルミニウム層、３）ＡＬＤ ＴａＮ層を覆って約１００Åの厚みまで堆積された銅−アルミニウム層、４）窒化シリコン（ＳｉＮ）層を覆って約１００Åの厚みまで堆積された銅−アルミニウム層、及び５）酸化シリコン層を覆って約１００Åの厚みまで堆積された銅−アルミニウム層を含むものであった。それにより得られた基板は、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）雰囲気中で約３８０℃の温度で約１５分間アニールされた。走査電子顕微鏡写真は、種々の基板上の銅−アルミニウム合金に著しい凝集がないことを示した。 Example 2
Using a copper-aluminum target containing 2.0 atomic percent aluminum, copper-aluminum alloy films containing about 2.0 atomic percent aluminum were deposited on various substrates by physical vapor deposition. . The resulting substrate is: 1) a copper-aluminum layer deposited over the ALD TaN layer to a thickness of about 50 mm, and 2) a copper-aluminum deposited over a thickness of about 100 mm to a thickness of about 50 mm. 3) a copper-aluminum layer deposited over the ALD TaN layer to a thickness of about 100 mm, 4) a copper-aluminum layer deposited over the silicon nitride (SiN) layer to a thickness of about 100 mm, and 5) It included a copper-aluminum layer deposited over the silicon oxide layer to a thickness of about 100 mm. The resulting substrate was annealed in a nitrogen (N 2 ) and hydrogen (H 2 ) atmosphere at a temperature of about 380 ° C. for about 15 minutes. Scanning electron micrographs showed no significant aggregation in the copper-aluminum alloys on the various substrates.

実施例３
２．０原子パーセントの濃度のアルミニウムを含む銅−アルミニウムターゲットを使用して、約２．０原子パーセントのアルミニウムを含む銅−アルミニウム合金膜を、物理的気相堆積により、ＡＬＤ ＴａＮ層を覆って５０Å又は１００Åの厚みまで堆積した。それにより得られた基板を、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）雰囲気中で、約３８０℃、約４５０℃又は約５００℃の温度で約１５分間アニールした。走査電子顕微鏡写真は、約３８０℃又は約４５０℃の温度でアニールした基板の場合に銅−アルミニウム合金に著しい凝集がないことを示した。約５００℃の温度でアニールした基板の場合には銅−アルミニウム合金がある程度の水分除去の発生を示した。 Example 3
Using a copper-aluminum target containing 2.0 atomic percent aluminum, a copper-aluminum alloy film containing about 2.0 atomic percent aluminum is deposited over the ALD TaN layer by physical vapor deposition. Deposited to a thickness of 50 mm or 100 mm. The resulting substrate was annealed in a nitrogen (N 2 ) and hydrogen (H 2 ) atmosphere at a temperature of about 380 ° C., about 450 ° C., or about 500 ° C. for about 15 minutes. Scanning electron micrographs showed no significant aggregation in the copper-aluminum alloy for substrates annealed at temperatures of about 380 ° C or about 450 ° C. In the case of the substrate annealed at a temperature of about 500 ° C., the copper-aluminum alloy showed some moisture removal.

実施例４
約２．０原子パーセントの濃度のアルミニウムを含む銅−アルミニウムターゲットを使用して、約２．０原子パーセントのアルミニウムを含む銅−アルミニウム合金膜を、物理的気相堆積により、ＡＬＤ ＴａＮ層を覆って５０Å又は１００Åの厚みまで堆積した。それにより得られた基板を、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）雰囲気中で約４５０℃の温度で約３０分間アニールした。走査電子顕微鏡写真は、約４５０℃の温度で約３０分間アニールした基板の場合に銅−アルミニウム合金に著しい凝集がないことを示した。 Example 4
Using a copper-aluminum target containing aluminum at a concentration of about 2.0 atomic percent, a copper-aluminum alloy film containing about 2.0 atomic percent aluminum is coated over the ALD TaN layer by physical vapor deposition. To a thickness of 50 mm or 100 mm. The resulting substrate was annealed at a temperature of about 450 ° C. for about 30 minutes in a nitrogen (N 2 ) and hydrogen (H 2 ) atmosphere. Scanning electron micrographs showed no significant aggregation in the copper-aluminum alloy for the substrate annealed at a temperature of about 450 ° C. for about 30 minutes.

以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明の基本的な範囲を逸脱せずに他の及び更に別の実施形態を案出することができ、従って、本発明の範囲は、特許請求の範囲によって限定される。   While preferred embodiments of the invention have been described above, other and further embodiments can be devised without departing from the basic scope of the invention, and therefore the scope of the invention is not limited to patents. Limited by the claims.

原子層堆積により１枚以上のバリア層を形成するのに使用できる処理システムの一実施形態を示す概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view illustrating one embodiment of a processing system that can be used to form one or more barrier layers by atomic layer deposition. FIG. 誘電体層が堆積された基板の一実施形態を示す概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view illustrating one embodiment of a substrate having a dielectric layer deposited thereon. 図２Ａの基板構造体上に形成されたバリア層の一実施形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows one Embodiment of the barrier layer formed on the board | substrate structure of FIG. 2A. バリア層形成段階において基板の一部分上にタンタル含有化合物と窒素含有化合物の単層を交互に化学吸着する一実施形態を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an embodiment in which a single layer of a tantalum-containing compound and a nitrogen-containing compound is alternately chemisorbed on a portion of a substrate in a barrier layer forming step. バリア層形成段階において基板の一部分上でタンタル含有化合物と窒素含有化合物の単層を交互に化学吸着する一実施形態を示す図である。FIG. 5 shows an embodiment of alternately chemisorbing a single layer of a tantalum-containing compound and a nitrogen-containing compound on a portion of a substrate in a barrier layer formation stage. バリア層形成段階において基板の一部分上でタンタル含有化合物と窒素含有化合物の単層を交互に化学吸着する一実施形態を示す図である。FIG. 5 shows an embodiment of alternately chemisorbing a single layer of a tantalum-containing compound and a nitrogen-containing compound on a portion of a substrate in a barrier layer formation stage. 銅合金シード層を堆積するのに使用される物理的気相堆積可能なプロセスシステムの一実施形態を示す概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view illustrating one embodiment of a process system capable of physical vapor deposition used to deposit a copper alloy seed layer. FIG. 図２Ｂのバリア層を覆ってシード層を堆積する実施形態の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an embodiment of depositing a seed layer over the barrier layer of FIG. 2B. 図２Ｂのバリア層を覆ってシード層を堆積する実施形態の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an embodiment of depositing a seed layer over the barrier layer of FIG. 2B. 図２Ｂのバリア層を覆ってシード層を堆積する実施形態の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an embodiment of depositing a seed layer over the barrier layer of FIG. 2B. 多チャンバー処理システムの一例を示す概略上面図である。It is a schematic top view which shows an example of a multi-chamber processing system.

符号の説明Explanation of symbols

１０…処理システム、１００…プロセスチャンバー、１０２…真空ポンプ、１０６…電源、１１０…制御ユニット、１１２…ＣＰＵ、１１３…制御ソフトウェア、１１４…サポート回路、１１６…メモリ、１２０…オリフィス、１２５…バルブ、１３０…ガスパネル、１３５、１３６…ガス源、１３８…パージガス源、１５０…支持ペデスタル、１６０…シャワーヘッド、１６２、１６３…ＲＦ電源、１６４…マッチングネットワーク、１７０…加熱素子、１７２…温度センサ、１９０…半導体ウェハ、２００…基板、２０２…誘電体層、２０２Ｈ…コンタクトホール又はビア、２０２Ｔ…露出表面部分、２０４…バリア層、４１０…処理システム、４１２…真空チャンバー、４１４…ターゲット、４１６…ウェハ、４１８…ヒータペデスタル、４２０…シールド、４２４…ガス源、４２６…質量流量コントローラ、４２８…真空システム、４３０…コントローラ、４３２…マグネトロン、４３８…高密度プラズマ領域、４５８…回転軸、５０２…シード層、５０６…導電性材料層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Processing system, 100 ... Process chamber, 102 ... Vacuum pump, 106 ... Power supply, 110 ... Control unit, 112 ... CPU, 113 ... Control software, 114 ... Support circuit, 116 ... Memory, 120 ... Orifice, 125 ... Valve, 130 ... Gas panel, 135, 136 ... Gas source, 138 ... Purge gas source, 150 ... Support pedestal, 160 ... Shower head, 162, 163 ... RF power source, 164 ... Matching network, 170 ... Heating element, 172 ... Temperature sensor, 190 ... Semiconductor wafer, 200 ... Substrate, 202 ... Dielectric layer, 202H ... Contact hole or via, 202T ... Exposed surface portion, 204 ... Barrier layer, 410 ... Processing system, 412 ... Vacuum chamber, 414 ... Target, 416 ... Wafer, 418 ... Heater pedesta , 420 ... shield, 424 ... gas source, 426 ... mass flow controller, 428 ... vacuum system, 430 ... controller, 432 ... magnetron, 438 ... high-density plasma region, 458 ... rotating shaft, 502 ... seed layer, 506 ... conductivity Material layer

Claims (76)

バリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆って（over）シード層を堆積するステップであって、該シード層は、銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成される前記ステップと、
上記シード層を覆って銅の導電性材料層を堆積するステップと、
を備えた特徴部を埋め込む方法。 Depositing a barrier layer;
Depositing a seed layer over the barrier layer, the seed layer comprising copper and a metal selected from the group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof Said step,
Depositing a copper conductive material layer over the seed layer;
A method of embedding a feature comprising: バリア層を覆ってシード層を堆積し、その後、該シード層を覆って導電性材料層を堆積する方法において、
上記バリア層を覆って銅合金シード層を堆積するステップであって、該銅合金シード層は、銅と、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの金属とで構成され、該金属は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された前記ステップを備えた方法。 In a method of depositing a seed layer over a barrier layer and then depositing a conductive material layer over the seed layer,
Depositing a copper alloy seed layer over the barrier layer, the copper alloy seed layer comprising copper and a metal having a concentration of about 0.001 atomic percent to about 5.0 atomic percent; The method comprising the step, wherein the metal is selected from the group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. バリア層を覆ってシード層を堆積し、その後、該シード層を覆って導電性材料層を堆積する方法において、
上記バリア層を覆って銅合金シード層を堆積するステップであって、該銅合金シード層は、銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成された前記ステップと、
上記銅合金シード層を覆って第２のシード層を堆積するステップと、
を備えた方法。 In a method of depositing a seed layer over a barrier layer and then depositing a conductive material layer over the seed layer,
Depositing a copper alloy seed layer over the barrier layer, the copper alloy seed layer comprising copper and a metal selected from the group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof; Configured steps, and
Depositing a second seed layer over the copper alloy seed layer;
With a method. 上記銅合金シード層は、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの金属を含む、請求項３に記載の方法。   The method of claim 3, wherein the copper alloy seed layer comprises a metal having a concentration of about 0.001 atomic percent to about 5.0 atomic percent. 上記銅合金シード層は、濃度が約０．０１原子パーセントから約２．０原子パーセントの金属を含む、請求項２又は３に記載の方法。   4. The method of claim 2 or 3, wherein the copper alloy seed layer comprises a metal having a concentration of about 0.01 atomic percent to about 2.0 atomic percent. 上記銅合金シード層は、濃度が約０．１原子パーセントから約１．０原子パーセントの金属を含む、請求項２又は３に記載の方法。   4. The method of claim 2 or 3, wherein the copper alloy seed layer comprises a metal having a concentration of about 0.1 atomic percent to about 1.0 atomic percent. バリア層を覆ってシード層を堆積し、その後、該シード層を覆って導電性材料層を堆積する方法において、
上記バリア層を覆って第１シード層を堆積するステップであって、該第１シード層は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属で構成されたものであるステップと、
上記第１シード層を覆って第２シード層を堆積するステップと、
を備えた方法。 In a method of depositing a seed layer over a barrier layer and then depositing a conductive material layer over the seed layer,
Depositing a first seed layer over the barrier layer, the first seed layer comprising a metal selected from the group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof; And a step that is
Depositing a second seed layer over the first seed layer;
With a method. 上記第１シード層は、下位の単層（a sub-monolayer）から約５０Åの側壁カバレージまで堆積される請求項７に記載の方法。   8. The method of claim 7, wherein the first seed layer is deposited from a sub-monolayer to about 50 mm of sidewall coverage. 上記第１シード層は、下位の単層から約４０Åの側壁カバレージまで堆積される、請求項７に記載の方法。   The method of claim 7, wherein the first seed layer is deposited from a lower monolayer to about 40 Å sidewall coverage. 上記銅の導電性材料層は、上記第２シード層を覆って堆積される、請求項３又は７に記載の方法。   The method of claim 3 or 7, wherein the copper conductive material layer is deposited over the second seed layer. 約５０Å以下の側壁カバレージまでバリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆ってシード層を堆積するステップであって、該シード層は、銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成された前記ステップと、
を備えた銅金属化のための基板構造体を準備する方法。 Depositing a barrier layer to a sidewall coverage of about 50 mm or less;
Depositing a seed layer over the barrier layer, the seed layer comprising copper and a metal selected from the group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof; Steps,
Of preparing a substrate structure for copper metallization comprising: 上記バリア層は、約２０Å以下の側壁カバレージまで堆積される、請求項１１に記載の方法。   The method of claim 11, wherein the barrier layer is deposited to a sidewall coverage of about 20 mm or less. 上記バリア層は、約１０Å以下の側壁カバレージまで堆積される、請求項１１に記載の方法。   The method of claim 11, wherein the barrier layer is deposited to a sidewall coverage of about 10 cm or less. 上記シード層は、上記銅及び金属の銅合金シード層で構成される、請求項１又は１１に記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the seed layer is composed of a copper alloy seed layer of copper and metal. バリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆って銅合金シード層を堆積するステップであって、該銅合金シード層は、銅と、濃度が約０．０１原子パーセントから５．０原子パーセントの金属とで構成され、該金属は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された前記ステップと、
上記銅合金シード層を覆って銅の導電性材料層を堆積するステップと、
を備えた特徴部を埋め込む方法。 Depositing a barrier layer;
Depositing a copper alloy seed layer over the barrier layer, the copper alloy seed layer comprising copper and a metal having a concentration of about 0.01 atomic percent to 5.0 atomic percent; The metal is selected from the group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin and combinations thereof;
Depositing a copper conductive material layer over the copper alloy seed layer;
A method of embedding a feature comprising: 上記バリア層は、原子層堆積、化学的気相堆積、物理的気相堆積、及びその組合せより成るグループから選択された技術によって堆積される、請求項１、１１又は１５に記載の方法。   16. The method of claim 1, 11 or 15, wherein the barrier layer is deposited by a technique selected from the group consisting of atomic layer deposition, chemical vapor deposition, physical vapor deposition, and combinations thereof. 原子層堆積によりバリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆って銅合金シード層を堆積するステップであって、該銅合金シード層は、銅と、濃度が約０．０１原子パーセントから５．０原子パーセントの金属とで構成され、該金属は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された前記ステップと、
上記銅合金シード層を覆って第２シード層を堆積するステップと、
上記第２シード層を覆って銅の導電性材料層を堆積するステップと、
を備えた特徴部を埋め込む方法。 Depositing a barrier layer by atomic layer deposition;
Depositing a copper alloy seed layer over the barrier layer, the copper alloy seed layer comprising copper and a metal having a concentration of about 0.01 atomic percent to 5.0 atomic percent; The metal is selected from the group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin and combinations thereof;
Depositing a second seed layer over the copper alloy seed layer;
Depositing a copper conductive material layer over the second seed layer;
A method of embedding a feature comprising: 上記銅合金シード層は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、原子層堆積、無電解堆積、及びその組合せより成るグループから選択された技術によって堆積される、請求項２、３、１５又は１７に記載の方法。   16. The copper alloy seed layer is deposited by a technique selected from the group consisting of physical vapor deposition, chemical vapor deposition, atomic layer deposition, electroless deposition, and combinations thereof. Or the method according to 17; 原子層堆積によりバリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆ってアルミニウムを含む第１シード層を下位の単層から約５０Åの側壁カバレージまで堆積するステップと、
上記第１シード層を覆って第２シード層を堆積するステップと、
上記第２シード層を覆って導電性材料層を堆積するステップと、
を備えた特徴部を埋め込む方法。 Depositing a barrier layer by atomic layer deposition;
Depositing a first seed layer comprising aluminum over the barrier layer from a lower monolayer to about 50 側壁 sidewall coverage;
Depositing a second seed layer over the first seed layer;
Depositing a conductive material layer over the second seed layer;
A method of embedding a feature comprising: 上記第１シード層は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、原子層堆積、無電解堆積及びその組合せより成るグループから選択された技術により堆積される、請求項７又は１９に記載の方法。   20. The first seed layer is deposited by a technique selected from the group consisting of physical vapor deposition, chemical vapor deposition, atomic layer deposition, electroless deposition, and combinations thereof. Method. 上記第２シード層は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、原子層堆積、無電解堆積及びその組合せより成るグループから選択された技術により堆積される、請求項３、７、１７又は１９に記載の方法。   18. The second seed layer is deposited by a technique selected from the group consisting of physical vapor deposition, chemical vapor deposition, atomic layer deposition, electroless deposition, and combinations thereof. 19. The method according to 19. 上記銅の導電性材料層は、電気メッキ、無電解堆積、化学的気相堆積、物理的気相堆積及びその組合せより成るグループから選択された技術により堆積される、請求項１、１５、１７又は１９に記載の方法。   18. The copper conductive material layer is deposited by a technique selected from the group consisting of electroplating, electroless deposition, chemical vapor deposition, physical vapor deposition, and combinations thereof. Or the method of 19. 原子層堆積によりバリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆って銅及びアルミニウムを含むシード層を堆積するステップと、
を備えた銅の電気メッキのための基板構造体を準備する方法。 Depositing a barrier layer by atomic layer deposition;
Depositing a seed layer comprising copper and aluminum over the barrier layer;
Of preparing a substrate structure for electroplating of copper comprising: 上記シード層は、銅及びアルミニウムの銅合金シード層で構成され、該銅合金シード層に存在するアルミニウムは、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントである、請求項２３に記載の方法。   24. The seed layer is comprised of a copper and aluminum copper alloy seed layer, wherein the aluminum present in the copper alloy seed layer has a concentration of about 0.001 atomic percent to about 5.0 atomic percent. The method described. 上記シード層は、上記バリア層を覆って堆積された第１シード層と、該第１シード層を覆って堆積された第２シード層とで構成される、請求項１、１１又は２３に記載の方法。   The said seed layer is comprised by the 1st seed layer deposited so that the said barrier layer might be comprised, and the 2nd seed layer deposited so that this 1st seed layer might be covered. the method of. 上記第１シード層は、銅及びアルミニウムの銅合金シード層で構成され、該銅合金シード層に存在するアルミニウムは、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントであり、更に、上記第２シード層は、非ドープの銅で構成される、請求項２５に記載の方法。   The first seed layer comprises a copper alloy seed layer of copper and aluminum, and the aluminum present in the copper alloy seed layer has a concentration of about 0.001 atomic percent to about 5.0 atomic percent, 26. The method of claim 25, wherein the second seed layer is comprised of undoped copper. 上記銅合金シード層は、約０．０１原子パーセントから約２．０原子パーセントの濃度でアルミニウムを含む、請求項２４に記載の方法。   25. The method of claim 24, wherein the copper alloy seed layer comprises aluminum at a concentration of about 0.01 atomic percent to about 2.0 atomic percent. 上記銅合金シード層は、約０．０１原子パーセントから約２．０原子パーセントの濃度でアルミニウムを含む、請求項２６に記載の方法。   27. The method of claim 26, wherein the copper alloy seed layer comprises aluminum at a concentration of about 0.01 atomic percent to about 2.0 atomic percent. 上記銅合金シード層は、約０．１原子パーセントから約１．０原子パーセントの濃度でアルミニウムを含む、請求項２４に記載の方法。   25. The method of claim 24, wherein the copper alloy seed layer comprises aluminum at a concentration of about 0.1 atomic percent to about 1.0 atomic percent. 上記銅合金シード層は、約０．１原子パーセントから約１．０原子パーセントの濃度でアルミニウムを含む、請求項２６に記載の方法。   27. The method of claim 26, wherein the copper alloy seed layer comprises aluminum at a concentration of about 0.1 atomic percent to about 1.0 atomic percent. 上記第１シード層は、下位の単層から約５０Åの側壁カバレージまでアルミニウムを含み、更に、上記第２シード層は、非ドープの銅を含む、請求項２５に記載の方法。   26. The method of claim 25, wherein the first seed layer comprises aluminum from a lower monolayer to about 50 inches of sidewall coverage, and the second seed layer comprises undoped copper. 上記バリア層は、チタン、窒化チタン、窒化チタンシリコン、タンタル、窒化タンタル、窒化タンタルシリコン、タングステン、窒化タングステン、窒化タングステンシリコン及びその組合せより成るグループから選択された材料で構成される、請求項１、１１、１５、１７、１９又は２３に記載の方法。   The barrier layer is composed of a material selected from the group consisting of titanium, titanium nitride, titanium silicon nitride, tantalum, tantalum nitride, tantalum nitride, tungsten, tungsten nitride, tungsten nitride silicon, and combinations thereof. 11, 15, 17, 19 or 23. 上記シード層は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、原子層堆積、無電解堆積及びその組合せより成るグループから選択された技術により堆積される、請求項１又は１１に記載の方法。   12. The method of claim 1 or 11, wherein the seed layer is deposited by a technique selected from the group consisting of physical vapor deposition, chemical vapor deposition, atomic layer deposition, electroless deposition, and combinations thereof. 上記第１シード層は、銅及び金属の銅合金シード層で構成される、請求項２５に記載の方法。   26. The method of claim 25, wherein the first seed layer comprises a copper and metal copper alloy seed layer. 上記第１シード層は、金属で構成される、請求項２５に記載の方法。   26. The method of claim 25, wherein the first seed layer is comprised of a metal. 上記第２シード層は、非ドープの銅で構成される、請求項３、７又は１７に記載の方法。   The method of claim 3, 7 or 17, wherein the second seed layer is composed of undoped copper. 上記第２シード層は、非ドープの銅で構成される、請求項３４に記載の方法。   35. The method of claim 34, wherein the second seed layer is comprised of undoped copper. 上記第２シード層は、非ドープの銅で構成される、請求項３５に記載の方法。   36. The method of claim 35, wherein the second seed layer is comprised of undoped copper. シード層を物理的気相堆積するためのターゲットにおいて、
銅と、
アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属と、
を含み、上記金属は、上記ターゲットに約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの濃度で存在するようにされたターゲット。 In a target for physical vapor deposition of a seed layer,
With copper,
A metal selected from the group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin and combinations thereof;
And the metal is present in the target at a concentration of about 0.001 atomic percent to about 5.0 atomic percent. 上記金属は、上記ターゲットに約０．０１原子パーセントから約２．０原子パーセントの濃度で存在する、請求項３９に記載のターゲット。   40. The target of claim 39, wherein the metal is present in the target at a concentration of about 0.01 atomic percent to about 2.0 atomic percent. 上記金属は、約０．１原子パーセントから約１．０原子パーセントの濃度で存在する、請求項３９に記載のターゲット。   40. The target of claim 39, wherein the metal is present at a concentration of about 0.1 atomic percent to about 1.0 atomic percent. シード層を堆積するためのチャンバーにおいて、
銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成されたターゲットを備え、上記金属は、上記ターゲットに約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの濃度で存在するようにされたチャンバー。 In the chamber for depositing the seed layer,
Comprising a target comprised of copper and a metal selected from the group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin and combinations thereof, wherein the metal is about 0.001 atomic percent to about 5.0 on the target. A chamber made to exist at a concentration of atomic percent. 上記金属は、上記ターゲットに約０．０１原子パーセントから約２．０原子パーセントの濃度で存在する、請求項４２に記載のチャンバー。   43. The chamber of claim 42, wherein the metal is present at a concentration of about 0.01 atomic percent to about 2.0 atomic percent on the target. 上記金属は、約０．１原子パーセントから約１．０原子パーセントの濃度で存在する、請求項４２に記載のチャンバー。   43. The chamber of claim 42, wherein the metal is present at a concentration of about 0.1 atomic percent to about 1.0 atomic percent. 基板を処理するためのシステムにおいて、
銅合金シード層を堆積するための第１チャンバーを備え、上記銅合金シード層は、銅の他に、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成され、上記金属は、上記銅合金に約０．０１原子パーセントから約２．０原子パーセントの濃度で存在するようにされたシステム。 In a system for processing a substrate,
A first chamber for depositing a copper alloy seed layer, the copper alloy seed layer comprising copper and a metal selected from the group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin and combinations thereof; And wherein the metal is present in the copper alloy at a concentration of about 0.01 atomic percent to about 2.0 atomic percent. バリア層を堆積するための第２チャンバーを更に備え、上記銅合金シード層は、該バリア層を覆って堆積される、請求項４５に記載のシステム。   46. The system of claim 45, further comprising a second chamber for depositing a barrier layer, wherein the copper alloy seed layer is deposited over the barrier layer. 上記第２チャンバーは、原子層堆積チャンバー、化学的気相堆積チャンバー、及び物理的気相堆積チャンバーより成るグループから選択される、請求項４６に記載のシステム。   47. The system of claim 46, wherein the second chamber is selected from the group consisting of an atomic layer deposition chamber, a chemical vapor deposition chamber, and a physical vapor deposition chamber. 上記第１チャンバーは、物理的気相堆積チャンバーであり、上記第２チャンバーは、原子層堆積チャンバーである、請求項４６に記載のシステム。   47. The system of claim 46, wherein the first chamber is a physical vapor deposition chamber and the second chamber is an atomic layer deposition chamber. 上記第１チャンバー及び上記第２チャンバーに連通する移送チャンバーを更に備えた、請求項４６に記載のシステム。   47. The system of claim 46, further comprising a transfer chamber in communication with the first chamber and the second chamber. 上記チャンバーの少なくとも２つは、単一チャンバーである、請求項４６に記載のシステム。   48. The system of claim 46, wherein at least two of the chambers are single chambers. 基板を処理するためのシステムにおいて、
銅合金シード層を堆積するための第１チャンバーであって、上記銅合金シード層は、銅の他に、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成されるものである第１チャンバーと、
上記銅合金シード層を覆って非ドープ銅のシード層を堆積するための第２チャンバーと、
を備えたシステム。 In a system for processing a substrate,
A first chamber for depositing a copper alloy seed layer, wherein the copper alloy seed layer is made of a metal selected from the group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin and combinations thereof in addition to copper. A first chamber that is configured;
A second chamber for depositing a seed layer of undoped copper over the copper alloy seed layer;
With system. バリア層を堆積するための第３チャンバーを更に備え、上記銅合金シード層は、該バリア層を覆って堆積される請求項５１に記載のシステム。   52. The system of claim 51, further comprising a third chamber for depositing a barrier layer, wherein the copper alloy seed layer is deposited over the barrier layer. 基板を処理するためのシステムにおいて、
金属シード層を堆積するための第１チャンバーであって、上記金属シード層は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属で構成されるものである第１チャンバーと、
上記金属シード層を覆って非ドープ銅のシード層を堆積するための第２チャンバーと、
を備えたシステム。 In a system for processing a substrate,
A first chamber for depositing a metal seed layer, wherein the metal seed layer is composed of a metal selected from the group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. A chamber;
A second chamber for depositing an undoped copper seed layer over the metal seed layer;
With system. バリア層を堆積するための第３チャンバーを更に備え、上記金属シード層は、該バリア層を覆って堆積される、請求項５３に記載のシステム。   54. The system of claim 53, further comprising a third chamber for depositing a barrier layer, wherein the metal seed layer is deposited over the barrier layer. 上記第１チャンバーは、物理的気相堆積チャンバー、化学的気相堆積チャンバー、原子層堆積チャンバー、及び無電解堆積チャンバーより成るグループから選択される、請求項４５、５１又は５３に記載のシステム。   54. The system of claim 45, 51 or 53, wherein the first chamber is selected from the group consisting of a physical vapor deposition chamber, a chemical vapor deposition chamber, an atomic layer deposition chamber, and an electroless deposition chamber. 上記第２チャンバーは、物理的気相堆積チャンバー、化学的気相堆積チャンバー、原子層堆積チャンバー、及び無電解堆積チャンバーより成るグループから選択される、請求項５１又は５３に記載のシステム。   54. The system of claim 51 or 53, wherein the second chamber is selected from the group consisting of a physical vapor deposition chamber, a chemical vapor deposition chamber, an atomic layer deposition chamber, and an electroless deposition chamber. 上記第３チャンバーは、原子層堆積チャンバー、化学的気相堆積チャンバー及び物理的気相堆積チャンバーより成るグループから選択される、請求項５２又は５４に記載のシステム。   55. The system of claim 52 or 54, wherein the third chamber is selected from the group consisting of an atomic layer deposition chamber, a chemical vapor deposition chamber, and a physical vapor deposition chamber. 上記第１チャンバーは、物理的気相堆積チャンバーであり、上記第２チャンバーは、物理的気相堆積チャンバーであり、上記第３チャンバーは、原子層堆積チャンバーである、請求項５２又は５４に記載のシステム。   55. The first chamber is a physical vapor deposition chamber, the second chamber is a physical vapor deposition chamber, and the third chamber is an atomic layer deposition chamber. System. 上記第１チャンバー、上記第２チャンバー及び上記第３チャンバーと連通する移送チャンバーを更に備えた、請求項５２又は５４に記載のシステム。   55. The system of claim 52 or 54, further comprising a transfer chamber in communication with the first chamber, the second chamber, and the third chamber. 上記チャンバーの少なくとも２つは、単一チャンバーである、請求項５２又は５４に記載のシステム。   55. A system according to claim 52 or 54, wherein at least two of the chambers are single chambers. 上部に誘電体層が形成された基板であって、上記誘電体層には上記基板の上面へとアパーチャーが形成されている基板と、
上記誘電体層を覆って形成された少なくとも１つのバリア層と、
上記少なくとも１つのバリア層を覆って形成された銅合金のシード層であって、該銅合金のシード層は、銅と、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの金属とで構成され、該金属は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択されたものである銅合金のシード層と、
上記銅合金のシード層を覆って形成された銅の導電性材料層と、
を備えた構造体。 A substrate having a dielectric layer formed thereon, wherein the dielectric layer has an aperture formed on an upper surface of the substrate;
At least one barrier layer formed over the dielectric layer;
A copper alloy seed layer formed over the at least one barrier layer, the copper alloy seed layer comprising copper and a metal having a concentration of about 0.001 atomic percent to about 5.0 atomic percent. A copper alloy seed layer selected from the group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof;
A copper conductive material layer formed over the copper alloy seed layer;
A structure with 上記銅合金のシード層は、濃度が約０．０１原子パーセントから約２．０原子パーセントの金属を含む、請求項６１に記載の構造体。   62. The structure of claim 61, wherein the copper alloy seed layer comprises a metal having a concentration of about 0.01 atomic percent to about 2.0 atomic percent. 上記銅合金のシード層は、濃度が約０．１原子パーセントから約１．０原子パーセントの金属を含む、請求項６１に記載の構造体。   62. The structure of claim 61, wherein the copper alloy seed layer comprises a metal having a concentration of about 0.1 atomic percent to about 1.0 atomic percent. 上部に誘電体層が形成された基板であって、上記誘電体層には上記基板の上面へとアパーチャーが形成されている基板と、
上記誘電体層を覆って形成された少なくとも１つのバリア層と、
上記少なくとも１つのバリア層を覆って形成された銅合金のシード層であって、該銅合金のシード層は、銅の他に、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属で構成される銅合金のシード層と、
上記銅合金のシード層を覆って形成された第２シード層と、
上記第２シード層を覆って形成された銅の導電性材料層と、
を備えた構造体。 A substrate having a dielectric layer formed thereon, wherein the dielectric layer has an aperture formed on an upper surface of the substrate;
At least one barrier layer formed over the dielectric layer;
A copper alloy seed layer formed over the at least one barrier layer, wherein the copper alloy seed layer is made of a group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof in addition to copper. A copper alloy seed layer composed of a selected metal;
A second seed layer formed over the copper alloy seed layer;
A copper conductive material layer formed over the second seed layer;
A structure with 上記第２シード層は、非ドープ銅で構成される、請求項６４に記載の構造体。   The structure of claim 64, wherein the second seed layer is comprised of undoped copper. 上記銅合金のシード層は、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの金属を含む、請求項６４に記載の構造体。   65. The structure of claim 64, wherein the copper alloy seed layer comprises a metal having a concentration of about 0.001 atomic percent to about 5.0 atomic percent. 上記銅合金のシード層は、濃度が約０．０１原子パーセントから約２．０原子パーセントの金属を含む、請求項６４に記載の構造体。   66. The structure of claim 64, wherein the copper alloy seed layer comprises a metal having a concentration of about 0.01 atomic percent to about 2.0 atomic percent. 上記銅合金のシード層は、濃度が約０．１原子パーセントから約１．０原子パーセントの金属を含む、請求項６４に記載の構造体。   68. The structure of claim 64, wherein the copper alloy seed layer comprises a metal having a concentration of about 0.1 atomic percent to about 1.0 atomic percent. 誘電体層が形成された基板であって、上記誘電体層には上記基板の上面へとアパーチャーが形成されている基板と、
上記誘電体層を覆って形成された少なくとも１つのバリア層と、
上記少なくとも１つのバリア層を覆って形成された第１シード層であって、該第１シード層は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属で構成される第１シード層と、
上記第１シード層を覆って形成された第２シード層と、
上記第２シード層を覆って形成された銅の導電性材料層と、
を備えた構造体。 A substrate on which a dielectric layer is formed, wherein the dielectric layer has an aperture formed on an upper surface of the substrate;
At least one barrier layer formed over the dielectric layer;
A first seed layer formed over the at least one barrier layer, the first seed layer comprising a metal selected from the group consisting of aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof; A first seed layer,
A second seed layer formed over the first seed layer;
A copper conductive material layer formed over the second seed layer;
A structure with 上記第２シード層は、非ドープ銅で構成される、請求項６９に記載の構造体。   70. The structure of claim 69, wherein the second seed layer is comprised of undoped copper. 上記第１シード層は、下位の単層から約５０Åの側壁カバレージを有する、請求項６９に記載の構造体。   70. The structure of claim 69, wherein the first seed layer has a sidewall coverage of about 50 inches from the underlying monolayer. 上記第１シード層は、下位の単層から約４０Åの側壁カバレージを有する、請求項６９に記載の構造体。   70. The structure of claim 69, wherein the first seed layer has a sidewall coverage of about 40 inches from the underlying monolayer. 上記バリア層は、チタン、窒化チタン、窒化チタンシリコン、タンタル、窒化タンタル、窒化タンタルシリコン、タングステン、窒化タングステン、窒化タングステンシリコン及びその組合せより成るグループから選択された材料で構成される、請求項６１、６４又は６９に記載の構造体。   62. The barrier layer is comprised of a material selected from the group consisting of titanium, titanium nitride, titanium nitride silicon, tantalum, tantalum nitride, tantalum nitride silicon, tungsten, tungsten nitride, tungsten nitride silicon, and combinations thereof. 64, or a structure according to 69. 上記バリア層は、約５０Å以下の側壁カバレージを有する、請求項６１、６４又は６９に記載の構造体。   70. The structure of claim 61, 64 or 69, wherein the barrier layer has a sidewall coverage of about 50 mm or less. 上記バリア層は、約２０Å以下の側壁カバレージを有する、請求項６１、６４又は６９に記載の構造体。   70. The structure of claim 61, 64 or 69, wherein the barrier layer has a sidewall coverage of about 20 mm or less. 上記バリア層は、約１０Å以下の側壁カバレージを有する、請求項６１、６４又は６９に記載の構造体。   70. The structure of claim 61, 64, or 69, wherein the barrier layer has a sidewall coverage of about 10 cm or less.
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