JP2005528721A - 半導体メモリー装置および半導体メモリー装置の操作方法 - Google Patents
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Abstract
Description
パッケージにあるチップを配向しようとする磁場に曝すことにより、硬磁性層の磁場を、接触部なしで(kontaktlos)リフレッシュまたは修復できる。対応するコイルまたは一組のコイルを、パッケージ(例えば、筐体)に集積すれば、硬磁性層の磁化の誤った配向が原因で欠陥の生じているメモリーセルを、操作中(例えば、当該メモリーセルがアクセスされていない時)にその場所で修復できる。
20 メモリー領域
30 メモリーセル
31h 硬磁性層
31t トンネル層
31w 軟磁性層
40 磁場供給デバイス、コイル構造
41 コイル
41a 外部領域
41i 内部領域
41w コイル巻き付け部
41x 対称軸
42 コイル
42a 外部領域
42w コイル巻き付け部
42x 対称軸
50 筐体装置、筐体
60 キャリア基板
70 外部端子
100 半導体モジュール、チップ
H 磁場
Ha 外部場
Hi 内部場
M 磁化
Mist 現実磁化
Msoll 基準磁化
Msp メモリー磁化
X 共通の対称軸
Y TMRスタックの延び方向
Z 中間領域
Claims (20)
- 磁気抵抗メモリーメカニズムに基づく半導体メモリー装置、とりわけMRAMメモリーであって、
複数のメモリーセル(30)を有する少なくとも1つのメモリー領域(20)と、
少なくとも1つの磁場供給デバイス(40)とを備え、
この磁場供給デバイス(40)によって、制御可能なおよび/または規定の方法を用いて、メモリーセル(30)の少なくとも一部に、少なくとも局部的に均一である共通の磁場(H)を、以下のように加える、
すなわち、作用されるメモリーセル(30)の少なくとも一部または部位が、磁気的な極性および/または磁化に関する、規定のおよび/または制御可能な方法によって結果的に増幅および/または配向されうるように加えることができる半導体メモリー装置。 - 上記磁場供給デバイス(40)の全体または一部が、上記半導体メモリー装置(10)に備えられている筐体デバイス(50)に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体メモリー装置。
- 上記磁場供給デバイス(40)が、1つのコイル(41)または複数のコイル(41,42)を備えるコイル配列として形成されている請求項1または2に記載の半導体メモリー装置。
- 上記コイル配列は、上記メモリーセル(30)の少なくとも一部に少なくとも1つのコイル(41)の内部領域(41i)磁場(Hi)を供給できるように配置および/または形成されている請求項3に記載の半導体メモリー装置。
- 少なくとも1つのコイル(41)が、上記メモリーセル(30)の少なくとも一部を空間的に取り囲んでいる請求項3または4に記載の半導体メモリー装置。
- 上記半導体メモリー装置(10)の基礎となる半導体モジュール(100)の少なくとも一部分が、少なくとも1つのコイル(41)の内部領域(41i)に形成および/または配置されている請求項3〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 上記メモリーセル(30)の少なくとも一部に、少なくとも1つのコイル(41,42)の外部領域(41a,42a)の磁場(Ha)を供給できる請求項3〜6のいずれか1項に記載の半導体メモリー装置。
- 上記半導体メモリー素子(10)の基礎となる半導体モジュール(100)の少なくとも一部が、少なくとも1つのコイル(41,42)の外部領域(41a,42a)に配置および/または形成されている請求項7に記載の半導体メモリー装置。
- 2つのコイル(41,42)が備えられている請求項3〜8のいずれか1項に記載の半導体メモリー装置。
- 複数のコイル(41,42)が備えられている場合には、これらは、実質的に同じ作用をするようにあるいは同じように形成されている請求項3〜9のいずれか1項に記載の半導体メモリー装置。
- 対称軸(41x,42x)を有する、2つの軸対称なコイル(41,42)が備えられており、
この2つのコイル(41,42)は、共通軸(X)上にあるいは直線状に延びる対称軸(41x,42x)に沿って配置されている請求項3または10に記載の半導体メモリー装置。 - 上記2つのコイル(41,42)が、その共通軸(X)に沿って、中間領域(Z)により空間的に間隔を開けて配置および/または形成されており、
上記半導体メモリー装置(10)の基礎となる半導体モジュール(100)の少なくとも一部が、コイル(41,42)の間の中間領域(Z)に、特に共通の軸(X)の近くに配置および/または形成されている請求項11に記載の半導体メモリー装置。 - 上記メモリーセル(30)がそれぞれ、磁気抵抗メモリー素子、特に少なくとも1つの硬磁性層(31h)を有するTMRスタック素子を備えあるいは形成している請求項1〜12のいずれか1項に記載の半導体メモリー装置。
- 上記メモリーセル(30)それぞれが、メモリー層としての少なくとも1つの軟磁性層(31w)および硬磁性層(31h)と軟磁性層(31w)との間に配置されているトンネル層(31t)を備える請求項13に記載の半導体メモリー装置。
- 上記硬磁性層(31h)が、所望磁化として所定の磁化(M)を有するようにそれぞれ形成されており、この所望磁化は、特に、1つのTMRスタック素子または複数のTMRスタック素子の積層方向(Y)に対してそれぞれ垂直に配向されている請求項13または14に記載の半導体メモリー装置。
- 上記複数のメモリーセル(30)が、基本的に同じ作用であるように、または、同じように形成されている請求項1〜15のいずれか1項に記載の半導体メモリー装置。
- 上記複数のメモリーセル(30)は、その磁化(M)が実質的同等に配向され、および/または、実質的に1つの面に位置する請求項1〜16のいずれかに記載の半導体メモリー装置。
- 磁気抵抗メモリー機構を基礎とする半導体メモリー装置、特にMRAMメモリー装置の操作方法において、
a)半導体メモリー装置(10)のメモリー領域(20)の各メモリーセル(30)のメモリー内容を読み出し、外部に記憶する工程と、
b)メモリーセル(30)の硬磁性層に、磁化を規定でき、かつ、制御できるように印加するために、半導体メモリー装置(10)に磁場(H)を印加し、メモリーセル(30)の少なくとも一部に磁場(H)を供給する工程と、
c)メモリー領域(20)の各セル(30)に、外部に記憶したメモリー内容を書き戻す工程とを含む、操作方法。 - 上記磁場(H)の強度、配向および/または時間を、作用が行われるメモリーセル(30)の各々に強度および配向を規定した磁化(M)が印加される、すなわち、信頼のおけるメモリー操作を保証し、および/または、特にメモリーセル(30)の硬磁性層(31h)の各磁化(M)が所望磁化(所望磁化M)の方向に配向および/または増幅されるような制御方法により設定する請求項18に記載の操作方法。
- 上記操作方法の工程a)、b)、c)を、特に周期的な時間的間隔を開けて、特に1年または1年未満の時間的間隔を開けて、および/または、特に使用者による明確な要求に応じて、繰り返し実施する請求項18または19に記載の請求項に記載の操作方法。
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