JP2002050670A - ピックアップ装置及びピックアップ方法 - Google Patents

ピックアップ装置及びピックアップ方法

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JP2002050670A
JP2002050670A JP2000237271A JP2000237271A JP2002050670A JP 2002050670 A JP2002050670 A JP 2002050670A JP 2000237271 A JP2000237271 A JP 2000237271A JP 2000237271 A JP2000237271 A JP 2000237271A JP 2002050670 A JP2002050670 A JP 2002050670A
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pin
push
pickup device
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Takahito Nakazawa
孝仁 中沢
Tetsuya Kurosawa
哲也 黒澤
Hideo Numata
英夫 沼田
Shinya Taku
真也 田久
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】薄厚化したチップをピックアップする際に、ク
ラックを抑制でき、チップの品質を向上できるピックア
ップ装置及びピックアップ方法を提供する。 【解決手段】突き上げ機構２２のピンで粘着テープから
チップを引き剥がす際、粘着テープにおける粘着面の裏
面側を吸着して保持しつつ、粘着テープの粘着面側か
ら、コレット２８をチップの上方に近づけ、コレットを
チップに触れるまで徐々に下降させてチップを吸着し、
チップが粘着テープから引き剥がされるまで待った後、
コレットを上昇させてチップをピックアップすることを
特徴としている。ピンを滞留させることでチップの剥離
を促すことができる。また、ダイシングが終了し、粘着
テープに貼り付けられたチップをピックアップすると
き、粘着テープを高温の不活性ガスを吹き付けて瞬時に
加熱することで、チップを粘着テープからダメージなく
剥がすことを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の実装
技術、特にマウント技術に係り、半導体パッケージ、特
にＩＣカードやＴＡＧ、３Ｄパッケージなどで用いられ
る薄いチップをパッケージに実装する際に、ウェーハを
ダイシングして個片化したチップを、粘着テープから順
次引き剥がして搬送するピックアップ装置及びピックア
ップ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣカードや携帯機器に使われる半導体
装置は、実装面積や厚さに制限がある。しかし、その反
面、要求される機能は限りなく増加している。このよう
な要求に応じるためには、チップを三次元に実装する技
術が有効であり、盛んに試されている。いわゆる、積層
モジュールと呼ばれる半導体パッケージであり、パッケ
ージの厚さは従来と変わらない。例えば、携帯機器のメ
モリ部に使うために、フラッシュメモリとSRAMを２段重
ねにした製品が既に市販されており、３〜４段に重ねた
製品の研究開発も市販に向けて進められている。
【０００３】このような薄い半導体パッケージに実装す
るために、従来は２００〜６５０μｍであったチップの
厚さが、２００μｍ未満という要求が増えつつある。上
記フラッシュメモリとSRAMを２段重ねにした製品や３〜
４段に重ねた製品では、チップの厚さが５０〜１５０μ
ｍと特に薄い。更には、５０μｍ以下という薄厚化した
チップも要求されている。
【０００４】しかし、このようなチップの薄厚化要求に
従い、チップが薄くなるのに伴って、ピックアップ時に
発生するクラックが深刻な問題となっている。チップの
曲げ強度は、チップの厚さの２乗に比例することが知ら
れており、薄くなるほどチップには割れやクラックが発
生しやすくなるからである。
【０００５】従来のピックアップ装置では、厚さが４０
〜２００μｍの薄いシリコン・チップでは、ピックアッ
プ時にクラックが多発する。ここで言うクラックとは、
チップが割れること、また、チップの周辺部、すなわち
コーナー部や辺が欠けることを総称する。
【０００６】まず、図１２乃至図１８により、上記ピッ
クアップ時に発生するクラックについて詳しく説明す
る。図１２は、従来のピックアップ装置及びピックアッ
プ方法について説明するためのもので、突き上げ機構に
おけるバックアップ・ホルダー、ピン・ホルダー及びピ
ンの断面構成を概略的に示している。ピン・ホルダー１
１は、バックアップ・ホルダー１２内で上下動するよう
になっており、ピン・ホルダー１１が上昇するとピン１
３が粘着テープ１４越しにチップ１５を上方に押圧し、
粘着面１４Ａに貼り付けられたチップ１５を引き剥がす
ようになっている。
【０００７】一般に、ピン１３は図１３（ａ）に示すよ
うに、チップ１５の中心位置に対して点対称で、且つ対
角線に沿うように配置されている。また、バックアップ
・ホルダー１２には、上記ピン配置に対応して、図１３
（ｂ）に示すようにピン１３が飛び出す位置に貫通孔１
６が設けられている。
【０００８】図１４（ａ）〜（ｃ）及び図１５（ａ）〜
（ｄ）はそれぞれ、厚さが２００〜７５０μｍの通常の
チップ１５を突き上げる様子と、突き上げるにつれ、チ
ップ１５が徐々に粘着テープ１４から離れていく様子を
示している。図１４（ａ）〜（ｃ）に示すようにピン１
３が上昇すると、図１５（ａ）〜（ｄ）に斜線で示すよ
うにチップ１５が粘着テープ１４から徐々に引き剥がさ
れて行き、完全に剥離する。この際、ピン１３の上昇に
伴って、まずチップ１５の周辺部、特にコーナー部が剥
がれ、ピン１３が最高点に達したときには既に剥がれて
いる。
【０００９】しかしながら、チップ１５の厚さが４０〜
１００μｍまで薄くなると、図１６（ａ）〜（ｃ）に示
すように、ピン１３が当たった部分がまず上昇するが、
ピン１３が当たっていない部分には上昇の遅れが生ず
る。なぜなら、チップ１５が薄いためにチップ１５が湾
曲し、粘着テープ１４からチップ１５が剥離しないから
である。この結果、図１７（ａ），（ｂ）に斜線で示す
ように粘着テープ１４から剥離させることができず、図
１７（ｃ）に示すようにクラック１６が発生してしま
う。このクラック１６は、チップ１５がシリコンの降伏
限界を超えるほど曲げられたために、表面に劈開が生じ
て発生したものである。また、表面に生じたクラック１
６が裏面まで伝播し、チップ１５が完全に裂けた状態に
なるものもある。このクラック１６の発生は、チップ１
５の厚さが薄ければ薄いほど頻繁になる。
【００１０】図１８（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ、チップ
がクラックした様子を示しており、厚さ１００μｍ以下
の特に薄いシリコン・チップがクラックした様子であ
る。クラックは、大きく分けて“カケ”モード、“ワ
レ”モード及び“貫通”モードの３つに分類することが
できる。“カケ”モードとは、図１８（ａ）〜（ｃ）に
示すようにチップのコーナーや周辺がクラックして欠け
たものである。“ワレ”モードとは、図１８（ｄ）〜
（ｇ）に示すように、線が入るようにクラックするもの
である。また、“貫通”モードとは、図１８（ｈ）に示
すように、ピンが当たる部分だけ、シリコンが***する
ように割れるものである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来のピ
ックアップ装置及びピックアップ方法では、薄厚化した
チップをピックアップする際にクラックなどのダメージ
を与えてしまい、チップの品質が低下するという問題が
あった。
【００１２】この発明は上記のような事情に鑑みてなさ
れたもので、その目的とするところは、薄厚化したチッ
プをピックアップする際にもクラックなどのダメージを
抑制でき、チップの品質を向上できるピックアップ装置
及びピックアップ方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
したピックアップ装置は、ウェーハ・リングに装着した
粘着テープの粘着面側に、ウェーハをダンシングして個
片化したチップを転写して貼り付け、これらのチップを
粘着テープから順次引き剥がして搬送するピックアップ
装置であって、前記粘着テープにおける粘着面の裏面側
から、粘着テープ越しにピンで個々のチップを突き上げ
るように押圧し、チップを粘着テープから引き剥がす突
き上げ機構と、前記突き上げ機構によりチップを引き剥
がすときに、コレットでチップを吸着し、チップが粘着
テープから引き剥がされるまで吸着状態を維持し、その
後コレットを上昇させてチップをピックアップし、次の
工程に搬送する搬送機構とを具備することを特徴として
いる。
【００１４】また、本発明の請求項２に記載したピック
アップ装置は、ウェーハ・リングに装着した粘着テープ
の粘着面側に、ウェーハをダンシングして個片化したチ
ップを転写して貼り付け、これらのチップを粘着テープ
から順次引き剥がして搬送するピックアップ装置であっ
て、前記ウェーハ・リングを保持するウェーハ・リング
保持機構と、前記粘着テープにおける粘着面の裏面側か
ら、粘着テープ越しにピンで個々のチップを突き上げる
ように押圧し、チップを粘着テープから引き剥がす突き
上げ機構と、引き剥がすチップの位置を光学的に認識す
るチップ位置認識機構と、前記突き上げ機構のピンを、
前記チップ位置認識機構で認識したチップの位置に移動
させる移動機構と、前記突き上げ機構によりチップを粘
着テープから引き剥がすときに、前記粘着テープにおけ
る粘着面の裏面側を吸着して保持する粘着テープ吸着保
持機構と、粘着テープから引き剥がしたチップをコレッ
トで吸着し、次の工程に搬送する搬送機構と、前記各機
構の動作を制御する制御装置とを具備し、前記制御装置
の制御に基づいて、前記チップ位置認識機構で引き剥が
すチップの位置を光学的に認識し、前記移動機構により
前記突き上げ機構のピンを、前記チップ位置認識機構で
認識したチップの位置に移動させ、前記粘着テープ吸着
保持機構で粘着テープを吸着して保持し、前記粘着テー
プの粘着面側から、前記搬送機構のコレットをチップの
上方に近づけ、その位置からコレットをチップに触れる
まで下降させてチップを吸着し、この状態で、前記突き
上げ機構により粘着テープ越しにピンで個々のチップを
突き上げるように押圧し、チップが粘着テープから引き
剥がされるまでチップの吸着状態を維持した後、コレッ
トを上昇させてチップをピックアップし、次の工程に搬
送することを特徴としている。
【００１５】そして、上記ピックアップ装置において、
下記（ａ）〜（Ｊ）のような特徴を備えている。
【００１６】（Ａ）前記粘着テープは、一方の面に接着
剤が塗工された有機フィルムである（請求項３）。
【００１７】（Ｂ）前記ウェーハをダンシングして個片
化したチップは、ダイシングラインまたはチップ分割ラ
インに沿って、ウェーハの素子形成面からこのウェーハ
の裏面まで貫通しないハーフカット溝を形成し、前記ウ
ェーハの裏面を研削して個片化したものである（請求項
４）。
【００１８】（Ｃ）前記突き上げ機構におけるピンは、
チップを粘着テープから引き剥がすとき、原点位置から
徐々に速度を上げた後、定常速度になり、次に徐々に遅
くなって停止し、その後、原点位置に戻る動作を行う
（請求項５）。
【００１９】（Ｄ）前記チップの厚さは１００μｍ以下
であり、前記突き上げ機構のピンが粘着テープ越しにチ
ップを押圧するときの速度は、定常状態で０．１ｍｍ／
秒〜１ｍｍ／秒である（請求項６）。
【００２０】（Ｅ）前記突き上げ機構のピンが粘着テー
プを押圧するストロークは、０．１ｍｍ〜２ｍｍである
（請求項７）。
【００２１】（Ｆ）前記突き上げ機構のピンで粘着テー
プ越しにチップを押圧し、停止してから下降し始めるま
で、所定の時間滞留させる制御手段を更に具備し、前記
制御手段は、ピンの滞留時間を０〜１０秒の間で制御す
る（請求項８）。
【００２２】（Ｇ）前記突き上げ機構のピンは５本以上
であり、隣接するピンとピンとの隙間のうち、最も狭い
部分の隙間は０．３ｍｍ以上、１ｍｍ以下である（請求
項９）。
【００２３】（Ｈ）前記突き上げ機構のピンは５本以上
であり、その中から４本選び、中心に６本の結線を入れ
たとき、外周が四角形であり、且つその対角線の交点を
中心として、対角線上の２組のピンが共に誤差１００μ
ｍを見込んで点対称となるような４本の組が、少なくと
も１組存在するように配置されている（請求項１０）。
【００２４】（Ｉ）前記突き上げ機構のピンは５本以上
であり、最も外側に配置されたピンの中心を結び全ての
ピンを囲む図形を、チップ外周と同じ大きさの図形中
に、はみ出さないように描いた場合、外側のピンの中心
と、チップ外周との距離が１．５ｍｍ以上の外周が存在
する（請求項１１）。
【００２５】（Ｊ）前記突き上げ機構のピンは先端部が
曲面を有し、この曲面の半径は０．５ｍｍ以上、２ｍｍ
以下である（請求項１２）。
【００２６】また、本発明の請求項１３に記載したピッ
クアップ方法は、ウェーハ・リングに装着した粘着テー
プの粘着面側に、ウェーハをダンシングして個片化した
チップを転写して貼り付け、これらのチップを粘着テー
プから順次引き剥がして搬送するピックアップ方法であ
って、粘着テープにおける粘着面の裏面側から、ピンで
粘着テープ越しにチップを突き上げるように押圧する工
程と、前記ピンでチップを引き剥がす動作時に、前記粘
着テープの粘着面側から、コレットをチップに触れるま
で下降させてチップを吸着する工程と、チップが粘着テ
ープから引き剥がされるまで待った後、コレットを上昇
させてチップをピックアップし、次の工程に搬送する工
程とを具備することを特徴としている。
【００２７】更に、本発明の請求項１４に記載したピッ
クアップ方法は、ウェーハ・リングに装着した粘着テー
プの粘着面側に、ウェーハをダンシングして個片化した
チップを転写して貼り付け、これらのチップを粘着テー
プから順次引き剥がして搬送するピックアップ方法であ
って、引き剥がすチップの位置を光学的に認識する工程
と、突き上げ機構のピンを、認識したチップの位置に移
動させる工程と、前記粘着テープにおける粘着面の裏面
側を吸着して保持する工程と、粘着テープにおける粘着
面の裏面側から、突き上げ機構のピンで粘着テープ越し
にチップを突き上げるように押圧する工程と、前記突き
上げ機構のピンでチップを引き剥がす動作時に、前記粘
着テープの粘着面側から、コレットをチップの上方に近
づけ、コレットをチップに触れるまで下降させてチップ
を吸着する工程と、チップが粘着テープから引き剥がさ
れるまで待った後、コレットを上昇させてチップをピッ
クアップし、次の工程に搬送する工程とを具備すること
を特徴としている。
【００２８】そして、上記ピックアップ方法において、
下記（Ｋ），（Ｌ）のような特徴を備えている。
【００２９】（Ｋ）前記ウェーハをダンシングしてチッ
プに個片化する際に、ダイシングラインまたはチップ分
割ラインに沿って、ウェーハの素子形成面からこのウェ
ーハの裏面まで貫通しないハーフカット溝を形成する工
程と、前記ウェーハの裏面を研削して個片化する工程と
を備える（請求項１５）。
【００３０】（Ｌ）前記ピンは、チップを引き剥がすと
き、原点位置から徐々に速度を上げた後、定常速度にな
り、次に徐々に遅くなって停止し、その後、原点位置に
戻る動作を行う（請求項１６）。
【００３１】また、この発明の請求項１７に記載したピ
ックアップ装置は、バックアップ・ホルダーと、このバ
ックアップ・ホルダー内で上下動し、粘着テープに転写
されたチップを、この粘着テープ越しにピンで押圧する
ためのピン・ホルダーとを備えた突き上げ機構と、前記
突き上げ機構により粘着テープに転写されたチップをピ
ックアップする際、前記粘着テープを加熱して粘着力を
低下させる加熱機構と、前記突き上げ機構でピックアッ
プしたチップを吸着して搬送する吸着搬送機構とを具備
することを特徴としている。
【００３２】そして、上記ピックアップ装置において、
下記（Ｍ）〜（Ｑ）のような特徴を備えている。
【００３３】（Ｍ）前記ピン・ホルダーは、高温の不活
性ガスを流すキャピラリ管を備え、前記バックアップ・
ホルダーは、前記ピン・ホルダーのピンの位置と相対す
る位置と、前記ピン・ホルダーのキャピラリ管の位置と
相対する位置にそれぞれ設けられた貫通孔を備える（請
求項１８）。
【００３４】（Ｎ）高温の不活性ガスは、ピンが突き上
げ動作を開始する直前または同時に供給され、この不活
性ガスの供給から、ピンの突き上げ動作開始までの遅延
時間を制御する第１の制御手段を更に具備する（請求項
１９）。
【００３５】（Ｏ）高温の不活性ガスを供給し始めてか
ら供給を停止するまでの時間を制御する第２の制御手段
を更に具備する（請求項２０）。
【００３６】（Ｐ）粘着テープの加熱温度を検知するセ
ンサと、このセンサによって加熱が検出されたときに前
記高温の不活性ガスの供給を停止する第３の制御手段と
を更に具備する（請求項２１）。
【００３７】（Ｑ）前記加熱機構は、前記ピン・ホルダ
ーに設けられ、前記粘着テープを加熱するヒータである
（請求項２２）。
【００３８】また、本発明の請求項２３に記載したピッ
クアップ方法は、ウェーハ・リングに装着した粘着テー
プの粘着面側に、ウェーハをダンシングして個片化した
チップを転写して貼り付け、これらのチップを粘着テー
プから順次引き剥がして搬送するピックアップ方法であ
って、突き上げピンがチップを突き上げするのと同時ま
たは直前に、高温の不活性ガスを粘着テープに吹き付け
て、前記粘着テープの粘着力を低下させ、チップを粘着
テープから順次剥がして搬送することを特徴としてい
る。
【００３９】そして、上記ピックアップ方法において、
下記（Ｒ）のような特徴を備えている。
【００４０】（Ｒ）前記不活性ガスは窒素ガスであり、
この窒素ガスの温度は２００〜４００℃である。
【００４１】上記請求項１及び２のような構成のピック
アップ装置によれば、ピックアップ時にピンを滞留させ
ることでチップの剥離を促すことができ、小さな負荷で
チップを粘着テープから無理なく引き剥がすことができ
る。この結果、薄厚化したチップをピックアップする際
にもクラックなどのダメージを抑制でき、チップの品質
を向上できる。
【００４２】請求項３に示すように、粘着テープとして
は、一方の面に接着剤が塗工された有機フィルムが好適
である。
【００４３】請求項４に示すように、本発明のピックア
ップ装置は、先ダイシングによって薄厚化したチップで
あっても、クラックを発生させることなくピックアップ
できる。
【００４４】請求項５に示すように、ピンの速度を制御
することにより、チップに掛かる応力を低減でき、ピッ
クアップを最適化してよりクラックの発生を防止でき
る。
【００４５】請求項６に示すように、厚さが１００μｍ
以下のチップをピックアップする場合には、ピンの速度
は、定常状態で０．１ｍｍ／秒〜１ｍｍ／秒が好まし
い。
【００４６】請求項７に示すように、ピンで粘着テープ
を押圧するストロークを、０．１ｍｍ〜２ｍｍにすれ
ば、より効果的にクラックを抑制できる。
【００４７】請求項８に示すように、制御手段を設け
て、ピンの滞留時間を０〜１０秒の間で制御すれば、チ
ップの厚さや粘着テープの粘着力に応じた最適なピック
アップの制御ができる。
【００４８】請求項９乃至１１に示すように、５本以上
のピンを用いれば、ピックアップ時にチップに掛かる応
力を分散でき、クラックをより抑制できる。また、ピン
とピンとの間の距離やピンのパターン配置を最適化する
ことにより、クラック抑制効果を更に高めることができ
る。
【００４９】請求項１２に示すように、ピンの先端部を
曲面にし、この曲面の半径を０．５ｍｍ以上、２ｍｍ以
下にすることにより、“貫通”モードのクラックを抑制
できる。
【００５０】また、請求項１３及び１４のようなピック
アップ方法によれば、ピンでチップを押圧した状態で、
チップが粘着テープから引き剥がされるまで待つので、
チップの剥離を促すことができ、小さな負荷でチップを
粘着テープから無理なく引き剥がすことができる。これ
によって、薄厚化したチップをピックアップする際にも
クラックなどのダメージを抑制でき、チップの品質を向
上できる。
【００５１】請求項１５に示すように、本発明のピック
アップ方法によれば、先ダイシングプロセスを用いて薄
厚化したチップであっても、クラックを発生させること
なくピックアップできる。
【００５２】請求項１６に示すように、ピンの速度を制
御することにより、チップに掛かる応力を低減でき、ピ
ックアップを最適化してよりクラックの発生を防止でき
る。
【００５３】更に、請求項１７のようなピックアップ装
置によれば、粘着テープを瞬時に加熱することで、粘着
テープの粘着力を低下させ、チップにダメージを与える
ことなく粘着テープから剥がすことができる。この結
果、薄厚化したチップをピックアップする際にもクラッ
クなどのダメージを抑制でき、チップの品質を向上でき
る。
【００５４】請求項１８に示すように、加熱には、高温
の不活性ガスを粘着テープに吹き付ければ、粘着テープ
の基材の縮みや劣化、チップへのダメージを最小限にで
き、冷却の問題を配慮する必要がない。
【００５５】請求項１９に示すように、第１の制御手段
を設ければ、高温の不活性ガスの供給とピンの突き上げ
動作を最適化できる。
【００５６】請求項２０に示すように、第２の制御手段
を設ければ、高温の不活性ガスの供給時間を最適化でき
る。
【００５７】請求項２１に示すように、第３の制御手段
を設ければ、粘着テープの過熱状態に応じた不活性ガス
の供給と停止が制御できる。
【００５８】請求項２２に示すように、加熱機構は、ピ
ン・ホルダーに設けたヒータでも実現できる。
【００５９】更に、請求項２３のようなピックアップ方
法によれば、粘着テープを瞬時に加熱することで、粘着
テープの粘着力を低下させ、チップにダメージを与える
ことなく粘着テープから剥がすことができる。この結
果、薄厚化したチップをピックアップする際にもクラッ
クなどのダメージを抑制でき、チップの品質を向上でき
る。上記高温の不活性ガスとしては、温度が２００〜４
００℃の窒素ガスが安価である。
【００６０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の
形態に係るピックアップ装置について説明するためのも
ので、外観を示す斜視図である。このピックアップ装置
は、ピックアップ機構２１、突き上げ機構２２、チップ
位置認識機構２３及び制御装置２４などから構成されて
いる。
【００６１】上記ピックアップ機構２１は、ロボット・
アーム２５とこのロボット・アーム２５の一端を支点に
して図示矢印Ａ方向に往復動作させる駆動部２６、及び
ロボット・アーム２５を上下動（矢印Ｂ方向）させる駆
動部２７を備えている。また、このロボット・アーム２
５の先端部には、コレット２８が設けられている。コレ
ット２８は、チップと直接接触し、バキューム力でチッ
プを吸着する。これによって、ロボット・アーム２５
は、チップをピックアップする位置で上下動し、且つチ
ップを吸着して搬送する動作を行う。
【００６２】ピックアップの対象となるチップは粘着テ
ープに貼り付けられており、バキューム力だけではピッ
クアップすることは困難である。バキューム力を強めた
り、メカニカルにチップを掴み取る方法などもあるが、
チップにチッピングやクラックを発生させ、品質を低下
させる恐れがある。そこで、突き上げ機構２２によりチ
ップを粘着テープから剥離する。上記突き上げ機構２２
は、バックアップ・ホルダー３２をウェーハ・リング面
内で自由に動かせる駆動部２９と、突き上げピンを上下
動させる駆動部３０とを備えている。上記駆動部２９は
モーター３１などにより図示矢印方向Ｃと、この方向Ｃ
と直交する矢印方向Ｄにバックアップ・ホルダー３２を
移動させる。上記バックアップ・ホルダー３２には貫通
孔３２Ａが設けられており、駆動部３０に設けられてい
るモーター３３により突き上げピンを上下動（矢印Ｅ方
向）させることにより、上記貫通孔３２Ａからピンが突
き出してチップを押し上げ、粘着テープから引き剥がす
ようになっている。
【００６３】上記粘着テープはウェーハ・リングと呼ば
れる環状の治具に貼り付けられている。このピックアッ
プ装置には、ウェーハ・リングを精度良く載置して固定
する治具３４が設けられている。ウェーハ・リングの固
定治具３４は、粘着テープを固定するだけでなく、粘着
テープを押し上げるようにして、粘着テープにテンショ
ンを掛けられるようになっている。チップをピックアッ
プする際には、通常、１〜５ｍｍ押し上げるようにす
る。
【００６４】上記チップ位置認識機構２３は、カメラ３
５から得た画像データから、ウェーハ・リング内にある
チップの位置を±１０μｍ以下の精度で割り出すもので
ある。バックアップ・ホルダー３２及びロボット・アー
ム２５は、チップ位置認識機構２３から得られたチップ
の位置データにしたがって、±２０μｍ以下の精度で正
確に移動するようになっている。
【００６５】なお、上記ピックアップ機構２１の駆動部
２６，２７の動作やコレット２８による吸着動作、突き
上げ機構２２の駆動部２９，３０の動作、及びチップ位
置認識機構２３によるチップ位置の割り出しなどはそれ
ぞれ、制御装置２４によって制御される。
【００６６】ところで、薄厚化されたチップをピックア
ップする場合には、上記突き上げ機構２２が重要であ
る。次に、図２乃至図４を用いて上記ピックアップ装置
の突き上げ機構２２について詳しく説明する。図２は突
き上げ機構２２におけるバックアップ・ホルダー、ピン
・ホルダー及びピンの断面構成を示している。図３及び
図４はそれぞれ、ピンのパターン配置例を示しており、
図３はアスタリスク型配置、図４は直線配置を示してい
る。
【００６７】図２は、上記チップ位置認識機構２３から
得られたチップ位置の認識データにしたがって、バック
アップ・ホルダー３２をピックアップの対象となるチッ
プ下部に移動させ、今まさにピン・ホルダー３６を上昇
させて粘着テープ３７越しにチップ３８を突き上げよう
としている状態である。ここで、ピン・ホルダー３６
は、バックアップ・ホルダー３２内で上下動をするよう
になっており、ピン３９の先端はバックアップ・ホルダ
ー３２の上面と同じ高さが定位置である。ここの高さを
０とする。この位置からピン３９が上昇を開始し、粘着
テープ３７越しにチップ３８を上方向に押圧する。
【００６８】図３（ａ）〜（ｑ）及び図４（ａ）〜
（ｒ）に示すように、ピン３９は５本以上であり、隣接
するピンとピンとの隙間のうち、最も狭い部分の隙間は
０．３ｍｍ以上、１ｍｍ以下である。また、５本以上の
ピンの中から４本を選び、中心に６本の結線を入れたと
き、外周が四角形であり、且つその対角線の交点を中心
として、対角線上の２組のピンが共に誤差１００μｍを
見込んで点対称となるような４本の組が、少なくとも１
組存在するように配置されている。あるいは、最も外側
に配置されたピンの中心を結び全てのピンを囲む図形
を、チップ外周と同じ大きさの図形中に、はみ出さない
ように描いた場合、外側のピンの中心と、チップ外周と
の距離が１．５ｍｍ以上の外周が存在する。これらのピ
ン３９はそれぞれ、先端部が曲面を有しており、この曲
面の半径は０．５ｍｍ以上、２ｍｍ以下である。
【００６９】上記のように、５本以上のピンを用ること
により、ピックアップ時にチップ３８に掛かる応力を分
散でき、クラックをより抑制できる。また、ピン３９と
ピン３９との間の距離やピン３９のパターン配置を最適
化することにより、クラック抑制効果を更に高めること
ができる。更に、ピン３８の先端部を曲面にし、この曲
面の半径を０．５ｍｍ以上、２ｍｍ以下にすることによ
り、“貫通”モードのクラックを抑制できる。
【００７０】次に、上記のような構成のピックアップ装
置を用いたピックアップ方法について説明する。ウェー
ハをダイシングして個片化したチップを形成し、このチ
ップをウェーハ・リングに装着した状態で図１に示した
ピックアップ装置におけるウェーハ・リングの固定治具
３４に固定する。
【００７１】まず、ピックアップ装置にチップを供給す
るまでの一連のダイシング工程について説明する。
【００７２】ウェーハに回路を焼き付けた後、ウェーハ
をダイシングして個片化する。個片化する手順は、普
通、ウェーハ裏面を研削して薄くしてからダイシングす
る。この時、裏面チッピングが発生し易い。裏面チッピ
ングとは、ウェーハの裏面に発生する細かいチップの欠
けである。シリコンウェーハと粘着テープとの間、すな
わち、固いものと柔らかいものとの間であるが故に発生
し易いクラックである。裏面チッピングは、チップ裂開
の起点となり得る。もちろん、チップ自体の強度にも関
係してくるので、裏面チッピングが少ない方が品質が高
いと言える。裏面チッピングは薄いチップほど深刻な問
題となる。
【００７３】上記裏面チッピングを極力減らすことがで
きる方式が、これから説明する先ダイシング(DBGとも呼
ぶ、Dicing Before Grindingの略)・プロセスである。
図５は、先ダイシング・プロセスのフローチャートであ
る。先ダイシング・プロセスでは、まず、ウェーハを個
片化するためのダイシングラインやチップ分割ラインに
沿って、ハーフカット溝を形成する（ＳＴＥＰ１）。こ
の時、切り込みはウェーハ裏面まで貫通しないようにす
る。この方法はハーフカット・ダイシングとも呼ばれ
る。通常のダイシングでは、ウェーハの裏面まで貫通す
るように切り込みを入れるからである。切り込みの深さ
は、チップの最終仕上げ厚さよりも、およそ１０μｍ乃
至３０μｍだけ深くする。どれだけ多めにするかは、ダ
イサーとグラインダーの精度により決まる。
【００７４】図５のフローチャートでは、ウェーハを搬
送する装置を前提にしているので、ダイシング・テープ
を使わない方式を表しているが、もちろん、ダイシング
・テープを使っても構わない。すなわち、個片化したと
き、チップが飛ばないように、ダイシング時には予めウ
ェーハをテープに貼り固定しておく。ダイシング・テー
プ基材の材質は、塩化ビニルやポリオレフィン等のプラ
スチックが用いられる。基材に粘着性を持たせるため
に、表面状態を荒らし、自己粘着性を持つタイプと、基
材上に薄く粘着剤を塗布したタイプに分けられる。後者
の粘着剤タイプは、粘着力を選択的に変えられる。ダイ
シングするときは、しっかりと保持した方が良く、チッ
プをピックアップするときは、ダメージを与えないよう
に剥がし易い方が良い。粘着剤は、このような二律背反
の性質を持つことが好ましく、何らかの作用によって粘
着力を低下する性質を持つものが用いられる。何らかの
作用とは、紫外線照射や加熱である。紫外線タイプは、
主成分がエポキシ樹脂とアクリル樹脂であり、ラジカル
重合による硬化反応を利用したものである。また、加熱
タイプは、シリコーン樹脂の発泡現象を利用したもので
ある。
【００７５】上記ダイシング・テープを使うか使わない
かは、装置の構成によって選ぶ。ダイシング・テープを
使う装置では、ウェーハ・リングに装着した状態で搬送
する。従って、予めウェーハをダイシング・テープに貼
り付け、ダイサー（ダイシング装置）にウェーハを供給
する。
【００７６】次に、ハーフカット・ダイシング済みのウ
ェーハの素子形成面にテープを貼り付ける（ＳＴＥＰ
２）。このテープを表面保護テープと呼ぶ。ウェーハ表
面にテープを貼り付ける目的は、ウェーハ裏面を削り取
り、薄くする過程で素子にダメージを与えないようにす
るためである。
【００７７】次は、ウェーハの裏面研削（ラッピング）
工程（ＳＴＥＰ３）である。裏面研削は、砥石のついた
ホイールと呼ばれるものを４０００〜６０００ｒｐｍの
高速で回転させながらウェーハの裏面を所定の厚さに削
って行く工程である。上記砥石は、人工ダイヤモンドを
フェノール樹脂で固めて成形したものである。この裏面
研削工程は、２軸で行うことが多い。また、まず、１軸
で予め３２０〜６００番で荒削りした後、２軸で１５０
０〜２０００番で鏡面に仕上げる方法もある。更には、
３軸で研削する方法でも良い。
【００７８】裏面研削後のチップは、ウェーハ・リング
に装着した粘着テープ上に転写する（ＳＴＥＰ４）。こ
の粘着テープは、ピックアップテープ（もしくは転写テ
ープ）と呼ばれる。上記ピックアップ・テープの材料と
しては、塩化ビニル系、アクリル系が良く用いられる。
薄厚のチップに対応可能なピックアップ・テープは、ア
クリル系で且つ紫外線を照射して、粘着力が弱くなるも
のが望ましい。ピックアップ・テープには、転写して搬
送すること、ピックアップしやすいことなどが要求され
る。転写・搬送性のためには、チップが動かないように
しっかりと保持した方が好ましいが、ピックアップで
は、簡単に剥がれる方が好ましい。アクリル系テープの
うち、紫外線を照射すると粘着力が弱くなるものがあ
る。このようなアクリル系テープでは、紫外線を照射す
る前と後で粘着特性が選択的であり、薄いチップを扱う
ピックアップ・テープとして好適である。ピックアップ
・テープの代表銘柄を示すと、日立化成製ＨＡＬ−１５
０３、同ＨＡＬ−１６０３、リンテック社製Ｇ−１１、
Ｇ−１５などの塩化ビニル系テープが用いられる。ま
た、リンテック社製のＤ−１０５などのアクリル・ＵＶ
系テープでも良い。
【００７９】その後、上記表面保護テープを剥離（ＳＴ
ＥＰ５）した後、ピックアップテープ（粘着テープ）に
例えば紫外線を照射して粘着力を低下させ（ＳＴＥＰ
６）、ピックアップ装置におけるウェーハ・リングの固
定治具３４に装着する（ＳＴＥＰ７）。
【００８０】この先ダイシング方式によれば、通常ダイ
シングのような問題はなく、裏面のチッピングを大きく
減らすことができる。特に、薄いチップに対しては、こ
の先ダイシング・プロセスが好適であり、従来のダイシ
ングに比べてウェーハまたはチップの抗折強度を向上で
きる。
【００８１】本発明のピックアップ装置及びピックアッ
プ方法では、この先ダイシング・プロセスを用いて個片
化した薄いチップのピックアップする。
【００８２】まず、カメラ３５から得た画像データか
ら、チップ位置認識機構２３でピックアップの対象とな
るチップの位置を割り出し、この位置データにしたがっ
て突き上げ機構２２によりピン・ホルダー３２を移動さ
せると共に、ロボット・アーム２５の先端部に設けられ
たコレット２８を割り出した位置に移動させる。
【００８３】そして、図６に示すようなシーケンスに従
ってピン３９を上昇させてピックアップを行う。この図
６では、従来のシーケンスと比較して示している。従来
のピックアップ装置では、ピンがフィルム越しにチップ
を押し、停止した瞬間に直ちに下降を始める。
【００８４】これに対し、本発明のピックアップ方法で
は、ピンは停止位置（高さ０）から徐々に速度を上げ、
やがて定速になり、最高点に近づくと遅くなり、最高点
に達すると直ちに停止する。上記突き上げピン３９が上
昇する速度は、スピードが速すぎるとチップ３８がクラ
ックしてしまうので、厚さが１００μｍ以下のチップで
は、デバイスの種類によって異なるが、定速状態で０．
１ｍｍ／秒〜５ｍｍ／秒が適正である。チップへのダメ
ージを減らすために、最も好ましくは、０．１ｍｍ／秒
〜１ｍｍ／秒である。更に、突き上げピン３９のストロ
ークは、バックアップ・ホルダー３２上面を基準として
０．１〜２ｍｍが好ましい。なお、従来のピックアップ
装置では、突き上げピンは、定速状態で１００μｍ／秒
〜１０００μｍ／秒の速度である。また、突き上げのス
トロークは、バックアップ・ホルダー上面を基準とし
て、１〜５ｍｍである。ピンの突き上げ動作とコレット
の下降動作は同時タイミングであり、突き上げピンが最
高点に達したときは、コレット２８はチップに接触し、
吸着している。ピン３９が最高点に達してから、直ちに
下降をせずに滞留させている。滞留させることによっ
て、チップ３８の剥離を促すことができる。本発明のピ
ックアップ装置では、滞留時間が０〜１０秒までの間で
設定可能である。それと同時にコレット２８は上昇を開
始し、チップ３８を所定の場所に持って行く。
【００８５】上記図６のシーケンスに従ったピン３９の
上昇では、突き上げ負荷は図７に示すようになる。図７
に示すように、従来の方法ではチップ３８が粘着テープ
３７から剥離する寸前に負荷のピークがあったのに対
し、本発明の装置及び方法ではピークが２つに分かれ、
且つそれぞれの負荷の最高点のレベルが従来の装置及び
方法よりも下がっている。この結果、チップ３８の変形
量が小さくなり、図８に示すように、従来の装置あるい
は方法に比してチップ３８の抗折強度を高めることがで
きる。
【００８６】ピックアップした後の工程は、トレー詰め
する場合とダイ・アタッチする場合がある。トレー詰め
する場合は、ロボット・アーム２５を移動させて、直
接、チップをトレーに収納する。ダイ・アタッチする場
合は、やはりロボットアーム２５を移動させて、リード
・フレームや実装基板の所定の位置にチップをマウント
する。
【００８７】次に、本発明の第２の実施の形態に係るピ
ックアップ装置及びピックアップ方法について説明す
る。第２の実施の形態の趣旨は、ピックアップし易くす
ることにある。本第２の実施の形態では、粘着テープを
局部加熱することで、粘着性を低下させ、ピックアップ
を容易にする。加熱するときのポイントは、瞬時に加熱
することである。瞬時に加熱することによって、生産性
を落とさずにピックアップが可能になる。
【００８８】図９は、図１に示したピックアップ装置に
おける突き上げ機構２２の他の構成例について説明する
ためのもので、バックアップ・ホルダー、ピン・ホルダ
ー及びピンの断面構成を示している。バックアップ・ホ
ルダー４０には、粘着テープを真空圧で吸着固定できる
ように、真空配管がされている。ピン・ホルダー４１
は、バックアップ・ホルダー４０の中に収容されて上下
動する。ピン・ホルダー４１の上面には突き上げピン４
２が固定され、バックアップ・ホルダー４０の上面に設
けられた貫通孔４３からピン４２が突出するようになっ
ている。また、ピン・ホルダー４１中にはピン４２の位
置と並ぶように、ガラスのキャピラリ管４４が上下に延
びており、高温の不活性ガスの注入口４５が、このピン
・ホルダー４１に固定されている。注入口４５から供給
された高温の不活性ガス、例えば温度が２００〜４００
℃の窒素ガスは、上記キャピラリ管４４及び上記バック
アップ・ホルダー４０の上面に設けられている貫通孔４
６を介して、粘着テープの裏面側に導かれる。窒素ガス
を粘着テープに吹き付けるタイミングは、ピン・ホルダ
ー４１が上昇し、突き上げを開始する直前か、上昇と同
時が好ましい。
【００８９】なお、図９では、キャピラリ管４５がピン
・ホルダー４１の上面までしか形成されていないが、上
面から突出していても構わない。
【００９０】図１０（ａ）は、上記ピン・ホルダー４１
の上面における突き上げピン４２、キャピラリ管４４、
及び上記真空配管に接続されているバキューム孔４７の
パターン配置例を示している。図示するように、長孔４
８内に突き上げピン４２とキャピラリ管４４とが交互に
配置され、この長孔４８は、十字形になるように配置さ
れている。そして、バキューム孔４７が上記長孔４８の
間に等間隔で配置されている。
【００９１】また、図１０（ｂ）は、バックアップ・ホ
ルダー４０の上面における各貫通孔４３，４６とバキュ
ーム孔４７のパターン配置例を示している。この図１０
（ｂ）はバックアップ・ホルダー４０が粘着テープと接
触する面である。バックアップ・ホルダー４０の上面に
は、上記ピン・ホルダー４１の上面に対応して長孔４８
とバキューム孔４７が配置されている。
【００９２】上記のような構成によれば、ピックアップ
の直前に粘着テープを加熱することで、粘着テープの粘
着力を低下させ、チップをピックアップし易くできる。
また、高温の不活性ガスを使うことで、瞬時に加熱する
ことができ、且つガスを吹き付けたときのみ加熱が可能
で、冷却も早いので生産性が高い。
【００９３】図１１（ａ）は、上記ピン・ホルダー４１
の上面における突き上げピン４２、キャピラリ管４４、
及び上記真空配管に接続されているバキューム孔４７の
他のパターン配置例を示している。図示するように、長
孔４８を放射状に配置している。
【００９４】また、図１１（ｂ）は、バックアップ・ホ
ルダー４０の上面における各貫通孔４３，４６とバキュ
ーム孔４７の他のパターン配置例を示している。バック
アップ・ホルダー４０の上面には、上記ピン・ホルダー
４１の上面に対応して長孔４８とバキューム孔４７が配
置されている。
【００９５】このような構成によれば、ピン４２の数が
多くなるので、チップに掛かる応力を分散させてよりク
ラックの発生を抑制できる。
【００９６】なお、上記第２の実施の形態では、高温の
不活性ガスを吹き付けて粘着テープの粘着力を低下させ
る例について説明したが、バックアップ・ホルダーにヒ
ータを設け、このヒータを制御して粘着テープを加熱し
ても良い。このヒータには、シート状のものを使っても
良いし、バックアップ・ホルダーにヒータ棒を取り付
け、局部的に加熱しても高温の不活性ガスを吹き付ける
のと同様な効果が得られる。
【００９７】しかし、この方式では、ヒータ部の冷却を
瞬時にできないため、高温の不活性ガスを用いる場合に
比べて多少生産性が低下する可能性がある。ヒータを冷
却する理由は、加熱を続けすぎると粘着テープの基材の
縮みが起きるなど、テープが劣化するとともに、チップ
にダメージを与える危険性もあるからである。
【００９８】以上実施の形態を用いて本発明の説明を行
ったが、本発明は上記各実施の形態に限定されるもので
はなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々
に変形することが可能である。例えば、第１の実施の形
態と第２の実施の形態を組み合わせても良いのは勿論で
ある。更に、上記各実施の形態には種々の段階の発明が
含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み
合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施
の形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が
削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べ
た課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で
述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合に
は、この構成要件が削除された構成が発明として抽出さ
れ得る。
【００９９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、薄厚化したチップをピックアップする際にもクラッ
クなどのダメージを抑制でき、チップの品質を向上でき
るピックアップ装置及びピックアップ方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るピックアップ装置に
ついて説明するためのもので、外観を示す斜視図。
【図２】図１に示したピックアップ装置の突き上げ機構
におけるバックアップ・ホルダー、ピン・ホルダー及び
ピンの構成を示す断面図。
【図３】ピンのパターン配置例を示しており、アスタリ
スク型配置を示す図。
【図４】ピンのパターン配置例を示しており、直線配置
を示す図。
【図５】先ダイシング・プロセスのフローチャート。
【図６】ピンを上昇させて粘着テープからチップを引き
剥がす際のシーケンスを、従来のピックアップ装置と本
発明のピックアップ装置とで比較して示す図。
【図７】ピンの突き上げ負荷を、従来のピックアップ装
置と本発明のピックアップ装置とで比較して示す図。
【図８】チップの抗折強度を、従来のピックアップ装置
と本発明のピックアップ装置とで比較して示す図。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係るピックアップ
装置及びピックアップ方法について説明するためのもの
で、図１に示したピックアップ装置における突き上げ機
構の他の構成例を示し、バックアップ・ホルダー、ピン
・ホルダー及びピンの断面構成図。
【図１０】バックアップ・ホルダーが粘着テープと接触
する面におけるピン用の貫通孔とガス管用の貫通孔の配
置例を示す平面図。
【図１１】バックアップ・ホルダーが粘着テープと接触
する面におけるピン用の貫通孔とガス管用の貫通孔の他
の配置例を示す平面図。
【図１２】従来のピックアップ装置及びピックアップ方
法について説明するためのもので、突き上げ機構におけ
るバックアップ・ホルダー、ピン・ホルダー及びピンの
断面構成を概略的に示す図。
【図１３】図１２に示した突き上げ機構におけるピンの
配置とバックアップ・ホルダーの貫通孔との関係につい
て説明するための図。
【図１４】厚さが２００〜７５０μｍの通常のチップを
突き上げる様子を順次示す図。
【図１５】図１４の突き上げ動作により、チップが徐々
に粘着テープから離れていく様子を示す図。
【図１６】厚さが４０〜１００μｍの薄いチップを突き
上げる様子を順次示す図。
【図１７】図１４の突き上げ動作により、チップにクラ
ックが発生する様子を示す図。
【図１８】チップがクラックした時の種々の状態を示す
図。
【符号の説明】
２１…ピックアップ機構、 ２２…突き上げ機構、 ２３…チップ位置認識機構、 ２４…制御装置、 ２５…ロボット・アーム、 ２６…駆動部、 ２７…駆動部、 ２８…コレット、 ２９…駆動部、 ３０…駆動部、 ３１…モーター、 ３２…バックアップ・ホルダー、 ３２Ａ…貫通孔、 ３３…モーター、 ３４…ウェーハ・リングの固定治具、 ３５…カメラ、 ３６…ピン・ホルダー、 ３７…粘着テープ、 ３８…チップ、 ３９…ピン、 ４０…バックアップ・ホルダー、 ４１…ピン・ホルダー、 ４２…ピン、 ４３…貫通孔、 ４４…キャピラリ管、 ４５…高温不活性ガスの注入口、 ４６…貫通孔、 ４７…バキューム孔、 ４８…長孔。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沼田 英夫 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 (72)発明者 田久 真也 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 Ｆターム(参考） 5F031 CA13 GA23 MA40 5F047 FA04 FA08

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェーハ・リングに装着した粘着テープ
    の粘着面側に、ウェーハをダンシングして個片化したチ
    ップを転写して貼り付け、これらのチップを粘着テープ
    から順次引き剥がして搬送するピックアップ装置であっ
    て、 前記粘着テープにおける粘着面の裏面側から、粘着テー
    プ越しにピンで個々のチップを突き上げるように押圧
    し、チップを粘着テープから引き剥がす突き上げ機構
    と、 前記突き上げ機構によりチップを引き剥がすときに、コ
    レットでチップを吸着し、チップが粘着テープから引き
    剥がされるまで吸着状態を維持し、その後コレットを上
    昇させてチップをピックアップし、次の工程に搬送する
    搬送機構とを具備することを特徴とするピックアップ装
    置。
  2. 【請求項２】 ウェーハ・リングに装着した粘着テープ
    の粘着面側に、ウェーハをダンシングして個片化したチ
    ップを転写して貼り付け、これらのチップを粘着テープ
    から順次引き剥がして搬送するピックアップ装置であっ
    て、 前記ウェーハ・リングを保持するウェーハ・リング保持
    機構と、 前記粘着テープにおける粘着面の裏面側から、粘着テー
    プ越しにピンで個々のチップを突き上げるように押圧
    し、チップを粘着テープから引き剥がす突き上げ機構
    と、 引き剥がすチップの位置を光学的に認識するチップ位置
    認識機構と、 前記突き上げ機構のピンを、前記チップ位置認識機構で
    認識したチップの位置に移動させる移動機構と、 前記突き上げ機構によりチップを粘着テープから引き剥
    がすときに、前記粘着テープにおける粘着面の裏面側を
    吸着して保持する粘着テープ吸着保持機構と、 粘着テープから引き剥がしたチップをコレットで吸着
    し、次の工程に搬送する搬送機構と、 前記各機構の動作を制御する制御装置とを具備し、 前記制御装置の制御に基づいて、前記チップ位置認識機
    構で引き剥がすチップの位置を光学的に認識し、前記移
    動機構により前記突き上げ機構のピンを、前記チップ位
    置認識機構で認識したチップの位置に移動させ、前記粘
    着テープ吸着保持機構で粘着テープを吸着して保持し、
    前記粘着テープの粘着面側から、前記搬送機構のコレッ
    トをチップの上方に近づけ、その位置からコレットをチ
    ップに触れるまで下降させてチップを吸着し、この状態
    で、前記突き上げ機構により粘着テープ越しにピンで個
    々のチップを突き上げるように押圧し、チップが粘着テ
    ープから引き剥がされるまでチップの吸着状態を維持し
    た後、コレットを上昇させてチップをピックアップし、
    次の工程に搬送することを特徴とするピックアップ装
    置。
  3. 【請求項３】 請求項１または２に記載のピックアップ
    装置において、前記粘着テープは、一方の面に接着剤が
    塗工された有機フィルムであることを特徴とするピック
    アップ装置。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至３いずれか１つの項に記載
    のピックアップ装置において、前記ウェーハをダンシン
    グして個片化したチップは、ダイシングラインまたはチ
    ップ分割ラインに沿って、ウェーハの素子形成面からこ
    のウェーハの裏面まで貫通しないハーフカット溝を形成
    し、前記ウェーハの裏面を研削して個片化したものであ
    ることを特徴とするピックアップ装置。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至４いずれか１つの項に記載
    のピックアップ装置において、前記突き上げ機構におけ
    るピンは、チップを粘着テープから引き剥がすとき、原
    点位置から徐々に速度を上げた後、定常速度になり、次
    に徐々に遅くなって停止し、その後、原点位置に戻る動
    作を行うことを特徴とするピックアップ装置。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至５いずれか１つの項に記載
    のピックアップ装置において、前記チップの厚さは１０
    ０μｍ以下であり、 前記突き上げ機構のピンが粘着テープ越しにチップを押
    圧するときの速度は、定常状態で０．１ｍｍ／秒〜１ｍ
    ｍ／秒であることを特徴とするピックアップ装置。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至６いずれか１つの項に記載
    のピックアップ装置において、前記突き上げ機構のピン
    が粘着テープを押圧するストロークは、０．１ｍｍ〜２
    ｍｍであることを特徴とするピックアップ装置。
  8. 【請求項８】 請求項１乃至７いずれか１つの項に記載
    のピックアップ装置において、前記突き上げ機構のピン
    で粘着テープ越しにチップを押圧し、停止してから下降
    し始めるまで、所定の時間滞留させる制御手段を更に具
    備し、 前記制御手段は、ピンの滞留時間を０〜１０秒の間で制
    御することを特徴とするピックアップ装置。
  9. 【請求項９】 請求項１乃至８いずれか１つの項に記載
    のピックアップ装置において、前記突き上げ機構のピン
    は５本以上であり、隣接するピンとピンとの隙間のう
    ち、最も狭い部分の隙間は０．３ｍｍ以上、１ｍｍ以下
    であることを特徴とするピックアップ装置。
  10. 【請求項１０】 請求項１乃至９いずれか１つの項に記
    載のピックアップ装置において、前記突き上げ機構のピ
    ンは５本以上であり、その中から４本選び、中心に６本
    の結線を入れたとき、外周が四角形であり、且つその対
    角線の交点を中心として、対角線上の２組のピンが共に
    誤差１００μｍを見込んで点対称となるような４本の組
    が、少なくとも１組存在するように配置されていること
    を特徴とするピックアップ装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１乃至９いずれか１つの項に記
    載のピックアップ装置において、前記突き上げ機構のピ
    ンは５本以上であり、最も外側に配置されたピンの中心
    を結び全てのピンを囲む図形を、チップ外周と同じ大き
    さの図形中に、はみ出さないように描いた場合、外側の
    ピンの中心と、チップ外周との距離が１．５ｍｍ以上の
    外周が存在することを特徴とするピックアップ装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１乃至１１いずれか１つの項に
    記載のピックアップ装置において、前記突き上げ機構の
    ピンは先端部が曲面を有し、この曲面の半径は０．５ｍ
    ｍ以上、２ｍｍ以下であることを特徴とするピックアッ
    プ装置。
  13. 【請求項１３】 ウェーハ・リングに装着した粘着テー
    プの粘着面側に、ウェーハをダンシングして個片化した
    チップを転写して貼り付け、これらのチップを粘着テー
    プから順次引き剥がして搬送するピックアップ方法であ
    って、 粘着テープにおける粘着面の裏面側から、ピンで粘着テ
    ープ越しにチップを突き上げるように押圧する工程と、 前記ピンでチップを引き剥がす動作時に、前記粘着テー
    プの粘着面側から、コレットをチップに触れるまで下降
    させてチップを吸着する工程と、 チップが粘着テープから引き剥がされるまで待った後、
    コレットを上昇させてチップをピックアップし、次の工
    程に搬送する工程とを具備することを特徴とするピック
    アップ方法。
  14. 【請求項１４】 ウェーハ・リングに装着した粘着テー
    プの粘着面側に、ウェーハをダンシングして個片化した
    チップを転写して貼り付け、これらのチップを粘着テー
    プから順次引き剥がして搬送するピックアップ方法であ
    って、 引き剥がすチップの位置を光学的に認識する工程と、 突き上げ機構のピンを、認識したチップの位置に移動さ
    せる工程と、 前記粘着テープにおける粘着面の裏面側を吸着して保持
    する工程と、 粘着テープにおける粘着面の裏面側から、突き上げ機構
    のピンで粘着テープ越しにチップを突き上げるように押
    圧する工程と、 前記突き上げ機構のピンでチップを引き剥がす動作時
    に、前記粘着テープの粘着面側から、コレットをチップ
    の上方に近づけ、コレットをチップに触れるまで下降さ
    せてチップを吸着する工程と、 チップが粘着テープから引き剥がされるまで待った後、
    コレットを上昇させてチップをピックアップし、次の工
    程に搬送する工程とを具備することを特徴とするピック
    アップ方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１３または１４に記載のピック
    アップ方法において、前記ウェーハをダンシングしてチ
    ップに個片化する際に、ダイシングラインまたはチップ
    分割ラインに沿って、ウェーハの素子形成面からこのウ
    ェーハの裏面まで貫通しないハーフカット溝を形成する
    工程と、前記ウェーハの裏面を研削して個片化する工程
    とを備えることを特徴とするピックアップ方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１３乃至１５いずれか１つの項
    に記載のピックアップ方法において、前記ピンは、チッ
    プを引き剥がすとき、原点位置から徐々に速度を上げた
    後、定常速度になり、次に徐々に遅くなって停止し、そ
    の後、原点位置に戻る動作を行うことを特徴とするピッ
    クアップ方法。
  17. 【請求項１７】 バックアップ・ホルダーと、このバッ
    クアップ・ホルダー内で上下動し、粘着テープに転写さ
    れたチップを、この粘着テープ越しにピンで押圧するた
    めのピン・ホルダーとを備えた突き上げ機構と、 前記突き上げ機構により粘着テープに転写されたチップ
    をピックアップする際、前記粘着テープを加熱して粘着
    力を低下させる加熱機構と、 前記突き上げ機構でピックアップしたチップを吸着して
    搬送する吸着搬送機構とを具備することを特徴とするピ
    ックアップ装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１７に記載のピックアップ装置
    において、前記ピン・ホルダーは、高温の不活性ガスを
    流すキャピラリ管を備え、 前記バックアップ・ホルダーは、前記ピン・ホルダーの
    ピンの位置と相対する位置と、前記ピン・ホルダーのキ
    ャピラリ管の位置と相対する位置にそれぞれ設けられた
    貫通孔を備えることを特徴とするピックアップ装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１７または１８に記載のピック
    アップ装置において、高温の不活性ガスは、ピンが突き
    上げ動作を開始する直前または同時に供給され、この不
    活性ガスの供給から、ピンの突き上げ動作開始までの遅
    延時間を制御する第１の制御手段を更に具備することを
    特徴とするピックアップ装置。
  20. 【請求項２０】 請求項１７乃至１９いずれか１つの項
    に記載のピックアップ装置において、高温の不活性ガス
    を供給し始めてから供給を停止するまでの時間を制御す
    る第２の制御手段を更に具備することを特徴とするピッ
    クアップ装置。
  21. 【請求項２１】 請求項１７乃至２０いずれか１つの項
    に記載のピックアップ装置において、粘着テープの加熱
    温度を検知するセンサと、このセンサによって加熱が検
    出されたときに前記高温の不活性ガスの供給を停止する
    第３の制御手段とを更に具備することを特徴とするピッ
    クアップ装置。
  22. 【請求項２２】 請求項１７に記載のピックアップ装置
    において、前記加熱機構は、前記ピン・ホルダーに設け
    られ、前記粘着テープを加熱するヒータであることを特
    徴とするピックアップ装置。
  23. 【請求項２３】 ウェーハ・リングに装着した粘着テー
    プの粘着面側に、ウェーハをダンシングして個片化した
    チップを転写して貼り付け、これらのチップを粘着テー
    プから順次引き剥がして搬送するピックアップ方法であ
    って、 突き上げピンがチップを突き上げするのと同時または直
    前に、高温の不活性ガスを粘着テープに吹き付けて、前
    記粘着テープの粘着力を低下させ、チップを粘着テープ
    から順次剥がして搬送することを特徴とするピックアッ
    プ方法。
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