JP2005517270A - 誘導結合型プラズマ発生装置及び方法 - Google Patents
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- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 13
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 208000016169 Fish-eye disease Diseases 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
【課題】 チャンバの側壁部に永久磁石を設置しないため構造が単純ながらも、プラズマ内の荷電粒子がチャンバの側壁と衝突することを抑制し、高密度プラズマを生成することができる誘導結合型プラズマ発生装置を提供することにある。
【解決手段】上記のような目的を達成するための本発明は、高周波電源、高周波電源から高周波電力を供給されるアンテナ、アンテナによって生成された電磁場によって発生するプラズマを形成するチャンバ、チャンバの側壁に均一に分散配置されたコイル及びコイルに印加されるコイル電源を含み、コイルはチャンバ内で発生した荷電粒子がチャンバの側壁を通じて消滅しないように、プラズマ内の荷電粒子を側壁から隔離させるための電磁場を発生する誘導結合型プラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】上記のような目的を達成するための本発明は、高周波電源、高周波電源から高周波電力を供給されるアンテナ、アンテナによって生成された電磁場によって発生するプラズマを形成するチャンバ、チャンバの側壁に均一に分散配置されたコイル及びコイルに印加されるコイル電源を含み、コイルはチャンバ内で発生した荷電粒子がチャンバの側壁を通じて消滅しないように、プラズマ内の荷電粒子を側壁から隔離させるための電磁場を発生する誘導結合型プラズマ発生装置を提供する。
Description
本発明は、乾式蝕刻あるいは薄膜蒸着装置に使用される誘導結合型高密度プラズマ発生装置に関し、より詳しくは、誘導結合型高密度プラズマ発生装置のチャンバの側壁に磁界が補強されるようにコイルを構成することによって、チャンバ内のプラズマ密度を高めて、プラズマ密度の均一性を向上するプラズマ発生装置に関する。
一般に、半導体の製造工程中、蝕刻(etching)工程は感光性樹脂であるフォトレジスト層の開口部を通じてそのすぐ下部の薄膜を選択的に取り除くためのものであり、大きく湿式蝕刻方式と乾式蝕刻方式とに区別される。湿式蝕刻方式はウェハーをボートに盛ってエッチング液が溜められた水槽に浸漬し、開口部をエッチング液と化学反応させることにより蝕刻する方式であり、蝕刻の精密度が落ちる短所がある。これに比べて乾式蝕刻は、微細パターンを形成するために開発された方式であり、エッチング液の代わりにエッチングガスを使用する方式であり、半導体工程で多く使用される乾式蝕刻方式の内の一つとしてプラズマを利用したプラズマ蝕刻方式を挙げることができる。
ここで、プラズマと言うのはイオン化された気体であり、陽イオン、陰イオン、及び中性粒子からなり、電気的性質及び熱的性質が正常状態の気体とは非常に相違するため、物質の第4の状態であると称したりする。即ち、プラズマはイオン化された気体を含んでいるため、電場あるいは磁場が印加されればプラズマ内であるいはプラズマと接している固体表面上にプラズマ粒子が加速されたり、拡散して、固体表面で化学反応及び物理的反応を起こすようになる。
プラズマは、数万度程の温度と109〜1010/cm-3程の密度を有する低温グロー放電プラズマと、数千万度以上の温度と1013〜1014/cm-3程の密度を有する超高温核融合プラズマとに大別され、半導体蝕刻あるいは蒸着に使用されるプラズマは略90%以上の中性気体を含んでいるイオン化度が低い低温グロー放電プラズマである。
一方、最近の半導体工程では、高密度プラズマを生成するプラズマ装置を利用して乾式蝕刻する場合が次第に増加している。これは半導体素子の集積度が高くなることによって微細加工の要求が増加しているためである。即ち、サブミクロン(sub−micron)級の微細パターンにおいては、蝕刻断面の垂直性を確保するためにプラズマ内で平均自由行路(mean free path)が長くなければならず、このためには高密度プラズマが要求されるためである。
一方、最近の半導体工程では、高密度プラズマを生成するプラズマ装置を利用して乾式蝕刻する場合が次第に増加している。これは半導体素子の集積度が高くなることによって微細加工の要求が増加しているためである。即ち、サブミクロン(sub−micron)級の微細パターンにおいては、蝕刻断面の垂直性を確保するためにプラズマ内で平均自由行路(mean free path)が長くなければならず、このためには高密度プラズマが要求されるためである。
さらに、直径が8インチを超過する大口径ウェハーの使用が増加することによって、プラズマ密度の均一性に対する要求も大きくなっている。特に、TFT−LCDをはじめとするPDP、FEDなどさまざまな形態の平板ディスプレーの製造工程の場合は、シリコンウェハーに比べて大面積の基板が試片として使用されているだけではなく、円形基板ではない四角形なども使われており、チャンバ内の中央領域だけでなく、チャンバ外郭の角部分などでも高密度の均一なプラズマが維持されることが非常に重要となった。
高密度プラズマとしては、ローレンツの法則によって磁場内に入射した電子が円形軌道回転運動をする時、ここに共振周波数のマイクロ波を印加することによって、惹起される共鳴現象を利用するECR(electron cyclotron resonance)プラズマ、ヘリコンまたはホイスラー波を利用するヘリコンプラズマ及び高温低圧のプラズマを利用する誘導結合型プラズマがある。ここで、ECRプラズマは低圧下でも高密度のプラズマを生成することができる長所があるが、プラズマの分布を均一に形成することが困難である短所があり、ヘリコンプラズマは電場と磁場のエネルギーを複合して励起させることにより、小規模のプラズマでは均一な分布を有する高密度のプラズマを発生させることができるが、広い面積ではそれほど均一でない分布を有する短所がある。一方、誘導結合プラズマは、コイル周囲に形成される磁界を利用して電子の衝突確率を増大させて高密度プラズマを得る方式である。
次に、図1または図2を参照して従来の誘導結合プラズマの構造及び動作原理を詳しく見ることにする。
プラズマ発生装置は、プラズマが生成されるチャンバ108を含み、このチャンバはチャンバ壁によって大気と遮断されて真空を維持するようになっている。このチャンバ108には反応ガスを供給するためのガス注入口106とチャンバ内部を真空で維持して反応が終了すれば反応ガスを排出するための真空ポンプ112及びガス排出口114が形成される。さらに、チャンバ108の内部には、ウェハーまたは硝子基板などの試片110を搭載するためのチャック(chuck)116が形成されており、チャンバ108の上部(図1)またはチャンバ108の側壁部(図2)には高周波電源100が接続されたアンテナ102が設けられる。アンテナ102とチャンバ108との間にはクオーツプレート(quartz plate)104を設けてアンテナとプラズマとの間の容量性結合を遮断することによって、高周波電源100からのエネルギーが誘導性結合を通じてのみプラズマに伝達されるようにする。上述した構造のプラズマ発生装置は、初期に真空ポンプ112を稼動してチャンバ108の内部を真空状態に作った後、ガス注入口104からプラズマを発生させるための反応ガスを注入した後、アンテナ102に高周波電源100を印加する。電源100が印加されれば、アンテナ102がなす平面と垂直方向に時間に従って変化する磁場が形成され、この磁場はチャンバ108の内部に誘導電場を形成する。誘導電場はチャンバ内部のガス粒子を加速させ、加速された粒子は互いに衝突してイオン及びラジカルを生成し、生成されたプラズマ状態のイオン及びラジカルは試片の蝕刻及び蒸着に利用される。
しかし、チャンバ内で生成されたプラズマ状態のイオン及びラジカルは、反応チャンバの側壁と衝突して消滅するため、一定の程度以上の高密度及び高均一度のプラズマを得ることができないという問題がある。
従来には、このような問題を克服するために、図3に示されるように、反応チャンバ108の外壁に永久磁石(permanent magnet)200を設けて、永久磁石200によって形成される磁界によってチャンバ内の電子またはイオンが反応チャンバの側壁と衝突しないようにすることによって、高密度のプラズマを得ることができるようにした。このような方式によってチャンバ内に形成された電子またはイオンはプラズマ内に留まるようになり、その結果プラズマ内に形成された粒子と電子がさらに多く衝突するようになってプラズマ密度はさらに増加するようになる。
しかしこのような構造は永久磁石を追加して使用するようになることによって構造が複雑になり、工程の特性に応じてプラズマの密度及び均一度を調節する必要がある場合にも永久磁石を容易に入れ替ることができないため、他の工程を試みたり、新しい工程を開発するにおいて、多くの制約があるという問題がある。
本発明の目的は、チャンバの側壁部に永久磁石を設置しないため構造が単純ながらも、プラズマ内の荷電粒子がチャンバの側壁と衝突することを抑制し、高密度プラズマを生成することができる容量結合プラズマまたは誘導結合プラズマのようなプラズマ発生装置を提供することにある。
本発明のまた別の目的は、プラズマ密度が位置によって均一に維持されるように、チャンバの側壁部に均一に分散配置されたコイルを設置した容量結合プラズマまたは誘導結合プラズマのようなプラズマ発生装置を提供することにある。
本発明のまた別の目的は、チャンバの側壁部に均一に分散配置された誘導結合型コイルを設けて、誘導結合型コイルに印加する電力を調節してプラズマ密度を調節することができるようにすることによって、蝕刻あるいは蒸着工程の柔軟性を向上させることができる容量結合プラズマまたは誘導結合プラズマのようなプラズマ発生装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、チャンバの上部に位置したアンテナとチャンバの側壁部に位置したコイルとを互いに連結することにより、一つの信号でこれらを駆動することによって、構造がさらに単純で、さらに高密度のプラズマを発生する容量結合プラズマまたは誘導結合プラズマのようなプラズマ発生装置を提供することにある。
本発明のまた別の目的は、高密度、高均一度のプラズマを発生する方法を提供することにある。
本発明のまた別の目的は、チャンバ内部のプラズマ密度または均一度を調節することによって、プラズマを利用した蝕刻及び蒸着工程などに柔軟性を提供する容量結合プラズマまたは誘導結合プラズマのようなプラズマ発生方法を提供することにある。
上記のような目的を達成するための本発明は、高周波電源、高周波電源から高周波電力を供給されるアンテナ、アンテナによって生成された電磁場によって発生するプラズマを形成するチャンバ、チャンバの側壁に均一に分散配置されたコイル及びコイルに印加されるコイル電源を含み、コイルはチャンバ内で発生した荷電粒子がチャンバの側壁を通じて消滅しないように、プラズマ内の荷電粒子を側壁から隔離させるための電磁場を発生する容量結合プラズマまたは誘導結合プラズマのようなプラズマ発生装置を提供する。
本発明は、従来の永久磁石を使用する代りに、コイルで形成される磁界が領域400で互いに補強されるようにコイルを設けている。その結果既存の誘導結合型プラズマ発生装置で使用される永久磁石が必要でなく、コイルによってプラズマ密度、プラズマ均一度を向上させることができる。
さらに、コイルに印加する電源300の強さ及び周波数を変化させてコイル周囲に形成される磁場を変化させることができるため、蝕刻あるいは蒸着装備の工程条件の変化によるプラズマの変化に簡単に対応することができ、蝕刻あるいは蒸着工程の柔軟性を向上させることができる。従来の誘導結合型プラズマ発生装置で上部に設けられたコイルと側壁に設けられたコイルとを連結して一つのコイルとして作ることができ、プラズマ発生装置の構造をさらに簡単にすることもできる。
本発明は、チャンバの側壁部にコイルを均一に分散配置し、ここにコイル電源を印加して電磁場を発生させることにより、プラズマ内の荷電粒子反応チャンバの壁を通じて消滅することを抑制するようにする。このようにすることによって、荷電粒子がチャンバと衝突して消滅する現象が抑制されて高密度のプラズマを生成することができるようになる。特に、チャンバの側壁に沿ってコイルを均一に分散配置したため、コイル配置形態がプラズマの均一度に及ぼす悪影響は最小化し、荷電粒子とチャンバの側壁との衝突によるプラズマ側壁付近の密度減少を防止してプラズマ密度はさらに均一になる効果を生む。
従来にも図2に示されたように、表面波プラズマ(Surface wave plasma)を利用したプラズマ発生装置が存在し、Smullin and Chorney(1958)及びTrivelpiece and Gould(1959)に発表された。Moisan and Zakrzewski(1991)がこの装置を利用して1MHz〜10GHz範囲のアンテナ周波数でプラズマが発生するようにしたことがある。これらは本発明の側壁コイルと類似する形態のコイルを使用してプラズマを生成するものであるが、このようなプラズマ形成装置は半導体工程用装備として相応しくないため使用されなかった。
その理由は、表面波プラズマを利用したプラズマ発生装置でプラズマを生成する場合に、エネルギーがプラズマに充分に吸収されるためにはR(チャンバ半径)とL(側壁コイルの垂直長さ)の比であるL/Rが充分に大きくなければならないが(Libermann、Principles of plasma discharges and materials and processing、chapter 13参考)、このためには、結局チャンバが長々しい形態にならなければならないためプラズマ発生装置が大きくなる問題があるためである。
これに比べて、本発明では側壁コイルに電源を印加してチャンバ内にプラズマを形成しようとすることが主要目的ではなく、側壁コイルによって側壁に磁界を形成し、これを利用してチャンバ内に形成されたプラズマ状態の電子及びイオンがチャンバの側壁と衝突して消滅することを防止することによって、プラズマの密度及び均一度を向上させようとすることが主要目的であるため、L/Rが充分に大きくならなければならないという必要性がないため、上述した問題が発生しない。
さらに、コイル電源としてDCあるいは低周波数ACを使用するようになれば、側壁コイルから発生するリアクタンス(reactance(ωL))が小さいため、リフレクティブパワー(refelective power)による問題の発生する余地がなく、チャンバ上部コイルに印加される電源とのカップリング問題も発生しない。
即ち、本発明では高周波電源が印加されるチャンバ上部アンテナによってプラズマを発生させ、チャンバの側壁コイルによってはチャンバ内に形成されたプラズマの均一度を調節する。特に、ウェハーの大きさが増加されることによってプラズマの均一度はその重要度が増しており、このような観点から本発明は非常に有用な結果をもたらす。
一方、磁場の強さはコイルからの距離の二乗に反比例して減少するため、コイル付近のチャンバの側壁では荷電粒子の接近が強く抑制されるが、コイルが位置しない付近のチャンバの側壁では荷電粒子が相対的に容易にチャンバの側壁と衝突して消滅するようになる。従って、プラズマ密度が位置によって均一ではなくなる。これを防止するため、本発明ではコイルを巻回する形態を球形、円形、三角波形または正弦波形などにすることによって、コイルの間で磁場の強さが弱くなることを補強できるようにコイルを設け、位置の変化にもかかわらず均一な密度のプラズマを形成するようにする。
図4は本発明による第1実施例の構成を示した構成図であり、図5は図4に示された形態のコイルに電源が印加される場合、コイル周囲に形成される磁場の方向を示したダイヤグラムである。以下では、図4及び図5を参照して本発明の構成及び動作を詳しく説明する。特に、図4の構成は電源300とコイル302と除外しては、図1と同一の構成であるため、同一の構成に対する説明は省略し、電源300とコイル302に対してのみ説明することにする。
高周波電源100とアンテナ102によってチャンバ108の内部に生成されたプラズマは、拡散を通じてチャンバ108の側壁に衝突する。しかし、コイル302に電源300を印加すれば、図5に示されるような磁場が形成され、陰極性または両極性の電気的性質を有するプラズマ内の荷電粒子は磁場の影響を受けてチャンバ103側壁から隔離されるようになる。特に、コイルが位置しない領域400から、印加電源による電流が例えば図5に示された方向に流れれば、領域400での磁場はコイルの一部である導線(A)による磁場と導線(B)による磁場が加わるため、コイルから離隔した位置であるとしても、磁場の強さが大きく劣化されることはないようになる。このような理由によって、チャンバ内部のプラズマは、高密度、高均一度を維持することができるようになる。
さらに、本発明では、コイルに印加する電源の強さ及び周波数を調節することができるため、前記プラズマを利用する蝕刻工程等の工程の特性に応じて、プラズマの密度及び均一度を調節することができる。このようにプラズマの密度及び均一度を調節することができることによって、新しい工程を設計するにあたり、プラズマ密度や均一度の条件から自由になることができ、工程設計がより容易になるという長所がある。特に、この点は永久磁石を使用する従来の技術からは決して実現することができない本発明の特有の効果であると言える。
一方、本発明は、場合によっては図6に示されたように、コイル302とアンテナ102とを同一の電源100で駆動することによって、誘導結合型プラズマ発生装置の構成をさらに単純化させることもできる。しかし、このようにする場合には、アンテナ102に印加される電源100が高周波電源ではなければならないため、コイル302にDC電源を供給することはできず、アンテナ102に印加されるものと同一の高周波電源が印加されるようになる。即ち、アンテナ102とコイル302とを別個の電源で駆動する場合には、コイル302に印加される電源はAC及びDC電源が皆可能であるが、同一電源で駆動するようになれば、コイル302にはAC電源だけが印加され得るようになる。
図7ではコイルの形態を球形、円形、三角波形及び正弦波形などで多様に示しており、このような形態のコイルは図5の領域400での磁場補強効果と同一の効果を生むことができる形態であり、工程の条件や、チャンバの大きさなどに応じて、コイルの大きさ及び巻回する回数などを決定することができる。
図8では工程条件やチャンバの大きさに応じてコイルを複数回巻回した場合を示している。
以上、本発明を例を挙げて説明したものであり、本発明は上述した例に限定されることなく、本発明の権利は添付された特許請求の範囲に記載したものによって決定される。さらに、同業界に携わる者によって本発明の多様な変形例が実施されることができるが、これらは皆本発明の権利範囲に属するものであることは明確である。
100 アンテナに印加される高周波電源
102 チャンバ上部に設けられたアンテナ
104 クオーツプレート(Quartz plate)
106 ガス注入口
108 チャンバ
110 試片
112 排気ポンプ
114 排気口
200 永久磁石
300 電源
302 コイル
102 チャンバ上部に設けられたアンテナ
104 クオーツプレート(Quartz plate)
106 ガス注入口
108 チャンバ
110 試片
112 排気ポンプ
114 排気口
200 永久磁石
300 電源
302 コイル
Claims (8)
- 誘導結合型プラズマ発生装置であって、
高周波電源;
前記高周波電源から高周波電力を供給されるアンテナ;
前記アンテナによって生成された電磁場によって発生するプラズマを形成するチャンバ;
前記チャンバの側壁に沿って均一に分散配置されたコイル;及び
前記コイルに印加されるコイル電源を含み、
前記コイルは、前記チャンバ内で発生したプラズマが前記チャンバの側壁と反応しないように、プラズマを前記チャンバの側壁から隔離させるための電磁場を発生することを特徴とする装置。 - 前記コイルは、前記チャンバの側壁に沿って球形、円形、正弦波形または三角波形に形成されることによって、コイルとコイルとの間の磁界が補強されるように形成されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記コイル電源は直流または低周波の交流電源であり、プラズマを利用する蝕刻あるいは蒸着工程などの工程の特性に応じて強さ及び周波数が調節され得ることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の装置。
- 前記コイルは、プラズマチャンバの外壁に1回以上巻回することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のコイル。
- 前記アンテナと前記コイルは同一の電源によって駆動されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の装置。
- 誘導結合型プラズマ発生方法であって、
チャンバを真空状態に作るために真空ポンプを稼動してチャンバ内のガスを排出する段階;
ガス注入口を通じて反応ガスを注入する段階;
前記チャンバ上部のアンテナに高周波電源を印加してチャンバ内にプラズマを形成する段階;及び
前記チャンバの側壁に沿って均一に分散配置されたコイルにコイル電源を印加してプラズマをチャンバの側壁と隔離させる段階を含むことを特徴とする方法。 - 前記コイル電源は直流または低周波の交流電源であり、プラズマを利用する蝕刻及び蒸着工程などの工程の特性に応じて強さ及び周波数が調節され得ることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記アンテナと前記コイルとを同一の電源によって駆動することを特徴とする請求項6または請求項7に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0007407A KR100455350B1 (ko) | 2002-02-08 | 2002-02-08 | 유도 결합형 플라즈마 발생 장치 및 방법 |
PCT/KR2003/000270 WO2003067642A1 (en) | 2002-02-08 | 2003-02-07 | Device for producing inductively coupled plasma and method thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005517270A true JP2005517270A (ja) | 2005-06-09 |
Family
ID=27725707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003566889A Pending JP2005517270A (ja) | 2002-02-08 | 2003-02-07 | 誘導結合型プラズマ発生装置及び方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7090742B2 (ja) |
EP (1) | EP1472723A1 (ja) |
JP (1) | JP2005517270A (ja) |
KR (1) | KR100455350B1 (ja) |
CN (1) | CN1630936A (ja) |
AU (1) | AU2003208033A1 (ja) |
WO (1) | WO2003067642A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5977853B1 (ja) * | 2015-03-20 | 2016-08-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100748871B1 (ko) * | 2005-10-21 | 2007-08-13 | 에이피티씨 주식회사 | 균일한 자계분포를 갖도록 하는 적응형 플라즈마 소스 및이를 포함하는 플라즈마 챔버 |
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US10388493B2 (en) * | 2011-09-16 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields |
AU2014232725B2 (en) * | 2013-03-15 | 2018-04-05 | Starfire Industries Llc | Compact high-voltage plasma source for neutron generation |
CN104538334B (zh) * | 2014-12-17 | 2017-08-08 | 中国地质大学(北京) | 一种多功能等离子体腔室处理*** |
WO2018161511A1 (zh) * | 2017-03-09 | 2018-09-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室的磁场产生机构和反应腔室 |
CN113764252A (zh) * | 2021-09-15 | 2021-12-07 | 中山市博顿光电科技有限公司 | 等离子体源及其启动方法 |
CN115261816A (zh) * | 2022-09-05 | 2022-11-01 | 西安交通大学 | 粉体表面类金刚石沉积的悬臂梁式振动等离子体流化床 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03229859A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-11 | Nippon Steel Corp | プラズマ処理装置 |
JPH06226032A (ja) | 1993-01-29 | 1994-08-16 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Nf3 系排ガス処理装置 |
EP0977470A3 (en) * | 1994-03-17 | 2003-11-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for generating induced plasma |
JP3199957B2 (ja) * | 1994-06-20 | 2001-08-20 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ処理方法 |
JP3360090B2 (ja) * | 1994-09-30 | 2002-12-24 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6071372A (en) * | 1997-06-05 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | RF plasma etch reactor with internal inductive coil antenna and electrically conductive chamber walls |
KR100256173B1 (ko) | 1997-12-22 | 2000-05-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버 |
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JPH11251088A (ja) | 1998-03-04 | 1999-09-17 | Fuji Electric Co Ltd | 誘導結合プラズマ装置 |
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JP2000208298A (ja) | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Kokusai Electric Co Ltd | 誘導結合型プラズマ生成装置 |
US20020170678A1 (en) * | 2001-05-18 | 2002-11-21 | Toshio Hayashi | Plasma processing apparatus |
-
2002
- 2002-02-08 KR KR10-2002-0007407A patent/KR100455350B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-02-07 JP JP2003566889A patent/JP2005517270A/ja active Pending
- 2003-02-07 WO PCT/KR2003/000270 patent/WO2003067642A1/en not_active Application Discontinuation
- 2003-02-07 US US10/503,015 patent/US7090742B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-07 CN CNA038035448A patent/CN1630936A/zh active Pending
- 2003-02-07 EP EP03705434A patent/EP1472723A1/en not_active Withdrawn
- 2003-02-07 AU AU2003208033A patent/AU2003208033A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2003208033A1 (en) | 2003-09-02 |
US20050130450A1 (en) | 2005-06-16 |
EP1472723A1 (en) | 2004-11-03 |
KR100455350B1 (ko) | 2004-11-06 |
KR20030067299A (ko) | 2003-08-14 |
CN1630936A (zh) | 2005-06-22 |
WO2003067642A1 (en) | 2003-08-14 |
US7090742B2 (en) | 2006-08-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060801 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061226 |