JP2005512298A - Elディスプレイ装置及び該装置の製造方法 - Google Patents

Elディスプレイ装置及び該装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005512298A
JP2005512298A JP2003551852A JP2003551852A JP2005512298A JP 2005512298 A JP2005512298 A JP 2005512298A JP 2003551852 A JP2003551852 A JP 2003551852A JP 2003551852 A JP2003551852 A JP 2003551852A JP 2005512298 A JP2005512298 A JP 2005512298A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
electrically insulating
substrate
opening
insulating structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003551852A
Other languages
English (en)
Inventor
コエン ティ エイチ エフ リーデンバウム
ハスカル エリアヴ アイ
オスカル ジェイ エイ ビュアイク
ヘルベルト リフカ
パウルス シー ダイネベルド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of JP2005512298A publication Critical patent/JP2005512298A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42384Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
    • H01L2029/42388Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor characterised by the shape of the insulating material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/2901Shape
    • H01L2224/29011Shape comprising apertures or cavities
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent

Abstract

本発明は、基板と、基板の上に設けられる第1の電極と、第1の電極の上に設けられる第2の電極と、第1の電極の少なくとも1つの上に設けられると共に、第2の電極の2つを分離する少なくとも1つの電気絶縁性の構造体とを有する、エレクトロルミネッセントディスプレイ装置のような装置に関する。この絶縁性の構造体は、該構造体の上面から該構造体の下の第1の電極まで延在する開口を有する。本発明は、更に、このような装置を製造する方法に関する。好ましい一実施形態では、この方法は、犠牲的な構造体の使用を伴い、この犠牲的な構造体により開口が得られ、この犠牲的な構造体の上部が、それぞれの絶縁性の構造体の長さ全体に沿って延在する。

Description

本発明は、基板と、基板の上に設けられる第1の電極と、第1の電極の上に設けられる第2の電極と、第1の電極の少なくとも1つの上に設けられ、第2の電極の2つを分離させる、少なくとも1つの電気絶縁性の構造体とを有する、エレクトロルミネッセント(EL)ディスプレイ装置のような装置に関する。本発明は、更に、このような装置を製造する方法に関する。
前述の種類のエレクトロルミネッセントディスプレイ装置は、当技術分野において知られている。このような装置の一実施例が、図1及び図2に示され、それぞれ、EL装置の断面図及び第2の電極を成膜する前の半完成のEL装置の平面図を示す。この特定の装置はガラス製の透明基板1を有しており、該基板の上に、相対的に幅広の平行なストリップ、この場合、インジウムスズ酸化物(ITO)のような導電性の透明材料のアノード2が、例えば、物理的蒸着(PVD)法によって成膜される。電気絶縁性の材料の実質的に平行なストリップ3は、アノード2の上に90度の角度で設けられる。こうした絶縁性の構造体3は、例えば、より低い絶縁性の支持体(base,ベース)即ち支え部(foot,フット)4及び上部のリッジ5を有する。
EL材料のストリップ6は、例えば、インクジェット印刷又は真空蒸着によって、絶縁性の構造体3の間に成膜される。ELストリップ6は、2つ以上の副層、例えば、下部のホール転送層、発光層、及び上部の電子転送層を有し得る。カソード層7は、ELストリップ6及び絶縁性の構造体4,5の上に成膜される。これらの構造体4及び5の存在のために、カソード7はマスクを使用することなく形成されることができる。言い換えると、カソードは自動位置合わせされる。
第1の段落による装置であり、また図1及び図2に示される装置に類似する装置は、例えば、英国特許出願公開第GB2347017号公報に開示される。この特許公報の図1は、ストライプ状の態様で予め定められた間隔において離間されるアノードを備える基板を含む有機EL装置の部分側面図を示す。カソードのパターニング及び相互絶縁を達成するために、アノードは複数のリブを備えており、そのようなリブの対が、「予め決定された間隔において互いから離間されるように・・・並置される」。
上記に説明された装置のアノード及びカソードを、例えば、共通のコネクタ又はコントローラに電気的に接続することは、多大なスペースを必要とし、それゆえアクティブエリアの損失を結果としてもたらし、及び/又はかなりの大きさの装置を必要とする。
本発明の目的は、上述の装置についてよりコンパクトな設計を可能にすることにある。
この目的のために、本発明は、絶縁性の構造体が、該構造体の上面から該構造体の下の第1の電極まで延在する開口を有することを特徴とする。導電性の材料が、絶縁性の構造体の中に設けられ、及び/又は該構造体の上面にわたって設けられると共に、該構造体の下の第1の電極に接触することが好ましい。
以下により詳細に説明されるであろうが、本発明による装置は、とりわけ、第1の電極及び第2の電極を本装置の片側に位置するコントローラ又はコネクタに接続させるリードの複雑でないルーティングを可能にする。
本発明は、更に、ELディスプレイ装置のような装置を製造する方法であって、絶縁性の構造体が、電気絶縁性の構造体の上面から該構造体の下の第1の電極まで延在する開口を備えることを特徴とする方法に関する。導電性の材料が、中間層及び電気絶縁性の構造体の上に成膜され、それゆえ該構造体の下の第1の電極に接触する層を形成することが好ましい。
本装置の設計に関する比較的軽微な調整、及び本装置の生産に用いられるマスクのレイアウトの設計に関する比較的軽微な調整を除いて、生産工程自体、即ち、個別の工程ステップの性質及び順序は、既存の工程から基本的に異なる必要はない。
上記導電性の材料と第1の電極との間の電気接触は、開口の壁の少なくとも一部が、基板の上面と正の角、即ち90度を超える角度をなす場合か、又は基板の上面に平行な仮想上の平面と正の角をなす場合、強化される。
電気的に絶縁性の材料としてネガ型フォトレジストを用いることによって、負の角度をもつ外壁と、正の角度をもつ内壁、即ち上記開口の壁とを備える絶縁性の構造体を単一のマスクを用いて得ることが可能であることはほぼ確実である。
以下、本発明の複数の実施形態が概略的に示される図面を参照して本発明を説明する。
同一であるディスプレイ装置か、又は同じ機能若しくは実質的に同じ機能を果たす種々の異なるディスプレイ装置の部品は、同じ符号を付されるものとする。図1及び図2は上記に既述されている。
図3は、例えば、0.3〜0.7mmの範囲の膜厚をもつガラス基板1を有する本発明によるディスプレイ装置の部分断面図を示す。実質的に平行なストリップ状のアノード2のパターンが、通例のフォトリソグラフィック工程を用いて、例えば、100〜300nmの範囲の膜厚をもつインジウムスズ酸化物(ITO)のような透明導電性の材料の薄膜を成膜させ、該薄膜をフォトレジストパターンを伴う一般に知られるエッジング工程にかけることによって、基板1上に設けられた。
その後、ポジ型フォトレジストのような電気絶縁性ポリマの層が、基板1及びアノード2のアセンブリ上にスピンコートされた。絶縁ストリップ4のパターンは、パターニングされたマスクによって、この層において規定された。これにより、ポリマ層の保持されるべき部分がカバーされ、カバーされない部分は紫外線照射に露光されて、上記の層は作製された。本発明によれば、絶縁ストリップ4のそれぞれについて、 好ましくは同じマスクによって、アノード2が露光された開口が備えられた。
絶縁ストリップ4を形成する工程は、ネガ型フォトレジストにより繰り返された。この目的のために、ネガ型フォトレジストの層が、これまで得られた構造体上に成膜され、他のパターニングされたマスクが、このスピンコートされた層上に配置された。このマスクは、絶縁ストリップ4の開口と部分的に又は完全に位置合わせされたホールを有するネガ型フォトレジストにおける構造体を露光させるために用いられた。このようにして、リッジ5が得られ、このリッジのいずれかの側の壁は、基板1と負の角をなすのに対して、上に述べたように生成された開口8の壁(図4)は、上記基板1及びアノード2に平行な平面と正の角をなす。
この具体的な実施形態の絶縁ストリップ4の間に、50〜5000Åの範囲の膜厚をもつホール転送層(HTL)6aと、5〜5000Åの膜厚をもつ発光層6bとが成膜された。このような成膜は、例えば(ディスプレイがいわゆる有機LEDディスプレイである場合)真空蒸着又は(ディスプレイがポリマLEDディスプレイである場合)インクジェット印刷によって実行されることができる。現代の印刷技法は、材料が成膜されるエリア及びアセンブリがカバーされないままのエリアにわたって正確な制御を提供する。従って、開口における材料の成膜は、容易に避けられることができる。
次に、カソード層が構造体全体にわたって成膜され、リッジ5とリッジ5の上部のリード9との間における自動位置合わせされた平行なカソード7をもたらした。リッジ5の側壁の負の角のために、リード9はカソード7から電気的に絶縁された。対照的に、開口8の壁の正の角は、リード9とアノード2との間に確実な電気接続をもたらした。
このように得られたクロスバー構成において、リード9はカソード7と平行に走り、このカソード7が終端した側と同じ側において終端した。その結果、アノードが終端した側からカソード7が終端した側へ、リードを複雑且つスペースを消費してルーティングさせる必要は無かった。更に、カソード7及びアノード2は両方とも、単一のかなり小さい(狭い)コネクタ及び本装置の片側に位置する可撓フォイル(flexfoil,フレックスフォイル)によってコントローラに接続され得る。
一般に、 各々のリード9は単一の開口8を有してもよく、そのような場合、リード9が単一の特定なアノード2に関連し、さもなければ、各々のリード9が複数の開口8を有してもよく、そのような場合、単一のリード9はアノード2の集まりを駆動させるために用いられることができることに留意されたい。リッジ5が十分に幅広い場合、例えば、1つ又は複数のリード9の中央セクションを取り除くことも可能であり、従って効果的に2つ(又は2つ以上)の平行なリード9が形成され、このようなリードは、オプションとして互い違いに配された対応する数の開口8を通して、対応する数のアノードに接続されることができる。
図5A乃至図5Fは、開口8を形成するためのネガティブマスク及びポジティブマスクの幾つかの適切な形状を示しており、このようなマスクによってリード9とアノード2との間における電気接続が更に強化され得る。ネガ型フォトレジストが用いられる場合、上記の形状はマスクにおける開口を表す。ポジ型フォトレジストが用いられている場合、上記の形状はマスクセクション(masksection)を表す。
ネガ型フォトレジストの場合、図5Aによる形状は60度の3個の角を有するのに対して、図5Bによる形状は270度の4個の角を有し、これらは実質上90度であり、90度の8個の角を有する形状である。鋭角、即ち90度以下の角度が、正の勾配(positive slope,ポジティブスロープ)をもつ壁をもたらすことはほぼ確実である。この効果は、おそらくフォトレジストの露光時の干渉効果及び/又は回折効果に起因しており、このことがひいては局所的な露光不足につながる可能性がある。従って、 開口8を形成するためのマスクは、複数の90度以下の角又は270度以上の角を有することが好ましい。
図5C乃至図5Fは、適切な形状の他の実施例、即ち、それぞれ、4個、5個及び32個の鋭角を有する星型と、12個の代わりに24個の鋭角を有する図5Bによる十字型の代替例とを示す。
リード9とアノード2との間の電気接続は、アノード2の上にポジ型フォトレジストの小さい液体粒子(droplet,ドロップレット)10のような構造体を供給することによって、更に強化され得る。図4の線VI−VIに沿って切られた断面図を示す図6に観察され得るように、このような液体粒子10は、絶縁性の構造体5の上面とアノード2との間の段差(step,ステップ)の高さを低減し、それゆえ、リード9とこのアノード2との間の電気接続を更に改善する。上記の液体粒子10は、絶縁性の構造体5を形成するために用いられるべきであるフォトレジストの露光時、光の反射における変化を更に生じさせる。こうした変化は、上記段差のブリッジングを更に容易にするような態様において、絶縁性の構造体5の壁の勾配及び形状に影響を与えるために利用されることが可能である。
図7は、開口8の上部、従ってリード9がリッジ5の長さ全体に沿って延在する、本発明の他の実施形態の製造における4つのステップを示す。
例えば100nmの膜厚をもつ酸化シリコンのような絶縁性の材料のストライプ4が、ストリップ状のアノード2を備える基板の上に成膜される。ストライプ4それぞれは、後に成膜されるべきであるリード9とアノード2との間における電気接続を可能にするために、ホール又は開口(図示略)を有する。
フォトレジストの犠牲的な構造体11が、その後、ストライプ4の上に成膜され、例えば、200nmの膜厚をもつ窒化シリコンの層のような第2の絶縁性の材料の層5と、フォトレジストの厚い層12とによってカバーされる。この層12は作製され、層5と一緒に、犠牲的な構造体11及びアノード2(の一部)を露光させるように、例えばプラズマエッチングによって部分的に取り除かれる。その後、フォトレジストの厚い層12と、犠牲的な構造体11とは、例えば、それぞれ、ストリッピング及びエッチングによって完全に取り除かれ、そのため、各々が開口又はむしろ溝(channel,チャネル)8を有するリッジ5を形成する。ホール転送層、発光層、及び電子転送層は、その後、蒸着又はインクジェット印刷によって、リッジ5の間に成膜され、カソード層が構造体全体にわたって成膜される。このカソード層は、本質的に、カソード7及びリード9を形成し、このリード9それぞれが、特定のアノード2と(絶縁性のストライプ4における上記の対応するホール又は開口を通して)接触し、カソード7と平行に走り終端する。
本発明は上記の実施形態に限定されることはなく、請求項の範囲内であれば、多くの態様において変形され得る。例えば、エレクトロルミネッセントディスプレイ装置以外にも、本発明は、例えば、マイクロ電子機械装置又は電子顕微鏡の走査において用いられることができる。
従来技術によるEL装置の部分断面図である。 図1による半完成のEL装置の概略平面図である。 本発明によるEL装置の部分断面図である。 図3による半完成のEL装置の細部の平面図である。 図4に示される開口のためのある適切な形状を示す図である。 図4に示される開口のための他の適切な形状を示す図である。 図4に示される開口のための他の適切な形状を示す図である。 図4に示される開口のための他の適切な形状を示す図である。 図4に示される開口のための他の適切な形状を示す図である。 図4に示される開口のための他の適切な形状を示す図である。 図3によるEL装置の他の詳細部の部分断面図である。 本発明による第2の装置を製造する1つ目のステップを示す図である。 本発明による第2の装置を製造する2つ目のステップを示す図である。 本発明による第2の装置を製造する3つ目のステップを示す図である。 本発明による第2の装置を製造する4つ目のステップを示す図である。

Claims (11)

  1. 基板と、前記基板の上に設けられる第1の電極と、前記第1の電極の上に設けられる第2の電極と、前記第1の電極の少なくとも1つの上に設けられ、前記第2の電極の2つを分離させる、少なくとも1つの電気絶縁性の構造体とを有する、エレクトロルミネッセントディスプレイ装置のような装置であって、
    前記電気絶縁性の構造体が、前記構造体の上面から前記構造体の下の前記第1の電極まで延在する開口を有することを特徴とする装置。
  2. 導電性の材料が、前記電気絶縁性の構造体の中に設けられるか、及び/又は前記電気絶縁性の構造体の上に設けられ、前記構造体の下の前記第1の電極に接触する、請求項1に記載の装置。
  3. 前記開口の壁の少なくとも一部が、前記基板の上面と正の角をなすか、又は前記基板の上面に平行な仮想上の平面と正の角をなす、請求項1又は2に記載の装置。
  4. 複数の実質的に平行な第1の電極と、前記第1の電極と角をなす複数の実質的に平行な第2の電極と、前記第2の電極を分離させる複数の細長い実質的に平行な電気絶縁性の構造体と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられるエレクトロルミネッセント層とを有する、請求項1乃至3の何れか1項に記載の装置。
  5. 前記導電性の材料が、少なくともいくつかの前記電気絶縁性の構造体の上部に電気リードを形成し、少なくともいくつかの前記電気リードが、単一の第1の電極に電気的に接続される、請求項4に記載の装置。
  6. 基板の上に第1の電極を設けるステップと、前記第1の電極の上に少なくとも1つの電気絶縁性の構造体を設けるステップと、前記第1の電極の上であって、前記電気絶縁性の構造体の近傍に中間層を設けるステップとを少なくとも有する、エレクトロルミネッセントディスプレイ装置のような装置を製造する方法であって、
    前記電気絶縁性の構造体が、前記電気絶縁性の構造体の上面から前記構造体の下の前記第1の電極まで延在する開口を備えることを特徴とする方法。
  7. 導電性の材料が、前記中間層及び前記電気絶縁性の構造体の上に成膜され、それゆえ前記構造体の下の前記第1の電極に接触する層を形成する、請求項6に記載の方法。
  8. 前記開口の壁の少なくとも一部が、前記基板の上面と正の角をなすか、又は前記基板の上面に平行な仮想上の平面と正の角をなす、請求項6又は7に記載の方法。
  9. 前記電気絶縁性の構造体がフォトレジストを有し、該構造体及び前記開口は、前記開口が形成されるべき複数の鋭角を有するマスクによって形成される、請求項8に記載の方法。
  10. 前記フォトレジストが、ネガ型フォトレジストである、請求項9に記載の方法。
  11. 前記開口の少なくとも一部が、犠牲的な構造体によって得られる、請求項6乃至9の何れか1項に記載の方法。
JP2003551852A 2001-12-10 2002-11-20 Elディスプレイ装置及び該装置の製造方法 Pending JP2005512298A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01204744 2001-12-10
PCT/IB2002/004875 WO2003050893A1 (en) 2001-12-10 2002-11-20 El display device and method of manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005512298A true JP2005512298A (ja) 2005-04-28

Family

ID=8181377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003551852A Pending JP2005512298A (ja) 2001-12-10 2002-11-20 Elディスプレイ装置及び該装置の製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7180239B2 (ja)
EP (1) EP1459393A1 (ja)
JP (1) JP2005512298A (ja)
KR (1) KR20040066156A (ja)
CN (1) CN1608327A (ja)
AU (1) AU2002347476A1 (ja)
TW (1) TW200409561A (ja)
WO (1) WO2003050893A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017217113A1 (ja) * 2016-06-15 2017-12-21 株式会社Joled 表示装置および電子機器

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE396500T1 (de) 2002-03-20 2008-06-15 Koninkl Philips Electronics Nv Elektrolumineszente anzeigevorrichtungen mit aktiver matrix und ihre herstellungsverfahren
JP4120279B2 (ja) * 2002-06-07 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器
AU2003259397A1 (en) * 2002-09-20 2004-04-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrical device, a method for manufacturing an electrical device, test structure, a method for manufacturing such a test structure and a method for testing a display panel
KR20050068794A (ko) * 2003-12-30 2005-07-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
US7772763B2 (en) * 2004-12-02 2010-08-10 Lg Display Co., Ltd. Organic electro-luminescence display device comprising grid shaped auxiliary electrode
TWI259027B (en) * 2005-04-29 2006-07-21 Univision Technology Inc Organic electroluminescence device capable of preventing long-distance short circuit
CN101180922B (zh) * 2005-05-23 2010-10-06 汤姆森特许公司 设置有复合透明上电极的、应用于照明或显示图像的发光面板
KR101143356B1 (ko) 2005-06-30 2012-05-09 엘지디스플레이 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
JP2014089825A (ja) * 2012-10-29 2014-05-15 Nitto Denko Corp 有機エレクトロルミネッセンス発光装置、及びその製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11204267A (ja) * 1998-01-14 1999-07-30 Sharp Corp エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法
JP2001223079A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Futaba Corp 有機el表示素子
JP2002063991A (ja) * 2000-08-22 2002-02-28 Sony Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2002208489A (ja) * 2000-11-10 2002-07-26 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法
JP2002318556A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US43928A (en) * 1864-08-23 Improvement in spring catch-buttons
US5472913A (en) * 1994-08-05 1995-12-05 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating porous dielectric material with a passivation layer for electronics applications
JPH1197182A (ja) * 1997-09-24 1999-04-09 Pioneer Electron Corp 発光ディスプレイパネル
JP3641963B2 (ja) 1999-02-15 2005-04-27 双葉電子工業株式会社 有機el素子とその製造方法
JP2003515909A (ja) 1999-11-29 2003-05-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機エレクトロルミネッセント装置とその製造方法
US6699728B2 (en) * 2000-09-06 2004-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Patterning of electrodes in oled devices
TW594395B (en) * 2000-09-29 2004-06-21 Nippon Zeon Co Photoresist composition for insulating film, insulating film for organic electroluminescent element, and process for producing the same
KR100388271B1 (ko) * 2000-10-14 2003-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
TW595249B (en) * 2001-01-08 2004-06-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Organic electroluminescent element structure and its manufacturing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11204267A (ja) * 1998-01-14 1999-07-30 Sharp Corp エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法
JP2001223079A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Futaba Corp 有機el表示素子
JP2002063991A (ja) * 2000-08-22 2002-02-28 Sony Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2002208489A (ja) * 2000-11-10 2002-07-26 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法
JP2002318556A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017217113A1 (ja) * 2016-06-15 2017-12-21 株式会社Joled 表示装置および電子機器
US11081675B2 (en) 2016-06-15 2021-08-03 Joled Inc. Display unit and electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
AU2002347476A1 (en) 2003-06-23
KR20040066156A (ko) 2004-07-23
CN1608327A (zh) 2005-04-20
US7180239B2 (en) 2007-02-20
EP1459393A1 (en) 2004-09-22
TW200409561A (en) 2004-06-01
WO2003050893A1 (en) 2003-06-19
US20050017631A1 (en) 2005-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11050036B2 (en) Electrode contacts
KR100254748B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2020151073A1 (zh) Oled显示面板的制作方法
JPH11273871A (ja) 有機系エレクトロルミネセント画像表示パネル
JP2005512298A (ja) Elディスプレイ装置及び該装置の製造方法
TWI291309B (en) Organic electroluminescent display panel and method for manufacturing same
US6249084B1 (en) Electroluminescence display panel and production method of the same
JP6168742B2 (ja) 有機el装置
JP2001068267A5 (ja)
JP2001237072A (ja) メタルマスク及びその製造方法
US11495649B2 (en) Display substrate, method for preparing the same, and display panel
JP2828141B1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
US20190393445A1 (en) Light emitting device
JP6207928B2 (ja) 発光装置の製造方法
US20130153875A1 (en) Electro-Optic Device and Method for Manufacturing the Same
US20070063636A1 (en) Method of manufacturing an organic electronic device and organic electronic device
JP2006073222A (ja) 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法
KR101209047B1 (ko) 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP3958695B2 (ja) 冷陰極表示装置の製造方法
JP3755727B2 (ja) 有機薄膜発光ディスプレイパネルおよびその製造方法
JP3864805B2 (ja) 有機elディスプレイパネルの製造方法
KR100311307B1 (ko) 풀칼라 유기 전기 발광 소자의 제조 방법
JPH11329724A (ja) 有機el表示素子とその製造方法
JP4935599B2 (ja) 表示装置の製造方法
KR100768693B1 (ko) 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081114

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090213

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090514

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090702

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20091201