JP2005503648A - プラズマリアクタ・コイルマグネット・システム - Google Patents
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Abstract
本発明は、プラズマ処理作業の最中に、プラズマ処理装置のプラズマ・チャンバの中で、プロセスガスから発生させたプラズマを用いて行われるワークピースを処理するための方法である。前記装置は、前記プラズマ・チャンバの周囲を取り囲むように取り付けられた電磁石のアレイを備えている。前記方法は、下記工程を備える:前記チャンバ内のプロセスガスからプラズマを発生させ;プラズマ・パーティクルを前記ワークピースに衝突させ;前記電磁石に供給される電流信号の配置を選択し;前記電磁石に前記選択されたそれぞれの配置を与え、それによって、プラズマ処理作業の最中に前記プラズマに一つ以上の磁場形態を作用させる。
Description
【技術分野】
【0001】
<関連出願の記載>
この出願は、2001年9月14日に出願された米国仮出願番号60/318,890号の利益に基づき且つその利益をクレームする。上記出願の内容は、その全体で、リファレンスとしてここに組み込まれる。
【0002】
<本発明の分野>
本発明は、プラズマ処理システムに係り、特に、磁場をプラズマに作用させてプラズマの性質をコントロールし、それによって、ワークピースのプラズマ処理を改善するための方法及び装置に係る
【背景技術】
【0003】
<本発明の背景>
プラズマは、荷電粒子の集合体であり、ワークピースの上から材料を除去し、あるいはワークピースの上に材料を堆積するために使用される。プラズマは、集積回路(IC)の製造工程の中で、例えば、半導体基板の上から材料をエッチング(即ち、除去)する際、あるいは、半導体基板の上に材料をスパッタ(即ち、堆積)する際に使用される。プラズマは、プラズマ・チャンバ内に収容されたプロセスガスに高周波(RE)の電気信号を印加し、このプロセスガスの粒子をイオン化することによって形成される。高周波電源は、キャパシタンスを介して、インダクタンスを介して、または、キャパシタンス及びインダクタンスの双方を介して、プラズマに結合される。ワークピースをプラズマ処理する際に磁場をプラズマに作用させてプラズマの性質を改善し、それによって、ワークピースのプラズマ処理に対するコントロール性を改善することができる。
【0004】
磁場は、ワークピースのプラズマ処理の最中に、時折、使用され、それによって、チャンバ内にプラズマを保持し、あるいは、プラズマ処理の最中にプラズマの性質を変化させる。磁場は、例えば、チャンバ内にプラズマを保持するために使用され、それによって、チャンバの壁へのプラズマのロスを減少させ、プラズマ密度を増大させることができる。プラズマ密度の増大により、ワークピースに衝突するプラズマ・パーティクルの数が増大し、それによって、ワークピース処理が改善される。例えば、ワークピースのエッチングに必要とされる処理時間が減少する。磁場を用いてプラズマを保持することによって、また、チャンバの壁の表面や電極の表面などの、チャンバ内の表面上へのプラズマ・パーティクルの堆積を防止する。
【0005】
磁場はまた、チャンバ内でのプラズマの分布の均一性を改善するためにも使用される。プラズマ・チャンバ内でのプラズマの不均一な分布は、望ましくない。その理由は、不均一な分布は、ワークピースの不均一な処理と言う結果をもたらすからである。不均一に分布したプラズマは、ある状況においては、チャンバ内で処理されているワークピースにプラズマに起因する損傷と言う結果をもたらす。
【0006】
永久磁石または電磁石のアレイは、時折、プラズマに磁場を作用させるために使用される。永久磁石のアレイは、例えば、それらがチャンバの内側のプラズマに磁場を作用させるように配置することができる。あるいは、その代りに、プラズマに回転型の磁場を作用させるように、配置し且つ動かす(例えば、チャンバに対して回転させることによる)ことが可能であり、それによって、プラズマの均一性が改善される。
【発明を実施するための最良の形態】
【0007】
<本発明のサマリ>
本発明は、プラズマによるワークピースの処理をコントロールするために磁場を使用する方法及び装置に係る。
【0008】
<本発明の詳細な説明>
図1に、プラズマ処理システムのプラズマ処理装置(または、リアクタ)10の一例の概略図を示す。このプラズマ処理装置10は、プラズマ・チャンバ14を備え、このプラズマ・チャンバ14は、プラズマを収容し保持するための内部領域16を提供する。複数の電極を、互いに対して且つチャンバ14内のプロセスガスに対して、プラズマを発生させるような関係で、チャンバ14の中に取り付けることが可能である。これらの電極は、エネルギを与えられ、チャンバ14内のプロセスガスからプラズマを発生させる。
【0009】
本発明の説明を容易にするため、この装置10では、電極アセンブリが二つのみ描かれている。特に、第一の電極アセンブリ18は、チャンバ14の第一の側(装置例10の中のチャンバ14の内部16の上部)に取り付けられている。第二の電極アセンブリは、チャック型電極アセンブリ20の形で、チャンバ14の第二の側、即ち、チャンバ14の第一の側の反対側(装置例10の中のチャンバ14の内部16の下部)に、第一の電極アセンブリ18からスペースを空けて取り付けられている。
【0010】
第一の電極アセンブリ18は、複数の電極セグメントを備えていても良く、それらの各セグメントは、他のセグメントから電気的に切離され、且つ、対応している高周波電源によりそれぞれ独立に電力が供給され、且つ、選択されたトランスミッション用のプロセスガスが、所定の流速でプラズマ・チャンバの内側に独立に供給される。しかしながら、本発明の説明を簡単にするため、第一の電極アセンブリ18は、単一のシャワーヘッド型の電極として描かれている。第一の電極アセンブリ18は、内側チャンバ22を有している(図1中で破線を用いて概略的に表わされている)。内側チャンバ22は、ガス供給ラインを介して、ガス供給システム24と空気経路または流体経路がつながっている。
【0011】
選択されたガス(一種類又は複数種類)を電極アセンブリ18に供給することが可能であり、それによって、例えば、チャンバ14内をパージし、あるいは、チャンバ内部16でのプラズマ形成のためのプロセスガス(または、原料ガス)として当該ガスを供する。プロセスガスは、チャンバ22からプラズマ・チャンバ14の内部16へ、複数のガスポート(図示せず)を介して移送される。第一の電極のポートを通るガスの流れは、方向を示す矢印Gによって示されている。
【0012】
第一の及び第二の電極18、20は、それぞれ対応するマッチング・ネットワーク30、32を介して、それぞれの高周波供給源34、36に電気的に接続されている。それらの高周波供給源34、36は、電圧信号VB1、VB2を、それぞれ対応する電極18、20に供給する。マッチング・ネットワーク30、32を、それぞれの電極アセンブリ18、20によってプラズマに伝達される電力を最大化する目的で、それぞれの高周波電源34、36の間に挿入することができる。あるいは、その代りに、マッチング・ネットワーク30、32を制御システムに結合することもできる。
【0013】
各電極アセンブリ18、20は、流体を用いて独立に冷却することができる。この流体は、冷却システム38から、それぞれ、流体チャンバ39、41(破線で示されている)を通って各電極アセンブリ18、20の中に流れ、次いで、冷却システムに戻る。プラズマ処理装置10は、更に、真空システム40を備えており、この真空システム40は、真空ラインを介してプラズマ・チャンバ16と空気経路または流体経路がつながっている。プラズマ処理装置10は、オプションとして、一対の電極の形の電圧プローブ44、46を備えており、これらのプローブは、対応する高周波電源34、36のそれぞれと、対応する電極アセンブリ18、20のそれぞれとの間で、前記移送ラインに対して容量結合されている。
【0014】
電圧プローブの例については、米国特許出願60/259,862号(2001年1月8日出願)の中で詳しく説明され、且つ共通の符号が付けられており、上記出願の全体がリファレンスとしてここに組み込まれる。
【0015】
プラズマ処理装置10は、オプションとして、光学プローブ48を備えており、このプローブは、プラズマの分光学的及び光学的性質に基づいて、プラズマの性質及び状態を決定する。
【0016】
電磁石のシステムまたはアレイ51は、プラズマ・チャンバ14の周囲を取り囲むように取り付けられている。電磁石51は、ワークピースのプラズマ処理作業の最中に、プラズマに1または2以上の磁場を作用させるために運転され得る。磁場を作用させることにより、プラズマの状態を改善し、それによって、ワークピースの処理を改善する。
【0017】
図2に、プラズマ・チャンバ14に対する複数の電磁石51の配置の一例を示す。この装置例12は、51A−Lで示される12個の電磁石を備えている。示されている各電磁石51は、導電性の材料のコイルを備えたコイル・マグネットの形である。各コイルは、電源53と電気的につながっている(図1中に概略的に示されている)。
【0018】
特定のアレイの各コイル・マグネット51は、エア・コア(図示せず)の周囲に巻かれた導電性材料のコイルで構成され、あるいは、それに代わって、例えば、透磁性材料のコア55の周囲に巻かれた導電性材料のコイル(図1中に部分的に描かれている)で構成される。各コア55は、円筒状の断面(図に示されているように)とすることが可能であり、あるいは、その代わりに、任意の引き延ばされた断面(長軸の方向を例示した装置10の縦方向とした形)とすることもできる。
【0019】
コイル・マグネット51の各軸の方向は、プラズマ・チャンバ14に対して放射状に定められている。即ち、コイル・マグネット51の各軸は、電極アセンブリ18、20の間を、プラズマ・チャンバ14の中心を通って伸びる仮想軸(リアクタ例10では縦方向)から放射状に伸びている。外側の磁束伝達構造57は、コイル・マグネット51のアレイの周囲を取り囲むように取り付けることができる。その状態は、図2中に良く示されている。各コイル・マグネット51及び各コア55は、前記磁束伝達構造57との間で磁束が連続している。
【0020】
磁束伝達構造57の一つは環状の壁型の構造である。この外側の壁構造57と各コイル・マグネット51のコア55の双方は、例えば、鉄などの透磁性材料で構成することができる。各コア55は、この外側のリング構造57の上に形成することが可能であり、あるいは、この壁構造57とは別に形成した後に、この外側のリング構造57の上に取り付けることも可能である。
【0021】
各コイル・マグネット51及びそれに対応するコア55は、外側のリング構造57とプラズマ・チャンバ14の壁型構造59の間で放射方向に伸びていることが、図2から分かる。装置例10において、壁型構造59は、円筒状であって、前記処理チャンバ14の側壁を構成している。プラズマ・チャンバ14の壁型構造59は、適切な誘電材料または適切な金属材料で作ることができる。もし、壁型構造59が金属材料で作られる場合には、製作に非磁性金属材料を使用することによって、壁型構造59が、コイル・マグネット51によってプラズマ・チャンバ14内のプラズマに作用させる磁場と干渉しないようにする。
【0022】
装置例10の中の磁石のアレイは、図1の中のプラズマに対して縦方向に位置合わせされているが、この縦方向の配置は一つの例に過ぎない。磁石のアレイは、処理チャンバ、構造体(例えば、電極)、及びその中に収容される材料(例えば、ワークピースまたはプラズマ)などに対して縦方向に位置合わせして配置することもできる。例えば、装置10は、磁石のアレイが、ワークピースの上面、ワークピースの中心、または、例えばワークピースの少し上側など縦方向に位置合わせされるように、製作することができる。あるいは、磁石のアレイを、プラズマの中心に対して、または、例えばプラズマの少し上側若しくは下側に縦方向に位置合わせすることもできる。
【0023】
プラズマ処理装置10の制御システムは、装置10の様々なコンポーネントに電気的に接続され、プラズマ処理装置10をモニター、および/または、コントロールする。制御システムは、ガス供給システム24、真空システム40、冷却システム38、電圧プローブ44、46、光学プローブ48、各高周波供給源34、36、及び、電源53に、電気的に接続することが可能であって、それらの運転をコントロールするようにプログラムすることができる。
【0024】
制御システムは、プローブ44、46、48及びシステム・コンポーネント24、34、36、38、40、53に対して、コントロール信号を送り、それらから入力信号(例えば、フィードバック信号)を受け取る。制御システムは、ワークピースのプラズマ処理をモニターし、コントロールすることができる。電源53をコントロールすることによって、制御システムは、コイル・マグネット51のアレイを構成している各コイル・マグネットへの電力を伝達をコントロールし、それによって、プラズマに作用させる磁場の性質をコントロールすることができる。
【0025】
制御システム60は、コンピュータ・システムによって構成することができる。そのコンピュータ・システムは、プロセッサ、当該プロセッサによってアクセス可能なコンピュータ・メモリ(ここで、当該メモリは、指示及びデータを貯えるために適したものであり、例えば、ランダムアクセス・メモリなどのようなプライマリー・メモリ、ディスクドライブなどのようなセカンダリー・メモリ)、及び、当該プロセッサとの間で通信をするデータ入力及び出力の能力を有することができる。
【0026】
本発明の方法を、プラズマ処理システムの例を参照しながら説明する。このプラズマ処理システムの運転は、図1を参照することによって理解することができる。処理対象のワークピース(または基板)62は、チャック型電極アセンブリ20によって提供される支持面の上に置かれる。制御システムは、真空システム40を起動させ、この真空システム40は、最初、プラズマ・チャンバ14の内部16の圧力をベース圧力(典型的には、10−7Torr〜10−4Torr)まで低下させ、チャンバ14の真空保持能力及びクリーン度を確認する。
【0027】
制御システムは、次いで、チャンバの圧力を、プラズマの形成及びプラズマによるワークピース62の処理のために適切なレベルまで上昇させる(適切な内部圧力は、例えば、約1mTorrから約1000mTorrの範囲である)。前記チャンバの内部16を適切な圧力にするために、制御システムは、前記ガス供給システム24を起動して、ガス導入ラインを介して前記チャンバの内部16へ所定のプロセス流速でプロセスガスを供給し、また、必要な場合には、ゲートバルブ(図示せず)を用いて真空システム40が絞られる。プロセスガスは、図1中で矢印Gで示されているように、ポートを通って第一の電極アセンブリの中に流れ込むことができる。
【0028】
ガス供給システム24に含まれる特定のガス(一種類または複数種類)は、特定のプラズマ処理アプリケーションに依存する。例えば、プラズマエッチング・アプリケーションの場合には、ガス供給システム24は、塩素、臭化水素、オクタフルオロシクロブタン(octafluorocyclobutane)、または、他の様々なフルオロカーボン化合物のガスを供給することができる。CVDアプリケーションの場合には、ガス供給システム24は、シラン、アンモニア、タングステン・テトラクロライド、チタン・テトラクロライド、またはそれらと同様なガスを供給することができる。
【0029】
CVDの際には、半導体ウエーハの上に金属薄膜、半導体薄膜または絶縁体薄膜(即ち、導電性、半導電性または絶縁性材料)を形成するために、プラズマを使用することができる。プラズマ−エンハンストCVDでは、所望の材料を堆積させるために必要となる反応エネルギーを供給するためにプラズマを使用する。
【0030】
制御システムは、次いで、第一及び第二の電極アセンブリ18、20に対応する高周波供給源34,36を起動する。高周波電源34、36は、対応する電極18、20に、選択された周波数で、電圧を供給することができる。制御システムは、プラズマ処理作業の最中に、周波供給源34、36をそれぞれ独立にコントロールして、例えば、周波数、および/または、各電源34、36が対応する電極アセンブリ18、20を駆動する電圧の大きさを調整することができる。
【0031】
高周波電源34、36は、低い圧力のプロセスガスをプラズマに変えるために運転することができる。電源34、36は、例えば、第一の電極18と第二の電極20の間に、交流電場を発生させるために運転することが可能であリ、それによって、それらの電極18、20の間の電子に電子の流れを生じさせる。例えば、電子は、この電場の中で加速され、その中で熱せられた電子の流れは、電子とガスの原子及び分子との間の多重衝突によりその運動エネルギーをそれに伝達することによって、プロセスガスの各原子及び分子をイオン化する。このプロセスによりプラズマ54が形成され、チャンバ14の中に閉じ込められて保持される。
【0032】
各高周波供給源34、36は、制御システムによって互いに独立にコントロールすることができるので、電源は、比較的低い周波数(即ち、550kHz未満の周波数)、中間の周波数(即ち、13.56MHz程度の周波数)、または、比較的高い周波数(60〜150MHz程度)のいずれでも運転することが可能である。エッチング用リアクタの例においては、第一の電極アセンブリ18のための高周波供給源34は、周波数60MHzで運転することが可能であり、第二の電極アセンブリ20のための高周波供給源36は、周波数2MHzで運転することが可能である。
【0033】
より一般的には、上記のリアクタ(あるいは、1または2以上の周波数で運転される1または2以上の電極を有するプラズマ処理装置の性能を改善するために、制御システムは、プログラムされ且つ運転され、それによって、ワークピースの処理の最中に1または2以上の磁場をプラズマに作用させ、その結果、磁場の性質(例えば、磁場の形態及び方向、磁場の強さ、磁場の持続時間、その他)をコントロールする。
【0034】
本発明によれば、動く部分を有していない単一の磁石のアレイ51を用いて、多数の可能な磁場形態を作り出すことが可能になる。図2及び3に、マグネット・システムを用いてプラズマ54に作用させることができる二つの磁場形態を示す(プラズマ54は、図1中のみに概略的に示されている)。図2は、交差型の磁場形態を示し、図3は、バケット形状の磁場形態を示す。
【0035】
例示されている交差型の磁場形態は、非直線状の(即ち、アーチ状の)磁力線を有している。この交差型の磁場形態は、プラズマの均一性を改善するために使用することができる。プラズマの均一性を増大することによって、単一の基板62に対するプロセスの均一性を増大させ、また、装置10で順に処理される複数の基板の間のプロセスの均一性を増大させる。電磁石のアレイ51は、下記の方法で、交差型の磁場形態を回転させるように運転することができる。バケット形状の磁場形態(図3)をプラズマに作用させることによって、プラズマの壁によるロスを減少させ、プラズマ密度を増大させる。
【0036】
所望の磁場形態を作り出すために、コイル・マグネット51A〜Lに電力を供給する電源53を実現するための回路68の例は、図4の中に概略的に示されている。特に、任意波形の発生装置70A〜Lのシリ−ズの中のそれぞれは、対応するアンプ71A〜Lを介して、電磁石のシステムのコイル・マグネット51A〜L(図4の中には示されていない)のそれぞれに電気的に接続されている。
【0037】
各任意波形の発生装置70A〜Lを、(図4中に示されていない電気的接続を介して)制御システムに電気的に接続することができる。制御システム60を、前記任意波形の発生装置70A〜Lのそれぞれを互いに独立にコントロールするようにプログラムすることが可能であり、それによって、それぞれの発生装置から、それぞれ対応するコイル・マグネット51A〜Lに伝達するための、任意の形状、強度及び位相の電流波形を発生させ、その結果、それぞれ対応するコイル・マグネット51A〜Lに極性を与えて、前記プラズマに作用する磁場を作り出すことができる。
【0038】
任意波形の発生装置70の全ては、単一の低電力リファレンス信号源72に対してフェーズ・ロックすることができる。各発生装置70は、リファレンス信号源72からのリファレンス信号に対して、その出力の位相をシフトさせることができる。
【0039】
図4の電源の配置は、制御システム(任意波形の発生装置70A〜Lのシリーズによって動作する)が、各コイル・マグネット51に互いに独立した電流波形を供給することを可能し、その電流波形の波形、強度、位相及び周期は、シリーズになっている他の全ての任意波形の発生装置によって発生させられる電流波形に対して独立である。このように、リファレンス信号源72からのリファレンス信号は、任意波形の発生装置のシステムからコイル・マグネット51に伝達される電流波形を同期させるために使用される。
【0040】
制御システムは、各任意波形の発生装置70のそれぞれについて独立にプログラムすることが可能であり、それによって、リファレンス信号源72からのリファレンス信号にロックされたスタート位相に関して異なる波形を発生させる。このような配置は、例えば、プラズマに2以上の磁場形態を作用させる際に、大きなフレキシビリティを提供する。この配置は、制御システムが、プラズマ処理作業の最中に、例えば、互いに連続している二つの磁場形態を特定の基板に作用させることを可能にする。このような二つの磁場形態は、互いに同一にすることも、互いに相違させることも可能である。磁場形態は、静止したものであっても回転するものであっても可能である。
【0041】
例えば、このような配置(即ち、各コイル・マグネットに対して別々の任意波形の発生装置を使用すること)は、オペレータが制御システムをプログラムし、それによって、処理作業の最中に、静止した磁場形態(例えば、方位角に関して)、及び、回転型の磁場形態をプラズマに作用させることを可能にする。それぞれの作用させる磁場形態は、プラズマに特定の変化をもたらすように選択することができる。例えば、回転型の交差型の磁場形態は、プラズマの均一性を改善するために使用される。
【0042】
他の例として、このような配置はまた、例え作用させる磁場が回転しているとしても、処理チャンバ内の特定の位置に作用するローカルな磁場(例えば、低い磁場または高い磁場の領域)が存在するように、波形が形成されることを可能にする。このようなローカルな磁場は、プラズマの特性の方位角によるバラツキを修正するために使用することが可能である。そのようなバラツキは、例えば、非対称的なガスの吹き込み及びプラズマのポンピングに起因している。
【0043】
電源53として使用可能な他の回路76が、図5の中に概略的に示されている。単一の任意波形の発生装置77がアンプ7lA〜Lのシリーズを駆動し、それぞれが、対応するコイル・マグネット(図5の中には示されていない)に電流を供給する。位相遅延回路78が、前記任意波形の発生装置と、前記アンプの一つを除く全てとの間に結合される。基本的に同一の信号が、各コイル・マグネット51A〜Lに送られるが、唯一の相違点は、上記の位相遅延回路の存在のために各信号の位相が互いに異なっていることである。従って、回路76は、例えば、コイル・マグネット51に与えられる電流波形が、同一の波形及び周期を有し、位相のみが互いに異なるように使用することができる。
【0044】
電力供給回路76は、方向が変化する回転型の磁場形態または磁場形態を供給することができる。電力供給回路76によって形成され回転さる磁場形態は、コイル・マグネットに伝達される電流波形の形状、コイル・マグネット・システムの中のコイル・マグネットの相対的位置の数、各コイル・マグネット51の相対強度、及び、電流信号の間の位相差などの、幾つかのファクターに依存している。制御システムを、回路76の任意波形の発生装置70をコントロールするようにプログラムすることによって、例えば、非直線的な(例えば、アーチ型の)磁力線を有する回転型の交差型の磁場形態を作り出すことが可能である。
【0045】
<運転>
制御システムは、いずれかの(または全ての)コイル・マグネット51に定常的な電流を流すことができる。制御システムは、また、いずれかの(または全ての)コイル・マグネット51に、時間的に変化する電流を流すこともできる(例えば、電力供給回路68を使用して)。コイル・マグネット51を通る、定常的な、および/または、時間的に変化する電流の分布は、前記プラズマに作用する磁場形態を決定し、磁場形態の時間による変化を決定する。適切な電流波形は、コイル・マグネット51に送られ、前記プラズマに作用する磁場を、例えば、回転させる。
【0046】
各コイル・マグネット51A〜Lに供給される電流波形は、各コイルを放射状に分極させる。放射状の分極の最中に、各コイル・マグネットの両側の端部は、北及び南の磁気分極を取ると想定される。一般的に、磁力線は、コイル・マグネット51の両極の間で伸びる。各コイル内の電流の流れの方向は、各コイル・マグネットの分極方向を決定する。コイル・マグネットの中を流れる電流の大きさは、各コイル・マグネットにより形成される磁場の強度、前記プラズマに作用する磁場の強度を決定する。
【0047】
磁石のアレイの他の配置も可能である。例えば、各コイル・マグネット51の軸は、リアクタ例10の中の電極アセンブリ18、20の間を伸びる仮想軸から放射状に伸びているが、他の配置も可能である。例えば、各コイル・マグネット51は、その軸がリアクタ10に対して垂直になるように配置することもできる。垂直方向に向けられた各コイルは、エア・コイルでも良いし、コア材の周囲に巻き付けたコイルでも良い。各コイルがコア材料の周囲に巻き付けられる場合、各コアは、個別の構造であっても良いし、あるいは、リングまたはヨークなどの連続構造の一部を形成しても良い。
【0048】
このような垂直の配置は、幾つかの不利な点を有している(リアクタ例10の中の放射状の配置と比較して)。例えば、放射状に伸びる電磁石のアレイが磁場を発生させるために使用される場合、磁力線の大半がチャンバに入る。しかしながら、垂直の配置が使用された場合には、磁力線の大半は、プラズマ・チャンバ14の外側に沿って流れる、そのような傾向は、コイルがプラズマ・チャンバを取り囲むヨークの周囲に巻き付けられた場合に強まり、垂直に配置された各コイルの側面からの比較的少量の“リーク”または“外縁部分”がプラズマ・チャンバ14の中に入る。
【0049】
このように、垂直の配置は、チャンバの中のプラズマに磁場を作用させるために、垂直な各コイルの側面の外縁部の磁場に依拠することになる。コイルの垂直の配置を使用するマグネット・システムは、プラズマに磁場を作用させるために、外縁部の磁場に依拠しているので、特定の磁場強度を有する特定の形態を作り出す際に、同じ磁場強度を有する同じ形態を作り出すために放射状の配置を使用する場合と比較して、より多くの電力を必要とする。放射状に配置されたマグネット・システムは、垂直に配置されたマグネット・システムと比較して、より少ない電流を使用する。
【0050】
垂直の配置は、各コイルの側面から出る磁力線に依拠しているので、各コイルは、チャンバに磁力線を発射し、磁力線は、例えば、その反対側から出てチャンバの外へ離れる。外側を取り囲む構造には、また、プラズマ処理装置を取り囲んでいる領域を磁場からシールドすることが要求される。垂直に向けられた電磁石が、例えば、ヨークの周囲に巻きつけられる場合、もし、装置を取り囲む領域を磁場からシールドする必要があるときには、第二の透磁性のシールドが必要になる。
【0051】
第二の透磁性のシールド、あるいは、その他の磁束をシールド構造は、例えば、図1及び2に示された配置例においては必要にならない。その理由は、上記の構造57は、磁束を伝達する機能及び磁束をシールドする機能の双方を実現するからである。
【0052】
図2、3及び6に、コイル・マグネット51A〜Lを用いて、前記プラズマに作用させることができる磁場形態の例を示す。各コイル・マグネット51A〜Lの中を流れる電流の方向は、図2、3及び6中の方向を示す矢印で示されている。各コイル・マグネットの中の電流の相対的な大きさは、大雑把に、図2、3及び6中の方向を示す矢印の相対的なサイズで示されている。方向を示す矢印が無いことは、対応するコイル・マグネット51の中の瞬間的な電流の大きさがゼロであることを示している。鉄のリング構造57は、各形態において磁力線を閉じる。
【0053】
回転式で交差型の磁場形態を、例えば、電力供給回路68または76のいずれかを使用することによって、プラズマに作用させることができる。例えば、回転方向に関して前側のコイル、即ち磁場形態回転方向に対して反対側のコイルに対して位相がシフトされた複合電流波形を、各コイル・マグネット51に対して供給することができる。このような方法は、コイル・マグネットのいずれをも機械的に回転させること無く、交差型の磁場形態を回転させることを可能にする。
【0054】
図2は、時間の特定の瞬間における回転型で交差型の磁場形態を示す。この瞬間において、コイル・マグネット51A及び51Bに、互いに逆方向で、比較的大きな量の電流が流れる。コイル・マグネット51L及び51Gには、互いに逆方向で、コイル・マグネット51A及び51B内の電流と比較して小さな量の電流が流れる。そして、コイル・マグネットの対51Kと51D、51Jと51E、及び、51Iと51Fには、互いに逆方向で、順により小さいな量の電流が流れる(その様子は、前記方向を示す矢印の相対的なサイズで表わされている)。非直線的な磁力線は、処理チャンバ14内のアーチ状の矢印で示されているように、一般的に、各一対のコイル・マグネットのコイルの間で伸びる。コイル・マグネット51H及び51Gを流れる電流は、瞬間的に大きさゼロになり得る(それは、例えば、作用させるようとしている正確な磁場に依存する)。
【0055】
また、図2から次のことが分かる。磁力線は、一般的に、チャンバの一方の側のコイル・マグネット51A、51L、51K、51J及び51Iから、チャンバの反対の側のそれぞれ対応するコイル・マグネット51B、52C、51D、51B及び51Eへ伸びる。電流の(チャンバの反対の側の)大きさの減少は、事実上、約11時の方位角位置から約5時の方位角位置へ向かって増大する強度の磁場勾配を作り出す。この勾配は、ExBドリフトを補償するのに役立つ。
【0056】
ExBドリフトは、もし、均一な磁場がプラズマ・チャンバ14をワークピースに対して平行に横切り、これに対して、ワークピースに対して垂直な電場がチャンバの中に存在する場合に発生し得る。これらの電磁石による磁場のベクトル積は、ワークピースに対して平行で、双方の磁力線のセットに対して垂直である。これは、前記ベクトル積の方向(即ち、好ましい方向)に向かわせるという結果をもたらし、このことは、前記プラズマ・チャンバの一つのエリア(あるいは、コーナー)の中のプラズマの密度を高める。これは、ワークピースの処理の不均一性という結果をもたらし、それは、好ましくない。このようなExBドリフトを修正するために、磁場形態 が回転される。
【0057】
しかしながら、もし、磁場形態が均一であったとすると、回転型の前記磁場は、単に、プラズマの周囲を回る“ホット・スポット”(電子密度が相対的に高い領域)の原因となる。このような効果を修正するため、前記磁場形態の磁力線は曲線状に形成されており、それによって、電子を十分にファン・アウト("fan out")させて、ホット・スポット効果を減少させることになる。
【0058】
図3に、バケットタイプの磁場形態(あるいは、バケット形状の磁場形態)を示す。これは、チャンバ14の壁の周囲に磁気的なバケット("bucket")を形成する。この形態は、チャンバの中心に向かって伸びる磁力線のアーチ状の環形部を作り出す。これらの環形部は、チャンバの中心の中にプラズマを集中させると言う傾向を備えている。これは数々の利点をもたらす。その中には、例えば、チャンバの側壁及びチャンバ14内の他の表面に衝突するプラズマ・パーティクルの数を減少させ、且つ、プラズマ密度を増大させる(プラズマを狭い空間に閉じ込めることによる)と言う傾向が含まれる。プラズマ密度が増大するに従って、例えば、エッチングまたは堆積の速度が速くなる。ワークピースの処理が速くなるのに伴い、例えば、半導体の製造における商業的生産性が増大する。
【0059】
図3の中に示されているように、前記バケット形状の磁場形態は、アレイ状のコイル・マグネット51の内の互いに隣接する各対に同じ大きさで逆極性の電流(即ち、逆方向の電流)を流すことによって実現することができる。リアクタ12もまた、回転または振動するバケット形状を有する磁力線を作り出すことにより構成することができる。
【0060】
図6に、プラズマに回転型のバケット形状の磁場形態を作用させるための装置80の概略図を示す。この装置80は、装置12とほぼ同一であり、相違点は、そのチャンバ14の周囲に取り付けられたコイル・マグネットの数のみである。これら二つの実施形態12及び80の間で同じ構造に対して同じ参照符号が付されており、それらについての説明は省略する。
【0061】
前記チャンバ14の周囲に取り付けられたコイル・マグネットの数は、マグネット・システムによって作り出される磁場の分解能を決定する。即ち、周囲に配置されるコイル・マグネットの数が増加するに従って、チャンバの壁の内側を覆うバケット形状の磁場形態が細かくなる。“周囲の”磁場(即ち、壁に隣接する部分の磁場)をより良くコントロールするために、かなり多数のかなり小さいコイルが装置80のチャンバ14の周囲に取り付けられる。
【0062】
高い分解能の磁場が要求させるときには、互いに隣接するコイル・マグネット51のコアの内側の端部が互いに接触する寸前までになる。その様子は、図6に示されている。この装置80は、例えば、前記装置12と比べて二倍の数のコイル・マグネット51がチャンバの周囲に取り付けられているので、この装置80は、前記装置12を用いて実現されるバケット形状の磁場形態と比べて、高い分解能を実現するように運転することが可能である。使用されるコイルの数は、要求される磁場の分解能に依存する。一般的に、磁石の数が多くなるに従って磁場の分解能が高くなる。
【0063】
前記環状部の長さは、マグネットを組み合わせ、二つ、三つなど数を増やして運転することによって増大させることができる。即ち、バケット形状の磁場形態を作り出すために電磁石51を二つ組み合わせて運転するときには、各瞬間において、コイル51A及びBの中を流れる電流の大きさ及び方向を、互いに同一にする。同様に、コイル51C及びDの中を流れる電流の大きさ及び方向も、互いに同一にする。このようにして、コイル51A、51B(及び、コイル51C及び51D、以下、同様)は、事実上、単一のコイルとしての機能を果たす。チャンバの中に伸びるバケット形状の磁場形態の環形部が長くなるに従って、プラズマがプラズマ・チャンバ14の中心に向かってより強く絞られ、それによって、プラズマ密度及び反応速度が増大する。
【0064】
この装置80は、また、回転するまたは振動するバケット形状の磁場形態を作り出すために運転すること(例えば、図5の回路76を使用して)も可能であり、その磁場形態は、図3に示されている非回転型のバケット形状の磁場形態と同じ分解能を有している。しかし、この装置は、重なり合った環状部のパタ−ンを作り、そのようなパターンは、プラズマをより均一に絞る傾向を有する(図3の磁場形態と比較して)。
【0065】
以下に記載された例の方法に従って作られるバケット形状の磁場形態もまた、有利な効果を奏する。その理由は、いずれの時点においても、少なくとも幾つかの場所が、非ゼロの瞬間的な磁場強度を有しているからである。即ち、各時点において、処理チャンバの中の幾つかの場所において、作用している磁場が常に非ゼロになっている。
【0066】
振動型または回転型のバケット型の磁場は、有利な効果を奏する。その理由は、そのような磁場によって、磁力線が処理チャンバの壁(単数または複数)を同一の場所(単数または複数)で常に叩くことが防止されるからである。もし、バケット型の磁力線が回転されておらず、従って、例えば、壁を同一の場所で常に叩くような場合には、それは、プラズマ・パーティクルを壁の中に入る磁力線に沿ってそれらの場所に向けさせ、その結果、それらの場所において壁材料の劣化をもたらす可能性がある。
【0067】
静的な磁場によってもたらされる、このような壁材料のローカルな劣化は、例えば、互いに隣接する環状部の間のような箇所において発生し得る。そのような箇所では、互いに隣接する環状部からの磁力線が一緒にチャンバ壁14の中に入る。このようにして作用させるバケット型の磁場は、静的とすることも、振動させることも、あるいは、回転させることも可能ではあるが、長い期間、プラズマに静的なバケット型(または、その他のタイプ)の磁場を作用させることは好ましくないと言うことが分かる。その理由は、それが、処理チャンバの壁にローカルな劣化をもたらすからである。
【0068】
図6に、装置80が回転型のバケット形状の磁場形態を作り出すように運転されたときの、装置80の中の電流及び磁場の瞬間的な状態を示す。図7に、前記例の回転型のバケット形状の磁場形態が作り出されている間に、四つのコイル・マグネット51を通って流れる電流の大きさを表わすグラフを示す。装置80の中の回転型のバケット形状の磁場形態は、前記装置12を用いて作用させられるものと、本質的に同じ磁場分解能を有している。
【0069】
前記コイル・マグネット51A〜Xは、基本的に、二つの別々のマグネット・システムとして運転され、それらは、それぞれ、他のマグネット・システムに対して独立にバケット形状の磁場形態を作リ出す。第一のマグネット・システムは、51A、51C、51E、51G、51I、51K、51M、51O、51Q、51S、51U及び51Wを備え、第二のマグネット・システムは、それ以外のコイル・マグネット51を備える。
【0070】
図7のグラフは、コイル・マグネット51A〜Dの中を流れる電流を示す。互いに隣接するコイル・マグネット(例えば、51Aと51B)の中の電流波形は、互いに位相が90度異なっていることが分かる。その他の全てのコイル・マグネットの中の電流(例えば、コイル・マグネット51AとCのように)は、互いに位相が180度異なっている。
【0071】
図6に、時間txの時の磁力線を示す。この時間txもまた、図7のグラフに示されている。時間txにおいて、コイル・マグネットの1つのセット(51Bと51Dを含むセット)には最大の電流が流れ、コイル・マグネットの他のセット(51Aと51Bを含むセット)では、それぞれ、電流の大きさがゼロである。各セット(例えば、51Bと51D)の中で隣接するコイルには、図6の中及び図7のグラフで表される反対方向に向いた電流方向を示す矢印で示されるように、反対方向の電流が流れる。
【0072】
図7から、各電流波形がサインカーブであることが分かる。また、図7のグラフから、上記の回転型のバケット形状の磁場形態で作り出される磁場は、前記プラズマ処理作業の最中にいずれの点においても消えないことが分かる。その理由は、電流は、いずれの瞬間のおいても、全てのコイル・マグネット51A〜Xの中でゼロになると言うことがないからである。
【0073】
上記の装置80の構造及び運転は、一つの例に過ぎない。三つ以上の独立のマグネット・システムを備えた装置を建設し、それによって、例えば、三つ以上の回転型の磁場形態を作り出すことを考えることができる。
【0074】
1または2以上の磁場形態を、特定のワークピース(例えば、半導体などのような)の処理の最中に1または2以上の磁場形態をプラズマに作用させて、処理の品質及歩留まりを改善することが可能である。例えば、半導体材料ウエーハの表面にパターンがエッチングされるエッチング作業(または、その代わりに堆積作業)の最中に、選択された磁場形態をプラズマに作用させることができる。任意波形の発生装置及びコイル・マグネット51のシステムを、磁場を作り出すために使用することができること、及び、任意波形の発生装置を制御システムによって制御することができることから、製造者は、特定の半導体材料のために、及び、特定の半導体エッチング(または、堆積)用途のために、適切な磁場形態を選択することができる
特定の用途のための最適な磁場形態の組み合わせの決定は、経験的に行うことができる。即ち、特定のタイプのウエーハの処理の最中に、特定の電流波形が1または2以上のマグネット・システムの選択されたコイル・マグネットに導入され、その結果が調べられる。エッチング/堆積の結果の品質を、エッチング/堆積プロセスの中で使用された磁場形態に照らして相関付け、または、調べることができる。
【0075】
例えば、もし、ワークピースにダメージが生じていたら、あるいは、処理の結果が均一でなかった場合には、コイル・マグネット51に導入される電流波形の分布を修正して(前記制御システムのプログラムをやり直すことにより)、前記プラズマに作用している磁場形態の、例えば、形態、強度、勾配、周期、その他を修正することができる。
【0076】
半導体をプラズマ・チャンバの中で処理するとき、その半導体は、プラズマの中の電子の均一でない濃度(高濃度または低濃度のいずれかのエリア)によって引き起こされるダメージを受け易い。プラズマの濃度の不均一性に起因して起こるダメージの大半は、処理作業の最終段階の近くで発生する。ワークピース(半導体など)の処理の最中にプラズマの非同一性から生ずるダメージを減少させるために、二つ以上の磁場形態を使用することができる。
【0077】
処理作業の第一部分の最中、(即ち)ワークピースがプラズマ密度の不均一性から比較的ダメージを受けにくいとき、1または2以上のバケット型の磁場形態をプラズマに作用させてプラズマ密度を増大させ、それによって、処理速度を増大させることができる。処理作業の初期段階において、プラズマ密度を増大させることによって、例えば、ワークピースから材料を速くエッチすることができる。次いで、プロセスの最後の近くで、そのような高速で処理を行うことが危険になった時に、他の磁場を処理チャンバに作用させ、それによって、処理作業の最後のクリティカルな段階の最中にプラズマの均一性を改善することができる。
【0078】
もう一つの例として、相対的に大きな環状場を有するバケット形状の磁場形態を、処理の初期段階の最中にプラズマに作用させることができる。次いで、中間サイズの環状場を有するバケット形状の磁場形態を、プラズマに作用させ、次いで、相対的に小さな環状場を有するバケット形状の磁場形態をプラズマに作用させることができる。処理作用の最中にバケット形状の磁場形態の環状場のサイズを減少させて行くことによって(処理時間に渡って段階的にあるいは連続的に)、処理の進行に従って、プラズマの密度を徐々にを減少させることができる。プラズマ処理の最終のクリティカルな段階の最中に、曲線の磁力線を有する回転型の交差型の磁場形態をプラズマに作用させ、それによって、プラズマ処理の最終のクリティカルな段階の最中にプラズマの均一性を増大させることができる。
【0079】
数多くの既知の原因によってプラズマの中にローカルな不均一が発生し得る。それらの原因には、ガス噴射の不均一性、プラズマに作用している高周波励起場の不均一性、プラズマ・チャンバ内のポンピングの不均一性、などが含まれる。各コイル・マグネットは、互いに独立した任意波形の発生装置で運転することができるので、磁石のアレイに送る電流の配置をコントロールするためのコントローラをプログラムして、プラズマの中のローカルな不均一性を補償することができる。このように、コントローラをプログラムして回転型の磁場を作り出し、それによって、作用させる磁場の中のローカルな不均一性を付与して、プラズマの中で生ずる密度の不均一性を補償することができる。
【0080】
上記の例では、プラズマ・チャンバの電極は、それぞれ対応する電圧供給源によって駆動されるように記載されているが、このことは、必ずしも、各電極が対応する電圧供給源によって駆動される必要であることを意味しないことが理解できるであろう。このようにして、例えば、処理の最中に、例えば、システム10の電極18、20の対の内の一つのまたは他の一つが定常的にグランド・レベルであること、あるいは、その他の静的な(即ち、変化しない)電圧レベルであること、が可能である。
【0081】
本発明の多くの特徴及び有利な効果は、詳細な説明から明らかである。従って、本発明の真の精神及び技術的範囲の中でフォローをする上記方法の、そのような特徴及び有利な効果の全てを、添付されているクレームでカバーすることが見込まれている。更に、多くの変形及び変更が当業者にとって容易であるので、図示され、説明された構造及び運転の態様のみに本発明が限定されることは意図されていない。更に、本発明の方法及び装置は、半導体技術の中で使用されている関係する装置及び方法(本来、複雑である)と同様に、しばしば、運転パラメータの適切な値を経験的に決定することによって、あるいは、所与のアプリケーションに対する最良のデザインに到達するためのコンピュータ・シミュレーションを行うことよって、最適な状態で実施される。従って、全ての適切な変形及び同等物は、本発明の精神及び技術的範囲の中に含まれると考えるべきである。
【図面の簡単な説明】
【0082】
【図1】本発明を説明するためのプラズマ処理システムの一例の概略図であって、このプラズマ処理システムは、プラズマ処理装置のプラズマ・チャンバ内のワークピース及びプラズマを示すとともに、外側の磁束伝達構造、及び、処理チャンバの周囲を取り囲む電磁石のアレイを示している。
【図2】図1の装置の部分の概略上面図であって、処理チャンバ、下部電極、外側の磁束伝達構造、及び、処理チャンバの周囲を取り囲む電磁石のアレイを示すとともに、処理チャンバの内側に作用している交差型の磁場形態を示している。
【図3】図2と同様な図であるが、処理チャンバの内側に作用しているバケット形状の磁場形態を示している点で図2とは異なっている。
【図4】磁石のアレイに電力を供給するための電力供給回路の例の概略図である。
【図5】磁石のアレイに電力を供給するための電力供給回路の第二の例の概略図である。
【図6】図3と同様な概略図であるが、二つの電磁石システムを用いて処理チャンバに作用させるバケット形状の磁場形態を示している点で図3と異なっている。
【図7】図6の装置の互いに隣接する四つの電磁石の中での電流の流れを示すグラフである。
【符号の説明】
【0083】
10、12、80・・・プラズマ処理装置、14・・・プラズマ・チャンバ、16・・・内部領域、18・・・第一の電極アセンブリ、20・・・第二の電極アセンブリ(チャック型電極アセンブリ)、22・・・内側チャンバ、24・・・ガス供給システム、30、32・・・マッチング・ネットワーク、34、36・・・高周波供給源、38・・・冷却システム、39、41・・・流体チャンバ、40・・・真空システム、44、46・・・電圧プローブ、48・・・光学プローブ、51、51A−L・・・電磁石(コイル・マグネット)、53・・・電源、54・・・プラズマ、55・・・コア、57・・・磁束伝達構造、59・・・壁型構造、60・・・制御システム、62・・・ワークピース(基板)、68・・・回路、電力供給回路、70A〜L・・・任意波形の発生装置、71A〜L・・・アンプ、72・・・リファレンス信号源、76・・・電力供給回路、78・・・位相遅延回路。
【0001】
<関連出願の記載>
この出願は、2001年9月14日に出願された米国仮出願番号60/318,890号の利益に基づき且つその利益をクレームする。上記出願の内容は、その全体で、リファレンスとしてここに組み込まれる。
【0002】
<本発明の分野>
本発明は、プラズマ処理システムに係り、特に、磁場をプラズマに作用させてプラズマの性質をコントロールし、それによって、ワークピースのプラズマ処理を改善するための方法及び装置に係る
【背景技術】
【0003】
<本発明の背景>
プラズマは、荷電粒子の集合体であり、ワークピースの上から材料を除去し、あるいはワークピースの上に材料を堆積するために使用される。プラズマは、集積回路(IC)の製造工程の中で、例えば、半導体基板の上から材料をエッチング(即ち、除去)する際、あるいは、半導体基板の上に材料をスパッタ(即ち、堆積)する際に使用される。プラズマは、プラズマ・チャンバ内に収容されたプロセスガスに高周波(RE)の電気信号を印加し、このプロセスガスの粒子をイオン化することによって形成される。高周波電源は、キャパシタンスを介して、インダクタンスを介して、または、キャパシタンス及びインダクタンスの双方を介して、プラズマに結合される。ワークピースをプラズマ処理する際に磁場をプラズマに作用させてプラズマの性質を改善し、それによって、ワークピースのプラズマ処理に対するコントロール性を改善することができる。
【0004】
磁場は、ワークピースのプラズマ処理の最中に、時折、使用され、それによって、チャンバ内にプラズマを保持し、あるいは、プラズマ処理の最中にプラズマの性質を変化させる。磁場は、例えば、チャンバ内にプラズマを保持するために使用され、それによって、チャンバの壁へのプラズマのロスを減少させ、プラズマ密度を増大させることができる。プラズマ密度の増大により、ワークピースに衝突するプラズマ・パーティクルの数が増大し、それによって、ワークピース処理が改善される。例えば、ワークピースのエッチングに必要とされる処理時間が減少する。磁場を用いてプラズマを保持することによって、また、チャンバの壁の表面や電極の表面などの、チャンバ内の表面上へのプラズマ・パーティクルの堆積を防止する。
【0005】
磁場はまた、チャンバ内でのプラズマの分布の均一性を改善するためにも使用される。プラズマ・チャンバ内でのプラズマの不均一な分布は、望ましくない。その理由は、不均一な分布は、ワークピースの不均一な処理と言う結果をもたらすからである。不均一に分布したプラズマは、ある状況においては、チャンバ内で処理されているワークピースにプラズマに起因する損傷と言う結果をもたらす。
【0006】
永久磁石または電磁石のアレイは、時折、プラズマに磁場を作用させるために使用される。永久磁石のアレイは、例えば、それらがチャンバの内側のプラズマに磁場を作用させるように配置することができる。あるいは、その代りに、プラズマに回転型の磁場を作用させるように、配置し且つ動かす(例えば、チャンバに対して回転させることによる)ことが可能であり、それによって、プラズマの均一性が改善される。
【発明を実施するための最良の形態】
【0007】
<本発明のサマリ>
本発明は、プラズマによるワークピースの処理をコントロールするために磁場を使用する方法及び装置に係る。
【0008】
<本発明の詳細な説明>
図1に、プラズマ処理システムのプラズマ処理装置(または、リアクタ)10の一例の概略図を示す。このプラズマ処理装置10は、プラズマ・チャンバ14を備え、このプラズマ・チャンバ14は、プラズマを収容し保持するための内部領域16を提供する。複数の電極を、互いに対して且つチャンバ14内のプロセスガスに対して、プラズマを発生させるような関係で、チャンバ14の中に取り付けることが可能である。これらの電極は、エネルギを与えられ、チャンバ14内のプロセスガスからプラズマを発生させる。
【0009】
本発明の説明を容易にするため、この装置10では、電極アセンブリが二つのみ描かれている。特に、第一の電極アセンブリ18は、チャンバ14の第一の側(装置例10の中のチャンバ14の内部16の上部)に取り付けられている。第二の電極アセンブリは、チャック型電極アセンブリ20の形で、チャンバ14の第二の側、即ち、チャンバ14の第一の側の反対側(装置例10の中のチャンバ14の内部16の下部)に、第一の電極アセンブリ18からスペースを空けて取り付けられている。
【0010】
第一の電極アセンブリ18は、複数の電極セグメントを備えていても良く、それらの各セグメントは、他のセグメントから電気的に切離され、且つ、対応している高周波電源によりそれぞれ独立に電力が供給され、且つ、選択されたトランスミッション用のプロセスガスが、所定の流速でプラズマ・チャンバの内側に独立に供給される。しかしながら、本発明の説明を簡単にするため、第一の電極アセンブリ18は、単一のシャワーヘッド型の電極として描かれている。第一の電極アセンブリ18は、内側チャンバ22を有している(図1中で破線を用いて概略的に表わされている)。内側チャンバ22は、ガス供給ラインを介して、ガス供給システム24と空気経路または流体経路がつながっている。
【0011】
選択されたガス(一種類又は複数種類)を電極アセンブリ18に供給することが可能であり、それによって、例えば、チャンバ14内をパージし、あるいは、チャンバ内部16でのプラズマ形成のためのプロセスガス(または、原料ガス)として当該ガスを供する。プロセスガスは、チャンバ22からプラズマ・チャンバ14の内部16へ、複数のガスポート(図示せず)を介して移送される。第一の電極のポートを通るガスの流れは、方向を示す矢印Gによって示されている。
【0012】
第一の及び第二の電極18、20は、それぞれ対応するマッチング・ネットワーク30、32を介して、それぞれの高周波供給源34、36に電気的に接続されている。それらの高周波供給源34、36は、電圧信号VB1、VB2を、それぞれ対応する電極18、20に供給する。マッチング・ネットワーク30、32を、それぞれの電極アセンブリ18、20によってプラズマに伝達される電力を最大化する目的で、それぞれの高周波電源34、36の間に挿入することができる。あるいは、その代りに、マッチング・ネットワーク30、32を制御システムに結合することもできる。
【0013】
各電極アセンブリ18、20は、流体を用いて独立に冷却することができる。この流体は、冷却システム38から、それぞれ、流体チャンバ39、41(破線で示されている)を通って各電極アセンブリ18、20の中に流れ、次いで、冷却システムに戻る。プラズマ処理装置10は、更に、真空システム40を備えており、この真空システム40は、真空ラインを介してプラズマ・チャンバ16と空気経路または流体経路がつながっている。プラズマ処理装置10は、オプションとして、一対の電極の形の電圧プローブ44、46を備えており、これらのプローブは、対応する高周波電源34、36のそれぞれと、対応する電極アセンブリ18、20のそれぞれとの間で、前記移送ラインに対して容量結合されている。
【0014】
電圧プローブの例については、米国特許出願60/259,862号(2001年1月8日出願)の中で詳しく説明され、且つ共通の符号が付けられており、上記出願の全体がリファレンスとしてここに組み込まれる。
【0015】
プラズマ処理装置10は、オプションとして、光学プローブ48を備えており、このプローブは、プラズマの分光学的及び光学的性質に基づいて、プラズマの性質及び状態を決定する。
【0016】
電磁石のシステムまたはアレイ51は、プラズマ・チャンバ14の周囲を取り囲むように取り付けられている。電磁石51は、ワークピースのプラズマ処理作業の最中に、プラズマに1または2以上の磁場を作用させるために運転され得る。磁場を作用させることにより、プラズマの状態を改善し、それによって、ワークピースの処理を改善する。
【0017】
図2に、プラズマ・チャンバ14に対する複数の電磁石51の配置の一例を示す。この装置例12は、51A−Lで示される12個の電磁石を備えている。示されている各電磁石51は、導電性の材料のコイルを備えたコイル・マグネットの形である。各コイルは、電源53と電気的につながっている(図1中に概略的に示されている)。
【0018】
特定のアレイの各コイル・マグネット51は、エア・コア(図示せず)の周囲に巻かれた導電性材料のコイルで構成され、あるいは、それに代わって、例えば、透磁性材料のコア55の周囲に巻かれた導電性材料のコイル(図1中に部分的に描かれている)で構成される。各コア55は、円筒状の断面(図に示されているように)とすることが可能であり、あるいは、その代わりに、任意の引き延ばされた断面(長軸の方向を例示した装置10の縦方向とした形)とすることもできる。
【0019】
コイル・マグネット51の各軸の方向は、プラズマ・チャンバ14に対して放射状に定められている。即ち、コイル・マグネット51の各軸は、電極アセンブリ18、20の間を、プラズマ・チャンバ14の中心を通って伸びる仮想軸(リアクタ例10では縦方向)から放射状に伸びている。外側の磁束伝達構造57は、コイル・マグネット51のアレイの周囲を取り囲むように取り付けることができる。その状態は、図2中に良く示されている。各コイル・マグネット51及び各コア55は、前記磁束伝達構造57との間で磁束が連続している。
【0020】
磁束伝達構造57の一つは環状の壁型の構造である。この外側の壁構造57と各コイル・マグネット51のコア55の双方は、例えば、鉄などの透磁性材料で構成することができる。各コア55は、この外側のリング構造57の上に形成することが可能であり、あるいは、この壁構造57とは別に形成した後に、この外側のリング構造57の上に取り付けることも可能である。
【0021】
各コイル・マグネット51及びそれに対応するコア55は、外側のリング構造57とプラズマ・チャンバ14の壁型構造59の間で放射方向に伸びていることが、図2から分かる。装置例10において、壁型構造59は、円筒状であって、前記処理チャンバ14の側壁を構成している。プラズマ・チャンバ14の壁型構造59は、適切な誘電材料または適切な金属材料で作ることができる。もし、壁型構造59が金属材料で作られる場合には、製作に非磁性金属材料を使用することによって、壁型構造59が、コイル・マグネット51によってプラズマ・チャンバ14内のプラズマに作用させる磁場と干渉しないようにする。
【0022】
装置例10の中の磁石のアレイは、図1の中のプラズマに対して縦方向に位置合わせされているが、この縦方向の配置は一つの例に過ぎない。磁石のアレイは、処理チャンバ、構造体(例えば、電極)、及びその中に収容される材料(例えば、ワークピースまたはプラズマ)などに対して縦方向に位置合わせして配置することもできる。例えば、装置10は、磁石のアレイが、ワークピースの上面、ワークピースの中心、または、例えばワークピースの少し上側など縦方向に位置合わせされるように、製作することができる。あるいは、磁石のアレイを、プラズマの中心に対して、または、例えばプラズマの少し上側若しくは下側に縦方向に位置合わせすることもできる。
【0023】
プラズマ処理装置10の制御システムは、装置10の様々なコンポーネントに電気的に接続され、プラズマ処理装置10をモニター、および/または、コントロールする。制御システムは、ガス供給システム24、真空システム40、冷却システム38、電圧プローブ44、46、光学プローブ48、各高周波供給源34、36、及び、電源53に、電気的に接続することが可能であって、それらの運転をコントロールするようにプログラムすることができる。
【0024】
制御システムは、プローブ44、46、48及びシステム・コンポーネント24、34、36、38、40、53に対して、コントロール信号を送り、それらから入力信号(例えば、フィードバック信号)を受け取る。制御システムは、ワークピースのプラズマ処理をモニターし、コントロールすることができる。電源53をコントロールすることによって、制御システムは、コイル・マグネット51のアレイを構成している各コイル・マグネットへの電力を伝達をコントロールし、それによって、プラズマに作用させる磁場の性質をコントロールすることができる。
【0025】
制御システム60は、コンピュータ・システムによって構成することができる。そのコンピュータ・システムは、プロセッサ、当該プロセッサによってアクセス可能なコンピュータ・メモリ(ここで、当該メモリは、指示及びデータを貯えるために適したものであり、例えば、ランダムアクセス・メモリなどのようなプライマリー・メモリ、ディスクドライブなどのようなセカンダリー・メモリ)、及び、当該プロセッサとの間で通信をするデータ入力及び出力の能力を有することができる。
【0026】
本発明の方法を、プラズマ処理システムの例を参照しながら説明する。このプラズマ処理システムの運転は、図1を参照することによって理解することができる。処理対象のワークピース(または基板)62は、チャック型電極アセンブリ20によって提供される支持面の上に置かれる。制御システムは、真空システム40を起動させ、この真空システム40は、最初、プラズマ・チャンバ14の内部16の圧力をベース圧力(典型的には、10−7Torr〜10−4Torr)まで低下させ、チャンバ14の真空保持能力及びクリーン度を確認する。
【0027】
制御システムは、次いで、チャンバの圧力を、プラズマの形成及びプラズマによるワークピース62の処理のために適切なレベルまで上昇させる(適切な内部圧力は、例えば、約1mTorrから約1000mTorrの範囲である)。前記チャンバの内部16を適切な圧力にするために、制御システムは、前記ガス供給システム24を起動して、ガス導入ラインを介して前記チャンバの内部16へ所定のプロセス流速でプロセスガスを供給し、また、必要な場合には、ゲートバルブ(図示せず)を用いて真空システム40が絞られる。プロセスガスは、図1中で矢印Gで示されているように、ポートを通って第一の電極アセンブリの中に流れ込むことができる。
【0028】
ガス供給システム24に含まれる特定のガス(一種類または複数種類)は、特定のプラズマ処理アプリケーションに依存する。例えば、プラズマエッチング・アプリケーションの場合には、ガス供給システム24は、塩素、臭化水素、オクタフルオロシクロブタン(octafluorocyclobutane)、または、他の様々なフルオロカーボン化合物のガスを供給することができる。CVDアプリケーションの場合には、ガス供給システム24は、シラン、アンモニア、タングステン・テトラクロライド、チタン・テトラクロライド、またはそれらと同様なガスを供給することができる。
【0029】
CVDの際には、半導体ウエーハの上に金属薄膜、半導体薄膜または絶縁体薄膜(即ち、導電性、半導電性または絶縁性材料)を形成するために、プラズマを使用することができる。プラズマ−エンハンストCVDでは、所望の材料を堆積させるために必要となる反応エネルギーを供給するためにプラズマを使用する。
【0030】
制御システムは、次いで、第一及び第二の電極アセンブリ18、20に対応する高周波供給源34,36を起動する。高周波電源34、36は、対応する電極18、20に、選択された周波数で、電圧を供給することができる。制御システムは、プラズマ処理作業の最中に、周波供給源34、36をそれぞれ独立にコントロールして、例えば、周波数、および/または、各電源34、36が対応する電極アセンブリ18、20を駆動する電圧の大きさを調整することができる。
【0031】
高周波電源34、36は、低い圧力のプロセスガスをプラズマに変えるために運転することができる。電源34、36は、例えば、第一の電極18と第二の電極20の間に、交流電場を発生させるために運転することが可能であリ、それによって、それらの電極18、20の間の電子に電子の流れを生じさせる。例えば、電子は、この電場の中で加速され、その中で熱せられた電子の流れは、電子とガスの原子及び分子との間の多重衝突によりその運動エネルギーをそれに伝達することによって、プロセスガスの各原子及び分子をイオン化する。このプロセスによりプラズマ54が形成され、チャンバ14の中に閉じ込められて保持される。
【0032】
各高周波供給源34、36は、制御システムによって互いに独立にコントロールすることができるので、電源は、比較的低い周波数(即ち、550kHz未満の周波数)、中間の周波数(即ち、13.56MHz程度の周波数)、または、比較的高い周波数(60〜150MHz程度)のいずれでも運転することが可能である。エッチング用リアクタの例においては、第一の電極アセンブリ18のための高周波供給源34は、周波数60MHzで運転することが可能であり、第二の電極アセンブリ20のための高周波供給源36は、周波数2MHzで運転することが可能である。
【0033】
より一般的には、上記のリアクタ(あるいは、1または2以上の周波数で運転される1または2以上の電極を有するプラズマ処理装置の性能を改善するために、制御システムは、プログラムされ且つ運転され、それによって、ワークピースの処理の最中に1または2以上の磁場をプラズマに作用させ、その結果、磁場の性質(例えば、磁場の形態及び方向、磁場の強さ、磁場の持続時間、その他)をコントロールする。
【0034】
本発明によれば、動く部分を有していない単一の磁石のアレイ51を用いて、多数の可能な磁場形態を作り出すことが可能になる。図2及び3に、マグネット・システムを用いてプラズマ54に作用させることができる二つの磁場形態を示す(プラズマ54は、図1中のみに概略的に示されている)。図2は、交差型の磁場形態を示し、図3は、バケット形状の磁場形態を示す。
【0035】
例示されている交差型の磁場形態は、非直線状の(即ち、アーチ状の)磁力線を有している。この交差型の磁場形態は、プラズマの均一性を改善するために使用することができる。プラズマの均一性を増大することによって、単一の基板62に対するプロセスの均一性を増大させ、また、装置10で順に処理される複数の基板の間のプロセスの均一性を増大させる。電磁石のアレイ51は、下記の方法で、交差型の磁場形態を回転させるように運転することができる。バケット形状の磁場形態(図3)をプラズマに作用させることによって、プラズマの壁によるロスを減少させ、プラズマ密度を増大させる。
【0036】
所望の磁場形態を作り出すために、コイル・マグネット51A〜Lに電力を供給する電源53を実現するための回路68の例は、図4の中に概略的に示されている。特に、任意波形の発生装置70A〜Lのシリ−ズの中のそれぞれは、対応するアンプ71A〜Lを介して、電磁石のシステムのコイル・マグネット51A〜L(図4の中には示されていない)のそれぞれに電気的に接続されている。
【0037】
各任意波形の発生装置70A〜Lを、(図4中に示されていない電気的接続を介して)制御システムに電気的に接続することができる。制御システム60を、前記任意波形の発生装置70A〜Lのそれぞれを互いに独立にコントロールするようにプログラムすることが可能であり、それによって、それぞれの発生装置から、それぞれ対応するコイル・マグネット51A〜Lに伝達するための、任意の形状、強度及び位相の電流波形を発生させ、その結果、それぞれ対応するコイル・マグネット51A〜Lに極性を与えて、前記プラズマに作用する磁場を作り出すことができる。
【0038】
任意波形の発生装置70の全ては、単一の低電力リファレンス信号源72に対してフェーズ・ロックすることができる。各発生装置70は、リファレンス信号源72からのリファレンス信号に対して、その出力の位相をシフトさせることができる。
【0039】
図4の電源の配置は、制御システム(任意波形の発生装置70A〜Lのシリーズによって動作する)が、各コイル・マグネット51に互いに独立した電流波形を供給することを可能し、その電流波形の波形、強度、位相及び周期は、シリーズになっている他の全ての任意波形の発生装置によって発生させられる電流波形に対して独立である。このように、リファレンス信号源72からのリファレンス信号は、任意波形の発生装置のシステムからコイル・マグネット51に伝達される電流波形を同期させるために使用される。
【0040】
制御システムは、各任意波形の発生装置70のそれぞれについて独立にプログラムすることが可能であり、それによって、リファレンス信号源72からのリファレンス信号にロックされたスタート位相に関して異なる波形を発生させる。このような配置は、例えば、プラズマに2以上の磁場形態を作用させる際に、大きなフレキシビリティを提供する。この配置は、制御システムが、プラズマ処理作業の最中に、例えば、互いに連続している二つの磁場形態を特定の基板に作用させることを可能にする。このような二つの磁場形態は、互いに同一にすることも、互いに相違させることも可能である。磁場形態は、静止したものであっても回転するものであっても可能である。
【0041】
例えば、このような配置(即ち、各コイル・マグネットに対して別々の任意波形の発生装置を使用すること)は、オペレータが制御システムをプログラムし、それによって、処理作業の最中に、静止した磁場形態(例えば、方位角に関して)、及び、回転型の磁場形態をプラズマに作用させることを可能にする。それぞれの作用させる磁場形態は、プラズマに特定の変化をもたらすように選択することができる。例えば、回転型の交差型の磁場形態は、プラズマの均一性を改善するために使用される。
【0042】
他の例として、このような配置はまた、例え作用させる磁場が回転しているとしても、処理チャンバ内の特定の位置に作用するローカルな磁場(例えば、低い磁場または高い磁場の領域)が存在するように、波形が形成されることを可能にする。このようなローカルな磁場は、プラズマの特性の方位角によるバラツキを修正するために使用することが可能である。そのようなバラツキは、例えば、非対称的なガスの吹き込み及びプラズマのポンピングに起因している。
【0043】
電源53として使用可能な他の回路76が、図5の中に概略的に示されている。単一の任意波形の発生装置77がアンプ7lA〜Lのシリーズを駆動し、それぞれが、対応するコイル・マグネット(図5の中には示されていない)に電流を供給する。位相遅延回路78が、前記任意波形の発生装置と、前記アンプの一つを除く全てとの間に結合される。基本的に同一の信号が、各コイル・マグネット51A〜Lに送られるが、唯一の相違点は、上記の位相遅延回路の存在のために各信号の位相が互いに異なっていることである。従って、回路76は、例えば、コイル・マグネット51に与えられる電流波形が、同一の波形及び周期を有し、位相のみが互いに異なるように使用することができる。
【0044】
電力供給回路76は、方向が変化する回転型の磁場形態または磁場形態を供給することができる。電力供給回路76によって形成され回転さる磁場形態は、コイル・マグネットに伝達される電流波形の形状、コイル・マグネット・システムの中のコイル・マグネットの相対的位置の数、各コイル・マグネット51の相対強度、及び、電流信号の間の位相差などの、幾つかのファクターに依存している。制御システムを、回路76の任意波形の発生装置70をコントロールするようにプログラムすることによって、例えば、非直線的な(例えば、アーチ型の)磁力線を有する回転型の交差型の磁場形態を作り出すことが可能である。
【0045】
<運転>
制御システムは、いずれかの(または全ての)コイル・マグネット51に定常的な電流を流すことができる。制御システムは、また、いずれかの(または全ての)コイル・マグネット51に、時間的に変化する電流を流すこともできる(例えば、電力供給回路68を使用して)。コイル・マグネット51を通る、定常的な、および/または、時間的に変化する電流の分布は、前記プラズマに作用する磁場形態を決定し、磁場形態の時間による変化を決定する。適切な電流波形は、コイル・マグネット51に送られ、前記プラズマに作用する磁場を、例えば、回転させる。
【0046】
各コイル・マグネット51A〜Lに供給される電流波形は、各コイルを放射状に分極させる。放射状の分極の最中に、各コイル・マグネットの両側の端部は、北及び南の磁気分極を取ると想定される。一般的に、磁力線は、コイル・マグネット51の両極の間で伸びる。各コイル内の電流の流れの方向は、各コイル・マグネットの分極方向を決定する。コイル・マグネットの中を流れる電流の大きさは、各コイル・マグネットにより形成される磁場の強度、前記プラズマに作用する磁場の強度を決定する。
【0047】
磁石のアレイの他の配置も可能である。例えば、各コイル・マグネット51の軸は、リアクタ例10の中の電極アセンブリ18、20の間を伸びる仮想軸から放射状に伸びているが、他の配置も可能である。例えば、各コイル・マグネット51は、その軸がリアクタ10に対して垂直になるように配置することもできる。垂直方向に向けられた各コイルは、エア・コイルでも良いし、コア材の周囲に巻き付けたコイルでも良い。各コイルがコア材料の周囲に巻き付けられる場合、各コアは、個別の構造であっても良いし、あるいは、リングまたはヨークなどの連続構造の一部を形成しても良い。
【0048】
このような垂直の配置は、幾つかの不利な点を有している(リアクタ例10の中の放射状の配置と比較して)。例えば、放射状に伸びる電磁石のアレイが磁場を発生させるために使用される場合、磁力線の大半がチャンバに入る。しかしながら、垂直の配置が使用された場合には、磁力線の大半は、プラズマ・チャンバ14の外側に沿って流れる、そのような傾向は、コイルがプラズマ・チャンバを取り囲むヨークの周囲に巻き付けられた場合に強まり、垂直に配置された各コイルの側面からの比較的少量の“リーク”または“外縁部分”がプラズマ・チャンバ14の中に入る。
【0049】
このように、垂直の配置は、チャンバの中のプラズマに磁場を作用させるために、垂直な各コイルの側面の外縁部の磁場に依拠することになる。コイルの垂直の配置を使用するマグネット・システムは、プラズマに磁場を作用させるために、外縁部の磁場に依拠しているので、特定の磁場強度を有する特定の形態を作り出す際に、同じ磁場強度を有する同じ形態を作り出すために放射状の配置を使用する場合と比較して、より多くの電力を必要とする。放射状に配置されたマグネット・システムは、垂直に配置されたマグネット・システムと比較して、より少ない電流を使用する。
【0050】
垂直の配置は、各コイルの側面から出る磁力線に依拠しているので、各コイルは、チャンバに磁力線を発射し、磁力線は、例えば、その反対側から出てチャンバの外へ離れる。外側を取り囲む構造には、また、プラズマ処理装置を取り囲んでいる領域を磁場からシールドすることが要求される。垂直に向けられた電磁石が、例えば、ヨークの周囲に巻きつけられる場合、もし、装置を取り囲む領域を磁場からシールドする必要があるときには、第二の透磁性のシールドが必要になる。
【0051】
第二の透磁性のシールド、あるいは、その他の磁束をシールド構造は、例えば、図1及び2に示された配置例においては必要にならない。その理由は、上記の構造57は、磁束を伝達する機能及び磁束をシールドする機能の双方を実現するからである。
【0052】
図2、3及び6に、コイル・マグネット51A〜Lを用いて、前記プラズマに作用させることができる磁場形態の例を示す。各コイル・マグネット51A〜Lの中を流れる電流の方向は、図2、3及び6中の方向を示す矢印で示されている。各コイル・マグネットの中の電流の相対的な大きさは、大雑把に、図2、3及び6中の方向を示す矢印の相対的なサイズで示されている。方向を示す矢印が無いことは、対応するコイル・マグネット51の中の瞬間的な電流の大きさがゼロであることを示している。鉄のリング構造57は、各形態において磁力線を閉じる。
【0053】
回転式で交差型の磁場形態を、例えば、電力供給回路68または76のいずれかを使用することによって、プラズマに作用させることができる。例えば、回転方向に関して前側のコイル、即ち磁場形態回転方向に対して反対側のコイルに対して位相がシフトされた複合電流波形を、各コイル・マグネット51に対して供給することができる。このような方法は、コイル・マグネットのいずれをも機械的に回転させること無く、交差型の磁場形態を回転させることを可能にする。
【0054】
図2は、時間の特定の瞬間における回転型で交差型の磁場形態を示す。この瞬間において、コイル・マグネット51A及び51Bに、互いに逆方向で、比較的大きな量の電流が流れる。コイル・マグネット51L及び51Gには、互いに逆方向で、コイル・マグネット51A及び51B内の電流と比較して小さな量の電流が流れる。そして、コイル・マグネットの対51Kと51D、51Jと51E、及び、51Iと51Fには、互いに逆方向で、順により小さいな量の電流が流れる(その様子は、前記方向を示す矢印の相対的なサイズで表わされている)。非直線的な磁力線は、処理チャンバ14内のアーチ状の矢印で示されているように、一般的に、各一対のコイル・マグネットのコイルの間で伸びる。コイル・マグネット51H及び51Gを流れる電流は、瞬間的に大きさゼロになり得る(それは、例えば、作用させるようとしている正確な磁場に依存する)。
【0055】
また、図2から次のことが分かる。磁力線は、一般的に、チャンバの一方の側のコイル・マグネット51A、51L、51K、51J及び51Iから、チャンバの反対の側のそれぞれ対応するコイル・マグネット51B、52C、51D、51B及び51Eへ伸びる。電流の(チャンバの反対の側の)大きさの減少は、事実上、約11時の方位角位置から約5時の方位角位置へ向かって増大する強度の磁場勾配を作り出す。この勾配は、ExBドリフトを補償するのに役立つ。
【0056】
ExBドリフトは、もし、均一な磁場がプラズマ・チャンバ14をワークピースに対して平行に横切り、これに対して、ワークピースに対して垂直な電場がチャンバの中に存在する場合に発生し得る。これらの電磁石による磁場のベクトル積は、ワークピースに対して平行で、双方の磁力線のセットに対して垂直である。これは、前記ベクトル積の方向(即ち、好ましい方向)に向かわせるという結果をもたらし、このことは、前記プラズマ・チャンバの一つのエリア(あるいは、コーナー)の中のプラズマの密度を高める。これは、ワークピースの処理の不均一性という結果をもたらし、それは、好ましくない。このようなExBドリフトを修正するために、磁場形態 が回転される。
【0057】
しかしながら、もし、磁場形態が均一であったとすると、回転型の前記磁場は、単に、プラズマの周囲を回る“ホット・スポット”(電子密度が相対的に高い領域)の原因となる。このような効果を修正するため、前記磁場形態の磁力線は曲線状に形成されており、それによって、電子を十分にファン・アウト("fan out")させて、ホット・スポット効果を減少させることになる。
【0058】
図3に、バケットタイプの磁場形態(あるいは、バケット形状の磁場形態)を示す。これは、チャンバ14の壁の周囲に磁気的なバケット("bucket")を形成する。この形態は、チャンバの中心に向かって伸びる磁力線のアーチ状の環形部を作り出す。これらの環形部は、チャンバの中心の中にプラズマを集中させると言う傾向を備えている。これは数々の利点をもたらす。その中には、例えば、チャンバの側壁及びチャンバ14内の他の表面に衝突するプラズマ・パーティクルの数を減少させ、且つ、プラズマ密度を増大させる(プラズマを狭い空間に閉じ込めることによる)と言う傾向が含まれる。プラズマ密度が増大するに従って、例えば、エッチングまたは堆積の速度が速くなる。ワークピースの処理が速くなるのに伴い、例えば、半導体の製造における商業的生産性が増大する。
【0059】
図3の中に示されているように、前記バケット形状の磁場形態は、アレイ状のコイル・マグネット51の内の互いに隣接する各対に同じ大きさで逆極性の電流(即ち、逆方向の電流)を流すことによって実現することができる。リアクタ12もまた、回転または振動するバケット形状を有する磁力線を作り出すことにより構成することができる。
【0060】
図6に、プラズマに回転型のバケット形状の磁場形態を作用させるための装置80の概略図を示す。この装置80は、装置12とほぼ同一であり、相違点は、そのチャンバ14の周囲に取り付けられたコイル・マグネットの数のみである。これら二つの実施形態12及び80の間で同じ構造に対して同じ参照符号が付されており、それらについての説明は省略する。
【0061】
前記チャンバ14の周囲に取り付けられたコイル・マグネットの数は、マグネット・システムによって作り出される磁場の分解能を決定する。即ち、周囲に配置されるコイル・マグネットの数が増加するに従って、チャンバの壁の内側を覆うバケット形状の磁場形態が細かくなる。“周囲の”磁場(即ち、壁に隣接する部分の磁場)をより良くコントロールするために、かなり多数のかなり小さいコイルが装置80のチャンバ14の周囲に取り付けられる。
【0062】
高い分解能の磁場が要求させるときには、互いに隣接するコイル・マグネット51のコアの内側の端部が互いに接触する寸前までになる。その様子は、図6に示されている。この装置80は、例えば、前記装置12と比べて二倍の数のコイル・マグネット51がチャンバの周囲に取り付けられているので、この装置80は、前記装置12を用いて実現されるバケット形状の磁場形態と比べて、高い分解能を実現するように運転することが可能である。使用されるコイルの数は、要求される磁場の分解能に依存する。一般的に、磁石の数が多くなるに従って磁場の分解能が高くなる。
【0063】
前記環状部の長さは、マグネットを組み合わせ、二つ、三つなど数を増やして運転することによって増大させることができる。即ち、バケット形状の磁場形態を作り出すために電磁石51を二つ組み合わせて運転するときには、各瞬間において、コイル51A及びBの中を流れる電流の大きさ及び方向を、互いに同一にする。同様に、コイル51C及びDの中を流れる電流の大きさ及び方向も、互いに同一にする。このようにして、コイル51A、51B(及び、コイル51C及び51D、以下、同様)は、事実上、単一のコイルとしての機能を果たす。チャンバの中に伸びるバケット形状の磁場形態の環形部が長くなるに従って、プラズマがプラズマ・チャンバ14の中心に向かってより強く絞られ、それによって、プラズマ密度及び反応速度が増大する。
【0064】
この装置80は、また、回転するまたは振動するバケット形状の磁場形態を作り出すために運転すること(例えば、図5の回路76を使用して)も可能であり、その磁場形態は、図3に示されている非回転型のバケット形状の磁場形態と同じ分解能を有している。しかし、この装置は、重なり合った環状部のパタ−ンを作り、そのようなパターンは、プラズマをより均一に絞る傾向を有する(図3の磁場形態と比較して)。
【0065】
以下に記載された例の方法に従って作られるバケット形状の磁場形態もまた、有利な効果を奏する。その理由は、いずれの時点においても、少なくとも幾つかの場所が、非ゼロの瞬間的な磁場強度を有しているからである。即ち、各時点において、処理チャンバの中の幾つかの場所において、作用している磁場が常に非ゼロになっている。
【0066】
振動型または回転型のバケット型の磁場は、有利な効果を奏する。その理由は、そのような磁場によって、磁力線が処理チャンバの壁(単数または複数)を同一の場所(単数または複数)で常に叩くことが防止されるからである。もし、バケット型の磁力線が回転されておらず、従って、例えば、壁を同一の場所で常に叩くような場合には、それは、プラズマ・パーティクルを壁の中に入る磁力線に沿ってそれらの場所に向けさせ、その結果、それらの場所において壁材料の劣化をもたらす可能性がある。
【0067】
静的な磁場によってもたらされる、このような壁材料のローカルな劣化は、例えば、互いに隣接する環状部の間のような箇所において発生し得る。そのような箇所では、互いに隣接する環状部からの磁力線が一緒にチャンバ壁14の中に入る。このようにして作用させるバケット型の磁場は、静的とすることも、振動させることも、あるいは、回転させることも可能ではあるが、長い期間、プラズマに静的なバケット型(または、その他のタイプ)の磁場を作用させることは好ましくないと言うことが分かる。その理由は、それが、処理チャンバの壁にローカルな劣化をもたらすからである。
【0068】
図6に、装置80が回転型のバケット形状の磁場形態を作り出すように運転されたときの、装置80の中の電流及び磁場の瞬間的な状態を示す。図7に、前記例の回転型のバケット形状の磁場形態が作り出されている間に、四つのコイル・マグネット51を通って流れる電流の大きさを表わすグラフを示す。装置80の中の回転型のバケット形状の磁場形態は、前記装置12を用いて作用させられるものと、本質的に同じ磁場分解能を有している。
【0069】
前記コイル・マグネット51A〜Xは、基本的に、二つの別々のマグネット・システムとして運転され、それらは、それぞれ、他のマグネット・システムに対して独立にバケット形状の磁場形態を作リ出す。第一のマグネット・システムは、51A、51C、51E、51G、51I、51K、51M、51O、51Q、51S、51U及び51Wを備え、第二のマグネット・システムは、それ以外のコイル・マグネット51を備える。
【0070】
図7のグラフは、コイル・マグネット51A〜Dの中を流れる電流を示す。互いに隣接するコイル・マグネット(例えば、51Aと51B)の中の電流波形は、互いに位相が90度異なっていることが分かる。その他の全てのコイル・マグネットの中の電流(例えば、コイル・マグネット51AとCのように)は、互いに位相が180度異なっている。
【0071】
図6に、時間txの時の磁力線を示す。この時間txもまた、図7のグラフに示されている。時間txにおいて、コイル・マグネットの1つのセット(51Bと51Dを含むセット)には最大の電流が流れ、コイル・マグネットの他のセット(51Aと51Bを含むセット)では、それぞれ、電流の大きさがゼロである。各セット(例えば、51Bと51D)の中で隣接するコイルには、図6の中及び図7のグラフで表される反対方向に向いた電流方向を示す矢印で示されるように、反対方向の電流が流れる。
【0072】
図7から、各電流波形がサインカーブであることが分かる。また、図7のグラフから、上記の回転型のバケット形状の磁場形態で作り出される磁場は、前記プラズマ処理作業の最中にいずれの点においても消えないことが分かる。その理由は、電流は、いずれの瞬間のおいても、全てのコイル・マグネット51A〜Xの中でゼロになると言うことがないからである。
【0073】
上記の装置80の構造及び運転は、一つの例に過ぎない。三つ以上の独立のマグネット・システムを備えた装置を建設し、それによって、例えば、三つ以上の回転型の磁場形態を作り出すことを考えることができる。
【0074】
1または2以上の磁場形態を、特定のワークピース(例えば、半導体などのような)の処理の最中に1または2以上の磁場形態をプラズマに作用させて、処理の品質及歩留まりを改善することが可能である。例えば、半導体材料ウエーハの表面にパターンがエッチングされるエッチング作業(または、その代わりに堆積作業)の最中に、選択された磁場形態をプラズマに作用させることができる。任意波形の発生装置及びコイル・マグネット51のシステムを、磁場を作り出すために使用することができること、及び、任意波形の発生装置を制御システムによって制御することができることから、製造者は、特定の半導体材料のために、及び、特定の半導体エッチング(または、堆積)用途のために、適切な磁場形態を選択することができる
特定の用途のための最適な磁場形態の組み合わせの決定は、経験的に行うことができる。即ち、特定のタイプのウエーハの処理の最中に、特定の電流波形が1または2以上のマグネット・システムの選択されたコイル・マグネットに導入され、その結果が調べられる。エッチング/堆積の結果の品質を、エッチング/堆積プロセスの中で使用された磁場形態に照らして相関付け、または、調べることができる。
【0075】
例えば、もし、ワークピースにダメージが生じていたら、あるいは、処理の結果が均一でなかった場合には、コイル・マグネット51に導入される電流波形の分布を修正して(前記制御システムのプログラムをやり直すことにより)、前記プラズマに作用している磁場形態の、例えば、形態、強度、勾配、周期、その他を修正することができる。
【0076】
半導体をプラズマ・チャンバの中で処理するとき、その半導体は、プラズマの中の電子の均一でない濃度(高濃度または低濃度のいずれかのエリア)によって引き起こされるダメージを受け易い。プラズマの濃度の不均一性に起因して起こるダメージの大半は、処理作業の最終段階の近くで発生する。ワークピース(半導体など)の処理の最中にプラズマの非同一性から生ずるダメージを減少させるために、二つ以上の磁場形態を使用することができる。
【0077】
処理作業の第一部分の最中、(即ち)ワークピースがプラズマ密度の不均一性から比較的ダメージを受けにくいとき、1または2以上のバケット型の磁場形態をプラズマに作用させてプラズマ密度を増大させ、それによって、処理速度を増大させることができる。処理作業の初期段階において、プラズマ密度を増大させることによって、例えば、ワークピースから材料を速くエッチすることができる。次いで、プロセスの最後の近くで、そのような高速で処理を行うことが危険になった時に、他の磁場を処理チャンバに作用させ、それによって、処理作業の最後のクリティカルな段階の最中にプラズマの均一性を改善することができる。
【0078】
もう一つの例として、相対的に大きな環状場を有するバケット形状の磁場形態を、処理の初期段階の最中にプラズマに作用させることができる。次いで、中間サイズの環状場を有するバケット形状の磁場形態を、プラズマに作用させ、次いで、相対的に小さな環状場を有するバケット形状の磁場形態をプラズマに作用させることができる。処理作用の最中にバケット形状の磁場形態の環状場のサイズを減少させて行くことによって(処理時間に渡って段階的にあるいは連続的に)、処理の進行に従って、プラズマの密度を徐々にを減少させることができる。プラズマ処理の最終のクリティカルな段階の最中に、曲線の磁力線を有する回転型の交差型の磁場形態をプラズマに作用させ、それによって、プラズマ処理の最終のクリティカルな段階の最中にプラズマの均一性を増大させることができる。
【0079】
数多くの既知の原因によってプラズマの中にローカルな不均一が発生し得る。それらの原因には、ガス噴射の不均一性、プラズマに作用している高周波励起場の不均一性、プラズマ・チャンバ内のポンピングの不均一性、などが含まれる。各コイル・マグネットは、互いに独立した任意波形の発生装置で運転することができるので、磁石のアレイに送る電流の配置をコントロールするためのコントローラをプログラムして、プラズマの中のローカルな不均一性を補償することができる。このように、コントローラをプログラムして回転型の磁場を作り出し、それによって、作用させる磁場の中のローカルな不均一性を付与して、プラズマの中で生ずる密度の不均一性を補償することができる。
【0080】
上記の例では、プラズマ・チャンバの電極は、それぞれ対応する電圧供給源によって駆動されるように記載されているが、このことは、必ずしも、各電極が対応する電圧供給源によって駆動される必要であることを意味しないことが理解できるであろう。このようにして、例えば、処理の最中に、例えば、システム10の電極18、20の対の内の一つのまたは他の一つが定常的にグランド・レベルであること、あるいは、その他の静的な(即ち、変化しない)電圧レベルであること、が可能である。
【0081】
本発明の多くの特徴及び有利な効果は、詳細な説明から明らかである。従って、本発明の真の精神及び技術的範囲の中でフォローをする上記方法の、そのような特徴及び有利な効果の全てを、添付されているクレームでカバーすることが見込まれている。更に、多くの変形及び変更が当業者にとって容易であるので、図示され、説明された構造及び運転の態様のみに本発明が限定されることは意図されていない。更に、本発明の方法及び装置は、半導体技術の中で使用されている関係する装置及び方法(本来、複雑である)と同様に、しばしば、運転パラメータの適切な値を経験的に決定することによって、あるいは、所与のアプリケーションに対する最良のデザインに到達するためのコンピュータ・シミュレーションを行うことよって、最適な状態で実施される。従って、全ての適切な変形及び同等物は、本発明の精神及び技術的範囲の中に含まれると考えるべきである。
【図面の簡単な説明】
【0082】
【図1】本発明を説明するためのプラズマ処理システムの一例の概略図であって、このプラズマ処理システムは、プラズマ処理装置のプラズマ・チャンバ内のワークピース及びプラズマを示すとともに、外側の磁束伝達構造、及び、処理チャンバの周囲を取り囲む電磁石のアレイを示している。
【図2】図1の装置の部分の概略上面図であって、処理チャンバ、下部電極、外側の磁束伝達構造、及び、処理チャンバの周囲を取り囲む電磁石のアレイを示すとともに、処理チャンバの内側に作用している交差型の磁場形態を示している。
【図3】図2と同様な図であるが、処理チャンバの内側に作用しているバケット形状の磁場形態を示している点で図2とは異なっている。
【図4】磁石のアレイに電力を供給するための電力供給回路の例の概略図である。
【図5】磁石のアレイに電力を供給するための電力供給回路の第二の例の概略図である。
【図6】図3と同様な概略図であるが、二つの電磁石システムを用いて処理チャンバに作用させるバケット形状の磁場形態を示している点で図3と異なっている。
【図7】図6の装置の互いに隣接する四つの電磁石の中での電流の流れを示すグラフである。
【符号の説明】
【0083】
10、12、80・・・プラズマ処理装置、14・・・プラズマ・チャンバ、16・・・内部領域、18・・・第一の電極アセンブリ、20・・・第二の電極アセンブリ(チャック型電極アセンブリ)、22・・・内側チャンバ、24・・・ガス供給システム、30、32・・・マッチング・ネットワーク、34、36・・・高周波供給源、38・・・冷却システム、39、41・・・流体チャンバ、40・・・真空システム、44、46・・・電圧プローブ、48・・・光学プローブ、51、51A−L・・・電磁石(コイル・マグネット)、53・・・電源、54・・・プラズマ、55・・・コア、57・・・磁束伝達構造、59・・・壁型構造、60・・・制御システム、62・・・ワークピース(基板)、68・・・回路、電力供給回路、70A〜L・・・任意波形の発生装置、71A〜L・・・アンプ、72・・・リファレンス信号源、76・・・電力供給回路、78・・・位相遅延回路。
Claims (26)
- プラズマ処理作業の最中に、プラズマ処理装置のプラズマ・チャンバの中で、プロセスガスから発生させたプラズマを用いて行われるワークピースを処理するための方法であって、
当該装置は、前記プラズマ・チャンバの周囲を取り囲むように取り付けられた電磁石のアレイを備え、
当該方法は、下記工程を備える:
前記チャンバ内でプロセスガスからプラズマを発生させ;
プラズマ・パーティクルを前記ワークピースに衝突させ;
前記電磁石に供給される電流信号の配置を選択し;
前記電磁石に各前記選択された配置を与え、それによって、プラズマ処理作業の最中に前記プラズマに一つ以上の磁場形態を作用させる。 - 下記特徴を備えた請求項1に記載の方法、
磁場形態の少なくとも一つは、非回転型の磁場形態である。 - 下記特徴を備えた請求項1に記載の方法、
磁場形態の少なくとも一つは、回転型の磁場形態である。 - 下記特徴を備えた請求項3に記載の方法、
前記少なくとも一つの回転型の磁場形態は、前記プラズマのプラズマ密度の不均一性を修正し、これに対して、
前記少なくとも一つの回転型の磁場形態は、前記プラズマに作用を与える。 - 下記特徴を備えた請求項4に記載の方法、
前記少なくとも一つの回転型の磁場形態は、交差型の磁場形態である。 - 下記特徴を備えた請求項5に記載の方法、
前記交差型の磁場形態の磁力線は、非直線形状である。 - 下記特徴を備えた請求項2に記載の方法、
前記少なくとも一つの非回転型の磁場形態は、バケット形状の磁場形態である。 - 下記特徴を備えた請求項1に記載の方法、
前記一つ以上の磁場形態は、交差型の磁場形態及びバケット形状の磁場形態を含む。 - 下記特徴を備えた請求項1に記載の方法、
前記配置を与えることは、
プラズマ処理作業の第一部分の最中に、前記プラズマにバケット形状の磁場形態を作用させるように前記電流信号を供給すること、及び、
プラズマ処理作業の第二部分の最中に、前記プラズマに交差型の磁場形態を作用させること、を含む。 - 下記特徴を備えた請求項9に記載の方法、
前記プラズマ処理作業の前記第一部分の最中に、複数のバケット形状の磁場形態を前記プラズマに作用させ、それによって、プラズマ密度を所定の率に減少させる。 - 下記特徴を備えた請求項10に記載の方法、
前記交差型の磁場形態の前記磁力線は、非直線形状である。 - 下記特徴を備えた請求項11に記載の方法、
前記交差型の磁場形態は、前記プラズマの不均一性を修正する。 - 下記特徴を備えた請求項1に記載の方法、
磁場形態の少なくとも一つは、処理の最中にその方向を変化させる。 - 下記特徴を備えた請求項13に記載の方法、
処理の最中にその方向を変化させる前記磁場形態の少なくとも一つは、回転によってその方向を変化させる。 - プラズマ処理作業の最中に、プラズマ処理装置のプラズマ・チャンバの中で、プロセスガスから発生させたプラズマを用いて行われるワークピースを処理するための方法であって、
当該装置は、前記プラズマ・チャンバの周囲を取り囲むように取り付けられた電磁石のアレイを備え、
当該方法は、下記工程を備える:
前記チャンバ内でプロセスガスからプラズマを発生させ;
プラズマ・パーティクルを前記ワークピースに衝突させ;
前記電磁石に電流信号の配置を供給し;
それによって、前記プラズマ処理作業の最中に、前記電磁石が、回転するバケット形状の磁場形態を前記プラズマに作用させる。 - 下記特徴を備えた請求項15に記載の方法、
前記電磁石のアレイは、
電磁石の第一のシステム及び電磁石の第二のシステムを備え、
各システムの各電磁石は、他方のシステムの電磁石の対の間に配置される。 - 下記特徴を備えた請求項16に記載の方法、
少なくとも一つの電磁石システムの中の電流信号は、前記磁場回転の最中のいずれの時点でも非零強度である。 - 下記構成を備えたワークピースの処理のためのプラズマ処理装置:
プラズマを保持するための内部領域を有するプラズマ・チャンバ;
プラズマ発生源;
前記プラズマ・チャンバの前記内部領域と流体経路がつながっている真空システム;
前記プラズマ・チャンバの前記内部領域と流体経路がつながっているガス供給システム;
前記プラズマ・チャンバの周囲を取り囲むように取り付けられた複数のコイル・マグネット、各コイル・マグネットは、前記プラズマ・チャンバの軸から放射状に伸びる軸を有している;
複数の任意波形の発生装置、各発生装置は、前記複数のコイル・マグネットの内の対応する一つに電気的に接続されている;及び、
前記ガス供給システム、前記真空システム、前記冷却システム、及び前記複数の任意波形の発生装置に電気的に結合された制御システム;
前記制御システムは、前記任意波形の発生装置を運転するように構成され、それによって、前記プラズマ処理作業の最中に前記コイル・マグネットが前記プラズマに磁場形態を作用させる。 - 下記特徴を備えた請求項18に記載のプラズマ処理装置:
前記プラズマ発生源は、前記チャンバの中に取り付けられた1または2以上の電極アセンブリ、及び1または2以上の高周波電源を備え、各高周波電源は、それぞれ対応する電極アセンブリに電気的に結合されている。 - 下記特徴を備えた請求項19に記載のプラズマ処理装置:
各コイル・マグネットはエア・コイルである。 - 下記特徴を備えた請求項19に記載のプラズマ処理装置:
各コイル・マグネットは、透磁性材料のコアを有している。 - 下記特徴を備えた請求項21に記載のプラズマ処理装置:
更に、前記コイル・マグネットのアレイを取り囲む様に取り付けられた外側磁束伝達構造を備え、
各コイル・マグネットと各コアは、当該磁束伝達構造との間で磁束が連続している。 - 下記特徴を備えた請求項22に記載のプラズマ処理装置:
前記磁束伝達構造は、環状の壁型構造である。 - 下記特徴を備えた請求項23に記載のプラズマ処理装置:
前記環状の壁型構造は、透磁性材料で作られている。 - 下記特徴を備えた請求項24に記載のプラズマ処理装置:
各コアは、前記環状の壁型構造に取り付けられている。 - 下記特徴を備えた請求項18に記載のプラズマ処理装置:
前記複数の任意波形の発生装置を構成しているそれぞれの任意波形の発生装置は、
複数のコイル・マグネットの内の対応している一つに、複数のアンプの内の対応している一つを介して、電気的に結合されている。
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