JP2005354025A - Substrate transfer mechanism, substrate transfer equipment including the same, particles removing method for substrate transfer mechanism, particles removing method for substrate transfer equipment, program for executing its method, and storage medium - Google Patents
Substrate transfer mechanism, substrate transfer equipment including the same, particles removing method for substrate transfer mechanism, particles removing method for substrate transfer equipment, program for executing its method, and storage medium Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005354025A JP2005354025A JP2004316921A JP2004316921A JP2005354025A JP 2005354025 A JP2005354025 A JP 2005354025A JP 2004316921 A JP2004316921 A JP 2004316921A JP 2004316921 A JP2004316921 A JP 2004316921A JP 2005354025 A JP2005354025 A JP 2005354025A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- substrate
- unit
- placement
- mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、基板搬送機構、該基板搬送機構を備える基板搬送装置、基板搬送機構のパーティクル除去方法、基板搬送装置のパーティクル除去方法、該方法を実行するためのプログラム、及び記憶媒体に関し、特に、成膜プロセス、エッチングプロセス等の処理を実行するべく該基板を所定の位置に搬送する基板搬送機構及び該基板搬送機構を備える基板搬送装置、基板搬送機構のパーティクル除去方法、基板搬送装置のパーティクル除去方法、該方法を実行するためのプログラム、及び記憶媒体に関する。 The present invention relates to a substrate transport mechanism, a substrate transport apparatus including the substrate transport mechanism, a particle removal method for the substrate transport mechanism, a particle removal method for the substrate transport apparatus, a program for executing the method, and a storage medium, Substrate transport mechanism for transporting the substrate to a predetermined position to perform processing such as a film forming process and an etching process, a substrate transport apparatus including the substrate transport mechanism, a particle removal method for the substrate transport mechanism, and particle removal for the substrate transport apparatus The present invention relates to a method, a program for executing the method, and a storage medium.
従来、イオンドープ、成膜、エッチング等の各種プラズマ処理を基板に施す基板処理システムとして、複数の基板処理装置が共通の基板搬送装置を介して放射状に配設されたクラスタ基板処理システムが知られている。 Conventionally, as a substrate processing system for performing various plasma processes such as ion doping, film formation, etching, etc. on a substrate, a cluster substrate processing system in which a plurality of substrate processing apparatuses are arranged radially via a common substrate transfer apparatus is known. ing.
このようなクラスタ基板処理システムは、図１５（ａ）に示すように、基板を処理する、例えば、２つの基板処理装置１５１と、基板カセット（図示せず）から基板を搬出入するローダーモジュール１５２と、該ローダーモジュール１５２への基板の搬出入を行う２つの基板搬出入室１５３と、基板処理装置１５１及び基板搬出入室１５３の間に介在する、基板搬送装置としての基板搬送室１５４とを備える（例えば、特許文献１参照。）。
As shown in FIG. 15A, such a cluster substrate processing system processes substrates, for example, two
基板搬送室１５４は、図１５（ｂ）に示すように、その内部にＮ２ガス等をパージするガス導入部１５５と、内部を真空引きするポンプ部１５６とを備える。また、その内部において基板を搬送する基板搬送機構としてのハンドリング装置１５７を備え、さらに、基板処理装置１５１や基板搬出入室１５３と接する側壁において、開閉自在なゲートバルブ１５８を備える。ハンドリング装置１５７は、複数の腕部材と回転台とを有するスカラアーム式ハンドリング装置であり、基板を基板処理装置１５１や基板搬出入室１５３へゲートバルブ１５８を介して搬送する。
しかしながら、このようなクラスタ基板処理システムを用いて基板を連続処理すると、ハンドリング装置１５７が基板を搬送する際に、基板と共に基板搬送室１５４に持ち込まれたパーティクルやハンドリング装置１５７が作動する際に発塵した切削粉であるパーティクルが該基板に付着する場合があり、これにより、例えば、エッチングプロセスでは、付着したパーティクルがマスクとなってエッチング残りを発生させ、また、成膜プロセスでは、該付着したパーティクルが核となって成長することにより膜質を低下させるという問題がある。
However, when the substrate is continuously processed using such a cluster substrate processing system, when the
本発明の目的は、基板に付着したパーティクルを剥離及び除去することができる基板搬送機構、該基板搬送機構を備える基板搬送装置、基板搬送機構のパーティクル除去方法、基板搬送装置のパーティクル除去方法、該方法を実行するためのプログラム、及び記憶媒体を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate transport mechanism capable of peeling and removing particles adhering to a substrate, a substrate transport device including the substrate transport mechanism, a particle removal method for a substrate transport mechanism, a particle removal method for a substrate transport device, To provide a program and a storage medium for executing the method.
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板搬送機構は、基板を搬送する基板搬送機構において、基板を載置する載置部と、前記載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部と、前記載置部の温度を制御する温度制御装置とを備え、前記温度制御装置は前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a substrate transport mechanism according to
請求項２記載の基板搬送機構は、請求項１記載の基板搬送機構において、前記温度制御装置は、外部周囲の温度を検出する検出部と、前記載置部を加熱する加熱部と、前記検出部で検出した外部周囲の温度に基づいて前記加熱部の作動を制御する制御部とを備えることを特徴とする。
The substrate transport mechanism according to
請求項３記載の基板搬送機構は、請求項２記載の基板搬送機構において、前記制御部は、前記載置部の温度を外部周囲の温度より３０Ｋ以上高い温度に制御することを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, there is provided the substrate conveyance mechanism according to the second aspect, wherein the control unit controls the temperature of the placement unit to be higher by 30K or more than the temperature of the external surroundings.
請求項４記載の基板搬送機構は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板搬送機構において、前記載置部は所定の材料から成る表層を有し、該表層の材料の線膨張係数は前記載置部の近傍に発生するパーティクルの線膨張係数と異なることを特徴とする。
The substrate transfer mechanism according to
上記目的を達成するために、請求項５記載の基板搬送装置は、基板を収容する収容室と、該収容室内に配設され且つ基板を搬送する基板搬送機構と、前記収容室内を排気する排気部と、前記収容室に気体を導入する気体導入部とを備える基板搬送装置において、前記基板搬送機構は、基板を載置する載置部と、該載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部と、前記載置部の温度を制御する温度制御装置を備え、前記温度制御装置は前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a substrate transfer apparatus according to claim 5 is provided with a storage chamber for storing a substrate, a substrate transfer mechanism disposed in the storage chamber and transferring the substrate, and an exhaust for exhausting the storage chamber. And a gas introduction unit that introduces gas into the storage chamber, wherein the substrate conveyance mechanism includes a placement unit for placing the substrate, and a placement unit connected to the placement unit and described above And a temperature control device for controlling the temperature of the mounting portion, wherein the temperature control device forms a predetermined temperature gradient in the mounting portion.
請求項６記載の基板搬送装置は、請求項５記載の基板搬送装置において、前記温度制御装置は、前記収容室内の温度を検出する検出部と、前記載置部を加熱する加熱部と、前記検出部で検出した前記収容室内の温度に基づいて前記加熱部の作動を制御する制御部とを備えることを特徴とする。
The substrate transfer apparatus according to
請求項７記載の基板搬送装置は、請求項６記載の基板搬送装置において、前記制御部は、前記載置部の温度を前記収容室内の温度より３０Ｋ以上高い温度に制御することを特徴とする。
The substrate transfer apparatus according to
請求項８記載の基板搬送装置は、請求項５乃至７のいずれか１項に記載の基板搬送装置において、前記気体導入部は、前記検出部で検出した前記収容室内の温度に基づいて前記導入する所定のガスの温度を制御する気体温度制御装置を備えることを特徴とする。
The substrate transfer apparatus according to
請求項９記載の基板搬送装置は、請求項５乃至８のいずれか１項に記載の基板搬送装置において、前記収容室内の圧力を制御する圧力制御装置を更に備えることを特徴とする。 A substrate transfer apparatus according to a ninth aspect is the substrate transfer apparatus according to any one of the fifth to eighth aspects, further comprising a pressure control device that controls a pressure in the storage chamber.
請求項１０記載の基板搬送装置は、請求項９記載の基板搬送装置において、前記圧力制御装置は、前記収容室内の圧力を１．３×１０−２〜１．３ｋＰａ（０．１〜１０Ｔｏｒｒ）に制御することを特徴とする。
The substrate transfer apparatus according to
請求項１１記載の基板搬送装置は、請求項５乃至１０のいずれか１項に記載の基板搬送装置において、前記載置部は所定の材料から成る表層を有し、該表層の材料の線膨張係数は前記載置部の近傍に発生するパーティクルの線膨張係数と異なることを特徴とする。
The substrate transfer apparatus according to
上記目的を達成するために、請求項１２記載の基板搬送機構は、基板を搬送する基板搬送機構において、基板を載置する載置部と、前記載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部と、超音波領域の振動を発生する振動発生部と、前記振動発生部に接続されると共に前記載置部に固定されている発振部とを備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a substrate transport mechanism according to
上記目的を達成するために、請求項１３記載の基板搬送機構は、基板を収容する収容室と、該収容室内に配設され且つ基板を搬送する基板搬送機構と、前記収容室内を排気する排気部と、前記収容室に気体を導入する気体導入部とを備える基板搬送装置において、前記基板搬送機構は、基板を載置する載置部と、前記載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部と、超音波領域の振動を発生する振動発生部と、前記振動発生部に接続されると共に前記載置部に固定されている発振部とを備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a substrate transfer mechanism according to
上記目的を達成するために、請求項１４記載の基板搬送機構は、基板を搬送する基板搬送機構において、基板を載置する載置部と、前記載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部と、前記載置部の温度を制御する温度制御装置と、超音波領域の振動を発生する振動発生部と、前記振動発生部に接続されると共に前記載置部に固定されている発振部とを備え、前記温度制御装置は前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする。
In order to achieve the above object, the substrate transport mechanism according to
請求項１５記載の基板搬送機構は、請求項１４記載の基板搬送機構において、前記温度制御装置は、外部周囲の温度を検出する検出部と、前記載置部を加熱する加熱部と、前記検出部で検出した外部周囲の温度に基づいて前記加熱部の作動を制御する制御部とを備えることを特徴とする。
The substrate transfer mechanism according to
請求項１６記載の基板搬送機構は、請求項１５記載の基板搬送機構において、前記制御部は、前記載置部の温度を外部周囲の温度より３０Ｋ以上高い温度に制御することを特徴とする。 A substrate transfer mechanism according to a sixteenth aspect is the substrate transfer mechanism according to the fifteenth aspect, wherein the control unit controls the temperature of the mounting unit to be higher by 30K or more than the temperature of the external surroundings.
請求項１７記載の基板搬送機構は、請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載の基板搬送機構において、前記載置部は所定の材料から成る表層を有し、該表層の材料の線膨張係数は前記載置部の近傍に発生するパーティクルの線膨張係数と異なることを特徴とする。
The substrate transfer mechanism according to
上記目的を達成するために、請求項１８記載の基板搬送装置は、基板を収容する収容室と、該収容室内に配設され且つ基板を搬送する基板搬送機構と、前記収容室内を排気する排気部と、前記収容室に気体を導入する気体導入部とを備える基板搬送装置において、前記基板搬送機構は、基板を載置する載置部と、該載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部と、前記載置部の温度を制御する温度制御装置と、超音波領域の振動を発生する振動発生部と、前記振動発生部に接続されると共に前記載置部に固定されている発振部とを備え、前記温度制御装置は前記載置部に温度勾配を形成することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a substrate transfer apparatus according to
請求項１９記載の基板搬送装置は、請求項１８記載の基板搬送装置において、前記温度制御装置は、前記収容室内の温度を検出する検出部と、前記載置部を加熱する加熱部と、前記検出部で検出した前記収容室内の温度に基づいて前記加熱部の作動を制御する制御部とを備えることを特徴とする。
The substrate transfer apparatus according to
請求項２０記載の基板搬送装置は、請求項１９記載の基板搬送装置において、前記制御部は、前記載置部の温度を前記収容室内の温度より３０Ｋ以上高い温度に制御することを特徴とする。
The substrate transfer apparatus according to
請求項２１記載の基板搬送装置は、請求項１８乃至２０のいずれか１項に記載の基板搬送装置において、前記気体導入部は、前記検出部で検出した収容室内の温度に基づいて前記導入する所定のガスの温度を制御する気体温度制御装置を備えることを特徴とする。
21. The substrate transfer apparatus according to
請求項２２記載の基板搬送装置は、請求項１８乃至２１のいずれか１項に記載の基板搬送装置において、前記収容室内の圧力を制御する圧力制御装置を更に備えることを特徴とする。 A substrate transfer device according to a twenty-second aspect is the substrate transfer device according to any one of the eighteenth to twenty-first aspects, further comprising a pressure control device that controls a pressure in the storage chamber.
請求項２３記載の基板搬送装置は、請求項２２記載の基板搬送装置において、前記圧力制御装置は、前記収容室内の圧力を１．３×１０−２〜１．３ｋＰａ（０．１〜１０Ｔｏｒｒ）に制御することを特徴とする。
The substrate transfer device according to
請求項２４記載の基板搬送装置は、請求項１８乃至２３のいずれか１項に記載の基板搬送装置において、前記載置部は所定の材料から成る表層を有し、該表層の材料の線膨張係数は前記載置部の近傍に発生するパーティクルの線膨張係数と異なることを特徴とする。
25. The substrate transfer apparatus according to
上記目的を達成するために、請求項２５記載の基板搬送装置は、基板を収容する収容室と、該収容室内に配設され前記基板を載置する載置部と、前記収容室内を排気する排気部と、前記収容室に気体を導入する気体導入部とを備える基板搬送装置において、前記載置部の温度を制御する温度制御装置を備え、前記温度制御装置は、前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a substrate transfer apparatus according to
請求項２６記載の基板搬送装置は、請求項２５記載の基板搬送装置において、前記温度制御装置は、前記収容室内の温度を検出する検出部と、前記載置部を加熱する加熱部と、前記検出部で検出した前記収容室内の温度に基づいて前記加熱部の作動を制御する制御部とを備えることを特徴とする。
The substrate transfer apparatus according to
請求項２７記載の基板搬送装置は、請求項２６記載の基板搬送装置において、前記制御部は、前記載置部の温度を前記収容室内の温度より３０Ｋ以上高い温度に制御することを特徴とする。
The substrate transfer apparatus according to claim 27, in the substrate transfer apparatus according to
請求項２８記載の基板搬送装置は、請求項２５乃至２７のいずれか１項に記載の基板搬送装置において、前記気体導入部は、前記検出部で検出した収容室内の温度に基づいて前記導入する所定のガスの温度を制御する気体温度制御装置を備えることを特徴とする。
28. The substrate transfer apparatus according to
請求項２９記載の基板搬送装置は、請求項２５乃至２８のいずれか１項に記載の基板搬送装置において、前記収容室内の圧力を制御する圧力制御装置を更に備えることを特徴とする。 A substrate transfer apparatus according to a twenty-ninth aspect is the substrate transfer apparatus according to any one of the twenty-fifth to twenty-eighth aspects, further comprising a pressure control device that controls a pressure in the storage chamber.
請求項３０記載の基板搬送装置は、請求項２９記載の基板搬送装置において、前記圧力制御装置は、前記収容室内の圧力を１．３×１０−２〜１．３ｋＰａ（０．１〜１０Ｔｏｒｒ）に制御することを特徴とする。
30. The substrate transfer apparatus according to
請求項３１記載の基板搬送装置は、請求項２５乃至３０のいずれか１項に記載の基板搬送装置において、前記載置部は所定の材料から成る表層を有し、該表層の材料の線膨張係数は前記載置部の近傍に発生するパーティクルの線膨張係数と異なることを特徴とする。
31. The substrate transfer apparatus according to claim 31, wherein in the substrate transfer apparatus according to any one of
上記目的を達成するために、請求項３２記載のパーティクル除去方法は、基板を載置する載置部と、前記載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部とを備える基板搬送機構のパーティクル除去方法であって、前記載置部の温度を制御する温度制御ステップを有し、前記温度制御ステップは前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a particle removal method according to
請求項３３記載のパーティクル除去方法は、請求項３２記載のパーティクル除去方法において、前記温度制御ステップは、外部周囲の温度を検出する検出ステップと、該検出ステップにより検出された外部周囲の温度に基づいて前記載置部を加熱する加熱ステップとを有することを特徴とする。
The particle removal method according to
請求項３４記載のパーティクル除去方法は、請求項３３記載のパーティクル除去方法において、前記温度制御ステップは、前記載置部の温度を外部周囲の温度より３０Ｋ以上高い温度に制御することを特徴とする。
34. The particle removal method according to
請求項３５記載のパーティクル除去方法は、請求項３２乃至３４のいずれか１項に記載のパーティクル除去方法において、前記載置部は所定の材料から成る表層を有し、該表層の材料の線膨張係数は前記載置部の近傍に発生するパーティクルの線膨張係数と異なることを特徴とする。
The particle removal method according to claim 35 is the particle removal method according to any one of
上記目的を達成するために、請求項３６記載のパーティクル除去方法は、基板を収容する収容室と、該収容室内に配設され、基板を載置する載置部及び該載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部からなる基板搬送機構と、前記収容室内を排気する排気部と、前記収容室に気体を導入する気体導入部とを備える基板搬送装置のパーティクル除去方法であって、前記載置部の温度を制御する温度制御ステップを有し、前記温度制御ステップは前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a particle removing method according to a thirty-sixth aspect comprises a storage chamber for storing a substrate, a mounting portion disposed in the storage chamber, for mounting the substrate, and connected to the mounting portion. In addition, there is provided a particle removal method for a substrate transport apparatus, comprising: a substrate transport mechanism including an arm portion that moves the placement unit; an exhaust unit that exhausts the storage chamber; and a gas introduction unit that introduces gas into the storage chamber. And a temperature control step for controlling the temperature of the placement unit, wherein the temperature control step forms a predetermined temperature gradient in the placement unit.
請求項３７記載のパーティクル除去方法は、請求項３６記載のパーティクル除去方法において、前記温度制御ステップは、前記収容室内の温度を検出する検出ステップと、該検出ステップにより検出された前記収容室内の温度に基づいて前記載置部を加熱する加熱ステップとを有することを特徴とする。 The particle removal method according to claim 37 is the particle removal method according to claim 36, wherein the temperature control step includes a detection step of detecting a temperature of the storage chamber, and a temperature of the storage chamber detected by the detection step. And a heating step for heating the mounting portion based on the above.
請求項３８記載のパーティクル除去方法は、請求項３７記載のパーティクル除去方法において、前記温度制御ステップは、前記載置部の温度を前記収容室内の温度より３０Ｋ以上高い温度に制御することを特徴とする。 The particle removal method according to claim 38, in the particle removal method according to claim 37, wherein the temperature control step controls the temperature of the mounting portion to a temperature higher by 30K or more than the temperature in the storage chamber. To do.
請求項３９記載のパーティクル除去方法は、請求項３６乃至３８のいずれか１項に記載のパーティクル除去方法において、前記検出ステップにより検出された前記収容室内の温度に基づいて、前記導入する所定のガスの温度を制御する気体温度制御ステップを更に有することを特徴とする。 A particle removal method according to a thirty-ninth aspect is the particle removal method according to any one of the thirty-sixth to thirty-eighth aspects, wherein the predetermined gas to be introduced is based on the temperature in the accommodation chamber detected by the detection step. And a gas temperature control step for controlling the temperature of the gas.
請求項４０記載のパーティクル除去方法は、請求項３６乃至３９のいずれか１項に記載のパーティクル除去方法において、前記収容室内の圧力を制御する圧力制御ステップを更に有することを特徴とする。
The particle removal method according to
請求項４１記載のパーティクル除去方法は、請求項４０記載のパーティクル除去方法において、前記圧力制御ステップは、前記収容室内の圧力を１．３×１０−２〜１．３ｋＰａ（０．１〜１０Ｔｏｒｒ）に制御することを特徴とする。
The particle removal method according to claim 41 is the particle removal method according to
請求項４２記載のパーティクル除去方法は、請求項３６乃至４１のいずれか１項に記載のパーティクル除去方法において、前記載置部は所定の材料から成る表層を有し、該表層の材料の線膨張係数は前記載置部の近傍に発生するパーティクルの線膨張係数と異なることを特徴とする。
The particle removal method according to
上記目的を達成するために、請求項４３記載のパーティクル除去方法は、基板を載置する載置部と、前記載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部とを備える基板搬送機構のパーティクル除去方法であって、超音波領域の振動を前記載置部に印加する振動印加ステップを有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a particle removal method according to claim 43, wherein a substrate is provided with a placement portion for placing a substrate and an arm portion connected to the placement portion and moving the placement portion. A mechanism particle removing method comprising a vibration applying step of applying vibration in an ultrasonic region to the mounting portion.
上記目的を達成するために、請求項４４記載のパーティクル除去方法は、基板を収容する収容室と、該収容室内に配設され、基板を載置する載置部及び該載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部からなる基板搬送機構と、前記収容室内を排気する排気部と、前記収容室に気体を導入する気体導入部とを備える基板搬送装置のパーティクル除去方法であって、超音波領域の振動を前記載置部に印加する振動印加ステップを有することを備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a particle removal method according to a 44th aspect includes a storage chamber for storing a substrate, a mounting portion disposed in the storage chamber, for mounting the substrate, and connected to the mounting portion. In addition, there is provided a particle removal method for a substrate transport apparatus, comprising: a substrate transport mechanism including an arm portion that moves the placement unit; an exhaust unit that exhausts the storage chamber; and a gas introduction unit that introduces gas into the storage chamber. And a vibration applying step for applying the vibration in the ultrasonic region to the mounting portion.
請求項４５記載のパーティクル除去方法は、基板を載置する載置部と、前記載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部とを備える基板搬送機構のパーティクル除去方法であって、前記載置部の温度を制御する温度制御ステップと、超音波領域の振動を前記載置部に印加する振動印加ステップとを有し、前記温度制御ステップは前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする。 The particle removal method according to claim 45 is a particle removal method for a substrate transport mechanism, comprising: a placement portion for placing a substrate; and an arm portion connected to the placement portion and moving the placement portion. A temperature control step for controlling the temperature of the mounting portion; and a vibration applying step for applying vibration of an ultrasonic region to the mounting portion, wherein the temperature control step has a predetermined temperature gradient on the mounting portion. It is characterized by forming.
請求項４６記載のパーティクル除去方法は、請求項４５記載のパーティクル除去方法において、前記載置部は所定の材料から成る表層を有し、該表層の材料の線膨張係数は前記載置部の近傍に発生するパーティクルの線膨張係数と異なることを特徴とする。 The particle removal method according to claim 46 is the particle removal method according to claim 45, wherein the placement portion has a surface layer made of a predetermined material, and the linear expansion coefficient of the material of the surface layer is in the vicinity of the placement portion. It differs from the linear expansion coefficient of the particle | grains which generate | occur | produce in this.
上記目的を達成するために、請求項４７記載のパーティクル除去方法は、基板を収容する収容室と、該収容室内に配設され、基板を載置する載置部及び該載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部とからなる基板搬送機構と、前記収容室内を排気する排気部と、前記収容室に気体を導入する気体導入部とを備える基板搬送装置のパーティクル除去方法であって、前記載置部の温度を制御する温度制御ステップと、超音波領域の振動を前記載置部に印加する振動印加ステップとを有し、前記温度制御ステップは前記載置部に温度勾配を形成することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a particle removal method according to a 47th aspect includes a storage chamber for storing a substrate, a mounting portion disposed in the storage chamber, for mounting the substrate, and connected to the mounting portion. And a particle removal method for a substrate transport apparatus, comprising: a substrate transport mechanism including an arm portion that moves the placement unit; an exhaust unit that exhausts the storage chamber; and a gas introduction unit that introduces gas into the storage chamber. A temperature control step for controlling the temperature of the mounting portion, and a vibration applying step for applying vibration of an ultrasonic region to the mounting portion, wherein the temperature control step has a temperature gradient on the mounting portion. It is characterized by forming.
請求項４８記載のパーティクル除去方法は、請求項４７記載のパーティクル除去方法において、前記載置部は所定の材料から成る表層を有し、該表層の材料の線膨張係数は前記載置部の近傍に発生するパーティクルの線膨張係数と異なることを特徴とする。 48. The particle removal method according to claim 48, wherein the placement portion has a surface layer made of a predetermined material, and the linear expansion coefficient of the material of the surface layer is in the vicinity of the placement portion. It differs from the linear expansion coefficient of the particle | grains which generate | occur | produce in this.
上記目的を達成するために、請求項４９記載のパーティクル除去方法は、基板を収容する収容室と、前記収容室内に配設され前記基板を載置する載置部と、前記収容室内を排気する排気部と、前記収容室に気体を導入する気体導入部とを備える基板搬送装置のパーティクル除去方法であって、前記載置部の温度を制御する温度制御ステップを有し、前記温度制御ステップは、前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a particle removal method according to claim 49, wherein: A particle removal method for a substrate transport apparatus comprising an exhaust part and a gas introduction part for introducing gas into the storage chamber, the method comprising: a temperature control step for controlling the temperature of the placement part, wherein the temperature control step is A predetermined temperature gradient is formed in the mounting portion.
請求項５０記載のパーティクル除去方法は、請求項４９記載のパーティクル除去方法において、前記温度制御ステップは、前記収容室内の温度を検出する検出ステップと、該検出ステップで検出された前記収容室内の温度に基づいて前記載置部を加熱する加熱ステップとを有することを特徴とする。
50. The particle removal method according to
請求項５１記載のパーティクル除去方法は、請求項５０記載のパーティクル除去方法において、前記温度制御ステップは、前記載置部の温度を前記収容室内の温度より３０Ｋ以上高い温度に制御することを特徴とする。
The particle removal method according to
請求項５２記載のパーティクル除去方法は、請求項４９乃至５１のいずれか１項に記載のパーティクル除去方法において、前記検出ステップにより検出された収容室内の温度に基づいて前記導入する所定のガスの温度を制御する気体温度制御ステップを更に有することを特徴とする。
52. The particle removal method according to
請求項５３記載のパーティクル除去方法は、請求項４９乃至５２のいずれか１項に記載のパーティクル除去方法において、前記収容室内の圧力を制御する圧力制御ステップを更に有することを特徴とする。
The particle removal method according to
請求項５４記載のパーティクル除去方法は、請求項５３記載のパーティクル除去方法において、前記圧力制御ステップは、前記収容室内の圧力を１．３×１０−２〜１．３ｋＰａ（０．１〜１０Ｔｏｒｒ）に制御することを特徴とする。
54. The particle removal method according to
請求項５５記載のパーティクル除去方法は、請求項４９乃至５４のいずれか１項に記載のパーティクル除去方法において、前記載置部は所定の材料から成る表層を有し、該表層の材料の線膨張係数は前記載置部の近傍に発生するパーティクルの線膨張係数と異なることを特徴とする。 The particle removal method according to claim 55 is the particle removal method according to any one of claims 49 to 54, wherein the mounting portion has a surface layer made of a predetermined material, and linear expansion of the material of the surface layer. The coefficient is characterized by being different from the linear expansion coefficient of particles generated in the vicinity of the placement section.
上記目的を達成するために、請求項５６記載のプログラムは、基板を載置する載置部と、前記載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部とを備える基板搬送機構のパーティクル除去方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記載置部の温度を制御する温度制御モジュールを有し、前記温度制御モジュールは前記載置部に所定の温度勾配を形成し、前記温度制御モジュールは、外部周囲の温度を検出する検出モジュールと、該検出モジュールにより検出された外部周囲の温度に基づいて前記載置部を加熱する加熱モジュールとを有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a program according to claim 56 is a program for a substrate transport mechanism comprising: a placement portion for placing a substrate; and an arm portion connected to the placement portion and moving the placement portion. A program for causing a computer to execute a particle removal method, comprising: a temperature control module that controls a temperature of the placement unit, wherein the temperature control module forms a predetermined temperature gradient in the placement unit, The temperature control module includes a detection module that detects an external ambient temperature, and a heating module that heats the placement unit based on the external ambient temperature detected by the detection module.
上記目的を達成するために、請求項５７記載のプログラムは、基板を収容する収容室と、該収容室内に配設され、基板を載置する載置部及び該載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部からなる基板搬送機構と、前記収容室内を排気する排気部と、前記収容室に気体を導入する気体導入部とを備える基板搬送装置のパーティクル除去方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記載置部の温度を制御する温度制御モジュールと、前記検出ステップにより検出された前記収容室内の温度に基づいて、前記導入する所定のガスの温度を制御する気体温度制御モジュールとを有し、前記温度制御モジュールは前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a program according to claim 57 is provided with a storage chamber for storing a substrate, a mounting portion disposed in the storage chamber, for mounting the substrate, and connected to the mounting portion. A computer executes a particle removal method for a substrate transfer apparatus, comprising: a substrate transfer mechanism including an arm portion that moves a placement unit; an exhaust unit that exhausts the accommodation chamber; and a gas introduction unit that introduces gas into the accommodation chamber. A temperature control module for controlling the temperature of the placement section, and a gas for controlling the temperature of the predetermined gas to be introduced based on the temperature in the storage chamber detected by the detection step A temperature control module, wherein the temperature control module forms a predetermined temperature gradient in the mounting portion.
請求項５８記載のプログラムは、請求項５７記載のプログラムにおいて、前記収容室内の圧力を制御する圧力制御モジュールを更に有することを特徴とする。 The program according to claim 58 is the program according to claim 57, further comprising a pressure control module for controlling the pressure in the storage chamber.
上記目的を達成するために、請求項５９記載のプログラムは、基板を載置する載置部と、前記載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部とを備える基板搬送機構のパーティクル除去方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記載置部の温度を制御する温度制御モジュールと、超音波領域の振動を前記載置部に印加する振動印加モジュールとを有し、前記温度制御モジュールは前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a program according to a 59th aspect of the present invention provides a program for a substrate transport mechanism comprising: a placement unit that places a substrate; and an arm unit that is connected to the placement unit and moves the placement unit. A program for causing a computer to execute a particle removal method, comprising: a temperature control module that controls the temperature of the placement unit; and a vibration application module that applies vibration in an ultrasonic region to the placement unit. The temperature control module forms a predetermined temperature gradient in the mounting portion.
上記目的を達成するために、請求項６０記載の記憶媒体は、基板を載置する載置部と、前記載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部とを備える基板搬送機構のパーティクル除去方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納する記憶媒体であって、前記プログラムは、前記載置部の温度を制御する温度制御モジュールを有し、前記温度制御モジュールは前記載置部に所定の温度勾配を形成し、前記温度制御モジュールは、外部周囲の温度を検出する検出モジュールと、該検出モジュールにより検出された外部周囲の温度に基づいて前記載置部を加熱する加熱モジュールとを有することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a storage medium according to
上記目的を達成するために、請求項６１記載の記憶媒体は、基板を収容する収容室と、該収容室内に配設され、基板を載置する載置部及び該載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部からなる基板搬送機構と、前記収容室内を排気する排気部と、前記収容室に気体を導入する気体導入部とを備える基板搬送装置のパーティクル除去方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納する記憶媒体であって、前記プログラムは、前記載置部の温度を制御する温度制御モジュールと、前記検出ステップにより検出された前記収容室内の温度に基づいて、前記導入する所定のガスの温度を制御する気体温度制御モジュールとを有し、前記温度制御モジュールは前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a storage medium according to claim 61 is provided with a storage chamber for storing a substrate, a mounting portion disposed in the storage chamber, for mounting the substrate, and connected to the mounting portion; A particle removal method for a substrate transfer apparatus, comprising: a substrate transfer mechanism including an arm portion that moves the placement unit; an exhaust unit that exhausts the accommodation chamber; and a gas introduction unit that introduces gas into the accommodation chamber. A storage medium for storing a program for execution, wherein the program is based on a temperature control module that controls the temperature of the mounting unit, and the temperature in the accommodation chamber detected by the detection step. And a gas temperature control module for controlling the temperature of the predetermined gas, wherein the temperature control module forms a predetermined temperature gradient in the mounting portion.
請求項６２記載の記憶媒体は、請求項６１記載の記憶媒体において、前記プログラムが、前記収容室内の圧力を制御する圧力制御モジュールを更に有することを特徴とする。 The storage medium according to claim 62 is the storage medium according to claim 61, wherein the program further includes a pressure control module for controlling the pressure in the storage chamber.
上記目的を達成するために、請求項６３記載の記憶媒体は、基板を載置する載置部と、前記載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部とを備える基板搬送機構のパーティクル除去方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納する記憶媒体であって、前記プログラムは、前記載置部の温度を制御する温度制御モジュールと、超音波領域の振動を前記載置部に印加する振動印加モジュールとを有し、前記温度制御モジュールは前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a storage medium according to claim 63, wherein the storage medium includes a mounting portion for mounting the substrate, and an arm portion connected to the mounting portion and moving the mounting portion. A storage medium for storing a program for causing a computer to execute the particle removal method of the above, wherein the program includes a temperature control module for controlling the temperature of the mounting unit, and vibration of an ultrasonic region in the mounting unit. And a temperature applying module for forming a predetermined temperature gradient in the mounting portion.
請求項１記載の基板搬送機構、請求項５記載の基板搬送装置、請求項３２記載のパーティクル除去方法、及び請求項３６記載のパーティクル除去方法によれば、基板を載置する載置部に所定の温度勾配が形成されるので、基板とパーティクルとの界面に発生する熱応力によりパーティクルを基板から剥離し、基板から遠ざかる方向へ働く熱泳動力により該パーティクルを基板から除去することができ、もって基板に付着したパーティクルを剥離及び除去することができる。
According to the substrate transfer mechanism according to
請求項２記載の基板搬送機構及び請求項３３記載のパーティクル除去方法によれば、検出された外部周囲の温度に基づいて載置部が加熱されるので、載置部の基板に付着したパーティクルを確実に剥離及び除去することができる。
According to the substrate transport mechanism according to
請求項３記載の基板搬送機構及び請求項３４記載のパーティクル除去方法によれば、載置部の温度が外部周囲の温度より３０Ｋ以上高い温度に制御されるので、基板に付着したパーティクルを更に確実に剥離及び除去することができる。
According to the substrate transport mechanism according to
請求項４記載の基板搬送機構、請求項１１記載の基板搬送装置、請求項３５記載のパーティクル除去方法、及び請求項４２記載のパーティクル除去方法によれば、載置部における表層の材料の線膨張係数は載置部の近傍に発生するパーティクルの線膨張係数と異なるので、載置部とパーティクルとの界面に発生する熱応力を増大させることができ、もって載置部に付着したパーティクルの剥離及び除去を促進することができる。
According to the substrate transfer mechanism according to
請求項８記載の基板搬送装置及び請求項３９記載のパーティクル除去方法によれば、気体温度制御装置は、検出された収容室内の温度に基づいて該導入する所定のガスの温度を制御するので、載置部を所望の温度まで加熱することができない場合であっても、載置部の近傍に温度勾配を形成することができる。
According to the substrate transfer device according to
請求項９記載の基板搬送装置及び請求項４０記載のパーティクル除去方法によれば、収容室内の圧力が制御されるので、収容室内の圧力に依存する熱泳動力により、基板に付着したパーティクルを更に確実に剥離させることができる。
According to the substrate transfer device of
請求項１０記載の基板搬送装置及び請求項４１記載のパーティクル除去方法によれば、収容室内の圧力が１．３×１０−２〜１．３ｋＰａ（０．１〜１０Ｔｏｒｒ）に制御される。収容室内の圧力が１．３×１０−２〜１．３ｋＰａに設定されると熱泳動力が増加する。したがって、増大した熱泳動力により基板に付着したパーティクルをより確実に剥離させることができる。
According to the substrate transfer apparatus of
請求項１２記載の基板搬送機構、請求項１３記載の基板搬送装置、請求項４３記載のパーティクル除去方法、及び請求項４４記載のパーティクル除去方法によれば、超音波領域の振動が基板を載置する載置部に印加されるので、基板に超音波領域の振動を印加して基板とパーティクルとの結合力を弱くすることができ、もって基板に付着したパーティクルを剥離及び除去することができる。
According to the substrate transport mechanism according to
請求項１４記載の基板搬送機構、請求項１８記載の基板搬送装置、請求項４５記載のパーティクル除去方法、及び請求項４７記載のパーティクル除去方法によれば、基板を載置する載置部に所定の温度勾配が形成されると共に、超音波領域の振動が基板を載置する載置部に印加されるので、基板とパーティクルとの界面に発生する熱応力によりパーティクルを基板から剥離し、基板から遠ざかる方向へ働く熱泳動力により該パーティクルを基板から除去することができ、さらに、基板に超音波領域の振動を印加して基板とパーティクルとの結合力を弱くさせることができ、もって基板に付着したパーティクルを確実に剥離及び除去することができる。
According to a substrate transport mechanism according to
請求項２５記載の基板搬送装置及び請求項４９記載のパーティクル除去方法によれば、
基板を載置する載置部に所定の温度勾配が形成されるので、基板とパーティクルとの界面に発生する熱応力によりパーティクルを基板から剥離し、基板から遠ざかる方向へ働く熱泳動力により該パーティクルを基板から除去することができ、もって基板に付着したパーティクルを確実に剥離及び除去することができる。
According to the substrate transfer apparatus of
Since a predetermined temperature gradient is formed on the mounting portion for mounting the substrate, the particles are peeled off from the substrate by the thermal stress generated at the interface between the substrate and the particles, and the particles are moved by the thermophoretic force acting in the direction away from the substrate. Can be removed from the substrate, so that particles adhering to the substrate can be reliably peeled off and removed.
請求項５６記載のプログラム及び請求項６０記載の記憶媒体によれば、基板を載置する載置部に所定の温度勾配が形成され、検出された外部周囲の温度に基づいて載置部が加熱されるので、基板とパーティクルとの界面に発生する熱応力によりパーティクルを基板から剥離し、基板から遠ざかる方向へ働く熱泳動力により該パーティクルを基板から除去することができ、もって載置部の基板に付着したパーティクルを確実に剥離及び除去することができる。
According to the program of claim 56 and the storage medium of
請求項５７記載のプログラム及び請求項６１記載の記憶媒体によれば、基板を載置する載置部に所定の温度勾配が形成され、検出された収容室内の温度に基づいて該導入する所定のガスの温度を制御するので、基板とパーティクルとの界面に発生する熱応力によりパーティクルを基板から剥離し、基板から遠ざかる方向へ働く熱泳動力により該パーティクルを基板から除去することができ、加えて、載置部を所望の温度まで加熱することができない場合であっても、載置部の近傍に温度勾配を形成することができ、もって基板に付着したパーティクルを剥離及び除去することができる。 According to the program of claim 57 and the storage medium of claim 61, a predetermined temperature gradient is formed in the mounting portion on which the substrate is mounted, and the predetermined temperature to be introduced based on the detected temperature in the storage chamber Since the temperature of the gas is controlled, the particles can be removed from the substrate by the thermal stress generated at the interface between the substrate and the particles, and the particles can be removed from the substrate by the thermophoretic force acting away from the substrate. Even when the mounting portion cannot be heated to a desired temperature, a temperature gradient can be formed in the vicinity of the mounting portion, and particles adhering to the substrate can be peeled off and removed.
請求項５８記載のプログラム及び請求項６２記載の記憶媒体によれば、収容室内の圧力が制御されるので、収容室内の圧力に依存する熱泳動力により、基板に付着したパーティクルを更に確実に剥離させることができる。 According to the program according to claim 58 and the storage medium according to claim 62, since the pressure in the storage chamber is controlled, the particles attached to the substrate are more reliably separated by the thermophoretic force depending on the pressure in the storage chamber. Can be made.
請求項５９記載のプログラム及び請求項６３記載の記憶媒体によれば、基板を載置する載置部に所定の温度勾配が形成されると共に、超音波領域の振動が基板を載置する載置部に印加されるので、基板とパーティクルとの界面に発生する熱応力によりパーティクルを基板から剥離し、基板から遠ざかる方向へ働く熱泳動力により該パーティクルを基板から除去することができ、さらに、基板に超音波領域の振動を印加して基板とパーティクルとの結合力を弱くさせることができ、もって基板に付着したパーティクルを確実に剥離及び除去することができる。 According to the program of claim 59 and the storage medium of claim 63, the predetermined temperature gradient is formed in the mounting portion on which the substrate is mounted, and the mounting in which the vibration in the ultrasonic region is mounted on the substrate Since the particles are peeled off from the substrate by the thermal stress generated at the interface between the substrate and the particles, the particles can be removed from the substrate by the thermophoretic force acting in the direction away from the substrate. By applying vibration in the ultrasonic region to the substrate, the bonding force between the substrate and the particles can be weakened, so that the particles adhering to the substrate can be reliably peeled off and removed.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板搬送装置の構成を概略的に示す図である。 FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a substrate transfer apparatus according to a first embodiment of the present invention.
図１において、基板搬送装置１０は、金属製、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼製の保安接地された箱状のチャンバ１１（収容室）と、該チャンバ１１内に基板Ｗを搬送する搬送アーム１２（基板搬送機構）とを備える。
In FIG. 1, a
チャンバ１１の側壁には、搬送アーム１２が基板Ｗをチャンバ１１内へ搬出入するときに、基板Ｗを通過させる搬入出口１３が配設され、該搬入出口１３は、開閉自在なゲートバルブ１４によって密封されている。また、チャンバ１１の底部には排気ライン（排気部）１５が接続されている。この排気ライン１５は、直径が、例えば２５ｍｍである排気管１６と、該排気管１６の途中に配設されたバルブＶ１と、排気管１６に接続された排気ポンプであるドライポンプ１７とを有し、チャンバ１１内を排気して減圧する。このバルブＶ１は、チャンバ１１内とドライポンプ１７を遮断することができる。さらに、チャンバ１１の天井部にはガス導入ライン１８（気体導入部）が接続されている。このガス導入ライン１８は、例えば、Ｎ２ガスを供給するガス供給装置１９と、該ガス供給装置１９からのＮ２ガスをチャンバ１１内へ導入するガス導入管２０とを備え、ガス導入管２０の途中にはバルブＶ２が配設されている。このバルブＶ２は、チャンバ１１内とガス供給装置１９を遮断することができる。
A loading / unloading
また、基板搬送装置１０は、チャンバ１１及びガス供給装置１９にガス導入管２０を介して連結され、チャンバ１１内に導入するＮ２ガスを冷却する冷却装置６（気体温度制御装置）と、排気管１６に設けられ、チャンバ１１内の圧力を制御する圧力制御装置７とを備える。冷却装置６は、後述する温度センサ８で検出したチャンバ１１の温度に基づいて、チャンバ１１内に導入するＮ２ガスを冷却し、圧力制御装置７は、チャンバ１１内の圧力を、例えば１．３ｋＰａ（１０Ｔｏｒｒ）に制御する。
The
この基板搬送装置１０は、例えば、クラスタ型やパラレル型の基板処理システムに配設され、該基板処理システムが備えるプラズマ処理装置等にゲートバルブ１４を介して接続される。
The
図２は、図１における搬送アーム１２の構成を概略的に示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view schematically showing the configuration of the
図２において、スカラアーム式ハンドリング装置としての搬送アーム１２は、チャンバ１１の底面に配設されて該底面に対する垂直軸（以下、「チャンバ垂直軸」という）周りに回転自在な回転台２１と、該回転台２１に接続された棒状の第１の腕部材２２と、該第１の腕部材２２に接続された棒状の第２の腕部材２３と、該第２の腕部材２３の他端に接続された、基板Ｗを載置するピック２４（載置部）とを備える。
In FIG. 2, a
この搬送アーム１２では、第２の腕部材２３の一端が、チャンバ垂直軸周りに回転自在に第１の腕部材２２の他端と接続され、ピック２４が、チャンバ垂直軸周りに回転自在に第２の腕部材２３の他端と接続され、回転台２１、第１の腕部材２２、第２の腕部材２３及びピック２４が協働して回転運動を行い、これにより、ピック２４及び該ピック２４に載置された基板Ｗをチャンバ１１の所望の位置や搬入出口１３を介して隣接するプラズマ処理装置等に移動する。
In the
ピック２４は、音叉形状を呈し、二股部において基板Ｗを担持する一方で、二股部とは反対の端部において、上述したように第２の腕部材２３の他端と接続される。
The
また、搬送アーム１２はピック２４の温度を制御する温度制御装置２８を備え、温度制御装置２８はピック２４とチャンバ１１の内壁に所定の温度勾配を形成する。具体的には、温度制御装置２８は、チャンバ１１の内壁温度を検出する温度センサ８（検出部）と、搬送アーム１２のピック２４の内部に埋設され且つピック２４を加熱する、例えば、シースヒータ等の抵抗体２５（加熱部）と、第２の腕部材２３、第１の腕部材２２及び回転台２１の内部に配線された電線２６を介して抵抗体２５と接続されると共に抵抗体２５の温度を制御する制御部９とを備える。
Further, the
この制御部９は、温度センサ８で検出したチャンバ１１の内壁温度に基づいて抵抗体２５を加熱することによりピック２４の温度を制御する。これにより、ピック２４とチャンバ１１の内壁に所望の温度勾配を形成することができ、もって基板Ｗに付着したパーティクルを確実に剥離及び除去することができる。また、このとき、搬送アーム１２のピック２４は、チャンバ１１の内壁温度より３０Ｋ以上高い温度に制御されるのが好ましい。これにより、基板Ｗに付着したパーティクルを更に確実に剥離及び除去することができる。
The
基板搬送装置１０は、温度センサ８によりチャンバ１１の内壁温度を検出し、該検出した温度に対応した電気信号が制御部９に出力され、制御部９によりこの電気信号に応じた抵抗体２５の印加電圧を決定し、この決定された印加電圧を抵抗体２５に印加することにより抵抗体２５を加熱し、ピック２４に載置された基板Ｗを、主としてピック２４からの伝導伝熱により加熱する。これにより、搬送アーム１２のピック２４及びピック２４に載置された基板Ｗとチャンバ１１の内壁に温度勾配が形成され、基板Ｗから遠ざかる方向（ピック２４からチャンバ１１の内壁へ向かう方向）への熱泳動力がパーティクルに働く。また、このとき、基板Ｗ上では、材料固有の線膨張係数の違いによって基板Ｗとパーティクルとの界面に互いに離れる方向の熱応力が発生し、この発生した熱応力により、パーティクルが基板Ｗから剥離してリフトアップする。リフトアップしたパーティクルは、上述した熱泳動力によって、ピック２４より温度が低いチャンバ１１の内壁に引き寄せられる。
The
上述のように、基板Ｗ及び搬送アームのピック２４からパーティクルが除去される際の除去メカニズムは、熱応力によってパーティクルが剥離されるパーティクル剥離行程と、熱泳動力によってパーティクルが移動するパーティクル移動行程とで説明することができる。ここで、基板Ｗ上から剥離したパーティクルの初速を１０ｍ／ｓ、チャンバ１１内の圧力を１．３ｋＰａ（１．０Ｔｏｒｒ）と仮定し、下記に示す公知の速度式を用いて基板Ｗ上から剥離したパーティクルの移動速度を計算する。
As described above, the removal mechanism when particles are removed from the substrate W and the
次に、パーティクルの除去メカニズムにおけるパーティクル移動行程と圧力との関係について、以下に説明する。 Next, the relationship between the particle movement process and the pressure in the particle removal mechanism will be described below.
図１の基板搬送装置１０において、排気ライン１５によってチャンバ１１内が減圧されると、チャンバ１１内にはチャンバ１１の内壁とチャンバ内の雰囲気との間において温度跳躍が発生するため、チャンバ１１の内壁に接触しているＮ２ガスの温度がチャンバ１１の内壁温度と異なってくる。ここで、基板Ｗの温度を５００Ｋ、チャンバ１１の内壁温度を３５０Ｋとし、且つ温度跳躍の影響を考慮した場合におけるチャンバ１１内の各所定の圧力に対応する温度勾配を計算した結果を図４に示す。尚、図４中の横軸は、基板Ｗとチャンバ１１の上部内壁との距離を示している。
In the
図４に示すように、チャンバ１１内の希薄度（真空度）が大きい程、すなわち、流れ場の希薄度を表わすクヌッセン数が大きい程温度跳躍、例えば、上記距離が０．００ｍにおける温度勾配の温度と基板Ｗの温度との差が大きくなり、搬送アーム１２のピック２４及びピック２４に載置された基板Ｗとチャンバ１１の内壁との温度差が同じであっても温度勾配は減少する。上述のように、温度勾配は温度跳躍の影響を受けることから、チャンバ１１内の希薄度が大きくなり温度跳躍が大きい程パーティクルに働く熱泳動力は小さくなることが分かる。
As shown in FIG. 4, as the degree of dilution (vacuum degree) in the
図４の結果を考慮して、計算条件を、基板Ｗの温度を６２３．１５Ｋ、チャンバ１１の内壁温度を３３８．１５Ｋ、基板Ｗとチャンバ１１の上部内壁との間隔を３５ｍｍとし、直径約０．６μｍのＳｉＯ２パーティクルに働く熱泳動力の圧力依存性を計算する。その結果、図５に示すように、チャンバ１１内の圧力が１．３×１０−２〜１．３ｋＰａ（０．１〜１０Ｔｏｒｒ）の範囲内においてパーティクルに働く熱泳動力が最大（Ｆ＝１．０×１０−１３［Ｎ］）となる。したがって、チャンバ１１内の圧力を０．０１３〜１．３ｋＰａ（０．１〜１０Ｔｏｒｒ）に制御することにより、基板Ｗに付着したパーティクルをより効果的に除去することができる。
In consideration of the result of FIG. 4, the calculation conditions are as follows: the temperature of the substrate W is 623.15 K, the inner wall temperature of the
本実施の形態によれば、基板Ｗを載置するピック２４に所定の温度勾配が形成されるので、基板Ｗとパーティクルとの界面に発生する熱応力によりパーティクルを基板Ｗから剥離し、基板Ｗから遠ざかる方向へ働く熱泳動力により該パーティクルを基板Ｗから除去することができ、もって基板Ｗに付着したパーティクルを剥離及び除去することができる。また、基板Ｗを基板搬送装置１０に隣接するプラズマ処理装置等に移動する際に、ピック２４により基板Ｗに付着したパーティクルを剥離及び除去することができるので、基板Ｗの連続処理時においても、次の処理に悪影響を与えない基板Ｗを搬送することが可能となる。さらに、基板Ｗの搬送時間を利用することにより、基板搬送装置１０が配設される基板処理システムの稼働率を低下させることなくパーティクルの剥離及び除去を実行することができる。
According to the present embodiment, since a predetermined temperature gradient is formed on the
また、本実施の形態によれば、冷却装置６は、温度センサ８で検出したチャンバ１１の内壁温度に基づいてチャンバ１１内に導入するＮ２ガスを冷却するので、抵抗体２５を制御することによりピック２４を所望の温度まで加熱することができない場合であっても、ピック２４の近傍に温度勾配を形成することができる。
Further, according to the present embodiment, the
図６は、本発明の第２の実施の形態に係る基板搬送装置の構成を概略的に示す図である。 FIG. 6 is a diagram schematically showing the configuration of the substrate transfer apparatus according to the second embodiment of the present invention.
図６の基板搬送装置は、その構成が図１のものと基本的に同じであり、同じ構成要素については同一の参照番号を付して重複した説明を省略し、以下に異なる部分のみを説明する。 6 is basically the same as that of FIG. 1, the same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted, and only different parts are described below. To do.
図６において、基板搬送装置３０は、チャンバ１１内に基板Ｗを搬送する搬送アーム３２を備える。搬送アーム３２は、チャンバ１１の底面に配設されて該底面に対する垂直軸周りに回転自在な回転台２１と、該回転台２１に接続された棒状の第１の腕部材２２と、該第１の腕部材２２に接続された棒状の第２の腕部材２３と、該第２の腕部材２３の他端に接続された、基板Ｗを載置するピック２４とを備える。
In FIG. 6, the
また、搬送アーム３２は、超音波領域の振動、例えば、その周波数が４０ｋＨｚの振動を発生する振動発生部３３と、振動発生部３３に接続されると共にピック２４に固定されている発振部３４とを備える。振動発生部３３が発生する超音波領域の振動の方向は、ピック２４に載置された基板Ｗの主面に垂直な方向に沿っている。尚、振動発生部３３は基板Ｗの主面に垂直な方向に沿って配置したが、任意の方向でよく、基板Ｗの主面に水平な方向に沿って配置してもよい。
The
振動発生部３３は超音波領域の振動を発生し、この発生した振動を発振部３４に伝達することにより搬送アーム３２のピック２４を振動させる。ピック２４に載置された基板Ｗは、ピック２４からの振動が伝達されることにより超音波領域の周波数で振動する。これにより、基板Ｗとパーティクルとの結合力を弱くすることができ、もってパーティクルを基板Ｗから剥離及び除去することができる。
The
本実施の形態によれば、搬送アーム３２は、超音波領域の振動が基板Ｗを載置するピック２４に印加されるので、基板Ｗに超音波領域の振動を印加して基板Ｗとパーティクルとの結合力を弱くすることができ、もって基板Ｗに付着したパーティクルをから剥離及び除去することができる。
According to the present embodiment, since the vibration of the ultrasonic region is applied to the
図７は、本発明の第３の実施の形態に係る基板搬送装置の構成を概略的に示す図である。 FIG. 7 is a diagram schematically showing a configuration of a substrate transfer apparatus according to the third embodiment of the present invention.
図７の基板搬送装置は、その構成が図１のものと基本的に同じであり、同じ構成要素については同一の参照番号を付して重複した説明を省略し、以下に異なる部分のみを説明する。 The substrate transfer apparatus of FIG. 7 is basically the same in configuration as that of FIG. 1, and the same components are denoted by the same reference numerals and redundant description is omitted, and only different parts are described below. To do.
図７おいて、基板搬送装置４０は、チャンバ１１内に基板Ｗを搬送する搬送アーム４２を備える。搬送アーム４２は、チャンバ１１の底面に配設されてチャンバ垂直軸周りに回転自在な回転台２１と、該回転台２１に接続された棒状の第１の腕部材２２と、該第１の腕部材２２に接続された棒状の第２の腕部材２３と、該第２の腕部材２３の他端に接続された、基板Ｗを載置するピック２４と、ピック２４の温度を制御する温度制御装置２８と、超音波領域、例えば、その周波数が４０ｋＨｚの振動を発生する振動発生部３３と、振動発生部３３に接続されると共にピック２４に固定されている発振部３４とを備える。
In FIG. 7, the
温度制御装置２８は、ピック２４とチャンバ１１の内壁に所定の温度勾配を形成する。具体的には、温度制御装置２８は、チャンバ１１の内壁温度を検出する温度センサ８と、搬送アーム４２のピック２４の内部に埋設され且つピック２４を加熱する、例えば、シースヒータ等の抵抗体２５と、第２の腕部材２３、第１の腕部材２２及び回転台２１の内部に配線された電線２６を介して抵抗体２５と接続されると共に抵抗体２５の温度を制御する制御部９とを備える。
The
本実施の形態によれば、基板Ｗを載置するピック２４に所定の温度勾配が形成されると共に、超音波領域の振動が基板Ｗを載置するピック２４に印加されるので、基板Ｗとパーティクルとの界面に発生する熱応力によりパーティクルを基板Ｗから剥離し、基板Ｗから遠ざかる方向へ働く熱泳動力により該パーティクルを基板Ｗから除去することができ、さらに、基板Ｗに超音波領域の振動を印加することにより基板Ｗとパーティクルとの結合力を弱くすることができ、もって基板Ｗに付着したパーティクルを確実に剥離及び除去することができる。
According to the present embodiment, a predetermined temperature gradient is formed on the
上記実施の形態では、チャンバ１１内へ導入されるガスはＮ２ガスであるが、これに限るものではなく、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）、ラドン（Ｒｎ）等の不活性ガスでもよく、また、Ｏ２ガスなどを用いてもよい。
In the above embodiment, the gas introduced into the
上記実施の形態では、シースヒータ等の抵抗体２５によってピック２４を加熱するが、これに限るものではなく、赤外線等のランプを用いてピック２４を加熱してもよい。
In the above embodiment, the
上記実施の形態では、振動発生部３３はその周波数が４０ｋＨｚの振動を発生するが、これに限るものではなく、周波数が１６０００〜１０ＭＨｚの振動を発生するものであってもよい。また、好ましくは、その周波数が、１６０００〜４０ｋＨｚである。
In the above embodiment, the
上記実施の形態では、搬送アーム１２，３２，４２としてスカラアーム式ハンドリング装置が用いられたが、搬送アームの形式はこれに限られず、フロッグレッグ式ハンドリング装置であってもよい。
In the above embodiment, the SCARA arm type handling device is used as the
また、上記実施の形態では、搬送アーム１２，３２，４２は基板Ｗに付着したパーティクルを剥離及び除去するが、これに限るものではなく、パーティクルによって汚染されていない基板の搬送中や基板搬送装置１０，３０，４０のアイドリング時に上記処理が施されることにより、基板へのパーティクル汚染を防止することができる。
In the above embodiment, the
また、上記実施の形態において、上述したように、材料固有の線膨張係数の違いによって発生した熱応力によりパーティクルを基板Ｗから剥離させることができることから、
チャンバ１１内に発生し得るパーティクルの材質を予測することができる場合は、発生し得るパーティクルの線膨張係数と異なる線膨張係数を有する材質でチャンバ１１の内壁及び搬送アーム１２，３２，４２等のチャンバ内パーツを被覆することが好ましい。具体的には、搬送アーム１２，３２，４２が、搬送アーム１２，３２，４２の近傍に発生するパーティクルの線膨張係数と異なる所定の材料から成る表層を有することが好ましい。これにより、チャンバ１１の内壁及び搬送アーム１２，３２，４２等のチャンバ内パーツとパーティクルとの界面に大きな熱応力を発生させることができ、もってチャンバ内パーツに付着したパーティクルを確実に剥離及び除去することができる。
Further, in the above embodiment, as described above, particles can be peeled off from the substrate W by the thermal stress generated by the difference in the linear expansion coefficient inherent to the material.
When the material of particles that can be generated in the
この効果を確認するべく、ＳｉＯ２、Ｓｉ、ＳｉＮ、Ｗ、Ｃｕ、ＰＲ、及びＣＦ系ポリマーで基板を夫々被覆し、上記各種材質で被覆された夫々の基板上にＳｉＯ２粒子を散布し、該基板を加熱したときの基板上におけるＳｉＯ２粒子の除去率を測定したところ、図８に示すように、ＳｉＯ２で被覆された基板ＷにおけるＳｉＯ２粒子の除去率と比較して、テフロン（登録商標）などのＣＦ系ポリマーで被覆された基板Ｗ上におけるＳｉＯ２粒子の除去率が高い。したがって、例えば、ＳｉやＳｉＯ２のパーティクルの発生が予測される場合は、テフロン（登録商標）などのＣＦ系ポリマーでチャンバ内パーツを被覆するのが好ましく、また、ＣＦ系ポリマーがパーティクルとして発生することが予測されている場合は、チャンバ内パーツをＳｉＯ２で被覆することが好ましい。これにより、チャンバ内パーツに付着したパーティクル除去率を高めることができる。尚、基板Ｗの表面を、発生し得るパーティクルの線膨張係数と異なる線膨張係数を有する材質で被覆した場合も同様の効果が得られる。 In order to confirm this effect, each substrate is coated with SiO 2 , Si, SiN, W, Cu, PR, and CF-based polymer, and SiO 2 particles are dispersed on each substrate coated with the various materials, measurement of the rate of removal of SiO 2 particles on the substrate when heating the substrate, as shown in FIG. 8, as compared to the removal rate of SiO 2 particles in the substrate W coated with SiO 2, Teflon ( The removal rate of SiO 2 particles on the substrate W covered with a CF-based polymer such as (registered trademark) is high. Therefore, for example, when generation of particles of Si or SiO 2 is predicted, it is preferable to cover the parts in the chamber with a CF polymer such as Teflon (registered trademark), and the CF polymer is generated as particles. If this is expected, it is preferable to coat the in-chamber parts with SiO 2 . Thereby, the particle removal rate adhering to the in-chamber parts can be increased. The same effect can be obtained when the surface of the substrate W is covered with a material having a linear expansion coefficient different from the linear expansion coefficient of particles that can be generated.
図９は、本発明の第４の実施の形態に係る基板搬送装置を備える基板処理装置の構成を概略的に示す図である。 FIG. 9 is a diagram schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus including a substrate transfer apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.
図９において、基板処理装置としてのプラズマ処理システム５０は、基板Ｗにエッチング処理を施す第１処理ユニット５１及び第２処理ユニット５２と、基板搬出入ステージ５３と、プラズマ処理システム５０の動作を制御する制御ユニット８０とを備える。
In FIG. 9, a
第１処理ユニット５１は、基板Ｗにエッチング処理を施す処理室２ａを有するプラズマ処理装置１ａと、気密に開閉可能なゲート弁５５ａを介してプラズマ処理装置１ａの処理室２ａに接続されて基板Ｗを処理室２ａに搬出入する搬送室５６ａと、気密に開閉可能なゲート弁５７ａを介して搬送室５６ａに接続されて基板Ｗを搬送室５６ａに搬出入するロードロック室５８ａとを備える。尚、第２処理ユニット５２は第１処理室５１と同一構成であるので、第１処理室５１の各構成要素に付された番号と対応する番号を第２処理ユニット５２の各構成要素に付し、その説明を省略する。
The
搬送室５６ａは、パーティクル等のパージ及び真空排気可能に構成されており、搬送室５６ａの内部には、処理室２ａ、ロードロック室５８ａ及び搬送室５６ａの間で基板Ｗの搬出入を行う、例えば、屈伸及び旋回可能な多関節構造のスカラアーム式ハンドリング装置としての搬送アーム５９ａが設けられている。また、搬送アーム５９ａの先端には、基板Ｗを載置可能な載置台６０ａが設けられている。
The
ロードロック室５８ａも、残留物のパージ及び真空排気可能に構成されており、内部には、基板Ｗを載置可能な受渡台６２ａが設けられている。受渡台６２ａには、必要に応じて冷却ジャケットを設けて処理済みのウエハを冷却し、或いは加熱ランプを設けて処理前の基板Ｗを予熱するようにしてもよい。また、受渡台６２ａ自体を複数段構造として複数枚の基板Ｗを載置可能にしてもよい。
The
基板搬出入ステージ５３は、略直方体の箱形状を呈し、その側面において第１処理ユニット５１のロードロック室５８ａ及び第２処理ユニット５２のロードロック室５８ｂと、気密に開閉可能に構成されたゲート弁６４ａ及びゲート弁６４ｂを介して接続されており、また、その一方の端部において、内部に回転載置台７３と基板Ｗの周縁部を光学的に検出する光学センサ７４とを備えた位置合室７２を備える。そして、位置合室７２は基板Ｗのオリエンテーションフラットやノッチ等を光学センサ７４により検出して回転載置台７３により基板Ｗを回転させて位置合わせを行う。
The substrate carry-in / out
また、基板搬出入ステージ５３には、その内部において、その長手方向に沿って配置された図示しない案内レールに沿って移動可能に構成された搬送アーム６５が配設されており、搬送アーム６５は例えば、別々に駆動されるウエハ搬送用の多関節フォーク６６，６７を備え、多関節フォーク６６，６７は屈伸及び旋回可能に構成されている。また、搬送アーム６５は、多関節フォーク６６，６７の先端に夫々基板Ｗを把持可能なアーム６８，６９を夫々備える。
In addition, the substrate carry-in / out
搬送アーム６５は、後述するフープ台５４に載置された基板カセットとしてのフープ７６に収容された基板Ｗを、位置合室７２の回転載置台７３、及びロードロック室５８の受渡台６２上に搬送可能であり、また、受渡台６２上に載置された基板Ｗを回転載置台７３上、及びフープ７６ａ〜７６ｃ内に搬送可能である。尚、フープ７６ａ〜７６ｃは各内部においてスロットを２５個備え、２５枚の基板Ｗが収容可能である。さらに、搬送アーム６５は、第１処理ユニット５１におけるロードロック室５８ａの受渡台６２ａ上に載置された基板Ｗを後述する基板載置室９０に搬送すると共に、該基板載置室９０に載置された基板Ｗを第２処理ユニット５１におけるロードロック室５８ｂの受渡台６２ｂ上に搬送可能である。
The
また、基板搬出入ステージ５３は、ロードロック室５８ａ及びロードロック室５８ｂと接続された側面に対向する側面において、４つの開閉自在な開口部であるポート７７ａ〜７７ｄを有し、ポート７７ａ〜７７ｃの各ポートの位置に対応して、基板搬出入ステージ５３の側面から突出した平台である３つのフープ台５４と、ポート７７ｄの位置に対応して、エッチング処理が施された基板Ｗを一時的に載置する基板搬送装置としての基板載置室９０とを有する。各フープ台５４は、１つのフープ７６が載置される載置面７８と、該載置面７８に載置されたフープ７６の蓋体を開閉するフープオープナー（図示せず）とを有する。
The substrate carry-in / out
図１０は、基板載置室９０の構成を概略的に示す図である。基板載置室９０は、その構成が図１のものと基本的に同じであり、同じ構成要素については同一の参照番号を付して重複した説明を省略し、以下に異なる部分を説明する。
FIG. 10 is a diagram schematically showing the configuration of the
図１０において、基板載置室９０は、パーティクル等のパージ及び真空排気可能に構成されており、アルミニウム又はステンレス鋼製の保安接地された箱状のチャンバ９１（収容室）と、基板Ｗが載置される載置台（載置部）９２と、基板載置室９０の側壁において、ポート７７ｄに接続され、搬送アーム６５が基板Ｗを基板載置室９０内へ搬出入するときに基板Ｗを通過させる搬入出ポート９３と、載置台９２の温度を制御する温度制御装置９４と、超音波領域、例えば、その周波数が４０ｋＨｚの振動を発生する振動発生部９５と、振動発生部９５に接続されると共にピック載置台９２に固定されている発振部９６とを備える。該搬入出ポート９３は開閉自在なポート７７ｄによって密封されている。
In FIG. 10, a
温度制御装置９４は、チャンバ９１の内壁温度を検出する温度センサ９７と、チャンバ９１の上部に配設され且つ載置台９２に載置された基板Ｗに赤外線を放射することにより基板Ｗを加熱するランプ９８と、ランプ９８と電気的に接続されると共にランプ９８の動作を制御する制御部９９とを備える。尚、ランプ９８から放射される光線は、赤外線に限るものではなく、基板Ｗを加熱可能な光線であればよく、また、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜に影響を与えない波長を有する光線であることが好ましい。
The
この制御部９９は、温度センサ９７で検出したチャンバ９１の内壁温度に基づいてランプ９８から放射される赤外線の放射量を制御することにより基板Ｗの温度を制御する。また、載置台９２に基板Ｗが載置されていない場合は、温度センサ９７で検出したチャンバ９１の内壁温度に基づいてランプ９８から放射される赤外線の放射量を制御することにより載置台９２の温度を制御する。これにより、基板Ｗとチャンバ９１の内壁の間、及び載置台９２とチャンバ９１の内壁の間に夫々所定の温度勾配が形成される。また、載置台９２は、チャンバ９１の内壁温度より３０Ｋ以上高い温度に制御されるのが好ましい。
The
上記のように構成されるプラズマ処理システム５０において、フープ７６内の未処理の基板Ｗを処理する際、フープオープナーがフープ７６の蓋体を開き且つ該フープ７６を載置するフープ台５４に対応するポート７７ａ〜７７ｃいずれか１つ又は複数が開口することにより、フープ７６に収容された基板Ｗが搬送アーム６５により搬出され、次いで、位置合室７２、第１処理ユニット５１におけるロードロック室５８ａ及び搬送室５６ａを介して、基板Ｗがプラズマ処理装置１ａの処理室２ａに搬入される。さらに、処理室２ａで所定の処理が施された基板Ｗは、第１処理ユニット５１の搬送室５６ａ及びロードロック室５８ａを介して基板載置室９０に搬送される。
In the
基板載置室９０内に搬入された基板Ｗは、搬送アーム６５により載置台９２に載置され、温度センサ９７で検出したチャンバ９１の内壁温度に基づいてランプ９８から放射される赤外線により加熱される。これにより、基板Ｗ及びチャンバ９１の内壁に所望の温度勾配が形成され、さらに、載置台９２及びチャンバ９１の内壁に所望の温度勾配が形成される。また、基板Ｗは、振動発生部９５により超音波領域の振動が印加される。その後、チャンバ９１内のパーティクルのパージ及び真空排気が行われる。
The substrate W carried into the
チャンバ９１内のパージ及び真空排気が行なわれた後、基板載置室９０内で加熱及び振動印加された基板Ｗは、第２処理ユニット５２におけるロードロック室５８ｂ及び搬送室５６ｂを介してプラズマ処理装置１ｂの処理室２ｂに搬入され、処理室２ｂにおいて所定のプラズマ処理が施される。
After purging and evacuating the
本実施の形態によれば、温度センサ９７で検出したチャンバ９１の内壁温度に基づいてランプ９８から放射される赤外線の放射量が制御され、該光線により加熱された載置部９２及び基板Ｗに所定の温度勾配が形成されるので、第１処理ユニット５１及び第２処理ユニット５２により基板Ｗに施す複数のプロセスの間において、基板Ｗをチャンバ９１内に搬送した場合に、載置台９２に載置された基板とパーティクルとの界面に発生する熱応力によりパーティクルを基板Ｗから剥離し、基板Ｗから遠ざかる方向へ働く熱泳動力により該パーティクルを基板Ｗから除去することができ、もって基板Ｗに付着したパーティクルを確実に剥離及び除去することができる。
According to the present embodiment, the amount of infrared radiation radiated from the
本実施の形態では、独立した基板載置室９０が設けられたが、ロードロック室５８ａ及びロードロック室５８ｂの少なくとも１つが基板載置室として機能してもよい。この場合、基板載置室として機能するロードロック室５８は、基板載置室９０と同様の構成を有する。
In the present embodiment, the independent
また、本実施の形態では、プラズマ処理システム５０は、基板Ｗにエッチング処理を施す第１処理ユニット５１及び第２処理ユニット５２と、基板搬出入ステージ５３とを備え、該基板搬出入ステージ５３は、その側面に基板載置室９０を有するが、これに限るものではなく、図１１に示すように、気密に開閉可能なゲート弁（図示せず）を介して後述する複数のプロセスチャンバに接続され、基板Ｗを複数のプロセスチャンバに搬出入するトランスファモジュール１００と、トランスファモジュール１００内に配置された２つのスカラタイプの搬送アームからなるダブルアームタイプの移載アーム１０１と、トランスファモジュール１００の周りに放射状に配置された５つのプロセスチャンバ１０２Ａ〜１０２Ｅと、気密に開閉可能なゲート弁（図示せず）を介してトランスファモジュール１００に接続され、プロセスチャンバ１０２Ａ〜１０２Ｅによりエッチング処理が施された基板Ｗを一時的に載置する基板搬送室としての基板載置室９０とを備えるものであってもよい。
In the present embodiment, the
図１１に示すプラズマ処理システムでは、未処理の基板Ｗが移載アーム１０１によってトランスファモジュール１００内に搬入され、次いで、プロセスチャンバ１０２Ａ〜１０２Ｅのうち所定のプロセスチャンバ、例えばプロセスチャンバ１０２Ａ内にゲート弁（図示せず）を介して搬入される。さらに、プロセスチャンバ１０２Ａで所定の処理が施された基板Ｗは、移載アーム１０１によってトランスファモジュール１００を介して基板載置室９０に搬送される。
In the plasma processing system shown in FIG. 11, an unprocessed substrate W is carried into the
基板載置室９０内に搬入された基板Ｗは、移載アーム１０１により載置台９２に載置され、温度センサ９７で検出したチャンバ９１の内壁温度に基づいてランプ９８から放射される赤外線により加熱される。これにより、基板Ｗ及びチャンバ９１の内壁に所望の温度勾配が形成され、さらに、載置台９２及びチャンバ９１の内壁に所望の温度勾配が形成される。また、基板Ｗは、振動発生部９５により超音波領域の振動が印加される。その後、チャンバ９１内のパーティクルのパージ及び真空排気が行われる。
The substrate W carried into the
チャンバ９１内のパージ及び真空排気が行なわれた後、基板載置室９０内で加熱及び振動印加された基板Ｗは、移載アーム１０1によってトランスファモジュール１００を介して、他のプロセスチャンバ、例えばプロセスチャンバ１０２Ｂ内に搬入され、プロセスチャンバ１０２Ｂにおいて所定のプラズマ処理が施される。
After purging and evacuating the
尚、基板Ｗが基板載置室９０に搬入されるタイミングは、プロセスチャンバ１０２Ａからプロセスチャンバ１０２Ｂへ搬送されるときに限られず、プロセスチャンバ１０２Ａ〜１０２Ｅのうちいずれか２つのプロセスチャンバ間において、一方のプロセスチャンバから他方のプロセスチャンバへ搬送されるときであってもよく、また、プロセスチャンバ１０２Ａ〜１０２Ｅのうち２つ以上のプロセスチャンバにおける複数の処理が終了した後であってもよい。
Note that the timing at which the substrate W is carried into the
本実施の形態では、温度制御装置９４は、チャンバ９１の上部に配設され且つ載置台９２に載置された基板Ｗに赤外線等を放射することにより基板Ｗを加熱するランプ９８を有するが、これに限るものではなく、載置台９２の内部に埋設され且つ載置台９２及び基板Ｗを加熱する、例えば、シースヒータ等の抵抗体を有していてもよい。これにより、載置台９２の温度が制御され、載置台９２に所定の温度勾配が形成されるので、載置台９２に載置された基板Ｗとパーティクルとの界面に発生する熱応力によりパーティクルを基板Ｗから剥離し、基板Ｗから遠ざかる方向へ働く熱泳動力により該パーティクルを基板Ｗから除去することができ、もって基板Ｗに付着したパーティクルを確実に剥離及び除去することができる。
In the present embodiment, the
本実施の形態において、チャンバ９１内に発生し得るパーティクルの材質を予測することができる場合は、上記第１の実施の形態と同様に、発生し得るパーティクルの線膨張係数と大きく異なる線膨張係数を有する材質でチャンバ９１の内壁及び載置台９２等のチャンバ内パーツを被覆することが好ましい。これにより、チャンバ１１の内壁及び載置台９２等のチャンバ内パーツとパーティクルとの界面に大きな熱応力を発生させることができ、もってチャンバ内パーツに付着したパーティクルを確実に剥離及び除去することができる。
In the present embodiment, when the material of particles that can be generated in the
また、本発明の目的は、前述の各実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、上記システムあるいは装置に供給し、そのシステムのコンピュータ（またはＣＰＵ、ＭＰＵ等）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。 Another object of the present invention is to supply a storage medium storing software program codes for realizing the functions of the above-described embodiments to the system or apparatus, and a computer (or CPU, MPU, etc.) of the system. It is also achieved by reading and executing the program code stored in the storage medium.
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が本発明の新規な機能を実現することになり、そのプログラムコード及び該プログラムコードを記憶した記憶媒体およびプログラムは本発明を構成することになる。 In this case, the program code itself read from the storage medium realizes the novel function of the present invention, and the program code and the storage medium and program storing the program code constitute the present invention. .
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いることができる。或いは、上記プログラムは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることにより供給される。 Examples of the storage medium for supplying the program code include a floppy (registered trademark) disk, a hard disk, an optical disk, a magneto-optical disk, a CD-ROM, a CD-R, a CD-RW, a DVD-ROM, and a DVD-RAM. DVD-RW, DVD + RW, magnetic tape, nonvolatile memory card, ROM, and the like can be used. Alternatively, the program is supplied by downloading from another computer or database (not shown) connected to the Internet, a commercial network, a local area network, or the like.
また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上記の各実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって前述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。 Further, by executing the program code read by the computer, not only the functions of the above-described embodiments are realized, but also an OS (operating system) running on the computer based on an instruction of the program code. Includes a case where the functions of the above-described embodiments are realized by performing part or all of the actual processing.
更に、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張カードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって前述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。 Further, after the program code read from the storage medium is written in a memory provided in a function expansion board inserted into the computer or a function expansion unit connected to the computer, the function expansion is performed based on the instruction of the program code. This includes a case where the CPU or the like provided in the card or the function expansion unit performs part or all of the actual processing, and the functions of the above-described embodiments are realized by the processing.
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。尚、以下の実施例では、基板搬送装置１０及び基板搬送装置３０を想定したプロセス装置のプロセスチャンバにて擬似的に実験を行った。
Next, examples of the present invention will be specifically described. In the following examples, a pseudo experiment was performed in a process chamber of a process apparatus assuming the
先ず、基板搬送装置１０を想定したプロセスチャンバにおいて、粒子径が０．６μｍであるＳｉＯ２パーティクルを予め表面に付着させたＳｉウエハを準備し、プロセスチャンバ内における搬送アームを想定した下部電極上にＳｉウエハを載置した。次に、プロセスチャンバ内の圧力を０．１３ｋＰａ（１．０Ｔｏｒｒ）に制御しながら下部電極を昇温させ、この昇温中にＳｉウエハ上から剥離したＳｉＯ２パーティクルの数（個／分）を測定した。また、基板搬送装置１０の内壁温度とＳｉウエハとの温度差を想定した上部電極の温度とＳｉウエハとの温度差を求めた。
First, in a process chamber assuming the
同様にして、プロセスチャンバ内の圧力を１．３ｋＰａ（１０Ｔｏｒｒ）に制御しながら下部電極を昇温させ、この昇温中にＳｉウエハ上から剥離したＳｉＯ２パーティクルの数（個／分）を測定した。この結果を図１２に示す。 Similarly, the temperature of the lower electrode is raised while controlling the pressure in the process chamber to 1.3 kPa (10 Torr), and the number (number / minute) of SiO 2 particles peeled off from the Si wafer during this temperature rise is measured. did. The result is shown in FIG.
これにより、上部電極の温度とＳｉウエハとの温度差が１５０℃以上であるときに、Ｓｉウエハ上から剥離したＳｉＯ２パーティクル数が急激に増大することが分かった。すなわち、図１２より、プロセスチャンバ内の圧力に対する熱泳動力の効果によって、Ｓｉウエハ上のＳｉＯ２パーティクル剥離量が圧力に依存することが分かった。 Thus, it was found that when the temperature difference between the temperature of the upper electrode and the Si wafer is 150 ° C. or more, the number of SiO 2 particles peeled off from the Si wafer increases rapidly. That is, FIG. 12 shows that the amount of SiO 2 particle peeling on the Si wafer depends on the pressure due to the effect of the thermophoretic force on the pressure in the process chamber.
次に、プロセスチャンバにおいて、粒子径が０．６μｍであるＳｉＯ２パーティクルを予め表面に付着させたＳｉウエハを準備し、下部電極上にＳｉウエハを載置した。次に、下部電極を所定の温度まで加熱し、プロセスチャンバ内の圧力を０．００１３ｋＰａ（０．０１Ｔｏｒｒ）に制御しながら、下部電極上にＳｉウエハを所定時間載置させた。この所定時間中にＳｉウエハ上から剥離したＳｉＯ２パーティクルの数を測定し、この測定結果から、Ｓｉウエハ上のＳｉＯ２パーティクル減少率を求めた。さらに、プロセスチャンバ内の圧力を０．００１３〜１３０ｋＰａ（０．０１〜１０００Ｔｏｒｒ）まで変化させ、同様の測定を行った。この結果を図１３に示す。 Next, in the process chamber, a Si wafer was prepared in which SiO 2 particles having a particle diameter of 0.6 μm were previously attached to the surface, and the Si wafer was placed on the lower electrode. Next, the lower electrode was heated to a predetermined temperature, and the Si wafer was placed on the lower electrode for a predetermined time while controlling the pressure in the process chamber to 0.0013 kPa (0.01 Torr). The number of SiO 2 particles peeled off from the Si wafer during this predetermined time was measured, and the SiO 2 particle reduction rate on the Si wafer was determined from the measurement result. Further, the pressure in the process chamber was changed to 0.0013 to 130 kPa (0.01 to 1000 Torr), and the same measurement was performed. The result is shown in FIG.
これにより、プロセスチャンバ内の圧力を０．０１３〜１３ｋＰａ（０．１〜１００Ｔｏｒｒ）に制御したときに、多くのＳｉＯ２パーティクルをＳｉウエハ上から剥離させることができ、好ましくは、プロセスチャンバ内の圧力を０．１３〜１．３ｋＰａ（１．０〜１０Ｔｏｒｒ）に制御したときに多くのＳｉＯ２パーティクルをＳｉウエハ上から剥離させることができることが分かった。すなわち、Ｓｉウエハの近傍における熱泳動力がプロセスチャンバ内の圧力に依存することにより、Ｓｉウエハに付着したＳｉＯ２パーティクルを更に確実に剥離させることができることが分かった。 Thereby, when the pressure in the process chamber is controlled to 0.013 to 13 kPa (0.1 to 100 Torr), many SiO 2 particles can be peeled off from the Si wafer. It was found that many SiO 2 particles can be peeled off from the Si wafer when the pressure is controlled to 0.13 to 1.3 kPa (1.0 to 10 Torr). That is, it has been found that the thermophoretic force in the vicinity of the Si wafer depends on the pressure in the process chamber, so that the SiO 2 particles adhering to the Si wafer can be more reliably separated.
更に、基板搬送装置３０を想定したプロセスチャンバにおいて、上記実施例と同様に、粒子径が０．６μｍであるＳｉＯ２パーティクルを予め表面に付着させたＳｉウエハを準備し、下部電極上に載置した。次に、プロセスチャンバ内の圧力を１．３ｋＰａ（１０Ｔｏｒｒ）に制御し、Ｓｉウエハを下部電極上に４０分間載置させた後、周波数が４０ｋＨｚの振動をＳｉウエハに印加した。このとき、Ｓｉウエハ上から剥離したＳｉＯ２パーティクルの数を測定した。この結果を図１４に示す。
Further, in the process chamber assuming the
これにより、ＳｉＯ２パーティクルが付着したＳｉウエハに超音波振動を印加することによってより多くのＳｉＯ２パーティクルをＳｉウエハ上から剥離させることができることが分かった。 Thus, it was found that more SiO 2 particles can be peeled off from the Si wafer by applying ultrasonic vibration to the Si wafer to which the SiO 2 particles are adhered.
１０ 基板搬送装置
１１ チャンバ
１２ 搬送アーム
１５ 排気ライン
１８ ガス導入ライン
２１ 回転台
２２ 第１の腕部材
２３ 第２の腕部材
２４ ピック
２８ 温度制御装置
８ 温度センサ
２５ 抵抗体
９ 制御部
DESCRIPTION OF
Claims (63)
基板を載置する載置部と、前記載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部と、前記載置部の温度を制御する温度制御装置とを備え、前記温度制御装置は前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする基板搬送機構。 In the substrate transport mechanism that transports the substrate,
A mounting unit for mounting the substrate, an arm unit connected to the mounting unit and moving the mounting unit, and a temperature control device for controlling the temperature of the mounting unit, the temperature control device comprising: A substrate transport mechanism, wherein a predetermined temperature gradient is formed in the mounting portion.
前記基板搬送機構は、基板を載置する載置部と、該載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部と、前記載置部の温度を制御する温度制御装置を備え、前記温度制御装置は前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする基板搬送装置。 A substrate provided with a storage chamber for storing a substrate, a substrate transport mechanism that is disposed in the storage chamber and transports the substrate, an exhaust unit that exhausts the storage chamber, and a gas introduction unit that introduces gas into the storage chamber In the transport device,
The substrate transport mechanism includes a mounting unit that mounts a substrate, an arm unit that is connected to the mounting unit and moves the mounting unit, and a temperature control device that controls the temperature of the mounting unit. The substrate transport apparatus, wherein the temperature control device forms a predetermined temperature gradient in the mounting portion.
基板を載置する載置部と、前記載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部と、超音波領域の振動を発生する振動発生部と、前記振動発生部に接続されると共に前記載置部に固定されている発振部とを備えることを特徴とする基板搬送機構。 In the substrate transport mechanism that transports the substrate,
A mounting unit for mounting the substrate, an arm unit connected to the mounting unit and moving the mounting unit, a vibration generating unit for generating vibration in an ultrasonic region, and connected to the vibration generating unit And an oscillation unit fixed to the mounting unit.
前記基板搬送機構は、基板を載置する載置部と、前記載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部と、超音波領域の振動を発生する振動発生部と、前記振動発生部に接続されると共に前記載置部に固定されている発振部とを備えることを特徴とする基板搬送装置。 A substrate provided with a storage chamber for storing a substrate, a substrate transport mechanism that is disposed in the storage chamber and transports the substrate, an exhaust unit that exhausts the storage chamber, and a gas introduction unit that introduces gas into the storage chamber In the transport device,
The substrate transport mechanism includes a placement unit for placing a substrate, an arm unit connected to the placement unit and moving the placement unit, a vibration generation unit for generating vibration in an ultrasonic region, and the vibration A substrate transfer apparatus comprising: an oscillation unit connected to the generation unit and fixed to the placement unit.
基板を載置する載置部と、前記載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部と、前記載置部の温度を制御する温度制御装置と、超音波領域の振動を発生する振動発生部と、前記振動発生部に接続されると共に前記載置部に固定されている発振部とを備え、前記温度制御装置は前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする基板搬送機構。 In the substrate transport mechanism that transports the substrate,
A placement unit for placing a substrate, an arm unit connected to the placement unit and moving the placement unit, a temperature control device for controlling the temperature of the placement unit, and vibration in the ultrasonic region are generated And a vibration unit connected to the vibration generation unit and fixed to the mounting unit, and the temperature control device forms a predetermined temperature gradient in the mounting unit. A substrate transport mechanism.
前記基板搬送機構は、基板を載置する載置部と、該載置部に接続され且つ前記載置部を移動する腕部と、前記載置部の温度を制御する温度制御装置と、超音波領域の振動を発生する振動発生部と、前記振動発生部に接続されると共に前記載置部に固定されている発振部とを備え、前記温度制御装置は前記載置部に温度勾配を形成することを特徴とする基板搬送装置。 A substrate provided with a storage chamber for storing a substrate, a substrate transport mechanism that is disposed in the storage chamber and transports the substrate, an exhaust unit that exhausts the storage chamber, and a gas introduction unit that introduces gas into the storage chamber In the transport device,
The substrate transport mechanism includes: a placement unit that places a substrate; an arm unit that is connected to the placement unit and moves the placement unit; a temperature control device that controls a temperature of the placement unit; A vibration generating unit that generates a vibration in a sound wave region; and an oscillation unit that is connected to the vibration generating unit and fixed to the mounting unit. The temperature control device forms a temperature gradient in the mounting unit. A substrate transfer apparatus.
前記載置部の温度を制御する温度制御装置を備え、前記温度制御装置は、前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする基板搬送装置。 A housing chamber for housing the substrate; a placement portion disposed in the housing chamber for placing the substrate; an exhaust portion for exhausting the housing chamber; and a gas introducing portion for introducing gas into the housing chamber. In the substrate transfer device,
A substrate transport apparatus comprising a temperature control device for controlling the temperature of the placement unit, wherein the temperature control device forms a predetermined temperature gradient in the placement unit.
前記載置部の温度を制御する温度制御ステップを有し、前記温度制御ステップは前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とするパーティクル除去方法。 A particle removal method for a substrate transport mechanism, comprising: a placement portion for placing a substrate; and an arm portion connected to the placement portion and moving the placement portion,
A particle removal method comprising: a temperature control step for controlling the temperature of the placement unit, wherein the temperature control step forms a predetermined temperature gradient in the placement unit.
前記載置部の温度を制御する温度制御ステップを有し、前記温度制御ステップは前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とするパーティクル除去方法。 A storage chamber for storing a substrate, a substrate transport mechanism that is disposed in the storage chamber and includes a mounting portion for mounting the substrate, and an arm portion that is connected to the mounting portion and moves the mounting portion; A particle removal method for a substrate transport apparatus, comprising: an exhaust part that exhausts the accommodation chamber; and a gas introduction part that introduces gas into the accommodation chamber,
A particle removal method comprising: a temperature control step for controlling the temperature of the placement unit, wherein the temperature control step forms a predetermined temperature gradient in the placement unit.
超音波領域の振動を前記載置部に印加する振動印加ステップを有することを特徴とするパーティクル除去方法。 A particle removal method for a substrate transport mechanism, comprising: a placement portion for placing a substrate; and an arm portion connected to the placement portion and moving the placement portion,
A particle removing method comprising a vibration applying step of applying vibration of an ultrasonic region to the mounting portion.
超音波領域の振動を前記載置部に印加する振動印加ステップを有することを備えることを特徴とするパーティクル除去方法。 A storage chamber for storing a substrate, a substrate transport mechanism that is disposed in the storage chamber and includes a mounting portion for mounting the substrate, and an arm portion that is connected to the mounting portion and moves the mounting portion; A particle removal method for a substrate transport apparatus, comprising: an exhaust part that exhausts the accommodation chamber; and a gas introduction part that introduces gas into the accommodation chamber,
A particle removing method comprising: a vibration applying step for applying a vibration in an ultrasonic region to the mounting portion.
前記載置部の温度を制御する温度制御ステップと、超音波領域の振動を前記載置部に印加する振動印加ステップとを有し、前記温度制御ステップは前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とするパーティクル除去方法。 A particle removal method for a substrate transport mechanism, comprising: a placement portion for placing a substrate; and an arm portion connected to the placement portion and moving the placement portion,
A temperature control step for controlling the temperature of the mounting portion; and a vibration applying step for applying vibration in an ultrasonic region to the mounting portion. The temperature control step applies a predetermined temperature gradient to the mounting portion. A method for removing particles characterized by forming.
前記載置部の温度を制御する温度制御ステップと、超音波領域の振動を前記載置部に印加する振動印加ステップとを有し、前記温度制御ステップは前記載置部に温度勾配を形成することを特徴とするパーティクル除去方法。 A storage chamber for storing a substrate, a substrate transport mechanism that is disposed in the storage chamber and includes a mounting portion for mounting the substrate, and an arm portion that is connected to the mounting portion and moves the mounting portion; A particle removal method for a substrate transport apparatus, comprising: an exhaust part that exhausts the accommodation chamber; and a gas introduction part that introduces gas into the accommodation chamber,
A temperature control step for controlling the temperature of the mounting portion; and a vibration applying step for applying vibration of an ultrasonic region to the mounting portion. The temperature control step forms a temperature gradient in the mounting portion. A particle removal method characterized by the above.
前記載置部の温度を制御する温度制御ステップを有し、前記温度制御ステップは、前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とするパーティクル除去方法。 A housing chamber for housing the substrate; a placement portion disposed in the housing chamber for placing the substrate; an exhaust portion for exhausting the housing chamber; and a gas introducing portion for introducing gas into the housing chamber. A method for removing particles of a substrate transport device, comprising:
A particle removal method comprising: a temperature control step for controlling the temperature of the placement unit, wherein the temperature control step forms a predetermined temperature gradient in the placement unit.
前記載置部の温度を制御する温度制御モジュールを有し、前記温度制御モジュールは前記載置部に所定の温度勾配を形成し、
前記温度制御モジュールは、外部周囲の温度を検出する検出モジュールと、該検出モジュールにより検出された外部周囲の温度に基づいて前記載置部を加熱する加熱モジュールとを有することを特徴とするプログラム。 A program for causing a computer to execute a particle removal method of a substrate transport mechanism including a placement portion for placing a substrate and an arm portion connected to the placement portion and moving the placement portion,
A temperature control module for controlling the temperature of the placement unit, the temperature control module forms a predetermined temperature gradient in the placement unit;
The temperature control module includes a detection module that detects a temperature of an external ambient, and a heating module that heats the mounting unit based on the temperature of the external ambient detected by the detection module.
前記載置部の温度を制御する温度制御モジュールと、前記検出ステップにより検出された前記収容室内の温度に基づいて、前記導入する所定のガスの温度を制御する気体温度制御モジュールとを有し、
前記温度制御モジュールは前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とするプログラム。 A storage chamber for storing a substrate, a substrate transport mechanism that is disposed in the storage chamber and includes a mounting portion for mounting the substrate, and an arm portion that is connected to the mounting portion and moves the mounting portion; A program for causing a computer to execute a particle removal method for a substrate transport apparatus, comprising: an exhaust unit that exhausts the accommodation chamber; and a gas introduction unit that introduces gas into the accommodation chamber,
A temperature control module for controlling the temperature of the placement unit, and a gas temperature control module for controlling the temperature of the predetermined gas to be introduced based on the temperature of the accommodation chamber detected by the detection step;
The temperature control module forms a predetermined temperature gradient in the mounting portion.
前記載置部の温度を制御する温度制御モジュールと、超音波領域の振動を前記載置部に印加する振動印加モジュールとを有し、前記温度制御モジュールは前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とするプログラム。 A program for causing a computer to execute a particle removal method of a substrate transport mechanism including a placement portion for placing a substrate and an arm portion connected to the placement portion and moving the placement portion,
A temperature control module that controls the temperature of the mounting unit; and a vibration application module that applies vibration in an ultrasonic region to the mounting unit. The temperature control module applies a predetermined temperature gradient to the mounting unit. A program characterized by forming.
前記載置部の温度を制御する温度制御モジュールを有し、前記温度制御モジュールは前記載置部に所定の温度勾配を形成し、
前記温度制御モジュールは、外部周囲の温度を検出する検出モジュールと、該検出モジュールにより検出された外部周囲の温度に基づいて前記載置部を加熱する加熱モジュールとを有することを特徴とする記憶媒体。 A storage medium for storing a program for causing a computer to execute a particle removal method of a substrate transport mechanism, comprising: a placement portion for placing a substrate; and an arm portion connected to the placement portion and moving the placement portion. And the program is
A temperature control module for controlling the temperature of the placement unit, the temperature control module forms a predetermined temperature gradient in the placement unit;
The temperature control module includes a detection module that detects an external ambient temperature, and a heating module that heats the mounting unit based on the external ambient temperature detected by the detection module. .
前記載置部の温度を制御する温度制御モジュールと、前記検出ステップにより検出された前記収容室内の温度に基づいて、前記導入する所定のガスの温度を制御する気体温度制御モジュールとを有し、
前記温度制御モジュールは前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする記憶媒体。 A storage chamber for storing a substrate, a substrate transport mechanism that is disposed in the storage chamber and includes a mounting portion for mounting the substrate, and an arm portion that is connected to the mounting portion and moves the mounting portion; A storage medium for storing a program for causing a computer to execute a particle removal method of a substrate transfer apparatus, comprising: an exhaust unit that exhausts the accommodation chamber; and a gas introduction unit that introduces gas into the accommodation chamber, wherein the program is ,
A temperature control module for controlling the temperature of the placement unit, and a gas temperature control module for controlling the temperature of the predetermined gas to be introduced based on the temperature of the accommodation chamber detected by the detection step;
The storage medium according to claim 1, wherein the temperature control module forms a predetermined temperature gradient in the mounting portion.
前記載置部の温度を制御する温度制御モジュールと、超音波領域の振動を前記載置部に印加する振動印加モジュールとを有し、前記温度制御モジュールは前記載置部に所定の温度勾配を形成することを特徴とする記憶媒体。 A storage medium for storing a program for causing a computer to execute a particle removal method of a substrate transport mechanism, comprising: a placement portion for placing a substrate; and an arm portion connected to the placement portion and moving the placement portion. And the program is
A temperature control module that controls the temperature of the mounting unit; and a vibration application module that applies vibration in an ultrasonic region to the mounting unit. The temperature control module applies a predetermined temperature gradient to the mounting unit. A storage medium characterized by being formed.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004316921A JP4623715B2 (en) | 2004-05-13 | 2004-10-29 | Substrate transport mechanism and substrate transport apparatus including the substrate transport mechanism |
| US11/128,256 US7748138B2 (en) | 2004-05-13 | 2005-05-13 | Particle removal method for a substrate transfer mechanism and apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004144013 | 2004-05-13 | ||
| JP2004316921A JP4623715B2 (en) | 2004-05-13 | 2004-10-29 | Substrate transport mechanism and substrate transport apparatus including the substrate transport mechanism |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005354025A true JP2005354025A (en) | 2005-12-22 |
| JP2005354025A5 JP2005354025A5 (en) | 2007-11-08 |
| JP4623715B2 JP4623715B2 (en) | 2011-02-02 |
Family
ID=35588194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004316921A Expired - Fee Related JP4623715B2 (en) | 2004-05-13 | 2004-10-29 | Substrate transport mechanism and substrate transport apparatus including the substrate transport mechanism |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4623715B2 (en) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227626A (en) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Tokyo Electron Ltd | System and method for processing substrate, and storage medium |
| JP2007266261A (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | Conveyance pick, conveyer device, substrate processing apparatus and cleaning method of the conveyance pick |
| JP2008028140A (en) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Hitachi High-Technologies Corp | Semiconductor production apparatus |
| WO2008093787A1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate treating apparatus and method of preventing particle adhesion |
| JP2009032877A (en) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | Substrate conveyance module and substrate processing system |
| JP2010103443A (en) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | Vacuum exhaust method for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus |
| JP2010103444A (en) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | Substrate cleaning method and apparatus |
| JP2010099617A (en) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for collecting particles |
| WO2011035041A2 (en) * | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate transfer mechanism with preheating features |
| JP2011100901A (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Nikon Corp | Method of manufacturing semiconductor device, and transport device |
| WO2014112628A1 (en) * | 2013-01-21 | 2014-07-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Apparatus and method for processing sample, and charged particle radiation apparatus |
| JP2016175159A (en) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | リンテック株式会社 | Transport device and transport method |
| CN106558517A (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-05 | 株式会社日立国际电气 | The manufacture method of lining processor and semiconductor device |
| WO2018030255A1 (en) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 近藤工業株式会社 | Semiconductor manufacturing apparatus |
| WO2018154993A1 (en) * | 2017-02-24 | 2018-08-30 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate treatment system |
| KR20210024332A (en) * | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 세메스 주식회사 | Substrate transporting apparatus and substrate treatment system including the same |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0241375A (en) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Tokyo Cosmos Electric Co Ltd | Shielding ink for transparent electrode |
| JPH0394445A (en) * | 1989-09-06 | 1991-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor wafer transfer system |
| JPH04372385A (en) * | 1991-06-20 | 1992-12-25 | Tooyoko Chikiyuu Kankyo Kenkyusho:Kk | Wafer carrier robot |
| JPH08330377A (en) * | 1995-05-29 | 1996-12-13 | Hitachi Ltd | Substrate transfer device and semiconductor manufacture |
| JPH11102951A (en) * | 1997-09-25 | 1999-04-13 | Tokyo Electron Ltd | Processor |
| WO2002041375A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Nikon Corporation | Method and device for transfer, method and device for exposure, and method of manufacturing device |
| JP2002359180A (en) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | Gas circulation system |
| JP2003017478A (en) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Tokyo Electron Ltd | Vacuum treatment apparatus and method |
| JP2003224079A (en) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Heat treating method, heat treating device and manufacturing method for silicon epitaxial wafer |
| JP2005093968A (en) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Kazumasa Onishi | Vacuum chuck |
-
2004
- 2004-10-29 JP JP2004316921A patent/JP4623715B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0241375A (en) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Tokyo Cosmos Electric Co Ltd | Shielding ink for transparent electrode |
| JPH0394445A (en) * | 1989-09-06 | 1991-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor wafer transfer system |
| JPH04372385A (en) * | 1991-06-20 | 1992-12-25 | Tooyoko Chikiyuu Kankyo Kenkyusho:Kk | Wafer carrier robot |
| JPH08330377A (en) * | 1995-05-29 | 1996-12-13 | Hitachi Ltd | Substrate transfer device and semiconductor manufacture |
| JPH11102951A (en) * | 1997-09-25 | 1999-04-13 | Tokyo Electron Ltd | Processor |
| WO2002041375A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Nikon Corporation | Method and device for transfer, method and device for exposure, and method of manufacturing device |
| JP2002359180A (en) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | Gas circulation system |
| JP2003017478A (en) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Tokyo Electron Ltd | Vacuum treatment apparatus and method |
| JP2003224079A (en) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Heat treating method, heat treating device and manufacturing method for silicon epitaxial wafer |
| JP2005093968A (en) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Kazumasa Onishi | Vacuum chuck |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227626A (en) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Tokyo Electron Ltd | System and method for processing substrate, and storage medium |
| JP2007266261A (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | Conveyance pick, conveyer device, substrate processing apparatus and cleaning method of the conveyance pick |
| JP2008028140A (en) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Hitachi High-Technologies Corp | Semiconductor production apparatus |
| KR101176764B1 (en) | 2007-01-31 | 2012-08-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate treating apparatus and method of preventing particle adhesion |
| WO2008093787A1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate treating apparatus and method of preventing particle adhesion |
| JP2008211196A (en) * | 2007-01-31 | 2008-09-11 | Tokyo Electron Ltd | Device for treating substrate and method of preventing adhesion of particles |
| US8950999B2 (en) | 2007-01-31 | 2015-02-10 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and particle adhesion preventing method |
| KR101177170B1 (en) * | 2007-01-31 | 2012-08-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate treating apparatus and method of preventing particle adhesion |
| JP2009032877A (en) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | Substrate conveyance module and substrate processing system |
| US8257498B2 (en) | 2007-07-26 | 2012-09-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate transfer module and substrate processing system |
| JP2010099617A (en) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for collecting particles |
| JP2010103444A (en) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | Substrate cleaning method and apparatus |
| JP2010103443A (en) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | Vacuum exhaust method for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus |
| WO2011035041A2 (en) * | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate transfer mechanism with preheating features |
| WO2011035041A3 (en) * | 2009-09-16 | 2011-08-18 | Applied Materials, Inc. | Substrate transfer mechanism with preheating features |
| JP2011100901A (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Nikon Corp | Method of manufacturing semiconductor device, and transport device |
| WO2014112628A1 (en) * | 2013-01-21 | 2014-07-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Apparatus and method for processing sample, and charged particle radiation apparatus |
| US9666408B2 (en) | 2013-01-21 | 2017-05-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Apparatus and method for processing sample, and charged particle radiation apparatus |
| JP2016175159A (en) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | リンテック株式会社 | Transport device and transport method |
| KR101849450B1 (en) * | 2015-09-29 | 2018-04-16 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
| CN106558517A (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-05 | 株式会社日立国际电气 | The manufacture method of lining processor and semiconductor device |
| WO2018030255A1 (en) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 近藤工業株式会社 | Semiconductor manufacturing apparatus |
| KR20190035708A (en) * | 2016-08-09 | 2019-04-03 | 콘도 고교 가부시키가이샤 | Semiconductor manufacturing equipment |
| KR102384265B1 (en) * | 2016-08-09 | 2022-04-06 | 캠브리지 필터 코포레이션 가부시키가이샤 | semiconductor manufacturing equipment |
| WO2018154993A1 (en) * | 2017-02-24 | 2018-08-30 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate treatment system |
| KR20190117685A (en) * | 2017-02-24 | 2019-10-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing system |
| JPWO2018154993A1 (en) * | 2017-02-24 | 2019-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing system |
| KR102534203B1 (en) * | 2017-02-24 | 2023-05-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | substrate handling system |
| KR20210024332A (en) * | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 세메스 주식회사 | Substrate transporting apparatus and substrate treatment system including the same |
| KR102322826B1 (en) * | 2019-08-22 | 2021-11-05 | 세메스 주식회사 | Substrate transporting apparatus and substrate treatment system including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4623715B2 (en) | 2011-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7748138B2 (en) | Particle removal method for a substrate transfer mechanism and apparatus | |
| JP4623715B2 (en) | Substrate transport mechanism and substrate transport apparatus including the substrate transport mechanism | |
| US7654010B2 (en) | Substrate processing system, substrate processing method, and storage medium | |
| JP5511536B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
| JP2000124195A (en) | Surface treatment method and device | |
| JP2011049570A (en) | Substrate processing apparatus, and semiconductor device manufacturing method | |
| JP6213487B2 (en) | Method of operating vertical heat treatment apparatus, storage medium, and vertical heat treatment apparatus | |
| JP2011061037A (en) | Substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device | |
| KR100900594B1 (en) | Substrate processing system, substrate processing method, and storage medium | |
| TW201929032A (en) | Particle generation preventing method and vacuum apparatus | |
| JP2007335500A (en) | Temperature control method of substrate processor | |
| TW202024374A (en) | Film formation apparatus applied to sputtering process with enhanced cooling efficiency | |
| JP2009200142A (en) | Film forming device and film forming method | |
| JP3500455B2 (en) | Processing equipment | |
| JP2010225847A (en) | Vacuum processing apparatus, pressure reduction processing method, and substrate processing method | |
| JP2003059998A (en) | Tray-type multi-chamber substrate treating system and tray-type substrate treating system | |
| JP2015070097A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JPH10233389A (en) | Semiconductor treatment apparatus and its cleaning method as well as manufacture of semiconductor device | |
| JPH09143674A (en) | Film forming device and using method therefor | |
| JP3160691B2 (en) | Processing equipment | |
| JP4083306B2 (en) | Rinsing method after plasma treatment | |
| JPS6360529A (en) | Plasma processing method | |
| JP4319287B2 (en) | Processing equipment | |
| JP2626782B2 (en) | Vacuum processing equipment | |
| JPH10255972A (en) | Manufacture of organic electroluminescent element, and its manufacturing device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060427 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070926 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070926 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100408 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100420 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100615 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101028 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101101 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4623715 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131112 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |