KR100900594B1 - Substrate processing system, substrate processing method, and storage medium - Google Patents

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KR100900594B1 KR1020070014540A KR20070014540A KR100900594B1 KR 100900594 B1 KR100900594 B1 KR 100900594B1 KR 1020070014540 A KR1020070014540 A KR 1020070014540A KR 20070014540 A KR20070014540 A KR 20070014540A KR 100900594 B1 KR100900594 B1 KR 100900594B1
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가즈야 나가세키
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 스루풋을 저하시키는 일 없이 양품률을 높일 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 시스템(1)은 대기계(大氣系) 반송 장치(3) 내에 반송 암(52)과 가스 공급계(60)를, 로드록실(4) 내에 탑재·이송 암(70)과 가스 공급계(72)를 구비한다. 대기계 반송 장치(3) 내에 있어서, 가스 공급계(60)는 히팅 유닛(62)에 의해 가열된 고온 가스를 반송 암(52) 및 반송 암(52)에 의해 반송되고 있는 웨이퍼 W에 분사한다. 또한, 로드록실(4) 내에 있어서, 가스 공급계(72)는 히팅 유닛(76)에 의해 가열된 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스를 탑재·이송 암(70) 및 탑재·이송 암(70)에 의해서 반송되고 있는 웨이퍼 W에 분사한다.

Figure R1020070014540

The present invention provides a substrate processing method capable of increasing a yield without lowering throughput. The substrate processing system 1 mounts the transfer arm 52 and the gas supply system 60 in the atmospheric system conveying apparatus 3 in the load lock chamber 4, and the transfer arm 70 and the gas supply system. 72 is provided. In the atmospheric conveyance apparatus 3, the gas supply system 60 injects the hot gas heated by the heating unit 62 to the conveyance arm 52 and the wafer W conveyed by the conveyance arm 52. . In addition, in the load lock chamber 4, the gas supply system 72 mounts and transfers an arm 70 and an inert gas such as a high temperature N 2 gas heated by the heating unit 76, and mounts and transfers an arm 70. Spray onto the wafer W being conveyed by "

Figure R1020070014540

Description

기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM}Substrate Processing System, Substrate Processing Method and Storage Media {SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM}

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 기판 처리 시스템의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도,1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a substrate processing system according to a first embodiment of the present invention;

도 2는 도 1에 있어서의 P/M의 개략 구성을 나타내는 단면도,2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a P / M in FIG. 1;

도 3은 도 1에 있어서의 L/M 내의 반송 암에 있어서의 픽의 개략 형상을 나타내는 도면으로서, (a)는 픽에 웨이퍼가 탑재된 상태에서의 평면도, (b)는 픽상의 테이퍼 패드 부근의 확대 부분 사시도,FIG. 3 is a view showing a schematic shape of a pick in a transfer arm in L / M in FIG. 1, (a) is a plan view in a state where a wafer is mounted on a pick, and (b) is near a taper pad on a pick Enlarged partial perspective view of,

도 4는 열응력을 이용한 테이퍼 패드로부터의 이물질의 제거 방법을 나타내는 공정도,4 is a process chart showing a method for removing foreign matter from the tapered pad using thermal stress;

도 5는 웨이퍼에 남는 워터마크를 설명하는 도면,5 is a view for explaining a watermark remaining on a wafer;

도 6은 열응력을 이용한 웨이퍼상의 흡착 분자의 제거 방법을 나타내는 공정도이다.6 is a process chart showing a method of removing adsorbed molecules on a wafer using thermal stress.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

W : 웨이퍼 1 : 기판 처리 시스템W: Wafer 1: Substrate Processing System

2 : 기판 처리 장치 3 : 대기계 반송 장치2 substrate processing apparatus 3 atmospheric system conveying apparatus

4 : 로드록실 10, 71 : 챔버4: load lock chamber 10, 71: chamber

34 : 가스 도입 샤워 헤드 43, 62, 76 : 히팅 유닛34: gas introduction shower head 43, 62, 76: heating unit

51 : 대기 로더 모듈 52 : 반송 암51: standby loader module 52: conveyance arm

54, 74 : 픽 54a, 74a : 테이퍼 패드54, 74: Pick 54a, 74a: Taper Pad

60, 72 : 가스 공급계 70 : 탑재·이송 암60, 72: gas supply system 70: mounting and transfer arm

80 : 브레이크 필터80: brake filter

본 발명은 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing system, a substrate processing method and a storage medium.

기판으로부터 반도체 디바이스나, 예컨대, 액정 표시 장치 등의 FPD(Flat Panel Display)를 제조하는 공정에서는, 제조 장치 밖으로부터 혼입되거나, 또는 제조 장치 내에서 발생하는 미립자(이물질)에 의해 기판이 오염되는 것을 방지하는 것이 과제로 되고 있다. 특히, 그 제조 장치가 구비하는 감압 처리실에 마련된 탑재대가 이물질에 의해 오염되어 있으면, 그 위에 탑재된 기판의 이면에 이물질이 부착되어, 다음 공정에 있어서 오염이 확대되고, 최종적으로 제조되는 반도체 디바이스의 양품률이 저하한다.In the process of manufacturing a semiconductor device or a flat panel display (FPD) such as, for example, a liquid crystal display, from a substrate, it is known that the substrate is contaminated by particles (foreign substances) mixed in from the outside of the manufacturing apparatus or generated in the manufacturing apparatus. Preventing has become a problem. In particular, if the mounting table provided in the decompression processing chamber of the manufacturing apparatus is contaminated with foreign matter, foreign matter adheres to the back surface of the substrate mounted thereon, the contamination is expanded in the next step, and finally Yield decreases.

이러한 이물질은 감압 처리실 밖으로부터 유입되는 것, 감압 처리실 내에 있어서 탑재대와 기판의 접촉에 의해 박리된 것, 또는 반응성 가스에 의한 생성물이 퇴적된 것 등이 상정된다.Such foreign matters are assumed to be introduced from outside the decompression treatment chamber, to be peeled off by contact between the mounting table and the substrate in the decompression treatment chamber, or to deposit a product by a reactive gas.

그래서, 최근에, 본 출원인은 감압 처리실 내의 탑재대의 온도를 제어하여, 그 탑재대의 온도를 통상 사용 온도로부터 충분히 높게 또는 낮게 해서, 열응력에 의해 그 탑재대에 부착된 이물질의 박리를 유발시키는 방법을 제안하고, 또한, 탑재대를 고온으로 유지함과 아울러 소정의 압력을 유지함으로써 발생하는 열 영동력에 의해 그 탑재대에 부착된 이물질을 탑재대로부터 비산시키는 방법을 제안했다(예컨대, 특허문헌 1 참조).Therefore, in recent years, the present applicant controls the temperature of the mounting table in the decompression treatment chamber, and the temperature of the mounting table is sufficiently high or low from the normal use temperature to cause peeling of foreign matter adhering to the mounting table by thermal stress. And a method of dispersing foreign matter adhered to the mounting table from the mounting table by the thermophoretic force generated by maintaining the mounting table at a high temperature and maintaining a predetermined pressure (for example, Patent Document 1). Reference).

(특허문헌 1) 일본 특허 출원 제 2004-218939호(Patent Document 1) Japanese Patent Application No. 2004-218939

그러나, 기판은 감압 처리실 내에서 발생하는 이물질 등, 예컨대, 그 기판이 탑재되는 탑재대에 부착된 이물질에 의해 오염될 뿐만 아니라, 기판을 반송하는 반송 공정에 있어서도 오염된다. 이것은 특히, 기판을 반송하는 반송 암 상에 부착된 이물질의 부착에 의해 발생한다. 그 반송 암 상에 부착된 이물질을 제거하기 위해서는, 반송 암, 나아가서는 반송 처리실의 가동을 정지하지 않으면 안되고, 특히, 복수의 처리실에 접속된 반송 처리실의 가동을 정지하기 위해서는 모든 처리실의 가동을 정지하지 않으면 안되어, 현저히 스루풋이 저하한다.However, the substrate is not only contaminated by foreign matters generated in the decompression processing chamber, for example, by foreign matters attached to the mounting table on which the substrate is mounted, but also in the conveyance step of conveying the substrate. This is especially caused by the adhesion of foreign matter adhering on the transport arm for transporting the substrate. In order to remove the foreign matter adhering on the transfer arm, the operation of the transfer arm, and thus the transfer processing chamber, must be stopped. In particular, the operation of all the processing chambers is stopped to stop the operation of the transfer processing chamber connected to the plurality of processing chambers. You must do so, and throughput drops significantly.

본 발명의 목적은 스루풋을 저하시키는 일 없이 양품률을 높일 수 있는 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing system, a substrate processing method and a storage medium which can increase the yield rate without lowering the throughput.

상기 목적을 달성하기 위해, 제 1 측면에 따른 기판 처리 방법은 적어도, 기판을 처리하는 기판 처리 장치와, 상기 기판을 반송하는 반송 수단을 갖는 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 반송 수단 및 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 고온 가스를 분사하는 분사 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the substrate processing method according to the first aspect includes at least a substrate processing method of a substrate processing system including a substrate processing apparatus for processing a substrate and a substrate transfer apparatus having a transfer means for transferring the substrate. An injecting step of injecting hot gas into at least one of the conveying means and the substrate conveyed by the conveying means is characterized.

제 2 측면에 따른 기판 처리 방법은 제 1 측면에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 상기 분사 단계는 상기 반송 수단에 의한 상기 기판의 반송 전에, 상기 반송 수단에 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.The substrate processing method according to the second aspect is the substrate processing method according to the first aspect, wherein the spraying step injects hot gas into the conveying means before conveying the substrate by the conveying means.

제 3 측면에 따른 기판 처리 방법은 제 1 측면 또는 제 2 측면에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 상기 고온 가스는 상기 반송 수단 및 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 부착된 이물질에 대하여 열응력을 발생시키는 것을 특징으로 한다.The substrate processing method according to the third aspect is the substrate processing method according to the first side or the second side, wherein the hot gas is provided with respect to the foreign matter adhered to at least one side of the substrate being conveyed by the conveying means and the conveying means. It is characterized by generating a thermal stress.

제 4 측면에 따른 기판 처리 방법은 제 1 측면 또는 제 2 측면에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 상기 반송 수단은 상기 기판과 접촉하는 접촉부를 갖고, 상기 분사 단계는 상기 접촉부를 향하여 상기 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.A substrate processing method according to a fourth aspect is the substrate processing method according to the first side or the second side, wherein the conveying means has a contact portion in contact with the substrate, and the spraying step injects the hot gas toward the contact portion. Characterized in that.

제 5 측면에 따른 기판 처리 방법은 제 1 측면 또는 제 2 측면에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 상기 분사 단계는 상기 반송 수단에 의한 상기 기판의 상기 기판 처리 장치로의 반송 전에, 상기 기판에 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.The substrate processing method according to the fifth aspect is the substrate processing method according to the first side or the second side, wherein the spraying step is performed by transferring the substrate to the substrate processing apparatus by the conveying means before the substrate is heated to the substrate. It characterized in that to spray.

제 6 측면에 따른 기판 처리 방법은 제 1 측면 또는 제 2 측면에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판의 면에는 수분이 부착되고, 상기 분사 단계는 상기 기판의 면을 향하여 상기 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing method according to the sixth aspect, the substrate processing method according to the first side or the second side, wherein moisture is attached to the surface of the substrate, and the spraying step injects the hot gas toward the surface of the substrate. It is characterized by.

제 7 측면에 따른 기판 처리 방법은 제 1 측면 또는 제 2 측면에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판 처리 장치는 상기 기판을 수용하는 처리실을 갖고, 상기 분사 단계는 상기 처리실 내를 향하여 상기 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.A substrate processing method according to a seventh aspect is the substrate processing method according to the first side or the second side, wherein the substrate processing apparatus has a processing chamber accommodating the substrate, and the spraying step is performed in the processing chamber toward the hot gas. It characterized in that to spray.

제 8 측면에 따른 기판 처리 방법은 제 1 측면 또는 제 2 측면에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판 처리 장치는 상기 기판을 수용하는 처리실을 갖고, 상기 기판의 면에는 흡착 분자가 부착되며, 상기 분사 단계는 상기 처리실 내에 수용된 상기 기판의 면을 향하여 상기 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.The substrate processing method according to the eighth aspect is the substrate processing method according to the first side or the second side, wherein the substrate processing apparatus has a processing chamber accommodating the substrate, and adsorbing molecules are attached to the surface of the substrate. In the spraying step, the hot gas is sprayed toward the surface of the substrate accommodated in the processing chamber.

상기한 목적을 달성하기 위해, 제 9 측면에 따른 기판 처리 시스템은 적어도, 기판을 처리하는 기판 처리 장치와, 상기 기판을 반송하는 반송 수단을 갖는 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템에 있어서, 상기 기판 반송 장치는 상기 반송 수단 및 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 고온 가스를 분사하는 분사 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a substrate processing system according to a ninth aspect includes at least a substrate processing apparatus having a substrate processing apparatus for processing a substrate and a substrate conveying apparatus having a conveying means for conveying the substrate, wherein The board | substrate conveying apparatus is equipped with the said conveying means and the injection means which injects hot gas in at least one of the board | substrate conveyed by the conveying means, It is characterized by the above-mentioned.

상기한 목적을 달성하기 위해, 제 10 측면에 따른 기억 매체는 적어도, 기판을 처리하는 기판 처리 장치와, 상기 기판을 반송하는 반송 수단을 갖는 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 기판 처리 방법을 컴퓨터에게 실행시키는 프로그램을 저장하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서, 상기 반송 수단 및 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 고온 가스를 분사하는 분사 모듈을 갖는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the storage medium according to the tenth aspect includes at least a substrate processing method of a substrate processing system including a substrate processing apparatus for processing a substrate and a substrate transfer apparatus having a transfer means for transferring the substrate. A computer-readable storage medium for storing a program to be executed by a computer, characterized by comprising a dispensing module for injecting hot gas into at least one of the conveying means and the substrate conveyed by the conveying means.

이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring drawings.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows schematic structure of the substrate processing system which concerns on Example 1 of this invention.

도 1에 있어서, 기판 처리 시스템(1)은 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 「웨이퍼」라고 함) W에 RIE(Reactive Ion Etching) 처리나 애싱 처리 등의 플라즈마 처리를 실시하는 후술하는 도 2의 기판 처리 장치(Process Module)(이하, 「P/M」이라고 함)(2)와, 웨이퍼 W를 수용하는 용기로서의 후프(Front Opening Unified Pod)(5)로부터 웨이퍼 W를 추출하는 대기계 반송 장치(3)와, 이 대기계 반송 장치(3)와 P/M(2)의 사이에 배치되어, 대기계 반송 장치(3)로부터 P/M(2)으로, 또는 P/M(2)으로부터 대기계 반송 장치(3)로 웨이퍼 W를 반출입하는 로드록실(Load-Lock Module)(이하, 「LL/M」이라고 함)(4)을 구비한다.In FIG. 1, the substrate processing system 1 of FIG. 2 mentioned later which performs plasma processing, such as a reactive ion etching (RIE) process and ashing process, to the semiconductor wafer (henceforth a "wafer") W as a board | substrate. Atmospheric conveyance apparatus which extracts wafer W from the substrate processing apparatus (hereinafter referred to as "P / M") 2 and the hoop (Front Opening Unified Pod) 5 as a container for holding the wafer W. (3) and between the atmospheric system conveying apparatus 3 and the P / M 2, from the atmospheric system conveying apparatus 3 to the P / M 2 or from the P / M 2; A load-lock module (hereinafter referred to as "LL / M") 4 for carrying the wafer W in and out of the atmospheric system conveying apparatus 3 is provided.

P/M(2) 및 LL/M(4)의 내부는 진공 흡입 가능하게 구성되어, 대기계 반송 장치(3)의 내부는 상시 대기압으로 유지된다. 또한, P/M(2) 및 LL/M(4), 및 LL/M(4) 및 대기계 반송 장치(3)는 각기 게이트 밸브(6, 7)에 의해 접속된다. 이 게이트 밸브(6, 7)는 개폐가 자유로우며, P/M(2)과 LL/M(4), 및 LL/M(4)과 대기계 반송 장치(3)의 사이를 연통하거나 또는 차단한다. 또한, LL/M(4)의 내부 및 대기계 반송 장치(3)의 내부는 도중에 개폐가 자유로운 밸브(8)가 배치된 연통관(9)에 의해서도 접속된다.The insides of the P / M 2 and the LL / M 4 are configured to be vacuum suction, and the inside of the atmospheric transfer device 3 is always maintained at atmospheric pressure. In addition, the P / M 2 and LL / M 4, and the LL / M 4 and the atmospheric transfer device 3 are connected by the gate valves 6 and 7, respectively. The gate valves 6 and 7 are free to open and close, and communicate or cut off between the P / M 2 and the LL / M 4 and between the LL / M 4 and the atmospheric transfer device 3. do. In addition, the inside of the LL / M 4 and the inside of the atmospheric system conveying apparatus 3 are also connected by the communication pipe 9 in which the valve 8 which is open and close is arrange | positioned on the way.

대기계 반송 장치(3)는 후프(5)가 탑재되는 후프 탑재대(50)와, 대기 로더 모듈(Loader Module)(이하 「L/M」이라고 함)(51)과, 이 L/M(51) 내에 고온 가스를 공급하는 가스 공급계(60)(분사 수단)를 갖는다.The atmospheric transfer device 3 includes a hoop mount 50 on which the hoop 5 is mounted, a standby loader module (hereinafter referred to as "L / M") 51, and this L / M ( The gas supply system 60 (injection means) which supplies a hot gas in 51 is provided.

후프 탑재대(50)는 윗면이 평평한 형상이며, 후프(5)는, 예컨대, 25장의 웨이퍼 W를 같은 피치로 다단 탑재하여 수용한다. 또한, L/M(51)은 직방체의 상자 형상이며, 내부에 웨이퍼 W를 반송하는 스칼라 타입의 반송 암(52)을 갖는다.The hoop mount 50 has a flat top surface, and the hoop 5 mounts and accommodates 25 wafers W at the same pitch, for example. In addition, the L / M 51 has a rectangular box shape, and has a scalar type transfer arm 52 for carrying the wafer W therein.

또한, L/M(51)의 후프 탑재대(50) 쪽의 측면에는, 그 후프 탑재대(50)에 탑재된 후프(5)에 대향하여 셔터(도시 생략)가 마련된다. 셔터는 후프(5)와 L/M(51)의 내부를 연통시킨다.Moreover, the shutter (not shown) is provided in the side surface of the hoop mounting stand 50 side of the L / M 51 facing the hoop 5 mounted in the hoop mounting stand 50. The shutter communicates the hoop 5 with the inside of the L / M 51.

반송 암(52)은 굴신 가능하게 구성된 다관절 형상의 반송 암부(53)와, 그 반송 암부(53)의 선단에 부착된 후술하는 도 3의 픽(54)을 갖고, 그 픽(54)은 웨이퍼 W를 직접적으로 탑재하도록 구성되어 있다. 또한, 반송 암(52)은 굴신 가능하게 구성된 다관절 암 형상의 맵핑 암(55)을 갖고 있고, 이 맵핑 암(55)의 선단에는, 예컨대, 레이저 광을 발생하여 웨이퍼 W의 유무를 확인하는 맵핑 센서(도시 생략)가 배치되어 있다. 이들 반송 암부(53)와 맵핑 암(55)의 각 기단은 반송 암(52)의 기부(56)로부터 세워 마련된 암 기단부 지주(57)를 따라 승강하는 승강대(58)에 연결되어 있다. 또한, 그 암 기단부 지주(57)는 선회 가능하게 구성되어 있다. 후프(5)에 수용되어 있는 웨이퍼 W의 위치 및 수를 인식하기 위해 행하는 맵핑 조작 에서는, 맵핑 암(55)이 연신된 상태에서, 그 맵핑 암(55)이 상승 또는 하강함으로써, 후프(5) 내에 있어서의 웨이퍼 W의 위치 및 매수를 확인한다.The conveying arm 52 has a multi-joint conveying arm portion 53 configured to be extensible, and a pick 54 of FIG. 3 described later attached to the tip of the conveying arm portion 53. The wafer W is directly mounted. In addition, the transfer arm 52 has a multi-arm arm-shaped mapping arm 55 configured to be extensible, and the front end of the mapping arm 55 generates laser light, for example, to check the presence or absence of the wafer W. A mapping sensor (not shown) is disposed. Each base end of these conveyance arm part 53 and the mapping arm 55 is connected to the lifting platform 58 which moves up and down along the arm base end support | pillar 57 provided and built up from the base 56 of the conveyance arm 52. As shown in FIG. Moreover, the arm proximal end support 57 is comprised so that rotation is possible. In the mapping operation performed to recognize the position and the number of the wafers W accommodated in the hoop 5, the mapping arm 55 is raised or lowered in the state where the mapping arm 55 is stretched, whereby the hoop 5 The position and the number of wafers W in the chamber are checked.

반송 암(52)은 반송 암부(53)에 의해 굴곡이 자유로우며, 암 기단부 지주(57)에 의해 선회가 자유롭기 때문에, 픽(54)에 탑재한 웨이퍼 W를 후프(5)와 LL/M(4)의 사이에 있어서 자유롭게 반송할 수 있다.Since the conveyance arm 52 is free to bend by the conveyance arm 53 and can be swiveled by the arm proximal end strut 57, the wafer W mounted on the pick 54 is loaded with the hoop 5 and the LL / M ( It can convey freely between 4).

가스 공급계(60)는 L/M(51)의 외부로부터 L/M(51)의 내부로 관통함과 아울러, L/M(51) 내부측이 반송 암(52)을 향하여 마련된 가스 도입관(61)과, 그 가스 도입관(61)의 L/M(51) 외부측 선단에 접속된 가스 공급 장치(도시 생략)와, 가스 도입관(61)에 있어서 L/M(51)과 가스 공급 장치의 사이에 배치된 제어 밸브(63)와, 가스 도입관(61)에 있어서 L/M(51)과 제어 밸브(63)의 사이에 배치된 히팅 유닛(62)을 갖는다. 본 실시예에 있어서, 히팅 유닛(62)은 공급된 가스의 온도를 1초 내지 10초 정도의 단시간의 가열로 소정 고온으로 승온하는 것이 바람직하다.The gas supply system 60 penetrates from the outside of the L / M 51 to the inside of the L / M 51, and the gas introduction pipe provided inside the L / M 51 toward the conveying arm 52. (61), the gas supply device (not shown) connected to the front end of the L / M 51 of the gas introduction pipe 61, and the L / M 51 and the gas in the gas introduction pipe 61; The control valve 63 arrange | positioned between supply apparatuses, and the heating unit 62 arrange | positioned between the L / M 51 and the control valve 63 in the gas introduction pipe 61 are provided. In the present embodiment, the heating unit 62 preferably heats up the temperature of the supplied gas to a predetermined high temperature by heating for a short time of about 1 second to about 10 seconds.

본 실시예에 있어서, 가스 공급계(60)는 히팅 유닛(62)에 의해 가열된 고온 가스를 소정 타이밍에 반송 암(52), 특히 픽(54)에 분사하여, 반송 암(52) 상에 부착된 이물질을 제거한다. 이물질 제거의 상세에 대해서는 후술한다.In the present embodiment, the gas supply system 60 injects the hot gas heated by the heating unit 62 to the transfer arm 52, in particular, the pick 54 at a predetermined timing, onto the transfer arm 52. Remove the foreign matter attached. The detail of foreign material removal is mentioned later.

LL/M(4)은 굴신 및 선회가 자유롭게 이루어진 탑재·이송 암(70)이 배치된 챔버(71)와, 이 챔버(71) 내에 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스를 공급하는 가스 공급계(72)(분사 수단)와, 챔버(71) 내를 배기하는 L/L 배기계(73)를 갖는다.The LL / M 4 is a chamber 71 in which a mounting / transfer arm 70 in which flexion and rotation are freely arranged is arranged, and a gas supply system that supplies an inert gas such as a high temperature N 2 gas into the chamber 71. 72 (injection means) and an L / L exhaust system 73 for exhausting the inside of the chamber 71.

탑재·이송 암(70)은 복수의 암부로 이루어지는 스칼라 타입의 반송 암이며, 그 선단에 부착된 픽(74)을 갖는다. 픽(74)은 웨이퍼 W를 직접적으로 탑재하도록 구성된다. 또, 픽(74)의 형상은 상술한 픽(54)의 형상과 마찬가지이다.The mounting and conveying arm 70 is a scalar type conveying arm composed of a plurality of arm portions, and has a pick 74 attached to its tip. The pick 74 is configured to mount the wafer W directly. The shape of the pick 74 is the same as the shape of the pick 54 described above.

웨이퍼 W가 대기계 반송 장치(3)로부터 P/M(2)으로 반입되는 경우, 게이트 밸브(7)가 개방되었을 때, 탑재·이송 암(70)은 L/M(51) 내의 반송 암(52)으로부터 웨이퍼 W를 받아들이고, 게이트 밸브(6)가 개방되었을 때, 탑재·이송 암(70)은 P/M(2)의 챔버(10) 내로 진입하여, 탑재대(12)의 상면으로부터 돌출한 후술하는 푸셔 핀(33)의 상단에 웨이퍼 W를 탑재한다. 또한, 웨이퍼 W가 P/M(2)으로부터 대기계 반송 장치(3)로 반입되는 경우, 게이트 밸브(6)가 개방되었을 때, 탑재·이송 암(70)은 P/M(2)의 챔버(10) 내로 진입하여, 탑재대(12)의 상면으로부터 돌출한 푸셔 핀(33)의 상단에 탑재된 웨이퍼 W를 받아들인다. 게이트 밸브(7)가 개방되었을 때, 탑재·이송 암(70)은 L/M(51) 내의 반송 암(52)으로 웨이퍼 W를 이송한다.When the wafer W is carried into the P / M 2 from the atmospheric transfer device 3, when the gate valve 7 is opened, the mounting / transfer arm 70 moves the transfer arm (in the L / M 51). When the wafer W is received from the wafer 52 and the gate valve 6 is opened, the mounting / transfer arm 70 enters the chamber 10 of the P / M 2 and protrudes from the upper surface of the mounting table 12. The wafer W is mounted on the upper end of the pusher pin 33 described later. In addition, when the wafer W is carried in from the P / M 2 to the atmospheric transfer device 3, when the gate valve 6 is opened, the mounting / transfer arm 70 is a chamber of the P / M 2. The wafer W mounted on the upper end of the pusher pin 33 protruding from the upper surface of the mounting table 12 is entered into (10). When the gate valve 7 is opened, the mounting / transfer arm 70 transfers the wafer W to the transfer arm 52 in the L / M 51.

또, 탑재·이송 암(70)은 스칼라 타입에 한정되지 않고, 프로그 레그 타입이나 더블 암 타입이더라도 좋다.The mounting arm 70 is not limited to a scalar type, and may be a program leg type or a double arm type.

가스 공급계(72)는 챔버(71)의 외부로부터 챔버(71)의 내부로 관통하는 가스 도입관(75)과, 가스 도입관(75)의 챔버(71) 외부측 선단에 접속된 가스 공급 장치(도시 생략)와, 가스 도입관(75)에 있어서 챔버(71)와 가스 공급 장치의 사이에 배치된 제어 밸브(77)와, 가스 도입관(75)에 있어서 챔버(71)와 제어 밸브(77)의 사이에 배치된 히팅 유닛(76)과, 가스 도입관(75)의 챔버(71) 내부측 선단에 배치된 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스를 분출하는 가스 공급구를 갖는다. 본 실시예에 있어서, 가스 공급구의 선단에 한 쌍의 브레이크 필터(Break Filter)(80)를 갖더라도 좋다. 본 실시예에 있어서, 히팅 유닛(76)은, 공급된 N2 가스 등의 불활성 가스의 온도를 1초 내지 10초 정도의 단시간의 가열로 소정 고온으로 승온하는 것이 바람직하다.The gas supply system 72 is a gas supply pipe 75 penetrating from the outside of the chamber 71 to the inside of the chamber 71 and a gas supply connected to an outer end of the chamber 71 of the gas introduction pipe 75. The apparatus (not shown), the control valve 77 arrange | positioned between the chamber 71 and the gas supply apparatus in the gas introduction pipe 75, and the chamber 71 and the control valve in the gas introduction pipe 75 77, the heating unit 76 and the gas introduction pipe 75, the chamber 71 has a gas supply port for ejecting an inert gas such as N 2 gas of high temperature arranged on the inner front end of the disposed between the. In the present embodiment, a pair of break filters 80 may be provided at the tip of the gas supply port. In this embodiment, the heating unit 76 is preferably heated to a predetermined temperature the temperature of the inert gas such as a N 2 gas supplied to the heating of the short time for one second to 10 seconds.

본 실시예에 있어서, 가스 공급계(72)는, 히팅 유닛(76)에 의해 가열된 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스를 소정 타이밍에 챔버(71) 내부의 탑재·이송 암(70), 특히 픽(74)에 분사하여, 탑재·이송 암(70) 상에 부착된 이물질을 제거한다. 이물질 제거의 상세에 대해서는 후술한다. 또한, 가스 공급계(72)는 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스를 소정 타이밍에 챔버(71) 내부에 공급하여, 그 챔버(71)의 내부 압력을 제어한다.In the present embodiment, the gas supply system 72 includes an inert gas, such as a high temperature N 2 gas, heated by the heating unit 76 at a predetermined timing in the chamber 71. In particular, it sprays on the pick 74, and removes the foreign material adhering on the mounting and the transfer arm 70. The detail of foreign material removal is mentioned later. In addition, the gas supply system 72 supplies an inert gas such as a high temperature N 2 gas into the chamber 71 at a predetermined timing to control the internal pressure of the chamber 71.

브레이크 필터(80)는 그 길이가, 예컨대, 200㎜로 설정된 그물 형상의 금속제 필터이며, 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스의 분출 면적을 작게 또는 크게할 수 있기 때문에, 분출하는 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스의 흐름을 가속할 수 있음과 아울러 감속할 수 있어, 탑재·이송 암(70)으로 고압 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스를 분사하여 탑재·이송 암(70) 상에 부착된 이물질을 효과적으로 제거함과 아울러 광범위에 걸쳐 균일하게 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스를 분출하여 챔버(71) 내부의 압력을 균일하게 상승시킨다.The brake filter 80 is a mesh-shaped metal filter whose length is set to 200 mm, for example, and because the ejection area of an inert gas such as high temperature N 2 gas can be made small or large, the high temperature N 2 to eject It is possible to accelerate and decelerate the flow of inert gas such as gas, and to inert gas such as high pressure and high temperature N 2 gas into the mounting / transfer arm 70 to attach it on the mounting / transfer arm 70. In addition to effectively removing the foreign matter, the inert gas such as a high temperature N 2 gas is uniformly blown out over a wide range to uniformly increase the pressure inside the chamber 71.

LL/M 배기계(73)는 챔버(71)의 내부로 관통하는 배기관(78)과, 그 배기 관(78)의 도중에 배치된 제어 밸브(79)를 갖고, 상술한 가스 공급계(72)와 협동하여 챔버(71)의 내부 압력을 제어한다.The LL / M exhaust system 73 has an exhaust pipe 78 penetrating into the chamber 71 and a control valve 79 arranged in the middle of the exhaust pipe 78, and the gas supply system 72 described above. Cooperate to control the internal pressure of the chamber 71.

도 2는 도 1에 있어서의 P/M(2)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the P / M 2 in FIG. 1.

도 2에 있어서, P/M(2)은 내벽에 알루마이트 코팅이 실시되어 있는 알루미늄제의 원통 형상의 챔버(10)를 갖고, 이 챔버(10) 내에는, 예컨대, 직경이 300㎜인 웨이퍼 W를 탑재하는 원기둥 형상의 탑재대(12)가 배치되어 있다.In Fig. 2, the P / M 2 has a cylindrical chamber 10 made of aluminum with anodized aluminite coating on the inner wall, and inside the chamber 10, for example, a wafer W having a diameter of 300 mm. A cylindrical mounting table 12 on which is mounted is arranged.

P/M(2)에서는, 챔버(10)의 내측벽과 탑재대(12)의 측면에 의해, 탑재대(12) 위쪽의 기체 분자를 챔버(10)의 밖으로 배출하는 유로로서 기능하는 배기로(13)가 형성된다. 이 배기로(13)의 도중에는 플라즈마의 누설을 방지하는 고리 형상의 배플판(14)이 배치된다. 또한, 배기로(13)에 있어서의 배플판(14)보다 하류의 공간은, 탑재대(12)의 아래쪽으로 돌아 들어가, 가변식 버터플라이 밸브인 자동 압력 제어 밸브(APC 밸브 : Automatic Pressure Control Valve)(15)에 연통한다. APC 밸브(15)는 아이솔레이터 밸브(Isolator Valve)(16)를 거쳐 진공 흡입용 배기 펌프인 터보 분자 펌프(TMP : Turbo Molecular Pump)(17)에 접속되고, TMP(17)는 밸브(18)를 거쳐 배기 펌프인 드라이 펌프(DP : Dry Pump)(19)에 접속되어 있다. APC 밸브(15), 아이솔레이터 밸브(16), TMP(17), 밸브(18) 및 DP(19)에 의해 구성되는 배기 유로(본 배기 라인)는 APC 밸브(15)에 의해 챔버(10) 내의 압력 제어를 행하고, 또한 TMP(17) 및 DP(19)에 의해 챔버(10) 내를 거의 진공 상태가 될 때까지 감압한다.In the P / M 2, an exhaust passage that functions as a flow path for discharging gas molecules above the mounting table 12 out of the chamber 10 by the inner wall of the chamber 10 and the side surface of the mounting table 12. (13) is formed. An annular baffle plate 14 is disposed in the middle of the exhaust passage 13 to prevent plasma leakage. In addition, the space downstream from the baffle plate 14 in the exhaust path 13 returns to the lower side of the mounting table 12, and is an automatic pressure control valve (APC valve: Automatic Pressure Control Valve) which is a variable butterfly valve. (15). The APC valve 15 is connected to a turbo molecular pump (TMP) 17 which is an exhaust pump for vacuum suction through an isolator valve 16, and the TMP 17 opens the valve 18. It is connected to the dry pump 19 which is an exhaust pump. The exhaust passage (main exhaust line) constituted by the APC valve 15, the isolator valve 16, the TMP 17, the valve 18, and the DP 19 is provided in the chamber 10 by the APC valve 15. Pressure control is performed, and the pressure is reduced by the TMP 17 and the DP 19 until the inside of the chamber 10 becomes almost vacuum.

또한, 배관(20)이 APC 밸브(15) 및 아이솔레이터 밸브(16)의 사이로부터 밸 브(21)를 거쳐 DP(19)에 접속되어 있다. 배관(20) 및 밸브(21)에 의해 구성되는 배기 유로(바이패스 라인)는 TMP(17)를 바이패스하여, DP(19)에 의해 챔버(10) 내를 감압한다.In addition, the pipe 20 is connected to the DP 19 via the valve 21 from between the APC valve 15 and the isolator valve 16. An exhaust flow path (by-pass line) constituted by the pipe 20 and the valve 21 bypasses the TMP 17 and decompresses the inside of the chamber 10 by the DP 19.

탑재대(12)에는 하부 전극용 고주파 전원(22)이 급전봉(23) 및 정합기(Matcher)(24)를 거쳐 접속되어 있고, 이 하부 전극용 고주파 전원(22)은 소정 고주파 전력을 탑재대(12)에 공급한다. 이에 따라, 탑재대(12)는 하부 전극으로서 기능한다. 또한, 정합기(24)는 탑재대(12)로부터의 고주파 전력의 반사를 저감하여 고주파 전력의 탑재대(12)로의 공급 효율을 최대로 한다.The lower electrode high frequency power supply 22 is connected to the mounting table 12 via a feed rod 23 and a matcher 24. The lower electrode high frequency power supply 22 carries a predetermined high frequency power. Supply to the stand 12. As a result, the mounting table 12 functions as a lower electrode. The matching unit 24 also reduces the reflection of the high frequency power from the mounting table 12 and maximizes the supply efficiency of the high frequency power to the mounting table 12.

탑재대(12)의 내부 위쪽에는, 도전막으로 이루어지는 원판 형상의 ESC 전극판(25)이 배치되어 있다. ESC 전극판(25)에는 직류 전원(26)이 전기적으로 접속되어 있다. 웨이퍼 W는 직류 전원(26)으로부터 ESC 전극판(25)에 인가된 직류 전압에 의해 발생하는 쿨롱력 또는 존슨·라벡(Johnsen-Rahbek)력에 의해 탑재대(12)의 상면에 흡착 유지된다. 또한, 탑재대(12)의 위쪽에는, 탑재대(12)의 상면에 흡착 유지된 웨이퍼 W의 주위를 둘러싸도록 둥근 고리 형상의 포커스 링(27)이 배치된다. 이 포커스 링(27)은 실리콘, SiC(탄화규소) 또는 Qz(석영)로 이루어지며, 후술하는 처리 공간 S에 노출되어 그 처리 공간 S의 플라즈마를 웨이퍼 W의 표면을 향하여 수속하여, 플라즈마 처리의 효율을 향상시킨다.Above the inside of the mounting table 12, a disk-shaped ESC electrode plate 25 made of a conductive film is disposed. The DC power supply 26 is electrically connected to the ESC electrode plate 25. The wafer W is adsorbed and held on the upper surface of the mounting table 12 by a Coulomb force or Johnson-Rahbek force generated by a DC voltage applied from the DC power supply 26 to the ESC electrode plate 25. In addition, a round ring-shaped focus ring 27 is disposed above the mounting table 12 so as to surround the periphery of the wafer W adsorbed and held on the upper surface of the mounting table 12. The focus ring 27 is made of silicon, SiC (silicon carbide), or Qz (quartz), and is exposed to a processing space S described later to converge the plasma of the processing space S toward the surface of the wafer W, thereby performing plasma processing. Improve the efficiency.

또한, 탑재대(12)의 내부에는, 예컨대, 원주 방향으로 연장하는 고리 형상의 냉매실(28)이 마련된다. 이 냉매실(28)에는, 칠러(chiller) 유닛(도시 생략)으로부터 냉매용 배관(29)을 거쳐 소정 온도의 냉매, 예컨대, 냉각수 또는 갈덴(등록 상표)이 순환 공급되고, 그 냉매의 온도에 의해 탑재대(12), 나아가서는 그 상면에 흡착 유지된 웨이퍼 W의 온도가 제어된다.In addition, an annular refrigerant chamber 28 extending in the circumferential direction is provided inside the mounting table 12, for example. In this refrigerant chamber 28, a refrigerant having a predetermined temperature, for example, cooling water or galden (registered trademark), is circulated and supplied from a chiller unit (not shown) to the refrigerant pipe 29, and to the temperature of the refrigerant. By this, the temperature of the mounting table 12 and further, the wafer W adsorbed and held on the upper surface thereof is controlled.

탑재대(12) 상면의 웨이퍼 W가 흡착 유지되는 부분(이하, 「흡착면」이라고 함)에는, 웨이퍼 W에 대향하는 복수의 전열 가스 공급 구멍(30)이 개구하고 있다. 이들 전열 가스 공급 구멍(30)은 탑재대(12) 내부에 배치된 전열 가스 공급 라인(31)을 거쳐 전열 가스 공급부(32)에 접속되고, 이 전열 가스 공급부(32)는 전열 가스로서의 헬륨(He) 가스를 전열 가스 공급 구멍(30)을 통해 흡착면과 웨이퍼 W 이면의 간극에 공급한다. 이들 전열 가스 공급 구멍(30), 전열 가스 공급 라인(31) 및 전열 가스 공급부(32)는 전열 가스 공급 장치를 구성한다. 또, 백 사이드 가스의 종류는 헬륨에 한정되는 것은 아니고, 질소(N2), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 크세논(Xe) 등의 불활성 가스 또는 산소(O2) 등이더라도 좋다.A plurality of heat transfer gas supply holes 30 facing the wafer W are opened in a portion where the wafer W on the upper surface of the mounting table 12 is adsorbed and held (hereinafter, referred to as a "adsorption surface"). These electrothermal gas supply holes 30 are connected to the electrothermal gas supply part 32 via the electrothermal gas supply line 31 arrange | positioned inside the mounting table 12, and this electrothermal gas supply part 32 is helium (heat transfer gas). He) The gas is supplied to the gap between the suction surface and the wafer W back surface through the electrothermal gas supply hole 30. These electrothermal gas supply holes 30, the electrothermal gas supply line 31, and the electrothermal gas supply part 32 comprise an electrothermal gas supply apparatus. The type of the backside gas is not limited to helium, and may be an inert gas such as nitrogen (N 2 ), argon (Ar), krypton (Kr), xenon (Xe), oxygen (O 2 ), or the like.

또한, 탑재대(12)의 흡착면에는, 탑재대(12)의 상면으로부터 돌출이 자유로운 리프트 핀으로서의 푸셔 핀(33)이 3개 배치되어 있다. 이들 푸셔 핀(33)은 모터(도시 생략)에 볼 나사(도시 생략)를 거쳐 접속되고, 이 볼 나사에 의해 직선 운동으로 변환된 모터의 회전 운동에 기인하여 흡착면으로부터 자유롭게 돌출한다. 웨이퍼 W에 플라즈마 처리를 실시하기 위해 웨이퍼 W를 흡착면에 흡착 유지할 때에는, 푸셔 핀(33)은 탑재대(12)에 수용되고, 플라즈마 처리가 실시된 웨이퍼 W를 챔버(10)로부터 반출할 때에는, 푸셔 핀(33)은 탑재대(12)의 상면으로부터 돌출하여 웨이퍼 W를 탑재대(12)로부터 이간시켜 위쪽으로 들어 올린다.Moreover, three pusher pins 33 as a lift pin which protrude freely from the upper surface of the mounting table 12 are arrange | positioned at the adsorption surface of the mounting table 12. These pusher pins 33 are connected to a motor (not shown) via a ball screw (not shown), and protrude freely from the suction surface due to the rotational motion of the motor converted into linear motion by the ball screw. When the wafer W is adsorbed and held on the adsorption surface in order to perform plasma processing on the wafer W, the pusher pin 33 is accommodated in the mounting table 12, and when the wafer W, which has been subjected to plasma processing, is taken out of the chamber 10. The pusher pin 33 protrudes from the upper surface of the mounting table 12, lifts the wafer W away from the mounting table 12, and lifts it upwards.

챔버(10)의 천정부에는, 탑재대(12)와 대향하도록 가스 도입 샤워 헤드(34)(분사 수단)가 배치되어 있다. 가스 도입 샤워 헤드(34)에는 정합기(35)를 거쳐 상부 전극용 고주파 전원(36)이 접속되어 있고, 상부 전극용 고주파 전원(36)은 소정의 고주파 전력을 가스 도입 샤워 헤드(34)에 공급하기 때문에, 가스 도입 샤워 헤드(34)는 상부 전극으로서 기능한다. 또, 정합기(35)의 기능은 상술한 정합기(24)의 기능과 동일하다.The gas introduction shower head 34 (injection means) is arrange | positioned so that the ceiling part of the chamber 10 may face the mounting table 12. The high frequency power supply 36 for upper electrodes is connected to the gas introduction shower head 34 via the matching machine 35, and the high frequency power supply 36 for upper electrodes supplies a predetermined high frequency power to the gas introduction shower head 34. In order to supply, the gas introduction shower head 34 functions as an upper electrode. In addition, the function of the matcher 35 is the same as the function of the matcher 24 mentioned above.

가스 도입 샤워 헤드(34)는 다수의 가스 구멍(37)을 갖는 천정 전극판(38)과, 이 천정 전극판(38)을 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(39)를 갖는다. 또한, 이 전극 지지체(39)의 내부에는 버퍼실(40)이 마련되고, 이 버퍼실(40)에는 가스 공급 장치(도시 생략)로부터의 가스 도입관(41)이 접속되어 있다. 이 가스 도입관(41)에 있어서 가스 공급 장치와 챔버(10)의 사이에는 배관 인슐레이터(42)가 배치되어 있다. 이 배관 인슐레이터(42)는 절연체로 이루어지며, 가스 도입 샤워 헤드(34)로 공급된 고주파 전력이 가스 도입관(41)을 거쳐 가스 공급 장치로 누설되는 것을 방지한다. 또한, 가스 도입관(41)에 있어서 가스 공급 장치 및 배관 인슐레이터(42)의 사이에는 제어 밸브(44)가 배치되고, 배관 인슐레이터(42) 및 제어밸브(44)의 사이에는 히팅 유닛(43)이 배치되어 있다. 본 실시예에 있어서, 히팅 유닛(43)은 공급된 처리 가스의 온도를 1초 내지 19초 정도의 단시간의 가열로 소정 고온으로 승온하는 것이 바람직하다.The gas introduction shower head 34 has a ceiling electrode plate 38 having a plurality of gas holes 37, and an electrode support 39 that detachably supports the ceiling electrode plate 38. A buffer chamber 40 is provided inside the electrode support 39, and a gas introduction pipe 41 from a gas supply device (not shown) is connected to the buffer chamber 40. In this gas introduction pipe 41, a pipe insulator 42 is disposed between the gas supply device and the chamber 10. The piping insulator 42 is made of an insulator and prevents high frequency power supplied to the gas introduction shower head 34 from leaking to the gas supply device via the gas introduction pipe 41. In the gas inlet pipe 41, a control valve 44 is disposed between the gas supply device and the pipe insulator 42, and the heating unit 43 is between the pipe insulator 42 and the control valve 44. This is arranged. In this embodiment, it is preferable that the heating unit 43 heats up the temperature of the supplied process gas to predetermined | prescribed high temperature with a short time heating of about 1 second-19 second.

본 실시예에 있어서, 가스 도입 샤워 헤드(34)는 가스 도입관(41)으로부터 버퍼실(40)로 공급된 고온의 처리 가스를 가스 구멍(37)을 경유하여 챔버(10) 내로 공급한다.In the present embodiment, the gas introduction shower head 34 supplies the high temperature process gas supplied from the gas introduction pipe 41 to the buffer chamber 40 into the chamber 10 via the gas hole 37.

또한, 챔버(10)의 측벽에는, 푸셔 핀(33)에 의해 탑재대(12)로부터 위쪽으로 들어 올려진 웨이퍼 W의 높이에 대응하는 위치에 웨이퍼 W의 반출입구(44)가 마련되고, 반출입구(44)에는, 이 반출입구(44)를 개폐하는 상술한 게이트 밸브(6)가 부착되어 있다.In addition, the sidewalls of the chamber 10 are provided with a wafer W unloading opening 44 at a position corresponding to the height of the wafer W lifted upward from the mounting table 12 by the pusher pin 33. The above-mentioned gate valve 6 which opens and closes this carrying-out opening 44 is attached to the entrance 44.

이 P/M(2)의 챔버(10) 내에서는, 상술한 바와 같이, 탑재대(12) 및 가스 도입 샤워 헤드(34)에 고주파 전력을 공급하여, 탑재대(12)와 가스 도입 샤워 헤드(34) 사이의 처리 공간 S에 고주파 전력을 인가함으로써, 그 처리 공간 S에 있어서 가스 도입 샤워 헤드(34)로부터 공급된 처리 가스로부터 고밀도 플라즈마를 발생시키고, 이 플라즈마에 의해 웨이퍼 W에 플라즈마 처리를 실시한다.In the chamber 10 of the P / M 2, as described above, high frequency power is supplied to the mounting table 12 and the gas introducing shower head 34, and the mounting table 12 and the gas introducing shower head are provided. By applying high frequency power to the processing space S between the 34, high-density plasma is generated from the processing gas supplied from the gas introduction shower head 34 in the processing space S, and plasma processing is applied to the wafer W by the plasma. Conduct.

구체적으로는, 이 P/M(2)에서는, 웨이퍼 W에 플라즈마 처리를 실시할 때, 우선 게이트 밸브(6)를 열어, 가공 대상 웨이퍼 W를 챔버(10) 내에 반입하고, 또한, 직류 전압을 ESC 전극판(25)에 인가함으로써, 반입된 웨이퍼 W를 탑재대(12)의 흡착면에 흡착 유지한다. 또한, 가스 도입 샤워 헤드(34)로부터 처리 가스(예컨대, 소정 유량 비율의 CF4 가스, O2 가스 및 Ar 가스로 이루어지는 혼합 가스)를 소정의 유량 및 유량비로 챔버(10) 내에 공급함과 아울러, APC 밸브(15) 등에 의해 챔버(10) 내의 압력을 소정값으로 제어한다. 또한, 탑재대(12) 및 가스 도입 샤워 헤드(34)에 의해 챔버(10) 내의 처리 공간 S에 고주파 전력을 인가한다. 이에 따라, 가스 도입 샤워 헤드(34)로부터 도입된 처리 가스를 처리 공간 S에서 플라즈마 로화하고, 이 플라즈마를 포커스 링(27)에 의해 웨이퍼 W의 표면에 수속하여, 웨이퍼 W의 표면을 물리적 또는 화학적으로 에칭한다.Specifically, in the P / M 2, when the plasma processing is performed on the wafer W, the gate valve 6 is first opened, the wafer W to be processed is brought into the chamber 10, and a direct current voltage is applied. By applying to the ESC electrode plate 25, the wafer W carried in is adsorbed and held on the adsorption surface of the mounting table 12. In addition, while supplying a processing gas (for example, a mixed gas consisting of CF 4 gas, O 2 gas, and Ar gas at a predetermined flow rate) from the gas introduction shower head 34 into the chamber 10 at a predetermined flow rate and flow rate ratio, The pressure in the chamber 10 is controlled to a predetermined value by the APC valve 15 or the like. In addition, a high frequency electric power is applied to the processing space S in the chamber 10 by the mounting table 12 and the gas introduction shower head 34. As a result, the processing gas introduced from the gas introduction shower head 34 is converted into plasma in the processing space S, the plasma is converged to the surface of the wafer W by the focus ring 27, and the surface of the wafer W is physically or chemically processed. Etching is performed.

또, 상술한 도 1의 기판 처리 시스템(1)을 구성하는 P/M(2), 대기계 반송 장치(3) 및 LL/M(4)의 각 구성 요소의 동작은, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법을 실행하는 프로그램에 따라 기판 처리 시스템(1)이 구비하는 제어 장치로서의 컴퓨터(도시 생략)나, 기판 처리 시스템(1)에 접속된 제어 장치로서의 외부 서버(도시 생략)등에 의해 제어된다.In addition, the operation of each component of the P / M 2, the atmospheric transfer device 3, and the LL / M 4 constituting the substrate processing system 1 of FIG. 1 described above is according to the present embodiment. It is controlled by a computer (not shown) as a control device included in the substrate processing system 1, an external server (not shown) as a control device connected to the substrate processing system 1, etc. according to a program for executing the substrate processing method. .

상술한 기판 처리 시스템(1)에 있어서 LL/M(4)에 접속되는 P/M(2)에서는, 하부 전극으로서의 탑재대(12)가 챔버(10)에 대하여 이동하지 않지만, LL/M(4)에 접속되는 P/M은 이것에 한정되지 않고, 예컨대, 하부 전극이 챔버에 대하여 이동하는 것이라도 좋다.In the P / M 2 connected to the LL / M 4 in the substrate processing system 1 described above, the mounting table 12 as the lower electrode does not move relative to the chamber 10, but the LL / M ( The P / M connected to 4) is not limited to this, and the lower electrode may move with respect to the chamber, for example.

다음에, 본 발명의 실시예 1에 따른 기판 처리 방법에 대하여 설명한다. 이 기판 처리 방법은 상술한 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 대기계 반송 장치(3) 및 LL/M(4)에 있어서 실행된다.Next, the substrate processing method of Example 1 of this invention is demonstrated. This substrate processing method is performed in the atmospheric conveyance apparatus 3 and the LL / M 4 in the substrate processing system 1 mentioned above.

우선, 대기계 반송 장치(3) 내의 반송 암(52)에 있어서의 픽(54)의 형상에 대하여 도 3을 이용하여 설명한다. 또, 상술한 바와 같이, LL/M(4) 내의 탑재·이송 암(70)에 있어서의 픽(74)의 형상은 픽(54)의 형상과 마찬가지이다.First, the shape of the pick 54 in the conveyance arm 52 in the atmospheric conveyance apparatus 3 is demonstrated using FIG. In addition, as mentioned above, the shape of the pick 74 in the mounting / conveying arm 70 in the LL / M 4 is the same as that of the pick 54.

도 3(a)는 픽(54)에 웨이퍼 W가 탑재된 상태에서의 평면도를 나타내고, 도 3(b)는 픽(54)상에 마련된 후술하는 테이퍼 패드(54a) 부근의 확대 부분 사시도를 나타낸다.FIG. 3A shows a plan view in the state where the wafer W is mounted on the pick 54, and FIG. 3B shows an enlarged partial perspective view of the vicinity of the taper pad 54a described later provided on the pick 54. FIG. .

도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 픽(54)은 포크 모양의 형상을 나타내고, 웨이퍼 W를 픽(54)의 표면으로부터 소정 간격만큼 이간시켜 유지하는 테이퍼 패드(54a)를 4개 구비한다. 각 테이퍼 패드(54a)는 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 원통형 부재에 끝이 잘린 원추형 부재를 접합한 형상을 나타내고 있다. 4개의 테이퍼 패드(54a)는 픽(54)에 있어서 웨이퍼 W의 바깥 둘레(베벨부)를 따르도록 배치되고, 각 테이퍼 패드(54a)가 끝이 잘린 원추형부에 있어서 웨이퍼 W의 바깥 둘레와 접촉함으로써 픽(54)에 대한 웨이퍼 W의 어긋남을 방지한다.As shown in Fig. 3 (a), the pick 54 has a fork-shaped shape and includes four taper pads 54a that hold the wafer W apart from the surface of the pick 54 by a predetermined interval. As shown in FIG.3 (b), each taper pad 54a has shown the shape which bonded the conical member cut | disconnected to the cylindrical member. Four taper pads 54a are arranged along the outer circumference (bevel portion) of the wafer W in the pick 54, and each taper pad 54a is in contact with the outer circumference of the wafer W at the truncated conical portion. This prevents the wafer W from shifting with respect to the pick 54.

대기계 반송 장치(3) 내의 반송 암(52) 및 LL/M(4) 내의 탑재·이송 암(70)이 웨이퍼 W를 반송할 때, 상술한 바와 같이, 웨이퍼 W의 바깥 둘레는 각 테이퍼 패드의 끝이 잘린 원추형부와 접촉하기 때문에, 픽의 위, 특히 테이퍼 패드에 이물질이 부착된다. 부착되는 이물질은 웨이퍼 W의 바깥 둘레와 테이퍼 패드의 접촉 마찰에 의해 테이퍼 패드가 마모됨으로써 발생하거나 또는 웨이퍼 W의 바깥 둘레에 부착된 CF계 폴리머가 박리함에 의해 발생하는 것으로 생각된다. 그리고, 테이퍼 패드에 부착된 이물질은 웨이퍼 W의 반송시에 웨이퍼 W를 향하여 비산하여, 웨이퍼 W의 오염 원인으로 된다.When the conveyance arm 52 in the atmospheric conveyance apparatus 3 and the mounting / conveying arm 70 in the LL / M 4 convey the wafer W, as described above, the outer circumference of the wafer W is each taper pad. Since the tip of the tip contacts the truncated cone, foreign matter adheres to the pick, especially to the taper pad. The foreign matter to be attached is thought to be caused by wear of the taper pad due to contact friction between the outer circumference of the wafer W and the taper pad, or by the peeling of the CF-based polymer attached to the outer circumference of the wafer W. And the foreign matter adhering to the taper pads scatters toward the wafer W at the time of conveyance of the wafer W, and becomes the cause of contamination of the wafer W.

본 실시예에서는, 대기계 반송 장치(3)에 있어서, 가스 공급계(60)에 의해 반송 암(52)에 고온 가스를 분사하는 것에 의해 반송 암(52) 상, 특히 픽(54)의 테이퍼 패드(54a)에 부착된 이물질을 열응력을 이용하여 비산시킴으로써 제거한다. 또한, LL/M(4)에 있어서, 가스 공급계(72)에 의해 탑재·이송 암(70)에 고온의 N2 가스를 분사하는 것에 의해 탑재·이송 암(70) 상, 특히 픽(74)의 테이퍼 패드에 부착된 이물질을 열응력을 이용하여 비산시킴으로써 제거한다. 이에 따라, 웨이퍼 W를 오염시키는 일 없이, 웨이퍼 W의 반송을 행할 수 있다. 이하, 도면을 이용하여 구체적으로 설명한다.In this embodiment, in the atmospheric system conveying apparatus 3, the hot gas is injected onto the conveying arm 52 by the gas supply system 60, in particular, the taper of the pick 54 on the conveying arm 52. The foreign matter adhering to the pad 54a is removed by scattering using thermal stress. In addition, in the LL / M 4, the gas supply system 72 injects a high temperature N 2 gas into the mounting / conveying arm 70, and in particular, the pick 74. Remove foreign substances adhering to the taper pad of) by scattering using thermal stress. Thereby, the wafer W can be conveyed without contaminating the wafer W. FIG. Hereinafter, it demonstrates concretely using drawing.

도 4는 열응력을 이용한 테이퍼 패드(54a)로부터의 이물질 제거 방법을 나타내는 공정도이다.4 is a process chart showing a method for removing foreign matter from the taper pad 54a using thermal stress.

도 4에 나타내는 바와 같이, 픽(54)의 위 및 테이퍼 패드(54a)에 이물질이 부착된 상태(도 4(a))에 있어서, 고온 가스(도면 중 흰색 화살표로 나타냄)를 픽(54) 및 테이퍼 패드(54a)에 분사하여(도 4(b)), 픽(54)의 위 및 테이퍼 패드(54a)에 부착된 이물질을 고온 가스의 열응력에 의해 비산시킨다(도 4(c)). 이에 따라, 픽(54)의 위 및 테이퍼 패드(54a)에 부착된 이물질을 제거할 수 있다. 또, 픽(74)의 위 및 테이퍼 패드(74a)에 있어서도, 동일한 수법에 의해 이물질을 제거할 수 있다.As shown in FIG. 4, the hot gas (indicated by the white arrow in the drawing) is picked up in the state where foreign matter is attached to the pick 54 and the taper pad 54a (FIG. 4A). And foreign matter adhering to the taper pads 54a (Fig. 4 (b)) and attached to the taper pads 54a on the pick 54 and scattered by the thermal stress of the hot gas (Fig. 4 (c)). . As a result, foreign matter adhering to the pick 54 and the taper pad 54a can be removed. In addition, also on the pick 74 and the taper pad 74a, a foreign material can be removed by the same method.

종래에는, 예컨대, 테이퍼 패드에 부착된 이물질을 가스를 분사하는 것에 의해 비산시키려고 하면, 테이퍼 패드 표면에 가스의 유속도가 0(zero)인 층(경계층)이 발생하여, 경계층 내부의 이물질에 대하여 가스를 분사할 수 없어 그 이물질을 전부 비산시킬 수 없었다. 이에 대하여, 본 실시예에서는, 고온 가스의 열응력을 이용하여 이물질을 비산시키고 있다. 또한, 분사하는 가스의 압력을 변동시킴으로써 펄스파를 발생시키고, 이 펄스파에 의해 상술한 경계층을 돌파함으로써 이물질을 보다 효과적으로 비산시킬 수도 있기 때문에, 본 실시예에 있어서, 고온 가스의 압력을 변동시키면서 분사하는 것에 의해, 이물질의 제거를 더욱 효율적으로 행할 수 있다.Conventionally, for example, when attempting to disperse a foreign substance adhering to a taper pad by spraying gas, the layer (boundary layer) of the gas flow rate of zero (zero) generate | occur | produces on the taper pad surface, The gas could not be sprayed and all the foreign matter could not be scattered. In contrast, in the present embodiment, foreign matters are scattered by using the thermal stress of the hot gas. In addition, in this embodiment, since the pulse wave is generated by varying the pressure of the gas to be injected and the foreign matter can be more effectively scattered by breaking through the above-mentioned boundary layer by the pulse wave, in the present embodiment, the pressure of the hot gas is varied. By spraying, foreign matter can be removed more efficiently.

본 실시예에 있어서, 고온 가스로서 어떠한 가스를 이용하여도 좋지만, 고온의 산소 가스 또는 산소와 다른 가스 분자를 혼합한 가스, 또는 오존 가스를 이용하여, 플루오르카본계 폴리머를 분해함으로써, 화학적으로 제거 효과를 촉진하더라도 좋다.In the present embodiment, any gas may be used as the hot gas, but chemically removed by decomposing the fluorocarbon polymer using a high temperature oxygen gas, a gas mixed with oxygen and other gas molecules, or ozone gas. You may promote an effect.

종래, 웨이퍼 W의 온도가 낮은 상태로 웨이퍼 W가 P/M으로 반송되어, P/M의 플라즈마 처리가 실행되면, 플라즈마로부터의 유입 열에 의해 웨이퍼 W가 가열되어, 웨이퍼 W의 온도가 변화된다. 플라즈마로부터의 유입 열은 안정하지 않고 웨이퍼 W마다 다르기 때문에, 웨이퍼 W마다 승온 형태가 다르고, 결과적으로 웨이퍼 W마다 플라즈마 처리의 결과가 다르다(프로세스 편차).Conventionally, when the wafer W is conveyed to P / M while the temperature of the wafer W is low, and plasma processing of P / M is performed, the wafer W is heated by the heat of inflow from a plasma, and the temperature of the wafer W changes. Since the heat of inflow from the plasma is not stable and is different for each wafer W, the temperature rise form is different for each wafer W, and as a result, the plasma processing results are different for each wafer W (process variation).

이에 대하여, 본 실시예에서는, 반송 공정에 있어서 웨이퍼 W에 고온 가스를 분사할 수 있기 때문에, 웨이퍼 W에 플라즈마 처리가 실시되기 전에, 웨이퍼 W의 온도를 플라즈마로부터의 유입 열에 의해 도달하는 온도로 미리 승온할 수 있어, 상술한 프로세스 편차를 방지할 수 있다. 이 경우, 반송 공정에 있어서 웨이퍼 W의 온도를 플라즈마로부터의 유입 열에 의해 도달하는 온도로 확실히 제어해야 하는 LL/M(4)이나 대기계 반송 장치(3)에 웨이퍼 W의 온도 검지 수단을 마련하더라도 좋고, 승온 시간을 단축하기 위해 상술한 플라즈마로부터의 유입 열에 의해 도달하는 온도에 가까운 온도의 고온 가스를 반송 공정에 있어서 분사하더라도 좋다. 또한, 웨이퍼 W가 P/M(2)의 챔버(10) 내에 반입된 후, 웨이퍼 W에 플라즈마 처리를 실시하기 전에, 가스 도입 샤워 헤드(34)로부터 고온의 처리 가스를 분사하는 것에 의해, 웨이퍼 W의 온도를 플라즈마로부터의 유입 열에 의해 도달하는 온도까지 승온시키더라도 좋다.On the other hand, in this embodiment, since hot gas can be injected into the wafer W in the conveyance process, before the plasma processing is performed on the wafer W, the temperature of the wafer W is reached in advance by the temperature reached by the inflow heat from the plasma. It can raise a temperature and can prevent the process variation mentioned above. In this case, even if the temperature detection means of the wafer W is provided in the LL / M 4 or the atmospheric transfer device 3 which must reliably control the temperature of the wafer W to reach the temperature reached by the inflow heat from the plasma. In order to shorten a temperature rising time, hot gas of a temperature close to the temperature reached by the heat of inflow from the above-mentioned plasma may be injected in the conveyance step. In addition, after the wafer W is loaded into the chamber 10 of the P / M 2, before the plasma processing is performed on the wafer W, a high temperature processing gas is injected from the gas introduction shower head 34 so as to provide a wafer. The temperature of W may be raised to a temperature reached by the heat input from the plasma.

또한, 종래에는, 웨이퍼 W의 온도가 낮은 상태로 웨이퍼 W가 P/M(2)의 챔버(10) 내에 반송되고, 또한 챔버(10) 내가 진공 흡입되면, 웨이퍼 W에 흡착되어 있던 수분이 진공 흡입에 의해 웨이퍼 W에 증착하여, 도 5에 나타내는 것 같은 워터마크가 웨이퍼 W에 남는다. 웨이퍼 W의 잔류 수분이 많으면 많을수록, 진공 흡입 후에 워터마크가 많이 남고, 이 워터마크는 웨이퍼 W의 결함이 되기 쉽다. 또한, 웨이퍼 W에 남는 워터마크의 형상은 기판 처리 시스템 전체의 장치 구성에 따라 다르다. 본 실시예에서는, 반송 공정에 있어서 웨이퍼 W에 고온 가스를 분사할 수 있기 때문에, P/M(2)의 챔버(10) 내로의 반입 전에 웨이퍼 W의 온도를 상승시키는 것으로 웨이퍼 W의 잔류 수분을 제거할 수 있어, 웨이퍼 W에 워터마크가 남는 것을 방지할 수 있다. 이 워터 마크는 대기 중에서도 가열함으로써 제거할 수 있지만, 진공 중에서 제거하기 쉽기 때문에, 대기계 반송 장치(3)로 반송되기 전에 제거하는 것이 바람직하다.In addition, conventionally, when the wafer W is conveyed in the chamber 10 of the P / M 2 in a state where the temperature of the wafer W is low, and when the chamber 10 is vacuum sucked, the moisture adsorbed to the wafer W is vacuumed. It deposits on the wafer W by suction, and the watermark as shown in FIG. 5 remains on the wafer W. FIG. The more residual moisture of the wafer W, the more watermark remains after vacuum suction, and this watermark tends to become a defect of the wafer W. The shape of the watermark remaining on the wafer W depends on the device configuration of the entire substrate processing system. In this embodiment, since hot gas can be injected into the wafer W in the transfer process, the residual moisture of the wafer W is increased by raising the temperature of the wafer W before carrying it into the chamber 10 of the P / M 2. It can remove, and it can prevent that a watermark remains on the wafer W. Although this watermark can be removed by heating also in air | atmosphere, since it is easy to remove in vacuum, it is preferable to remove this watermark before conveying to the atmospheric system conveying apparatus 3.

또한, 종래, 진공 챔버의 유지 보수(대기 개방) 후의 진공 흡입에서는, 챔버 내벽 등에 부착된 수분의 아웃 가스가 발생하기 때문에, 장시간의 진공 흡입이 필요하다. 본 실시예에서는, 챔버(챔버(71)나 챔버(10)) 내에 고온 가스를 공급할 수 있기 때문에, 챔버의 유지 보수 후, 고온 가스의 공급에 의해 챔버 내벽에 부착되어 있는 수분의 아웃 가스의 발생을 촉진하여, 진공 흡입을 단시간에 행할 수 있 다. 알루미늄 무구 챔버나 세라믹 용사 챔버 등, 내벽 내부로부터의 아웃 가스가 거의 없는 또는 매우 적은 챔버에서는 챔버 내벽에 부착되어 있는 수분이 주된 아웃 가스 발생의 원인이다. 이러한 챔버에 상술한 수법을 적용하면, 진공 흡입의 시간 단축에 매우 효과적이다. 고온 가스의 공급 방법은 임의이지만, 진공 흡입을 행하면서 고온 가스를 공급하면, 효율적으로 수분의 아웃 가스의 발생을 촉진할 수 있다. 또한, 수분과의 반응성을 높이기 위해 고온 가스의 압력을 변동시켜도 좋고, 고온 가스 중에 수분과의 반응성이 높은 가스를 혼합시켜도 좋다. 수분과의 반응성이 높은 가스는, HCl, BCl3, NOCl, COCl2, COF2, B2H8, Cl2, F2, SOBr2, 디클로로프로판, 디메틸프로판, 디브로모프로판, 트리메틸디클로로실란, 디메틸디클로로실란, 모노메틸트리클로로실란, 테트라클로로실란 등이다.In addition, in the vacuum suction after maintenance (atmosphere opening) of a vacuum chamber conventionally, since outgas of the moisture adhering to the chamber inner wall etc. generate | occur | produces, vacuum suction for a long time is required. In this embodiment, since the hot gas can be supplied into the chamber (chamber 71 or the chamber 10), after the maintenance of the chamber, the outgas of moisture adhering to the chamber inner wall by the supply of the hot gas is generated. In this way, vacuum suction can be performed in a short time. In a chamber with little or very little outgas from the inside of the inner wall, such as an aluminum solid chamber or a ceramic sprayed chamber, moisture attached to the inner wall of the chamber is a major cause of outgassing. Applying the above-described method to such a chamber is very effective for shortening the time of vacuum suction. Although the supply method of hot gas is arbitrary, supplying hot gas while performing vacuum suction can promote generation | occurrence | production of the outgas of moisture efficiently. Moreover, in order to improve the reactivity with water, the pressure of hot gas may be changed, and the gas with high reactivity with water may be mixed in hot gas. Gases having high reactivity with water include HCl, BCl 3 , NOCl, COCl 2 , COF 2 , B 2 H 8 , Cl 2 , F 2 , SOBr 2 , dichloropropane, dimethylpropane, dibromopropane, trimethyldichlorosilane , Dimethyldichlorosilane, monomethyltrichlorosilane, tetrachlorosilane and the like.

다음에, 본 발명의 실시예 2에 따른 기판 처리 방법에 대하여 설명한다. 이 기판 처리 방법은 상술한 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 P/M(2)에서 실행된다.Next, the substrate processing method according to the second embodiment of the present invention will be described. This substrate processing method is performed by the P / M 2 in the substrate processing system 1 mentioned above.

본 실시예에서는, P/M(2)에 있어서, 가스 도입 샤워 헤드(34)에 의해 웨이퍼 W의 표면에 고온 가스를 분사하는 것에 의해 웨이퍼 W의 표면에 부착된 이물질을 열응력을 이용하여 비산시킨다. 또한, 전열 가스 공급부(32)에 의해 웨이퍼 W의 이면에 고온의 전열 가스를 분사하는 것에 의해 웨이퍼 W의 이면에 부착된 이물질을 열응력을 이용하여 비산시켜도 좋다.In this embodiment, the foreign matter adhering to the surface of the wafer W is scattered by thermal stress in the P / M 2 by injecting a hot gas to the surface of the wafer W by the gas introduction shower head 34. Let's do it. In addition, by injecting a high temperature heat transfer gas to the back surface of the wafer W by the heat transfer gas supply unit 32, foreign matter adhering to the back surface of the wafer W may be scattered using thermal stress.

종래, 플라즈마 처리 후의 웨이퍼 W상에 부식성 흡착 분자가 부착된 상태로 P/M(2)의 챔버(10)로부터 웨이퍼 W가 반출되면, 웨이퍼 W로부터 증발한 흡착 분자 에 의해 기판 처리 시스템(1)이 부식되어 버리는 일이 있었다. 본 실시예에서는, 플라즈마 처리 후에 웨이퍼 W의 표면에 대면한 위치의 가스 도입 샤워 헤드(34)로부터 웨이퍼 W를 향하여 고온 가스를 분사하는 것으로 웨이퍼 W를 가열하여, 웨이퍼 W의 온도를 상승시킴으로써 웨이퍼 W상의 흡착 분자를 제거할 수 있다. 또한, 플라즈마 처리 후에 웨이퍼 W의 이면에 대향하는 전열 가스 공급 구멍(30)으로부터 웨이퍼 W를 향하여 고온의 전열 가스를 분사함으로써 웨이퍼 W를 가열하여, 웨이퍼 W의 온도를 상승시키는 것에 의해 웨이퍼 W상의 흡착 분자를 제거할 수도 있다. 이하, 도면을 이용하여 구체적으로 설명한다.Conventionally, when the wafer W is taken out from the chamber 10 of the P / M 2 with corrosive adsorption molecules attached to the wafer W after the plasma treatment, the substrate processing system 1 is carried out by the adsorption molecules evaporated from the wafer W. It has become corroded. In the present embodiment, the wafer W is heated by injecting a high temperature gas toward the wafer W from the gas introduction shower head 34 at the position facing the surface of the wafer W after the plasma treatment, thereby raising the temperature of the wafer W. Adsorbent molecules in the phase can be removed. Further, after the plasma treatment, the wafer W is heated by injecting a high temperature heat transfer gas toward the wafer W from the heat transfer gas supply hole 30 facing the back surface of the wafer W, thereby adsorbing on the wafer W by raising the temperature of the wafer W. Molecules can also be removed. Hereinafter, it demonstrates concretely using drawing.

도 6은 열응력을 이용한 웨이퍼 W상의 흡착 분자의 제거 방법을 나타내는 공정도이다.6 is a process chart showing a method for removing adsorption molecules on the wafer W using thermal stress.

도 6에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W의 표면에 흡착 분자가 부착된 상태(도 6(a))에서, 고온 가스(도면 중 흰 화살표로 나타냄)를 웨이퍼 W의 표면에 분사하여(도 6(b)), 웨이퍼 W의 온도를 상승시킴으로써 웨이퍼 W의 표면에 부착된 흡착 분자를 열응력에 의해 그 표면으로부터 비산시킨다(도 6(c)). 이에 따라, 플라즈마 처리 후 웨이퍼 W에 부착된 흡착 분자를 제거할 수 있다. 또, 웨이퍼 W의 이면에 부착된 흡착 분자에 있어서도, 마찬가지로 제거할 수 있다.As shown in FIG. 6, in a state in which adsorption molecules adhere to the surface of the wafer W (FIG. 6A), hot gas (indicated by a white arrow in the drawing) is sprayed onto the surface of the wafer W (FIG. 6B). )), The adsorption molecules adhering to the surface of the wafer W are scattered from the surface by thermal stress by raising the temperature of the wafer W (Fig. 6 (c)). Thereby, the adsorption molecule adhering to the wafer W can be removed after the plasma treatment. Moreover, also in the adsorption molecule adhered to the back surface of the wafer W, it can remove similarly.

또한, 본 실시예에 있어서, 분사하는 고온 가스의 압력을 변동시켜 펄스파를 발생시킴으로써, 흡착 분자의 제거를 효율 좋게 행할 수 있다.In addition, in the present embodiment, the pulsed wave is generated by varying the pressure of the hot gas to be injected, so that the adsorption molecules can be efficiently removed.

상술한 바와 같이, 웨이퍼 W의 온도가 낮은 상태에서 웨이퍼 W에 P/M(2)의 플라즈마 처리가 실행되면, 웨이퍼 W마다 플라즈마 처리의 결과가 다르다. 이에 대하여, 본 실시예에서는, P/M(2)의 챔버(10) 내에서 웨이퍼 W에 플라즈마 처리를 실시하기 전에, 가스 도입 샤워 헤드(34)로부터 고온 가스를 분사하여도 좋다. 이에 따라, 웨이퍼 W의 온도를 플라즈마로부터의 유입 열에 의해 도달하는 온도로 미리 승온할 수 있어, 상술한 프로세스 편차를 방지할 수 있다. 또한, 플라즈마 처리를 실시하기 전에, 웨이퍼 W의 이면에 대향하는 전열 가스 공급 구멍(30)으로부터 웨이퍼 W를 향하여 고온의 전열 가스를 분사하여도 좋고, 이것에 의해서도, 프로세스 편차를 방지할 수 있다.As described above, when the plasma processing of the P / M 2 is performed on the wafer W while the temperature of the wafer W is low, the result of the plasma processing differs for each wafer W. FIG. In contrast, in the present embodiment, hot gas may be injected from the gas introduction shower head 34 before the plasma processing is performed on the wafer W in the chamber 10 of the P / M 2. Thereby, the temperature of the wafer W can be previously raised to the temperature reached by the heat of inflow from the plasma, and the above-described process variation can be prevented. Moreover, before performing a plasma process, you may inject a high temperature heat transfer gas toward the wafer W from the heat transfer gas supply hole 30 which opposes the back surface of the wafer W, and can also prevent a process deviation.

또한, 본 실시예에서도, 웨이퍼 W에 워터마크가 남는 것을 방지할 수 있고, 더욱이, 챔버(10)의 내벽에 부착되어 있는 수분의 아웃 가스의 발생을 촉진하여, 진공 흡입을 단시간에 행할 수 있다.Also in this embodiment, it is possible to prevent the watermark from remaining on the wafer W, and furthermore, it is possible to promote the generation of outgas of moisture adhering to the inner wall of the chamber 10 and to perform vacuum suction in a short time. .

또한, 본 발명의 목적은 상술한 각 실시예의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램 코드를 기억한 기억 매체를 시스템 또는 장치에 공급하고, 그 시스템 또는 장치의 컴퓨터(또는 CPU나 MPU 등)가 기억 매체에 저장한 프로그램 코드를 판독하여 실행함으로써도 달성된다.It is also an object of the present invention to supply a storage medium storing program codes of software for realizing the functions of the above-described embodiments to a system or an apparatus, and a computer (or CPU or MPU, etc.) of the system or apparatus to the storage medium. It is also achieved by reading and executing the stored program code.

이 경우, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드 자체가 상술한 각 실시예의 기능을 실현하는 것이 되고, 그 프로그램 코드 및 그 프로그램 코드를 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하는 것이 된다.In this case, the program code itself read out from the storage medium realizes the functions of the above-described embodiments, and the program code and the storage medium storing the program code constitute the present invention.

또한, 프로그램 코드를 공급하기 위한 기억 매체로는, 예컨대, 플로피(등록 상표) 디스크, 하드디스크, 광 자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW 등의 광 디스크, 자기 테이프, 비휘발성 메모리 카드, ROM 등 을 이용할 수 있다. 또는, 프로그램 코드를 네트워크를 통해 다운로드하여도 좋다.As a storage medium for supplying the program code, for example, a floppy disk, a hard disk, a magneto-optical disk, a CD-ROM, a CD-R, a CD-RW, a DVD-ROM, a DVD-RAM, a DVD Optical discs, such as -RW and DVD + RW, magnetic tapes, nonvolatile memory cards, ROMs, and the like can be used. Alternatively, the program code may be downloaded via a network.

또한, 컴퓨터가 판독한 프로그램 코드를 실행함으로써, 상술한 각 실시예의 기능이 실현될 뿐만 아니라, 그 프로그램 코드의 지시에 근거하여, 컴퓨터상에서 가동되고 있는 0S(Operating System) 등이 실제 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 상술한 각 실시예의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.In addition, by executing the program code read by the computer, not only the functions of the above-described embodiments are realized, but also based on the instruction of the program code, 0S (Operating System) or the like running on the computer is a part of the actual processing or the like. It also includes a case where all of them are performed, and the processing realizes the functions of the above-described embodiments.

또한, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드가, 컴퓨터에 삽입된 기능 확장 보드나 컴퓨터에 접속된 기능 확장 유닛에 구비되는 메모리에 기입된 후, 그 프로그램 코드의 지시에 근거하여, 그 확장 기능을 확장 보드나 확장 유닛에 구비되는 CPU 등이 실제 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 상술한 각 실시예의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.Furthermore, after the program code read out from the storage medium is written into the memory provided in the function expansion board inserted into the computer or the function expansion unit connected to the computer, the expansion function is expanded based on the instruction of the program code. It also includes a case where a CPU or the like provided in the expansion unit performs part or all of the actual processing, and the functions of the above-described embodiments are realized by the processing.

상기 프로그램 코드의 형태는 오브젝트 코드, 인터프리터에 의해 실행되는 프로그램 코드, 0S에 공급되는 스크립트 데이터 등의 형태로 이루어져도 좋다.The program code may be in the form of an object code, a program code executed by an interpreter, or script data supplied to 0S.

제 1 측면에 따른 기판 처리 방법, 제 9 측면에 따른 기판 처리 시스템 및 제 10 측면에 따른 기억 매체에 의하면, 반송 수단에 고온 가스를 분사하기 때문에, 반송 수단에 부착된 이물질을 비산시킴으로써, 반송 수단의 오염을 방지할 수 있고, 또한, 그 반송 수단이 반송하는 기판에 오염이 비산하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판에 고온 가스를 분사하기 때문에, 기판에 부착된 이물질을 비산시킴으로써, 기판의 오염을 방지할 수 있다. 따라서, 기판 반송 장치의 가동을 정지하는 일 없이, 기판 반송 장치가 반송하는 기판의 오염을 방지할 수 있고, 또한, 스루풋을 저하시키는 일 없이 양품률을 높일 수 있다.According to the substrate processing method according to the first aspect, the substrate processing system according to the ninth aspect, and the storage medium according to the tenth aspect, hot air is injected into the conveying means, so that the foreign matter attached to the conveying means is scattered, thereby conveying means. Can be prevented from being prevented, and the contamination can be prevented from scattering on the substrate conveyed by the conveying means. Moreover, since hot gas is inject | poured to the board | substrate conveyed by a conveying means, contamination of a board | substrate can be prevented by scattering a foreign material adhering to a board | substrate. Therefore, the contamination of the board | substrate which a board | substrate conveying apparatus conveys can be prevented without stopping operation | movement of a board | substrate conveying apparatus, and a yield can be raised, without reducing a throughput.

제 2 측면에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 반송 수단에 의한 기판의 반송 전에, 반송 수단에 고온 가스를 분사하기 때문에, 반송 수단에 부착된 이물질을 비산시킬 수 있어, 반송 수단이 반송하는 기판의 오염을 확실히 방지할 수 있다.According to the substrate processing method according to the second aspect, since hot gas is injected to the conveying means before conveying the substrate by the conveying means, foreign matter attached to the conveying means can be scattered, and the substrate conveys the contamination of the substrate. Can be prevented certainly.

제 3 측면에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 반송 수단 및 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 부착된 이물질에 대하여 열응력을 발생시키기 때문에, 그 열응력에 의해 이물질을 비산시킬 수 있고, 또한, 반송 수단 및 그 반송 수단이 반송하는 기판의 오염을 방지할 수 있다.According to the substrate processing method according to the third aspect, since the thermal stress is generated on the conveying means and the foreign matter adhered to at least one of the substrates conveyed by the conveying means, the foreign matter can be scattered by the thermal stress. Moreover, the conveyance means and the board | substrate which the conveyance means convey can be prevented.

제 4 측면에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 반송 수단이 갖는, 기판과 접촉하는 접촉부를 향하여 고온 가스를 분사하기 때문에, 기판과 접촉부가 접촉함으로써 발생한 이물질을 비산시킬 수 있고, 또한, 반송 수단의 오염을 확실히 방지할 수 있다.According to the substrate processing method according to the fourth aspect, since the hot gas is injected toward the contact portion that the conveying means has in contact with the substrate, it is possible to scatter foreign matters generated by the contact between the substrate and the contact portion, and contaminate the conveying means. Can be prevented certainly.

제 5 측면에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 반송 수단에 의한 기판의 기판 처리 장치로의 반송 전에, 기판에 고온 가스를 분사하기 때문에, 기판의 온도를 미리 기판 처리 장치에 있어서 승온되는 온도로 상승시킬 수 있고, 또한, 기판 처리 장치 내에서의 기판의 승온 형태를 동일하게 할 수 있다. 이에 따라, 기판마다의 처리 결과를 균일하게 할 수 있어, 양품률을 높일 수 있다.According to the substrate processing method according to the fifth aspect, since hot gas is injected onto the substrate before the substrate is conveyed to the substrate processing apparatus by the conveying means, the temperature of the substrate is raised to a temperature previously raised in the substrate processing apparatus. In addition, the temperature rising form of the board | substrate in a substrate processing apparatus can be made the same. Thereby, the processing result for every board | substrate can be made uniform, and a yield can be improved.

제 6 측면에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 수분이 부착된 기판의 면을 향 하여 고온 가스를 분사하기 때문에, 기판의 면에 부착된 수분을 증발시킬 수 있고, 또한, 기판의 오염을 방지할 수 있다.According to the substrate processing method according to the sixth aspect, since hot gas is injected toward the surface of the substrate with moisture, the moisture adhered to the surface of the substrate can be evaporated and the contamination of the substrate can be prevented. have.

제 7 측면에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 기판 처리 장치가 갖는, 기판을 수용하는 처리실 내를 향하여 고온 가스를 분사하기 때문에, 처리실 내에 부착된 수분의 아웃 가스의 발생을 촉진할 수 있고, 또한, 스루풋을 향상시킬 수 있다.According to the substrate processing method according to the seventh aspect, since the hot gas is injected into the processing chamber in which the substrate processing apparatus has the substrate, generation of outgas of moisture adhered in the processing chamber can be promoted. Throughput can be improved.

제 8 측면에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 기판 처리 장치가 갖는 처리실 내에 수용된 면에 흡착 분자가 부착된 기판의 면을 향하여 고온 가스를 분사하기 때문에, 처리실 내에서 기판의 면에 부착된 흡착 분자를 비산시킬 수 있고, 또한, 처리실 밖에 있어서의 그 흡착 분자의 비산에 기인하는 부식을 방지할 수 있어, 시스템의 부식을 방지할 수 있다.According to the substrate processing method according to the eighth aspect, since the hot gas is injected toward the surface of the substrate having the adsorption molecules attached to the surface contained in the processing chamber of the substrate processing apparatus, the adsorption molecules attached to the surface of the substrate in the processing chamber are It is possible to scatter, and to prevent corrosion due to the scattering of the adsorbing molecules outside the processing chamber, and to prevent corrosion of the system.

Claims (10)

적어도, 기판을 처리하는 기판 처리 장치와, 상기 기판을 반송하는 반송 수단을 갖는 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 기판 처리 방법에 있어서,In at least the substrate processing method of the substrate processing system provided with the substrate processing apparatus which processes a board | substrate, and the board | substrate conveying apparatus which has a conveying means which conveys the said board | substrate, 반송 공정 중에, 상기 반송 수단 및 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 고온 가스를 분사하여 이물질을 제거하는 분사 단계를 마련하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.During the conveyance process, the spraying process of removing a foreign material by injecting hot gas into at least one of the said conveying means and the board | substrate conveyed by the conveying means, The substrate processing method characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분사 단계는 상기 반송 수단에 의한 상기 기판의 반송 전에, 상기 반송 수단에 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The said spraying step injects hot gas into the said conveying means before conveyance of the said substrate by the said conveying means, The substrate processing method characterized by the above-mentioned. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 고온 가스는 상기 반송 수단 및 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 부착된 이물에 대하여 열응력을 발생시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The said hot gas produces | generates thermal stress with respect to the foreign material adhering to at least one of the said conveyance means and the board | substrate conveyed by this conveyance means, The substrate processing method characterized by the above-mentioned. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 반송 수단은 상기 기판과 접촉하는 접촉부를 갖고,The conveying means has a contact portion in contact with the substrate, 상기 분사 단계는 상기 접촉부를 향하여 상기 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And the spraying step injects the hot gas toward the contact portion. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 분사 단계는 상기 반송 수단에 의한 상기 기판의 상기 기판 처리 장치로의 반송 전에, 상기 기판에 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The said spraying step injects hot gas into the said board | substrate before conveyance of the said board | substrate to the said substrate processing apparatus by the said conveying means, The substrate processing method characterized by the above-mentioned. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 기판의 면에는 수분이 부착되고,Moisture is attached to the surface of the substrate, 상기 분사 단계는 상기 기판의 면을 향하여 상기 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And the spraying step injects the hot gas toward the surface of the substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 기판 처리 장치는 상기 기판을 수용하는 처리실을 갖고,The substrate processing apparatus has a processing chamber accommodating the substrate, 상기 분사 단계는 상기 처리실 내를 향하여 상기 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And said spraying step injects said hot gas toward said processing chamber. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 기판 처리 장치는 상기 기판을 수용하는 처리실을 갖고,The substrate processing apparatus has a processing chamber accommodating the substrate, 상기 기판의 면에는 흡착 분자가 부착되며,Adsorbent molecules are attached to the surface of the substrate, 상기 분사 단계는 상기 처리실 내에 수용된 상기 기판의 면을 향하여 상기 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And the spraying step injects the hot gas toward a surface of the substrate accommodated in the processing chamber. 적어도, 기판을 처리하는 기판 처리 장치와, 상기 기판을 반송하는 반송 수단을 갖는 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템에 있어서,In the substrate processing system provided with the board | substrate conveying apparatus which has a board | substrate processing apparatus which processes a board | substrate and the conveying means which conveys the said board | substrate at least, 상기 기판 반송 장치는, 반송 처리실 내에서, 상기 반송 수단 및 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 고온 가스를 분사하는 분사 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The said board | substrate conveyance apparatus is equipped with the injection means which injects hot gas in at least one of the said conveyance means and the board | substrate conveyed by this conveyance means in a conveyance processing chamber, The substrate processing system characterized by the above-mentioned. 적어도, 기판을 처리하는 기판 처리 장치와, 상기 기판을 반송하는 반송 수단을 갖는 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 기판 처리 방법을 컴퓨터에게 실행시키는 프로그램을 저장하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서,A computer-readable storage medium storing at least a program for causing a computer to execute a substrate processing method of a substrate processing system having a substrate processing apparatus for processing a substrate and a substrate transfer apparatus having a transfer means for transferring the substrate. 반송 공정 중에, 상기 반송 수단과 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 고온 가스를 분사하는 분사 모듈을 갖는 것을 특징으로 하는 기억 매체.The storage medium which has an injection module which injects hot gas into at least one of the said conveying means and the board | substrate conveyed by the conveying means during a conveyance process.
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