JP2005350291A - Iii族窒化物結晶およびその製造方法、ならびにiii族窒化物結晶基板および半導体デバイス - Google Patents
Iii族窒化物結晶およびその製造方法、ならびにiii族窒化物結晶基板および半導体デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005350291A JP2005350291A JP2004171452A JP2004171452A JP2005350291A JP 2005350291 A JP2005350291 A JP 2005350291A JP 2004171452 A JP2004171452 A JP 2004171452A JP 2004171452 A JP2004171452 A JP 2004171452A JP 2005350291 A JP2005350291 A JP 2005350291A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- group iii
- iii nitride
- seed crystal
- nitride crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 484
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 204
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 71
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000002585 base Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/38—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 種結晶10を準備する工程と、液相法により種結晶10に第1のIII族窒化物結晶21を成長させる工程とを含み、種結晶10に第1のIII族窒化物結晶21を成長させる工程において、種結晶10の主面10hに平行な方向の結晶成長速度VHが、種結晶10の主面10hに垂直な方向の結晶成長速度VVより大きいことを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。上記製造方法により得られた種結晶10の主面10hに平行な面の転位密度が5×106個/cm2以下のIII族窒化物結晶。
【選択図】 図1
Description
本発明にかかる一のIII族窒化物結晶の製造方法は、図1を参照して、種結晶10を準備する工程と、液相法により種結晶10に第1のIII族窒化物結晶21を成長させる工程とを含み、種結晶10に第1のIII族窒化物結晶21を成長させる工程において、種結晶10の主面10hに平行な方向の結晶成長速度VHが、種結晶10の主面10hに垂直な方向の結晶成長速度VVより大きいことを特徴とする。
本発明にかかる別のIII族窒化物結晶の製造方法は、図1および図2を参照して、種結晶10を準備する工程と、液相法により種結晶10に第1のIII族窒化物結晶21を成長させる工程と、第1のIII族窒化物結晶21に第2のIII族窒化物結晶22を成長させる工程とを含む。ここで、図1に示すように、種結晶10に第1のIII族窒化物結晶21を成長させる工程において、種結晶10の主面10hに平行な方向の結晶成長速度VHが、種結晶10の主面10hに垂直な方向の結晶成長速度VVより大きいことを特徴とする。また、図2に示すように、第1のIII族窒化物結晶21に第2のIII族窒化物結晶22を成長させる工程において、種結晶10の主面10hに平行な方向の結晶成長速度VHが、種結晶10の主面10hに垂直な方向の結晶成長速度VVより小さいことを特徴とする。
本発明にかかるまた別のIII族窒化物結晶の製造方法は、図3を参照して、種結晶10として下地基板9上に形成されたIII族窒化物種結晶を準備する工程と、液相法により種結晶10に第1のIII族窒化物結晶21を成長させる工程とを含み、種結晶10に第1のIII族窒化物結晶21を成長させる工程において、種結晶10の主面10hに平行な方向の結晶成長速度VHが、種結晶10の主面10hに垂直な方向の結晶成長速度VVより大きいことを特徴とする。
本発明にかかるさらに別のIII族窒化物結晶の製造方法は、種結晶として下地基板上に形成されたIII族窒化物種結晶を準備する工程と、液相法により種結晶に第1のIII族窒化物結晶を成長させる工程と、第1のIII族窒化物結晶に第2のIII族窒化物結晶を成長させる工程とを含む。ここで、図3に示すように、種結晶10である上記III族窒化物種結晶に第1のIII族窒化物結晶21を成長させる工程において、種結晶10の主面10hに平行な方向の結晶成長速度VHが、種結晶10の主面10hに垂直な方向の結晶成長速度VVより大きいことを特徴とする。また、図示はしないが、第1のIII族窒化物結晶に第2のIII族窒化物結晶を成長させる工程において、種結晶の主面に平行な方向の結晶成長速度VHが、種結晶の主面に垂直な方向の結晶成長速度VVより小さいことを特徴とする。
本発明にかかる一のIII族窒化物結晶は、上記実施形態1から実施形態4のいずれかの製造方法により製造されたものであり、種結晶の主面に平行な面の転位密度が5×106個/cm2以下、好ましくは1×106個/cm2以下のIII族窒化物結晶である。上記の製造方法により、種結晶の主面に平行な面の転位密度が低いIII族窒化物結晶が得られる。ここで、結晶の転位密度は、TEM(Transmission Electron Microscope;透過型電子顕微鏡)を用いて測定することができる。
本発明にかかる一のIII族窒化物結晶基板は、上記III族窒化物結晶から得られた、主面の転位密度が5×106個/cm2以下、好ましくは1×106個/cm2以下のIII族窒化物結晶基板である。具体的には、たとえば、図6に示すように、種結晶10としてのIII族窒化物種結晶に同種のIII族窒化物結晶20(第1のIII族窒化物結晶21および第2の窒化物結晶22を含む)を成長させた後、このIII族窒化物結晶20を種結晶10の主面10hに平行に切り出し、表面を研磨することにより本III族窒化物結晶基板が得られる。ここで、結晶の切り出しには、内周刃、外周刃、レーザなどが用いられる。結晶表面の研磨には、機械的研磨、化学機械的研磨(CMP)、エッチングなどの各種研磨方法が用いられる。
本発明にかかる一の半導体デバイスは、上記III族窒化物結晶基板の主面上に少なくとも1層のIII族窒化物半導体層が形成された半導体デバイスである。本半導体デバイスとしては、たとえば、図7を参照して、III族窒化物結晶基板であるGaN結晶基板70の主面上に、MOCVD法により、III族窒化物結晶層として、n型GaN層71、In0.15Ga0.85N層とGaN層からなる対を1対以上積層させた多重量子井戸構造72、p型Al0.20Ga0.80N層73およびp型GaN層74を順次形成し、GaN基板の下側にn側電極76を、p型GaN層74の上側にp側電極75を形成することにより、発光80を生じるLED(Light Emitting Diode;発光ダイオード)が得られる。本実施形態におけるLEDは、主面の転位密度が低いIII族窒化物基板を用いているために、発光強度が大きくなる。
図4における図4(a)を参照して、まず、種結晶10としてGaN種結晶(転位密度:5×107個/cm2、サイズ:直径3mm×厚さ400μm)を用いて、フラックス法により、種結晶10の主面10h(直径3mmの円板面)である(0001)面に平行な方向の結晶成長速度VHが、種結晶10の主面10hに垂直な方向の結晶成長速度VVより大きくなるように、第1のIII族窒化物結晶である第1のGaN結晶を成長させた。
図5における図5(a)を参照して、種結晶10として、下地基板9である直径3mm×厚さ400μmのサファイア基板上にMOCVD法により形成されたGaN種結晶(転位密度:1×109個/cm2、サイズ:直径3mm×厚さ3μm)を用いて、フラックス法により、GaN種結晶のみにGaN結晶を成長させた他は、実施例1と同様にして、GaN結晶(第1のGaN結晶および第2のGaN結晶)を成長させた。なお、結晶成長の際に薄い第1のGaN結晶を支えるために、反応容器1内に下地基板9と同じ厚さの支持台8を設けた。得られたGaN結晶の(0001)面における転位密度は、第1のGaN結晶成長後では2×105個/cm2、第2のGaN結晶成長後では1×105個/cm2と、GaN種結晶の転位密度(1×109個/cm2)に比べて著しく低減した。
図4を参照して、種結晶10として、AlN種結晶(転位密度:1×109個/cm2、サイズ:直径3mm×厚さ400μm)を用いた他は、実施例1と同様にして、GaN結晶、GaN結晶基板およびLEDを作製した。得られたGaN結晶の(0001)面における転位密度は、第1のGaN結晶成長後では5×105個/cm2、第2のGaN結晶成長後では3×105個/cm2と、AlN種結晶の転位密度(1×109個/cm2)に比べて著しく低減した。また、得られたLEDの両電極に20mAの電流を流したときの相対発光強度は、後述する比較例1のLEDの発光強度1.0に対して、第1のGaN結晶のみからなるGaN結晶基板の場合で1.5であり、第2のGaN結晶のみからなるGaN結晶基板の場合で1.8と向上した。結果を表1にまとめた。
図4における図4(a)および(b)を参照して、実施例1と同様にして、フラックス法によりGaN種結晶に第1のGaN結晶を成長させた後、この第1のGaN結晶を取り出して、HVPE法により第1のGaN結晶に第2のGaN結晶を成長させた。具体的には、第1のGaN結晶に、1030℃、101kPaで、GaClガス(Ga原料ガス)とNH3ガス(窒素原料ガス)とH2ガス(キャリアーガス)と(モル比はGaCl:NH3:H2=120:1000:7000)を、全ガス流量8120sccm(1sccmは、標準状態(1013hPa、0℃)のガスが1分間に1cm3のガス流量を示す)で、30hr導入して、直径17mm×厚さ3000μmの第2のGaN結晶を成長させた。この第2のGaN結晶の結晶成長速度は、VHが0μm/hr、VVが100μm/hrであった。こうして、第1のGaN結晶と第2のGaN結晶とが一体となったGaN結晶が得られた。このGaN結晶から、実施例1と同様にして、GaN結晶基板およびLEDを作製した。
種結晶として、下地基板である直径3mm×厚さ400μmのサファイア基板上にMOCVD法により形成されたGaN種結晶(転位密度:1×109個/cm2、サイズ:直径3mm×厚さ3μm)を用いて、フラックス法により、GaN種結晶のみにGaN結晶を成長させた他は、実施例4と同様にして、GaN結晶(第1のGaN結晶および第2のGaN結晶)を成長させた。得られたGaN結晶の(0001)面における転位密度は、第1のGaN結晶成長後では2×105個/cm2、第2のGaN結晶成長後では1×105個/cm2と、GaN種結晶の転位密度(1×109個/cm2)に比べて著しく低減した。
種結晶として、AlN種結晶(転位密度:1×109個/cm2、サイズ:直径3mm×厚さ400μm)を用いた他は、実施例1と同様にして、GaN結晶、GaN結晶基板およびLEDを作製した。得られたGaN結晶の(0001)面における転位密度は、第1のGaN結晶成長後では5×105個/cm2、第2のGaN結晶成長後では3×105個/cm2と、AlN種結晶の転位密度(1×109個/cm2)に比べて著しく低減した。また、得られたLEDの両電極に20mAの電流を流したときの相対発光強度は、後述する比較例1のLEDの発光強度1.0に対して、第1のGaN結晶のみからなるGaN結晶基板の場合で1.5であり、第2のGaN結晶のみからなるGaN結晶基板の場合で1.8と向上した。結果を表1にまとめた。
種結晶10としてGaN種結晶(転位密度:5×107個/cm2、サイズ:直径17mm×厚さ400μm)を用いて、HVPE法により、種結晶10の主面10h(直径17mmの円板面)である(0001)面に垂直な方向に、III族窒化物結晶であるGaN結晶を成長させた。
Claims (10)
- 種結晶を準備する工程と、液相法により前記種結晶に第1のIII族窒化物結晶を成長させる工程とを含み、
前記種結晶に第1のIII族窒化物結晶を成長させる工程において、前記種結晶の主面に平行な方向の結晶成長速度が、前記種結晶の主面に垂直な方向の結晶成長速度より大きいことを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。 - 前記第1のIII族窒化物結晶に第2のIII族窒化物結晶を成長させる工程をさらに含み、
前記第1のIII族窒化物結晶に第2のIII族窒化物結晶を成長させる工程において、前記種結晶の主面に平行な方向の結晶成長速度が、前記種結晶の主面に垂直な方向の結晶成長速度より小さいことを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。 - 前記第1のIII族窒化物結晶に第2のIII族窒化物結晶を成長させる工程を液相法により行なう請求項2に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記第1のIII族窒化物結晶に第2のIII族窒化物結晶を成長させる工程を気相法により行なう請求項2に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記種結晶が、III族窒化物種結晶である請求項1から請求項4のいずれかに記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記種結晶が、下地基板上に形成されたIII族窒化物種結晶である請求項1から請求項4のいずれかに記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記III族窒化物種結晶の主面が、{0001}面である請求項5または請求項6に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 請求項1から請求項7のいずれかに記載されたIII族窒化物結晶の製造方法によって製造された、種結晶の主面に平行な面の転位密度が5×106個/cm2以下であるIII族窒化物結晶。
- 請求項8に記載のIII族窒化物結晶から得られた、主面の転位密度が5×106個/cm2以下であるIII族窒化物結晶基板。
- 請求項9に記載のIII族窒化物結晶基板の主面上に、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層が形成された半導体デバイス。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004171452A JP5015417B2 (ja) | 2004-06-09 | 2004-06-09 | GaN結晶の製造方法 |
EP05730635A EP1754811A4 (en) | 2004-06-09 | 2005-04-15 | GROUP III NITRIDE CRYSTAL AND PROCESS FOR PREPARING THE SAME, GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE |
US11/628,253 US8038794B2 (en) | 2004-06-09 | 2005-04-15 | Group III-nitride crystal, manufacturing method thereof, group III-nitride crystal substrate and semiconductor device |
PCT/JP2005/007316 WO2005121418A1 (ja) | 2004-06-09 | 2005-04-15 | Iii族窒化物結晶およびその製造方法、ならびにiii族窒化物結晶基板および半導体デバイス |
KR1020067024150A KR101222299B1 (ko) | 2004-06-09 | 2005-04-15 | Iii족 질화물 결정 및 그 제조 방법, 그리고 iii족 질화물 결정 기판 및 반도체 디바이스 |
CN2005800188876A CN1965112B (zh) | 2004-06-09 | 2005-04-15 | Iii族氮化物晶体、其制造方法以及iii族氮化物晶体衬底及半导体器件 |
TW094113091A TW200605404A (en) | 2004-06-09 | 2005-04-25 | Group III nitride crystal and its manufacturing method, group III nitride crystal substrate, and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004171452A JP5015417B2 (ja) | 2004-06-09 | 2004-06-09 | GaN結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005350291A true JP2005350291A (ja) | 2005-12-22 |
JP5015417B2 JP5015417B2 (ja) | 2012-08-29 |
Family
ID=35503090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004171452A Expired - Lifetime JP5015417B2 (ja) | 2004-06-09 | 2004-06-09 | GaN結晶の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8038794B2 (ja) |
EP (1) | EP1754811A4 (ja) |
JP (1) | JP5015417B2 (ja) |
KR (1) | KR101222299B1 (ja) |
CN (1) | CN1965112B (ja) |
TW (1) | TW200605404A (ja) |
WO (1) | WO2005121418A1 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007246368A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体結晶の製造方法 |
JP2008110910A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-05-15 | Ricoh Co Ltd | 製造装置、結晶製造方法、基板製造方法、窒化ガリウム結晶及び窒化ガリウム基板 |
JP2008273768A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の成長方法およびiii族窒化物結晶基板 |
JP2008308384A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶基板の製造方法、iii族窒化物結晶基板、および半導体デバイス |
JP2009029639A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-02-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の製造方法、iii族窒化物結晶基板およびiii族窒化物半導体デバイス |
JP2011001211A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の成長方法 |
JP2012006794A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN結晶の成長方法 |
JP2013193914A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Ricoh Co Ltd | 13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板 |
JP2019151518A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | 株式会社サイオクス | GaN積層体およびその製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5015417B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2012-08-29 | 住友電気工業株式会社 | GaN結晶の製造方法 |
JP4259414B2 (ja) | 2004-07-27 | 2009-04-30 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物単結晶の製造方法 |
DE102004048453A1 (de) | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Erhöhung des Umsatzes von Gruppe-III-Metall zu Gruppe-III-Nitrid in einer Gruppe-III-haltigen Metallschmelze |
JP2007277055A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体結晶の製造方法および半導体基板 |
JP5656184B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2015-01-21 | ソイテック | 三塩化ガリウムの噴射方式 |
JP4595030B2 (ja) * | 2008-01-24 | 2010-12-08 | 日本碍子株式会社 | Iii族金属窒化物単結晶の製造方法 |
CN102136414B (zh) * | 2008-04-16 | 2013-06-05 | 晶元光电股份有限公司 | 减少半导体外延位错发生的氮化镓半导体结构及其方法 |
DE102009044893B4 (de) * | 2009-12-14 | 2014-10-30 | Hanwha Q.CELLS GmbH | Herstellungsverfahren zur Herstellung eines Kristallkörpers aus einem Halbleitermaterial |
WO2013010118A1 (en) * | 2011-07-13 | 2013-01-17 | The Regents Of The University Of California | Growth of bulk group-iii nitride crystals |
JP6135080B2 (ja) * | 2012-09-17 | 2017-05-31 | 株式会社リコー | 13族窒化物結晶、13族窒化物結晶基板、及び13族窒化物結晶の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002241112A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-08-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 13族窒化物結晶の製造方法 |
US20030164138A1 (en) * | 2001-12-05 | 2003-09-04 | Seiji Sarayama | Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group-III nitride semiconductor device |
JP2004119423A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード |
JP2004158500A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体、窒化物半導体基板、窒化物半導体素子及びそれらの製造方法 |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03139445A (ja) | 1989-10-25 | 1991-06-13 | Takata Kk | 子供用拘束シート |
JP3139445B2 (ja) | 1997-03-13 | 2001-02-26 | 日本電気株式会社 | GaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体膜 |
US6348096B1 (en) | 1997-03-13 | 2002-02-19 | Nec Corporation | Method for manufacturing group III-V compound semiconductors |
JPH11130597A (ja) | 1997-10-24 | 1999-05-18 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 転位線の伝搬方向の制御方法およびその用途 |
US6270569B1 (en) * | 1997-06-11 | 2001-08-07 | Hitachi Cable Ltd. | Method of fabricating nitride crystal, mixture, liquid phase growth method, nitride crystal, nitride crystal powders, and vapor phase growth method |
US7560296B2 (en) * | 2000-07-07 | 2009-07-14 | Lumilog | Process for producing an epitalixal layer of galium nitride |
US6086673A (en) * | 1998-04-02 | 2000-07-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Process for producing high-quality III-V nitride substrates |
DE19904378B4 (de) * | 1999-02-03 | 2006-10-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Nitrid-Einkristallen |
JP4145437B2 (ja) * | 1999-09-28 | 2008-09-03 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板 |
JP3568112B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2004-09-22 | 豊田合成株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
US6596079B1 (en) * | 2000-03-13 | 2003-07-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | III-V nitride substrate boule and method of making and using the same |
JP3846150B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2006-11-15 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体素子および電極形成方法 |
WO2002040752A2 (en) * | 2000-11-20 | 2002-05-23 | The Regents Of The University Of California | Process for producing iii-v compound films by chemical deposition |
US6806508B2 (en) | 2001-04-20 | 2004-10-19 | General Electic Company | Homoepitaxial gallium nitride based photodetector and method of producing |
PL207400B1 (pl) * | 2001-06-06 | 2010-12-31 | Ammono Społka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością | Sposób i urządzenie do otrzymywania objętościowego monokryształu azotku zawierającego gal |
TW502438B (en) * | 2001-07-23 | 2002-09-11 | Uni Light Technology Inc | Semiconductor device with ohmic contact and method for producing the same |
AUPS240402A0 (en) * | 2002-05-17 | 2002-06-13 | Macquarie Research Limited | Gallium nitride |
WO2003098757A1 (fr) | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Ammono Sp.Zo.O. | Structure d'element electroluminescent comprenant une couche de monocristaux de nitrure en vrac |
FR2840452B1 (fr) * | 2002-05-28 | 2005-10-14 | Lumilog | Procede de realisation par epitaxie d'un film de nitrure de gallium separe de son substrat |
JP2004035360A (ja) | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 |
US7524691B2 (en) * | 2003-01-20 | 2009-04-28 | Panasonic Corporation | Method of manufacturing group III nitride substrate |
US7221037B2 (en) * | 2003-01-20 | 2007-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing group III nitride substrate and semiconductor device |
CN100368604C (zh) * | 2003-03-17 | 2008-02-13 | 财团法人大阪产业振兴机构 | 第ⅲ族元素氮化物单晶的制备方法和其中使用的设备 |
US7176115B2 (en) * | 2003-03-20 | 2007-02-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing Group III nitride substrate and semiconductor device |
ATE335872T1 (de) * | 2003-04-24 | 2006-09-15 | Norstel Ab | Vorrichtung und verfahren zur herstellung von einkristallen durch dampfphasenabscheidung |
US7309534B2 (en) * | 2003-05-29 | 2007-12-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Group III nitride crystals usable as group III nitride substrate, method of manufacturing the same, and semiconductor device including the same |
US7255742B2 (en) * | 2003-07-02 | 2007-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing Group III nitride crystals, method of manufacturing semiconductor substrate, Group III nitride crystals, semiconductor substrate, and electronic device |
US7125801B2 (en) * | 2003-08-06 | 2006-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing Group III nitride crystal substrate, etchant used in the method, Group III nitride crystal substrate, and semiconductor device including the same |
US7227172B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-06-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Group-III-element nitride crystal semiconductor device |
KR20050062832A (ko) * | 2003-12-18 | 2005-06-28 | 삼성코닝 주식회사 | 발광 소자용 질화물 반도체 템플레이트 제조 방법 |
US20070196942A1 (en) * | 2003-12-26 | 2007-08-23 | Yusuke Mori | Method for producing group III nitride crystal, group III nitride crystal obtained by such method, and group III nitride substrate using the same |
JP4622447B2 (ja) * | 2004-01-23 | 2011-02-02 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物結晶基板の製造方法 |
US7794539B2 (en) * | 2004-03-31 | 2010-09-14 | Panasonic Corporation | Method for producing III group element nitride crystal, production apparatus for use therein, and semiconductor element produced thereby |
JP2005298269A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶基板およびその製造方法ならびにiii族窒化物半導体デバイス |
JP5015417B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2012-08-29 | 住友電気工業株式会社 | GaN結晶の製造方法 |
US7294199B2 (en) * | 2004-06-10 | 2007-11-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Nitride single crystal and producing method thereof |
TW200617224A (en) | 2004-07-02 | 2006-06-01 | Mitsubishi Chem Corp | Production process of periodic table group 13 metal nitride crystal and production method of semiconductor device using the same |
DE102004048454B4 (de) * | 2004-10-05 | 2008-02-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von Gruppe-III-Nitrid-Volumenkristallen oder-Kristallschichten aus Metallschmelzen |
WO2007122949A1 (ja) * | 2006-03-23 | 2007-11-01 | Ngk Insulators, Ltd. | 窒化物単結晶の製造装置 |
JP5129527B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2013-01-30 | 株式会社リコー | 結晶製造方法及び基板製造方法 |
US8187507B2 (en) * | 2006-11-14 | 2012-05-29 | Osaka University | GaN crystal producing method, GaN crystal, GaN crystal substrate, semiconductor device and GaN crystal producing apparatus |
US20080296626A1 (en) * | 2007-05-30 | 2008-12-04 | Benjamin Haskell | Nitride substrates, thin films, heterostructures and devices for enhanced performance, and methods of making the same |
JP2008311269A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法 |
US7875534B2 (en) * | 2008-07-21 | 2011-01-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Realizing N-face III-nitride semiconductors by nitridation treatment |
US20100035416A1 (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-11 | Ding-Yuan Chen | Forming III-Nitride Semiconductor Wafers Using Nano-Structures |
US8803189B2 (en) * | 2008-08-11 | 2014-08-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | III-V compound semiconductor epitaxy using lateral overgrowth |
US8044409B2 (en) * | 2008-08-11 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | III-nitride based semiconductor structure with multiple conductive tunneling layer |
-
2004
- 2004-06-09 JP JP2004171452A patent/JP5015417B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-04-15 EP EP05730635A patent/EP1754811A4/en not_active Withdrawn
- 2005-04-15 WO PCT/JP2005/007316 patent/WO2005121418A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2005-04-15 CN CN2005800188876A patent/CN1965112B/zh active Active
- 2005-04-15 US US11/628,253 patent/US8038794B2/en active Active
- 2005-04-15 KR KR1020067024150A patent/KR101222299B1/ko active IP Right Grant
- 2005-04-25 TW TW094113091A patent/TW200605404A/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002241112A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-08-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 13族窒化物結晶の製造方法 |
US20030164138A1 (en) * | 2001-12-05 | 2003-09-04 | Seiji Sarayama | Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group-III nitride semiconductor device |
JP2004119423A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード |
JP2004158500A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体、窒化物半導体基板、窒化物半導体素子及びそれらの製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007246368A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体結晶の製造方法 |
JP2008110910A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-05-15 | Ricoh Co Ltd | 製造装置、結晶製造方法、基板製造方法、窒化ガリウム結晶及び窒化ガリウム基板 |
US8829530B2 (en) | 2006-10-02 | 2014-09-09 | Ricoh Company, Ltd. | Crystal producing apparatus, crystal producing method, substrate producing method, gallium nitride crystal, and gallium nitride substrate |
US8337798B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-12-25 | Ricoh Company, Ltd. | Crystal producing apparatus, crystal producing method, substrate producing method, gallium nitride crystal, and gallium nitride substrate |
JP2008273768A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の成長方法およびiii族窒化物結晶基板 |
JP2008308384A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶基板の製造方法、iii族窒化物結晶基板、および半導体デバイス |
JP4613933B2 (ja) * | 2007-06-25 | 2011-01-19 | 住友電気工業株式会社 | GaN結晶の製造方法 |
JP2009029639A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-02-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の製造方法、iii族窒化物結晶基板およびiii族窒化物半導体デバイス |
JP2011001211A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の成長方法 |
JP2012006794A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN結晶の成長方法 |
JP2013193914A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Ricoh Co Ltd | 13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板 |
JP2019151518A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | 株式会社サイオクス | GaN積層体およびその製造方法 |
JP6998798B2 (ja) | 2018-03-02 | 2022-01-18 | 株式会社サイオクス | GaN積層体およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070022275A (ko) | 2007-02-26 |
CN1965112B (zh) | 2011-02-09 |
CN1965112A (zh) | 2007-05-16 |
WO2005121418A1 (ja) | 2005-12-22 |
TW200605404A (en) | 2006-02-01 |
EP1754811A4 (en) | 2009-11-11 |
US8038794B2 (en) | 2011-10-18 |
EP1754811A1 (en) | 2007-02-21 |
KR101222299B1 (ko) | 2013-01-16 |
JP5015417B2 (ja) | 2012-08-29 |
US20080022921A1 (en) | 2008-01-31 |
TWI380479B (ja) | 2012-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101222299B1 (ko) | Iii족 질화물 결정 및 그 제조 방법, 그리고 iii족 질화물 결정 기판 및 반도체 디바이스 | |
JP5023318B2 (ja) | 3−5族窒化物半導体積層基板、3−5族窒化物半導体自立基板の製造方法、及び半導体素子 | |
JP4720125B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法並びにiii−v族窒化物系半導体 | |
JP4622447B2 (ja) | Iii族窒化物結晶基板の製造方法 | |
JP4816277B2 (ja) | 窒化物半導体自立基板及び窒化物半導体発光素子 | |
JP2011084469A (ja) | GaN単結晶基板の製造方法及びインゴット | |
KR20080075914A (ko) | 낮은 전위 밀도를 가지는 GaN의 성장 공정 | |
JPH11145516A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 | |
JP5051455B2 (ja) | エピタキシャル成長用窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP2002217116A (ja) | 結晶膜、結晶基板および半導体装置の製造方法 | |
JP5065625B2 (ja) | GaN単結晶基板の製造方法 | |
JP4952616B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP4915282B2 (ja) | Iii族窒化物半導体成長用の下地基板およびiii族窒化物半導体の成長方法 | |
JP3832313B2 (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体 | |
JP4214859B2 (ja) | 窒化ガリウム(GaN)基板の製造方法 | |
JP5144192B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の成長方法 | |
JP2006060164A (ja) | 窒化物半導体デバイスおよび窒化物半導体結晶成長方法 | |
JPH11186178A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法 | |
JP5170186B2 (ja) | Iii族窒化物結晶基板の製造方法 | |
JP2011216549A (ja) | GaN系半導体エピタキシャル基板の製造方法 | |
JP2005203418A (ja) | 窒化物系化合物半導体基板及びその製造方法 | |
JP5488562B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP2007197240A (ja) | 窒化ガリウム単結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム単結晶基板 | |
JP2005057064A (ja) | Iii族窒化物半導体層およびその成長方法 | |
JP2005020026A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及び半導体基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070302 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100622 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110513 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120509 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120529 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120607 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150615 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5015417 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |