JP2005347769A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法では、リードフレーム側のエアベント形成領域32に、第1のエアベント29、第2のエアベント30を形成する。樹脂モールドの際、この第1のエアベント29の一端をキャビティ内に配置する。そして、樹脂モールド時のキャビティ内の空気は、第1のエアベントを介してキャビティ外部に抜き出すことができる。その結果、樹脂モールド後のパッケージには、未充填領域やボイドが発生することはなく、製品品質の優れた半導体装置を提供できる。
【選択図】図2
Description
Claims (6)
- 少なくともアイランドと、前記アイランドを囲むように前記アイランド近傍から延在する複数のリードと、前記リードを一体に支持するタイバーと、前記アイランドのコーナー部から連続して延在する吊りリードと、前記吊りリードの延在方向で前記吊りリード及び前記タイバーと連結するエアベント配置領域と、前記エアベント配置領域に独立した貫通孔として形成される第1及び第2のエアベントとから構成され、前記アイランドに半導体素子が固着されたリードフレームを準備し、
上金型と下金型とが当接することでキャビティを構成し、少なくとも前記上金型と下金型の当接面のいずれかに前記第1のエアベントと前記第2のエアベントとを連結させる溝を有する樹脂封止金型に、前記第1のエアベントの一部が前記キャビティ内に位置するように前記リードフレームを収納し、
前記キャビティ内に樹脂を充填させながら、前記キャビティ内の空気を前記樹脂封止金型の溝を介して前記第1のエアベントから前記第2のエアベントへと排出するとともに、前記樹脂を前記第1のエアベント、前記樹脂封止金型の溝及び少なくとも前記第2のエアベントの一部に充填させ、樹脂封止体を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂封止金型から前記リードフレームを離型した後、前記タイバーをカットする工程において、前記第1のエアベントと前記第2のエアベントとの間の前記リードフレーム上に硬化した樹脂と前記第1及び第2のエアベント内に硬化した樹脂とを、前記第1及び第2のエアベントを除去する際に同時に除去することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記樹脂封止金型から前記リードフレームを離型した後、前記タイバーをカットした後、連続して前記リードを所望の形状に曲げ加工することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記キャビティは6面体であり、前記リードフレームと交差する前記6面体の4つのコーナー部に、前記リードフレームの前記エアベント配置領域を配置し、前記第1のエアベントを介して前記キャビティ内の空気を外部に排出することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記リードには、Pd、Sn、Sn−Pb、Sn−Bi、Sn−Ag、Sn−Cu、Au−Ag、Sn−Ag−Cuから選択される組み合わせにより、少なくとも1層のメッキ層が形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のエアベントは前記キャビティの境界から外部に幅Wをもって延在する領域を有し、前記幅Wは前記キャビティの境界に位置する前記第1のエアベントの幅よりも狭く、且つ、前記第1のエアベントの前記幅Wをもって延在する長さLは前記幅Wよりも長いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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