JP4320308B2 - 欠陥検査方法 - Google Patents
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Description
本実施例では、MOSデバイスにおけるソース−ドレイン間リークの場合を例にとって、欠陥検査方法および装置の一例について説明する。
Claims (6)
- 基板表面の第1の領域と第2の領域それぞれに形成される容量の小さい同一構造の第1の回路パターンと第2の回路パターンの欠陥を検査する欠陥検査方法であって、
上記第1の領域と上記第2の領域に照射する電子線の照射時間を決定する工程と、
上記照射時間に基づいて上記第1の領域と上記第2の領域に上記電子線を照射する工程と、
上記電子線の照射により上記基板から放出される二次電子を検出する工程と、
上記検出された二次電子から電位コントラスト信号を取得する工程と、
上記第1の領域及び上記第2の領域で得られる電位コントラスト信号を比較して上記第1の回路パターン又は上記第2の回路パターンの欠陥を検出する工程と、を有し、
上記第1の回路パターン及び上記第2の回路パターンの帯電電圧が平衡状態に達する前に上記二次電子を検出できるように、上記第1の回路パターン及び上記第2の回路パターンの容量に基づいて、上記電子線の照射時間が決定される欠陥検査方法。 - 請求項1に記載の欠陥検査方法において、
上記第1の回路パターン及び上記第2の回路パターンの容量は、10 −14 F以下である欠陥検査方法。 - 請求項1に記載の欠陥検査方法において、
上記第1の回路パターン及び上記第2の回路パターンの帯電電圧を計測する工程を備える欠陥検査方法。 - 請求項1に記載の欠陥検査方法において、
上記第1の回路パターン又は上記第2の回路パターンのショートあるいはリークを検出して欠陥の種類を判定する工程を備える欠陥検査方法。 - 基板表面の同一構造領域である第1の領域と第2の領域それぞれに形成される容量の小さい第1の回路パターンと第2の回路パターンの欠陥を検査する欠陥検査方法であって、
上記第1の領域と上記第2の領域に照射する電子線の照射時間を決定する工程と、
上記照射時間に基づいて上記第1の領域と上記第2の領域に電子線を照射して帯電状態にする工程と、
上記帯電状態となった上記第1の領域と上記第2の領域に電子線を1回走査する工程と、
上記走査により上記基板から放出される二次電子を検出する工程と、
上記検出された二次電子から電位コントラスト信号を取得する工程と、
上記第1の領域及び上記第2の領域で得られる電位コントラスト信号を比較して上記第1の回路パターン又は上記第2の回路パターンの欠陥を検出する工程と、を有し、
上記第1の回路パターン及び上記第2の回路パターンの帯電電圧が平衡状態に達する前に上記二次電子を検出できるように、上記第1の回路パターン及び上記第2の回路パターンの容量と上記帯電状態の帯電電圧の計測結果に基づいて、上記電子線の照射時間が決定される欠陥検査方法。 - 請求項5に記載の欠陥検査方法において、
上記第1の回路パターン及び上記第2の回路パターンの容量は、10 −14 F以下である欠陥検査方法。
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