JP2005333012A - 積層型バラントランス及びそれを用いた高周波スイッチモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 積層型バラントランスを構成する第1、第2、第3の伝送線路はそれぞれ複数の誘電体層の表面に形成された複数の導体パターンを電気的にらせん状に接続してなり、かつ前記第1の伝送線路からなるインダクタと第2の伝送線路からなるインダクタ、並びに第1の伝送線路からなるインダクタと第3の伝送線路からなるインダクタはそれぞれ積層方向上面からみて重なる様に配置され、第1の伝送線路を構成する導体パターンのうち不平衡端子と接続される一端を含む導体パターンは他の導体パターンよりも上層に配置され、第2第3の伝送線路を構成する導体パターンのうち平衡端子と接続される一端を含む導体パターンは他の導体パターンよりも下層に配置したことを特徴とする積層型バラントランス。
【選択図】 図1
Description
また、前記第2の従来例でもバラントランスを形成するために多数の層が必要であり低背化の要求に対応できないという問題があった。
まず、上層のグリーンシート1には、第1の伝送線路の一部を構成するライン電極La1とLa3が構成されており、前記ライン電極La1は前記積層体の不平衡端子Inに接続するための接続部が設けられ、前記ライン電極La3の一端は第1の伝送線路における開放端となっている。
次に、グリーンシート2には、第1の伝送線路の一部を構成するライン電極La2が形成されている。
グリーンシート3には、第2第3の伝送線路の一部を構成するライン電極Lb2が形成されている。
グリーンシート4には、第2の伝送線路の一部を構成するライン電極Lb1及び第3の伝送線路の一部を構成するライン電極Lb3が形成されている。
グリーンシート5には、平衡出力のバランス特性調整用のコンデンサ電極C1、C2が形成されている
グリーンシート6には、アース電極が形成されている。以上のグリーンシート1〜6を順次積層して積層体とする。
Lb1、Lb3と平衡端子への接続についての省スペース化も同様の理由により実現可能となる。
OUT1、OUT2:バラントランスの平衡端子
L1a、L1b、La1〜3:バラントランスの第1の伝送線路
L2、Lb1、Lb2(左半分):バラントランスの第2の伝送線路
L3、Lb2(右半分)、Lb3:バラントランスの第3の伝送線路
C1、C2、C3:コンデンサ電極
e1:アース電極
Ant:アンテナ端子
Tx1:送信端子(周波数帯域A)
Tx2:送信端子(周波数帯域B)
Rx1+、Rx1−:平衡受信端子(周波数帯域A)
Rx2+、Rx2−:平衡受信端子(周波数帯域B)
VC:電源端子
dip1、dip2:分波器
F1、F2:フィルタ
B1、B2:バラントランス
SW:スイッチ回路
1〜6:グリーンシート
Claims (3)
- 導体パターンが形成された複数の誘電体層からなる積層体において第1の伝送線路と当該第1の伝送線路と電磁結合する第2の伝送線路と第3の伝送線路を備え、前記第1の伝送線路は一端が不平衡端子に接続され他端が開放端となり、第2の伝送線路は一端が接地され他端が第1の平衡端子に接続され、第3の伝送線路は一端が接地され他端が第2の平衡端子に接続される積層型バラントランスであって、各伝送線路と平衡端子、不平衡端子とはスルーホールによって接続され、前記第1、第2、第3の伝送線路はそれぞれ前記複数の誘電体層の表面に形成された複数の導体パターンを電気的にらせん状に接続してなり、かつ前記第1の伝送線路からなるインダクタと第2の伝送線路からなるインダクタ、並びに第1の伝送線路からなるインダクタと第3の伝送線路からなるインダクタはそれぞれ積層方向上方からみて重なる様に配置され、第1の伝送線路は第2、第3の伝送線路よりも上層に配置され、第1の伝送線路を構成する導体パターンのうち不平衡端子と接続される一端を含む導体パターンは他の導体パターンよりも上層に配置され、第2第3の伝送線路を構成する導体パターンのうち平衡端子と接続される一端を含む導体パターンは他の導体パターンよりも下層に配置されていることを特徴とする積層型バラントランス。
- 複数の誘電体層の表面に形成された複数の導体パターンを電気的にらせん状に接続してなる積層型バラントランスであって、前記複数の導体パターンのうち一部の導体パターンについて、その太さが他の導体パターンと異なることを特徴とする請求項1に記載された積層型バラントランス
- 複数の誘電体層からなる積層体の内部及び表面に形成した電極パターンと、積層体上に搭載した搭載部品を用いて構成した高周波スイッチモジュールにおいて
、バランおよび分波器および不要周波数成分を減衰するフィルタ回路および高周波スイッチ回路を具備し、前記バランに請求項1又は2にて記載された構造の積層型バラントランスを用いたことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
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