JP2005322723A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 36
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 28
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 21
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 19
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 18
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 12
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 4
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 150000003657 tungsten Chemical class 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/063—Reduced surface field [RESURF] pn-junction structures
- H01L29/0634—Multiple reduced surface field (multi-RESURF) structures, e.g. double RESURF, charge compensation, cool, superjunction (SJ), 3D-RESURF, composite buffer (CB) structures
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41766—Source or drain electrodes for field effect devices with at least part of the source or drain electrode having contact below the semiconductor surface, e.g. the source or drain electrode formed at least partially in a groove or with inclusions of conductor inside the semiconductor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
従来の半導体装置に形成されるパワーMOSFETでは、ブレークダウン耐圧の向上を図りつつ、素子をより微細化するのは困難であるという問題があった。
【解決手段】
本発明の半導体装置は、第1導電型の半導体基板上に形成された第1導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の表面の所定領域に形成された第2導電型のベース領域と、ベース領域の表面の所定領域に形成された第1導電型のソース領域と、ソース領域表面側からベース領域に達するコンタクトホールと、コンタクトホール下部のドリフト領域に形成された第2導電型のコラム領域と、コンタクトホールに埋め込まれた第1の導電材料からなるプラグと、プラグに電気的に接続される第2の導電材料からなる配線を有している。
【選択図】 図2
Description
102、202・・・ドリフト領域
106、206・・・ゲート絶縁膜
107、207・・・ゲート電極
108、208・・・ベース領域
109、209・・・ソース領域
110、210・・・層間絶縁膜
111、211・・・ソース電極
115、215・・・コンタクトホール
120、220・・・フォトレジスト
203 ・・・トレンチ部
Claims (7)
- 第1導電型の半導体基板上に形成された第1導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域の表面の所定領域に形成された第2導電型のベース領域と、
前記ベース領域の表面の所定領域に形成された第1導電型のソース領域と、
前記ソース領域表面側から前記ベース領域に達するコンタクトホールと、
前記コンタクトホール下部の前記ドリフト領域に形成された第2導電型のコラム領域と、前記コンタクトホールに埋め込まれた第1の導電材料からなるプラグと、
前記プラグに電気的に接続される第2の導電材料からなる配線を有している半導体装置。 - 前記ベース領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ベース領域の側面にゲート絶縁膜を介して形成され、前記ドリフト領域内に形成されたゲート電極を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第1導電型の半導体基板上に第1導電型のドリフト領域を形成する工程と、
前記ドリフト領域の表面の所定領域に第2導電型のベース領域を形成する工程と、
前記ベース領域の表面の所定領域に第1導電型のソース領域を形成する工程と、
前記ソース領域表面側から前記ベース領域に達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール下部の前記ドリフト領域に第2導電型のコラム領域を形成する工程と、
前記コンタクトホールに第1の導電材料からなるプラグを埋め込む工程と、
前記プラグに電気的に接続される第2の導電材料からなる配線を形成する工程とを有している半導体装置の製造方法。 - 前記第1の導電材料からなるプラグを埋め込む工程は、前記第1の導電材料膜を前記コンタクトホール内を含む基板全面に形成する工程と、
前記第1の導電材料を異方性エッチングにより所定の厚さだけ除去し、前記コンタクトホール内の第1の導電材料膜を残す工程とを有する請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 第1導電型の半導体基板上に第1導電型のドリフト領域を形成する工程と、
前記ドリフト領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層を形成する工程と、
前記ゲート電極層およびゲート絶縁膜を選択的にエッチング除去する工程と、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記ドリフト領域表面の所定領域に第2導電型のベース領域を形成する工程と、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記ベース領域表面の所定領域に第1導電型のソース領域を形成する工程と、
前記半導体基板全面に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ソース領域上の前記層間絶縁膜を所定形状のフォトレジストをマスクとして選択的にエッチング除去する工程と、
前記フォトレジストおよび層間絶縁膜をマスクとして、ソース領域表面側から前記ベース領域に達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記フォトレジストおよび層間絶縁膜をマスクとして、前記コンタクトホール下部の前記ドリフト領域にイオンを導入し、第2導電型のコラム領域を形成する工程と、
前記コンタクトホールに第1の導電材料からなるプラグを埋め込む工程と、
前記プラグに電気的に接続される第2の導電材料からなる配線を形成する工程とを有している半導体装置の製造方法。 - 第1導電型の半導体基板上に第1導電型のドリフト領域を形成する工程と、
前記ドリフト領域の表面から所定の深さのトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの底面および側壁にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上の前記トレンチ内部にゲート電極層を形成する工程と、
前記ドリフト領域の表面領域に第2導電型のベース領域を形成する工程と、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記ベース領域の表面領域に第1導電型のソース領域を形成する工程と、
前記半導体基板全面に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ソース領域上の前記層間絶縁膜を所定形状のフォトレジストをマスクとして選択的にエッチング除去する工程と、
前記フォトレジストおよび層間絶縁膜をマスクとして、ソース領域表面側から前記ベース領域に達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記フォトレジストおよび層間絶縁膜をマスクとして、前記コンタクトホール下部の前記ドリフト領域にイオンを導入し、第2導電型のコラム領域を形成する工程と、
前記コンタクトホールに第1の導電材料からなるプラグを埋め込む工程と、
前記プラグに電気的に接続される第2の導電材料からなる配線を形成する工程とを有している半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004138357A JP2005322723A (ja) | 2004-05-07 | 2004-05-07 | 半導体装置およびその製造方法 |
US11/123,178 US7307310B2 (en) | 2004-05-07 | 2005-05-06 | Semiconductor device and method for manufacturing same |
US11/902,911 US7696061B2 (en) | 2004-05-07 | 2007-09-26 | Semiconductor device and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004138357A JP2005322723A (ja) | 2004-05-07 | 2004-05-07 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005322723A true JP2005322723A (ja) | 2005-11-17 |
Family
ID=35238665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004138357A Pending JP2005322723A (ja) | 2004-05-07 | 2004-05-07 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7307310B2 (ja) |
JP (1) | JP2005322723A (ja) |
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- 2004-05-07 JP JP2004138357A patent/JP2005322723A/ja active Pending
-
2005
- 2005-05-06 US US11/123,178 patent/US7307310B2/en active Active
-
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US7307310B2 (en) | 2007-12-11 |
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