KR100859244B1 - 노광장치 및 디바이스의 제조방법 - Google Patents

노광장치 및 디바이스의 제조방법 Download PDF

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Abstract

액체를 개재하여 기판을 노광하는 노광장치로서, 상기 기판의 주위에 배치되어 상기 액체를 유지하는 액체 유지판과, 상기 기판을 유지하는 척을 가지고, 상기 액체 유지판의 표면의 적어도 일부 및/또는 상기 척의 표면의 적어도 일부는 폴리파라크실릴렌 수지로 이루어져 있거나 또는 폴리파라크실릴렌 수지의 개질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 구성으로 하였다.

Description

노광장치 및 디바이스의 제조방법{EXPOSURE APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
도 1은 본 발명의 일 측면으로서의 노광장치의 구성을 나타내는 개략단면도;
도 2는 자외선의 조사량에 대한 폴리파라크실릴렌 수지의 접촉각의 변화를 나타내는 그래프;
도 3A는 도 1에 나타내는 노광장치의 액체 유지판이나 웨이퍼 척의 구성의 일례를 나타내는 평면도;
도 3B는 도 1에 나타내는 노광장치의 액체 유지판이나 웨이퍼 척의 구성의 일례를 나타내는 단면도;
도 4A는 도 1에 나타내는 노광장치의 액체 유지판이나 웨이퍼 척의 구성의 다른 일례를 나타내는 평면도;
도 4B는 도 1에 나타내는 노광장치의 액체 유지판이나 웨이퍼 척의 구성의 다른 일례를 나타내는 단면도;
도 5는 디바이스의 제조를 설명하기 위한 흐름도;
도 6은 도 5에 나타내는 스텝 4의 웨이퍼 프로세스의 상세한 흐름도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 노광장치 10:조명장치
12: 광원 14: 조명 광학계
20: 레티클 30: 투영 광학계
40: 웨이퍼 50: 웨이퍼 스테이지
55: 웨이퍼 척 60: 액체 유지판
70: 회수기구 72: 액체공급장치
74: 액체회수장치 72a: 공급노즐
74a: 회수노즐
본 발명은 액침노광장치 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
포토리소그래피 기술을 이용하여 반도체 메모리나 논리회로 등의 미세한 반도체 소자를 제조할 때, 축소투영 노광장치가 종래부터 사용되고 있다. 축소투영 노광장치는 레티클(마스크)에 묘화된 회로패턴을 투영광학계에 의해 웨이퍼 등의 기판에 투영하여 회로패턴을 전사한다.
축소투영 노광장치로 전사할 수 있는 최소의 치수(해상도)는 노광에 이용하는 광의 파장에 비례하고, 투영 광학계의 개구수(NA)에 반비례한다. 따라서, 파장을 짧게 하면 할수록 및 NA를 올리면 올릴수록 해상도는 좋아진다. 이 때문에, 근년의 반도체 소자의 미세화에의 요구에 수반하여 노광광의 단파장화가 진행되어 KrF 엑시머 레이저(excimer laser)(파장 약 248㎚)로부터 ArF 엑시머 레이저(파장 약 193㎚)로 이용되는 자외선의 파장은 짧아졌다.
이러한 중에, ArF 엑시머 레이저 등의 광원을 이용하면서, 더욱 해상도를 향상시키는 기술로서 액침노광이 주목받고 있다. 액침노광이란, 투영 광학계의 최종렌즈와 웨이퍼 사이를 액체로 채우는(즉, 투영광학계의 웨이퍼 측의 매질을 액체로 함) 것으로 노광광의 실효파장을 단파장화하고, 투영광학계의 NA를 외관상 크게 하여 해상도의 향상을 도모하는 것이다. 투영 광학계의 NA는 매질의 굴절률을 n으로 하면, NA = n × sinθ이고, 공기의 굴절률보다 높은 굴절률(n＞1)의 매질을 채우는 것으로 NA를 n까지 크게 할 수 있다.
액침노광에 있어서, 투영광학계의 최종렌즈와 웨이퍼 사이에 액체를 충전하는 방법으로서는 로컬 필법이 제안되어 있다. 로컬 필(local fill)법은 투영광학계의 최종 렌즈와 웨이퍼 사이의 공간에만 액체를 흘리는 방법이며, 광학특성 및 열적인 특성 등을 일정하게 유지하면서, 불순물이 존재하지 않는 액체를 공급할 수 있다. 단, 공급한 액체가 충분히 회수되지 않는 경우, 잔존한 액체가 노광장치 내에 비산하기도 하고 워터 마크를 형성하기도 한다. 또, 잔존한 액체가 기화하는 것에 의해서, 장치 내의 부재나 장치 내의 환경온도 및 습도에 악영향을 주거나 한다. 특히, 웨이퍼의 주위에 배치되어 웨이퍼 단부의 쇼트를 노광할 때에 액체를 유지하는 액체 유지판(액체 유지부)에 액체가 잔존했을 경우, 기화열에 의해서 액체 유지판의 온도가 변화하여, 웨이퍼를 변형시켜 버린다. 또, 웨이퍼 단부와 액체 유지판 사이에 액체가 스며들어가, 웨이퍼의 이면에 액체가 부착된 채로 노광장치 내를 이동하게 되어, 노광장치 내에 액체를 비산시켜 버린다.
액체에 대한 액체 유지판의 표면의 접촉각이 웨이퍼의 표면의 접촉각보다 큰 경우(즉, 웨이퍼의 표면의 접촉각＜액체 유지판의 표면의 접촉각), 액체를 충분히 회수할 수 있어 액체 유지판의 표면에 액체가 잔존하는 것을 방지할 수 있다. 그래서, 액체 유지판의 액체와 접촉하는 표면에, 발수성이 뛰어난 재료로서 사불화 에틸렌을 사용한 노광장치가 제안되어 있다(일본국 공개특허 제2005－191557호 공보 참조). 또, 액체 유지판의 측면과 웨이퍼 척의 측면을 발수성으로 함으로써, 웨이퍼와 액체 유지판의 틈새에 액체가 스며들어가기 어려워지고, 웨이퍼 이면에 액체가 부착하는 것을 방지할 수 있다. 그래서, 액체 유지판의 측면과 웨이퍼 척의 측면의 발수성을 그 주변부의 발수성보다 높게 한 노광장치가 제안되어 있다(일본국 공개특허 제2005-302880호 공보 참조). 또한, 노광장치에 있어서는, 레티클이나 웨이퍼를 지지할 때에, 레티클의 왜곡 발생이나 진공 누설을 막기 위해서, 탄성 씨일로서 파릴렌(Parylene)을 사용하는 것이 알려져 있다(일본국 특개 2005－228978호 공보 참조).
그러나, 액침 노광에서는, 투영 광학계와 웨이퍼 사이에 액체와 광(노광광)이 존재한다. 액체의 존재하에서, 광(또는 그 산란광)이 투영 광학계나 웨이퍼 주위의 부재에 조사되면, 종래의 노광장치(즉, 투영 광학계와 웨이퍼 사이에 광만 존재하는 노광장치)에 비해 보다 큰 손상을 주게 된다. 이것은 노광에 이용하는 광의 파장이 짧아짐에 따라서 더욱 현저하게 된다.
부재에 광이 조사되면, 그 부재의 결합이 끊어져서 댕글링 본드(dangling bond)가 형성된다. 여기에 액체 또는 액체에 함유되는 물질과의 결합이 발생되어 부재가 변성한다. 또, 액체와 부재가 화학적으로 반응하여, 변성하는 경우도 있다. 부재가 변성된 경우, 그 성능을 유지할 수 없게 되기도 하고 파티클의 발생의 원인이 되기도 한다. 따라서, 액침 노광 장치의 제조시에는, 액체 유지판이나 웨이퍼 척 측면의 접촉각이 커도, 액체를 개입시켜 노광광 및 산란광이 조사됨으로써 액체 유지판이나 웨이퍼 척 측면이 변성하여, 접촉각이 작아져 버리는 일도 발생될 수 있다. 즉, 노광을 반복할 때에, 액체 유지판이나 웨이퍼 척 측벽의 접촉각이 작아져서, 액체가 액체 유지판에 잔존하거나, 웨이퍼 이면에 액체가 잔존함으로써, 노광장치 내에 액체가 비산하거나 액체 유지판으로부터 파티클이 발생할 수도 있다.
특히, 불소계 재료는 노광광의 조사에 의해 열화하기 쉽고, 단기간에서밖에 접촉각을 초기의 높은 상태에 유지할 수 없다. 따라서, 불소계 재료를 사용한 액체 유지판은 발수성의 저하 및 파티클의 발생 요인이 되므로, 수 주간마다 교환하지 않으면 안 되어, 장치의 생산성(throughput)을 떨어뜨리고 있다.
본 발명은 노광광이 조사되는 것에 의해 노광장치를 구성하는 부재의 열화를 저감하여, 우수한 광학성능 및 생산성을 실현하는 노광장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 측면으로서의 노광장치는, 액체를 개재하여 기판을 노광하는 노광장치에 있어서, 상기 기판의 주위에 배치되어 상기 액체를 유지하는 액체 유지판과, 상기 기판을 유지하는 척을 구비하고, 상기 액체 유지판의 표면의 적어도 일부 및/또는 상기 척의 표면(표면, 측면 등)의 적어도 일부는 폴리파라크실릴렌(polyparaxylylene) 수지로 이루어져 있거나, 또는 폴리파라크실릴렌 수지의 개질층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 한층 더 목적 또는 그 외의 특징은 이하 첨부 도면을 참조해서 설명되는 바람직한 실시예에 의해서 밝혀질 것이다.
<바람직한 실시형태의 상세한 설명>
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 일 측면으로서의 노광장치의 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조 번호를 붙이고, 중복하는 설명은 생략한다. 여기서, 도 1은 본 실시형태의 노광장치(1)의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
노광장치(1)는 투영 광학계(30)의 가장 웨이퍼(40) 측에 있는 최종 렌즈와 웨이퍼(40) 사이에 공급되는 액체(L)를 개재하여, 레티클(20)에 형성된 패턴을 웨이퍼(40)에 노광하는 액침 노광장치이다.
노광장치(1)는 스텝 앤드 스캔 방식을 이용하여, 웨이퍼(40)를 노광한다. 또한, 본 발명의 노광장치로서 스텝 앤드 리피트 방식을 사용할 수도 있다.
노광장치(1)는 조명장치(10)와 투영 광학계(30)와 웨이퍼(40)를 흡착하여 유지하는 웨이퍼 척(55)과 액체 유지판(60)과 액체공급 회수기구(70)를 가진다. 웨이퍼 척(55)과 액체 유지판(60)은 웨이퍼 스테이지(50) 위에 설치되어 있다.
조명장치(10)는 레티클(20)을 조명한다. 조명장치(10)는 광원(12)과 조명 광학계(14)를 가진다.
광원(12)으로서는 파장 약 193㎚의 ArF 엑시머 레이저를 사용할 수 있다.단, 광원으로서는 파장 약 157㎚의 F2레이저를 사용해도 된다.
조명 광학계(14)는 광원(12)으로부터의 광에 의해 레티클(20)을 조명한다.
레티클(20) 위에는 웨이퍼(40)에 노광하기 위한 패턴이 형성되어 도시하지 않은 레티클 스테이지에 지지 및 구동된다.
투영 광학계(30)는 레티클(20)의 패턴을 웨이퍼(40) 위에 투영한다. 투영 광학계(30)로서는 반사 굴절계, 굴절계 또는 반사계를 사용할 수 있다.
투영 광학계(30)는 웨이퍼(40)에 가장 가까운 위치에 최종렌즈를 가진다. 투영 광학계(30)의 최종렌즈의 유리재로서는 석영을 이용한다.
웨이퍼(40)의 상부면에는 포토레지스트가 도포되어 있다. 본 실시예에서는 피노광 기판으로서 웨이퍼(40)를 사용하고 있지만, 기판으로서는 유리판이나 그 외의 기판을 사용할 수도 있다.
웨이퍼 스테이지(50)는 웨이퍼 척(55)을 개재하여 웨이퍼(40)를 지지하고, 구동한다.
웨이퍼 스테이지(50)에는, 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(40) 주위에 배치되어 웨이퍼(40)의 표면과 같은 높이의 표면을 가지고, 액체(L)를 유지하는 액체 유지판(액체 유지부)(60)이 설치되어 있다.
액체공급 회수기구(70)는 투영 광학계(30)의 최종렌즈와 웨이퍼(40) 사이에 액체(L)를 공급하고, 공급한 액체(L)를 회수한다. 또 액체공급 회수기구(70)는 액체공급장치(72)와 액체회수장치(74)를 가지고, 투영 광학계(30)와 웨이퍼(40) 사이의 공간만을 액체로 채운다.
액체(L)는 순수이다. 액체(L)로서는 기능수, 불화액, 탄화수소계 액을 이용할 수도 있다.
액체공급장치(72)는 공급노즐(72a)을 가진다. 액체공급장치(72)는 공급노즐(72a)을 개재하여, 투영 광학계(30)와 웨이퍼(40) 사이에 액체(L)를 공급한다.
액체회수장치(74)는 회수노즐(74a)을 가진다. 액체회수장치(74)는 회수노즐(74a)을 개재하여, 투영 광학계(30)와 웨이퍼(40) 사이에 공급된 액체(L)를 회수한다.
공급노즐(72a) 및 회수노즐(74a)은 투영 광학계(30)와 웨이퍼(40) 사이에 액체(L)를 유지하기 위해서, 투영 광학계(30)의 최종 렌즈의 외주를 둘러싸도록 원주 상에 배치된다. 공급노즐(72a) 및 회수노즐(74a)에는 복수의 노즐, 가동식 노즐 또는 링 상태의 노즐을 사용할 수 있지만, 본 실시형태에서는 복수의 노즐을 이용하여 구성되어 있다.
공급노즐(72a) 및 회수노즐(74a)에는 SiC의 다공질체를 이용했지만, AlO, SiN 등의 다른 세라믹스 재료, 석영 유리재, 전해 연마한 스테인레스 스틸 등의 금속을 이용해도 된다.
도 3A 및 도 3B는 액체 유지판이나 웨이퍼 척의 구성을 나타내는 개략도이다. 도 3A는 평면도, 도 3B는 단면도이다. 액체 유지판(60)에는 SiC, AlO, SiN 등의 세라믹스 재료, 알루미늄, 스테인레스 스틸 등의 금속을 이용할 수 있지만, 본 실시형태에서는 SiC를 이용한다. 단, SiC는 물에 대해서 50℃ 정도의 접촉각밖에 얻을 수 없기 때문에, 폴리파라크실릴렌 수지(66)를 코팅하였다. 폴리파라크실릴렌 수지는, 일반적으로는, 파릴렌으로 부르며 폴리파라크실릴렌을 기본 골격으로 하는 폴리머(수지)이다. 폴리파라크실릴렌 수지는 방향환의 수소를 염소로 치환시킨 폴리모노클로로파라크실릴렌(polymonochloroparaxylylene), 폴리디클로로파라크실릴렌(polydichloroparaxylylene)이 자주 사용된다. 본 실시형태에서는, 폴리모노클로로파라크실릴렌을 증착법에 의해 SiC에 코팅하여, 액체 유지판(60)의 액체(L)를 유지하는 상부면(접액면)과 측면을 파릴렌으로 하였다. 웨이퍼 척(55)의 측면과 표면의 일부도 폴리파라크실릴렌 수지(66)로 하였다. 본 실시형태에서는, 액체 유지판(60)과 웨이퍼 척(55)의 쌍방에 폴리파라크실릴렌 수지(66)를 코팅했지만, 어느 쪽이든지 한쪽만의 코팅으로도 웨이퍼 이면에의 액체의 부착을 방지할 수 있는 경우가 있다.
파릴렌은 물에 대해서 85℃ 내지 90℃의 접촉각을 가지지만, 자외선을 조사함으로써, 접촉각이 높아져서, 100℃ 이상의 접촉각이 된다. 환언하면, 파릴렌의 개질층은 파릴렌보다도 물에 대해서 높은 접촉각을 가진다. 따라서, 생산성을 향상시키기 위해서, 웨이퍼(40)를 고속으로, 또한, 장거리 이동시키는 경우에는, 자외선을 조사한 파릴렌의 개질층을 액체 유지판(60)이나 웨이퍼 척(55)의 표면(상부면이나 측면 등)에 코팅하는 것이 유효하다. 또한, 액체 유지판(60) 또는 웨이퍼 척(55)에의 자외선의 조사에는, 노광장치(1)와는 다른 장치를 이용해도 되고, 노광장치(1)의 조명장치(10)를 이용해도 된다. 또, 액체(물)(L) 중에서 자외선을 조사해도 된다. 또, 파릴렌의 개질은 접촉각이 높아지는 개질이면, 플라스마의 조사에 의한 개질 등 어떠한 수법을 이용해도 된다.
구체적으로는, 파릴렌이 코팅된 액체 유지판(60)을 진공 장치에 배치하고, 반응성 가스를 흘림과 동시에, 플라스마 처리를 함으로써, 파릴렌의 개질층을 형성한다. 자외선이 조사된 파릴렌과 마찬가지로, 플라스마가 조사된 파릴렌도 접촉각이 향상한다.
파릴렌에 수중에서 노광광(본 실시 형태에서는, 파장 193㎚의 자외선)을 조사했을 경우의 접촉각의 변화를 도 2에 나타낸다. 도 2에서는, 횡축을 노광광의 조사량으로 취하고, 종축을 접촉각으로 취하여 도시한다. 또, 도 2에는 비교예로서 동일한 조건으로 노광광을 조사했을 경우의 불소계 수지의 접촉각의 변화도 나타낸다. 도 2를 참조하면, 자외선을 조사하기 전의 접촉각은 PTFE나 PFA라고 하는 불소계 수지 쪽이 높다. 그러나, 노광광으로서의 자외선이 조사되었을 경우, 파릴렌 쪽이 접촉각을 높게, 또한, 장기적으로 유지할 수 있다.
또, 액체 유지판(60)은, 도 4A 및 도 4B에 도시된 바와 같이, 노광광이나 노광광의 산란광이 조사되는 영역(제1 액체 유지판)(62)을 노광광이나 노광광의 산란광이 조사되지 않는 영역(제2 액체 유지판)(64)과는 별체로 하고, 영역(62)에만 파릴렌 또는 파릴렌의 개질층을 코팅해도 된다. 여기서, 도 4A는 액체 유지판(60)의 구성의 다른 일례를 나타내는 개략 평면도이며, 도 4B는 액체 유지판(60)의 구성의 다른 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 이 경우, 노광광이나 노광광의 산란광이 조사되는 영역(62)을 교환 가능하게 구성하는 것이 바람직하다. 이 영역(62)은 액체(L)를 유지하는 상면(접액면)과 내외측면을 파릴렌으로 하면 된다. 웨이퍼 척(55)의 측면과 표면의 일부도 폴리파라크실릴렌 수지(66)로 하였다. 한편, 노광광이나 노광광의 산란광이 조사되지 않는 영역(64)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 노광광의 조사에 의한 접촉각의 저하가 생기지 않기 때문에, 초기의 접촉각이 높은 불소계 수지(68)를 코팅(형성)한다. 불소계 수지(68)로서는, 분자의 한쪽이 불소, 다른 쪽이 Si로 종단되어 있는 단분자 또는 수분자 층이어도 되고, PFA, PTFE나 그 복합재료 등이어도 된다.
노광장치(1)는 도시하지 않는 센서를 액체 유지판(60)의 부근에 가진다. 센서와 액체 유지판의 틈새에 액체가 침입하는 것을 방지하기 위해, 센서의 측면에 파릴렌을 이용할 수도 있다.
액체 유지판(60)이 도 3A 및 도 3B 또는 도 4A 및 도 4B의 어느 쪽의 구성이어도, 노광장치에 요구되는 성능에 의해서 높은 접촉각이 필요한 경우에는, 파릴렌을 코팅한 액체 유지판(60)이어도 교환이 필요하다. 그렇지만, 불소계 수지를 이용하는 경우와 비교하면, 파릴렌을 코팅한 액체 유지판(60)의 쪽이 교환빈도를 현저하게 줄일 수 있어 노광장치(1)의 생산성(throughput)의 향상에 크게 기여한다.
액체 유지판(60) 및 웨이퍼 척(55)의 표면의 액체(L)에 대한 접촉각을 높게, 또한, 장기적으로 유지함으로써, 액체회수기구(74)는 액체(L)를 충분히 회수할 수 있다. 또, 액체 유지판(60) 및 웨이퍼 척(55)의 표면의 접촉각을 높게 유지함으로써, 액체 유지판(60) 위 및 액체 유지판(60)과 웨이퍼 척(55)의 틈새에 액체(L)가 빨려들어가지 않고, 액체(L)를 용이하게 공급 및 회수할 수 있다. 따라서, 액체(L)와 접촉하는 접촉부에 있어서의 액체(L)의 박리, 발포, 난류를 억제할 수 있다. 환언하면, 불순물이 존재하지 않고, 광학특성이나 열적인 특성 등이 일정하게 되는 액체(L)를 유지할 수 있다. 이에 의해, 우수한 광학성능 및 생산성을 실현하는 노광장치를 제공할 수 있다.
이와 같이, 노광장치(1)는, 액체 유지판(60)이나 웨이퍼 척(55)의 표면에 파릴렌 또는 파릴렌의 개질층을 코팅함으로써, 액체 유지판(60)이나 웨이퍼 척(55)의 표면의 발수성을 장기간 유지할 수 있다. 환언하면, 노광광의 조사에 의해 액체 유지판(60)이나 웨이퍼 척(55)의 표면의 접촉각의 저하를 저감하고, 높은 접촉각을 장기간 유지할 수 있다. 이에 의해, 액체 유지판(60)이나 웨이퍼 이면에 액체(L)를 잔존시키지 않고, 고속으로 웨이퍼(40)를 이동시킬 수 있어 높은 생산성 유지할 수 있다. 또, 액체 유지판(60)의 교환빈도를 저감시킬 수 있고, 종래의 노광장치보다 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 액체 유지판(60, 62)이나 웨이퍼 척(55)의 표면에 파릴렌을 이용했지만, 염소를 함유하는 유기물로서 삼불화 염화 에틸렌 수지(PCTFE: polychlorotrifluoroethylene resin) 또는 삼불화 염화 에틸렌 수지의 개질층을 이용해도 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 삼불화 염화 에틸렌 수지는 사불화에틸렌 수지(PTFE: polytetrafluoroethylene resin)의 불소의 하나를 염소로 치환한 수지이며, 자외선의 조사에 의해서 파릴렌과 마찬가지의 접촉각의 변화를 발생시킨다(즉, 접촉각이 향상된다). 따라서, 액체 유지판(60)이나 웨이퍼 척(55)의 표면에 삼불화 염화 에틸렌 수지를 이용해도, 노광광의 조사에 의해 접촉각의 저하를 저감하여, 우수한 광학성능 및 생산성을 실현하는 노광장치를 제공할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 액체 유지판(60)이나 웨이퍼 척(55)의 표면에 파릴렌을 이용했지만, 노광장치의 그것의 예외인, 액체(L)가 접촉하는 부재의 표면에 파릴렌, 삼불화 염화 에틸렌 수지 및 이들의 개질층을 이용할 수도 있다.
노광에 있어서, 광원(12)으로부터 발광된 광속은 조명 광학계(14)에 의해 레티클(20)을 쾰러(Koehler) 조명한다. 레티클(20)을 통과하여 레티클 패턴을 반영하는 광은 투영 광학계(30)에 의해 액체(L)를 개재하여 웨이퍼(40)에 결상된다. 노광장치(1)가 이용하는 액체 유지판(60)은 노광광의 조사에 의한 접촉각의 저하를 저감하여, 우수한 광학성능 및 생산성을 실현한다. 따라서, 노광장치(1)는 높은 생산성으로 경제성이 양호하고 종래보다 고품위인 디바이스(반도체 디바이스나 액정 표시 디바이스)를 제공할 수 있다.
다음에, 도 5 및 도 6을 참조하면서, 노광장치(1)를 이용한 디바이스의 제조 방법의 실시예를 설명한다. 도 5는 디바이스(반도체 디바이스나 액정 디바이스)의 제조를 설명하기 위한 흐름도이다. 여기에서는, 반도체 디바이스의 제조를 예로 설명한다. 스텝 1(회로설계)에서는 디바이스의 회로 설계를 실시한다. 스텝 2(레티클 제작)에서는 설계한 회로패턴을 형성한 레티클을 제작한다. 스텝 3(웨이퍼 제조)에서는 실리콘 등의 재료를 이용하여 웨이퍼를 제조한다. 스텝 4(웨이퍼 프로세스)는 전 공정이라고도 부르며 레티클과 웨이퍼를 이용하여 리소그래피 기술에 의해서 웨이퍼 위에 실제의 회로를 형성한다. 스텝 5(조립)는 후 공정이라고도 부르며 스텝 4에 의해서 작성된 웨이퍼를 이용해 반도체 칩화하는 공정으로, 어셈블리 공정(다이싱, 본딩), 패키징 공정(칩 밀봉) 등의 공정을 포함한다. 스텝 6(검사)에서는 스텝 5에서 작성된 반도체 디바이스의 동작 확인 테스트, 내구성 테스트 등의 검사를 실시한다. 이러한 공정을 거쳐 반도체 디바이스가 완성되고, 이것이 출하(스텝 7)된다.
도 6은 스텝 4의 웨이퍼 프로세스의 상세한 흐름도이다. 스텝 11(산화)에서는 웨이퍼의 표면을 산화시킨다. 스텝 12(CVD)에서는 웨이퍼의 표면에 절연막을 형성한다. 스텝 13(전극 형성)에서는 웨이퍼 위에 전극을 증착 등에 의해서 형성한다. 스텝 14(이온 주입)에서는 웨이퍼에 이온을 주입한다. 스텝 15(레지스트 처리)에서는 웨이퍼에 감광제를 도포한다. 스텝 16(노광)에서는 노광장치(1)에 의해서 레티클의 회로패턴을 웨이퍼에 노광한다. 스텝 17(현상)에서는 노광한 웨이퍼를 현상한다. 스텝 18(에칭)에서는 현상한 레지스트 상 이외의 부분을 제거한다.스텝 19(레지스트 박리)에서는 에칭이 끝나 불필요해진 레지스트를 제거한다. 이들 스텝을 반복해서 실시함으로써 웨이퍼 위에 다중의 회로패턴이 형성된다. 이러한 디바이스 제조 방법에 의하면, 종래보다 고품위의 디바이스를 제조할 수 있다. 이와 같이, 노광장치(1)를 사용하는 디바이스의 제조 방법 및 결과물로서의 디바이스도 본 발명의 일 측면을 구성한다.
본 발명에 의하면, 노광광이 조사되는 것에 의해 노광장치를 구성하는 부재의 열화를 저감하여, 우수한 광학성능 및 생산성을 실현하는 노광장치를 제공할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명했지만, 본 발명은 이러한 실시예로 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없고, 그 요지의 범위 내에서 각종의 변형 및 변경이 가능하다.

Claims (7)

  1. 액체를 개재하여 기판을 노광하는 노광장치에 있어서,
    상기 기판의 주위에 배치되어 상기 액체를 유지하는 액체 유지판; 및
    상기 기판을 유지하는 척을 포함하되,
    상기 액체 유지판의 표면의 적어도 일부 및/또는 상기 척의 표면의 적어도 일부는 폴리파라크실릴렌 수지로 이루어져 있거나 또는 폴리파라크실릴렌 수지의 개질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 액체 유지판의 표면의 적어도 일부 및/또는 상기 척의 표면의 적어도 일부에 상기 폴리파라크실릴렌 수지 또는 폴리파라크실릴렌 수지의 개질층이 코팅 되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 액체 유지판은 상기 기판의 주위에 배치된 제1 액체 유지판과 상기 제1 액체 유지판의 주위에 배치된 제2 액체 유지판을 가지고,
    상기 제1 액체 유지판의 표면의 적어도 일부는 상기 폴리파라크실릴렌 수지로 이루어져 있거나 또는 상기 폴리파라크실릴렌 수지의 개질층을 가지며,
    상기 제2 액체 유지판의 표면의 적어도 일부는 불소계 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 액체를 개재하여 기판을 노광하는 노광장치에 있어서,
    상기 기판의 주위에 배치되어 상기 액체를 유지하는 액체 유지판; 및
    상기 기판을 유지하는 척을 포함하되,
    상기 액체 유지판의 표면의 적어도 일부 및/또는 상기 척의 표면의 적어도 일부는 삼불화 염화 에틸렌 수지(polychlorotrifluoroethylene resin)로 이루어져 있거나 또는 삼불화 염화 에틸렌 수지의 개질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 액체 유지판의 표면의 적어도 일부 및/또는 상기 척의 표면의 적어도 일부에 삼불화 염화 에틸렌 수지 또는 삼불화 염화 에틸렌 수지의 개질층이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 액체 유지판은 상기 기판의 주위에 배치된 제1 액체 유지판과 상기 제1 액체 유지판의 주위에 배치된 제2 액체 유지판을 가지고,
    상기 제1 액체 유지판의 표면의 적어도 일부는 삼불화 염화 에틸렌 수지로 이루어져 있거나 또는 삼불화 염화 에틸렌 수지의 개질층을 가지며,
    상기 제2 액체 유지판의 표면의 적어도 일부는 불소계 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 노광장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 노광장치를 이용하여 액체를 개재해서 기판을 노광하는 스텝; 및
    노광된 상기 기판을 현상하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조방법.
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