JP2005302764A - 配線基板の加工方法及び加工装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明の目的は、配線基板を加工するときに使用するレーザビームのパルス照射ピッチの変動を抑制することにある。
【解決手段】 配線基板10に、レーザビームBを、直線及び曲線を含む加工ラインLに沿って走査してパルス照射する。加工ラインLは、複数の区間L1〜Lnからなる。レーザビームBのパルス照射中にレーザビームBの走査速度及び走査位置を検出する。基準走査速度Vx(検出された走査位置に対応するいずれかの区間L1〜Lnでの設定走査速度)と検出走査速度V(検出された走査速度)を比較する。検出走査速度Vが基準走査速度Vxよりも速い場合にレーザビームBのパルス照射ピッチP1を小さくし、検出走査速度Vが基準走査速度Vxよりも遅い場合にレーザビームBのパルス照射ピッチP2を大きくする。
【選択図】 図5
【解決手段】 配線基板10に、レーザビームBを、直線及び曲線を含む加工ラインLに沿って走査してパルス照射する。加工ラインLは、複数の区間L1〜Lnからなる。レーザビームBのパルス照射中にレーザビームBの走査速度及び走査位置を検出する。基準走査速度Vx(検出された走査位置に対応するいずれかの区間L1〜Lnでの設定走査速度)と検出走査速度V(検出された走査速度)を比較する。検出走査速度Vが基準走査速度Vxよりも速い場合にレーザビームBのパルス照射ピッチP1を小さくし、検出走査速度Vが基準走査速度Vxよりも遅い場合にレーザビームBのパルス照射ピッチP2を大きくする。
【選択図】 図5
Description
本発明は、配線基板の加工方法及び加工装置に関する。
レーザを使用した配線基板の加工方法が知られている。特許文献1の技術では、同じ印加パワーでマスクを使用してレーザ加工を行うので、異なる印加パワーがそれぞれ要求される複数領域を連続的に加工することが困難であった。一般的に、樹脂部分よりも金属部分に対して大きな印加パワーが要求される。また、同じ条件でレーザ加工が行われるべき領域では、レーザビームを均一ピッチでパルス照射することが要求される。しかし、特許文献2の技術では、外乱によって加工速度が変化した場合にパルス照射ピッチも変動してしまい、均一な品質でレーザ加工を行うことが難しかった。
特開平5−353561号公報
特開平11−167147号公報
本発明の目的は、配線基板を加工するときに使用するレーザビームのパルス照射ピッチの変動を抑制することにある。
(1)本発明に係る配線基板の加工方法は、樹脂からなる基板と、前記基板に形成されている金属からなる配線パターンと、を有する配線基板に、レーザビームを、直線及び曲線を含む加工ラインに沿って走査してパルス照射することを含む配線基板の加工方法であって、
前記加工ラインは、複数の区間からなり、
それぞれの前記区間での前記レーザビームの設定走査速度は、他の少なくとも1つの前記区間での設定走査速度とは異なるように予め決められ、
それぞれの前記区間での前記レーザビームのパルス照射の設定ピッチは、他の少なくとも1つの前記区間での設定ピッチとは異なるように予め決められ、
前記レーザビームのパルス照射中に、前記レーザビームの走査速度及び走査位置を検出すること、
検出された前記走査位置に対応するいずれかの前記区間での前記設定走査速度を基準走査速度とし、検出された前記走査速度を検出走査速度として、前記基準走査速度と前記検出走査速度を比較すること、及び、
前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも速い場合に前記レーザビームのパルス照射ピッチを小さくし、前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも遅い場合に前記レーザビームのパルス照射ピッチを大きくすること、
を含む。本発明によれば、外乱によってレーザビームの走査速度が設定走査速度からずれても、パルス照射ピッチが調整されるので、その変動を抑制することができる。
(2)この配線基板の加工方法において、
それぞれの前記区間での前記レーザビームの設定パワーは、他の少なくとも1つの前記区間での設定パワーとは異なるように予め決められていてもよい。
(3)本発明に係る配線基板の加工装置は、樹脂からなる基板と、前記基板に形成されている金属からなる配線パターンと、を有する配線基板の加工装置であって、
レーザビームを発するレーザと、
前記レーザを駆動するレーザドライバと、
前記レーザビームをパルス照射するためのトリガーパルスを前記レーザドライバに出力するトリガーパルス発生器と、
前記配線基板を載せて、前記レーザビームが直線及び曲線を含んで複数の区間からなる加工ラインに沿って走査するように、前記レーザに対して相対的に移動するステージと、
前記加工ラインのそれぞれの前記区間での前記レーザビームの設定走査速度であって他の少なくとも1つの前記区間での設定走査速度とは異なるように予め決められた設定走査速度を含むステージ動作情報を記憶する第1のメモリと、
前記ステージ動作情報に従って、前記レーザビームの走査のために、前記レーザに対して前記ステージを相対的に移動するための駆動を行うステージドライバと、
前記加工ラインのそれぞれの前記区間で前記レーザビームをパルス照射するための設定トリガーパルスの発生間隔であって他の少なくとも1つの前記区間での設定トリガーパルスの発生間隔とは異なるように予め決められた設定トリガーパルスの発生間隔を含むレーザ制御情報を記憶する第2のメモリと、
前記レーザビームのパルス照射中に、前記ステージの走査速度及び走査位置を検出する検出器と、
検出された前記走査位置に対応するいずれかの前記区間での前記設定走査速度を基準走査速度とし、検出された前記走査速度を検出走査速度として、前記基準走査速度と前記検出走査速度を比較する比較器と、
前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも速い場合に、前記トリガーパルスの発生間隔を前記設定トリガーパルスの発生間隔よりも小さくするように前記トリガーパルス発生器を制御し、前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも遅い場合に、前記トリガーパルスの発生間隔を前記設定トリガーパルスの発生間隔よりも大きくするように前記トリガーパルス発生器を制御する制御部と、
を有する。本発明によれば、外乱によってレーザビームの走査速度が設定走査速度からずれても、トリガーパルスの発生間隔が調整されるので、レーザビームのパルス照射ピッチの変動を抑制することができる。
(4)この配線基板の加工装置において、
前記レーザビームのパワー制御信号を前記レーザドライバに出力するパワー制御信号発生器をさらに有し、
前記レーザ制御情報は、それぞれの前記区間での前記レーザビームの設定パワーであって他の少なくとも1つの前記区間での出力とは異なるように予め決められた前記レーザビームの設定パワーの値を含んでもよい。
前記加工ラインは、複数の区間からなり、
それぞれの前記区間での前記レーザビームの設定走査速度は、他の少なくとも1つの前記区間での設定走査速度とは異なるように予め決められ、
それぞれの前記区間での前記レーザビームのパルス照射の設定ピッチは、他の少なくとも1つの前記区間での設定ピッチとは異なるように予め決められ、
前記レーザビームのパルス照射中に、前記レーザビームの走査速度及び走査位置を検出すること、
検出された前記走査位置に対応するいずれかの前記区間での前記設定走査速度を基準走査速度とし、検出された前記走査速度を検出走査速度として、前記基準走査速度と前記検出走査速度を比較すること、及び、
前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも速い場合に前記レーザビームのパルス照射ピッチを小さくし、前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも遅い場合に前記レーザビームのパルス照射ピッチを大きくすること、
を含む。本発明によれば、外乱によってレーザビームの走査速度が設定走査速度からずれても、パルス照射ピッチが調整されるので、その変動を抑制することができる。
(2)この配線基板の加工方法において、
それぞれの前記区間での前記レーザビームの設定パワーは、他の少なくとも1つの前記区間での設定パワーとは異なるように予め決められていてもよい。
(3)本発明に係る配線基板の加工装置は、樹脂からなる基板と、前記基板に形成されている金属からなる配線パターンと、を有する配線基板の加工装置であって、
レーザビームを発するレーザと、
前記レーザを駆動するレーザドライバと、
前記レーザビームをパルス照射するためのトリガーパルスを前記レーザドライバに出力するトリガーパルス発生器と、
前記配線基板を載せて、前記レーザビームが直線及び曲線を含んで複数の区間からなる加工ラインに沿って走査するように、前記レーザに対して相対的に移動するステージと、
前記加工ラインのそれぞれの前記区間での前記レーザビームの設定走査速度であって他の少なくとも1つの前記区間での設定走査速度とは異なるように予め決められた設定走査速度を含むステージ動作情報を記憶する第1のメモリと、
前記ステージ動作情報に従って、前記レーザビームの走査のために、前記レーザに対して前記ステージを相対的に移動するための駆動を行うステージドライバと、
前記加工ラインのそれぞれの前記区間で前記レーザビームをパルス照射するための設定トリガーパルスの発生間隔であって他の少なくとも1つの前記区間での設定トリガーパルスの発生間隔とは異なるように予め決められた設定トリガーパルスの発生間隔を含むレーザ制御情報を記憶する第2のメモリと、
前記レーザビームのパルス照射中に、前記ステージの走査速度及び走査位置を検出する検出器と、
検出された前記走査位置に対応するいずれかの前記区間での前記設定走査速度を基準走査速度とし、検出された前記走査速度を検出走査速度として、前記基準走査速度と前記検出走査速度を比較する比較器と、
前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも速い場合に、前記トリガーパルスの発生間隔を前記設定トリガーパルスの発生間隔よりも小さくするように前記トリガーパルス発生器を制御し、前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも遅い場合に、前記トリガーパルスの発生間隔を前記設定トリガーパルスの発生間隔よりも大きくするように前記トリガーパルス発生器を制御する制御部と、
を有する。本発明によれば、外乱によってレーザビームの走査速度が設定走査速度からずれても、トリガーパルスの発生間隔が調整されるので、レーザビームのパルス照射ピッチの変動を抑制することができる。
(4)この配線基板の加工装置において、
前記レーザビームのパワー制御信号を前記レーザドライバに出力するパワー制御信号発生器をさらに有し、
前記レーザ制御情報は、それぞれの前記区間での前記レーザビームの設定パワーであって他の少なくとも1つの前記区間での出力とは異なるように予め決められた前記レーザビームの設定パワーの値を含んでもよい。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施の形態に係る配線基板の加工方法で加工の対象となる配線基板の一部拡大図である。
配線基板10は、樹脂(例えばポリイミド樹脂)からなる基板12と、基板12に形成されている金属(例えば銅)からなる配線パターン20と、を有する。配線パターン20は、第1、第2及び第3(すなわち複数)の配線21,22,23を含み、これらは幅が異なり、第1の配線21の幅が最も狭くなっている。複数の第1の配線21が、平行に密集するように配置されている。配線パターン20は、第1、第2及び第3(すなわち複数)の配線21,22,23の連結部24を含む。第1、第2及び第3の配線21,22,23は、連結部24を介して相互に電気的に接続されている。
本実施の形態に係る配線基板の加工方法では、配線基板10を加工ラインLに沿って切断する。加工ラインLは、直線及び曲線を含む。加工ラインLは、基板12のみからなる部分と、配線パターン20のみからなる部分と、基板12及び配線パターン20の両方が重なる部分と、を通る。基板12及び配線パターン20の両方が重なる部分では、その両方を切断してもよいし、その一方のみを切断してもよい。加工ラインLが配線基板10の一部(例えば連結部24)の領域を囲む場合には、加工後に穴26(図2参照)が形成される。加工ラインLが配線基板10のいずれかの端から他の端に至る場合には、配線基板10は複数片に分断される。なお、配線パターン20上にソルダレジスト等の絶縁膜(樹脂膜)が形成されている場合、これも併せて切断してもよい。
図2は、加工後の配線基板を示す図である。配線基板10には穴26が形成されている。穴26は、加工ラインLに沿った配線基板10の切断によって形成される。本実施の形態では、加工ラインLが連結部24を囲むので、加工によって連結部24が除去され、第1、第2及び第3の配線21,22,23は、相互に電気的に絶縁される。このような処理は、例えば、配線パターン20に対して電解メッキを行った後になされる。
図3及び図4は、本実施の形態に係る配線基板の加工方法を説明する図である。本実施の形態では、図3に示すように、レーザビームBを加工ラインLに沿って走査してパルス照射する。パルス照射の設定ピッチPは予め決められている。
図4に示すように、加工ラインLは、複数の区間L1〜Lnからなる。それぞれの区間L1〜LnでのレーザビームBの設定走査速度は、他の少なくとも1つの区間L1〜Lnでの設定走査速度とは異なるように予め決められている。また、区間L1〜Lnのそれぞれにおいて、レーザビームBの設定走査速度は均一になるように予め決められている。
それぞれの区間L1〜LnでのレーザビームBのパルス照射の設定ピッチは、他の少なくとも1つの区間L1〜Lnでの設定ピッチとは異なるように予め決められている。また、区間L1〜Lnのそれぞれにおいて、レーザビームBのパルス照射の設定ピッチは均一になるように予め決められている。
それぞれの区間L1〜LnでのレーザビームBの設定パワーは、他の少なくとも1つの区間L1〜Lnでの設定パワーとは異なるように予め決められている。なお、設定走査速度、設定ピッチ及び設定パワーの値は、加工対象の材質(樹脂及び金属の少なくとも一方)や加工形状(直線又は曲線)によって相対的に決定してもよい。
図5は、本実施の形態に係る配線基板の加工方法の一部の流れを説明する図である。本実施の形態では、レーザビームBのパルス照射中に、レーザビームBの走査速度及び走査位置を検出する。そして、基準走査速度Vx(検出された走査位置に対応するいずれかの区間L1〜Lnでの設定走査速度)と検出走査速度V(検出された走査速度)を比較する。例えば、検出走査速度Vと基準走査速度Vxが同じであるか否かを判定する(S101)。判定結果がYES(V=Vx)であれば、再び、S101に戻る。判定結果がNO(V≠Vx)であれば、基準走査速度Vxが検出走査速度Vよりも速いか否かを判定する(S102)。
ステップS102の判定の結果がNO(Vx<V)である場合、予め設定された値よりも速く走査が行われているので、図6(A)に示すように、レーザビームBのパルス照射ピッチP1が設定ピッチP(図3参照)よりも広くなる。そこで、この場合には、レーザビームBのパルス照射ピッチP1を小さくする。具体的には、レーザビームBをパルス照射するためのトリガーパルスの発生間隔を縮小させる(S201)。
ステップS102の判定の結果がYES(V<Vx)である場合、予め設定された値よりも遅く走査が行われているので、図6(B)に示すように、レーザビームBのパルス照射ピッチP2が設定ピッチP(図3参照)よりも狭くなる。そこで、この場合には、レーザビームBのパルス照射ピッチP2を小さくする。具体的には、レーザビームBをパルス照射するためのトリガーパルスの発生間隔を拡大する(S202)。
本実施の形態によれば、外乱によってレーザビームBの走査速度が設定走査速度からずれても、パルス照射ピッチP1,P2が調整されるので、その変動を抑制することができる。
図7は、本実施の形態に係る配線基板の加工装置を示す図である。この加工装置は、上述したプロセスを行うことができる。
加工装置は、レーザビームを発するレーザ(例えばYAGレーザ)30を有する。紫外領域の波長のレーザビーム(YAGレーザの3倍波又は4倍波)を加工に使用してもよい。なお、紫外領域のように短波長のレーザビームは樹脂の加工(切断・除去)に適しており、長波長のレーザビームは金属の加工(切断・除去)に適しており、樹脂及び金属の積層部分を加工(切断・除去)するには、紫外領域のように短波長のレーザビームが適している。レーザ30として、パルス照射ピッチを変化させても、均一なパワーでレーザビームを発することができるもの(例えば、コヒレント社AVIA−X)を使用する。
レーザ30は、レーザドライバ32によって駆動される。レーザドライバ32には、トリガーパルス発生器34から、レーザビームをパルス照射するためのトリガーパルスが出力される。トリガーパルスがレーザドライバ32に入力されると、レーザドライバ32は、レーザビームがパルス照射されるように、レーザ30を駆動する。
また、レーザドライバ32には、パワー制御信号発生器36から、レーザビームのパワー制御信号が出力される。パワー制御信号はレーザビームのパワーを決定するもので、レーザドライバ32に入力されたパワー制御信号に従って、レーザドライバ32はレーザ30を駆動する。
加工装置は、配線基板10を載せるためのステージ40を有する。ステージ40は、図4に示すように、レーザビームが直線及び曲線を含んで複数の区間L1〜Lnからなる加工ラインLに沿って走査するように、レーザ30に対して相対的に移動する。例えば、ステージ40は、二次元方向(XY方向)に移動する。移動は、アクチュエータ42,44によって行われてもよい。なお、ステージ40には、配線基板10を載せる代わりにレーザ30の光学系を載せて、配線基板10を固定された位置に配置してもよい。この場合、レーザビームを走査して加工を行う。
ステージ40(アクチュエータ42,44)は、ステージドライバ46によって駆動される。ステージドライバ46によるステージ40の駆動は、ステージ動作情報52に従って行う。
ステージ動作情報52は、メモリ50(例えばその一部である第1のメモリ)に記憶されている。ステージ動作情報52は、加工ラインL(図4参照)のそれぞれの区間L1〜Lnでのレーザビームの予め決められた設定走査速度を含む。それぞれの区間L1〜Lnでの設定走査速度は、他の少なくとも1つの区間L1〜Lnでの設定走査速度とは異なるように予め決められている。区間L1〜Lnのそれぞれにおいて、レーザビームの設定走査速度は均一になるように予め決められている。
メモリ50(例えばその一部である第2のメモリ)には、レーザ制御情報54が記憶されている。レーザ制御情報54は、加工ラインL(図4参照)のそれぞれの区間L1〜Lnでレーザビームをパルス照射するための設定トリガーパルスの予め決められた発生間隔を含む。それぞれの区間L1〜Lnでの設定トリガーパルスの発生間隔は、他の少なくとも1つの区間L1〜Lnでの設定トリガーパルスの発生間隔とは異なるように予め決められている。区間L1〜Lnのそれぞれにおいて、設定トリガーパルスの発生間隔は均一になるように予め決められている。レーザ制御情報54は、それぞれの区間L1〜Lnでのレーザビームの設定パワーの値を含む。それぞれの区間L1〜Lnでのレーザビームの設定パワーは、他の少なくとも1つの区間L1〜Lnでの出力とは異なるように予め決められている。
加工装置は、レーザビームのパルス照射中に、ステージ40の走査速度及び走査位置を検出する検出器56,58を有する。
加工装置は、比較器62を有する。比較器62は処理部60の一部であってもよい。比較器62には、検出器56,58で検出された走査速度及び走査位置が入力される。また、比較器62には、ステージ動作情報52(少なくとも設定走査速度)が入力される。そして、比較器62では、図5に示すように、基準走査速度Vx(検出された走査位置に対応するいずれかの区間L1〜Lnでの設定走査速度)と検出走査速度V(検出された走査速度)を比較する(S101,102参照)。
加工装置は、制御部64を有する。制御部64は処理部60の一部であってもよい。制御部64には、比較器62での比較結果が入力される。
制御部64は、図5のステップS201に示すように、検出走査速度Vが基準走査速度Vxよりも速い場合(図6(A)に示す状態)に、トリガーパルスの発生間隔を設定トリガーパルスの発生間隔よりも小さくするようにトリガーパルス発生器34を制御する(制御のための信号を出力する)。その結果、図6(A)に示すように、レーザビームBのパルス照射ピッチP1を小さくすることができる。
あるいは、制御部64は、図5のステップS202に示すように、検出走査速度Vが基準走査速度Vxよりも遅い場合(図6(B)に示す状態)に、トリガーパルスの発生間隔を設定トリガーパルスの発生間隔よりも大きくするようにトリガーパルス発生器34を制御する(制御のための信号を出力する)。その結果、図6(B)に示すように、レーザビームBのパルス照射ピッチP2を大きくすることができる。
本実施の形態によれば、外乱によってレーザビームの走査速度(実際の速度)が設定走査速度(予め決めた速度)からずれても、トリガーパルスの発生間隔が調整されるので、レーザビームのパルス照射ピッチの変動を抑制することができる。
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。さらに、本発明は、実施の形態で説明した技術的事項のいずれかを限定的に除外したものであってもよい。あるいは、本発明は、上述した実施の形態から公知技術を限定的に除外したものであってもよい。
10…配線基板 12…基板 20…配線パターン 21…第1の配線 22…第2の配線 23…第3の配線 24…連結部 26…穴 30…レーザ 32…レーザドライバ 34…トリガーパルス発生器 36…パワー制御信号発生器 40…ステージ 42…アクチュエータ 44…アクチュエータ 46…ステージドライバ 50…メモリ 52…ステージ動作情報 54…レーザ制御情報 56…検出器 58…検出器 60…処理部 62…比較器 64…制御部
Claims (4)
- 樹脂からなる基板と、前記基板に形成されている金属からなる配線パターンと、を有する配線基板に、レーザビームを、直線及び曲線を含む加工ラインに沿って走査してパルス照射することを含む配線基板の加工方法であって、
前記加工ラインは、複数の区間からなり、
それぞれの前記区間での前記レーザビームの設定走査速度は、他の少なくとも1つの前記区間での設定走査速度とは異なるように予め決められ、
それぞれの前記区間での前記レーザビームのパルス照射の設定ピッチは、他の少なくとも1つの前記区間での設定ピッチとは異なるように予め決められ、
前記レーザビームのパルス照射中に、前記レーザビームの走査速度及び走査位置を検出すること、
検出された前記走査位置に対応するいずれかの前記区間での前記設定走査速度を基準走査速度とし、検出された前記走査速度を検出走査速度として、前記基準走査速度と前記検出走査速度を比較すること、及び、
前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも速い場合に前記レーザビームのパルス照射ピッチを小さくし、前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも遅い場合に前記レーザビームのパルス照射ピッチを大きくすること、
を含む配線基板の加工方法。 - 請求項1記載の配線基板の加工方法において、
それぞれの前記区間での前記レーザビームの設定パワーは、他の少なくとも1つの前記区間での設定パワーとは異なるように予め決められている配線基板の加工方法。 - 樹脂からなる基板と、前記基板に形成されている金属からなる配線パターンと、を有する配線基板の加工装置であって、
レーザビームを発するレーザと、
前記レーザを駆動するレーザドライバと、
前記レーザビームをパルス照射するためのトリガーパルスを前記レーザドライバに出力するトリガーパルス発生器と、
前記配線基板を載せて、前記レーザビームが直線及び曲線を含んで複数の区間からなる加工ラインに沿って走査するように、前記レーザに対して相対的に移動するステージと、
前記加工ラインのそれぞれの前記区間での前記レーザビームの設定走査速度であって他の少なくとも1つの前記区間での設定走査速度とは異なるように予め決められた設定走査速度を含むステージ動作情報を記憶する第1のメモリと、
前記ステージ動作情報に従って、前記レーザビームの走査のために、前記レーザに対して前記ステージを相対的に移動するための駆動を行うステージドライバと、
前記加工ラインのそれぞれの前記区間で前記レーザビームをパルス照射するための設定トリガーパルスの発生間隔であって他の少なくとも1つの前記区間での設定トリガーパルスの発生間隔とは異なるように予め決められた設定トリガーパルスの発生間隔を含むレーザ制御情報を記憶する第2のメモリと、
前記レーザビームのパルス照射中に、前記ステージの走査速度及び走査位置を検出する検出器と、
検出された前記走査位置に対応するいずれかの前記区間での前記設定走査速度を基準走査速度とし、検出された前記走査速度を検出走査速度として、前記基準走査速度と前記検出走査速度を比較する比較器と、
前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも速い場合に、前記トリガーパルスの発生間隔を前記設定トリガーパルスの発生間隔よりも小さくするように前記トリガーパルス発生器を制御し、前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも遅い場合に、前記トリガーパルスの発生間隔を前記設定トリガーパルスの発生間隔よりも大きくするように前記トリガーパルス発生器を制御する制御部と、
を有する配線基板の加工装置。 - 請求項3記載の配線基板の加工装置において、
前記レーザビームのパワー制御信号を前記レーザドライバに出力するパワー制御信号発生器をさらに有し、
前記レーザ制御情報は、それぞれの前記区間での前記レーザビームの設定パワーであって他の少なくとも1つの前記区間での出力とは異なるように予め決められた前記レーザビームの設定パワーの値を含む配線基板の加工装置。
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JP2004112044A JP2005302764A (ja) | 2004-04-06 | 2004-04-06 | 配線基板の加工方法及び加工装置 |
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JP2010056171A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 回路基板の製造装置及びその製造方法 |
JPWO2014080672A1 (ja) * | 2012-11-26 | 2017-01-05 | ビアメカニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
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2004
- 2004-04-06 JP JP2004112044A patent/JP2005302764A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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