JP2007111749A - レーザ加工装置およびレーザ加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】加工対象物を加工する時間を短縮し、かつ形成される穴の側面形状の劣化を防ぐ。
【解決手段】レーザ光源１からパルスレーザビームが出射し、パルス切出手段２に入射する。パルス切出手段２が、入射したパルスレーザビームの１つの原レーザパルスから、時間軸上で分離された複数のレーザパルスを切り出す。制御装置１２が加工対象物１０ａ、１０ｂ上の複数の被加工点の位置を記憶し、第１の被加工点に、第１の原レーザパルスから切り出された複数のレーザパルスが入射し、少なくとも１つの他の被加工点に、第１の原レーザパルスよりも後に出射した第２の原レーザパルスから切り出された複数のレーザパルスが入射した後、第１の被加工点に、さらに第２の原レーザパルスよりも後に出射した第３の原レーザパルスから切り出されたレーザパルスが入射するようにレーザ光源１、パルス切出手段２、及び移動機構１１ａ、１１ｂを制御する。
【選択図】図１

Description

本発明は、レーザ加工装置及びレーザ加工方法に関し、特に穴あけ加工を主目的とするレーザ加工装置及びレーザ加工方法に関する。

ビルドアップ基板のビアホール加工は、レーザ工法が主流となっている。最終製品である携帯電話等は、高機能化および軽量化が進み、それに伴いビアホールの数が増加する傾向にある。形成すべきビアホール数に比例しレーザ穴あけ時間がかかるため、レーザ加工時間の短縮が要求されている。

レーザ穴あけ加工を行う方法として、複数ショット連続照射加工、通称バースト加工と、単ショット繰り返し照射加工、通称サイクル加工の２種類の方式が知られている。

バースト加工は、ガルバノスキャナの位置決め終了後、決まったレーザ周波数で複数ショットの連続照射を行い、ビアホールを形成する方法である。加工対象となる基板には、ビアホールを形成する部分の銅箔をエッチング等で除去し、銅箔の下の樹脂層を露出させたコンフォーマル基板等がある。

下記の特許文献１に、２つの光路を進むパルスレーザビームのうち一方を、パルスチョッパにより時間軸上で複数のレーザパルスに分割し、分割した複数のレーザパルスにより樹脂層をバースト加工するレーザ加工方法及びレーザ加工装置が提供されている。

サイクル加工について説明する。ガルバノスキャナの位置決め終了後、レーザパルスを被加工点に１ショットのみ照射した後、ワーク上の他の被加工点にも１ショットずつレーザパルスを照射する工程を１サイクルとする。加工が必要な被加工点への照射が終了したら、２サイクル目として、再び始めの被加工点にレーザパルスが照射されるようにガルバノスキャナを位置決めし、１ショットのレーザパルスを照射した後、ワーク上の他の被加工点にも１ショットずつレーザパルスを照射する。すべての被加工点の加工が完了するまでこのサイクルを繰り返す。

特開２００４−９８１２１号公報

バースト加工方法を用いて基板の加工、特に上記のコンフォーマル基板等の加工を行うと、形成されるビアホールの形状が樽状になる。これは、同一の被加工点に複数のレーザパルスを連続して照射することで、被加工部周辺に熱が蓄積されて穴の側面が過剰に除去されることによるものである。

また、サイクル加工では、１穴あたりのレーザパルスのショット間隔が長くなるため、バースト加工のような、加工中の蓄熱による穴の側面形状の劣化を防止できる。しかし、ガルバノスキャナの位置決めに時間がかかるため、一般にバースト加工よりも加工時間が長くなってしまう。

本発明の目的は、加工対象物を加工する時間を短縮し、かつ形成される穴の側面形状の劣化を防ぐことのできるレーザ加工装置およびレーザ加工方法を提供することである。

本発明の一観点によれば、パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射したパルスレーザビームが入射し、入射したパルスレーザビームの１つの原レーザパルスから、時間軸上で分離された複数のレーザパルスを切り出すパルス切出手段と、前記パルス切出手段を経由したパルスレーザビームが入射する位置に加工対象物を保持するステージと、前記ステージに保持された加工対象物へのパルスレーザビームの入射位置が移動するように、パルスレーザビームの経路及び該加工対象物の一方を他方に対して移動させる移動機構と、加工対象物上の複数の被加工点の位置を記憶し、第１の被加工点に、第１の原レーザパルスから切り出された複数のレーザパルスが入射し、少なくとも１つの他の被加工点に、該第１の原レーザパルスよりも後に出射した第２の原レーザパルスから切り出された複数のレーザパルスが入射した後、該第１の被加工点に、さらに該第２の原レーザパルスよりも後に出射した第３の原レーザパルスから切り出されたレーザパルスが入射するように前記レーザ光源、前記パルス切出手段、及び前記移動機構を制御する制御装置とを有するレーザ加工装置が提供される。

本発明の他の観点によれば、レーザ光源から出射した第１の原レーザパルスから、時間軸上で分離するように切り出された複数のレーザパルスを、加工対象物上の第１の被加工点に入射させる工程と、前記第１の原レーザパルスの後に、前記レーザ光源から出射した第２の原レーザパルスから切り出された複数のレーザパルスを、前記加工対象物の第２の被加工点に入射させる工程と、前記第２の原レーザパルスの後に、前記レーザ光源から出射した第３の原レーザパルスから切り出されたうちの１つのレーザパルスを、前記第１の被加工点に入射させる工程とを有するレーザ加工方法が提供される。

第１サイクルとして、加工対象物上の第１の被加工点に第１の原レーザパルスから切り出された複数のレーザパルスが入射した後、他の被加工点の各々に、第１の原レーザパルスより後の原レーザパルスより切り出された複数のレーザパルスが入射し、それぞれ穴が形成される。第１サイクル後、第２サイクルとして、第１の被加工点に再びレーザパルスが１つだけ入射し、他の被加工点についてもレーザパルスが１ショットずつ入射して穴の加工が終了する。第１サイクルにおいて各々の被加工点に照射される、複数のレーザパルスの間隔が従来よりも短いため、短時間での加工が可能となる。

また、第１の被加工点に第１の原レーザパルスから切り出されたレーザパルスが入射してから第３の原レーザパルスから切り出されたレーザパルスが入射するまでの間に、他の被加工点に第２の原レーザパルスから切り出されたレーザパルスが入射するために必要な時間が経過する。従って、第１の被加工点に形成される穴の側面は、その間に冷却されるため、蓄熱による側面形状の劣化を防止することができる。

図１に、本願の実施例によるレーザ加工装置の概略図を示す。レーザ光源１がパルスレーザビームを出射する。レーザ光源１には、例えばＣＯ_２レーザが用いられる。

レーザ光源１から出射したパルスレーザビームは、パルス切出器２に入射する。パルス切出器２は、入射したパルスレーザビームの１つの原レーザパルスから、時間軸上で分離された複数のレーザパルスを切り出して光路Ａに出射させる。なお、光路Ａに出射しなかった残りの成分はビームダンパ３で吸収される。パルス切出器２には、例えば、音響光学素子（Ａｃｏｕｓｔｏ−Ｏｐｔｉｃ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ、ＡＯＭ）が用いられる。他のパルス切出器として、電気光学素子（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ、ＥＯＭ）と偏光ビームスプリッタとを組み合わせたもの等を用いてもよい。

パルス切出器２により切り出されたパルスレーザビームは、貫通孔を有するマスク４で、断面形状を、例えば円形に整形されたのち、折り返しミラー５で反射して、分岐光学系６に入射する。分岐光学系６は、入射したパルスレーザビームを、第１の光路Ｂを進むパルスレーザビームと、第２の光路Ｃを進むパルスレーザビームに分岐させる。

第１の光路Ｂを進むパルスレーザビームは、ガルバノスキャナ８ａに入射する。ガルバノスキャナ８ａは、一対の揺動可能な反射鏡を含んで構成され、パルスレーザビームを２次元方向に走査する。ガルバノスキャナ８ａで走査されたパルスレーザビームはｆθレンズ９ａを透過して、加工対象物１０ａに入射し、加工対象物１０ａの加工が行われる。加工対象物１０ａは、ＸＹステージ１１ａの可動面上に載置されている。ｆθレンズ９ａは、マスク４の貫通孔を加工対象物１０ａの表面に結像させる。

ガルバノスキャナ８ａは、制御装置１２からの指令により、パルスレーザビームが加工対象物１０ａの表面の走査可能領域内の目標位置に入射するように、レーザビームを走査する。ＸＹステージ１１ａは、制御装置１２からの指令により、加工対象物１０ａの表面の所望の領域を、ガルバノスキャナ８ａの走査可能領域内に配置させる。

第２の光路Ｃを進むパルスレーザビームは、折り返しミラー７で反射して、ガルバノスキャナ８ｂ、ｆθレンズ９ｂを経て、加工対象物１０ｂに入射し、加工対象物１０ａの加工が行われるのと同時に加工対象物１０ｂの加工が行われる。加工対象物１０ｂは、ＸＹステージ１１ｂの可動面上に載置されている。ガルバノスキャナ８ｂ、ｆθレンズ９ｂ、及びＸＹステージ１１ｂの作用は、それぞれ、第１の光路Ｂに配置されたガルバノスキャナ８ａ、ｆθレンズ９ａ、及びＸＹステージ１１ａのそれと同様である。

図２に、加工対象物１０ａの断面図を示す。樹脂層２１の表面に銅層２２が形成され、樹脂層２１の内部には内層配線パターン２３が埋め込まれている。樹脂層２１は、例えばポリイミドで形成され、内層配線パターン２３は、例えば銅で形成されている。また、銅層２２に、化学的エッチング等で銅層２２を貫通する開口２２ａが形成されており、加工対象物１０ａはコンフォーマル基板の構造を成している。この開口２２ａの中心を被加工点として、パルスレーザビーム３０が照射される。

照射されるパルスレーザビーム３０の、加工対象物１０ａの表面におけるビームスポットは、開口２２ａを内包する大きさである。パルスレーザビーム３０のビームスポット及び開口２２ａが円形であると仮定する。銅層２２には例えば直径１５０μｍの開口２２ａが形成されている。また、開口２２ａの底面から内層配線パターン２３までの深さは例えば６０μｍである。この開口２２ａの中心に向けて、ビームスポットの直径が３００μｍのパルスレーザビーム３０が照射される。パルスレーザビーム３０が照射されると、開口２２ａの底面がエッチングされ、穴が形成される。

なお、加工対象物１０ｂも、基本的な構造は加工対象物１０ａと同様のコンフォーマル基板である。

以下に、本願の実施例におけるレーザ加工方法について詳述する。

図３（Ａ）に、レーザ光源１から出射したパルスレーザビームのうちの１つの原レーザパルス波形を示す。レーザ光源１からは、例えばパルス幅１００μｓの原レーザパルスが出射する。

図３（Ｂ）に、図３（Ａ）における原レーザパルスから切り出したレーザパルス波形を示す。パルス切出器２に入射した原レーザパルスは、ここでは２つのレーザパルスに分割されている。なお、樹脂を加工するのに必要なパルスエネルギ密度は、１０Ｊ／ｃｍ^２程度であり、レーザ発振器の最大出力、ビームスポットの大きさ等から、パルス幅を１０〜２０μｓにすることが必要になる。この条件は、用いるレーザ発振器や加工する穴の大きさ等に依存する。一例として、分割された１番目のレーザパルスのパルス幅を１５μｓ、２番目のレーザパルスのパルス幅を１０μｓとすることができる。このように、パルス切出器２を制御することにより、原レーザパルスから切り出される２番目以降のレーザパルスのパルス幅を、１番目のレーザパルスのパルス幅よりも短くすることができる。

以下に、バースト加工とサイクル加工とを組み合わせた参考例の方法と比較して、本願の実施例によるパルスレーザビームの照射方法を説明する。なお、加工対象物１０ａ及び１０ｂの加工は同じ要領で行われるため、ここでは、第１の光路Ｂを通るレーザパルスによる加工対象物１０ａの加工について説明する。

図４（Ａ）に、参考例の方法によるパルスレーザビームの照射のタイミングチャートを示す。参考例の方法において、パルスレーザビームの照射は、大きく２つのサイクルに分けられる。第１サイクルは、あらかじめ制御装置１２に記憶させた、加工対象物１０ａ上の複数（ここではｎ個）の開口にそれぞれ対応付けられた被加工点に、それぞれ原レーザパルスを２ショットずつ照射するバースト加工によるサイクルである。

まず、工程Ａ１−１において、第１の被加工点にレーザパルスが照射されるようにガルバノスキャナ８ａまたはＸＹステージ１１ａを制御して位置決めを行った後、原レーザパルスが２ショット照射され、第１の被加工点が加工される。次に、工程Ａ１−２において、第２の被加工点にレーザパルスが照射されるようにガルバノスキャナ８ａを制御して位置決めを行った後、原レーザパルスが２ショット照射され、第２の被加工点が加工される。このような工程をｎ番目の被加工点に加工が施されるまで行う。

第２サイクルは、第１サイクルでバースト加工が施されたｎ個の被加工点に、原レーザパルスを１ショットずつ照射するサイクルである。まず、工程Ａ２−１において、第１の被加工点に再びレーザパルスが照射されるようにガルバノスキャナ８ａを制御して位置決めを行い、原レーザパルスを１ショット照射する。次に、工程Ａ２−２において、第２の被加工点にレーザパルスが照射されるようにガルバノスキャナ８ａを制御して位置決めを行った後、原レーザパルスが１ショット照射される。このような工程をｎ番目の被加工点に加工が施されるまで行う。

参考例の方法では、レーザパルスを照射する際、次のような制約が生じる。

ＣＯ_２レーザ発振器は、一般に、パルスの繰り返し周波数（以下、単に「周波数」と記す。）が高くなると、最大デューティサイクルが直線的に低下する特性を有する。一例として、周波数が１０００Ｈｚのときに最大デューティサイクルが１０％になるレーザ発振器を使用した場合、周波数１０００Ｈｚで発振しているときのパルス幅の最大値は１００μｓになる。周波数１０００Ｈｚで動作させている場合には、パルス幅が１００μｓよりも長いレーザパルスを出力することはできない。このように、周波数が決定されると、その条件で出力し得るレーサパルスの最大のパルス幅が決まる。逆に、所望のパルス幅が決定されると、そのパルス幅のレーザパルスを出力し得る最大の周波数が決定される。

先述のように、レーザ発振器の特性や加工すべき穴の大きさ等の条件により、一例として、樹脂の加工に必要なパルス幅は１０〜２０μｓである。第１サイクルで照射するレーザパルスのパルス幅を１４μｓと仮定する。パルス幅が決まると、そのパルス幅のレーザパルスを出力することができる最大周波数が求まる。例えば、最大周波数は、３０００Ｈｚになる。周波数が３０００Ｈｚのとき、２つの原レーザパルスの周期は、約０．３３ｍｓである。２つの原レーザパルスの周期を、これよりも短くすることはできない。

また、各工程において、ガルバノスキャナ８ａを制御して照射位置を定めるのにも時間を要する。本願の実施例によるガルバノスキャナ８ａを用いて対象とする加工対象物の加工を行うと、ｎ−１番目の被加工点からｎ番目の被加工点に位置合わせを行うのに１ｍｓを要する。第２サイクルにおいても同様に位置合わせにそれぞれ１ｍｓを要する。

図４（Ｂ）に、本願の実施例によるパルスレーザビームの照射のタイミングチャートを示す。本願の実施例においても、パルスレーザビームの照射は、大きく２つのサイクルに分けられる。第１サイクルは、あらかじめ制御装置１２に記憶させた加工対象物１０ａ上の複数（ここではｎ個）の開口にそれぞれ対応付けられた被加工点に、それぞれ１つの原レーザパルスから２ショットを切り出して照射するバースト加工によるサイクルである。

まず、工程Ｂ１−１において、第１の被加工点にレーザパルスが照射されるようにガルバノスキャナ８ａまたはＸＹステージ１１ａを制御して照射位置決めを行った後、第１の原レーザパルスから切り出されたレーザパルスが２ショット照射され、第１の被加工点が加工される。次に、工程Ｂ１−２において、第２の被加工点にレーザパルスが照射されるようにガルバノスキャナ８ａを制御して照射位置決めを行った後、第２の原レーザパルスから切り出されたレーザパルスが２ショット照射され、第２の被加工点が加工される。このような工程をｎ番目の被加工点に加工が施されるまで行う。

第２サイクルは、第１サイクルでバースト加工が施されたｎ個の被加工点の各々に、原レーザパルスから切り出されたレーザパルスを１ショットずつ照射し、被加工点の加工を行うサイクルである。

第２サイクルにおいて切り出されるレーザパルスのパルス幅を、参考例の第２サイクルで照射する原レーザパルスのパルス幅と同じとすると、参考例との加工時間の差は、第１サイクルに生じる。参考例の方法では、レーザ光源１から出射した原レーザパルスを２ショットずつ、光学的変調を施さずに各々の被加工点に照射していたが、本願の実施例では、レーザ光源１から出射した１つの原レーザパルスから２つのレーザパルスを切り出して１つの被加工点に照射している。第１サイクルにおけるレーザパルスの照射方法の違いにより、加工に要する時間が短縮される。

参考例の工程Ａ１−２に要する時間と本願の実施例における工程Ｂ１−２に要する時間を比較する。まず、工程Ａ１−２では先述のように、パルス幅１４μｓの原レーザパルスを用いた場合、照射位置を合わせるのに１ｍｓ、２つの原レーザパルスの周期が約０．３３ｍｓ、２番目の原レーザパルスのパルス幅が約０．０１ｍｓであり、１穴を加工するために必要な時間が合計で約１．３４ｍｓになる。

一方、実施例による加工方法の第１サイクルでは、１つの原レーザパルスを出射してから、次の原レーザパルスを出射するまでに、ガルバノスキャナ８ａの位置決めに必要な時間１ｍｓが経過する。原レーザパルスの周期を、この位置決めに必要な時間１ｍｓとパルス幅との和程度に設定する。加工に必要な２つのレーザパルスを切り出すために、原レーザパルスのパルス幅を１００μｓにする。すると、原レーザパルスの周期は１．１ｍｓとなり、その周波数は９０９Ｈｚとなる。この周波数は、先述したレーザ発振器の特性による、レーザパルスのパルス幅に対して出力し得る周波数の条件を満たしている。図３（Ｂ）から、１つの穴に２つのレーザパルスを入射させるのに要する時間幅は０．０９５ｍｓである。この時間を先述の位置決めに必要な時間１ｍｓと合わせると、実施例の第１サイクルにおいて１穴あたりの加工に必要な時間は１．０９５ｍｓになり、参考例に比べ加工時間が短縮されている。

第２サイクルで再び同じ被加工点に位置合わせをしてレーザパルスを照射する工程には、参考例の方法、本願の実施例共に同じ時間を要するので、結局、第１サイクルでの短縮時間が全工程の短縮時間となる。従って、本願の実施例による１穴あたりの加工時間は、参考例の方法に対し、約０．２４５ｍｓ短縮される。

また、本願の実施例では、加工対象物１０ａに形成される穴の側面形状の劣化を防ぐことができる。

図５（Ａ）に、バースト加工のみで穴を形成した場合の加工対象物１０ａの断面図を示す。バースト加工のみを加工対象物１０ａに施した場合、側面が樽状に窪んだ、図５（Ａ）のような穴２１ａが形成される。これは、同一の被加工点に、複数のレーザパルスを連続して照射したことで、被加工部周辺に熱が蓄積されて穴の側面が過剰に除去されたことによるものである。

図５（Ｂ）に、本願の実施例による方法で加工した加工対象物１０ａの断面図を示す。本願の実施例による方法で加工対象物１０ａを加工した場合、第１サイクルで第１の被加工点にレーザパルスが入射してから第２サイクルで再び第１の被加工点にレーザパルスが入射するまでの間に、第１サイクルにおいて他の被加工点にレーザパルスが入射するために必要な時間が経過する。従って、第１の被加工点に形成される穴の側面は、その間に冷却されるため、穴を形成する過程で蓄熱による側面形状の劣化を防止することができる。従って、加工対象物１０ａには、側面の窪みの少ない穴２１ｂが形成される。

なお、上記実施例では、第１サイクルで各々の被加工点に２つのレーザパルスを入射させたが、３個以上のレーザパルスを入射させてもよい。一般に、バースト加工を行う場合には、最後に入射するレーザパルスが、穴の形状を大きく劣化させる。上記実施例では、第１サイクルにおいて、複数のレーザパルスを、従来のバースト加工と同程度の短い周期で１つの被加工点に入射させている。ところが、加工に必要な最後の１ショットは、第２サイクルで入射させている。このため、通常のバースト加工とは異なり、最後の１ショットに起因する穴の形状の劣化を軽減することができる。

また、上記実施例では、第１サイクルにおいて１つの穴に入射する２つのレーザパルスのうち、２番目のレーザパルスのパルス幅を、１番目のレーザパルスのパルス幅よりも短くした。第１サイクルで３個以上の複数のレーザパルスを入射させる場合には、後に入射するレーザパルス群の各レーザパルスのパルス幅を、先に入射するレーザパルス群の各レーザパルスのパルス幅よりも短くすることが好ましい。このようなパルス列にすることにより、穴の形状をより高品質に維持することができる。

ただし、第１サイクルに入射する複数のレーザパルスに起因する穴の形状の劣化は軽微であるため、第１サイクルに入射する複数のレーザパルスのパルス幅をすべて等しくしてもよい。

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

本願の実施例で用いられるレーザ加工装置の概略図である。 本願の実施例における加工対象物の断面図である。 （Ａ）は、パルス切出器で切り出す前のパルスレーザビームの波形を示す線図であり、（Ｂ）は、図３（Ａ）で示したパルスレーザビームをパルス切出器で切り出したパルスレーザビームの波形を示す線図である。 （Ａ）は、従来の方法におけるパルスレーザビームの出射信号を示す線図であり、（Ｂ）は、本願の実施例によるパルスレーザビームの出射信号を示す線図である。 （Ａ）は、バースト加工のみを施した場合の加工対象物の断面図であり、（Ｂ）は、本願の実施例による方法で加工した場合の加工対象物の断面図である。

符号の説明

１ レーザ光源
２ パルス切出器
３ ビームダンパ
４ マスク
５、７ 折り返しミラー
６ 分岐光学系
８ａ、８ｂ ガルバノスキャナ
９ａ、９ｂ ｆθレンズ
１０ａ、１０ｂ 加工対象物
１１ａ、１１ｂ ＸＹステージ
１２ 制御装置
２１ 樹脂層
２１ａ、２１ｂ 穴
２２ 銅層
２２ａ 開口
２３ 内層配線パターン
３０ パルスレーザビーム
Ａ、Ｂ、Ｃ 光路

Claims (7)

1. パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、
   前記レーザ光源から出射したパルスレーザビームが入射し、入射したパルスレーザビームの１つの原レーザパルスから、時間軸上で分離された複数のレーザパルスを切り出すパルス切出手段と、
   前記パルス切出手段を経由したパルスレーザビームが入射する位置に加工対象物を保持するステージと、
   前記ステージに保持された加工対象物へのパルスレーザビームの入射位置が移動するように、パルスレーザビームの経路及び該加工対象物の一方を他方に対して移動させる移動機構と、
   加工対象物上の複数の被加工点の位置を記憶し、第１の被加工点に、第１の原レーザパルスから切り出された複数のレーザパルスが入射し、少なくとも１つの他の被加工点に、該第１の原レーザパルスよりも後に出射した第２の原レーザパルスから切り出された複数のレーザパルスが入射した後、該第１の被加工点に、さらに該第２の原レーザパルスよりも後に出射した第３の原レーザパルスから切り出されたレーザパルスが入射するように前記レーザ光源、前記パルス切出手段、及び前記移動機構を制御する制御装置と
   を有するレーザ加工装置。
2. 前記制御装置は、前記第１の被加工点に、前記第３の原レーザパルスから切り出されたレーザパルスのうちの１つのみが入射するように前記レーザ光源、前記パルス切出手段、及び前記移動機構を制御する請求項１に記載のレーザ加工装置。
3. 前記制御装置は、前記第１の原レーザパルスから切り出された複数のレーザパルスのうち、時間軸上で２番目以降のレーザパルスのパルス幅が、１番目のレーザパルスのパルス幅より短くなるように前記パルス切出手段を制御する請求項１または２に記載のレーザ加工装置。
4. さらに、前記パルス切出手段から出射したパルスレーザビームを、第１の光路を通って前記加工対象物に入射するパルスレーザビームと、第２の光路を通って他の加工対象物に入射するパルスレーザビームとに分岐させる分岐光学系を有する請求項１から３のいずれかに記載のレーザ加工装置。
5. レーザ光源から出射した第１の原レーザパルスから、時間軸上で分離するように切り出された複数のレーザパルスを、加工対象物上の第１の被加工点に入射させる工程と、
   前記第１の原レーザパルスの後に、前記レーザ光源から出射した第２の原レーザパルスから切り出された複数のレーザパルスを、前記加工対象物の第２の被加工点に入射させる工程と、
   前記第２の原レーザパルスの後に、前記レーザ光源から出射した第３の原レーザパルスから切り出されたうちの１つのレーザパルスを、前記第１の被加工点に入射させる工程と
   を有するレーザ加工方法。
6. 原レーザパルスから切り出された複数のレーザパルスのうち、時間軸上で２番目以降のレーザパルスのパルス幅が、１番目のレーザパルスのパルス幅より短くなるように前記パルス切出手段を制御する工程を有する請求項５に記載のレーザ加工方法。
7. 前記加工対象物は金属層と樹脂層が積層した構造であり、該加工対象物上の前記第１及び第２の被加工点の各々は、該金属層に設けられた複数の開口のうちのいずれかに対応付けられ、該加工対象物上の第１及び第２の被加工点に照射されるパルスレーザビームのビームスポットが、それぞれ、該金属層に設けられた対応する開口を内包する大きさである請求項５または６に記載のレーザ加工方法。

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