JP2005300820A - 化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(A)樹脂成分と、(C)放射線の照射により酸成分を発生する化合物と、有機溶剤とを含み、前記(C)成分から発生する酸成分の作用により、アルカリ水溶液に対する溶解性が増大する性質を有する化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であって、
前記(A)成分が、芳香族ヒドロキシ化合物と、少なくともホルムアルデヒドおよびヒドロキシル基置換芳香族アルデヒドを含むアルデヒド類とを縮合反応させて得られるノボラック樹脂(a1)の、全フェノール性水酸基の一部を酸解離性溶解抑制基で保護してなるアルカリ難溶性あるいは不溶性の樹脂成分を含むことを特徴とする化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。
【選択図】 なし
Description
特許文献1には、ポリヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子の一部を酸解離性溶解抑制基で保護してなる樹脂成分とPAGを含有してなる組成物が記載されている。
特許文献2、3には、ノボラック樹脂など側鎖に水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂と、特定の架橋剤と、酸発生剤を含有する化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物が記載されている。
特許文献4には、酸触媒の存在下で水酸基含有ポリマーとポリビニルエーテルとを反応させて得られた部分架橋ポリマーとPAGを含有してなる組成物が記載されている。
例えば、1枚のガラス基板上に、ドライバ、DAC(デジタル−アナログコンバーター)、画像プロセッサ、ビデオコントローラ、RAMなどの集積回路部分がディスプレイ部分と同時に形成される、いわゆる「システムLCD」と呼ばれる高機能LCDは次世代のLCDとして期待されている(Semiconductor FPD World 2001.9, pp.50−67)。
このようなシステムLCDのTFT(薄膜トランジスタ)には、特に600℃以下の低温プロセスで形成される低温ポリシリコンが、アモルファスシリコンに比べて電気抵抗が小さくて移動度が高いことから好適であるとされている。
低温ポリシリコンからなるTFTを製造するには、ガラス基板上に低温プロセスでポリシリコン膜を形成した後、該低温ポリシリコン膜にPやB等を打ち込む、いわゆる「インプランテーション工程」において、非常に高濃度の不純物を打ち込むことが必要とされている。このインプランテーション工程は、真空度の高い条件下で行われるが、不純物の打ち込みによる発熱作用により、基板上のレジストパターンが加熱されると、レジストパターンが形状変化を起こしたり、レジストパターン中のある成分がガス化して処理室内の真空度を下げるという問題がある。
ノボラック樹脂は安価で耐熱性に優れる樹脂成分として大変有用であるが、当該ノボラック樹脂の水酸基の水素原子の一部を酸解離性溶解抑制基で保護してなる樹脂成分は、著しく耐熱性に劣るため、化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物の樹脂成分としての利用は困難であった。
(A)樹脂成分と、(C)放射線の照射により酸成分を発生する化合物と、有機溶剤とを含み、前記(C)成分から発生する酸成分の作用により、アルカリ水溶液に対する溶解性が増大する性質を有する化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であって、
前記(A)成分が、芳香族ヒドロキシ化合物と、少なくともホルムアルデヒドおよびヒドロキシル基置換芳香族アルデヒドを含むアルデヒド類とを縮合反応させて得られるノボラック樹脂(a1)の、全フェノール性水酸基の一部を酸解離性溶解抑制基で保護してなるアルカリ難溶性あるいは不溶性の樹脂成分を含むことを特徴とする化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。
または、前記(A)成分が、芳香族ヒドロキシ化合物と、少なくともホルムアルデヒドおよびヒドロキシル基置換芳香族アルデヒドを含むアルデヒド類とを縮合反応させて得られるノボラック樹脂であって、低分子量体を分別除去する処理が施された処理済ノボラック樹脂(a2)の、全フェノール性水酸基の一部を酸解離性溶解抑制基で保護してなるアルカリ難溶性あるいは不溶性の樹脂成分を含むことが好ましい。
(A)成分を構成するアルカリ難溶性あるいは不溶性の樹脂成分は、ノボラック樹脂(a1)と酸解離性溶解抑制基に対応する化合物との付加反応により合成することができる。
ノボラック樹脂(a1)は、芳香族ヒドロキシ化合物とアルデヒド類とを縮合反応させて得られる。
また前記アルデヒド類として、前記ホルムアルデヒドおよびヒドロキシル基置換芳香族アルデヒド以外のアルデヒド類を併用してもよい。例えばパラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、トリメチルアセトアルデヒド、アクロレイン、クロトンアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、フルフラール、フリルアクロレイン等が挙げられる。これらは2種以上を併用してもよい。
アルデヒド類の使用量は、芳香族ヒドロキシ化合物に対して50〜100モル%程度が好ましく、より好ましい範囲は60〜80モル%程度である。
ヒドロキシル基置換芳香族アルデヒドの使用量は、少なすぎると添加効果が十分に得られず、多すぎると高分子量化が困難になり効果が十分に得られなくなる傾向があり、また原料コストが高くなるので、全アルデヒド量に対して10〜50モル%程度が好ましく、より好ましい範囲は20〜35モル%程度である。
また、ホルムアルデヒドの使用量は、少なすぎると分子量が上がらず、多すぎると分子量増加によるアルカリ溶解速度の低下を伴う恐れがあるので、全アルデヒド量に対して50〜90モル%程度が好ましく、より好ましい範囲は65〜80モル%程度である。
使用するアルデヒド類のうち、ホルムアルデヒドとヒドロキシル基置換芳香族アルデヒドの合計が占める割合は、全アルデヒド量に対して80モル%以上であることが好ましく、100モル%であることがより好ましい。
かかる酸解離性溶解抑制基としては、後述の(C)成分から発生する酸により解離するものであればよく、例えば、1−エトキシメチル基、1−エトキシエチル基、1−プロポキシメチル基、1−プロポキシエチル基、1−n−ブトキシメチル基、1−iso−ブトキシメチル基、1−tert−ブトキシメチル基等のアルコキシアルキル基;t−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニルメチル基、t−ブトキシカルボニルエチル基等のアルコキシカルボニルアルキル基;テトラヒドロフラニル基;テトラヒドロピラニル基;直鎖状または分岐鎖状アセタール基;環状アセタール基;トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基等のトリアルキルシリル基が挙げられる。
中でも下記化学式(II−1)で表されるエチルビニル基(エトキシエチル基)および下記化学式(II−2)で表されるt−ブトキシカルボニル基が、解像性に優れたホトレジスト組成物を得るうえで好ましく、特にエチルビニル基が好ましい。
(C)成分としては、特に限定はなく、従来から化学増幅型のポジ型ホトレジスト組成物の材料として知られている光酸発生剤、例えばスルホニルジアゾメタン系酸発生剤、オニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤などを用いることができる。
下記一般式(III)、(IV)で表されるもの。
(C)成分の配合量は、(A)成分100質量部に対して、1〜30質量部、好ましくは1〜20質量部とされる。
本実施形態の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物において、引置き安定性を高めるために、(D)成分として、塩基性化合物(好ましくはアミン類)を配合することが好ましい。
当該化合物としては、ホトレジスト組成物に対する相容性を有するものであれば良く、特に制限されるものではないが、例えば特開平9−6001号公報に記載の化合物を挙げることができる。
(1)炭素数4以上のアルキル基、
(2)炭素数3以上のシクロアルキル基、
(3)フェニル基、
(4)アラルアルキル基
から選ばれる基である。
また、当該X、Y、Zのうち、前記(1)〜(4)ではないものは、
(1’)炭素数3以下のアルキル基、
(2’)水素原子、の中から選ばれる基または原子である。
X、Y、Zは相互に同じでもよいし、異なっていてもよいが、X、Y、Zのうち、2つ以上が前記(1)〜(4)から選ばれる基である場合には、これらに該当する基どうしは同じであることが、効果の安定性の点から、好ましい。
前記(1)の場合、炭素数が4未満では、経時安定性を向上させることが難しい。炭素数はさらには5以上、特には8以上であることが好ましい。上限値は特に限定しないが、経時安定効果が認められ、また商業的に入手用であるの点から20以下、特には15以下とされる。なお、20を超えると塩基性強度が弱くなり、保存安定性の効果が低下する。
アルキル基は直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよい。
具体的には、例えばn−デシル基、n−オクチル基、n−ペンチル基等が好ましい。
当該シクロアルキル基において、特に炭素数4〜8のシクロアルキル基が商業的に入手可能であり、かつ経時安定性を向上させる効果に優れ好ましい。特に炭素数が6であるシクロヘキシル基が好ましい。
アラルアルキル基は、一般式、−R’−P(R’はアルキレン基、Pは芳香族炭化水素基)で表されるものである。
Pとしてはフェニル基、ナフチル基等が挙げられるが、フェニル基が好ましい。
R’の炭素数は1以上であればよく、好ましくは1〜3である。
アラルアルキル基としては、例えばベンジル基、フェニルエチル基等が好ましい。
(d1)成分としては、第3級アミンを構成するものが好ましく、X、Y、Zのうち、前記(1)〜(4)でないものは、(1’)の中から選ばれることが好ましい。例えば、具体的には、トリ−n−デシルアミン、メチル−ジ−n−オクチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、N,N−ジシクロヘキシルメチルアミン、トリベンジルアミン等が挙げられる。
中でも、トリ−n−デシルアミン、メチル−ジ−n−オクチルアミン、トリ−n−ペンチルアミンから選ばれる1種以上が好ましく、特にトリ−n−デシルアミンが好ましい。
(D)成分は、樹脂固形分100質量部に対して0.01〜5.0質量部、特には0.1〜1.0質量部の範囲で配合することが、効果の点から好ましい。
本実施形態のホトレジスト組成物における有機溶剤としては、化学増幅型のポジ型ホトレジスト組成物に用いられるものであれば、特に限定せずに用いることができる。
例えば、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート(例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)等)、乳酸エステル(例えば乳酸エチル等)等のエステル系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、あるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテル等の多価アルコール類およびその誘導体;ジオキサンのような環式エーテル類;等の非エステル系溶剤が挙げられる。なおエステル系溶剤は、有機カルボン酸とアルコールとの反応生成物であることから、遊離酸である有機カルボン酸を含有する。そのため、前記の(D)成分を配合しないホトレジスト組成物、または後述の保存安定剤を配合しないホトレジスト組成物においては、そのような遊離酸を含有しない非エステル系溶剤を選択することが好ましく、特にケトン類(ケトン系の溶剤)は好ましい。その中でも2−へプタノンは、塗膜性、(C)成分の溶解性の点からも好適である。
なお、上記分解により副生成する酸成分としては、例えば2−ヘプタノンの場合、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等を生じることが確認されている。
有機溶剤は1種または2種以上混合して用いることができる。
本実施形態の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物には、この他、必要に応じて以下の様な保存安定剤を配合すると好ましい。
当該保存安定剤としては、有機溶剤の分解反応を抑制する作用を有するものであれば特に限定されず、例えば、特開昭58−194834号公報に記載されているような酸化防止剤を挙げることができる。酸化防止剤としてはフェノール系化合物とアミン系化合物が知られているが、特にフェノール系化合物が好ましく、中でも2,6−ジ(tert−ブチル)−p−クレゾール及びその誘導体が、エステル系溶剤、ケトン系溶剤の劣化に対して有効であり、商業的に入手可能、かつ安価であって、さらに保存安定効果に優れる点で好ましい。特にプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、2−ヘプタノンに対する劣化防止効果に極めて優れる。
本実施形態のポジ型ホトレジスト組成物は、(A)成分、(C)成分、及び必要に応じてその他の成分を、有機溶剤に溶解させることによって製造することができる。
有機溶剤の使用量は、好ましくは(A)、(C)成分及び必要に応じて用いられるその他の成分を溶解したときに、均一なポジ型ホトレジスト組成物が得られるように適宜調整される。好ましくは固形分濃度が10〜50質量%、さらに好ましくは20〜35質量%となる様に用いられる。なお、ポジ型ホトレジスト組成物の固形分は、(A)、(C)成分及び必要に応じて用いられるその他の成分の合計に相当する。
以下に、本実施形態のホトレジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する方法の好適な一例を示す。
まず、(A)成分および(C)成分、並びに必要に応じて添加される各種成分を溶剤に溶解し、これをスピンナー等で基板に塗布して塗膜を形成する。基板は、シリコン基板、ガラス基板など、用途に応じて適宜選択される。
次いで、上記レジスト被膜に対し、マスクを介して選択的露光を行う。
ここで用いる光源としては、(C)成分の種類によって適宜選択することができ、例えばi線用のPAGを用いるのであれば、光源としてi線(365nm)を用いることが好ましい。
上記PEB後のレジスト被膜に対し、現像液、例えば1〜10質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のようなアルカリ水溶液を用いた現像処理を施すと、露光部分が溶解除去されて、基板上にレジストパターンが同時に形成される。
次いで、レジストパターン表面に残った現像液を純水などのリンス液で洗い落とすことによりレジストパターンを形成できる。
一方、本実施形態によれば、特に(A)成分を構成するアルカリ可溶性樹脂として、芳香族ヒドロキシ化合物と、ホルムアルデヒドおよびヒドロキシル基置換芳香族アルデヒドを含むアルデヒド類とを縮合反応して得られるノボラック樹脂(a1)を用いることにより、ポジ型ホトレジスト組成物の耐熱性を向上させることができる。これは、縮合剤にヒドロキシル基置換芳香族アルデヒドを含有させることにより、ノボラック樹脂(a1)におけるベンゼン環密度が増大し、その結果、立体障害が生じてノボラック樹脂(a1)自体の耐熱性が向上したことによると考えられる。
さらに、当該ヒドロキシル基置換芳香族アルデヒドを用いることにより、解像性も向上させることができる。これは、縮合剤にフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒド(ヒドロキシル基置換芳香族アルデヒド)を用いることにより、ノボラック樹脂(a1)中に存在するフェノール性水酸基が増大し、ノボラック樹脂(a1)自体のアルカリ溶解性が向上するためと考えられる。
また、本実施形態のポジ型ホトレジスト組成物は化学増幅型の機構を示すものであるので、未露光部分と露光部分との現像コントラストが強く、良好な解像性および感度を得ることができる。
さらに、ノボラック樹脂は安価で入手が容易であるので、低価格で耐熱性に優れたポジ型ホトレジスト組成物を提供することができる。
なお、ここでのポジ型ホトレジスト組成物としての耐熱性には、高温加熱処理時におけるレジストパターンの変形防止効果、レジストパターンの寸法変化の防止効果等が含まれる。
本実施形態が第1の実施形態と異なる点は、(A)成分を調製する際に、ノボラック樹脂(a1)と酸解離性溶解抑制基に対応する化合物とを反応させて得られた反応生成物(アルカリ難溶性あるいは不溶性の樹脂)に、低分子量体を分別除去する処理を施した樹脂成分を(A)成分として用いる点である。
低分子量体の分別処理方法としては、例えば、酸解離性溶解抑制基で保護されたノボラック樹脂を、イオン交換樹脂を用いて精製する方法を用いることができる。この方法によれば低分子量体とともに、酸成分やメタル成分を除去することも可能である。
または良溶媒に溶解したノボラック樹脂に貧溶媒を加えて分別沈殿させて沈殿物を取り出すことで低分子量体を除く方法を用いることもできる。
本実施形態が第1の実施形態と異なる点は、(A)成分を調製する際に、前記ノボラック樹脂(a1)に代えて、該ノボラック樹脂(a1)に低分子量体を分別除去する処理を施して得られる処理済ノボラック樹脂(a2)を用いる点である。そして該処理済ノボラック樹脂(a2)と酸解離性溶解抑制基に対応する化合物とを反応させて得られるアルカリ難溶性あるいは不溶性の樹脂を(A)成分として用いる。
またはノボラック樹脂(a1)を良溶媒、例えばメタノール、エタノール等のアルコール、アセトン、メチルエチルケトン等のケトンや、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、テトラヒドロフラン等に溶解し、次いで水中に注ぎ沈殿させる等の方法によっても低分子量体を分別除去することができる。
または、ノボラック樹脂(a1)の合成反応の途中で例えば水蒸気蒸留を行うことによっても2核体等の低核体含有量を減少させることができる(特開2000−13185号公報参照)。
特に第3の実施形態の方が第2の実施形態に比べて分別溶剤に対する各分子量での溶解性の差が大きいため高収率でより効率的に低分子量体を除去することができる。
下記の実施例または比較例のポジ型ホトレジスト組成物について下記の諸物性(1)〜(3)の評価方法を以下に示す。
(1)感度評価:ポジ型ホトレジスト組成物をスピンナーを用いてシリコン基板上に塗布したのち、これをホットプレート上で140℃、90秒間乾燥(プリベーク)して、膜厚1.48μmのレジスト被膜を形成した。
次いで、この膜にラインアンドスペースが1:1の1.5μmレジストパターン対応のマスク(レチクル)を介して、ミラープロジェクション・アライナーMPA−600FA(キャノン社製;ghi線露光装置)を用いて、1.5μmL&Sを忠実に再現することのできる露光量(Eop露光量)にて選択的露光を行った。
次いで、140℃、90秒間の加熱条件で、PEBを施した。
次いで、23℃、2.38質量%TMAH水溶液(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液;製品名「NMD−3」東京応化工業株式会社製)用いて90秒間の現像処理を行った後、純水で30秒間リンスし、スピン乾燥した。
感度評価の指標として、1.5μmL&Sのレジストパターンを忠実に再現できる露光量(Eop、単位:mJ/cm2)を用いた。
(3)耐熱性評価:上記Eop露光量において、1.5μmL&Sが描かれた基板を、160℃に設定されたホットプレート上に1分間静置した後、断面形状を観察した。その結果、1.5μmL&Sの寸法変化率が±10%以内であったものを○、±10%を超えたものを×として表した。
(調製例1;分別除去なし)
ノボラック樹脂(a1)を合成し、その全フェノール性水酸基の一部をエチルビニル基で保護して樹脂成分(A1)を調製した。低分子量体の分別除去処理は行わなかった。
すなわちノボラック樹脂(m−クレゾール/p−クレゾール=6/4(モル比)、ホルマリン/サリチルアルデヒド=3/1(モル比)、Mw=5500)(a1)の20質量%溶液[溶媒=1,4−ジオキサン]250gにp−トルエンスルホン酸・1水和物0.01g、およびエチルビニルエーテル9gを添加し、22℃で2時間反応を行った。次いで、反応液に0.01gのトリエチルアミンを添加し、これを純水1000ml中に注ぎ、反応物を沈殿させた。濾別した後、得られた沈殿物をメタノール250gに溶解し、その溶液をイオン交換樹脂に通した。その後、PGMEAに溶剤置換し、フェノール性水酸基の30%がエトキシエチル基で保護されたノボラック樹脂(A1)溶液125gを得た。
調製例1において得られたノボラック樹脂(A1)溶液を30質量%のPGMEA溶液に調製し、その溶液にn−ヘプタン270gを添加し、生成した沈殿物を取り出し、当該沈殿物をPGMEAに溶解し、次いで濃縮を行いn−ヘプタンを除去し、ノボラック樹脂(A2)溶液を得た。分別処理における収率は76質量%、Mw=7200であった。
ノボラック樹脂の低分子量体を分別処理して処理済ノボラック樹脂(a2)を調製した後、該処理済ノボラック樹脂(a2)の全フェノール性水酸基の一部をエチルビニル基で保護して樹脂成分(A3)を調製した。
すなわちノボラック樹脂(m−クレゾール/p−クレゾール=6/4(モル比)、ホルマリン/サリチルアルデヒド=3/1(モル比)、Mw=5500)(a1)をメタノールに溶解し、30質量%のメタノール溶液150gを調整し、これに純水115gを添加し沈殿物を得た。得られた沈殿物を1,4−ジオキサンに溶解させ、濃縮を行い水分を除去し、ノボラック樹脂(a2)溶液を得た。分別処理における収率は80質量%であった。
分別処理して得られた処理済ノボラック樹脂(a2)の20質量%溶液[溶媒=1,4−ジオキサン]180gにp−トルエンスルホン酸・1水和物0.01g、およびエチルビニルエーテル6.5gを添加し、22℃で2時間反応を行った。次いで、反応液に0.01gのトリエチルアミンを添加し、これを純水1000ml中に注ぎ、反応物を沈殿させた。濾別した沈殿物をメタノール250gに溶解し、その溶液をイオン交換樹脂に通した。その後、PGMEAに溶剤置換し、ノボラック樹脂(a2)の全フェノール性水酸基の30%がエチルビニル基で保護された樹脂成分(A3)を得た。
調製例1〜3において、縮合剤(ホルマリン/サリチルアルデヒド=3/1(モル比))をホルマリンとp−ヒドロキシベンズアルデヒドの混合物(ホルマリン/p−ヒドロキシベンズアルデヒド=3/1(モル比))に変更した他は同様にして、それぞれ樹脂成分(A4)〜(A6)を調製した。
調製例1〜3において、縮合剤(ホルマリン/サリチルアルデヒド=3/1(モル比))をホルマリンと3,4−ジヒドロキシベンズアルデヒドの混合物(ホルマリン/3,4−ジヒドロキシベンズアルデヒド=3/1(モル比))に変更した他は同様にして、それぞれ樹脂成分(A7)〜(A9)を調製した。
調製例1において、縮合剤(ホルマリン/サリチルアルデヒド=3/1(モル比))をホルマリンのみに変更した他は同様にして、樹脂成分(A10)を調製した。
上記調製例1〜9、および比較調製例1でそれぞれ得た(A1)〜(A10)成分100質量部に対して、(C)成分[上記式(IX)の化合物]:3質量部、および(D)成分[トリ−n−デシルアミン]:0.2質量部をPGMEAに溶解し、さらに界面活性剤としてXR−104(大日本インキ社製)を500ppm配合し、35質量%濃度の溶液に調整した後、これを孔径0.2μmのメンブランフィルターを用いてろ過し、ホトレジスト組成物を調製した。
このホトレジスト組成物について前記(1)〜(3)の物性を評価した。その結果を下記表1に示す。
Claims (3)
- (A)樹脂成分と、(C)放射線の照射により酸成分を発生する化合物と、有機溶剤とを含み、前記(C)成分から発生する酸成分の作用により、アルカリ水溶液に対する溶解性が増大する性質を有する化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であって、
前記(A)成分が、芳香族ヒドロキシ化合物と、少なくともホルムアルデヒドおよびヒドロキシル基置換芳香族アルデヒドを含むアルデヒド類とを縮合反応させて得られるノボラック樹脂(a1)の、全フェノール性水酸基の一部を酸解離性溶解抑制基で保護してなるアルカリ難溶性あるいは不溶性の樹脂成分を含むことを特徴とする化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。 - 前記(A)成分が、前記ノボラック樹脂(a1)の、全フェノール性水酸基の一部を酸解離性溶解抑制基で保護してなるアルカリ難溶性あるいは不溶性の樹脂に、低分子量体を分別除去する処理を施して得られる樹脂成分を含むことを特徴とする請求項1記載の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。
- 前記(A)成分が、芳香族ヒドロキシ化合物と、少なくともホルムアルデヒドおよびヒドロキシル基置換芳香族アルデヒドを含むアルデヒド類とを縮合反応させて得られるノボラック樹脂であって、低分子量体を分別除去する処理が施された処理済ノボラック樹脂(a2)の、全フェノール性水酸基の一部を酸解離性溶解抑制基で保護してなるアルカリ難溶性あるいは不溶性の樹脂成分を含むことを特徴とする請求項1記載の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。
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