JP2009510263A

JP2009510263A - スパッタリングターゲット、低い抵抗性の透明な導電性被膜、このような被膜の形成法および該導電性被膜に使用するための組成物

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Publication number: JP2009510263A
Application number: JP2008533496A
Authority: JP
Inventors: クマープラブハット; ヴェッティングゲアハルト; リチャードウーロン−チェン
Original assignee: HC Starck Inc
Current assignee: Materion Newton Inc
Priority date: 2005-09-29
Filing date: 2006-09-25
Publication date: 2009-03-12
Also published as: CA2623404A1; EP1931605A1; US20070071985A1; KR20080058390A; TW200728237A; CN101277910A; WO2007041081A1

Abstract

本発明は、本質的に：ａ）ＭｏＯ₂約０．１〜約６０モル％、ｂ）Ｉｎ₂Ｏ₃０〜約９９．９モル％、ｃ）ＳｎＯ₂０〜約９９．９モル％、ｄ）ＺｎＯ０〜約９９．９モル％、ｅ）Ａｌ₂Ｏ₃０〜約９９．９モル％、ｆ）Ｇａ₂Ｏ₃０〜約９９．９モル％から構成されている組成物に向けられており、この場合成分ｂ）〜ｆ）の総和は、約４０〜約９９．９モル％であり、モル％は、全生成物を基礎とし、および成分ａ）〜ｅ）の総和は、１００である。また、本発明は、このような組成物の焼結された製品、焼結された製品から形成されたターゲットおよび前記組成物から形成された透明な導電性フィルムに向けられている。

Description

本発明の背景技術
酸化インジウム−酸化錫（Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂）（"ＩＴＯ"）は、高い可視光線透明度および高い導電率を有する透明な導電性被膜を形成するために使用され、フラットパネルディスプレイ（"ＦＰＤ"）、タッチスクリーンパネル、太陽電池、発光ダイオード（"ＬＥＤ"）、有機発光ダイオード（"ＯＬＥＤ"）および建築用熱反射性の低放射率コーティングに広範囲に使用されている。このようなＩＴＯ組成物は、成果を収めたけれども、総原価を減少させるために酸化インジウムの全部または一部分を代替することが望ましい。

米国特許第６１９３８５６号明細書には、ターゲット材料が式ＭＯ_x〔式中、Ｍは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、ＺｒおよびＨｆから構成されているグループから選択された少なくとも１つの金属であり、ＭＯ_xは、化学量論的組成物と比較して酸素中に欠陥を有する金属酸化物である〕で示される金属酸化物を有するようなスパッタリングターゲットが記載されている。この引用文献には、ＭがＭｏである場合に、ｘは、２＜ｘ＜３の範囲内にあることが示されている。

米国特許第６６８９４７７号明細書（およびその親出願、米国特許第６５３４１８３号明細書）には、透明な導電性被膜のためのスパッタリングターゲットが記載されている。記載された組成物の系列の１つは、酸化インジウム、酸化亜鉛および酸化錫から構成されているグループから選択された１つ以上の金属酸化物ならびに酸化バナジウム、酸化モリブデンおよび酸化ルテニウムから構成されているグループから選択された１つ以上の酸化物を含有する組成物である。この引用文献には、"酸化モリブデン"の表現の意味は、定義されていない。公知であるように、モリブデンは、２、３、４、５および６の原子価を有することができる。一般に、処理方法が"酸化モリブデン"に帰因する場合には、酸化物は、"三酸化モリブデン（ＭｏＯ₃）"を意味する。ＦＰＤｓにおいて商業的に有用であるために、被膜は、１０^-3オームｃｍ以下の抵抗率および少なくとも８０％の光透過率を有していなければならない。

本発明の詳細な説明
本発明は、透明な伝導性被膜の形成に使用されうる組成物、このような組成物の焼結された製品、焼結された製品から形成されたスパッタリングターゲットおよび前記組成物から形成された透明な導電性被膜に向けられている。

よりいっそう詳述すれば、本発明は、本質的に：
ａ）ＭｏＯ₂約０．１〜約６０モル％、
ｂ）Ｉｎ₂Ｏ₃０〜約９９．９モル％、
ｃ）ＳｎＯ₂０〜約９９．９モル％、
ｄ）ＺｎＯ０〜約９９．９モル％、
ｅ）Ａｌ₂Ｏ₃０〜約９９．９モル％、
ｆ）Ｇａ₂Ｏ₃０〜約９９．９モル％から構成されている組成物に向けられており、
この場合成分ｂ）〜ｆ）の総和は、約４０〜約９９．９モル％であり、モル％は、全生成物を基礎とし、および成分ａ）〜ｅ）の総和は、１００である。また、本発明は、このような組成物の焼結された製品、焼結された製品から形成されたターゲットおよび前記組成物から形成された透明な導電性被膜に向けられている。

好ましい範囲は、
ａ）ＭｏＯ₂約１〜約４０モル％、
ｂ）Ｉｎ₂Ｏ₃０〜約９９モル％、
ｃ）ＳｎＯ₂０〜約９９モル％、
ｄ）ＺｎＯ０〜約９９モル％、
ｅ）Ａｌ₂Ｏ₃０〜約９９モル、
ｆ）Ｇａ₂Ｏ₃０〜約９９モル％であり、
この場合成分ｂ）〜ｆ）の総和は、約６０〜約９９モル％である。

好ましい範囲は、
ａ）ＭｏＯ₂約１．５〜約３０モル％、
ｂ）Ｉｎ₂Ｏ₃０〜約９８．５モル％、
ｃ）ＳｎＯ₂０〜約９８．５モル％、
ｄ）ＺｎＯ０〜約９８．５モル％、
ｅ）Ａｌ₂Ｏ₃０〜約９８．５モル、
ｆ）Ｇａ₂Ｏ₃０〜約９８．５モル％であり、
この場合成分ｂ）〜ｆ）の総和は、約７０〜約９８．５モル％である。

最も好ましい組成物は、本質的に：
ａ）ＭｏＯ₂約２〜約１５モル％、
ｂ）Ｉｎ₂Ｏ₃０〜約８５モル％、
ｃ）ＳｎＯ₂０〜約８５モル％、
ｄ）ＺｎＯ０〜約８５モル％、
ｅ）Ａｌ₂Ｏ₃０〜約８５モル、
ｆ）Ｇａ₂Ｏ₃０〜約８５モル％であり、
この場合成分ｂ）〜ｆ）の総和は、約８５〜約９８モル％である。

３つの特に好ましい組成物（Ｉ、ＩＩおよびＩＩＩ）は、本質的に：
Ｉ）ＭｏＯ₂約５〜約１０モル％、およびｂ）Ｉｎ₂Ｏ₃約９０〜約９５モル％、
ＩＩ）ａ）ＭｏＯ₂約５〜約１０％、およびｃ）ＳｎＯ₂約９０〜約９５モル％、およびＩＩＩ）ａ）ＭｏＯ₂約５〜約１０％、およびｄ）ＺｎＯ約９０〜約９５モル％から構成されており、ｉ）組成物Ｉ）の場合には、成分ａ）およびｂ）の総和は、１００モル％であり、ｉｉ）組成物ＩＩ）の場合には、成分ａ）およびｃ）の総和は、１００モル％であり、ｉｉｉ）組成物ＩＩＩ）の場合には、成分ａ）およびｄ）の総和は、１００モル％である。

前記組成物から形成される被膜は、８０％またはそれ以上の光透過率（即ち、透明度）および幾つかの場合に１０^-3オームｃｍ以下の抵抗率を示す。

使用される酸化物は、適当な混合機および粉砕機中（例えば、ドライボールまたはウェットボールまたはビーズミルまたは超音波中）で均一に粉砕されかつ混合される。湿潤処理の場合には、スラリーは、乾燥され、乾燥されたケークは、篩別によって分解される。また、乾式処理された粉末および混合物は、篩別される。乾式混合物は、造粒される。

望ましい形状の物体への造形に関連して、使用されることができる幾つかの方法が存在する。

最初に、冷間圧縮法が使用されうる。造形は、実質的に任意の適当な方法を使用することにより実施されうる。公知の冷間圧縮法は、冷圧プレスおよび冷間等方加工プレス（"ＣＩＰ"）である。冷圧プレスでは、造粒された混合物は、金型内に置かれ、圧縮され、圧縮製品を形成する。冷間等方加工プレスでは、造粒された混合物は、可撓性の金型内に充填され、封止され、かつ全方向から材料に印加される中圧により圧縮される。機械的圧力またはガス圧を適用しないかまたは適用する熱硬化が使用されてもよい。熱硬化は、有利にさらに高密度化および補強に使用される。熱硬化は、実質的に任意の適当な方法を使用することにより実施されうる。公知方法は、大気圧または増加されたガス圧、ホットプレスおよび熱間等方加工プレス（"ＨＩＰ"）で真空中、空気中、不活性の大気圧中または反応大気圧中での焼結を含む。

焼結は、造形された試料を適当な炉内に置き、規定された温度時間ガス圧作業周期を運転することによって実施される。ホットプレス法では、造粒された混合物は、金型内に置かれ、焼結（または焼付け）され、同時に機械的に加圧される。

ＨＩＰ法では、少なくとも２つの可能性が存在する。第１の可能性、所謂焼結ＨＩＰでは、造形された試料は、ＨＩＰ炉内に置かれ、低いガス圧での温度−時間作業周期は、主に理論的密度の約９３〜９５％に相当する、細孔が密閉される工程が達成されるまで運転される。更に、ガス圧は、増加され、物体内での残留細孔を除去するための高密度化支持手段として作用する。

第２の場合、所謂クラッドＨＩＰでは、造粒された混合物は、耐火金属から形成された、密閉された金型中に置かれ、排気され、かつ封止される。この金型は、ＨＩＰ炉内に置かれ、適当な温度−時間−ガス圧作業周期が実施される。この作業周期中に、加圧ガスは、アイソスタティックプレスを実施する（即ち、圧力は、金型および材料内部に全ての方向から加えられる）。原料の酸化物は、有利にできるだけ微細に粉砕される（例えば、平均粒径５μｍ以下、好ましくは１μｍ以下）。造形された物体は、一般に約５００〜約１６００℃の温度で約５分間〜約８時間の期間で機械的圧力またはガス圧を加えてかまたは加えることなしに焼結（または焼付け）され、高密度化が補助される。

実際に、任意の形状および寸法の焼結された製品を製造することができる。例えば、製品は、正方形、長方形、円形、卵形または管状形であることができる。必要に応じて、形状は、望ましいスパッタリングターゲットと同じであることができる。焼結された製品の形状にも拘わらず、さらに、この製品は、適当なスパッタリングユニットに適合するであろう寸法および形状に機械加工される。当業界で公知であるように、スパッタリングターゲットの形状および寸法は、根本的な使用に依存して変動しうる。例えば、製品は、正方形、長方形、円形、卵形または管状形であることができる。大きな寸法のターゲットに関しては、一緒になって結合される幾つかの小型の部材、タイルまたはセグメントを使用し、ターゲットを形成させることが望ましい。こうして製造されたターゲットは、スパッタリングされることができ、多種多様の透明な支持体、例えばガラスならびにポリマーフィルムおよびポリマーシート上に被膜を形成する。実際に、本発明の１つの利点は、透明な導電性被膜を本発明による組成物から室温での析出によって形成させることができ、生じる被膜が優れた伝導性および透明度を有することにある。

１つの実施態様において、本発明により形成される板は、スパッタリングターゲットに形成される。スパッタリングターゲットは、望ましい寸法を有するスパッタリングターゲットが得られるまで板を機械加工に掛けることによって形成される。板に掛けられる機械加工法は、適当な寸法を有するスパッタリングターゲットを製造するのに適した任意の機械加工を含むことができる。適当な機械加工工程の例は、レーザー切断に限定されずにウォータージェット切断、フライス削り、旋削および旋盤技術を含む。スパッタリングターゲットは、表面粗さを減少させるために研磨されてよい。板の寸法および形状は、幅広い範囲に亘って変動しうる。スパッタリングの任意の適当な方法は、本発明に使用されてよい。

適当な方法は、薄膜を板（または支持体）上に付着させることができる方法である。適当なスパッタリング法の例は、これに限定されるものではないが、マグネトロンスパッタリング、磁気的に強化されたスパッタリング、パルスレーザースパッタリング、イオンビームスパッタリング、三極管スパッタリング、高周波（ＲＦ）および直流（ＤＣ）ダイオードスパッタリングならびにこれらの組合せを含む。スパッタリングは好ましいが、薄膜を支持体板上に付着させるために、他の方法が使用されてよい。従って、本発明により薄膜を付着させる任意の適当な方法は、使用されてよい。薄膜を板に適用する適当な方法は、制限されないが、電子ビーム蒸発および物理的手段、例えば物理的蒸着を含む。

本発明による方法によって適用された薄膜は、任意の望ましい厚さを有することができる。薄膜は、少なくとも０．５ｎｍ、幾つかの状態において１ｎｍ、幾つかの場合において少なくとも５ｎｍ、他の場合において少なくとも１０ｎｍ、幾つかの状態において、少なくとも２５ｎｍ、他の状態において、少なくとも５０ｎｍ、幾つかの状況において少なくとも７５ｎｍ、他の状況において少なくとも１００ｎｍであることができる。また、膜厚は、１０μｍまで、幾つかの場合には、５μｍまで、他の場合には、２μｍまで、幾つかの状態の場合には、１μｍまで、他の状態の場合には、０．５μｍまでであることができる。膜厚は、前記値の任意の値であってもよいし、前記値の任意の値の範囲内であってもよい。薄膜は、フラットパネルディスプレイ（テレビジョンスクリーンおよびコンピューターモニターを含む）、タッチスクリーンパネル（例えば、キャッシュレジスター、ＡＴＭｓおよびＰＤＡｓに使用されるような）、有機発光ダイオード（例えば、自動車のディスプレイパネル、携帯電話、ゲーム機および小型の商業用スクリーンに使用されるような）、静的放熱器（static dissipaters）、電磁干渉遮蔽材、太陽電池、エレクトロクロミックミラー、ＬＥＤｓ、センサー、他の電子デバイスおよび半導体デバイスならびに建築用熱反射性の低放射率コーティングに使用されてよい。

次に、本発明は、以下の実施例につきよりいっそう詳細に記載される。実施例では、次の粉末が使用された：
ｉ）Ｉｎ₂Ｏ₃−ＯＸ−１０７５型２、Umicore Indium Products社から商業的に入手可能、９９．９％を上廻る純度および１０μｍ未満の平均粒径を有する。
ｉｉ）ＭｏＯ₂−ＮＭＰ３２３０、H.C. Starck, Inc.社から商業的に入手可能、９９．９％を上廻る純度および１０μｍ未満の平均粒径を有する。
ｉｉｉ）ＳｎＯ₂−１３１２３ＪＯＰＯ、高純度の粉末、Sigma-Aldrich社から商業的に入手可能、９９．９％を上廻る純度および１０μｍ未満の平均粒径を有する。
ｉｖ）ＺｎＯ−Ｋ３３２３８４４９、高純度の粉末、Sigma-Aldrich社から商業的に入手可能、９９．９％を上廻る純度および１０μｍ未満の平均粒径を有する。
ｖ）Ａｌ₂Ｏ₃−ＣＴ３０００ＳＧ、Alcoa社から商業的に入手可能、９９．９％を上廻る純度および５μｍ未満の平均粒径を有する。

実施例中で使用される一般的な方法：
粉末を顕著な質量比で同じ全質量の直径８〜１０ｍｍのＡｌ₂Ｏ₃ボールと一緒にＰＶＡプラスチック瓶中に注入した。この瓶を１分間６０回の速度で１２時間回転させることによって、前記の混合物を微粉砕した。この微粉砕された材料を目開き５００μｍの篩上に置き、ボールを除去した。第２の工程で、この粉末を寸法１５０μｍを有する篩に通過させた。

それぞれの実施例において、粉末２５０質量部を、粉末に対して黒鉛箔によって絶縁された直径１００ｍｍの黒鉛ホットプレス金型中に充填した。この充填された金型を真空気密ホットプレス中に置き、この容器を排気し、３００℃にまで加熱し、密閉された空気および湿分を除去し、次にアルゴンで再充填した。次に、２５ＭＰａの圧力を加え、温度を５Ｋ／分で上昇させた。ホットプレスの排気量測定装置を使用することによって、高密度化を記録することができた。排気量の割合が零に達した際に加熱を停止させ、引続きこの最大温度で１５分間の保持時間を保った。次に、温度を１０Ｋ／分の制御形式で６００℃に減少させ、同時に圧力を減少させた。次に、炉を停止させ、完全に冷ました。高密度化が終結された温度を記録した。

硬化された試料を常温の金型から取り出した後、一部を清浄化し、密度を測定した。

被膜付着試験のために、試料を平らな面上で粉砕し、汚れを取り除き、ウォータージェット切断によって３"のディスクに機械加工した。サファイア支持体上でPVD Products社から商業的に入手可能なＰＬＤ−５０００システムを用いて規定された温度および規定された条件で付着を実施した。付着された被膜の厚さは、約１００ｎｍであった。更に、被膜の付着試験が行なわれた実施例（即ち、実施例１〜６）において、光透過率および抵抗率は、指示されたように測定された。実施例９〜１１では、バルク抵抗率が測定された。

光透過率は、Angstrom Sun Technologies社から入手しうる、２５０〜１１００ｎｍのスペクトル範囲を有するモデルＴＦＰｒｏｂｅＳＴ２００分光光度計（１ｎｍの分解能を有する）を用いて測定された。このユニットは、シミュレーション能を有するAdvanced TFProbe 2.0 Data Acquisiiton and Analysisを装備していた。報告された透過率の数は、４００〜７５０ｎｍの光透過率の平均を表わす。実施例１〜６の被膜の抵抗率は、公知の４点試料法（4-point probe method）により測定された。実施例９、１０および１１については、バルク抵抗率は、公知の４線法を用いて測定された。

実施例１：Ｉｎ₂Ｏ₃９５モル％−ＭｏＯ₂５モル％
Ｉｎ₂Ｏ₃９５．３７部およびＭｏＯ₂４．６３部。
高密度化が終結された温度は、９７５℃であった。
この組成物の計算された理論的密度は、７．１５ｇ／ｃｍ³であり、測定された密度は、５．３３ｇ／ｃｍ³であった。
付着の状態：薄膜を３２０ｍＪのレーザーパルスで２５Ｈｚで１０ミリトルの酸素圧力で１００秒間付着させた。
抵抗率／室温での付着−８．４８×１０^-4オームｃｍ。
透過率／室温での付着−９０．９７％。
抵抗率／３００℃での付着−１．０５９×１０^-3オームｃｍ。
透過率／３００℃での付着−８９．１２％。

実施例２：ＳｎＯ₂９０モル％−ＭｏＯ₂１０モル％
ＳｎＯ₂９１．３８部およびＭｏＯ₂８．６２部。
高密度化が終結した温度は、９７５℃であった。この組成物の計算された理論的密度は、６．９１ｇ／ｃｍ³であり、測定された密度は、６．４１ｇ／ｃｍ³であった。
付着の状態：薄膜を３２０ｍＪのレーザーパルスで２５Ｈｚで１０ミリトルの酸素圧力で７２秒間付着させた。
抵抗率／室温での付着−行なわれていない。
透過率／室温での付着−８１．９７％。
抵抗率／３００℃での付着−１．２９６×１０^-1オームｃｍ。
透過率／３００℃での付着−８７．１９％。

実施例３：ＺｎＯ９５モル％−ＭｏＯ₂５モル％
ＺｎＯ９２．３６部およびＭｏＯ₂７．６４部。
高密度化が終結された温度は、１０００℃であった。
この組成物の計算された理論的密度は、５．６７ｇ／ｃｍ³であり、測定された密度は、５．１３ｇ／ｃｍ³であった。
付着の状態：薄膜を３２０ｍＪのレーザーパルスで２５Ｈｚで１０ミリトルの酸素圧力で１０６秒間付着させた。
抵抗率／室温での付着−行なわれていない。
透過率／室温での付着−９２．５２％。
抵抗率／３００℃での付着−３．３３０オームｃｍ。
透過率／３００℃での付着−９１．１０％。

実施例４：ＳｎＯ₂９５モル％−ＭｏＯ₂５モル％
ＳｎＯ₂９５．７２部およびＭｏＯ₂４．２８部。
高密度化が終結した温度は、９７５℃であった。この組成物の計算された理論的密度は、６．９３ｇ／ｃｍ³であり、測定された密度は、６．５１ｇ／ｃｍ³であった。
付着の状態：薄膜を３２０ｍＪのレーザーパルスで２５Ｈｚで１０ミリトルの酸素圧力で６６秒間付着させた。
抵抗率／室温での付着−行なわれていない。
透過率／室温での付着−８４．２９％。
抵抗率／３００℃での付着−８．９１０×１０^-3オームｃｍ。
透過率／３００℃での付着−８９．８０％。

実施例５：Ｉｎ₂Ｏ₃９０モル％−ＭｏＯ₂１０モル％
Ｉｎ₂Ｏ₃９０．７１部およびＭｏＯ₂９．２９部。
高密度化が終結された温度は、９７５℃であった。
この組成物の計算された理論的密度は、７．１１ｇ／ｃｍ³であり、測定された密度は、５．５１ｇ／ｃｍ³であった。
付着の状態：薄膜を３２０ｍＪのレーザーパルスで２５Ｈｚで１０ミリトルの酸素圧力で８５秒間付着させた。
抵抗率／室温での付着−４．２７０×１０^-3オームｃｍ。
透過率／室温での付着−８６．５０％。
抵抗率／３００℃での付着−１．２０５×１０^-2オームｃｍ。
透過率／３００℃での付着−８６．３０％。

実施例６：ＺｎＯ９０モル％−ＭｏＯ₂１０モル％
ＺｎＯ８５．１３部およびＭｏＯ₂１４．８７部。
高密度化が終結された温度は、１０００℃であった。この組成物の計算された理論的密度は、５．７３ｇ／ｃｍ³であり、測定された密度は、５．４５ｇ／ｃｍ³であった。
付着の状態：薄膜を３２０ｍＪのレーザーパルスで２５Ｈｚで１０ミリトルの酸素圧力で１１６秒間付着させた。
抵抗率／室温での付着−行なわれていない。
透過率／室温での付着−９１．５０％。
抵抗率／３００℃での付着−行なわれていない。
透過率／３００℃での付着−８３．１０％。

実施例７：ＳｎＯ₂４７．５モル％／ＺｎＯ４７．５モル％／ＭｏＯ₂５モル％
ＳｎＯ₂６１．３７部、ＺｎＯ３３．１５部およびＭｏＯ₂５．３８部。
高密度化が終結された温度は、８１０℃であった。
この組成物の計算された理論的密度は、６．４８ｇ／ｃｍ³であり、測定された密度は、６．２７ｇ／ｃｍ³であった。

実施例８：Ａｌ₂Ｏ₃９５モル％−ＭｏＯ₂５モル％
Ａｌ₂Ｏ₃９３．８１部およびＭｏＯ₂６．１９部。
高密度化が終結された温度は、１３００℃であった。
この組成物の計算された理論的密度は、４．１３ｇ／ｃｍ³であり、測定された密度は、３．８８ｇ／ｃｍ³であった。

実施例９：ＺｎＯ６７モル％−ＭｏＯ₂３３モル％
ＺｎＯ５６．６５部およびＭｏＯ₂４３．３５部。
高密度化が終結された温度は、１０００℃であった。
この組成物の計算された理論的密度は、５．９４ｇ／ｃｍ³であり、測定された密度は、４．５７ｇ／ｃｍ³であった。バルク抵抗率−５．１９×１０^-1オームｃｍ。

実施例１０：ＳｎＯ₂５８モル％−ＭｏＯ₂４２モル％
ＳｎＯ₂６１．８１部およびＭｏＯ₂３８．１９部。
高密度化が終結された温度は、９５０℃であった。
この組成物の計算された理論的密度は、６．７５ｇ／ｃｍ³であり、測定された密度は、６．４７ｇ／ｃｍ³であった。
バルク抵抗率−６．１×１０^-2オームｃｍ。

実施例１１：Ｉｎ₂Ｏ₃４３モル％−ＭｏＯ₂５７モル％
Ｉｎ₂Ｏ₃６２．５８部およびＭｏＯ₂３７．４２部。
高密度化が終結された温度は、９５５℃であった。
この組成物の計算された理論的密度は、６．８８ｇ／ｃｍ³であり、測定された密度は、４．０７ｇ／ｃｍ³であった。
バルク抵抗率−２．０×１０^-3オームｃｍ。

本発明は、説明の目的のために前記に詳細に記載されたが、このような詳細な記載は、単に説明のためだけであり、特許請求の範囲によって制限されることを除外して、本発明の精神および範囲を逸脱することなく当業者であれば変法が可能であることを理解すべきである。

Claims

本質的に：
ａ）ＭｏＯ₂約０．１〜約６０モル％、
ｂ）Ｉｎ₂Ｏ₃０〜約９９．９モル％、
ｃ）ＳｎＯ₂０〜約９９．９モル％、
ｄ）ＺｎＯ０〜約９９．９モル％、
ｅ）Ａｌ₂Ｏ₃０〜約９９．９モル、
ｆ）Ｇａ₂Ｏ₃０〜約９９．９モル％から構成されている組成物であって、
この場合成分ｂ）〜ｆ）の総和は、約４０〜約９９モル％であり、モル％は、全生成物を基礎とし、および成分ａ）〜ｅ）の総和は、１００である前記組成物。
本質的に：
ａ）ＭｏＯ₂約１〜約４０モル％、
ｂ）Ｉｎ₂Ｏ₃０〜約９９モル％、
ｃ）ＳｎＯ₂０〜約９９モル％、
ｄ）ＺｎＯ０〜約９９モル％、
ｅ）Ａｌ₂Ｏ₃０〜約９９モル、
ｆ）Ｇａ₂Ｏ₃０〜約９９モル％から構成されており、
この場合成分ｂ）〜ｆ）の総和は、約６０〜約９９モル％である、請求項１記載の組成物。
本質的に：
ａ）ＭｏＯ₂約１．５〜約３０モル％、
ｂ）Ｉｎ₂Ｏ₃０〜約９８．５モル％、
ｃ）ＳｎＯ₂０〜約９８．５モル％、
ｄ）ＺｎＯ０〜約９８．５モル％、
ｅ）Ａｌ₂Ｏ₃０〜約９８．５モル、
ｆ）Ｇａ₂Ｏ₃０〜約９８．５モル％から構成されており、
この場合成分ｂ）〜ｆ）の総和は、約７０〜約９８．５モル％である、請求項２記載の組成物。
本質的に：
ａ）ＭｏＯ₂約２〜約１５モル％、
ｂ）Ｉｎ₂Ｏ₃０〜約８５モル％、
ｃ）ＳｎＯ₂０〜約８５モル％、
ｄ）ＺｎＯ０〜約８５モル％、
ｅ）Ａｌ₂Ｏ₃０〜約８５モル、
ｆ）Ｇａ₂Ｏ₃０〜約８５モル％から構成されており、
この場合成分ｂ）〜ｆ）の総和は、約８５〜約９８モル％である、請求項３記載の組成物。
本質的に：
ａ）ＭｏＯ₂約５〜約１０モル％および
ｂ）Ｉｎ₂Ｏ₃約９０〜約９５モル％から構成されており、
この場合成分ａ）およびｂ）の総和は、全部で１００モル％である組成物。
本質的に：
ａ）ＭｏＯ₂約５〜約１０モル％および
ｃ）ＳｎＯ₂約９０〜約９５モル％から構成されており、
この場合成分ａ）およびｃ）の総和は、全部で１００モル％である組成物。
本質的に：
ａ）ＭｏＯ₂約５〜約１０モル％および
ｄ）ＺｎＯ約９０〜約９５モル％から構成されており、
この場合成分ａ）およびｄ）の総和は、全部で１００モル％である組成物。
請求項１記載の組成物を焼結することによって製造された、焼結された製品。
請求項５記載の組成物を焼結することによって製造された、焼結された製品。
請求項６記載の組成物を焼結することによって製造された、焼結された製品。
請求項７記載の組成物を焼結することによって製造された、焼結された製品。
請求項１記載の組成物を焼結することによって製造され焼結された製品を有するスパッタリングターゲット。
請求項５記載の組成物を焼結することによって製造され焼結された製品を有するスパッタリングターゲット。
請求項６記載の組成物を焼結することによって製造され焼結された製品を有するスパッタリングターゲット。
請求項７記載の組成物を焼結することによって製造され焼結された製品を有するスパッタリングターゲット。
支持体の表面上に本質的に請求項１記載の組成物から構成されている組成物の透明の導電性層を形成することによって形成された透明な導電性被膜。
支持体の表面上に本質的に請求項５記載の組成物から構成されている組成物の透明の導電性層を形成することによって形成された透明な導電性被膜。
支持体の表面上に本質的に請求項６記載の組成物から構成されている組成物の透明の導電性層を形成することによって形成された透明な導電性被膜。
支持体の表面上に本質的に請求項７記載の組成物から構成されている組成物の透明の導電性層を形成することによって形成された透明な導電性被膜。