JP2005290381A - ダイシングダイ結合フィルム - Google Patents

ダイシングダイ結合フィルム Download PDF

Info

Publication number
JP2005290381A
JP2005290381A JP2005100699A JP2005100699A JP2005290381A JP 2005290381 A JP2005290381 A JP 2005290381A JP 2005100699 A JP2005100699 A JP 2005100699A JP 2005100699 A JP2005100699 A JP 2005100699A JP 2005290381 A JP2005290381 A JP 2005290381A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive layer
dicing
weight
bonding film
thermosetting resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005100699A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4902965B2 (ja
Inventor
Jin Hwail
ハイル・ジン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Starch and Chemical Investment Holding Corp
Original Assignee
National Starch and Chemical Investment Holding Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Starch and Chemical Investment Holding Corp filed Critical National Starch and Chemical Investment Holding Corp
Publication of JP2005290381A publication Critical patent/JP2005290381A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4902965B2 publication Critical patent/JP4902965B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/20—Pins, blades, or sockets shaped, or provided with separate member, to retain co-operating parts together
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R9/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, e.g. terminal strips or terminal blocks; Terminals or binding posts mounted upon a base or in a case; Bases therefor
    • H01R9/22—Bases, e.g. strip, block, panel
    • H01R9/24—Terminal blocks
    • H01R9/2491—Terminal blocks structurally associated with plugs or sockets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】 熱可塑性ゴム及び熱硬化性樹脂の組み合わせを含む多層接着フィルム、特に半導体パッケージ内のダイシングダイ結合フィルムとして有用なものを提供すること。
【解決手段】 半導体シリコンウエハーとダイシング支持テープとの間に配置するためのダイシングダイ結合フィルムであって、ダイシングダイ結合フィルムは、ダイシング支持テープと接する第一の接着層及び半導体シリコンウェハーと接する第二の接着層を含み、半導体シリコンウェハーに対する第二の接着層の接着力はダイシング支持テープに対する第一の接着層の接着力よりも少なくとも０．１Ｎ／ｃｍ高い、フィルム。
【選択図】 なし

Description

発明の詳細な説明
発明の分野
本発明は、熱可塑性ゴム及び熱硬化性樹脂の組み合わせを含む多層接着フィルム、特に半導体パッケージ内のダイシングダイ結合フィルム（dicing die bonding film）として有用なものに関する。
発明の背景
半導体ダイを基材に結合する一つの方法として、そのダイと基材との間に配置するフィルムの形のダイ結合接着剤を使用する方法がある。この接着性フィルムが半導体シリコンウエハーに施された後、そのウエハーは個々のチップ又はダイに切断される。このダイシングプロセスの間シリコンウエハーを保護し支持するために、その接着性フィルムはダイシングテープと呼ばれるテープに接触している。このような構成のために使用される接着性フィルムは「ダイシングダイ結合」フィルムと呼ばれる。従って、ウエハー、接着性フィルム及びダイシングテープのアセンブリーはウエハーのダイシングの前に形成される。
ウエハーに接着性フィルム及びダイシングテープを施す作業は、はじめにウエハーに対して接着性フィルムを施し、そしてその接着性フィルムにダイシングテープを施すという一つの構築方法において行われる。第二の構築方法において、接着性フィルムははじめにダイシングテープに施され、そしてこのフィルム及びテープの組み合わせがウエハーに施される。
ウエハーが切断された後、接着剤が付いた個々のダイはダイシングテープから剥がされ、更なる製造プロセスのために基材上に置かれる。ダイ及び接着剤が共に剥がれるように、その接着剤はダイシングテープに対する接着力よりも高いシリコンウエハーに対する接着力を有するべきである。現在入手可能なダイシングダイ結合フィルムは接着剤の単一の層からなる。ダイシングテープから接着剤の付いたダイが剥がれるようにするために、シリコンウエハーに対するその接着剤の接着力とダイシングテープに対するその接着剤の接着力との間に適当な差が必要である。
ダイシングダイ結合フィルムは、半導体ウエハーに周囲温度（ambient temperature）〜５０℃の範囲、７０，０００〜７００，０００Ｐａの圧力範囲の条件でラミネートされる。５０℃よりも高いラミネーション温度は現在入手できる材料を伴うシリコンに対する適切な接着力を得るためにしばしば要求される温度であるが、この温度は熱応力に起因するウエハーの有意な変形をもたらす。高い温度はまた、接着剤がダイシングテープに対して強固に接着し過ぎる事態をもたらし、次の製造工程のためにシリコンダイが持ち上げられる際にシリコンダイから接着剤が引き剥がされてしまう。しかし、５０℃以下の温度を採用すると、しばしばシリコンダイに対する適切でない接着力がもたらされ、ダイが持ち上げられる際に接着剤フィルムがダイシングテープ上に残ってしまう。
本発明は、ラミネーション温度でのシリコンウエハーに対する接着力とダイシングテープに対する接着力との明確に異なるレベルを与えることによって上記の問題を解決する。両接着力の異なるレベルによって、ウエハーの変形が起こらず、ダイシングテープからダイ及び接着剤が剥離することが防止される。
発明の概要
本発明は、半導体シリコンウエハーとダイシング支持テープとの間に配置される、半導体シリコンウエハー用のダイシングダイ結合フィルムであって、ダイシングダイ結合フィルムは、（ａ）ダイシング支持テープと接する第一の接着層、及び（ｂ）半導体シリコンウェハーと接する第二の接着層を含み、半導体シリコンウェハーに対する第二の接着層の接着力はダイシング支持テープに対する第一の接着層の接着力よりも少なくとも０．１Ｎ／ｃｍ高い、フィルムである。一つの態様において、第一の接着層が０．０５Ｎ／ｃｍ以上０．５Ｎ／ｃｍ未満の範囲内のダイシング支持テープに対する特性的剥離強度を有し、第二の接着層が０．５Ｎ／ｃｍ以上のシリコンウエハーに対する特性的剥離強度を有する（ただし、二つの接着特性値の間には少なくとも０．１Ｎ／ｃｍの差が存在する。）。多層フィルムは、ダイシングダイ結合プロセスにおいて使用される材料に対する接着力を最適化することを可能にする。
適切なダイシングテープはポリオレフィン及びポリ（塩化ビニル）フィルムであり、例えば、Lintec Corporation からのAdwill（商標）G-64の商品名又はNitto DenkoからElepholder V-8-Tの商品名で販売されているものである。他の適切なダイシングテープはポリエステル又はポリイミドから構成されるものである。これらのテープは商業的に入手でき、接着剤のＵＶ照射活性化によって使用される形態又は感圧活性化によって使用される形態となっている。ＵＶテープが使用される場合、ＵＶテープに対する接着剤の要求される特性的剥離強度は、ＵＶ照射後で０．０５Ｎ／ｃｍ以上０．５Ｎ／ｃｍ未満の範囲内である。
発明の詳細な記述
第一の接着層としては、０．０５Ｎ／ｃｍ以上０．５Ｎ／ｃｍ未満の範囲内のダイシングテープに対する特性的剥離強度を有するものであればいずれの接着性組成物も使用できる。一方、第二の接着層としては、０．５Ｎ／ｃｍ以上のシリコンウエハーに対する特性的剥離強度を有するものであればいずれの接着性の組成物も使用でき、そのような第二の接着層は第一の接着層にラミネートされることができる。いくつかの状況においては、上記の範囲外のものも使用できるが、少なくとも０．１Ｎ／ｃｍの剥離強度の差が常に存在していることが必要である。
上記剥離強度及びラミネーションの条件を満足するいずれの接着剤も使用できるが、第一の層及び第二の層の両者に好適な一つの処方は、（ａ）熱可塑性ゴム、（ｂ）熱硬化性樹脂、（ｃ）硬化剤、（ｄ）促進剤、及び（ｅ）充填材を含む（ここで、第一の層の熱硬化性樹脂は６０℃を超える軟化点を有し、第二の層の熱硬化性樹脂は６０℃以下の軟化点を有する。本明細書において、材料の軟化点はその材料の融点（Ｔｍ）又はガラス転移点（Ｔｇ）として定義される。この態様の代表的な重量％範囲は、３０〜８５重量％の熱可塑性ゴム、１５〜７０重量％の熱硬化性樹脂、０．０５〜４０重量％の硬化剤、０．０１〜１０重量％の促進剤、及び１〜８０重量％の充填材である。
第一の層の更なる態様において、熱硬化性樹脂は６０℃を超える軟化点及び１００〜１０００のエポキシ当たりの重量当量（weight per epoxy equivalent（ＷＰＥ））を有する固体エポキシ樹脂である。適切な固体エポキシ樹脂としてはビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラック、クレゾールノボラック等が挙げられ、Shell Chemicals及びDainippon Ink and Chemicals, Incから商業的に入手できる。
第二の層の更なる態様において、熱硬化性樹脂はビスフェノールＡエポキシ、ビスフェノールＦエポキシ、フェノールノボラックエポキシ、クレゾールノボラックエポキシ等のエポキシ樹脂であり、６０℃以下の軟化点及び１００〜１０００のエポキシ当たりの重量当量（ＷＰＥ）を有する。そのようなエポキシ樹脂はShell Chemicals及びDainippon Ink and Chemicals, Incから商業的に入手できる。
第二の層の更なる態様において、複数の熱硬化性樹脂の組み合わせが使用できる。その場合、熱硬化性樹脂全体の少なくとも２０％は６０℃以下の軟化点を有するべきである。複数のエポキシ樹脂の組合せの他に、第二層に好適な他の熱硬化性樹脂としては、分子内に少なくとも１つの二重結合を有するマレイミド類、アクリレート類、ビニルエーテル類、ポリ（ブタジエン類）等が挙げられる。
好適なマレイミド樹脂としては、例えば、一般構造：
Figure 2005290381
（ここで、ｎは１〜３であり、Ｘ１は脂肪族又は芳香族の基である。）
を有するものが挙げられる。Ｘ１の例としては、例えば、ポリ（ブタジエン類）、ポリ（カーボネート類）、ポリ（ウレタン類）、ポリ（エーテル類）、ポリ（エステル類）、単純炭化水素（simple hydrocarbon）、カルボニル、カルボキシル、アミド、カルバメート、尿素、エーテルなどの官能基を含む単純炭化水素などが挙げられる。これらのタイプの樹脂は商業的に入手でき、例えば、National Starch and Chemical Company及びDainippon Ink and Chemical, Inc.から得ることができる。一つの態様において、マレイミド樹脂は、
Figure 2005290381
（ここで、Ｃ３６は３６個の炭素原子の（環状部分を含む又は含まない）直鎖又は分枝鎖を表す。）；
Figure 2005290381
Figure 2005290381
及び
Figure 2005290381
からなる群から選ばれる。
好適なアクリレート樹脂としては、例えば、一般構造：
Figure 2005290381
（ここで、ｎは１〜６であり、Ｒ１は−Ｈ又は−ＣＨ３であり、Ｘ２は脂肪族又は芳香族の基である。）
を有するものが挙げられる。Ｘ２の例としては、例えば、ポリ（ブタジエン類）、ポリ（カーボネート類）、ポリ（ウレタン類）、ポリ（エーテル類）、ポリ（エステル類）、単純炭化水素、カルボニル、カルボキシル、アミド、カルバメート、尿素、エーテルなどの官能基を含む単純炭化水素などが挙げられる。商業的に入手できる材料としては、例えば、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ｎ−ラウリル（メタ）アクリレート、アルキル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ｎ−ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、２−フェノキシエチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、パーフルオロオクチルエチル（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジ（メタ）アクリレート、ノニルフェノールポリプロポキシレート（メタ）アクリレート、及びポリペントキシレートテトラヒドロフルフリルアクリレート(Kyoeisha Chemical Co., LTDから入手可能）；ポリブタジエンウレタンジメタクリレート(CN302, NTX6513)及びポリブタジエンジメタクリレート(CN301, NTX6039, PRO6270) (Sartomer Company, Inc.から入手可能）；ポリカーボネートウレタンジアクリレート(ArtResin UN9200A) (Negami Chemical Industries Co., LTDから入手可能）；アクリレート化脂肪族ウレタンオリゴマー(Ebecryl 230, 264, 265, 270, 284, 4830, 4833, 4834, 4835, 4866, 4881, 4883, 8402, 8800-20R, 8803, 8804) (Radcure Specialities, Incから入手可能)；ポリエステルアクリレートオリゴマー(Ebecryl 657, 770, 810, 830, 1657, 1810, 1830) (Radcure Specialities, Inc.から入手可能)；及びエポキシアクリレート樹脂(CN104, 111, 112, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 124, 136) (Sartomer Company, Inc.から入手可能)などが挙げられる。一つの態様において、アクリレート樹脂は、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、ラウリルアクリレート、ラウリルメタクリレート、アクリレート官能基を有するポリ（ブタジエン）及びメタクリレート官能基を有するポリ（ブタジエン）からなる群から選ばれる。
好適なビニルエーテル樹脂としては、例えば、一般構造：
Figure 2005290381
（ここで、ｎは１〜６であり、Ｘ３は脂肪族又は芳香族の基である。）
を有するものが挙げられる。Ｘ３の例としては、例えば、ポリ（ブタジエン類）、ポリ（カーボネート類）、ポリ（ウレタン類）、ポリ（エーテル類）、ポリ（エステル類）、単純炭化水素（simple hydrocarbon）、カルボニル、カルボキシル、アミド、カルバメート、尿素、エーテルなどの官能基を含む単純炭化水素などが挙げられる。商業的に入手可能な樹脂としては、例えば、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ドデシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、ジプロピレングリコールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテル、及びブタンジオールジビニルエーテル（International Speciality Products (ISP)から入手可能）；Vectomer 4010, 4020, 4030, 4040, 4051, 4210, 4220, 4230, 4060, 5015（Sigma-Aldrich, Inc.から入手可能）などが挙げられる。
好適なポリ(ブタジエン)樹脂としては、例えば、ポリ(ブタジエン類)、エポキシ化ポリ(ブタジエン類)、マレイン酸ポリ(ブタジエン類)、アクリレート化ポリ(ブタジエン類)、ブタジエン−スチレンコポリマー、ブタジエン−アクルロニトリルコポリマーなどが挙げられる。商業的に入手可能な材料としては、例えば、ホモポリマーブタジエン(Ricon 130, 131, 134, 142, 150, 152, 153, 154, 156, 157, P30D) (Sartomer Company, Inc.から入手可能);ブタジエン及びスチレンのランダムコポリマー(Ricon 100, 181, 184) (Sartomer Company Inc.から入手可能)；マレイン化ポリ(ブタジエン) (Ricon 130MA8, 130MA13, 130MA20, 131MA5, 131MA10, 131MA17, 131MA20, 156MA17) (Sartomer Company, Inc.から入手可能)；アクリレート化ポリ(ブタジエン類) (CN302, NTX6513, CN301, NTX6039, PR06270, Ricacryl 3100, Ricacryl 3500) (Sartomer Inc.から入手可能)；エポキシ化ポリ(ブタジエン類) (Polybd 600, 605) (Sartomer Company Inc.から入手可能)及びEpolead PB3600 (Daicel Chemical Industries, Ltd.から入手可能)；及びアクリロニトリル及びブタジエンのコポリマー (Hycar CTBNシリーズ, ATBNシリーズ, VTBNシリーズ及びETBNシリーズ) (Hanse Chemicalから入手可能)などが挙げられる。
第一の層又は第二の層のいずれかに関して、熱可塑性ゴムは、３０〜８５重量％の量で存在し、好適な熱可塑性ゴムとしては、例えば、カルボキシ末端ブタジエン−ニトリル（CTBN）／エポキシ付加体及びニトリルブタジエンゴム（NBR)等が挙げられる。CTBNエポキシ付加体は約２０〜８０重量％のCTBN及び約２０〜８０重量％のジグリシジルエーテルビスフェノールＡ：ビスフェノールＡエポキシ(DGEBA)からなる。CTBNは約１００〜１０００の範囲内の分子量を有し、DGEBAは約５００〜５０００の範囲内の当量（即ち、エポキシ当たりの重量：ｇ／エポキシ）を有する。最終付加体は、約５００〜５０００ｇ／エポキシの当量及び５０００〜１００，０００ｃＰの１５０℃での溶融粘度を有する。種々のCTBN材料がNoveon Inc.から入手可能であり、種々のビスフェノールＡエポキシ材料がDainippon Ink and Chemicals, Inc.及びShell Chemicalsから入手可能である。NBRは２０〜５０重量％の範囲内のアクリロニトリル及び５０〜８０重量％の範囲内のブタジエンからなり、−４０〜＋２０℃のガラス転移点（Ｔｇ）及び１００，０００〜１，０００，０００の分子量（Ｍｗ）を有する。このタイプのNBRゴムはZeon Corporationから商業的に入手できる。
第一の層又は第二の層の硬化剤は、０．５〜４０重量％の範囲内で存在する。好適な硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂（phenolics）、芳香族ジアミン類、ジシアンジアミド類、ポリアミド類などが挙げられる。好適なフェノール樹脂としては、例えば、９０〜１１０のＯＨ値及び６０〜１１０℃の軟化点を有し、Schenectady international, Inc.から商業的に入手可能である。好適な芳香族ジアミン類は第一級ジアミン類であり、例えば、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニルメタン（Sigma-Aldrich Co.から入手可能）が挙げられる。好適なジシアンジアミド類はSKW Chemicals, Inc.から商業的に入手できる。好適なポリアミド類はAir Products and Chemicals, Inc.から商業的に入手できる。
第一の層又は第二の層の促進剤は０．０１〜１０重量％の量で存在する。好適な促進剤としては、例えば、イミダゾール類、第三アミン類などが挙げられる。好適なイミダゾール類はAir Products and Chemicals, Inc.から商業的に入手できる。好適なターシャリーアミン類はSigma-Aldrich Co.から入手できる。
第一の層又は第二の層の充填材は０．１〜１０μｍの粒子サイズを有し、１〜８０重量％の量で存在する。最終用途に応じて充填材は電気伝導性若しくは熱伝導性又は非伝導性とすることができる。好適な伝導性充填材としては、例えば、銀、銅、金、パラジウム、白金、ニッケル、アルミニウム、カーボンブラックなどが挙げられる。非伝導性充填材としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム、シリカ、バーミキュライト、マイカ、ウォラストナイト、炭酸カルシウム、チタニア、砂、ガラス、硫酸バリウム、テトラフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、塩化ビニリデン、塩化ビニルなどのハロゲン化エチレンポリマーなどが挙げられる。
接着促進剤などの他の添加剤を当業界で知られているタイプ及び量で添加することができる。
０．０５Ｎ／ｃｍ以上０．５Ｎ／ｃｍ未満の範囲内のダイシングテープに対する特性的剥離強度を有し、０．５Ｎ／ｃｍ以上のウエハーに対する特性的剥離強度を有するこのフィルム構成は、ダイシングダイ結合フィルムに商業的に許容できる範囲内で行うことができる。フィルムは、２５〜５０℃の温度及び７０，０００〜７００，０００Ｐａの圧力の商業的に許容できる条件で半導体ウエハーにラミネートされることができる。
実施例
以下の例において、４つのダイシングダイ結合フィルムが調製され、シリコンウエハーに接着した後の性能を比較された。例１及び２は本発明の２層フィルムであり、例３及び４は比較のための単層フィルムである。例５は性能試験の結果及び試験方法を説明する。
例１：フィルムＡ
第一の層（ダイシングテープに対する接着用）が、以下の成分：
６０ｐｂｗ エポキシ変性ＣＴＢＮ（Ｍｎ：１５０１５、Ｔｇ：−１７℃）；
２９ｐｂｗ クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量：２２０、軟化点：９０℃）；
７ｐｂｗ ３，３’−ジアミノジフェニルスルホン；
１ｐｂｗ ２−フェニル−４−メチルイミダゾール；
３ｐｂｗ シリカ充填材（平均サイズ：０．５μｍ）
を重量部基準（ｐｂｗ）で十分なメチルエチルケトン中に混合してペーストを調製することによって調製された。このペーストを５０μｍ厚さの剥離コートされたポリエステルフィルム上にコートし、９０℃で５分間乾燥して１０μｍ厚さのフィルムＡの第一の層を調製した。
シリコンウエハーに対する接着のための第二の層が、以下の成分：
６０ｐｂｗ エポキシ変性ＣＴＢＮ（Ｍｎ：１５０１５、Ｔｇ：−１７℃）；
３０ｐｂｗ ビスフェノールＦエポキシ樹脂（エポキシ当量：２９０、軟化点：４℃、粘度：５０℃で３５，０００ｍＰａＳ）；
６ｐｂｗ ３，３’−ジアミノジフェニルスルホン；
１ｐｂｗ ２−フェニル−４−メチルイミダゾール；
３ｐｂｗ シリカ充填材（平均サイズ：０．５μｍ）
を重量部基準（ｐｂｗ）で十分なメチルエチルケトン中に混合してペーストを調製することによって調製された。このペーストを５０μｍ厚さの剥離コートされたポリエステルフィルム上にコートし、９０℃で５分間乾燥して１５μｍ厚さのフィルムＡの第二の層を調製した。
この二つの層をロールラミネーターで８０℃、０．２１ＭＰａで互いにラミネートし、ラミネート後のフィルムを直径２２０ｍｍの円形に切り出した。第一の層の剥離ライナーを引き剥がし、ダイシングテープ（Adwill(商標)G-64、Lintec Corporationから商業的に入手可能）を第一の層の表面上に室温、０．２１ＭＰａの圧力でラミネートした。
例２：フィルムＢ
第一の層（ダイシングテープに対する接着用）が、以下の成分：
６０ｐｂｗ エポキシ変性ＣＴＢＮ（Ｍｎ：１５０１５、Ｔｇ：−１７℃）；
２９ｐｂｗ クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量：２２０、軟化点：９０℃）；
７ｐｂｗ ３，３’−ジアミノジフェニルスルホン；
１ｐｂｗ ２−フェニル−４−メチルイミダゾール；
３ｐｂｗ シリカ充填材（平均サイズ：０．５μｍ）
を重量部基準（ｐｂｗ）で十分なメチルエチルケトン中に混合してペーストを調製することによって調製された。このペーストを５０μｍ厚さの剥離コートされたポリエステルフィルム上にコートし、９０℃で５分間乾燥して１３μｍ厚さの第一の層を調製した。
シリコンウエハーに対する接着のための第二の層が、以下の成分：
２５ｐｂｗ カルボキシレート化アクリロニトリルブタジエンコポリマーゴム（Ｍｗ：３５０，０００、アクリロニトリル含量：２７重量％、Ｔｇ：−２０℃）；
１５ｐｂｗ ビニル末端ブタジエン−ニトリルゴム（アクリロニトリル含量：２１．５％、Ｔｇ：−４５℃）；
２０ｐｂｗ ４，４’−ビスマレイミド−ジフェニル−メタン；
２５ｐｂｗ トリシクロデカン−ジメタノール及び３−イソプロペニル−ジメチルベンジルイソシアネートの付加体；
５ｐｂｗ ジクミルペルオキシド；
１０ｐｂｗ シリカ充填材（平均サイズ：０．５μｍ）
を重量部基準（ｐｂｗ）で十分なメチルエチルケトン中に混合してペーストを調製することによって調製された。このペーストを５０μｍ厚さの剥離コートされたポリエステルフィルム上にコートし、９０℃で５分間乾燥して１２μｍ厚さの第二の層を調製した。
この二つの層をロールラミネーターで８０℃、０．２１ＭＰａで互いにラミネートし、ラミネート後のフィルムを直径２２０ｍｍの円形に切り出した。第一の層の剥離ライナーを引き剥がし、ダイシングテープ（Adwill(商標)G-64）を第一の層の表面上に室温、０．２１ＭＰａの圧力でラミネートした。
例３（比較）：フィルムＣ
フィルムＣが、以下の成分：
６０ｐｂｗ エポキシ変性ＣＴＢＮ（Ｍｎ：１５０１５、Ｔｇ：−１７℃）；
２９ｐｂｗ クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量：２２０、軟化点：９０℃）；
７ｐｂｗ ３，３’−ジアミノジフェニルスルホン；
１ｐｂｗ ２−フェニル−４−メチルイミダゾール；
３ｐｂｗ シリカ充填材（平均サイズ：０．５μｍ）
を重量部基準（ｐｂｗ）で十分なメチルエチルケトン中に混合してペーストを調製することによって調製された。このペーストを５０μｍ厚さの剥離コートされたポリエステルフィルム上にコートし、９０℃で５分間乾燥して２５μｍ厚さのフィルムＣを調製した。このフィルムの剥離ライナーを引き剥がし、ダイシングテープ（Adwill(商標)G-64）をその表面上に室温、０．２１ＭＰａの圧力でラミネートした。
例４（比較）：フィルムＤ
フィルムＤが、以下の成分：
２５ｐｂｗ カルボキシレート化アクリロニトリルブタジエンコポリマーゴム（Ｍｗ：３５０，０００、アクリロニトリル含量：２７重量％、Ｔｇ：−２０℃）；
１５ｐｂｗ ビニル末端ブタジエン−ニトリルゴム（アクリロニトリル含量：２１．５％、Ｔｇ：−４５℃）；
２０ｐｂｗ ４，４’−ビスマレイミド−ジフェニル−メタン；
２５ｐｂｗ トリシクロデカン−ジメタノール及び３−イソプロペニル−ジメチルベンジルイソシアネートの付加体；
５ｐｂｗ ジクミルペルオキシド；
１０ｐｂｗ シリカ充填材（平均サイズ：０．５μｍ）
を重量部基準（ｐｂｗ）で十分なメチルエチルケトン中に混合してペーストを調製することによって調製された。このペーストを５０μｍ厚さの剥離コートされたポリエステルフィルム上にコートし、９０℃で５分間乾燥して２５μｍ厚さのフィルムＤを調製した。このフィルムの剥離ライナーを引き剥がし、ダイシングテープ（Adwill(商標)G-64）をその表面上に室温、０．２１ＭＰａの圧力でラミネートした。
例５：性能及び試験方法
フィルムＡ〜Ｄ及び商業的に入手できる単層接着テープ（フィルムＨ）の各々を様々な温度でシリコンウエハーにラミネートし、ＵＶ照射し、９０°剥離強度を試験した。この試験結果を表１に示す。
Figure 2005290381
結果は、多層フィルムＡ及びＢが、試験された全てのラミネーション温度で良好なダイシング及びダイピックアップ性能に必要な許容範囲内の剥離強度（ダイシングテープに対する０．０５Ｎ／ｃｍ以上０．５Ｎ／ｃｍ未満の剥離強度及びシリコンウエハーに対する０．５〜１０Ｎ／ｃｍ剥離強度）を与えることを示している。比較フィルムＣは試験された全てのラミネーション温度でダイシングテープに対する許容範囲内の剥離強度を有するが、フィルムＣのシリコンウエハーに対する接着力は５０℃という商業的に許容可能な要件よりも低いラミネーション温度で許容できるものではなかったことを示している。比較フィルムＤは試験された全てのラミネーション温度でシリコンウエハーに対する許容範囲内の剥離強度を有するが、フィルムＤのダイシングテープに対する接着力は全ての試験条件で高すぎるものであった。比較のための市販フィルムＨはダイシングテープに対して良好な接着力を有するが、５０℃よりも低い温度でシリコンウエハーに対する接着力が適切でなかった。
ダイシングテープに対する剥離試験のための試験片は、はじめに剥離ライナーをダイシングテープから剥がし、試験されるフィルムから剥がすことにより調製された。二つのフィルムはその後室温で、０．２１ＭＰａの圧力で共にラミネートされ、１０ｍｍ幅のストリップに切断された。剥離ライナーをそのフィルムの残りの露出している側から剥がし、ラミネート構造物（ダイシングテープ及びフィルム）をその後適当な試験温度で頂部にダイシングテープがありガラスに対してフィルムがあるようにガラス側にラミネートした。剥離操作は手動で開始した。
シリコンウエハーに対する剥離試験のための試験片は、はじめに剥離ライナーを試験されるフィルムから剥がし、それをシリコンウエハーに試験される所定の温度でラミネートすることにより調製された。ダイ付着フィルムに対する剥離強度が２０Ｎ／ｃｍより大きい感圧接着剤（ＰＳＡ）をその後室温で、０．２１ＭＰａの圧力でそのフィルムに施した。その後フィルム及びＰＳＡの１０ｍｍ幅の区分を（ウエハーに接着したままで）切断し、その試料の剥離操作を手動で開始した。
剥離強度はＩｍａｄａＳＶ−５２Ｎ剥離試験機を使用して９０度、５０ｍｍ／分の剥離速度、室温で測定した。結果を集計して平均化した。

Claims (9)

  1. 半導体シリコンウエハーとダイシング支持テープとの間に配置するためのダイシングダイ結合フィルムであって、ダイシングダイ結合フィルムは、
    （ａ）ダイシング支持テープと接する第一の接着層、及び
    （ｂ）半導体シリコンウェハーと接する第二の接着層
    を含み、半導体シリコンウェハーに対する第二の接着層の接着力はダイシング支持テープに対する第一の接着層の接着力よりも少なくとも０．１Ｎ／ｃｍ高い、フィルム。
  2. 第一の接着層が０．０５Ｎ／ｃｍ以上０．５Ｎ／ｃｍ未満の範囲内のダイシング支持テープに対する特性的剥離強度を有し、第二の接着層が０．５Ｎ／ｃｍ以上の半導体シリコンウエハーに対する特性的剥離強度を有する、請求項１に記載のダイシングダイ結合フィルム。
  3. 第一の接着層が（ａ）熱可塑性ゴム、（ｂ）６０℃以上の軟化点を有する熱硬化性樹脂、（ｃ）硬化剤、（ｄ）促進剤、及び（ｅ）充填材を含み、第二の接着層が（ａ）熱可塑性ゴム、（ｂ）熱硬化性樹脂、ここで熱硬化性樹脂の少なくとも２０％が６０℃以下の軟化点を有する、（ｃ）硬化剤、（ｄ）促進剤及び（ｅ）充填材を含む、請求項１に記載のダイシングダイ結合フィルム。
  4. 第一の接着層が（ａ）３０〜８５重量％の熱可塑性ゴム、（ｂ）１５〜７０重量％の６０℃以上の軟化点を有する熱硬化性樹脂、（ｃ）０．０５〜４０重量％の硬化剤、（ｄ）０．０１〜１０重量％の促進剤、及び（ｅ）１〜８０重量％の充填材を含み、第二の接着層が（ａ）３０〜８５重量％の熱可塑性ゴム、（ｂ）１５〜７０重量％の熱硬化性樹脂、ここで熱硬化性樹脂の少なくとも２０％が６０℃以下の軟化点を有する、（ｃ）０．０５〜４０重量％の硬化剤、（ｄ）０．０１〜１０重量％の促進剤及び（ｅ）１〜８０重量％の充填材を含む、請求項３に記載のダイシングダイ結合フィルム。
  5. 第一の接着層における熱硬化性樹脂が６０℃を超える軟化点及び１００〜１０００のエポキシ当たりの重量当量を有する固体エポキシ樹脂である、請求項１に記載のダイシングダイ結合フィルム。
  6. 第二の接着層における熱硬化性樹脂が６０℃以下の軟化点及び１００〜１０００のエポキシ当たりの重量当量を有するエポキシ樹脂である、請求項１に記載のダイシングダイ結合フィルム。
  7. 第二の接着層における熱硬化性樹脂が熱可塑性樹脂の混合物であり、第二の接着層の熱可塑性樹脂全体の少なくとも２０％が６０℃以下の軟化点を有する、請求項１に記載のダイシングダイ結合フィルム。
  8. 熱可塑性ゴムがカルボキシ末端ブタジエン−ニトリル／エポキシ付加体及びニトリルブタジエンゴムである、請求項１に記載のダイシングダイ結合フィルム。
  9. カルボキシ末端ブタジエン−ニトリル／エポキシ付加体が約２０〜８０重量％のカルボキシ末端ブタジエン−ニトリル及び約２０〜８０重量％のジグリシジルエーテルビスフェノールＡ：ビスフェノールＡエポキシからなる、請求項８に記載のダイシングダイ結合フィルム。
JP2005100699A 2004-04-01 2005-03-31 ダイシングダイ結合フィルム Expired - Fee Related JP4902965B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/815,420 US20050227064A1 (en) 2004-04-01 2004-04-01 Dicing die bonding film
US10/815420 2004-04-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005290381A true JP2005290381A (ja) 2005-10-20
JP4902965B2 JP4902965B2 (ja) 2012-03-21

Family

ID=34912672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005100699A Expired - Fee Related JP4902965B2 (ja) 2004-04-01 2005-03-31 ダイシングダイ結合フィルム

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20050227064A1 (ja)
EP (1) EP1585170A3 (ja)
JP (1) JP4902965B2 (ja)
KR (1) KR20060045432A (ja)
CN (1) CN1680504A (ja)
SG (1) SG115809A1 (ja)
TW (1) TWI373503B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060580A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Natl Starch & Chem Investment Holding Corp ダイシングダイボンディングフィルム
JP2009001635A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Sekisui Chem Co Ltd 接着シート、ダイシングダイボンディングテープ及び半導体装置の製造方法
JP2011516658A (ja) * 2008-03-31 2011-05-26 ヘンケル コーポレイション 多層ｕｖ硬化性接着剤フィルム
JP2015008307A (ja) * 2014-08-07 2015-01-15 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4107417B2 (ja) 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4283596B2 (ja) * 2003-05-29 2009-06-24 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
US20060128065A1 (en) 2003-06-06 2006-06-15 Teiichi Inada Adhesive sheet, dicing tape intergrated type adhesive sheet, and semiconductor device producing method
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
KR100635053B1 (ko) 2005-06-21 2006-10-16 도레이새한 주식회사 전자부품용 접착테이프
US20070128931A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Ziwei Liu Polyester gel adapted for use with polycarbonate components
KR100593814B1 (ko) * 2005-12-06 2006-06-28 에이스 인더스트리 주식회사 반도체 다이본딩용 점착테이프
WO2007070065A1 (en) * 2005-12-15 2007-06-21 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Multi-layer adhesive film for die stacking
US20100019365A1 (en) * 2006-09-12 2010-01-28 Nitto Denko Corporation Dicing/die bonding film
KR100855786B1 (ko) * 2006-12-15 2008-09-01 엘에스엠트론 주식회사 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름
KR100844383B1 (ko) 2007-03-13 2008-07-07 도레이새한 주식회사 반도체 칩 적층용 접착 필름
CN101402831B (zh) * 2008-11-06 2012-05-30 烟台德邦科技有限公司 一种热活化胶膜及其制备方法
JP2011060848A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP6193663B2 (ja) * 2013-07-26 2017-09-06 日東電工株式会社 ダイシングテープ付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
US10832843B2 (en) 2015-03-17 2020-11-10 The University Of Houston System Superconductor compositions
CN110441115B (zh) * 2019-09-09 2022-02-22 中国科学院电工研究所 一种多层膜x射线波带片的制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05179211A (ja) * 1991-12-30 1993-07-20 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフイルム
JP2002256235A (ja) * 2001-03-01 2002-09-11 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2003206457A (ja) * 2002-01-15 2003-07-22 Lintec Corp ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP2004095844A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Lintec Corp ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP2004253476A (ja) * 2003-02-18 2004-09-09 Lintec Corp ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP2005011839A (ja) * 2003-06-16 2005-01-13 Lintec Corp 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9780A (en) * 1853-06-14 Stove
US16384A (en) * 1857-01-13 Improvement in locomotive-lamps
US35533A (en) * 1862-06-10 Improvement in coal-oil burners
US160337A (en) * 1875-03-02 Improvement in seal-locks
EP0571649A1 (en) * 1992-05-26 1993-12-01 Nitto Denko Corporation Dicing-die bonding film and use thereof in a process for producing chips
JP4107417B2 (ja) * 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05179211A (ja) * 1991-12-30 1993-07-20 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフイルム
JP2002256235A (ja) * 2001-03-01 2002-09-11 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2003206457A (ja) * 2002-01-15 2003-07-22 Lintec Corp ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP2004095844A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Lintec Corp ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP2004253476A (ja) * 2003-02-18 2004-09-09 Lintec Corp ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP2005011839A (ja) * 2003-06-16 2005-01-13 Lintec Corp 半導体装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060580A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Natl Starch & Chem Investment Holding Corp ダイシングダイボンディングフィルム
JP2009001635A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Sekisui Chem Co Ltd 接着シート、ダイシングダイボンディングテープ及び半導体装置の製造方法
JP2011516658A (ja) * 2008-03-31 2011-05-26 ヘンケル コーポレイション 多層ｕｖ硬化性接着剤フィルム
JP2015008307A (ja) * 2014-08-07 2015-01-15 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200613503A (en) 2006-05-01
EP1585170A3 (en) 2006-02-08
US20050227064A1 (en) 2005-10-13
KR20060045432A (ko) 2006-05-17
SG115809A1 (en) 2005-10-28
CN1680504A (zh) 2005-10-12
EP1585170A2 (en) 2005-10-12
JP4902965B2 (ja) 2012-03-21
TWI373503B (en) 2012-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4902965B2 (ja) ダイシングダイ結合フィルム
KR101378486B1 (ko) 다이싱 다이 본딩 필름
JP4939574B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP5089560B2 (ja) 半導体チップ積層体および半導体チップ積層用接着剤組成物
JP4536660B2 (ja) ダイシング・ダイボンド用粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
WO2007094418A1 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2018506172A (ja) 半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムおよびダイシングダイボンディングフィルム
TWI669363B (zh) Reagent composition, adhesive sheet, and method of manufacturing semiconductor device
JP2004231932A (ja) 接着剤組成物、接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置
JP2010171402A (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム
US20090311520A1 (en) Multi-layer adhesive film for die stacking
JP4059497B2 (ja) ダイボンド用接着フィルム、ダイシング・ダイボンド用接着フィルム、及び半導体装置
JP5976716B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP4603774B2 (ja) 接着剤組成物、およびこれを用いた接着フィルム
WO2013157567A1 (ja) 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
EP2109881B1 (en) Semiconductor wafer coated with a filled, spin-coatable material
JP5601682B2 (ja) ダイボンド用接着フィルム、及びこれを用いた半導体装置
JP6574688B2 (ja) シート状樹脂組成物、積層シート及び半導体装置の製造方法
KR20080074170A (ko) 다이 적층용 다층 접착 필름
TW201724229A (zh) 切割膠帶一體型接著薄片
TW201333149A (zh) 切割晶粒－黏合膜及半導體裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080331

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20100730

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101126

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110228

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110316

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110719

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20110727

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110816

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111116

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111206

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120104

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees