JP2003206457A - ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JP2003206457A
JP2003206457A JP2002006432A JP2002006432A JP2003206457A JP 2003206457 A JP2003206457 A JP 2003206457A JP 2002006432 A JP2002006432 A JP 2002006432A JP 2002006432 A JP2002006432 A JP 2002006432A JP 2003206457 A JP2003206457 A JP 2003206457A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
adhesive layer
layer
dicing
sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002006432A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4067308B2 (ja
Inventor
Takashi Sugino
野 貴 志 杉
Osamu Yamazaki
崎 修 山
Hideo Senoo
尾 秀 男 妹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Priority to JP2002006432A priority Critical patent/JP4067308B2/ja
Publication of JP2003206457A publication Critical patent/JP2003206457A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4067308B2 publication Critical patent/JP4067308B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハへの貼付作業およびＩＣチップ
のピックアップ操作を円滑に行え、かつ貯蔵弾性率に優
れたダイボンド層を形成できる粘接着剤層をＩＣチップ
裏面に転写できるウエハダイシング・接着用シートを提
供することを目的としている。 【解決手段】 本発明に係るウエハダイシング・接着用
シートは、基材上に、第１の粘接着剤層、剛直層および
第２の粘接着剤層がこの順に積層してなることを特徴と
している。本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記
ウエハダイシング・接着用シートの第２の粘接着剤層
に、半導体ウエハを貼着し、前記半導体ウエハをダイシ
ングしてＩＣチップとし、前記ＩＣチップ裏面に第２の
粘接着剤層、剛直層、第１の粘接着剤層を固着残存させ
て基材から剥離し、前記ＩＣチップをダイパッド部上に
前記第１の粘接着剤層を介して熱圧着することを特徴と
している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なウエハダイ
シング・接着用シートに関する。さらに詳しくは、本発
明は、特にシリコンウエハ等をダイシングし、さらにリ
ードフレーム等の基板のダイパッド部にダイボンディン
グする工程で使用するのに特に適したウエハダイシング
・接着用シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウ
エハは大径の状態で製造され、このウエハは素子小片
（ＩＣチップ）に切断分離（ダイシング）された後に次
の工程であるマウント工程に移されている。この際、半
導体ウエハは予じめ粘着テープに貼着された状態でダイ
シング、洗浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアッ
プの各工程が加えられた後、次工程のボンディング工程
に移送される。
【０００３】これらの工程の中でピックアップ工程とボ
ンディング工程のプロセスを簡略化するために、ウエハ
固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えたウエハダ
イシング・接着用シートが種々提案されている（たとえ
ば、特開平２−３２１８１号公報）。特開平２−３２１
８１号公報には、特定の組成物よりなる粘接着剤層と、
基材とからなる粘接着テープが開示されている。この粘
接着剤層は、ウエハダイシング時には、ウエハを固定す
る機能を有し、さらに基材との間の接着力がコントロー
ルできるため、ダイシング終了後、チップのピックアッ
プを行うと、粘接着剤層は、チップとともに剥離する。
粘接着剤層を伴ったＩＣチップを基板に載置し、加熱す
ると、粘接着剤層中のエポキシ樹脂が接着力を発現し、
ＩＣチップと基板との接着が完了する。
【０００４】上記公報に開示されている粘接着テープ
は、いわゆるダイレクトダイボンディングを可能にし、
ダイ接着用接着剤の塗布工程を省略できるようになる。
すなわち、上記の粘接着テープの粘接着剤層は、エネル
ギー線硬化および熱硬化を経たダイボンド後には全ての
成分が硬化し、チップと基板とを非常に強固に接着す
る。
【０００５】ところで、近年、ＩＣのパッケージ構造は
多様化し、その構造に応じて様々な特性が要求されるよ
うになってきている。たとえば、ＩＣパッケージの信頼
性向上ができる場合があるため、ダイボンディング材の
剛直さ、すなわち高貯蔵弾性率が求められることがあ
る。しかし、前述した特開平２−３２１８１号公報に記
載の粘接着剤層では、加熱硬化後の貯蔵弾性率に限界が
あり、さらなる改善が要望される。
【０００６】また、従来よりダイボンドに用いられてい
るペースト状接着剤やフィルム状接着剤は、添加されて
いるフィラーの種類や性状を選択することで高弾性率を
達成できる場合がある。しかし、前述したようにペース
ト状接着剤では、接着剤のブリードアウトやはみ出し、
チップの傾きなどの問題がある。またフィラーを添加し
高弾性化したフィルム状接着剤では、粘着性が低下し、
加熱条件を上げて貼付性を維持させなければならず、製
造工程が複雑化し、生産効率に劣ることになる可能性が
ある。
【０００７】一方、特許第２６６５３８３号には、「支
持基材上に粘着層、熱可塑性接着フィルムおよびウエハ
固定用接着層を順次積層してなり、前記粘着層と熱可塑
性接着フィルムが剥離可能状態にて積層されていること
を特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム」が開示
されている。このダイシング・ダイボンドフィルムの構
造では、ウエハ固定用接着層または熱可塑性接着フィル
ムのどちらかを高弾性率化しようとしても、ウエハ側あ
るいは基板側への貼付性が劣ることになるため、充分な
ＩＣパッケージの信頼性を得られない。
【０００８】また、粘着層と熱可塑性接着フィルムとが
直接積層されているため、層同士で成分の移動が起こ
り、経時的に特性が変化することがある。このため、ダ
イシングの後、粘着層の粘着力が充分に低下しないこと
があり、ピックアップ不良を起こすおそれがある。粘着
層と熱可塑性接着フィルムのみでは充分な貯蔵弾性率を
得ることもできない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術に鑑みてなされたものであって、半導体ウエ
ハへの貼付作業およびＩＣチップのピックアップ操作を
円滑に行え、かつ貯蔵弾性率に優れ、ＩＣパッケージの
信頼性を高くできるウエハダイシング・接着用シートを
提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係るウエハダイ
シング・接着用シートは、基材上に、第１の粘接着剤
層、剛直層および第２の粘接着剤層がこの順に積層して
なることを特徴としている。本発明において、前記基材
の前記第１の粘接着剤層に接する面の表面張力が４０dy
n/cm以下であることが好ましい。
【００１１】本発明においては、前記剛直層が、硬化性
樹脂からなり、該樹脂の硬化後の−５０〜１５０℃での
貯蔵弾性率が10 8Ｐａ以上であるか、エンジニアリング
プラスチックからなるか、または金属箔からなることが
好ましい。
【００１２】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基
材上に、第１の粘接着剤層、剛直層および第２の粘接着
剤層がこの順に積層してなるウエハダイシング・接着用
シートの第２の粘接着剤層に、半導体ウエハを貼着し、
前記半導体ウエハをダイシングしてＩＣチップとし、前
記ＩＣチップ裏面に第２の粘接着剤層、剛直層、第１の
粘接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、前記ＩＣ
チップをダイパッド部上に前記第１の粘接着剤層を介し
て熱圧着することを特徴としている。
【００１３】このような本発明によれば、半導体ウエハ
への貼付作業およびＩＣチップのピックアップ操作を円
滑に行え、かつ貯蔵弾性率に優れたダイボンド層を形成
できる粘接着剤層をＩＣチップ裏面に転写できるウエハ
ダイシング・接着用シートが提供される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るウエハダイシ
ング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法につい
て、具体的に説明する。本発明に係るウエハダイシング
・接着用シート１０は、図１に示すように、基材１上
に、第１の粘接着剤層２、剛直層３および第２の粘接着
剤層４がこの順に積層してなる。
【００１５】本発明に係るウエハダイシング・接着用シ
ート１０の形状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形
状をとりうる。基材１ ウエハダイシング・接着用シート１０の基材１として
は、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレン
フィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィル
ム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィ
ルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレ
フタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィル
ム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタ
ンフィルム、エチレン酢ビフィルム、アイオノマー樹脂
フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィ
ルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体
フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフ
ィルム、ポリイミドフィルム等の透明フィルムが用いら
れる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらに
これらの積層フィルムであってもよい。また、上記の透
明フィルムの他、これらを着色した不透明フィルム、フ
ッ素樹脂フィルム等を用いることができる。
【００１６】本発明に係るウエハダイシング・接着用シ
ート１０を半導体装置の製造工程に使用する場合、ＩＣ
チップ裏面に第２の粘接着剤層４、剛直層３、第１の粘
接着剤層２を固着残存させて基材１から剥離する。この
ため、基材１の第１の粘接着剤層２に接する面の表面張
力は、好ましくは４０dyn/cm 以下、さらに好ましくは
３７dyn/cm 以下、特に好ましくは３５dyn/cm 以下であ
ることが望ましい。このような表面張力が低い基材は、
材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、また基
材に表面に離型剤を塗布して離型処理を施すことで得る
こともできる。
【００１７】基材１の離型処理に用いられる離型剤とし
ては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和
ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系等が用
いられるが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素
系の離型剤が耐熱性を有するので好ましい。特に基材フ
ィルムへの密着性が高く、表面張力が調整しやすいた
め、アルキッド樹脂が好ましい。
【００１８】上記の離型剤を用いて基材１の表面を離型
処理するためには、離型剤をそのまま無溶剤で、または
溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコーター、メ
イヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコー
ター等により塗布して、常温または加熱あるいは電子線
硬化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネ
ーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーシ
ョン、共押出加工などで積層体を形成すればよい。
【００１９】このような基材の膜厚は、通常は１０〜５
００μｍ、好ましくは１５〜３００μｍ、特に好ましく
は２０〜２５０μｍ程度である。第１の粘接着剤層２ 第１の粘接着剤層２は、後述する半導体装置の製造方法
において、ピックアップされたチップの最下面に配置さ
れ、ダイパッド部との固着に用いられる。
【００２０】したがって、従来よりこの種の用途に用い
られてきた粘接着剤が特に制限されることなく用いられ
る。しかしながら、基材１表面からの剥離を容易にする
ために、第１の粘接着剤層は、エネルギー線硬化性成分
を有することが好ましい。エネルギー線硬化性成分を硬
化させることで、粘着力が減少するため、基材１表面か
らの剥離を容易に行えるようになる。また、ダイパッド
部との固着を強固にするために、熱硬化性成分を有する
ことが好ましい。ダイパッド部への載置後、加熱するこ
とで熱硬化性成分が活性化し、ダイパッド部に対し強固
に接着できるようになる。
【００２１】すなわち第１の粘接着剤層２は、エネルギ
ー線硬化性と加熱硬化性とを有し、マウントの際には接
着剤として使用することができる性質を有することが好
ましい。このような粘接着剤の具体例としては、たとえ
ば（Ａ）粘着成分と、（Ｂ）エネルギー線硬化性成分
と、（Ｃ）熱硬化型接着成分とからなる粘接着剤をあげ
ることができる。
【００２２】粘着成分（Ａ）としては、アクリル系、ゴ
ム系、ポリエステル系、シリコーン系等の汎用の粘着剤
が用いられ、特にアクリル系粘着剤が好ましく用いられ
る。アクリル系粘着剤としては、たとえば、（メタ）ア
クリル酸エステルモノマーおよび（メタ）アクリル酸誘
導体から導かれる構成単位とからなる（メタ）アクリル
酸エステル共重合体が挙げられる。ここで（メタ）アク
リル酸エステルモノマーとしては、（メタ）アクリル酸
シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸ベンジル
エステル、アルキル基の炭素数が１〜１８である（メ
タ）アクリル酸アルキルエステルが用いられる。これら
の中でも、特に好ましくはアルキル基の炭素数が１〜１
８である（メタ）アクリル酸アルキルエステル、たとえ
ばアクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸
エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、メ
タクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸
ブチル等が用いられる。また、（メタ）アクリル酸誘導
体としては、たとえば（メタ）アクリル酸グリシジル等
を挙げることができる。
【００２３】上記のようなアクリル系粘着剤としては、
特に、（メタ）アクリル酸または（メタ）アクリル酸グ
リシジルと、少なくとも１種類の（メタ）アクリル酸ア
ルキルエステルとの共重合体が好ましい。この場合、共
重合体中における（メタ）アクリル酸グリシジルから誘
導される成分単位の含有率は通常は０〜８０モル％、好
ましくは５〜５０モル％である。グリシジル基を導入す
ることにより、後述する熱硬化型接着成分としてのエポ
キシ樹脂との相溶性が向上し、また硬化後のＴｇが高く
なり耐熱性も向上する。（メタ）アクリル酸から誘導さ
れる成分単位の含有率は通常は０〜４０モル％、好まし
くは５〜２０モル％である。また（メタ）アクリル酸ア
ルキルエステルとしては、（メタ）アクリル酸メチル、
（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル
等を用いることが好ましい。また、アクリル酸ヒドロキ
シエチル等の水酸基含有モノマーを導入することによ
り、被着体との密着性や粘着物性のコントロールが容易
になる。
【００２４】アクリル系粘着剤の分子量は、好ましくは
１０００００以上であり、特に好ましくは１５００００
〜１００００００である。またアクリル系粘着剤のガラ
ス転移温度は、通常２０℃以下、好ましくは−７０〜０
℃程度であり、常温（２３℃）においては粘着性を有す
る。エネルギー線硬化性成分（Ｂ）は、紫外線、電子線
等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物
である。このエネルギー線重合性化合物の例としては、
たとえば特開昭６０−１９６，９５６号公報および特開
昭６０−２２３，１３９号公報に開示されているような
低分子量化合物があげられ、具体的には、トリメチロー
ルプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタン
テトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリ
レート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ
アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレ
ートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレー
ト、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエ
チレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアク
リレート、ウレタンアクリレート系オリゴマーなどのア
クリレート系化合物が用いられる。このような化合物
は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、
通常は、分子量が１００〜３００００、好ましくは３０
０〜１００００程度である。
【００２５】さらにエネルギー線重合性化合物の他の例
として、分子内にジシクロペンタジエン骨格と、エネル
ギー線重合性基を少なくとも１つ、好ましくは２〜１０
個有するジシクロペンタジエン骨格含有エネルギー線重
合性化合物があげられる。このジシクロペンタジエン骨
格含有エネルギー線重合性化合物の分子量は、好ましく
は１５０〜８４０、さらに好ましくは２５０〜５００程
度である。
【００２６】ジシクロペンタジエン骨格含有エネルギー
線重合性化合物としては、具体的には、Ｒ−６８４（商
品名：日本化薬（株）社製）等があげられる。また、こ
れらの他にも、エポキシ変性アクリレート、ポリエステ
ルアクリレート、ポリエーテルアクリレートおよびイタ
コン酸オリゴマーのように水酸基あるいはカルボキシル
基などの官能基を有するオリゴマーを用いることもでき
る。
【００２７】一般的には成分（Ａ）１００重量部に対し
て、成分（Ｂ）は５０〜１５０重量部、好ましくは８０
〜１２５重量部程度の割合で用いられる。上記のような
成分（Ａ） および（Ｂ）からなる粘接着剤組成物は、
エネルギー線照射により硬化する。エネルギー線として
は、具体的には、紫外線、電子線等が用いられる。また
上記成分（Ａ）および（Ｂ）の性質を兼ね備えるものと
して、側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー
線硬化型共重合体（以下、成分（ＡＢ）と記載する場合
がある）を用いてもよい。このようなエネルギー線硬化
型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備
える性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性基を有す
るエネルギー線硬化型共重合体は、たとえば、特開平５
−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号公報等に
その詳細が記載されている。
【００２８】エネルギー線として紫外線を用いる場合に
は、光重合開始剤を混入することにより、重合硬化時間
ならびに光線照射量を少なくすることができる。このよ
うな光重合開始剤としては、具体的には、ベンゾフェノ
ン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエ
ーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプ
ロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベン
ゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイ
ンジメチルケタール、2,4-ジエチルチオキサンソン、α
-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジル
ジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサ
ルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、
ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン
あるいは2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォス
フィンオキサイドなどが挙げられる。
【００２９】光重合開始剤は、前記成分（Ａ）＋（Ｂ）
の合計または成分（ＡＢ）１００重量部に対して、１．
５〜４．５重量部、好ましくは２．４〜３．８重量部程
度の割合で用いることが好ましい。上記成分（Ａ＋Ｂま
たはＡＢ）は、次に挙げる熱硬化型接着成分（Ｃ）１０
０重量部に対して、通常１５〜１００重量部、好ましく
は１８〜７０重量部、特に好ましくは２０〜５０重量部
の量で用いられる。
【００３０】熱硬化型接着成分（Ｃ）は、エネルギー線
によっては硬化しないが、加熱を受けると三次元網状化
し、被着体を強固に接着する性質を有する。このような
熱硬化型接着成分（Ｃ）は、一般的にはエポキシ、フェ
ノキシ、フェノール、レゾルシノール、ユリア、メラミ
ン、フラン、不飽和ポリエステル、シリコーン等の熱硬
化性樹脂と、適当な硬化促進剤とから形成されている。
このような熱硬化型接着成分は種々知られており、本発
明においては特に制限されることなく従来より公知の様
々な熱硬化型接着成分を用いることができる。このよう
な熱硬化型接着成分の一例としては、(C-1)エポキシ樹
脂と(C-2)熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤とからな
る接着成分を挙げることができる。
【００３１】エポキシ樹脂(C-1)としては、従来より公
知の種々のエポキシ樹脂が用いられるが、通常は、分子
量３００〜２０００程度のものが好ましく、特に分子量
３００〜５００、好ましくは３３０〜４００の常態液状
のエポキシ樹脂と、分子量４００〜２０００、好ましく
は５００〜１５００の常態固体のエポキシ樹脂とをブレ
ンドした形で用いるのが望ましい。また、本発明におい
て好ましく使用されるエポキシ樹脂のエポキシ当量は通
常５０〜５０００g/eqである。このようなエポキシ樹脂
としては、具体的には、ビスフェノールＡ、ビスフェノ
ールＦ、レゾルシノール、フェニルノボラック、クレゾ
ールノボラックなどのフェノール類のグリシジルエーテ
ル；ブタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプ
ロピレングリコールなどのアルコール類のグリシジルエ
ーテル；フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル
酸などのカルボン酸のグリシジルエーテル；アニリンイ
ソシアヌレートなどの窒素原子に結合した活性水素をグ
リシジル基で置換したグリシジル型もしくはアルキルグ
リシジル型のエポキシ樹脂；ビニルシクロヘキサンジエ
ポキシド、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-ジ
シクロヘキサンカルボキシレート、2-(3,4-エポキシ)シ
クロヘキシル-5,5-スピロ(3,4-エポキシ)シクロヘキサ
ン-m-ジオキサンなどのように、分子内の炭素−炭素二
重結合をたとえば酸化することによりエポキシが導入さ
れた、いわゆる脂環型エポキシドを挙げることができ
る。
【００３２】これらの中でも、本発明では、ビスフェノ
ール系グリシジル型エポキシ樹脂、o-クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂およびフェノールノボラック型エポ
キシ樹脂が好ましく用いられる。またさらに、分子内に
ジシクロペンタジエン骨格と、反応性のエポキシ基を有
するジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂を用い
てもよい。このようなジシクロペンタジエン骨格含有エ
ポキシ樹脂は、通常は、常態で固形であり、その軟化点
は、好ましくは４０〜９０℃、さらに好ましくは４５〜
８０℃、特に好ましくは５０〜７０℃程度である。また
ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂の分子量
は、好ましくは４３０〜３０００、さらに好ましくは７
００〜２５００、特に好ましくは１０００〜２０００で
ある。さらに、該ジシクロペンタジエン骨格含有エポキ
シ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１９０〜１０００
g/eq、さらに好ましくは２００〜８００g/eq、特に好ま
しくは２１０〜４００g/eqである。
【００３３】ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹
脂としては、具体的にはXD-1000-L（商品名：日本化薬
（株）製）、EXA-7200HH（商品名：大日本インキ化学工
業（株）製）等があげられる。このようなジシクロペン
タジエン骨格含有エポキシ樹脂の硬化物は、吸水率が低
くいためリフロー時のパッケージクラックを防止でき
る。これらエポキシ樹脂は、１種単独で、または２種以
上を組み合わせて用いることができる。
【００３４】熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤(C-2)
とは、室温ではエポキシ樹脂と反応せず、ある温度以上
の加熱により活性化し、エポキシ樹脂と反応するタイプ
の硬化剤である。熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤(C
-2)の活性化方法には、加熱による化学反応で活性種
（アニオン、カチオン）を生成する方法；室温付近では
エポキシ樹脂(C-1)中に安定に分散しており高温でエポ
キシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法；モ
レキュラーシーブ封入タイプの硬化剤で高温で溶出して
硬化反応を開始する方法；マイクロカプセルによる方法
等が存在する。
【００３５】これら熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤
は、１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いる
ことができる。特に上記の中でも、ジシアンジアミド、
イミダゾール化合物あるいはこれらの混合物が好まし
い。上記のような熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤(C
-2)は、エポキシ樹脂(C-1)１００重量部に対して通常
０．１〜２０重量部、好ましくは０．５〜１５重量部、
特に好ましくは１〜１０重量部の割合で用いられる。
【００３６】第１の粘接着剤層２には、さらにカップリ
ング剤（Ｄ）を配合しても良い。カップリング剤（Ｄ）
は、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分、好ましくは成分（Ｃ）が
有する官能基と反応する基を有することが望ましい。カ
ップリング剤（Ｄ）は硬化反応時に、カップリング剤中
の有機官能基が熱硬化型接着成分（Ｃ）（特に好ましく
はエポキシ樹脂）と反応すると考えられ、硬化物の耐熱
性を損なわずに、接着性、密着性を向上させることがで
き、さらに耐水性（耐湿熱性）も向上する。
【００３７】カップリング剤（Ｄ）としては、その汎用
性とコストメリットなどからシラン系（シランカップリ
ング剤）が好ましい。また、上記のようなカップリング
剤（Ｄ）は、前記熱硬化型接着成分（Ｃ）１００重量部
に対して通常０．１〜２０重量部、好ましくは０．５〜
１５重量部、特に好ましくは１〜１０重量部の割合で用
いられる。
【００３８】上記粘接着剤には、エネルギー線照射前の
初期接着力および凝集力を調節するために、有機多価イ
ソシアナート化合物、有機多価イミン化合物等を添加す
ることもできる。上記有機多価イソシアナート化合物と
しては、芳香族多価イソシアナート化合物、脂肪族多価
イソシアナート化合物、脂環族多価イソシアナート化合
物およびこれらの多価イソシアナート化合物の三量体、
ならびにこれら多価イソシアナート化合物とポリオール
化合物とを反応させて得られる末端イソシアナートウレ
タンプレポリマー等をあげることができる。有機多価イ
ソシアナート化合物のさらに具体的な例としては、たと
えば２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリ
レンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシア
ナート、１，４−キシレンジイソシアナート、ジフェニ
ルメタン−４，４'−ジイソシアナート、ジフェニルメ
タン−２，４'−ジイソシアナート、３−メチルジフェ
ニルメタンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシ
アナート、イソホロンジイソシアナート、ジシクロヘキ
シルメタン−４，４'−ジイソシアナート、ジシクロヘ
キシルメタン−２，４'−ジイソシアナート、リジンイ
ソシアナートなどがあげられる。
【００３９】上記有機多価イミン化合物の具体例として
は、N,N'-ジフェニルメタン-4,4'-ビス(1-アジリジンカ
ルボキシアミド)、トリメチロールプロパン-トリ-β-ア
ジリジニルプロピオナート、テトラメチロールメタン-
トリ-β-アジリジニルプロピオナート、N,N'-トルエン-
2,4-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)トリエチレン
メラミン等をあげることができる。
【００４０】上記のような成分からなる第１の粘接着剤
層２の厚さは、通常は、３〜１００μｍ、好ましくは１
０〜６０μｍであることが望ましい。上記のような各成
分からなる粘接着剤はエネルギー線硬化性と加熱硬化性
とを有し、ダイシングの際には基材１に密着してウエハ
の固定に寄与し、マウントの際にはチップとダイパッド
部とを接着する接着剤として使用することができる。そ
して熱硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い硬化物を与
えることができ、しかも剪断強度と剥離強度とのバラン
スにも優れ、厳しい熱湿条件下においても充分な接着物
性を保持しうる。
【００４１】また、上記第１の粘接着剤層２および後述
する剛直層３、第２の粘接着剤層４には、さらに、ダイ
ボンド後の導電性または熱伝導性の付与を目的として、
金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、カ
ーボン、またはセラミック、あるいはニッケル、アルミ
ニウム等を銀で被覆したもののような導電性、熱伝導性
のフィラーを添加してもよい。これらの添加剤は、各層
の成分（該添加剤を除く）の合計１００重量部に対し
て、１０〜４００重量部程度の割合で配合されていても
よい。なお、導電性を目的とする場合には、後述の剛直
層も含めた３層がともに導電性を付与された材料から選
択される。
【００４２】剛直層３ 剛直層３は、ダイボンド後の粘接着剤層２と４の間に介
在し、全体としての貯蔵弾性率を向上させるために用い
られる。このような剛直層を構成する薄層膜としては、
−５０〜１５０℃での貯蔵弾性率が108Ｐａ以上、好ま
しくは109Ｐａ以上、さらに好ましくは1.2×109〜9.9×
1011Ｐａのものが望ましい。薄層膜としては、たとえば
硬化性樹脂からなる薄層膜、エンジニアリングプラスチ
ックフィルム、金属箔などが挙げられる。
【００４３】なお、硬化性樹脂の場合は、該樹脂の硬化
後の−５０〜１５０℃での貯蔵弾性率が108Ｐａ以上で
ある必要があり、硬化前の貯蔵弾性率は特に限定されな
い。剛直層３の膜厚は特に限定はされないが、一般的に
は１０〜３００μｍ、好ましくは１５〜２００μｍ、特
に好ましくは２０〜１００μｍの範囲にある。硬化性樹
脂としては、たとえば前述した熱硬化型接着成分（Ｃ）
などが用いられ、特に好ましくはエポキシ系樹脂が用い
られる。
【００４４】また、該硬化性樹脂には、必要に応じ、塗
工性や粘性を調整するために、前記ポリマー成分や溶剤
が含まれていても良い。ポリマー成分としては、ポリア
セタール樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アク
リル樹脂などの高分子化合物や、前述した粘着成分
（Ａ）を使用してもよい。たとえば、熱硬化型接着成分
（Ｃ）とポリマー成分とを併用する場合、成分（Ｃ）１
００重量部に対して、ポリマー成分は１０〜１００重量
部、好ましくは２０〜６０重量部程度の割合で用いられ
る。
【００４５】また、前記硬化性樹脂にフィラーを添加し
て貯蔵弾性率を適宜に調整することもできる。フィラー
としては、たとえば金、銀、銅、ニッケル、アルミニウ
ム、ステンレス、カーボン、グラファイト、セラミッ
ク、ガラス、シリカ、石英などの汎用フィラーが用いら
れる。特に高純度溶融石英フィラーや、高純度合成シリ
カフィラーが好ましく用いられる。
【００４６】このようなフィラーは、硬化性樹脂１００
重量部中に、好ましくは１００〜２０００重量部、さら
に好ましくは５００〜１０００重量部程度の割合で用い
られる。さらに、上記硬化性樹脂には、必要に応じ、前
述したカップリング剤などが含まれていてもよい。さら
に凝集力等を調節するために、有機多価イソシアナート
化合物、有機多価イミン化合物等が含まれていてもよ
い。
【００４７】剛直層３の他の態様であるエンジニアリン
グプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンナフタ
レートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリイミド
フィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリアラミド
フィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリエーテル
・エーテルケトンフィルム、ポリフェニレンサルファイ
ドフィルム、ポリ（4-メチルペンテン-1）フィルム等が
用いられる。これらの中でもポリイミドフィルムが好ま
しく用いられる。
【００４８】剛直層３のさらに他の態様である金属箔と
しては、銅、鉄、ニッケル、モリブデン、タングステン
などの単体の金属、黄銅（銅−亜鉛）、青銅（銅−
錫）、ベリリウム銅（銅−Be,Co,Ag,Cr）などの銅合
金、ステンレス鋼や、Si,Mn,Cr,W,Mo,Ti,Niなどとの鉄
合金（フェロアロイ）、チタン合金、マグネシウム合金
など、各種の単体金属や合金の箔等が用いられる。特
に、銅または銅合金からなることが好ましい。
【００４９】剛直層３の両面には、第１および第２の粘
接着剤層２，４が形成される。したがって、層間の接着
強度を向上するために、剛直層３の両面にコロナ処理や
プライマー処理などを施しておいてもよい。第２の粘接着剤層４ 第２の粘接着剤層４は、後述する半導体装置の製造方法
において、ダイシング時にウエハを固定し、また切断分
離されたチップを保持するために用いられる。
【００５０】したがって、従来よりこの種の用途に用い
られてきた粘接着剤が特に制限されることなく用いられ
る。しかしながら、ウエハの貼着を容易にできるように
粘着性を有することが好ましく、またダイボンド後の貯
蔵弾性率の向上に寄与するために、硬質な被膜に転換し
うる材料からなることが好ましい。このような粘接着剤
の具体例としては、たとえば前述した第１の粘接着剤層
２と同様の、（Ａ）粘着成分と、（Ｃ）熱硬化型接着成
分とからなる粘接着剤をあげることができる。ただし、
剛直層３との剥離性を考慮する必要はないので、エネル
ギー線硬化性成分（Ｂ）は配合しても良いし、配合しな
くても良い。
【００５１】この場合、成分（Ａ）１００重量部に対
し、成分（Ｃ）は好ましくは５０〜３０００重量部、さ
らに好ましくは１００〜２０００重量部程度の割合で用
いられる。さらに必要に応じ、前記第１の粘接着剤層２
と同様に、カップリング剤（Ｄ）、フィラーやイソシア
ナート化合物などの他の成分を含むものであってもよ
い。カップリング剤（Ｄ）は、前記熱硬化型接着成分
（Ｃ）１００重量部に対して好ましくは０．１〜２０重
量部、さらに好ましくは０．５〜１５重量部、特に好ま
しくは１〜１０重量部の割合で用いられる。
【００５２】上記のような成分からなる第２の粘接着剤
層４の厚さは、通常は、３〜１００μｍ、好ましくは１
０〜６０μｍであることが望ましい。ウエハダイシング・接着用シート 本発明のウエハダイシング・接着用シート１０は、基材
１上に、第１の粘接着剤層２、剛直層３および第２の粘
接着剤層４がこの順に積層してなる。
【００５３】ウエハダイシング・接着用シート１０の製
造方法は、特に限定はされず、基材１上に、第１の粘接
着剤層２、剛直層３および第２の粘接着剤層４を順次積
層してもよく、また基材１と第１の粘接着剤層２との積
層体、および剛直層３と第２の粘接着剤層４との積層体
を別個に製造し、これを積層するものであってもよい。
【００５４】なお、本発明のウエハダイシング・接着用
シート１０の使用前に、第２の粘接着剤層４を保護する
ために、シート１０の上面に離型フィルムを積層してお
いてもよい。また、第２の粘接着剤層４の表面外周部に
は、リングフレーム６を固定するためのリングフレーム
固定用粘着シート５が設けられていてもよい。
【００５５】半導体装置の製造方法 次に本発明に係る半導体装置の製造方法について説明す
る。本発明の製造方法においては、まず、ウエハダイシ
ング・接着用シート１０をダイシング装置上に、リング
フレーム６により固定し、シリコンウエハ７の一方の面
をウエハダイシング・接着用シート１０の第２の粘接着
剤層４上に載置し、軽く押圧し、ウエハ７を固定する。
【００５６】その後、第１の粘接着剤層２に、エネルギ
ー線硬化性成分が含まれている場合は、基材１側からエ
ネルギー線を照射し、第１の粘接着剤層２の凝集力を上
げ、第１の粘接着剤層２と基材１との間の接着力を低下
させておく。次いで、ダイシングソーなどの切断手段を
用いて、上記のシリコンウエハ７を切断しＩＣチップ7'
を得る（図２参照）。この際の切断深さは、シリコンウ
エハ７の厚みと、第２の粘接着剤層４、剛直層３および
第１の粘接着剤層２の厚みとの合計およびダイシングソ
ーの磨耗分を加味した深さにする。
【００５７】なお、エネルギー線照射は、ダイシングの
後に行ってもよく、また下記のエキスパンド工程の後に
行ってもよい。次いで必要に応じ、接着用シート１０の
エキスパンドを行うと、図３に示すようにＩＣチップ間
隔が拡張し、ＩＣチップのピックアップをさらに容易に
行えるようになる。
【００５８】このようにしてＩＣチップ7'のピックアッ
プを行うと、切断された第２の粘接着剤層４、剛直層３
および第１の粘接着剤層２をＩＣチップ裏面に固着残存
させて基材１から剥離することができる（図４参照）。
次いで第１の粘接着剤層２を介してＩＣチップ7'をダイ
パッド部に載置する。ダイパッド部はＩＣチップ7'を載
置する前に加熱するか載置直後に加熱される。加熱温度
は、通常は８０〜２００℃、好ましくは１００〜１８０
℃であり、加熱時間は、通常は0.1秒〜５分、好ましく
は0.5秒〜３分であり、チップマウント圧力は、通常１
ｋＰａ〜１００ＭＰａである。
【００５９】ＩＣチップをダイパッド部にチップマウン
トした後、さらに加熱することにより、第１の粘接着剤
層２および第２の粘接着剤層４が硬化し、ＩＣチップと
ダイパッド部とを強固に接着することができる。また剛
直層３を硬化性樹脂により形成した場合は、これと同時
に加熱により該硬化性樹脂が硬化し、剛直層３となる。
この際の加熱硬化条件としては、加熱温度は通常８０〜
２００℃、好ましくは１００〜１８０℃であり、加熱時
間は通常１分〜１２０分、好ましくは１０分〜９０分で
ある。
【００６０】この結果、得られる実装品においては、チ
ップの固着手段である粘接着剤が硬化し、かつ該硬化物
中に剛直層３が組み込まれた構成となるため、この固着
手段の貯蔵弾性率は極めて高くなり、過酷な条件下にあ
っても、十分なパッケージ信頼性とボード実装性が達成
される。なお、本発明の接着用シートは、上記のような
使用方法の他、半導体化合物、ガラス、セラミックス、
金属などの接着に使用することもできる。
【００６１】
【発明の効果】このような本発明によれば、半導体ウエ
ハへの貼付作業およびＩＣチップのピックアップ操作を
円滑に行え、かつ貯蔵弾性率に優れたダイボンド層を形
成できる粘接着剤層をＩＣチップ裏面に転写できるウエ
ハダイシング・接着用シートが提供される。
【００６２】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以
下の実施例および比較例において、「貯蔵弾性率」、
「パッケージ信頼性」および「ボード実装信頼性」は次
のようにして評価した。 「貯蔵弾性率」ウエハダイシング・接着シートの剛直層
３の貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（オリエンテッ
ク社製、RHEOVIBRON DDV-II-EP）により、周波数１１Ｈ
ｚで−５０〜１５０℃の範囲を測定した。
【００６３】なお、実施例４，５においては、剛直層で
あるポリイミドフィルムおよび電解銅箔を直接測定し
た。また、実施例１〜３，５，７および比較例１，２で
は、剛直層となる配合物を剥離シート上に塗布乾燥し、
乾燥膜厚５０μｍの硬化前の剛直層を得た。次に１６０
℃６０分間の加熱をして硬化させ、剥離シートを剥がし
て単層の剛直層を作成し、これの貯蔵弾性率を測定し
た。 「パッケージ信頼性」 （１）半導体チップの製造 ＃２０００研磨処理したシリコンウエハ（１００ｍｍ
径、厚さ２００μｍ）の研磨面に、実施例および比較例
のウエハダイシング・接着シートの貼付をテープマウン
ター（リンテック社製、Adwill RAD2500）により行い、
ウエハダイシング用リングフレーム（ディスコ社製、2-
6-1）に固定した。その後、ＵＶ照射装置（リンテック
社製、Adwill RAD2000）を用いて基材面から紫外線を照
射した。次に、ダイシング装置（東京精密社製、AWD-40
00B）を使用して9.0mm×9.0mmのチップサイズにダイシ
ングした。ダイシングの際の切り込み量は、基材を１０
μｍ切り込むようにした。続いて、ウエハダイシング・
接着シート側よりニードルで突き上げて、チップが基材
の界面から剥離するようにピックアップした。 （２）ＩＣパッケージの製造 ＩＣパッケージ用の基板（ポリイミドフィルム（５０μ
ｍ）と電解銅箔（２０μｍ）との積層体であり、ダイパ
ッド部として銅箔上にパラジウムメッキおよび金メッキ
を順にパターン処理し、更に高さ２５μｍのソルダーレ
ジストを有する）のダイパッド部に、積層状態のチップ
の第１の粘接着剤層側を１２０℃、１５０ＭＰａ、１秒
間の条件で圧着し、チップマウントを行った。その後、
１６０℃、６０分間の条件で粘接着剤層や剛直層を加熱
硬化した。更に、モールド樹脂（ビフェニル型エポキシ
樹脂とフェノールノボラック樹脂を含有）で基板のチッ
プの取り付けられた側を所定の形状にモールドし、１７
５℃、６時間で樹脂を硬化させて高圧封止した。次に、
封止されない基板側に直径０．５μｍの鉛フリーのハン
ダボールを所定の方法で取り付け、ＢＧＡ（Ball Grid
Allay）型のＩＣパッケージを完成させた。 （３）パッケージ信頼性の評価 得られたＩＣパッケージを８５℃、６０％ＲＨ条件下に
１６８時間放置し、吸湿させた後、最高温度２６０℃の
ＩＲリフローを２回行った際に接合部位の浮き・剥がれ
の有無、パッケージクラック発生の有無を走査型超音波
探傷装置および断面観察により評価した。 「ボード実装信頼性」上記「パッケージ信頼性」で作成
したＢＧＡ型のＩＣパッケージを、マザーボード（ＢＴ
レジンを用いて高密度実装用に積層されたビルドアップ
配線板）に２６０℃、１分で実装した。
【００６４】ＩＣパッケージが実装されたマザーボード
を、−４０および１２５℃の熱衝撃（加熱１分間、加熱
温度保持９分間、冷却１分間、冷却温度保持９分間を１
サイクルとする）を１０００サイクル行った。マザーボ
ードとＩＣパッケージとの間に発生するクラックの有無
を走査型超音波探傷装置および断面観察により評価し
た。 「ウエハダイシング・接着用シートの作成」基材、粘接
着剤層、剛直層としては、下記のものを用いた。 基材：エチレン・メタクリル酸共重合体フィルム（厚さ
６０μｍ）と、エチレン・メタクリル酸メチル共重合体
フィルム（厚さ４０μｍ、表面張力３５dyn/cm）との積
層体を用いた。 粘接着剤：第１の粘接着剤（基材側）と第２の粘接着剤
（ウエハ側）の組成を下表に示す。これらは実施例およ
び比較例に共通である。なお、表中の「部」は重量部を
示す。
【００６５】
【表１】
【００６６】剛直層：下表に記載の組成の樹脂、フィル
ムまたは銅箔を用いた。なお、表中の「部」は重量部を
示す。また特に記載した他は、厚みは５０μｍである。
【００６７】
【表２】
【００６８】なお、表中の各成分、材料は以下のとおり
である。 （１）粘着成分（Ａ）：アクリル酸ブチル５５重量部
と、メタクリル酸１０重量部と、メタクリル酸グリシジ
ル２０重量部とアクリル酸2-ヒドロキシエチル１５重量
部とを共重合してなる重量平均分子量８００，０００、
ガラス転移温度−２８℃の共重合体。 （２）熱硬化性接着成分（Ｃ）：下記成分からなる組成
物 アクリル分散ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（日
本触媒製、BPA328）：２０部 ジシクロペンタジエン骨格含有固形エポキシ樹脂（大日
本インキ化学工業製、EXA-7200HH）：２０部 ジシクロペンタジエン骨格含有固形エポキシ樹脂（日本
化薬製、XD-1000-L）：２０部 硬化剤（旭電化製、アデカハードナー3636AS）：２部 硬化促進剤（四国化成工業製、キュアゾール2PHZ）：２
部 （３）シランカップリング剤（Ｄ）：三菱化学製、MKC
シリケートMSEP2 （４）ポリイソシアナート：トリメチロールプロパンと
トルイレンジイソシアナートとの付加物 （５）紫外線硬化型粘着成分（Ａ＋Ｂ）：下記成分から
なる組成物 前記粘着成分（１）：１５部 エネルギー線硬化性成分 ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（日本化薬
製、カラヤッドDPHA）：６部 ジシクロペンタジエン骨格含有アクリレート（日本化薬
製、カラヤッドR684）：６部 （６）光重合開始剤 2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオ
キサイド：０．３６部（７）フェノキシ樹脂：エピコー
ト4275（ジャパンエポキシレジン社製） （８）ポリアセタール樹脂：エスレックBL-1（積水化学
社製） （９）高純度溶融石英フィラー：ＣＵＳ−８Ｉ（東芝セ
ラミックス製、平均粒径８μｍ） （１０）高純度合成シリカフィラー：ＳＯ−Ｃ２（アド
マテックス製、アドマファイン、平均粒径０．５μｍ） （１１）ポリイミドフィルム：ユーピレックス50S（５
０μｍ厚、宇部興産製） （１２）電解銅箔：ジャパンエナジー製、３５μｍ厚
【００６９】
【実施例１〜３，６，７】第１の粘接着剤用の配合物
（表１参照）を塗布面保護用の離型シート（リンテック
社製、厚さ３８μｍ、SPPET3811）の離型処理面に、乾
燥膜厚が３０μｍとなるように、ロールナイフコーター
を用いて塗布乾燥し、厚み１００μｍの基材のエチレン
−メタクリル酸メチル共重合体フィルム側の面に積層し
た。次に、別の離型シート（SPPET3811）上に、剛直層
用の配合物（表２参照）を、乾燥膜厚が５０μｍとなる
ようにロールナイフコーターを用いて塗布乾燥し、第１
の粘接着剤層を保護している離型シートを剥離しなが
ら、第１の粘接着剤層と剛直層を積層した。続いて、更
に別の離型シート（SPPET3811）上に第２の粘接着剤層
用の配合物（表１参照）を、乾燥膜厚が２０μｍとなる
ようにロールナイフコーターを用いて塗布乾燥し、剛直
層面上の離型シートを剥離しながら、剛直層と第２の粘
接着剤層を積層し、ウエハダイシング・接着用シートを
作成した。
【００７０】リングフレーム固定用粘着シートとして厚
さ８０μｍのポリ塩化ビニルフィルムの基材の片面に再
剥離性を有するアクリル系粘着剤（リンテック社製、Ｍ
−４）１０μｍを形成した粘着シートを用いた。このリ
ングフレーム固定用粘着シートを内径１６５mmの円形に
切り抜き、上記で作成したウエハダイシング・接着用シ
ートの第２の粘接着剤層で、リングフレーム固定用粘着
シートの基材面に貼り合せた。次に、リングフレーム固
定用粘着シートの円形の切り抜き部分と同心円になるよ
うに２０７mm径に切断して、図１に使用されるようなウ
エハダイシング・接着用シートとリングフレーム固定用
粘着シートの積層物を作成した。
【００７１】
【実施例４，５】第１の粘接着剤用の配合物（表１参
照）を離型シート（SPPET3811）の離型処理面に、乾燥
膜厚が３０μｍとなるように、ロールナイフコーターを
用いて塗布乾燥し、厚み１００μｍの基材のエチレン−
メタクリル酸メチル共重合体フィルム側の面に積層し
た。次に、別の離型シート（SPPET3811）上に、第２の
粘接着剤層用の配合物（表１参照）を、乾燥膜厚が２０
μｍとなるようにロールナイフコーターを用いて塗布乾
燥して剛直層（表２参照）に積層した。続いて、第１の
粘接着剤層を保護している離型シートを剥離しながら、
第１の粘接着剤層と剛直層をラミネーターで貼合して、
ウエハダイシング・接着用シートを作成した。
【００７２】続いて、実施例１と同様にして、図１に使
用されるようなウエハ・ダイシング接着用シートとリン
グフレーム固定用粘着シートの積層物を作成した。上記
構成のウエハダイシング・接着用シートを用いて「貯蔵
弾性率」、「パッケージ信頼性」および「ボード実装信
頼性」の評価を行った。結果を表３に示す。
【００７３】
【表３】
【００７４】
【比較例１】剛直層を用いなかった他は、実施例１と同
様の材料からなるウエハダイシング・接着用シートを作
成した。結果を表４に示す。
【００７５】
【比較例２】剛直層および第１の粘接着剤層を用いなか
った他は、実施例１と同様の材料からなるウエハダイシ
ング・接着用シートを作成した。結果を表４に示す。
【００７６】
【表４】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す。
【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す。
【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す。
【図４】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す。
【符号の説明】 １…基材 ２…第１の粘接着剤層 ３…剛直層 ４…第２の粘接着剤層 ５…リングフレーム固定用粘着シート ６…リングフレーム ７…半導体ウエハ 7'…ＩＣチップ １０…ウエハ・ダイシング接着シート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J004 AA01 AA02 AA05 AA10 AA11 AA12 AA13 AA14 AA15 AB06 CA03 CA04 CA06 CA08 CC02 FA04 FA05 FA08 5F047 AA17 BA33 BB19 CA01

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基材上に、第１の粘接着剤層、剛直層お
    よび第２の粘接着剤層がこの順に積層してなることを特
    徴とするウエハダイシング・接着用シート。
  2. 【請求項２】 前記基材の前記第１の粘接着剤層に接す
    る面の表面張力が４０dyn/cm以下であることを特徴とす
    る請求項１に記載のウエハダイシング・接着用シート。
  3. 【請求項３】 前記剛直層が硬化性樹脂からなり、該樹
    脂の硬化後の−５０〜１５０℃での貯蔵弾性率が108Ｐ
    ａ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載
    のウエハダイシング・接着用シート。
  4. 【請求項４】 前記剛直層がエンジニアリングプラスチ
    ックからなることを特徴とする請求項１または２に記載
    のウエハダイシング・接着用シート。
  5. 【請求項５】 前記剛直層が金属箔からなることを特徴
    とする請求項１または２に記載のウエハダイシング・接
    着用シート。
  6. 【請求項６】 基材上に、第１の粘接着剤層、剛直層お
    よび第２の粘接着剤層がこの順に積層してなるウエハダ
    イシング・接着用シートの第２の粘接着剤層に、半導体
    ウエハを貼着し、前記半導体ウエハをダイシングしてＩ
    Ｃチップとし、前記ＩＣチップ裏面に第２の粘接着剤
    層、剛直層、第１の粘接着剤層を固着残存させて基材か
    ら剥離し、前記ＩＣチップをダイパッド部上に前記第１
    の粘接着剤層を介して熱圧着することを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
JP2002006432A 2002-01-15 2002-01-15 ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JP4067308B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002006432A JP4067308B2 (ja) 2002-01-15 2002-01-15 ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002006432A JP4067308B2 (ja) 2002-01-15 2002-01-15 ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003206457A true JP2003206457A (ja) 2003-07-22
JP4067308B2 JP4067308B2 (ja) 2008-03-26

Family

ID=19191228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002006432A Expired - Lifetime JP4067308B2 (ja) 2002-01-15 2002-01-15 ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4067308B2 (ja)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005203749A (ja) * 2003-12-15 2005-07-28 Furukawa Electric Co Ltd:The ウェハ加工用テープおよびその製造方法
JP2005290381A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Natl Starch & Chem Investment Holding Corp ダイシングダイ結合フィルム
WO2006014000A1 (ja) * 2004-08-03 2006-02-09 The Furukawa Electric Co., Ltd. ウエハ加工用テープ
JP2006203133A (ja) * 2005-01-24 2006-08-03 Lintec Corp チップ体の製造方法、デバイスの製造方法およびチップ体固着用粘接着シート
JP2006245487A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Lintec Corp レーザーダイシングシートおよびレーザーダイシング方法
JP2008021858A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンド用接着フィルム
JP2008060580A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Natl Starch & Chem Investment Holding Corp ダイシングダイボンディングフィルム
JP2008120947A (ja) * 2006-11-14 2008-05-29 Toshiba Corp 転写テープ及びこの転写テープを用いた半導体装置の製造方法
JP2008227455A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Toray Saehan Inc 半導体チップ積層用接着フィルム
WO2009084804A1 (en) * 2007-12-27 2009-07-09 Lg Chem, Ltd. Dicing die bonding film having excellent burr property and reliability and semiconductor device using the same
US8043698B2 (en) 2004-08-03 2011-10-25 The Furukawa Electric Co., Ltd. Method of producing a semiconductor device, and wafer-processing tape
CN101752217B (zh) * 2008-12-02 2012-04-04 日东电工株式会社 半导体装置制造用薄膜及其制造方法
US20120135176A1 (en) * 2004-10-14 2012-05-31 Maiko Tanaka Adhesive sheet and method for manufacturing the same, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
JP2012122058A (ja) * 2010-11-18 2012-06-28 Nitto Denko Corp ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法、及び、ダイボンドフィルムを有する半導体装置
US8545979B2 (en) * 2003-12-15 2013-10-01 The Furukawa Electric Co., Ltd. Wafer-processing tape and method of producing the same
KR101427903B1 (ko) 2007-11-22 2014-08-07 도레이첨단소재 주식회사 다이싱·다이본드용 점착테이프
JP2016056370A (ja) * 2010-11-18 2016-04-21 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの製造方法
JP2018074062A (ja) * 2016-11-01 2018-05-10 日東電工株式会社 ダイシングダイボンディングテープおよび半導体装置の製造方法
WO2020157616A1 (en) * 2019-01-28 2020-08-06 3M Innovative Properties Company Photocurable adhesive composition and photocurable adhesive tape

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005203749A (ja) * 2003-12-15 2005-07-28 Furukawa Electric Co Ltd:The ウェハ加工用テープおよびその製造方法
US8545979B2 (en) * 2003-12-15 2013-10-01 The Furukawa Electric Co., Ltd. Wafer-processing tape and method of producing the same
JP2005290381A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Natl Starch & Chem Investment Holding Corp ダイシングダイ結合フィルム
EP1775760A4 (en) * 2004-08-03 2011-07-27 Furukawa Electric Co Ltd PLATELET TREATMENT TAPE
WO2006014000A1 (ja) * 2004-08-03 2006-02-09 The Furukawa Electric Co., Ltd. ウエハ加工用テープ
EP1775760A1 (en) * 2004-08-03 2007-04-18 The Furukawa Electric Co., Ltd. Wafer processing tape
KR100743772B1 (ko) 2004-08-03 2007-07-30 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 웨이퍼 가공용 테이프
CN100421220C (zh) * 2004-08-03 2008-09-24 古河电气工业株式会社 晶片加工用带
US8043698B2 (en) 2004-08-03 2011-10-25 The Furukawa Electric Co., Ltd. Method of producing a semiconductor device, and wafer-processing tape
US20120135176A1 (en) * 2004-10-14 2012-05-31 Maiko Tanaka Adhesive sheet and method for manufacturing the same, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
JP2006203133A (ja) * 2005-01-24 2006-08-03 Lintec Corp チップ体の製造方法、デバイスの製造方法およびチップ体固着用粘接着シート
JP2006245487A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Lintec Corp レーザーダイシングシートおよびレーザーダイシング方法
JP2008021858A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンド用接着フィルム
JP2008060580A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Natl Starch & Chem Investment Holding Corp ダイシングダイボンディングフィルム
JP2008120947A (ja) * 2006-11-14 2008-05-29 Toshiba Corp 転写テープ及びこの転写テープを用いた半導体装置の製造方法
JP4528758B2 (ja) * 2006-11-14 2010-08-18 株式会社東芝 転写テープ及びこの転写テープを用いた半導体装置の製造方法
JP4590571B2 (ja) * 2007-03-13 2010-12-01 東レ先端素材株式会社 半導体チップ積層用接着フィルム
JP2008227455A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Toray Saehan Inc 半導体チップ積層用接着フィルム
KR101427903B1 (ko) 2007-11-22 2014-08-07 도레이첨단소재 주식회사 다이싱·다이본드용 점착테이프
WO2009084804A1 (en) * 2007-12-27 2009-07-09 Lg Chem, Ltd. Dicing die bonding film having excellent burr property and reliability and semiconductor device using the same
CN101848974A (zh) * 2007-12-27 2010-09-29 Lg化学株式会社 具有优异的毛刺性能和可靠性的切割模片粘合膜以及应用该粘合膜的半导体器件
US9695345B2 (en) 2007-12-27 2017-07-04 Lg Chem, Ltd. Dicing die bonding film having excellent burr property and reliability and semiconductor device using the same
CN101752217B (zh) * 2008-12-02 2012-04-04 日东电工株式会社 半导体装置制造用薄膜及其制造方法
JP2012122058A (ja) * 2010-11-18 2012-06-28 Nitto Denko Corp ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法、及び、ダイボンドフィルムを有する半導体装置
JP2016056370A (ja) * 2010-11-18 2016-04-21 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの製造方法
JP2018074062A (ja) * 2016-11-01 2018-05-10 日東電工株式会社 ダイシングダイボンディングテープおよび半導体装置の製造方法
CN108022867A (zh) * 2016-11-01 2018-05-11 日东电工株式会社 切割芯片接合带和半导体装置的制造方法
WO2020157616A1 (en) * 2019-01-28 2020-08-06 3M Innovative Properties Company Photocurable adhesive composition and photocurable adhesive tape

Also Published As

Publication number Publication date
JP4067308B2 (ja) 2008-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100755175B1 (ko) 점착테이프
JP4668001B2 (ja) ダイシング・ダイボンド兼用シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP4536660B2 (ja) ダイシング・ダイボンド用粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP3739488B2 (ja) 粘接着テープおよびその使用方法
JP4067308B2 (ja) ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP3483161B2 (ja) 粘接着テープおよびその使用方法
KR101749762B1 (ko) 칩 보유 지지용 테이프, 칩 형상 워크의 보유 지지 방법, 칩 보유 지지용 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법, 및 칩 보유 지지용 테이프의 제조 방법
JP5473262B2 (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2005327789A (ja) ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP4027332B2 (ja) 半導体用粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
KR101483308B1 (ko) 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
KR20080047990A (ko) 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체 장치의 제조방법
KR20070113126A (ko) 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
JP2008231366A (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2019104862A (ja) 接着フィルムおよびダイシングテープ付き接着フィルム
JPH09100450A (ja) 粘接着テープおよびその使用方法
JP2004095844A (ja) ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP4316253B2 (ja) ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP5005325B2 (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5662810B2 (ja) 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP4372463B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2019104864A (ja) 接着フィルムおよびダイシングテープ付き接着フィルム
JP5224710B2 (ja) 半導体装置の製造方法に用いられる接着剤
JP5406995B2 (ja) 半導体装置の製造方法に用いられる接着剤
KR20070022729A (ko) 다이싱·다이본딩 겸용 점접착 시트 및 이것을 사용한반도체장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041214

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070918

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070925

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071225

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080108

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110118

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4067308

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110118

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120118

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120118

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130118

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130118

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140118

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term