JP2005277130A - Method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

Method of manufacturing semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP2005277130A
JP2005277130A JP2004088673A JP2004088673A JP2005277130A JP 2005277130 A JP2005277130 A JP 2005277130A JP 2004088673 A JP2004088673 A JP 2004088673A JP 2004088673 A JP2004088673 A JP 2004088673A JP 2005277130 A JP2005277130 A JP 2005277130A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
film
semiconductor device
manufacturing
polished
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2004088673A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naoki Itani
直毅 井谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2004088673A priority Critical patent/JP2005277130A/en
Priority to US10/918,443 priority patent/US20050215180A1/en
Publication of JP2005277130A publication Critical patent/JP2005277130A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can suppress the occurrence of a scratch on the front surface of a film to be polished. <P>SOLUTION: The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of flattening the front surface of the film to be polished by polishing the front surface of the film to be polished formed on a semiconductor substrate only with a base material by using a polishing pad 104 made of foam to which a plurality of bubbles 107 are introduced into the base material 105 while supplying an abrasive powder containing an abrasive gain and an additive made of a surfactant. Since the film to be polished is polished by using the polishing pad made of the foam in which a shell does not exist in the ambients of air bubbles, even if the abrasive powder in which the surfactant is used as the additive, is used, the occurrence of the scratch on the front surface of the film to be polished can be suppressed. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、被研磨膜を研磨する半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor device for polishing a film to be polished.

従来より、素子領域を画定する素子分離領域を形成するための技術として、ＬＯＣＯＳ（LOCal Oxidation of Silicon、局所酸化）法が広く知られている。   Conventionally, a LOCOS (LOCal Oxidation of Silicon) method is widely known as a technique for forming an element isolation region that defines an element region.

しかし、ＬＯＣＯＳ法により素子分離領域を形成した場合には、バーズビークによって素子領域が小さくなる傾向がある。素子分離領域を形成する際の酸化量を小さくすれば、バーズビークを小さくすることが可能であるが、酸化量を小さくした場合には、十分な素子分離機能を得ることができなくなってしまう。また、ＬＯＣＯＳ法により素子分離領域を形成した場合には、基板表面に大きな段差が形成されてしまう。このため、ＬＯＣＯＳ法を用いて素子分離領域を形成する技術では、更なる微細化・高集積化が困難であった。   However, when the element isolation region is formed by the LOCOS method, the element region tends to be reduced by bird's beak. If the amount of oxidation in forming the element isolation region is reduced, the bird's beak can be reduced. However, if the amount of oxidation is reduced, a sufficient element isolation function cannot be obtained. In addition, when the element isolation region is formed by the LOCOS method, a large step is formed on the substrate surface. For this reason, it has been difficult to achieve further miniaturization and higher integration with the technique of forming the element isolation region using the LOCOS method.

ＬＯＣＯＳ法に代わる方法として、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）法が注目されている。ＳＴＩ法による素子分離領域の形成方法を図１３を用いて説明する。図１３は、従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。   An STI (Shallow Trench Isolation) method has attracted attention as an alternative to the LOCOS method. A method for forming an element isolation region by the STI method will be described with reference to FIGS. FIG. 13 is a process sectional view showing a conventional method for manufacturing a semiconductor device.

図１３（ａ）に示すように、半導体基板２１０上に、シリコン酸化膜２１２、シリコン窒化膜２１４を順次形成する。   As shown in FIG. 13A, a silicon oxide film 212 and a silicon nitride film 214 are sequentially formed on the semiconductor substrate 210.

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シリコン窒化膜２１４及びシリコン酸化膜２１２をパターニングする。これにより、シリコン窒化膜２１４及びシリコン酸化膜２１２に、半導体基板２１０に達する開口部２１６が形成される。   Next, the silicon nitride film 214 and the silicon oxide film 212 are patterned using a photolithography technique. As a result, an opening 216 reaching the semiconductor substrate 210 is formed in the silicon nitride film 214 and the silicon oxide film 212.

開口部２１６が形成されたシリコン窒化膜２１４をマスクとして半導体基板２１０を異方性エッチングする。こうして、半導体基板２１０にトレンチ２１８が形成される。   The semiconductor substrate 210 is anisotropically etched using the silicon nitride film 214 in which the opening 216 is formed as a mask. Thus, the trench 218 is formed in the semiconductor substrate 210.

図１３（ｂ）に示すように、トレンチ２１６内及びシリコン窒化膜２１４上にシリコン酸化膜２２０を形成する。   As shown in FIG. 13B, a silicon oxide film 220 is formed in the trench 216 and on the silicon nitride film 214.

図１３（ｃ）に示すように、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing、化学的機械的研磨）法により、シリコン窒化膜２１４の表面が露出するまで、シリコン酸化膜２２０表面を研磨する。シリコン窒化膜２１４は、シリコン酸化膜２２０を研磨する際のストッパとして機能する。研磨剤としては、例えば、シリカより成る研磨砥粒とＫＯＨより成る添加剤とを含む研磨剤を用いる。こうして、トレンチ２１６に内に、シリコン酸化膜２２０より成る素子分離領域２２１が埋め込まれる。素子分離領域２２１により素子領域２２２が画定される。   As shown in FIG. 13C, the surface of the silicon oxide film 220 is polished by CMP (Chemical Mechanical Polishing) until the surface of the silicon nitride film 214 is exposed. The silicon nitride film 214 functions as a stopper when the silicon oxide film 220 is polished. As the abrasive, for example, an abrasive containing abrasive grains made of silica and an additive made of KOH is used. Thus, the element isolation region 221 made of the silicon oxide film 220 is buried in the trench 216. An element region 222 is defined by the element isolation region 221.

この後、シリコン窒化膜２１４及びシリコン酸化膜２１２をエッチング除去する。この後、素子領域２２２内にトランジスタ（図示せず）を形成する。こうして、半導体装置が製造される。   Thereafter, the silicon nitride film 214 and the silicon oxide film 212 are removed by etching. Thereafter, a transistor (not shown) is formed in the element region 222. Thus, the semiconductor device is manufactured.

ＳＴＩ法を用いて素子分離領域２２１を形成すれば、ＬＯＣＯＳ法で素子分離領域を形成する場合のようなバーズビークが発生することはなく、素子領域２２２が狭くなってしまうのを防止することができる。また、トレンチ２１８の深さを深く設定することにより、実効的な素子間距離を長くすることができるため、高い素子分離機能を得ることができる。   If the element isolation region 221 is formed using the STI method, a bird's beak does not occur as in the case where the element isolation region is formed by the LOCOS method, and the element region 222 can be prevented from becoming narrow. . Further, by setting the depth of the trench 218 deep, the effective inter-element distance can be increased, so that a high element isolation function can be obtained.

しかしながら、上記のような研磨剤、即ち、シリカより成る研磨砥粒とＫＯＨより成る添加剤とを含む研磨剤を用いた従来の半導体装置の製造方法では、パターン依存性が大きく、必ずしも良好な平坦性が得られなかった。   However, the conventional semiconductor device manufacturing method using the above-described polishing agent, that is, a polishing agent containing a polishing abrasive made of silica and an additive made of KOH, has a large pattern dependency and is not necessarily flat. Sex was not obtained.

近時、良好な平坦性が得られる研磨剤として、研磨砥粒と界面活性剤より成る添加剤とを含む研磨剤が提案されている（特許文献１参照）。提案されている研磨剤では、研磨砥粒として、例えば酸化セリウム（セリア、ＣｅＯ２）が用いられている。また、添加剤として、例えばポリアクリル酸アンモニウム塩等が用いられている。 Recently, an abrasive containing abrasive grains and an additive composed of a surfactant has been proposed as an abrasive capable of obtaining good flatness (see Patent Document 1). In the proposed abrasive, for example, cerium oxide (ceria, CeO 2 ) is used as abrasive grains. As an additive, for example, polyacrylic acid ammonium salt or the like is used.

このような提案されている研磨剤を用いれば、シリカより成る研磨砥粒とＫＯＨより成る添加剤とを含む研磨剤を用いた場合と比較して、被研磨膜２２０の表面の平坦性を向上することが可能となる。
特開２０００−２４８２６３号公報 特許第３０１３１０５号公報 特開２００３−３０１０２１号公報 When such a proposed abrasive is used, the surface flatness of the film to be polished 220 is improved as compared with the case where an abrasive containing abrasive grains made of silica and an additive made of KOH is used. It becomes possible to do.
JP 2000-248263 A Japanese Patent No. 3013105 JP 2003-301021 A

しかしながら、提案されている研磨剤を用いて被研磨膜２２０を研磨した場合には、被研磨膜２２０の表面にスクラッチ（傷）が多く生じてしまう場合があった。   However, when the film to be polished 220 is polished using the proposed polishing agent, many scratches (scratches) may occur on the surface of the film to be polished 220.

本発明の目的は、被研磨膜の表面にスクラッチが生ずるのを抑制し得る半導体装置の製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the occurrence of scratches on the surface of a film to be polished.

本発明の一観点によれば、研磨砥粒と界面活性剤より成る添加剤とを含む研磨剤を供給しながら、平均直径が１５０μｍ以下の複数の気泡が基材中に導入された発泡体より成る研磨パッドを用いて、半導体基板上に形成された被研磨膜の表面を前記基体のみにより研磨し、前記被研磨膜の表面を平坦化する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。   According to one aspect of the present invention, from a foam in which a plurality of bubbles having an average diameter of 150 μm or less are introduced into a substrate while supplying an abrasive containing abrasive grains and an additive comprising a surfactant. There is provided a method for manufacturing a semiconductor device, which comprises a step of polishing a surface of a film to be polished formed on a semiconductor substrate only with the base using the polishing pad and flattening the surface of the film to be polished.

本発明によれば、気泡の周囲に殻が存在しない発泡体より成る研磨パッドを用いて被研磨膜を研磨するため、添加剤として界面活性剤が用いられている研磨剤を用いた場合であっても、被研磨膜の表面にスクラッチが生じるのを抑制することができる。しかも、本発明によれば、添加剤として界面活性剤が用いられている研磨剤を用いて被研磨膜を研磨するため、シリカより成る研磨砥粒とＫＯＨより成る添加剤とを含む研磨剤を用いた場合と比較して、良好な平坦性を実現することができる。従って、本発明によれば、信頼性を確保しつつ、半導体装置の微細化を実現することができる。   According to the present invention, the polishing target film is polished using a polishing pad made of a foam having no shell around bubbles, and therefore, a polishing agent using a surfactant as an additive is used. However, it is possible to suppress the generation of scratches on the surface of the film to be polished. In addition, according to the present invention, an abrasive containing abrasive grains made of silica and an additive made of KOH is used to polish a film to be polished using an abrasive in which a surfactant is used as an additive. Compared with the case where it uses, favorable flatness is realizable. Therefore, according to the present invention, miniaturization of a semiconductor device can be realized while ensuring reliability.

図１４は、提案されている半導体装置の製造方法において用いられる研磨パッドを示す断面図である。   FIG. 14 is a cross-sectional view showing a polishing pad used in the proposed method for manufacturing a semiconductor device.

図１４に示すように、研磨パッド３０４は、２枚のパッド層３０３ａ、３０３ｂを貼り合わせることにより構成されている。被研磨膜２２０を研磨する際に研磨面となる上層側のパッド層３０３ａは、例えば発泡ウレタンより成るものである。下層側のパッド層３０３ａは、例えば気泡が導入されていないウレタンより成るものである。   As shown in FIG. 14, the polishing pad 304 is configured by bonding two pad layers 303a and 303b. The upper pad layer 303a, which becomes the polishing surface when the polishing target film 220 is polished, is made of, for example, urethane foam. The lower pad layer 303a is made of, for example, urethane into which bubbles are not introduced.

上層側のパッド層３０３ａは、ウレタン等より成る高分子マトリックス（基材）３０５中に、多数の高分子微小エレメント３１０を含ませることにより構成されている（特許文献２参照）。高分子微小エレメント３１０は、殻（シェル）３０９の内部に空隙３０７が存在しているものである。高分子微小エレメント３１０は、中空バルーンとも称される（特許文献３参照）。   The upper layer pad layer 303a is configured by including a large number of polymer microelements 310 in a polymer matrix (base material) 305 made of urethane or the like (see Patent Document 2). The polymer microelement 310 has a void 307 inside a shell 309. The polymer microelement 310 is also referred to as a hollow balloon (see Patent Document 3).

パッド層３０３ａの表層部に存在する高分子微小エレメント３１０の殻３０９は、研磨パッド３０４の目立てを行う際や被研磨膜２２０を研磨する際等に破られる。このため、パッド層３０３ａの表面には、破れた殻３０９が存在している状態となる。より具体的には、パッド層３０３ａの表面においては、基材３０５から殻３０９の一部が突出している状態となる。   The shell 309 of the polymer microelement 310 present in the surface layer portion of the pad layer 303a is broken when the polishing pad 304 is sharpened or when the film to be polished 220 is polished. Therefore, a torn shell 309 is present on the surface of the pad layer 303a. More specifically, a part of the shell 309 protrudes from the base material 305 on the surface of the pad layer 303a.

被研磨膜２２０の表面にスクラッチが生ずる主な要因は、パッド層３０３ａの表面に突出している殻３０９が、被研磨膜２２０の表面に大きな圧力で押し付けられるためと考えられる。   It is considered that the main factor that causes scratches on the surface of the film to be polished 220 is that the shell 309 protruding from the surface of the pad layer 303a is pressed against the surface of the film to be polished 220 with a large pressure.

本願発明者は、鋭意検討した結果、気泡の周囲に殻が存在しない発泡体より成る研磨パッドを用いて被研磨膜を研磨することに想到した。気泡の周囲に殻が存在しない発泡体より成る研磨パッドを用いれば、パッド層の表面に突出した殻が被研磨膜の表面に大きな圧力で押し付けられることがないため、被研磨膜２２０の表面にスクラッチが生じるのを抑制することが可能となる。   As a result of intensive studies, the inventor of the present application has come up with the idea of polishing a film to be polished using a polishing pad made of a foam having no shell around bubbles. If a polishing pad made of a foam having no shell around bubbles is used, the shell protruding from the surface of the pad layer is not pressed against the surface of the film to be polished by a large pressure. It is possible to suppress the occurrence of scratches.

［一実施形態］
（研磨装置）
本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を説明するに先立って、本実施形態で用いられる研磨装置について図１乃至図４を用いて説明する。図１は、研磨装置を示す平面図である。図２は、図１に示す研磨装置の一部を示す側面図である。図３は、本実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる研磨パッドを示す断面図である。図４は、図１に示す研磨装置の一部を示す拡大側面図である。 [One Embodiment]
(Polishing equipment)
Prior to describing a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, a polishing apparatus used in the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view showing a polishing apparatus. FIG. 2 is a side view showing a part of the polishing apparatus shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the polishing pad used in the method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment. FIG. 4 is an enlarged side view showing a part of the polishing apparatus shown in FIG.

図１に示すように、基台１００上には、回転可能な研磨テーブル１０２ａ〜１０２ｃが３つ設けられている。   As shown in FIG. 1, three rotatable polishing tables 102 a to 102 c are provided on the base 100.

本実施形態では、例えば研磨テーブル１０２ａを用いて被研磨膜の表面を研磨する。なお、研磨テーブル１０２ｂ、１０２ｃを用いて被研磨膜の表面を研磨してもよい。   In the present embodiment, the surface of the film to be polished is polished using, for example, the polishing table 102a. Note that the surface of the film to be polished may be polished using the polishing tables 102b and 102c.

図２に示すように、研磨テーブル１０２ａ〜１０２ｃ上には、それぞれ研磨パッド１０４が設けられている。   As shown in FIG. 2, a polishing pad 104 is provided on each of the polishing tables 102a to 102c.

図３に示すように、研磨パッドは、２つのパッド層１０３ａ、１０３ｂを貼り合わせることにより構成されている。   As shown in FIG. 3, the polishing pad is configured by bonding two pad layers 103a and 103b.

被研磨膜を研磨する際に研磨面となる上層側のパッド層１０３ａは、例えば発泡ウレタンにより構成されている。発泡ウレタンは、ウレタンより成る基材１０５に複数の気泡１０７が導入されて成るものである。パッド層１０３ａは、独立気泡型の発砲ウレタンより成るものである。即ち、基材１０５中に導入された複数の気泡１０７は、一つ一つが独立して存在している。パッド層１０３ａとして独立気泡型の発砲体を用いているのは、適度な硬さの研磨面を得るとともに、研磨面が摩耗した際においても均質な研磨面を得るためである。   The upper layer pad layer 103a, which becomes a polishing surface when polishing the film to be polished, is made of, for example, urethane foam. The urethane foam is formed by introducing a plurality of bubbles 107 into a base material 105 made of urethane. The pad layer 103a is made of closed cell foamed urethane. That is, each of the plurality of bubbles 107 introduced into the substrate 105 exists independently. The reason why the closed cell foam is used as the pad layer 103a is to obtain a polished surface having an appropriate hardness and a uniform polished surface even when the polished surface is worn.

気泡１０７の周りには、殻３０９（図１４参照）が存在していない。即ち、パッド層１０３ａは、微小エレメント３１０（中空バルーン、中空体）を用いることなく、基材１０５内に気泡１０７が導入された発泡体により構成されている。気泡１０７の周りに殻３０９が存在していないため、被研磨膜の表面は基材１０５のみにより研磨される。被研磨膜の表面に大きい圧力で殻３０９が押し付けられることがないため、被研磨膜の表面にスクラッチが生じるのを抑制することが可能となる。   A shell 309 (see FIG. 14) does not exist around the bubble 107. That is, the pad layer 103a is configured by a foam in which the bubbles 107 are introduced into the base material 105 without using the microelement 310 (hollow balloon, hollow body). Since the shell 309 does not exist around the bubble 107, the surface of the film to be polished is polished only by the base material 105. Since the shell 309 is not pressed against the surface of the film to be polished by a large pressure, it is possible to suppress the generation of scratches on the surface of the film to be polished.

気泡１０７の平均直径は、１５０μｍ以下とすることが極めて重要である。具体的には、気泡１０７の直径は、３０〜４０μｍ程度となっている。気泡１０７の平均直径が１５０μｍ以下の発泡体を用いるのは、以下のような理由によるものである。   It is extremely important that the average diameter of the bubbles 107 be 150 μm or less. Specifically, the diameter of the bubble 107 is about 30 to 40 μm. The reason why the foam having the average diameter of the bubbles 107 of 150 μm or less is used is as follows.

即ち、平均直径が１５０μｍ以下の気泡１０７を基質１０５中に均一に導入した場合には、柔軟性が高く、しかも均質な研磨面が得られる。このため、気泡１０７の平均直径が１５０μｍ以下の発泡体をパッド層１０３ａとして用いれば、被研磨膜の表面を均一に研磨することが可能となる。   That is, when bubbles 107 having an average diameter of 150 μm or less are uniformly introduced into the substrate 105, a highly polished and uniform polished surface can be obtained. Therefore, if a foam having an average diameter of the bubbles 107 of 150 μm or less is used as the pad layer 103a, the surface of the film to be polished can be uniformly polished.

一方、平均直径が１５０μｍより大きい気泡を基質中に導入した場合には、良好な柔軟性が得られず、また、研磨面も不均一となる。このため、気泡１０７の平均直径が１５０μｍより大きい発泡体をパッド層１０３ａとして用いた場合には、被研磨膜の表面を均一に研磨することが困難となる。   On the other hand, when bubbles having an average diameter larger than 150 μm are introduced into the substrate, good flexibility cannot be obtained, and the polished surface is not uniform. For this reason, when a foam having an average diameter of the bubbles 107 larger than 150 μm is used as the pad layer 103a, it is difficult to uniformly polish the surface of the film to be polished.

このような理由により、基質１０５中に導入する気泡１０７の平均直径は１５０μｍ以下とすることが極めて重要である。   For these reasons, it is extremely important that the average diameter of the bubbles 107 introduced into the substrate 105 is 150 μm or less.

下層側のパッド層１０３ｂは、独立した気泡が敢えて導入されていないウレタンにより構成されている。下層側のパッド層１０３ｂの硬さは、上層側のパッド層１０３ａの硬さより軟らかくなっている。このような研磨パッド１０４としては、例えば東洋紡績株式会社製の研磨パッド（型番：ＮＰ２０００）を挙げることができる。   The lower pad layer 103b is made of urethane into which independent bubbles are not intentionally introduced. The hardness of the lower pad layer 103b is softer than the hardness of the upper pad layer 103a. An example of such a polishing pad 104 is a polishing pad (model number: NP2000) manufactured by Toyobo Co., Ltd.

なお、気泡の周囲に殻が存在しない研磨パッドの製造方法、即ち、中空バルーンを用いることなく研磨パッドを製造する方法については、特許文献３に記載されている。   A method for producing a polishing pad in which no shell is present around the bubbles, ie, a method for producing a polishing pad without using a hollow balloon is described in Patent Document 3.

図１に示すように、基台１００上には、アーム１０８ａ〜１０８ｄを有するカルーセル１１０が設けられている。   As shown in FIG. 1, a carousel 110 having arms 108 a to 108 d is provided on the base 100.

アーム１０８ａ〜１０８ｄには、回転可能な研磨ヘッド１１２ａ〜１１２ｄがそれぞれ設けられている。カルーセル１１０を適宜回転させることにより、研磨ヘッド１１２ａ〜１１２ｄを移動させることが可能である。   The arms 108a to 108d are respectively provided with rotatable polishing heads 112a to 112d. By appropriately rotating the carousel 110, the polishing heads 112a to 112d can be moved.

図２に示すように、研磨ヘッド１１２ａ〜１１２ｄは、半導体基板１０を支持する。研磨ヘッド１１２ａ〜１１２ｄは、半導体基板１０を回転させながら、半導体基板１０を研磨パッド１０４に押し付ける。   As shown in FIG. 2, the polishing heads 112 a to 112 d support the semiconductor substrate 10. The polishing heads 112 a to 112 d press the semiconductor substrate 10 against the polishing pad 104 while rotating the semiconductor substrate 10.

研磨テーブル１０２ａ〜１０２ｃの上方には、それぞれ複数のノズル１２４ａ、１２４ｂが設けられている。ノズル１２４ａは、研磨剤を研磨パッド１０４上に供給するためのものである。ノズル１２４ｂは、純水を研磨パッド１０４上に供給するためのものである。   A plurality of nozzles 124a and 124b are provided above the polishing tables 102a to 102c, respectively. The nozzle 124 a is for supplying an abrasive onto the polishing pad 104. The nozzle 124 b is for supplying pure water onto the polishing pad 104.

図１に示すように、研磨テーブル１０２ａ〜１０２ｃの側部には、研磨パッド１０４の目立てを行うための目立て装置１１４ａ〜１１４ｃがそれぞれ設けられている。   As shown in FIG. 1, sharpening devices 114 a to 114 c for sharpening the polishing pad 104 are provided on the sides of the polishing tables 102 a to 102 c, respectively.

図４に示すように、目立て装置１１４は、ダイヤモンドディスク１１６を有している。ダイヤモンドディスク１１６は、例えばステンレスより成る台金１１８に、例えば１５０μｍ程度の粒状のダイヤモンド１２０を固定することにより構成されている。ダイヤモンド１２０は、１ｃｍ２当たり数個程度配置されている。ダイヤモンド１２０は、例えばニッケルめっき層１２２により台金１１８に固定されている。 As shown in FIG. 4, the sharpening device 114 has a diamond disk 116. The diamond disk 116 is configured by fixing a granular diamond 120 of, for example, about 150 μm to a base metal 118 made of, for example, stainless steel. About several diamonds 120 are arranged per 1 cm 2 . The diamond 120 is fixed to the base metal 118 by, for example, a nickel plating layer 122.

こうして、本実施形態で用いられる研磨装置が構成されている。   Thus, the polishing apparatus used in this embodiment is configured.

（半導体装置の製造方法）
本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を図１乃至図１１を用いて説明する。図５及び図６は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。 (Method for manufacturing semiconductor device)
A method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6 are process cross-sectional views illustrating the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment.

図５（ａ）に示すように、例えばシリコンより成る半導体基板１０上の全面に、例えば熱酸化法により、厚さ１０ｎｍのシリコン酸化膜１２を形成する。   As shown in FIG. 5A, a silicon oxide film 12 having a thickness of 10 nm is formed on the entire surface of a semiconductor substrate 10 made of, for example, silicon by, eg, thermal oxidation.

次に、全面に、例えばＣＶＤ法により、シリコン窒化膜１４を形成する。シリコン窒化膜１４の膜厚は、例えば１００ｎｍ程度とする。   Next, a silicon nitride film 14 is formed on the entire surface by, eg, CVD. The film thickness of the silicon nitride film 14 is, eg, about 100 nm.

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シリコン窒化膜１４及びシリコン酸化膜１２に半導体基板１０に達する開口部１６を形成する。   Next, an opening 16 reaching the semiconductor substrate 10 is formed in the silicon nitride film 14 and the silicon oxide film 12 by using a photolithography technique.

開口部１６が形成されたシリコン窒化膜１４をマスクとして、半導体基板１０を異方性エッチングする。これにより、半導体基板１０にトレンチ１８が形成される。トレンチ１８の深さは、シリコン窒化膜１４の表面から例えば３００ｎｍ程度とする。   The semiconductor substrate 10 is anisotropically etched using the silicon nitride film 14 in which the opening 16 is formed as a mask. As a result, a trench 18 is formed in the semiconductor substrate 10. The depth of the trench 18 is, for example, about 300 nm from the surface of the silicon nitride film 14.

図５（ｂ）に示すように、全面に、例えば高密度プラズマＣＶＤ法により、シリコン酸化膜２０を形成する。シリコン酸化膜２０の膜厚は、例えば４５０ｎｍとする。こうして、トレンチ１８内にシリコン酸化膜２０が埋め込まれ、表面に凹凸が存在するシリコン酸化膜２０が形成される。シリコン酸化膜２０は、被研磨膜となるものである。   As shown in FIG. 5B, a silicon oxide film 20 is formed on the entire surface by, eg, high density plasma CVD. The film thickness of the silicon oxide film 20 is 450 nm, for example. In this way, the silicon oxide film 20 is buried in the trench 18, and the silicon oxide film 20 having irregularities on the surface is formed. The silicon oxide film 20 is a film to be polished.

次に、半導体基板１０を、研磨ヘッド１１２ａ（図２参照）により支持する。この際、被研磨膜であるシリコン酸化膜２０が下面側に位置するようにする。   Next, the semiconductor substrate 10 is supported by the polishing head 112a (see FIG. 2). At this time, the silicon oxide film 20 as the film to be polished is positioned on the lower surface side.

次に、カルーセル１１０を反時計回りに９０度程度回転させる。これにより、半導体基板１０を支持する研磨ヘッド１１２ａが、上面に研磨パッド１０４が設けられた研磨テーブル１０２ａ上に位置することとなる。   Next, the carousel 110 is rotated about 90 degrees counterclockwise. As a result, the polishing head 112a that supports the semiconductor substrate 10 is positioned on the polishing table 102a provided with the polishing pad 104 on the upper surface.

図５（ｃ）に示すように、ＣＭＰ法により、半導体基板１０に形成された被研磨膜２０に対してメイン研磨を行う。   As shown in FIG. 5C, main polishing is performed on the polishing target film 20 formed on the semiconductor substrate 10 by CMP.

メイン研磨は、以下のようにして行う。即ち、研磨ヘッド１１２ａにより半導体基板１０を回転させながら、研磨ヘッド１１２ａを降下させ、被研磨膜２０の表面を研磨パッド１０４の表面に押し付ける。この際、研磨テーブル１０２ａを回転させるとともに、ノズル１２４ａを介して研磨パッド１０４上に研磨剤を供給する。   The main polishing is performed as follows. That is, the polishing head 112 a is lowered while rotating the semiconductor substrate 10 by the polishing head 112 a, and the surface of the polishing target film 20 is pressed against the surface of the polishing pad 104. At this time, the polishing table 102a is rotated and an abrasive is supplied onto the polishing pad 104 through the nozzle 124a.

メイン研磨の際における研磨条件は、以下の通りとする。   The polishing conditions in the main polishing are as follows.

研磨ヘッド１１２ａを研磨パッド１０４に押し付ける圧力、即ち、研磨圧力は、例えば３５０ｇ重／ｃｍ２とする。研磨ヘッド１１２ａの回転数は、例えば１１８回転／分とする。研磨テーブル１１２ａの回転数は、例えば１２０回転／分とする。研磨剤の供給量は、例えば０．２リットル／分とする。 The pressure for pressing the polishing head 112a against the polishing pad 104, that is, the polishing pressure is, for example, 350 g weight / cm 2 . The number of rotations of the polishing head 112a is, for example, 118 rotations / minute. The number of rotations of the polishing table 112a is, for example, 120 rotations / minute. The supply amount of the abrasive is, for example, 0.2 liter / min.

なお、メイン研磨を行う際の条件は、上記に限定されるものではなく、適宜設定すればよい。   The conditions for performing the main polishing are not limited to the above, and may be set as appropriate.

研磨剤としては、研磨砥粒と界面活性剤より成る添加剤とを含む研磨剤を用いる。このような研磨剤では、研磨砥粒として、例えば酸化セリウム（セリア）が用いられている。また、このような研磨剤では、添加剤として、例えばポリアクリル酸アンモニウム塩等が用いられている。このような研磨剤としては、例えば、ＥＫＣテクノロジー株式会社製の研磨剤（型番：Ｍｉｃｒｏ Ｐｌａｎｅｒ ＳＴＩ２１００）を挙げることができる。   As the abrasive, an abrasive containing abrasive grains and an additive composed of a surfactant is used. In such an abrasive, for example, cerium oxide (ceria) is used as abrasive grains. In such an abrasive, for example, polyacrylic acid ammonium salt or the like is used as an additive. As such an abrasive | polishing agent, the abrasive | polishing agent (model number: Micro Planer STI2100) by EKC Technology Co., Ltd. can be mentioned, for example.

図７は、本実施形態で用いられる研磨剤の特性を示すグラフである。横軸は研磨圧力を示している。縦軸は研磨速度、即ち研磨レートを示している。   FIG. 7 is a graph showing characteristics of the abrasive used in this embodiment. The horizontal axis represents the polishing pressure. The vertical axis represents the polishing rate, that is, the polishing rate.

図７から分かるように、本実施形態で用いられる研磨剤は、ある研磨圧力を境界として、その境界より小さい研磨圧力においては研磨速度が遅く、その境界より大きい研磨圧力においては研磨圧力にほぼ比例して研磨速度が速くなる。   As can be seen from FIG. 7, the polishing agent used in the present embodiment has a certain polishing pressure as a boundary, the polishing speed is slow at a polishing pressure smaller than the boundary, and is substantially proportional to the polishing pressure at a polishing pressure larger than the boundary. As a result, the polishing rate increases.

図８は、研磨速度が変化するメカニズムを示す概念図である。   FIG. 8 is a conceptual diagram showing a mechanism for changing the polishing rate.

図８（ａ）に示すように、被研磨膜２０の表面に凹凸が存在している状態においては、被研磨膜２０の凸部における角の部分に圧力が集中するため、被研磨膜２０の凸部における角の部分に高い圧力が加わる。このため、被研磨膜２０の凸部が速い研磨レートで研磨され、被研磨膜２０は速い研磨速度で平坦化される。そして、上述したように、研磨ヘッド１１２を研磨パッド１０４に押し付ける際における研磨圧力を大きく設定するほど、被研磨膜２０に対する研磨速度は速くなる傾向にある。   As shown in FIG. 8A, in the state where the surface of the film to be polished 20 has unevenness, the pressure concentrates on the corners of the convex portions of the film to be polished 20. High pressure is applied to the corners of the protrusions. Therefore, the convex portion of the film to be polished 20 is polished at a high polishing rate, and the film to be polished 20 is flattened at a high polishing rate. As described above, the polishing rate for the film to be polished 20 tends to increase as the polishing pressure when pressing the polishing head 112 against the polishing pad 104 is set larger.

なお、研磨ヘッド１１２を研磨パッド１０４に押し付ける際の研磨圧力を大きく設定するほど、被研磨膜２０に対する研磨速度が速くなるのは、研磨圧力を大きく設定するほど、研磨剤中に添加剤として含まれている界面活性剤が被研磨膜の凸部の角部から剥がれやすくなり、被研磨膜２０に対する研磨が界面活性剤により阻害されにくくなるためと考えられる。   The larger the polishing pressure when pressing the polishing head 112 against the polishing pad 104, the faster the polishing rate for the film 20 to be polished. The higher the polishing pressure is set, the more the additive is included in the polishing agent. This is presumably because the surface active agent is easily peeled off from the corners of the convex portion of the film to be polished, and the polishing of the film to be polished 20 is not easily inhibited by the surfactant.

これに対し、図８（ｂ）に示すように被研磨膜２０の表面がほぼ平坦化された状態においては、高い圧力が一部に集中して加わることはなく、被研磨膜２０に加わる圧力は全体として平均化される。このため、被研磨膜２０に対する研磨速度は極めて遅くなる。   On the other hand, as shown in FIG. 8B, in the state where the surface of the film to be polished 20 is substantially flattened, a high pressure is not applied to a part of the film, but the pressure applied to the film to be polished 20 Are averaged as a whole. Therefore, the polishing rate for the film to be polished 20 is extremely slow.

なお、表面が平坦化された被研磨膜２０に対して研磨速度が遅くなるのは、研磨剤中に添加剤として含まれている界面活性剤が剥がれにくくなり、被研磨膜２０に対する研磨が界面活性剤により阻害されるためと考えられる。   Note that the polishing rate becomes slower with respect to the polishing target film 20 whose surface is flattened because the surfactant contained as an additive in the polishing agent is less likely to be peeled off, and polishing with respect to the polishing target film 20 is performed at the interface. This is thought to be due to inhibition by the active agent.

メイン研磨の終点検出は、研磨テーブル１０２ａのトルクの変化に基づいて行う。   The end point of the main polishing is detected based on a change in torque of the polishing table 102a.

メイン研磨の際における研磨テーブル１０２ａのトルクは、例えば図９に示すように変化する。図９は、研磨テーブルのトルクの変化を概念的に示すグラフである。   For example, the torque of the polishing table 102a during main polishing changes as shown in FIG. FIG. 9 is a graph conceptually showing a change in torque of the polishing table.

被研磨膜２０に対する研磨の初期の段階においては、図９に示すように研磨テーブル１０２ａのトルクは殆ど変化しない。この後、被研磨膜２０の表面が平坦化されて行くに伴って、研磨テーブル１０２ａのトルクは上昇していく。そして、被研磨膜２０の表面がほぼ平坦化されると、図９に示すように、研磨テーブル１０２ａのトルクは殆ど変化しなくなる。このため、単位時間当たりのトルクの変化を観測することにより、終点検出を行うことができる。具体的には、単位時間当たりのトルクの変化量が一定値より小さくなった時点を、研磨の終点とすることができる。   In the initial stage of polishing of the film to be polished 20, the torque of the polishing table 102a hardly changes as shown in FIG. Thereafter, as the surface of the polishing target film 20 is flattened, the torque of the polishing table 102a increases. Then, when the surface of the film to be polished 20 is substantially flattened, the torque of the polishing table 102a hardly changes as shown in FIG. Therefore, the end point can be detected by observing the change in torque per unit time. Specifically, the time point at which the amount of change in torque per unit time becomes smaller than a certain value can be set as the polishing end point.

なお、ここでは、メイン研磨の終点検出を研磨テーブル１０２ａのトルクに基づいて行う場合を例に説明したが、メイン研磨の終点を検出する方法はこれに限定されるものではなく、他の方法を用いてメイン研磨の終点を検出してもよい。例えば、研磨テーブル１０２ａの駆動電圧や駆動電流を観測することにより、終点検出を行ってもよい。研磨テーブルの駆動電流や駆動電圧も、研磨テーブルのトルクと同様に変化する。また、研磨ヘッド１１２ａのトルク、駆動電圧、又は駆動電流等を観測することによっても、終点検出を行うことが可能である。   Here, the case where the end point detection of the main polishing is performed based on the torque of the polishing table 102a has been described as an example, but the method of detecting the end point of the main polishing is not limited to this, and other methods are used. It may be used to detect the end point of main polishing. For example, the end point may be detected by observing the driving voltage or driving current of the polishing table 102a. The drive current and drive voltage of the polishing table also change in the same manner as the torque of the polishing table. The end point can also be detected by observing the torque, drive voltage, drive current, or the like of the polishing head 112a.

こうして、被研磨膜２０の表面が平坦化されたことが、上記のような終点検出方法により検出される。   In this way, the planarization of the surface of the film to be polished 20 is detected by the end point detection method as described above.

こうして、被研磨膜２０の表面が平坦化され、メイン研磨が終了する（図５（ｃ）参照）。   Thus, the surface of the film to be polished 20 is flattened, and the main polishing is completed (see FIG. 5C).

なお、研磨パッド１０４の目立てを、メイン研磨を行う前に行ってもよいし、メイン研磨中に行ってもよい。   The polishing pad 104 may be sharpened before the main polishing or during the main polishing.

研磨パッド１０４の目立てを行う際の条件は、例えば以下の通りとする。   The conditions for sharpening the polishing pad 104 are, for example, as follows.

ダイヤモンドディスク１１６が研磨パッド１０４に加える荷重は、例えば５０ｇ重／ｃｍ２とする。 The load that the diamond disk 116 applies to the polishing pad 104 is, for example, 50 g weight / cm 2 .

ダイヤモンドディスク１１６の回転数は、例えば９８回転／分とする。   The number of revolutions of the diamond disk 116 is, for example, 98 revolutions / minute.

研磨テーブル１０２ａの回転数は、例えば１００回転／分とする。   The number of rotations of the polishing table 102a is, for example, 100 rotations / minute.

目立てを行う際に研磨パッド１０４上に供給する純水の供給量は、例えば０．２リットル／分とする。   The amount of pure water supplied onto the polishing pad 104 when sharpening is set to 0.2 liter / min, for example.

研磨パッド１０４の目立てを行う時間は、例えば３０秒とする。   The time for sharpening the polishing pad 104 is, for example, 30 seconds.

メイン研磨が終了した段階では、図５（ｃ）に示すように、シリコン窒化膜１４上に被研磨膜２０が残っている。シリコン窒化膜１４上に被研磨膜２０が残っていると、シリコン窒化膜１４及びシリコン酸化膜１２をエッチング除去することができないため、シリコン窒化膜１４上の被研磨膜２０を除去しなければならない。このため、メイン研磨が終了した後には、引き続いて、シリコン窒化膜１４上の被研磨膜２０を除去するための仕上げ研磨を行う。   At the stage where the main polishing is completed, the polishing target film 20 remains on the silicon nitride film 14 as shown in FIG. If the polishing target film 20 remains on the silicon nitride film 14, the silicon nitride film 14 and the silicon oxide film 12 cannot be removed by etching, so the polishing target film 20 on the silicon nitride film 14 must be removed. . For this reason, after the main polishing is completed, finish polishing for removing the polishing target film 20 on the silicon nitride film 14 is subsequently performed.

仕上げ研磨は、以下のようにして行う。即ち、研磨剤を供給するのを止め、ノズル１２４ｂを介して純水を供給しながら、研磨ヘッド１１２ａを回転させる。この際、研磨テーブル１０２ａも回転させる。仕上げ研磨の時間は、所定時間とする。ここでは、仕上げ研磨の時間を、例えば３０秒程度とする。   Final polishing is performed as follows. That is, the supply of the polishing agent is stopped, and the polishing head 112a is rotated while supplying pure water through the nozzle 124b. At this time, the polishing table 102a is also rotated. The time for final polishing is a predetermined time. Here, the finish polishing time is set to about 30 seconds, for example.

仕上げ研磨を開始する際には、被研磨膜２０の表面には、メイン研磨の際に用いられた研磨剤が付着している。また、研磨パッド１０４の表面にも、研磨剤が付着している。研磨剤に含まれていた界面活性剤より成る添加剤は水溶性であるため、純水を供給すると、添加剤は短時間で除去される。一方、研磨剤に含まれていた研磨砥粒は、水溶性ではないため、除去されにくく、研磨パッド１０４と被研磨膜２０との間に残ることとなる。添加剤は、被研磨膜の表面が平坦化された際に、被研磨膜２０の研磨速度を遅くするのに寄与していたものである。このような添加剤が短時間に除去される一方、研磨に寄与する研磨砥粒は研磨パッド１０４と被研磨膜２０との間に残るため、被研磨膜２０を研磨砥粒により更に研磨することができる。   When starting the final polishing, the polishing agent used in the main polishing is attached to the surface of the polishing target film 20. Further, the abrasive is also attached to the surface of the polishing pad 104. Since the additive composed of the surfactant contained in the abrasive is water-soluble, when pure water is supplied, the additive is removed in a short time. On the other hand, since the abrasive grains contained in the abrasive are not water-soluble, they are difficult to remove and remain between the polishing pad 104 and the film to be polished 20. The additive contributes to slowing down the polishing rate of the polishing target film 20 when the surface of the polishing target film is flattened. While such an additive is removed in a short time, the abrasive grains that contribute to the polishing remain between the polishing pad 104 and the film 20 to be polished. Therefore, the film 20 to be polished is further polished with the abrasive grains. Can do.

なお、このように、研磨剤を供給するのを止め、純水を供給しながら被研磨膜２０を研磨する技術は、水ポリッシュと称されている。   Note that the technique of polishing the film to be polished 20 while stopping the supply of the abrasive and supplying pure water in this way is called water polish.

仕上げ研磨を行う際における研磨条件は、例えば以下のように設定する。   The polishing conditions for performing the final polishing are set as follows, for example.

研磨ヘッド１１２ａを研磨パッドに押し付ける研磨圧力は、例えば２００ｇ重／ｃｍ２とする。研磨ヘッド１１２ａの回転数は、例えば１１８回転／分とする。研磨テーブルの回転数は、例えば１２０回転／分とする。純水１２８の供給量は、例えば０．３リットル／分とする。 The polishing pressure for pressing the polishing head 112a against the polishing pad is, for example, 200 g weight / cm 2 . The number of rotations of the polishing head 112a is, for example, 118 rotations / minute. The number of revolutions of the polishing table is, for example, 120 revolutions / minute. The supply amount of the pure water 128 is, for example, 0.3 liter / min.

なお、仕上げ研磨を行う際における研磨条件は、上記に限定されるものではなく、適宜設定すればよい。   Note that the polishing conditions for performing the final polishing are not limited to the above, and may be set as appropriate.

こうして、仕上げ研磨が終了し、シリコン窒化膜１４上のシリコン酸化膜２０が除去される（図６（ａ）参照）。   Thus, the finish polishing is completed, and the silicon oxide film 20 on the silicon nitride film 14 is removed (see FIG. 6A).

次に、半導体基板１０に対して洗浄を行う。半導体基板１０の洗浄は、例えば以下のようにして行う。即ち、まず、例えば０．３ｗｔ％のアンモニア水溶液を用い、半導体基板１０の表面をブラシにより洗浄する。この後、例えば０．５ｗｔ％のフッ酸を用い、半導体基板１０の表面を更にブラシにより洗浄する。この後、半導体基板１０に対して純水リンスを行う。この後、半導体基板１０を乾燥させる。このようにして、半導体基板１０が洗浄される。   Next, the semiconductor substrate 10 is cleaned. The semiconductor substrate 10 is cleaned as follows, for example. That is, first, for example, a 0.3 wt% aqueous ammonia solution is used, and the surface of the semiconductor substrate 10 is cleaned with a brush. Thereafter, the surface of the semiconductor substrate 10 is further cleaned with a brush using, for example, 0.5 wt% hydrofluoric acid. Thereafter, the semiconductor substrate 10 is rinsed with pure water. Thereafter, the semiconductor substrate 10 is dried. In this way, the semiconductor substrate 10 is cleaned.

次に、図６（ｂ）に示すように、シリコン窒化膜１４及びシリコン酸化膜１２をエッチング除去する。トレンチ１８内に埋め込まれたシリコン酸化膜２０より成る素子分離領域２１により、素子領域２２が画定される。   Next, as shown in FIG. 6B, the silicon nitride film 14 and the silicon oxide film 12 are removed by etching. An element region 22 is defined by an element isolation region 21 made of a silicon oxide film 20 embedded in the trench 18.

この後、素子領域２２内に、トランジスタ等（図示せず）を形成する。   Thereafter, a transistor or the like (not shown) is formed in the element region 22.

こうして、本実施形態による半導体装置が製造される。   Thus, the semiconductor device according to the present embodiment is manufactured.

（評価結果）
次に、被研磨膜の表面に生ずるスクラッチの数の評価結果について説明する。 (Evaluation results)
Next, the evaluation result of the number of scratches generated on the surface of the film to be polished will be described.

まず、研磨砥粒と界面活性剤より成る添加剤とを含む研磨剤を用いて研磨を行った場合について説明する。   First, the case where it grind | polishes using the abrasive | polishing agent containing the abrasive grain and the additive which consists of surfactant is demonstrated.

図１０は、研磨砥粒と界面活性剤より成る添加剤とを含む研磨剤を用いて研磨を行った場合におけるスクラッチの数を示すグラフである。   FIG. 10 is a graph showing the number of scratches when polishing is performed using an abrasive containing abrasive grains and an additive composed of a surfactant.

実施例１〜４は、本実施形態による半導体装置の製造方法、即ち、気泡１０７の周囲に殻が存在しない発泡体より成る研磨パッド１０４を用いて被研磨膜２０の表面を研磨した場合を示している。気泡の周囲に殻が存在しない研磨パッドとしては、東洋紡績株式会社製の研磨パッド（型番：ＮＰ２０００）を用いた。   Examples 1 to 4 show the method of manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment, that is, the case where the surface of the film to be polished 20 is polished using the polishing pad 104 made of a foam having no shell around the bubbles 107. ing. A polishing pad (model number: NP2000) manufactured by Toyobo Co., Ltd. was used as a polishing pad having no shell around the bubbles.

比較例１〜４は、提案されている半導体装置の製造方法、即ち、気泡３０７の周囲に殻３０９が存在する発泡体より成る研磨パッド３０４を用いて被研磨膜の表面を研磨した場合を示している。気泡の周囲に殻が存在する研磨パッドとしては、ローデルニッタ株式会社製の研磨パッド（型番：ＩＣ１４００）を用いた。   Comparative Examples 1 to 4 show a proposed method for manufacturing a semiconductor device, that is, a case where the surface of a film to be polished is polished using a polishing pad 304 made of a foam in which a shell 309 exists around a bubble 307. ing. A polishing pad (model number: IC1400) manufactured by Rodel Nitta Co., Ltd. was used as the polishing pad having shells around the bubbles.

スクラッチの数を評価する際には、ケーエルエー・テンコール株式会社製のウェハ欠陥検査装置（型番：ＡＩＴ−ＸＰ）を用いた。   When evaluating the number of scratches, a wafer defect inspection apparatus (model number: AIT-XP) manufactured by KLA-Tencor Corporation was used.

比較例１〜４、即ち、気泡３０７の周囲に殻３０９が存在する発泡体より成る研磨パッド３０４を用いた場合には、スクラッチの数が３５〜５５箇所程度と比較的多かった。   In Comparative Examples 1 to 4, that is, when the polishing pad 304 made of a foam having a shell 309 around the bubble 307 was used, the number of scratches was relatively large, about 35 to 55.

これに対し、実施例１〜４、即ち、気泡１０７の周囲に殻が存在しない発泡体より成る研磨パッド１０４を用いた場合には、スクラッチの数は１０〜２０箇所程度と比較的少なかった。   On the other hand, when Examples 1-4 were used, that is, when the polishing pad 104 made of a foam having no shell around the bubbles 107 was used, the number of scratches was relatively small at about 10 to 20 locations.

これらの結果から、本実施形態によれば、被研磨膜２０の表面にスクラッチが生じるのを抑制し得ることが分かる。   From these results, it can be seen that according to the present embodiment, the generation of scratches on the surface of the polishing target film 20 can be suppressed.

次に、シリカより成る研磨砥粒とＫＯＨより成る添加剤とを含む研磨剤、即ち、界面活性剤より成る添加剤を含まない研磨剤を用いて研磨を行った場合について説明する。図１１は、シリカより成る研磨砥粒とＫＯＨより成る添加剤とを含む研磨剤を用いて研磨を行った場合におけるスクラッチの数を示すグラフである。   Next, a case where polishing is performed using an abrasive containing abrasive grains made of silica and an additive made of KOH, that is, an abrasive not containing an additive made of a surfactant will be described. FIG. 11 is a graph showing the number of scratches when polishing is performed using an abrasive containing abrasive grains made of silica and an additive made of KOH.

比較例５〜８は、気泡１０７の周囲に殻が存在しない発泡体より成る研磨パッド１０４を用いて被研磨膜の表面を研磨した場合を示している。気泡１０７の周囲に殻が存在しない研磨パッド１０４としては、上記と同様に、東洋紡績株式会社製の研磨パッド（型番：ＮＰ２０００）を用いた。   Comparative Examples 5 to 8 show cases where the surface of the film to be polished was polished using a polishing pad 104 made of a foam having no shell around the bubble 107. As the polishing pad 104 having no shell around the bubbles 107, a polishing pad (model number: NP2000) manufactured by Toyobo Co., Ltd. was used in the same manner as described above.

比較例９〜１２は、気泡３０７の周囲に殻３０９が存在する発泡体より成る研磨パッド３０４を用いて被研磨膜の表面を研磨した場合を示している。気泡の周囲に殻が存在する研磨パッドとしては、上記と同様に、ローデルニッタ株式会社製の研磨パッド（型番：ＩＣ１４００）を用いた。   Comparative Examples 9 to 12 show a case where the surface of the film to be polished is polished using a polishing pad 304 made of a foam in which a shell 309 exists around the bubble 307. A polishing pad (model number: IC1400) manufactured by Rodel Nitta Co., Ltd. was used as the polishing pad having shells around the bubbles.

研磨条件は、以下の通りとした。研磨ヘッド１１２ａを研磨パッド１０４に押し付ける圧力、即ち、研磨圧力は、例えば３５０ｇ重／ｃｍ２とした。研磨ヘッド１１２ａの回転数は、例えば９８回転／分とした。研磨テーブル１０２ａの回転数は、例えば１００回転／分とした。研磨パッド１０４上に供給する研磨剤の供給量は、例えば０．２リットル／分とした。 The polishing conditions were as follows. The pressure for pressing the polishing head 112a against the polishing pad 104, that is, the polishing pressure was, for example, 350 g weight / cm 2 . The number of revolutions of the polishing head 112a was, for example, 98 revolutions / minute. The number of rotations of the polishing table 102a was, for example, 100 rotations / minute. The supply amount of the polishing agent supplied onto the polishing pad 104 was, for example, 0.2 liter / min.

シリカより成る研磨砥粒とＫＯＨより成る添加剤とを含む研磨剤としては、キャボット社製のＳＳ２５を用いた。研磨剤を研磨パッド１０４上に供給する際には、研磨剤を純水により１：１に希釈した。   As an abrasive containing abrasive grains made of silica and an additive made of KOH, SS25 manufactured by Cabot Corporation was used. When supplying the abrasive onto the polishing pad 104, the abrasive was diluted 1: 1 with pure water.

スクラッチの数を評価する際には、上記と同様に、ケーエルエー・テンコール株式会社製のウェハ欠陥検査装置（型番：ＡＩＴ−ＸＰ）を用いた。   When evaluating the number of scratches, a wafer defect inspection apparatus (model number: AIT-XP) manufactured by KLA-Tencor Corporation was used in the same manner as described above.

比較例５〜８の場合、即ち、気泡１０７の周囲に殻が存在しない発泡体より成る研磨パッド１０４を用いた場合には、スクラッチの数は１５〜２０箇所程度と比較的少なかった。   In the case of Comparative Examples 5 to 8, that is, when the polishing pad 104 made of a foam having no shell around the bubbles 107 was used, the number of scratches was relatively small at about 15 to 20 locations.

また、比較例９〜１２、即ち、気泡３０７の周囲に殻３０９が存在する発泡体より成る研磨パッド３０４を用いた場合も、スクラッチの数は１５〜２０箇所程度と比較的少なかった。   Also, in the case of Comparative Examples 9 to 12, that is, when the polishing pad 304 made of a foam having a shell 309 around the bubbles 307 was used, the number of scratches was relatively small at about 15 to 20 locations.

これらの結果から、シリカより成る研磨砥粒とＫＯＨより成る添加剤とを含む研磨剤、即ち、添加剤として界面活性剤が用いられていない研磨剤を用いた場合には、研磨パッドの気泡の周囲に殻が存在しているか否かにかかわらず、被研磨膜の表面に生ずるスクラッチは比較的少ないことがわかる。   From these results, when an abrasive containing abrasive grains made of silica and an additive made of KOH, that is, an abrasive that does not use a surfactant as an additive, the bubbles of the polishing pad are used. It can be seen that there are relatively few scratches generated on the surface of the film to be polished regardless of whether or not shells are present in the periphery.

シリカより成る研磨砥粒とＫＯＨより成る添加剤とを含む研磨剤を用いた場合において、研磨パッドの気泡の周囲に殻が存在しているか否かに拘わらずスクラッチが比較的少ないのは、以下のような理由によるものと考えられる。即ち、シリカより成る研磨砥粒とＫＯＨより成る添加剤とを含む研磨剤を用いた場合には、被研磨膜の表面が平坦化された後においても研磨が進行する。このため、被研磨膜の表面にスクラッチが生じたとしても、その後に進行する研磨においてスクラッチが除去される。このため、シリカより成る研磨砥粒とＫＯＨより成る添加剤とを含む研磨剤を用いた場合には、気泡の周囲に殻が存在する研磨パッドを用いて研磨したとしても、スクラッチが累積することがないと考えられる。このような理由により、シリカより成る研磨砥粒とＫＯＨより成る添加剤とを含む研磨剤を用いた場合には、研磨パッドの気泡の周囲に殻が存在しているか否かに拘わらず、スクラッチが比較的少なくなるものと考えられる。   In the case of using an abrasive containing abrasive grains made of silica and an additive made of KOH, there is relatively little scratch regardless of whether or not a shell is present around the bubbles of the polishing pad. This is considered to be due to the following reasons. That is, when an abrasive containing abrasive grains made of silica and an additive made of KOH is used, polishing proceeds even after the surface of the film to be polished is flattened. For this reason, even if a scratch is generated on the surface of the film to be polished, the scratch is removed in the subsequent polishing. For this reason, when an abrasive containing abrasive grains made of silica and an additive made of KOH is used, even if polishing is performed using a polishing pad having a shell around bubbles, scratches accumulate. There seems to be no. For this reason, when an abrasive containing abrasive grains made of silica and an additive made of KOH is used, a scratch is formed regardless of whether or not a shell exists around the bubbles of the polishing pad. Is considered to be relatively small.

一方、添加剤として界面活性剤が用いられている研磨剤を用いた場合において、研磨パッドの気泡の周囲に殻が存在しているとスクラッチが比較的多くなるのは、以下のような理由によるものと考えられる。即ち、添加剤として界面活性剤が用いられている研磨剤を用いた場合には、被研磨膜の表面が平坦化されると研磨が殆ど進行しなくなる。このため、被研磨膜の表面が平坦化された後に生じたスクラッチは、極めて除去されにくい。このため、気泡の周囲に殻が存在する研磨パッドを用いた場合には、被研磨膜の表面にスクラッチが累積してしまうと考えられる。仕上げ研磨の際に除去される被研磨膜の厚さは、スクラッチの深さに比べて薄いため、仕上げ研磨によりスクラッチを除去することは困難である。このような理由により、添加剤として界面活性剤が用いられている研磨剤を用いた場合には、研磨パッドの気泡の周囲に殻が存在していると、スクラッチが比較的多くなるものと考えられる。   On the other hand, in the case of using an abrasive in which a surfactant is used as an additive, if there are shells around the bubbles of the polishing pad, the number of scratches is relatively large for the following reason. It is considered a thing. That is, when a polishing agent using a surfactant as an additive is used, polishing hardly progresses when the surface of the film to be polished is planarized. For this reason, scratches generated after the surface of the film to be polished is planarized are extremely difficult to remove. For this reason, when a polishing pad having a shell around bubbles is used, it is considered that scratches accumulate on the surface of the film to be polished. Since the thickness of the film to be polished that is removed in the final polishing is smaller than the depth of the scratch, it is difficult to remove the scratch by the final polishing. For these reasons, it is considered that when a polishing agent using a surfactant as an additive is used, if there is a shell around the bubbles in the polishing pad, the scratches are relatively increased. It is done.

このように本実施形態によれば、気泡１０７の周囲に殻が存在しない発泡体より成る研磨パッド１０４を用いて被研磨膜２０を研磨するため、添加剤として界面活性剤が用いられている研磨剤を用いた場合であっても、被研磨膜２０の表面にスクラッチが生じるのを抑制することができる。しかも、本実施形態によれば、添加剤として界面活性剤が用いられている研磨剤を用いて被研磨膜２０を研磨するため、シリカより成る研磨砥粒とＫＯＨより成る添加剤とを含む研磨剤を用いた場合と比較して、良好な平坦性を実現することができる。従って、本実施形態によれば、信頼性を確保しつつ、半導体装置の微細化を実現することができる。   As described above, according to the present embodiment, since the polishing target film 20 is polished using the polishing pad 104 made of a foam having no shell around the bubbles 107, polishing using a surfactant as an additive is performed. Even when the agent is used, it is possible to suppress the generation of scratches on the surface of the film to be polished 20. In addition, according to the present embodiment, since the film to be polished 20 is polished using an abrasive in which a surfactant is used as an additive, polishing including abrasive grains made of silica and an additive made of KOH. Compared with the case where an agent is used, good flatness can be realized. Therefore, according to the present embodiment, miniaturization of the semiconductor device can be realized while ensuring reliability.

（変形例）
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例を図１２を用いて説明する。図１２は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる研磨パッドを示す断面図である。 (Modification)
Next, a modification of the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS. FIG. 12 is a cross-sectional view showing a polishing pad used in the method of manufacturing a semiconductor device according to this modification.

図１２に示すように、本変形例で用いられる研磨パッド１０４ａは、単層のパッド層１０３ａにより構成されていることに主な特徴がある。   As shown in FIG. 12, the main feature of the polishing pad 104a used in this modification is that it is composed of a single-layer pad layer 103a.

パッド層１０３ａとしては、上記と同様に、例えば発泡ポリウレタンが用いられている。パッド層１０３ａに形成された気泡１０７の周囲には、上記と同様に、殻３０９（図１４参照）が存在していない。   As the pad layer 103a, for example, foamed polyurethane is used as described above. As described above, the shell 309 (see FIG. 14) does not exist around the bubbles 107 formed in the pad layer 103a.

このような単層のパッド層１０３ａにより構成された研磨パッド１０４ａを用いた場合であっても、上記と同様に、被研磨膜２０の表面にスクラッチが生じるのを抑制することができる。   Even when the polishing pad 104a configured by such a single-layer pad layer 103a is used, it is possible to suppress the occurrence of scratches on the surface of the polishing target film 20 in the same manner as described above.

［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。 [Modified Embodiment]
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.

例えば、上記実施形態では、パッド層１０３ａとして発泡ウレタンを用いる場合を例に説明したが、パッド層１０３ａは発泡ウレタンに限定されるものではない。気泡の周囲に殻が存在しない発泡体であれば、他のあらゆる材料より成る発泡体を適宜用いることができる。例えば、気泡の周囲に殻が存在していない発泡ポリエチレン等をパッド層１０３ａとして用いてもよい。   For example, in the above embodiment, the case where foamed urethane is used as the pad layer 103a has been described as an example, but the pad layer 103a is not limited to foamed urethane. As long as the foam does not have a shell around the bubbles, a foam made of any other material can be used as appropriate. For example, foamed polyethylene or the like in which no shell exists around the bubbles may be used as the pad layer 103a.

また、上記実施形態では、酸化セリウム（セリア）より成る研磨砥粒を含む研磨剤を用いる場合を例に説明したが、本発明は、研磨剤に含まれる研磨砥粒は酸化セリウムに限定されるものではない。即ち、表面に凹凸が存在する被研磨膜２０に対する研磨速度が比較的速く、表面がほぼ平坦化された被研磨膜２０に対しては研磨速度が遅くなるような特性を有する研磨剤を適宜用いることができる。例えば、酸化シリコン（シリカ）より成る研磨砥粒を含み、上記のような特性を有する研磨剤を用いてもよい。例えば、かかる研磨剤として、花王株式会社製のＫＳ−Ｓ−２１０を挙げることができる。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where the abrasive | polishing agent containing the abrasive grain which consists of cerium oxide (ceria) was used as an example, this invention is limited to the abrasive grain contained in an abrasive | polishing agent to cerium oxide. It is not a thing. That is, a polishing agent having such a characteristic that the polishing rate for the polishing target film 20 having unevenness on the surface is relatively high and the polishing rate for the polishing target film 20 whose surface is substantially flattened is appropriately used. be able to. For example, an abrasive containing abrasive grains made of silicon oxide (silica) and having the above characteristics may be used. For example, KS-S-210 manufactured by Kao Corporation can be cited as such an abrasive.

また、上記実施形態では、ＳＴＩ法により素子分離領域を形成する場合を例に説明したが、本発明の原理は、素子分離領域を形成する場合に限定されるものではなく、被研磨膜の表面を研磨する際に広く適用することができる。   In the above embodiment, the case where the element isolation region is formed by the STI method has been described as an example. However, the principle of the present invention is not limited to the case where the element isolation region is formed. It can be widely applied when polishing.

また、上記実施形態では、被研磨膜２０がシリコン酸化膜である場合を例に説明したが、被研磨膜２０はシリコン酸化膜に限定されるものではない。本発明の原理は、他のあらゆる材料よりなる被研磨膜２０を研磨する際に適用することが可能である。   Moreover, although the said embodiment demonstrated to the example the case where the to-be-polished film 20 was a silicon oxide film, the to-be-polished film 20 is not limited to a silicon oxide film. The principle of the present invention can be applied when polishing the polishing target film 20 made of any other material.

研磨装置を示す平面図である。It is a top view which shows a grinding | polishing apparatus. 図１に示す研磨装置の一部を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing a part of the polishing apparatus shown in FIG. 1. 本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる研磨パッドを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the polishing pad used in the manufacturing method of the semiconductor device by one Embodiment of this invention. 図１に示す研磨装置の一部を示す拡大側面図である。FIG. 2 is an enlarged side view showing a part of the polishing apparatus shown in FIG. 1. 本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。It is process sectional drawing (the 1) which shows the manufacturing method of the semiconductor device by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。It is process sectional drawing (the 2) which shows the manufacturing method of the semiconductor device by one Embodiment of this invention. 研磨剤の特性を示すグラフである。It is a graph which shows the characteristic of an abrasive | polishing agent. 研磨速度が変化するメカニズムを示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the mechanism in which polishing rate changes. 研磨テーブルのトルクの変化を概念的に示すグラフである。It is a graph which shows notionally the change of the torque of a polishing table. 研磨砥粒と界面活性剤より成る添加剤とを含む研磨剤を用いて研磨を行った場合におけるスクラッチの数を示すグラフである。It is a graph which shows the number of scratches at the time of grinding | polishing using the abrasive | polishing agent containing an abrasive grain and the additive which consists of surfactants. シリカより成る研磨砥粒とＫＯＨより成る添加剤とを含む研磨剤を用いて研磨を行った場合におけるスクラッチの数を示すグラフである。It is a graph which shows the number of scratches at the time of grinding | polishing using the abrasive | polishing agent containing the abrasive grain which consists of silica, and the additive which consists of KOH. 本発明の一実施形態の変形例による半導体装置の製造方法において用いられる研磨パッドを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the polishing pad used in the manufacturing method of the semiconductor device by the modification of one Embodiment of this invention. 従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the conventional semiconductor device. 提案されている半導体装置の製造方法において用いられる研磨パッドを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the polishing pad used in the manufacturing method of the proposed semiconductor device.

符号の説明Explanation of symbols

１０…半導体基板
１２…シリコン酸化膜
１４…シリコン窒化膜
１６…開口部
１８…トレンチ
２０…シリコン酸化膜、被研磨膜
２１…素子分離領域
２２…素子領域
１００…基台
１０２ａ〜１０２ｃ…研磨テーブル
１０３ａ、１０３ｂ…パッド層
１０４、１０４ａ…研磨パッド
１０５…基材
１０７…気泡 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Semiconductor substrate 12 ... Silicon oxide film 14 ... Silicon nitride film 16 ... Opening 18 ... Trench 20 ... Silicon oxide film, to-be-polished film 21 ... Element isolation region 22 ... Element region 100 ... Base 102a-102c ... Polishing table 103a , 103b ... pad layers 104, 104a ... polishing pad 105 ... base material 107 ... air bubbles

Claims (10)

研磨砥粒と界面活性剤より成る添加剤とを含む研磨剤を供給しながら、複数の気泡が基材中に導入された発泡体より成る研磨パッドを用いて、半導体基板上に形成された被研磨膜の表面を前記基材のみにより研磨し、前記被研磨膜の表面を平坦化する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 While supplying an abrasive containing abrasive grains and an additive comprising a surfactant, a polishing pad made of a foam in which a plurality of bubbles are introduced into the base material is used to form a substrate formed on the semiconductor substrate. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising a step of polishing a surface of a polishing film only with the base material and flattening a surface of the polishing target film. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記研磨パッドは、中空体を混入することなく前記基材中に複数の気泡が導入された発泡体より成る
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the polishing pad is made of a foam in which a plurality of bubbles are introduced into the base material without mixing a hollow body. 請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法において、
前記研磨パッドは、前記発泡体より成る単層のパッド層により構成されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device of Claim 1 or 2,
The polishing pad is constituted by a single-layer pad layer made of the foam. 請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法において、
前記研磨パッドは、前記発砲体より成る第１のパッド層と、前記第１のパッド層下に形成され、前記第１のパッド層より軟らかい材料より成る第２のパッド層とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device of Claim 1 or 2,
The polishing pad includes a first pad layer made of the foamed body, and a second pad layer formed under the first pad layer and made of a material softer than the first pad layer. A method for manufacturing a semiconductor device. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記研磨パッドの前記基材は、ポリウレタンより成る
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the base material of the polishing pad is made of polyurethane. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記研磨パッドの前記基材は、ポリエチレンより成る
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the base material of the polishing pad is made of polyethylene. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記被研磨膜の表面を平坦化する工程の前に、前記半導体基板上に前記被研磨膜と異なるエッチング特性を有する絶縁膜を形成する工程と；前記絶縁膜に開口部を形成する工程と；前記絶縁膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングし、前記半導体基板に溝を形成する工程と；前記溝内及び前記絶縁膜上に前記被研磨膜を形成する工程とを更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1,
Before the step of planarizing the surface of the film to be polished, a step of forming an insulating film having an etching characteristic different from that of the film to be polished on the semiconductor substrate; a step of forming an opening in the insulating film; Etching the semiconductor substrate with the insulating film as a mask to form a groove in the semiconductor substrate; and forming the film to be polished in the groove and on the insulating film. A method for manufacturing a semiconductor device. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記研磨砥粒は、酸化セリウム及び酸化シリコンから選ばれる１つ、又はこれらの組み合わせより成る
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to any one of claims 1 to 7,
The polishing abrasive is one selected from cerium oxide and silicon oxide, or a combination thereof. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein: 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基材中に導入された前記複数の気泡の平均直径は、１５０μｍ以下である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to any one of claims 1 to 8,
An average diameter of the plurality of bubbles introduced into the base material is 150 μm or less. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein: 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記添加剤は、ポリアクリル酸アンモニウム塩より成る
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to any one of claims 1 to 9,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the additive is made of polyacrylic acid ammonium salt.
JP2004088673A 2004-03-25 2004-03-25 Method of manufacturing semiconductor device Withdrawn JP2005277130A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004088673A JP2005277130A (en) 2004-03-25 2004-03-25 Method of manufacturing semiconductor device
US10/918,443 US20050215180A1 (en) 2004-03-25 2004-08-16 Semiconductor device fabrication method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004088673A JP2005277130A (en) 2004-03-25 2004-03-25 Method of manufacturing semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005277130A true JP2005277130A (en) 2005-10-06

Family

ID=34990638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004088673A Withdrawn JP2005277130A (en) 2004-03-25 2004-03-25 Method of manufacturing semiconductor device

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20050215180A1 (en)
JP (1) JP2005277130A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101080572B1 (en) 2009-09-29 2011-11-04 삼성전자주식회사 Polishing pad and manufacturing method thereof
JP2016135542A (en) * 2011-05-23 2016-07-28 ネクスプラナー コーポレイション Polishing pad with homogeneous body having separate protrusions thereon
US9960048B2 (en) 2013-02-13 2018-05-01 Showa Denko K.K. Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate
JP2021053747A (en) * 2019-09-30 2021-04-08 富士紡ホールディングス株式会社 Polishing pad and method for manufacturing polished product
JP2021053753A (en) * 2019-09-30 2021-04-08 富士紡ホールディングス株式会社 Polishing pad and method for manufacturing polished product
JP2021053754A (en) * 2019-09-30 2021-04-08 富士紡ホールディングス株式会社 Polishing pad and method for manufacturing polished product
JP2021053748A (en) * 2019-09-30 2021-04-08 富士紡ホールディングス株式会社 Polishing pad and method for manufacturing polished product

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6418174B2 (en) * 2016-02-03 2018-11-07 株式会社Sumco Silicon wafer single side polishing method

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6783434B1 (en) * 1998-12-25 2004-08-31 Hitachi Chemical Company, Ltd. CMP abrasive, liquid additive for CMP abrasive and method for polishing substrate
JP2000311876A (en) * 1999-04-27 2000-11-07 Hitachi Ltd Method and device for manufacturing wiring board
US6913517B2 (en) * 2002-05-23 2005-07-05 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101080572B1 (en) 2009-09-29 2011-11-04 삼성전자주식회사 Polishing pad and manufacturing method thereof
JP2016135542A (en) * 2011-05-23 2016-07-28 ネクスプラナー コーポレイション Polishing pad with homogeneous body having separate protrusions thereon
US9960048B2 (en) 2013-02-13 2018-05-01 Showa Denko K.K. Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate
US10453693B2 (en) 2013-02-13 2019-10-22 Showa Denko K.K. Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate
JP2021053747A (en) * 2019-09-30 2021-04-08 富士紡ホールディングス株式会社 Polishing pad and method for manufacturing polished product
JP2021053753A (en) * 2019-09-30 2021-04-08 富士紡ホールディングス株式会社 Polishing pad and method for manufacturing polished product
JP2021053754A (en) * 2019-09-30 2021-04-08 富士紡ホールディングス株式会社 Polishing pad and method for manufacturing polished product
JP2021053748A (en) * 2019-09-30 2021-04-08 富士紡ホールディングス株式会社 Polishing pad and method for manufacturing polished product

Also Published As

Publication number Publication date
US20050215180A1 (en) 2005-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6244962B2 (en) Manufacturing method of semiconductor wafer
TWI333259B (en) Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer
KR101947614B1 (en) Semiconductor wafer manufacturing method
US7510974B2 (en) CMP process
KR20000058021A (en) Chemical mechanical polishing processes and components
JP2000301454A5 (en)
KR20130014588A (en) Method for polishing silicon wafer
JP2004165356A (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2008153434A (en) Equipment and method for manufacturing semiconductor device
JP4085356B2 (en) Cleaning and drying method for semiconductor wafer
JP2005277130A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2011071215A (en) Polishing method and semiconductor-device manufacturing method
JP4698144B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
WO2012073317A1 (en) Method of manufacturing recycled semiconductor wafer
JP2002141313A (en) Cmp device and manufacturing method of semiconductor device
JP2008021704A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2003100681A (en) Final polishing pad
JP2003179020A (en) Polishing cloth texture transferring prevention method
JP5343099B2 (en) Semiconductor wafer polishing method
JP2005340328A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2004296591A (en) Method for producing semiconductor device
JP2007329342A (en) Chemical mechanical polishing method
JP2004296596A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2005340325A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP3923442B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060623

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20080207