JP2005268797A - テープ配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】生産工程を簡略化してコストを節減することができるテープ配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】テープ配線基板の製造方法は、ベースフィルムを提供する段階と、ベースフィルム上に金属層を形成する段階と、金属層に照射されるレーザーを用いて部分的に金属層をエッチングし金属層を配線パターンに加工する段階と、湿式エッチングを用いて配線パターンを形成する段階とにより、生産工程が簡略化されコストが節減された微細ピッチを有する微細パターンを形成することができるテープ配線基板の製造方法。
【選択図】図５
【解決手段】テープ配線基板の製造方法は、ベースフィルムを提供する段階と、ベースフィルム上に金属層を形成する段階と、金属層に照射されるレーザーを用いて部分的に金属層をエッチングし金属層を配線パターンに加工する段階と、湿式エッチングを用いて配線パターンを形成する段階とにより、生産工程が簡略化されコストが節減された微細ピッチを有する微細パターンを形成することができるテープ配線基板の製造方法。
【選択図】図５
Description
本発明は、テープ配線基板の製造方法に係り、より詳しくはレーザーを用いて配線パターンを形成するテープ配線基板の製造方法に関する。
最近半導体装置の薄型化、小型化、高集積化、高速化及び多ピン化趨勢に応じて半導体チップ実装技術分野では、テープ配線基板の使用が増えている。テープ配線基板は、ポリイミド樹脂などの絶縁材料から構成された薄いベースフィルムに配線パターン層が形成された構造であって、配線パターン層と連結されたリードと半導体チップ上に予め形成されたバンプとを一括的に接合させるタブ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ；以下、“ＴＡＢ”と称する。）技術の適用が可能である。こうした特性によりテープ配線基板は、タブテープ（ＴＡＢ ｔａｐｅ）と呼ばれたりする。
図１Ａ又は図１Ｄは、従来技術によるテープ配線基板の製造方法を順次的に示した断面図である。
図１Ａに示されたように、ポリイミド樹脂のような絶縁性ベースフィルム１１０上にラミネーティング（ｌａｍｉｎａｔｉｎｇ）又は電解鍍金方式を用いて銅箔１２０を形成する。
図１Ｂに示されたように、銅箔１２０上にフォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ；以下、“ＰＲ”と称する。）１３０を塗布する。次いで、数百μｍの波長を有する光源１３２を使用して露光工程を遂行する。
図１Ｂの露光工程が終わったＰＲ１３０を現像して、図１Ｃに示されたように、パターニングされたＰＲ１３５を完成する。
図１Ｄに示されたように、パターニングされたＰＲ１３５をエッチング（Ｅｔｃｈｉｎｇ）マスクとして使用して、銅箔１２０をエッチングする。この際、銅箔１２０のエッチングは、主に湿式（Ｗｅｔ）エッチングが用いられる。そして、残っているＰＲ１３５を除去すれば配線パターン１２５が形成される。
このように、従来技術によるテープ配線基板の製造工程を調べれば、ベースフィルム１１０を製造した後、このベースフィルム１１０に銅箔１２０を形成し、写真／エッチング（Ｐｈｏｔｏ／Ｅｔｃｈｉｎｇ）工程を用いて銅箔１２０を配線パターン１２５に加工する。こうした写真／エッチング工程は、ＰＲ塗布工程、露光工程、ＰＲ現像工程、銅箔エッチング工程など多段階より成っている。
こうした多段階より成った写真／エッチング工程により生産ラインが増し、固定的に消費される物質（例えば、ＰＲ、ＰＲ現像液又は銅箔エッチング液など）が多いためコストが増加する問題点が発生する。
また、従来技術による写真／エッチング工程では、数百μｍの波長を有する光源１３２を使用するため、銅箔１２０に微細ピッチ（Ｆｉｎｅ ｐｉｔｃｈ）を有する微細配線パターン１２５を形成しにくい問題点がある。
本発明の技術的課題は、生産工程を簡略化してコストを節減することができ、微細ピッチを有する微細パターンを形成することができるテープ配線基板の製造方法を提供するところにある。
本発明の目的は、以上で言及した目的に制限されなく、言及されないさらに他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されることができる。
前述した技術的課題を達成するための本発明の一実施形態によるテープ配線基板の製造方法は、ベースフィルムを提供する段階と、ベースフィルム上に金属層を形成する段階と、金属層に照射されるレーザーを用いて金属層を配線パターンに加工する段階と、を含む。
また、前述した技術的課題を達成するための本発明の他の実施形態によるテープ配線基板の製造方法は、ベースフィルムを提供する段階と、ベースフィルム上に金属層を形成する段階と、金属層に照射されるレーザーを用いて金属層中配線パターン以外領域を部分的に除去する段階と、残っている配線パターン以外領域をエッチングして配線パターンを形成する段階と、を含む。
その他実施形態の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。
前述したように、本発明に係るテープ配線基板の製造方法によれば、生産工程が簡略化されてコストが節減され、微細ピッチを有する微細パターンを形成することができるテープ配線基板の製造方法を提供することができる。
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述している実施形態を参照すれば明確になる。しかしながら、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、相異なる多様な形態で具現されるものであり、本実施形態は、本発明の開示が完全となり、当業者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、特許請求の範囲の記載に基づいて決められなければならない。なお、明細書全体にかけて同一参照符号は同一構成要素を示すものとする。
本願で使用されるテープ配線基板としては、テープキャリヤパッケージ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ；以下、“ＴＣＰ”と称する。）又はチップオンフィルム（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ；以下、“ＣＯＦ”と称する。）などのようにベースフィルム上に配線パターンが形成されたフレキシブル印刷回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ；以下、“ＦＰＣ”と称する。）が使用されうる。本願で使用されるテープ配線基板は、ポリイミド樹脂などの絶縁材料から構成された薄いフィルムに配線パターン及びそれと連結された内部リード（ｉｎｎｅｒ ｌｅａｄ）が形成された構造として、半導体チップ上に予め形成されたバンプとテープ配線基板の内部リードとを一括的に接合させるＴＡＢ技術が適用される配線基板を含む。前述したテープ配線基板は例示的なことに過ぎない。
以下、添付した図面を参照して本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
本発明の第１の実施形態を図２〜図４に基づいて説明する。
図２は、本発明の第１の実施形態によるテープ配線基板の製造工程の順序図である。そして、図３Ａ〜図３Ｃは、図２のテープ配線基板の製造工程を順次的に示した断面図である。また、図４は、本発明の第１の実施形態に使用される露光装置の構造を示す概略図である。
図２に示されたように、先ずベースフィルムを準備する（Ｓ２１０）。図３Ａを参照すれば、ここでベースフィルム３１０は、厚さ２０μｍ〜１００μｍの絶縁性材質より成っている。こうした絶縁性ベースフィルム３１０は、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などの絶縁材料が主材料として用いられ得る。そして、こうしたベースフィルム３１０のうちポリイミド薄膜は、前駆体であるポリアミン酸（ＰｏｌｙＡｍｉｃ Ａｃｉｄ；ＰＡＡ）溶液を一定した容器内に塗布させた後得られた膜で溶媒を除去し、その後熱硬化することにより得ることができる。
そして、図２に示されたように、ベースフィルム上に金属層を形成する（Ｓ２２０）。図３Ａを参照すれば、ベースフィルム３１０上に形成された金属層３２０は、５μｍ〜２０μｍ程度の厚さで形成されており、一般に銅箔（Ｃｕ）などの金属材料が用いられている。
ベースフィルム３１０上に金属層３２０の一例である銅箔を形成する方法は、キャスティング（ｃａｓｔｉｎｇ）、ラミネーティング、電気鍍金（ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ）などがある。
キャスティングは、圧延銅箔上に液状ベースフィルム３１０を注いで熱硬化させる方法である。
ラミネーティングは、ベースフィルム３１０上に圧延銅箔を置いて熱圧着する方法である。
電気鍍金は、ベースフィルム３１０上にシード層（ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）（図示せず）を蒸着し、銅が溶けている電解質中にベースフィルム３１０を入れ、電気を流して銅箔を形成する方法である。ここで、シード層をベースフィルム３１０上にスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）により形成することができる。こうしたシード層（図示せず）は、Ｃｒ、Ｔｉ及びＮｉのうちから選択された物質又はこれらの組合せより成った物質であるものが望ましい。
そして、図２に示されたように、レーザーを用いて配線パターンを形成する（Ｓ２３０）。図３Ａ及び図３Ｂを参照すれば、レーザー３３０を用いてベースフィルム３１０上に形成された金属層３２０を選択的にエッチングして所定の回路を構成する配線パターン３２５を形成する。
そして、図２に示されたように、ソルダレジスト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ；ＳＲ）を塗布する（Ｓ２４０）。図３Ｃを参照すれば、ベースフィルム３１０上に形成された配線パターン３２５で外部端子と電気的に接続する所定の部分を除外し、外部環境から配線パターン３２５を保護するためソルダレジスト３４０を塗布する。こうしたソルダレジスト３４０は、スクリーン印刷法（Ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）により塗布することができる。
望ましくは、こうした配線パターン３２５の電気的特性を向上させるため配線パターン３２５の表面に真鍮、金、ニッケル又は半田の鍍金を実施する。このように配線パターン３２５にソルダレジスト３４０を塗布した後鍍金を実施することを後鍍金方式と言う。勿論、本発明の他の実施形態では、配線パターン３２５に鍍金を実施した後ソルダレジスト３４０を塗布する先鍍金方式を取ることができる。
以下、図４を参照して、レーザーを用いて配線パターンを形成する方法を詳細に説明する。
図４を参照すれば、本発明の一実施形態によるレーザー発生露光装置４００は、光源４１０と、レンズアレイより成ったフライアイレンズ（Ｆｌｙ'ｓ ｅｙｅ ｌｅｎｓ）４２０と、所定形状を有する口径４３０と、コンデンサーレンズ（Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ ｌｅｎｓ）４４０及びプロジェクションレンズ（Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ｌｅｎｓ）４６０と、を含む。
ここで、光源４１０は、微細ピッチを有する配線パターン３２５を具現するため５５０μｍ以下の波長を有するレーザーを使用することができる。従って、光源４１０は、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ、Ｆ２、Ｎｄ−ＹＡＧ（Ｎｅｏｄｙｍｉｕｍ−Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）及びＣＯ２からなるグループより選択されたいずれか一つのソース気体を使用することができる。また、この光源４１０は、レーザーダイオードから発生するレーザーを使用することができる。
図４に示されたように、フライアイのように六角形或いは多くの形態の小さいレンズで配列されたフライアイレンズ４２０を光源４１０からレーザーが通過するところに配置する。フライアイレンズ４２０のようなビーム均一化装置は、光源４１０から出力されるレーザーをマスク４５０に照射するとき均一な強度と分布とを有させることができる。
そして、配線パターンのサイズが小さくなりつつ照射されるレーザーの解像度を高めるため光が通過する部分に口径４３０を配置することができる。こうした口径４３０は、両極形（Ｄｉｐｏｌｅ）、４極形（Ｑｕａｄｒｕｐｏｌｅ）、環形（Ａｎｎｕｌａｒ）などで形成することができる。
従って、光源４１０から生成されたレーザーは、フライアイレンズ４２０により平行光に転換され、口径４３０により部分的に制限される。
そして、口径４３０を通過したレーザーは、コンデンサーレンズ４４０を通過してマスク４５０に照射される。こうしたコンデンサーレンズ４４０は、光源４１０から発生したレーザーを所望の方向に集中させるレンズとして、像（Ｉｍａｇｅ）を作るのに直接的な関与を行わないが、マスク４５０を照射するときレーザーの均一度を高めてやる。
そして、マスク４５０に到達したレーザーは回折され、プロジェクションレンズ４６０を通過してベースフィルム３１０上に形成された金属層３２０を露光する。ここで、一般にプロジェクションレンズ４６０は、マスク４５０を透過してマスクパターンの形状を有するレーザーを金属層３２０上に縮小投影させる。そして、ステージ（Ｓｔａｇｅ）４７０は、金属層３２０が形成されたベースフィルム３１０を支持する。
このような光源４１０から発生したレーザーをベースフィルム３１０上の金属層３２０に照射する方法としては、マスク４５０とステージ４７０とが停止された時間中レーザーを照射するステッパー（Ｓｔｅｐｐｅｒ）を用いたステップアンドリピート（Ｓｔｅｐ−ａｎｄ−Ｒｅｐｅａｔ）と、マスク４５０とステージ４７０とが互いに一定した速度差異を有し、反対方向へ移動しつつ露光するスキャナー（Ｓｃａｎｎｅｒ）を用いたステップアンドスキャン（Ｓｔｅｐ−ａｎｄ−Ｓｃａｎ）などを使用することができる。
ここで、金属層３２０を配線パターン３２５に加工するためレーザーで配線パターン３２５以外の金属層３２０のみを正確にエッチングし、レーザーから発生する熱エネルギー（Ｔｈｅｒｍａｌ ｅｎｅｒｇｙ）により金属層３２０の下部に位置するベースフィルム３１０が損傷されることを最小化するためパルスタイプ（Ｐｕｌｓｅ ｔｙｐｅ）のレーザーを使用するものが望ましい。
本発明の第１の実施形態によるレーザーの出力方法についてパルスエネルギーが２００ｍＪであるＡｒＦエキシマーレーザー（Ｅｘｃｉｍｅｒ ｌａｓｅｒ、１９３ｎｍ）を例に挙げて説明する。勿論レーザーの出力方法は、設備及び工程条件に応じて異なることができる。ここで、金属層３２０を銅で、ベースフィルム３１０をポリイミドで説明するが、本発明が以下の具体的な実施形態に限定されるものではない。
本発明の第１の実施形態によるＡｒＦエキシマーレーザーの銅についてのエッチング速度（Ｅｔｃｈｉｎｇ ｒａｔｅ）が約１６０ｍＪ／μｍであり、ポリイミドについてのエッチング速度が約１６ｍＪ／μｍである場合、８μｍ厚さを有する金属層３２０をエッチングして配線パターン３２５に加工する工程を調べる。
８μｍ厚さの金属層３２０をエッチングするためには、１２８０ｍＪ（＝１６０ｍＪ／μｍ×８μｍ）のエネルギーが必要である。ＡｒＦエキシマーレーザーのパルスエネルギーが２００ｍＪなので、８μｍ厚さの金属層３２０をエッチングするために６．４パルス（＝１２８０ｍＪ／２００ｍＪ）が必要である。従って、７パルスのＡｒＦエキシマーレーザーを金属層３２０に照射する場合、配線パターン３２５が形成される部分以外の金属層３２０は全てエッチングされ、０．６パルスほどの１２０ｍＪエネルギー（＝２００μｍ×０．６）がベースフィルム３１０に照射される。従って、ベースフィルム３１０は、追加に約７．５μｍ（＝１２０ｍＪ／１６ｍＪ／μｍ）ほどエッチングされる。
ベースフィルム３１０であるポリイミドの厚さが約４０μｍであるとき、前述したような程度の損傷は、実験的にフィルムの物性に影響を与えない。
このようなパルス方式のレーザーで金属層３２０をエッチングする場合、レーザーのパルスエネルギーは、レーザーの周波数（普通５０Ｈｚ〜３００Ｈｚ）及び出力エネルギー（５Ｗ〜１００Ｗ）を調節して変更することができる。従って、パルスエネルギーを適切に調節する場合、金属層３２０の下部に位置するポリイミドのようなベースフィルム３１０のエッチング量を最小化することができる。本発明は、以上の実施形態で言及した数値に限定されるものではなく、金属層３２０の材質と厚さに応じてレーザーの周波数と出力エネルギーとを調節してベースフィルム３１０のエッチング量を最小化しつつ金属層３２０をエッチングするものである。
また、レーザーを用いて配線パターン３２５を形成する間金属層３２０とレーザー３３０とが触れる部分以外にこれと隣接した金属層３２０又はベースフィルム３１０に熱エネルギーが伝達され得る。こうした熱エネルギーにより周辺の金属層３２０がエッチングされるか、或いは下部のベースフィルム３１０が変形され得るため、レーザーにより配線パターン３２５を形成する間金属層３２０とレーザー３３０とが触れる部分周囲に冷媒を供給してこうした熱エネルギーが周辺に伝達されることを防ぐことが望ましい。
このような冷媒としては、メチルエーテル、塩化エチル、ギ酸メチル、イソブタン、ジクロロエチレン、塩化メチレン、エチルエーテル、アンモニア、二酸化炭素、亜硫酸ガス、塩化メチル及びＣＦＣ系冷媒（フレオン）などを使用しうる。
以下、本発明の第２の実施形態を図５〜図６Ｄに基づいて説明する。
図５は、本発明の第２の実施形態によるテープ配線基板の製造工程の順序図である。そして、図６Ａ〜図６Ｄは、図５のテープ配線基板の製造工程を順次的に示した断面図である。説明の便宜上、第１の実施形態の図面に示した各部材と同一機能を有する部材は同一符号で示し、従ってその説明は省略する。
図５及び図６Ａに示されたように、先ずベースフィルム３１０を準備する（Ｓ５１０）。そして、ベースフィルム３１０上に金属層３２０を形成する（Ｓ５２０）。ここで、金属層３２０は第１の実施形態と同一である。
図５、図６Ａ及び図６Ｂを参照すれば、レーザー３３０を用いてベースフィルム３１０上に形成された金属層３２０を選択的にエッチングして所定の回路を構成する配線パターン６２５を形成する（Ｓ５３０）。ここで、金属層３３０は、電気的信号を伝達する配線パターン６２５とこうした配線パターン６２５を形成するため除去されるべき配線パターン以外領域６２２とから構成される。図６Ｂに示されたように、配線パターン以外領域６２２をレーザー３３０で部分的に除去して所定の厚さほど残しておく。本発明の一実施形態において、８μｍ厚さの銅箔を金属層３２０として使用する場合レーザー３３０で約７．５μｍ厚さの銅箔をエッチングし、約０．５μｍ厚さの銅箔を残しておく。本発明は、以上の実施形態で言及した数値に限定されるものではなく、レーザーエッチング以後配線パターン以外領域６２２を再びエッチングする条件及び全体工程の便宜性によりレーザーエッチング以後残された配線パターン以外領域６２２の厚さは変えることができる。
図６Ｃに示されたように、配線パターン以外領域６２２を湿式エッチングで除去する（Ｓ５４０）。こうした湿式エッチングにより配線パターン以外領域６２２の下部に配置されたベースフィルム３１０が金属層３２０から露出されるようにする。このように、本発明の望ましい実施形態として配線パターン以外領域６２２を除去するため湿式エッチングを用いることができる。しかしながら、本発明は、これに限定されなく、プラズマを用いた乾式エッチングを使用して配線パターン以外領域６２２を除去することもできる。
本発明の一実施形態において、銅箔の金属層３２０を使用する場合、ＦｅＣｌ３、ＦｅＣｌ及びＨＣｌを含む水溶液をエッチング液として使用して湿式エッチングを遂行することができる。また、この場合、ＣｕＣｌ２、ＣｕＣｌ及びＨＣｌを含む水溶液をエッチング液として使用して湿式エッチングを遂行することができる。
そして、図６Ｄに示されたように、ベースフィルム３１０上に形成された配線パターン６２５で外部端子と電気的に接続する所定の部分を除外し、外部環境から配線パターン６２５を保護するためソルダレジスト３４０を塗布する（Ｓ５５０）。
本発明の第２の実施形態によるレーザーの出力方法についてパルスエネルギーが２００ｍＪであるＡｒＦエキシマーレーザー（Ｅｘｃｉｍｅｒ ｌａｓｅｒ、１９３ｎｍ）を例に挙げて説明する。勿論レーザーの出力方法は、設備及び工程条件に応じて異なることができる。ここで、金属層３２０を銅で、ベースフィルム３１０をポリイミドで説明するが、本発明が以下の具体的な実施形態に限定されるものではない。
本発明の第２の実施形態によるＡｒＦエキシマーレーザーの銅についてのエッチング速度が約１６０ｍＪ／μｍであり、ポリイミドについてのエッチング速度が約１６ｍＪ／μｍである場合、８μｍ厚さを有する金属層３２０をエッチングして配線パターン６２５に加工する工程を調べる。
８μｍ厚さの金属層３２０をエッチングするためには、１２８０ｍＪ（＝１６０ｍＪ／μｍ×８μｍ）のエネルギーが必要である。ＡｒＦエキシマーレーザーのパルスエネルギーが２００ｍＪなので、８μｍ厚さの金属層３２０をエッチングするために６．４パルス（＝１２８０ｍＪ／２００ｍＪ）が必要である。従って、６パルスのＡｒＦエキシマーレーザーを金属層３２０に照射する場合、配線パターン以外領域６２２は、約７．５μｍ（＝１２００ｍＪ／１６０ｍＪ／μｍ）厚さほどエッチングされ、約０．５μｍ厚さほど残る。そして、残った０．５μｍ厚さの配線パターン以外領域６２２は、湿式エッチングにより除去することができる。勿論この場合残った配線パターン以外領域６２２をプラズマを用いた乾式エッチングにより除去することもできる。
このように、レーザーによる１次エッチングと湿式エッチング（又は乾式エッチング）による２次エッチングとを並行する場合、ベースフィルム３１０が損傷されないようにレーザー３３０により配線パターン６２５を加工することができる。
以上、本発明の実施形態による場合、従来技術に比べてＰＲを使用せず直接的に金属層を配線パターンに加工することができるため工程が次第に減り、これによりテープ配線基板のコストを減少させうる。
以上、添付した図面を参照して本発明の好適な実施形態を説明したが、当業者であれば、本発明の技術的思想や必須的な特徴を変更せずに他の具体的な形態で実施されうることを理解することができる。したがって、上述した好適な実施形態は、例示的なものであり、限定的なものではないと理解されるべきである。
本発明のテープ配線基板の製造方法に使用されるテープ配線基板としては、テープキャリヤパッケージ又はチップオンフィルムなどのようにベースフィルム上に配線パターンが形成されたフレキシブル印刷回路基板が使用されうる。本発明で使用されるテープ配線基板は、ポリイミド樹脂などの絶縁材料から構成された薄いフィルムに配線パターン及びそれと連結された内部リードが形成された構造であって、半導体チップ上に予め形成されたバンプとテープ配線基板の内部リードとを一括的に接合させるＴＡＢ技術が適用される配線基板を含む。但し、前述したテープ配線基板は例示的なものに過ぎない。
３１０ ベースフィルム
３２０ 金属層
３２５ 配線パターン
３３０ レーザー
３４０ ソルダレジスト
４００ 露光装置
４１０ 光源
４２０ フライアイレンズ
４３０ 口径
４４０ コンデンサーレンズ
４５０ マスク
４６０ プロジェクションレンズ
４７０ ステージ
６２２ 配線パターン以外領域
６２５ 配線パターン
３２０ 金属層
３２５ 配線パターン
３３０ レーザー
３４０ ソルダレジスト
４００ 露光装置
４１０ 光源
４２０ フライアイレンズ
４３０ 口径
４４０ コンデンサーレンズ
４５０ マスク
４６０ プロジェクションレンズ
４７０ ステージ
６２２ 配線パターン以外領域
６２５ 配線パターン
Claims (22)
- ベースフィルムを提供する段階と、
前記ベースフィルム上に金属層を形成する段階と、
前記金属層に照射されるレーザーを用いて前記金属層を配線パターンに加工する段階と、
を含むことを特徴とするテープ配線基板の製造方法。 - 前記レーザーは、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ、Ｆ２、Ｎｄ−ＹＡＧ及びＣＯ２からなるグループより選択されたいずれか一つのソース気体から発生すること
を特徴とする請求項１に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記レーザーは、パルスタイプであること
を特徴とする請求項１に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記レーザーは、前記金属層に照射される前にビーム均一化装置を通過すること
を特徴とする請求項１に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記配線パターンを加工する間、前記金属層に冷媒を供給する段階をさらに含むこと
を特徴とする請求項１に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記冷媒は、メチルエーテル、塩化エチル、ギ酸メチル、イソブタン、ジクロロエチレン、塩化メチレン、エチルエーテル、アンモニア、二酸化炭素、亜硫酸ガス、塩化メチル及びＣＦＣ系冷媒からなるグループより選択されたいずれか一つの冷媒であること
を特徴とする請求項５に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記金属層は、銅を含むこと
を特徴とする請求項１に記載のテープ配線基板の製造方法。 - ベースフィルムを提供する段階と、
前記ベースフィルム上に金属層を形成する段階と、
前記金属層に照射されるレーザーを用いて前記金属層中配線パターン以外領域を部分的に除去する段階と、
残っている前記配線パターン以外領域をエッチングして配線パターンを形成する段階と、
を含むことを特徴とするテープ配線基板の製造方法。 - 前記レーザーは、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ、Ｆ２、Ｎｄ−ＹＡＧ及びＣＯ２からなるグループより選択されたいずれか一つのソース気体から発生すること
を特徴とする請求項８に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記レーザーは、パルスタイプであること
を特徴とする請求項８に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記レーザーは、前記金属層に照射される前にビーム均一化装置を通過すること
を特徴とする請求項８に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記レーザーを用いて前記配線パターン以外領域を部分的に除去する間、前記金属層に冷媒を供給する段階をさらに含むこと
を特徴とする請求項８に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記冷媒は、メチルエーテル、塩化エチル、ギ酸メチル、イソブタン、ジクロロエチレン、塩化メチレン、エチルエーテル、アンモニア、二酸化炭素、亜硫酸ガス、塩化メチル及びＣＦＣ系冷媒からなるグループより選択されたいずれか一つの冷媒であること
を特徴とする請求項１２に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記エッチングは、湿式エッチングであること
を特徴とする請求項８に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記湿式エッチングにより前記配線パターン以外の部分の下部に配置された前記ベースフィルムが露出されること
を特徴とする請求項１４に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記金属層は、銅を含むこと
を特徴とする請求項８に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記湿式エッチングは、ＦｅＣｌ３、ＦｅＣｌ及びＨＣｌを含む水溶液をエッチング液として使用すること
を特徴とする請求項１５に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記湿式エッチングは、ＣｕＣｌ２、ＣｕＣｌ及びＨＣｌを含む水溶液をエッチング液として使用すること
を特徴とする請求項１５に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記金属層を形成する段階は、ラミネート方法によること
を特徴とする請求項８に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記金属層を形成する段階は、電解鍍金によること
を特徴とする請求項８に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記金属層を形成する前に、
前記ベースフィルム上にスパッタリングによりシード層を形成する段階をさらに含むこと
を特徴とする請求項２０に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記シード層は、Ｃｒ、Ｔｉ及びＮｉのうちから選択された物質又はこれらの組合せからなる物質であること
を特徴とする請求項２１に記載のテープ配線基板の製造方法。
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