JP2005268797A - テープ配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】生産工程を簡略化してコストを節減することができるテープ配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】テープ配線基板の製造方法は、ベースフィルムを提供する段階と、ベースフィルム上に金属層を形成する段階と、金属層に照射されるレーザーを用いて部分的に金属層をエッチングし金属層を配線パターンに加工する段階と、湿式エッチングを用いて配線パターンを形成する段階とにより、生産工程が簡略化されコストが節減された微細ピッチを有する微細パターンを形成することができるテープ配線基板の製造方法。
【選択図】図5
【解決手段】テープ配線基板の製造方法は、ベースフィルムを提供する段階と、ベースフィルム上に金属層を形成する段階と、金属層に照射されるレーザーを用いて部分的に金属層をエッチングし金属層を配線パターンに加工する段階と、湿式エッチングを用いて配線パターンを形成する段階とにより、生産工程が簡略化されコストが節減された微細ピッチを有する微細パターンを形成することができるテープ配線基板の製造方法。
【選択図】図5
Description
本発明は、テープ配線基板の製造方法に係り、より詳しくはレーザーを用いて配線パターンを形成するテープ配線基板の製造方法に関する。
最近半導体装置の薄型化、小型化、高集積化、高速化及び多ピン化趨勢に応じて半導体チップ実装技術分野では、テープ配線基板の使用が増えている。テープ配線基板は、ポリイミド樹脂などの絶縁材料から構成された薄いベースフィルムに配線パターン層が形成された構造であって、配線パターン層と連結されたリードと半導体チップ上に予め形成されたバンプとを一括的に接合させるタブ(Tape Automated Bonding;以下、“TAB”と称する。)技術の適用が可能である。こうした特性によりテープ配線基板は、タブテープ(TAB tape)と呼ばれたりする。
図1A又は図1Dは、従来技術によるテープ配線基板の製造方法を順次的に示した断面図である。
図1Aに示されたように、ポリイミド樹脂のような絶縁性ベースフィルム110上にラミネーティング(laminating)又は電解鍍金方式を用いて銅箔120を形成する。
図1Bに示されたように、銅箔120上にフォトレジスト(Photo Resist;以下、“PR”と称する。)130を塗布する。次いで、数百μmの波長を有する光源132を使用して露光工程を遂行する。
図1Bの露光工程が終わったPR130を現像して、図1Cに示されたように、パターニングされたPR135を完成する。
図1Dに示されたように、パターニングされたPR135をエッチング(Etching)マスクとして使用して、銅箔120をエッチングする。この際、銅箔120のエッチングは、主に湿式(Wet)エッチングが用いられる。そして、残っているPR135を除去すれば配線パターン125が形成される。
このように、従来技術によるテープ配線基板の製造工程を調べれば、ベースフィルム110を製造した後、このベースフィルム110に銅箔120を形成し、写真/エッチング(Photo/Etching)工程を用いて銅箔120を配線パターン125に加工する。こうした写真/エッチング工程は、PR塗布工程、露光工程、PR現像工程、銅箔エッチング工程など多段階より成っている。
こうした多段階より成った写真/エッチング工程により生産ラインが増し、固定的に消費される物質(例えば、PR、PR現像液又は銅箔エッチング液など)が多いためコストが増加する問題点が発生する。
また、従来技術による写真/エッチング工程では、数百μmの波長を有する光源132を使用するため、銅箔120に微細ピッチ(Fine pitch)を有する微細配線パターン125を形成しにくい問題点がある。
本発明の技術的課題は、生産工程を簡略化してコストを節減することができ、微細ピッチを有する微細パターンを形成することができるテープ配線基板の製造方法を提供するところにある。
本発明の目的は、以上で言及した目的に制限されなく、言及されないさらに他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されることができる。
前述した技術的課題を達成するための本発明の一実施形態によるテープ配線基板の製造方法は、ベースフィルムを提供する段階と、ベースフィルム上に金属層を形成する段階と、金属層に照射されるレーザーを用いて金属層を配線パターンに加工する段階と、を含む。
また、前述した技術的課題を達成するための本発明の他の実施形態によるテープ配線基板の製造方法は、ベースフィルムを提供する段階と、ベースフィルム上に金属層を形成する段階と、金属層に照射されるレーザーを用いて金属層中配線パターン以外領域を部分的に除去する段階と、残っている配線パターン以外領域をエッチングして配線パターンを形成する段階と、を含む。
その他実施形態の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。
前述したように、本発明に係るテープ配線基板の製造方法によれば、生産工程が簡略化されてコストが節減され、微細ピッチを有する微細パターンを形成することができるテープ配線基板の製造方法を提供することができる。
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述している実施形態を参照すれば明確になる。しかしながら、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、相異なる多様な形態で具現されるものであり、本実施形態は、本発明の開示が完全となり、当業者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、特許請求の範囲の記載に基づいて決められなければならない。なお、明細書全体にかけて同一参照符号は同一構成要素を示すものとする。
本願で使用されるテープ配線基板としては、テープキャリヤパッケージ(Tape Carrier Package;以下、“TCP”と称する。)又はチップオンフィルム(Chip On Film;以下、“COF”と称する。)などのようにベースフィルム上に配線パターンが形成されたフレキシブル印刷回路基板(Flexible Printed Circuit Board;以下、“FPC”と称する。)が使用されうる。本願で使用されるテープ配線基板は、ポリイミド樹脂などの絶縁材料から構成された薄いフィルムに配線パターン及びそれと連結された内部リード(inner lead)が形成された構造として、半導体チップ上に予め形成されたバンプとテープ配線基板の内部リードとを一括的に接合させるTAB技術が適用される配線基板を含む。前述したテープ配線基板は例示的なことに過ぎない。
以下、添付した図面を参照して本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
本発明の第1の実施形態を図2〜図4に基づいて説明する。
図2は、本発明の第1の実施形態によるテープ配線基板の製造工程の順序図である。そして、図3A〜図3Cは、図2のテープ配線基板の製造工程を順次的に示した断面図である。また、図4は、本発明の第1の実施形態に使用される露光装置の構造を示す概略図である。
図2に示されたように、先ずベースフィルムを準備する(S210)。図3Aを参照すれば、ここでベースフィルム310は、厚さ20μm〜100μmの絶縁性材質より成っている。こうした絶縁性ベースフィルム310は、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などの絶縁材料が主材料として用いられ得る。そして、こうしたベースフィルム310のうちポリイミド薄膜は、前駆体であるポリアミン酸(PolyAmic Acid;PAA)溶液を一定した容器内に塗布させた後得られた膜で溶媒を除去し、その後熱硬化することにより得ることができる。
そして、図2に示されたように、ベースフィルム上に金属層を形成する(S220)。図3Aを参照すれば、ベースフィルム310上に形成された金属層320は、5μm〜20μm程度の厚さで形成されており、一般に銅箔(Cu)などの金属材料が用いられている。
ベースフィルム310上に金属層320の一例である銅箔を形成する方法は、キャスティング(casting)、ラミネーティング、電気鍍金(electroplating)などがある。
キャスティングは、圧延銅箔上に液状ベースフィルム310を注いで熱硬化させる方法である。
ラミネーティングは、ベースフィルム310上に圧延銅箔を置いて熱圧着する方法である。
電気鍍金は、ベースフィルム310上にシード層(seed layer)(図示せず)を蒸着し、銅が溶けている電解質中にベースフィルム310を入れ、電気を流して銅箔を形成する方法である。ここで、シード層をベースフィルム310上にスパッタリング(Sputtering)により形成することができる。こうしたシード層(図示せず)は、Cr、Ti及びNiのうちから選択された物質又はこれらの組合せより成った物質であるものが望ましい。
そして、図2に示されたように、レーザーを用いて配線パターンを形成する(S230)。図3A及び図3Bを参照すれば、レーザー330を用いてベースフィルム310上に形成された金属層320を選択的にエッチングして所定の回路を構成する配線パターン325を形成する。
そして、図2に示されたように、ソルダレジスト(Solder Resist;SR)を塗布する(S240)。図3Cを参照すれば、ベースフィルム310上に形成された配線パターン325で外部端子と電気的に接続する所定の部分を除外し、外部環境から配線パターン325を保護するためソルダレジスト340を塗布する。こうしたソルダレジスト340は、スクリーン印刷法(Screen printing)により塗布することができる。
望ましくは、こうした配線パターン325の電気的特性を向上させるため配線パターン325の表面に真鍮、金、ニッケル又は半田の鍍金を実施する。このように配線パターン325にソルダレジスト340を塗布した後鍍金を実施することを後鍍金方式と言う。勿論、本発明の他の実施形態では、配線パターン325に鍍金を実施した後ソルダレジスト340を塗布する先鍍金方式を取ることができる。
以下、図4を参照して、レーザーを用いて配線パターンを形成する方法を詳細に説明する。
図4を参照すれば、本発明の一実施形態によるレーザー発生露光装置400は、光源410と、レンズアレイより成ったフライアイレンズ(Fly's eye lens)420と、所定形状を有する口径430と、コンデンサーレンズ(Condenser lens)440及びプロジェクションレンズ(Projection lens)460と、を含む。
ここで、光源410は、微細ピッチを有する配線パターン325を具現するため550μm以下の波長を有するレーザーを使用することができる。従って、光源410は、ArF、KrF、XeCl、F2、Nd−YAG(Neodymium−Yttrium Aluminum Garnet)及びCO2からなるグループより選択されたいずれか一つのソース気体を使用することができる。また、この光源410は、レーザーダイオードから発生するレーザーを使用することができる。
図4に示されたように、フライアイのように六角形或いは多くの形態の小さいレンズで配列されたフライアイレンズ420を光源410からレーザーが通過するところに配置する。フライアイレンズ420のようなビーム均一化装置は、光源410から出力されるレーザーをマスク450に照射するとき均一な強度と分布とを有させることができる。
そして、配線パターンのサイズが小さくなりつつ照射されるレーザーの解像度を高めるため光が通過する部分に口径430を配置することができる。こうした口径430は、両極形(Dipole)、4極形(Quadrupole)、環形(Annular)などで形成することができる。
従って、光源410から生成されたレーザーは、フライアイレンズ420により平行光に転換され、口径430により部分的に制限される。
そして、口径430を通過したレーザーは、コンデンサーレンズ440を通過してマスク450に照射される。こうしたコンデンサーレンズ440は、光源410から発生したレーザーを所望の方向に集中させるレンズとして、像(Image)を作るのに直接的な関与を行わないが、マスク450を照射するときレーザーの均一度を高めてやる。
そして、マスク450に到達したレーザーは回折され、プロジェクションレンズ460を通過してベースフィルム310上に形成された金属層320を露光する。ここで、一般にプロジェクションレンズ460は、マスク450を透過してマスクパターンの形状を有するレーザーを金属層320上に縮小投影させる。そして、ステージ(Stage)470は、金属層320が形成されたベースフィルム310を支持する。
このような光源410から発生したレーザーをベースフィルム310上の金属層320に照射する方法としては、マスク450とステージ470とが停止された時間中レーザーを照射するステッパー(Stepper)を用いたステップアンドリピート(Step−and−Repeat)と、マスク450とステージ470とが互いに一定した速度差異を有し、反対方向へ移動しつつ露光するスキャナー(Scanner)を用いたステップアンドスキャン(Step−and−Scan)などを使用することができる。
ここで、金属層320を配線パターン325に加工するためレーザーで配線パターン325以外の金属層320のみを正確にエッチングし、レーザーから発生する熱エネルギー(Thermal energy)により金属層320の下部に位置するベースフィルム310が損傷されることを最小化するためパルスタイプ(Pulse type)のレーザーを使用するものが望ましい。
本発明の第1の実施形態によるレーザーの出力方法についてパルスエネルギーが200mJであるArFエキシマーレーザー(Excimer laser、193nm)を例に挙げて説明する。勿論レーザーの出力方法は、設備及び工程条件に応じて異なることができる。ここで、金属層320を銅で、ベースフィルム310をポリイミドで説明するが、本発明が以下の具体的な実施形態に限定されるものではない。
本発明の第1の実施形態によるArFエキシマーレーザーの銅についてのエッチング速度(Etching rate)が約160mJ/μmであり、ポリイミドについてのエッチング速度が約16mJ/μmである場合、8μm厚さを有する金属層320をエッチングして配線パターン325に加工する工程を調べる。
8μm厚さの金属層320をエッチングするためには、1280mJ(=160mJ/μm×8μm)のエネルギーが必要である。ArFエキシマーレーザーのパルスエネルギーが200mJなので、8μm厚さの金属層320をエッチングするために6.4パルス(=1280mJ/200mJ)が必要である。従って、7パルスのArFエキシマーレーザーを金属層320に照射する場合、配線パターン325が形成される部分以外の金属層320は全てエッチングされ、0.6パルスほどの120mJエネルギー(=200μm×0.6)がベースフィルム310に照射される。従って、ベースフィルム310は、追加に約7.5μm(=120mJ/16mJ/μm)ほどエッチングされる。
ベースフィルム310であるポリイミドの厚さが約40μmであるとき、前述したような程度の損傷は、実験的にフィルムの物性に影響を与えない。
このようなパルス方式のレーザーで金属層320をエッチングする場合、レーザーのパルスエネルギーは、レーザーの周波数(普通50Hz〜300Hz)及び出力エネルギー(5W〜100W)を調節して変更することができる。従って、パルスエネルギーを適切に調節する場合、金属層320の下部に位置するポリイミドのようなベースフィルム310のエッチング量を最小化することができる。本発明は、以上の実施形態で言及した数値に限定されるものではなく、金属層320の材質と厚さに応じてレーザーの周波数と出力エネルギーとを調節してベースフィルム310のエッチング量を最小化しつつ金属層320をエッチングするものである。
また、レーザーを用いて配線パターン325を形成する間金属層320とレーザー330とが触れる部分以外にこれと隣接した金属層320又はベースフィルム310に熱エネルギーが伝達され得る。こうした熱エネルギーにより周辺の金属層320がエッチングされるか、或いは下部のベースフィルム310が変形され得るため、レーザーにより配線パターン325を形成する間金属層320とレーザー330とが触れる部分周囲に冷媒を供給してこうした熱エネルギーが周辺に伝達されることを防ぐことが望ましい。
このような冷媒としては、メチルエーテル、塩化エチル、ギ酸メチル、イソブタン、ジクロロエチレン、塩化メチレン、エチルエーテル、アンモニア、二酸化炭素、亜硫酸ガス、塩化メチル及びCFC系冷媒(フレオン)などを使用しうる。
以下、本発明の第2の実施形態を図5〜図6Dに基づいて説明する。
図5は、本発明の第2の実施形態によるテープ配線基板の製造工程の順序図である。そして、図6A〜図6Dは、図5のテープ配線基板の製造工程を順次的に示した断面図である。説明の便宜上、第1の実施形態の図面に示した各部材と同一機能を有する部材は同一符号で示し、従ってその説明は省略する。
図5及び図6Aに示されたように、先ずベースフィルム310を準備する(S510)。そして、ベースフィルム310上に金属層320を形成する(S520)。ここで、金属層320は第1の実施形態と同一である。
図5、図6A及び図6Bを参照すれば、レーザー330を用いてベースフィルム310上に形成された金属層320を選択的にエッチングして所定の回路を構成する配線パターン625を形成する(S530)。ここで、金属層330は、電気的信号を伝達する配線パターン625とこうした配線パターン625を形成するため除去されるべき配線パターン以外領域622とから構成される。図6Bに示されたように、配線パターン以外領域622をレーザー330で部分的に除去して所定の厚さほど残しておく。本発明の一実施形態において、8μm厚さの銅箔を金属層320として使用する場合レーザー330で約7.5μm厚さの銅箔をエッチングし、約0.5μm厚さの銅箔を残しておく。本発明は、以上の実施形態で言及した数値に限定されるものではなく、レーザーエッチング以後配線パターン以外領域622を再びエッチングする条件及び全体工程の便宜性によりレーザーエッチング以後残された配線パターン以外領域622の厚さは変えることができる。
図6Cに示されたように、配線パターン以外領域622を湿式エッチングで除去する(S540)。こうした湿式エッチングにより配線パターン以外領域622の下部に配置されたベースフィルム310が金属層320から露出されるようにする。このように、本発明の望ましい実施形態として配線パターン以外領域622を除去するため湿式エッチングを用いることができる。しかしながら、本発明は、これに限定されなく、プラズマを用いた乾式エッチングを使用して配線パターン以外領域622を除去することもできる。
本発明の一実施形態において、銅箔の金属層320を使用する場合、FeCl3、FeCl及びHClを含む水溶液をエッチング液として使用して湿式エッチングを遂行することができる。また、この場合、CuCl2、CuCl及びHClを含む水溶液をエッチング液として使用して湿式エッチングを遂行することができる。
そして、図6Dに示されたように、ベースフィルム310上に形成された配線パターン625で外部端子と電気的に接続する所定の部分を除外し、外部環境から配線パターン625を保護するためソルダレジスト340を塗布する(S550)。
本発明の第2の実施形態によるレーザーの出力方法についてパルスエネルギーが200mJであるArFエキシマーレーザー(Excimer laser、193nm)を例に挙げて説明する。勿論レーザーの出力方法は、設備及び工程条件に応じて異なることができる。ここで、金属層320を銅で、ベースフィルム310をポリイミドで説明するが、本発明が以下の具体的な実施形態に限定されるものではない。
本発明の第2の実施形態によるArFエキシマーレーザーの銅についてのエッチング速度が約160mJ/μmであり、ポリイミドについてのエッチング速度が約16mJ/μmである場合、8μm厚さを有する金属層320をエッチングして配線パターン625に加工する工程を調べる。
8μm厚さの金属層320をエッチングするためには、1280mJ(=160mJ/μm×8μm)のエネルギーが必要である。ArFエキシマーレーザーのパルスエネルギーが200mJなので、8μm厚さの金属層320をエッチングするために6.4パルス(=1280mJ/200mJ)が必要である。従って、6パルスのArFエキシマーレーザーを金属層320に照射する場合、配線パターン以外領域622は、約7.5μm(=1200mJ/160mJ/μm)厚さほどエッチングされ、約0.5μm厚さほど残る。そして、残った0.5μm厚さの配線パターン以外領域622は、湿式エッチングにより除去することができる。勿論この場合残った配線パターン以外領域622をプラズマを用いた乾式エッチングにより除去することもできる。
このように、レーザーによる1次エッチングと湿式エッチング(又は乾式エッチング)による2次エッチングとを並行する場合、ベースフィルム310が損傷されないようにレーザー330により配線パターン625を加工することができる。
以上、本発明の実施形態による場合、従来技術に比べてPRを使用せず直接的に金属層を配線パターンに加工することができるため工程が次第に減り、これによりテープ配線基板のコストを減少させうる。
以上、添付した図面を参照して本発明の好適な実施形態を説明したが、当業者であれば、本発明の技術的思想や必須的な特徴を変更せずに他の具体的な形態で実施されうることを理解することができる。したがって、上述した好適な実施形態は、例示的なものであり、限定的なものではないと理解されるべきである。
本発明のテープ配線基板の製造方法に使用されるテープ配線基板としては、テープキャリヤパッケージ又はチップオンフィルムなどのようにベースフィルム上に配線パターンが形成されたフレキシブル印刷回路基板が使用されうる。本発明で使用されるテープ配線基板は、ポリイミド樹脂などの絶縁材料から構成された薄いフィルムに配線パターン及びそれと連結された内部リードが形成された構造であって、半導体チップ上に予め形成されたバンプとテープ配線基板の内部リードとを一括的に接合させるTAB技術が適用される配線基板を含む。但し、前述したテープ配線基板は例示的なものに過ぎない。
310 ベースフィルム
320 金属層
325 配線パターン
330 レーザー
340 ソルダレジスト
400 露光装置
410 光源
420 フライアイレンズ
430 口径
440 コンデンサーレンズ
450 マスク
460 プロジェクションレンズ
470 ステージ
622 配線パターン以外領域
625 配線パターン
320 金属層
325 配線パターン
330 レーザー
340 ソルダレジスト
400 露光装置
410 光源
420 フライアイレンズ
430 口径
440 コンデンサーレンズ
450 マスク
460 プロジェクションレンズ
470 ステージ
622 配線パターン以外領域
625 配線パターン
Claims (22)
- ベースフィルムを提供する段階と、
前記ベースフィルム上に金属層を形成する段階と、
前記金属層に照射されるレーザーを用いて前記金属層を配線パターンに加工する段階と、
を含むことを特徴とするテープ配線基板の製造方法。 - 前記レーザーは、ArF、KrF、XeCl、F2、Nd−YAG及びCO2からなるグループより選択されたいずれか一つのソース気体から発生すること
を特徴とする請求項1に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記レーザーは、パルスタイプであること
を特徴とする請求項1に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記レーザーは、前記金属層に照射される前にビーム均一化装置を通過すること
を特徴とする請求項1に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記配線パターンを加工する間、前記金属層に冷媒を供給する段階をさらに含むこと
を特徴とする請求項1に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記冷媒は、メチルエーテル、塩化エチル、ギ酸メチル、イソブタン、ジクロロエチレン、塩化メチレン、エチルエーテル、アンモニア、二酸化炭素、亜硫酸ガス、塩化メチル及びCFC系冷媒からなるグループより選択されたいずれか一つの冷媒であること
を特徴とする請求項5に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記金属層は、銅を含むこと
を特徴とする請求項1に記載のテープ配線基板の製造方法。 - ベースフィルムを提供する段階と、
前記ベースフィルム上に金属層を形成する段階と、
前記金属層に照射されるレーザーを用いて前記金属層中配線パターン以外領域を部分的に除去する段階と、
残っている前記配線パターン以外領域をエッチングして配線パターンを形成する段階と、
を含むことを特徴とするテープ配線基板の製造方法。 - 前記レーザーは、ArF、KrF、XeCl、F2、Nd−YAG及びCO2からなるグループより選択されたいずれか一つのソース気体から発生すること
を特徴とする請求項8に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記レーザーは、パルスタイプであること
を特徴とする請求項8に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記レーザーは、前記金属層に照射される前にビーム均一化装置を通過すること
を特徴とする請求項8に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記レーザーを用いて前記配線パターン以外領域を部分的に除去する間、前記金属層に冷媒を供給する段階をさらに含むこと
を特徴とする請求項8に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記冷媒は、メチルエーテル、塩化エチル、ギ酸メチル、イソブタン、ジクロロエチレン、塩化メチレン、エチルエーテル、アンモニア、二酸化炭素、亜硫酸ガス、塩化メチル及びCFC系冷媒からなるグループより選択されたいずれか一つの冷媒であること
を特徴とする請求項12に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記エッチングは、湿式エッチングであること
を特徴とする請求項8に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記湿式エッチングにより前記配線パターン以外の部分の下部に配置された前記ベースフィルムが露出されること
を特徴とする請求項14に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記金属層は、銅を含むこと
を特徴とする請求項8に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記湿式エッチングは、FeCl3、FeCl及びHClを含む水溶液をエッチング液として使用すること
を特徴とする請求項15に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記湿式エッチングは、CuCl2、CuCl及びHClを含む水溶液をエッチング液として使用すること
を特徴とする請求項15に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記金属層を形成する段階は、ラミネート方法によること
を特徴とする請求項8に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記金属層を形成する段階は、電解鍍金によること
を特徴とする請求項8に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記金属層を形成する前に、
前記ベースフィルム上にスパッタリングによりシード層を形成する段階をさらに含むこと
を特徴とする請求項20に記載のテープ配線基板の製造方法。 - 前記シード層は、Cr、Ti及びNiのうちから選択された物質又はこれらの組合せからなる物質であること
を特徴とする請求項21に記載のテープ配線基板の製造方法。
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