JP2005268263A - Electrical double layer capacitor - Google Patents

Electrical double layer capacitor Download PDF

Info

Publication number
JP2005268263A
JP2005268263A JP2004074157A JP2004074157A JP2005268263A JP 2005268263 A JP2005268263 A JP 2005268263A JP 2004074157 A JP2004074157 A JP 2004074157A JP 2004074157 A JP2004074157 A JP 2004074157A JP 2005268263 A JP2005268263 A JP 2005268263A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
double layer
fullerene
layer capacitor
electric double
carbon nanotubes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2004074157A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Nishimura
康一 西村
Koji Endo
浩二 遠藤
Itsusei Yamada
逸成 山田
Mamoru Kimoto
衛 木本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2004074157A priority Critical patent/JP2005268263A/en
Publication of JP2005268263A publication Critical patent/JP2005268263A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/30Electrodes characterised by their material
    • H01G11/32Carbon-based
    • H01G11/36Nanostructures, e.g. nanofibres, nanotubes or fullerenes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13Energy storage using capacitors

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrical double layer capacitor which can yield a large electrostatic capacitance. <P>SOLUTION: On each of a pair of glass substrates, a carbon nanotube electrode is formed. Each carbon nanotube electrode consists of a plurality of carbon nanotubes 6 formed on the substrates 100. A lead electrode is connectd to each carbon nanotube electrode. The plurality of carbon nanotubes 6 are formed on the substrates 100. Among the carbon nanotubes 6, fullerenes 7 are inserted. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電気二重層キャパシタに関する。   The present invention relates to an electric double layer capacitor.

電気二重層キャパシタは、小型大容量のキャパシタとして、携帯電話または家庭用電気製品等のバックアップ電源または補助電源として用いられ、その高容量化が期待されている。   The electric double layer capacitor is used as a backup power source or auxiliary power source for a mobile phone or a household electric product as a small-sized and large-capacity capacitor, and is expected to have a high capacity.

電気二重層キャパシタに蓄積されるエネルギーE(単位:ジュール)は、下記式(1)により算出される。   The energy E (unit: joule) accumulated in the electric double layer capacitor is calculated by the following equation (1).

E=(1/2)CV2 ・・・(1)
式(1)において、Cは電気二重層キャパシタの容量(単位:ファラッド)、Vは電気二重層キャパシタの印加可能電圧(単位:ボルト)である。電気二重層キャパシタの電極材料には、一般的に活性炭が使用されているが、近年、カーボンナノチューブ等の新しい材料を電極として用いることにより、さらに高性能化を図る研究および開発が進められている。
E = (1/2) CV 2 (1)
In the formula (1), C is a capacitance (unit: farad) of the electric double layer capacitor, and V is an applicable voltage (unit: volt) of the electric double layer capacitor. Activated carbon is generally used as an electrode material for electric double layer capacitors, but in recent years, research and development have been promoted to achieve higher performance by using new materials such as carbon nanotubes as electrodes. .

ここで、本明細書において、カーボンナノチューブとは、直径1μm以下のチューブ状の炭素材料をいい、チューブ内が中空である場合だけでなく、チューブ内が詰まっている場合も含み、さらにチューブの周囲にアモルファス的な炭素(結晶性の乱れを有する炭素)が存在する場合も含む。   Here, in this specification, the carbon nanotube means a tube-shaped carbon material having a diameter of 1 μm or less, and includes not only a case where the tube is hollow but also a case where the tube is clogged, and further, the periphery of the tube. This includes the case where amorphous carbon (carbon having disorder of crystallinity) is present.

例えば、特許文献1には、集電体上に垂直成長させたカーボンナノチューブを分極性電極に用いたキャパシタが開示されている。また、特許文献2には、ブラシ状に形成されたカーボンナノチューブを分極性電極に用いる電気二重層キャパシタが開示されている。
特開2001−307951号公報 特開2003−234254号公報
For example, Patent Document 1 discloses a capacitor using carbon nanotubes vertically grown on a current collector as a polarizable electrode. Patent Document 2 discloses an electric double layer capacitor using carbon nanotubes formed in a brush shape as a polarizable electrode.
JP 2001-307951 A JP 2003-234254 A

しかしながら、上記のキャパシタにおいては、カーボンナノチューブ間の隙間が大きく、この隙間が電極として有効的に活用されていない。また、充放電を長期的に繰り返すと、カーボンナノチューブの先端部が絡まり合い束になる(バンドル化する)場合がある。その結果、電解液がカーボンナノチューブ内部に浸透しにくくなり、高い静電容量を得ることができない。   However, in the above capacitor, the gap between the carbon nanotubes is large, and this gap is not effectively used as an electrode. Further, when charging / discharging is repeated for a long time, the tip of the carbon nanotube may be entangled into a bundle (bundled). As a result, it is difficult for the electrolytic solution to penetrate into the carbon nanotube, and a high electrostatic capacity cannot be obtained.

本発明の目的は、高い静電容量を得ることができる電気二重層キャパシタを提供することである。   An object of the present invention is to provide an electric double layer capacitor capable of obtaining a high capacitance.

本発明に係る電気二重層キャパシタは、導電性材料からなる基板と、基板上に形成されたカーボンナノチューブからなる分極性電極とを備え、分極性電極は、フラーレン類を含むものである。   The electric double layer capacitor according to the present invention includes a substrate made of a conductive material and a polarizable electrode made of carbon nanotubes formed on the substrate, and the polarizable electrode contains fullerenes.

なお、ここで述べるフラーレン類とは、一般にフラーレンと呼ばれるC60やC70をはじめとする一群の球殻状の炭素分子およびフラーレンが結合して形成される物質である。   The fullerenes described herein are substances formed by combining a group of spherical shell-like carbon molecules such as C60 and C70 generally called fullerenes and fullerenes.

本発明に係る電気二重層キャパシタにおいては、分極性電極がフラーレン類を含むことにより、分極性電極の比表面積を大きくすることができる。それにより、高い静電容量を得ることができる。   In the electric double layer capacitor according to the present invention, when the polarizable electrode contains fullerenes, the specific surface area of the polarizable electrode can be increased. Thereby, a high capacitance can be obtained.

また、分極性電極がフラーレン類を含むことにより、電気二重層キャパシタの充放電の長期的な繰り返しによって、カーボンナノチューブが絡まり合い束になる(バンドル化する)ことを防止することができる。これにより、カーボンナノチューブのバンドル化による分極性電極の比表面積の減少を防止することができるので、静電容量が低減することもない。   In addition, since the polarizable electrode contains fullerenes, it is possible to prevent the carbon nanotubes from being entangled and bundled (bundled) due to long-term repetition of charging and discharging of the electric double layer capacitor. As a result, a decrease in the specific surface area of the polarizable electrode due to the bundling of carbon nanotubes can be prevented, so that the capacitance is not reduced.

フラーレン類は、カーボンナノチューブ間に挿入されてもよい。それにより、分極性電極の比表面積を十分に大きくすることができるとともに、カーボンナノチューブのバンドル化を十分に防止することができる。したがって、高い静電容量を得ることができる。   Fullerenes may be inserted between the carbon nanotubes. Thereby, the specific surface area of the polarizable electrode can be sufficiently increased, and the bundling of the carbon nanotubes can be sufficiently prevented. Therefore, a high electrostatic capacity can be obtained.

フラーレン類の重量は、カーボンナノチューブおよびフラーレン類の重量の合計値に対して5%以上40%以下の範囲内にあってもよい。この場合、カーボンナノチューブのバンドル化を十分に防止しつつ電解液のカーボンナノチューブ内部への浸透を阻害しない。それにより、高い静電容量を得ることができる。   The weight of the fullerenes may be in the range of 5% to 40% with respect to the total weight of the carbon nanotubes and fullerenes. In this case, the penetration of the electrolyte into the carbon nanotubes is not inhibited while sufficiently preventing the carbon nanotubes from being bundled. Thereby, a high capacitance can be obtained.

フラーレン類は、炭素原子以外の原子を内包してもよい。それにより、十分に高い静電容量を得ることができる。   Fullerenes may include atoms other than carbon atoms. Thereby, a sufficiently high capacitance can be obtained.

炭素原子以外の原子は、金属原子であってもよい。この場合、金属原子を内包したフラーレン類は導電性が高いことから、電気二重層キャパシタの内部抵抗を低減することができる。   The atoms other than carbon atoms may be metal atoms. In this case, fullerenes encapsulating metal atoms have high conductivity, so that the internal resistance of the electric double layer capacitor can be reduced.

フラーレン類は、フラーレンウイスカーを含んでもよい。この場合、導電性が高いフラーレンウイスカーをフラーレン類として用いることにより、さらに電気二重層キャパシタの内部抵抗を低減することができる。   Fullerenes may include fullerene whiskers. In this case, the internal resistance of the electric double layer capacitor can be further reduced by using fullerene whiskers having high conductivity as fullerenes.

本発明によれば、分極性電極の比表面積を大きくすることができる。それにより、高い静電容量を得ることができる。また、カーボンナノチューブのバンドル化によるカーボンナノチューブの比表面積の減少を防止することができるので、静電容量が低減することを防止することができる。   According to the present invention, the specific surface area of the polarizable electrode can be increased. Thereby, a high capacitance can be obtained. In addition, since the specific surface area of the carbon nanotubes can be prevented from decreasing due to the bundling of the carbon nanotubes, the capacitance can be prevented from decreasing.

以下、本実施の形態に係る電気二重層キャパシタについて図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, the electric double layer capacitor according to the present embodiment will be described with reference to the drawings.

図1は本実施の形態に係る電気二重層キャパシタの構造を示す模式図であり、(a)は模式的平面図、(b)は模式的断面図である。また、図2は図1に示す後述のカーボンナノチューブ電極の構造を示す模式図である。   1A and 1B are schematic views showing the structure of an electric double layer capacitor according to the present embodiment. FIG. 1A is a schematic plan view and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view. FIG. 2 is a schematic diagram showing the structure of a carbon nanotube electrode described later shown in FIG.

図1(b)に示すように、一対のガラス基板31,32上にそれぞれカーボンナノチューブ電極21,22が設けられている。カーボンナノチューブ電極21,22の各々は、基板100上に形成されたカーボンナノチューブ6を備える。なお、図1に示すカーボンナノチューブ6は、複数のカーボンナノチューブの集合体を模式的に示すものである。   As shown in FIG. 1B, carbon nanotube electrodes 21 and 22 are provided on a pair of glass substrates 31 and 32, respectively. Each of the carbon nanotube electrodes 21 and 22 includes a carbon nanotube 6 formed on the substrate 100. The carbon nanotube 6 shown in FIG. 1 schematically shows an aggregate of a plurality of carbon nanotubes.

図1(a)に示すように、カーボンナノチューブ電極21には引き出し電極51が接続され、カーボンナノチューブ電極22には引き出し電極52が接続されている。   As shown in FIG. 1A, a lead electrode 51 is connected to the carbon nanotube electrode 21, and a lead electrode 52 is connected to the carbon nanotube electrode 22.

図2に示すように、基板100上に複数のカーボンナノチューブ6が形成されている。カーボンナノチューブ6は、基板100に対して垂直方向に配向している。また、カーボンナノチューブ6間にはそれぞれフラーレン7が挿入されている。   As shown in FIG. 2, a plurality of carbon nanotubes 6 are formed on the substrate 100. The carbon nanotubes 6 are oriented in the direction perpendicular to the substrate 100. In addition, fullerenes 7 are inserted between the carbon nanotubes 6.

フラーレン7の例として、C60、C70、C130等がある。フラーレン7は、その分子構造の中に炭素原子以外の原子を内包してもよい。炭素原子以外の原子の例として、K(カリウム)、La(ランタン)、Sc(スカンジウム)、Cs(セシウム)、Ti(チタン)等の電気伝導性の高い金属原子または窒素原子等がある。   Examples of fullerene 7 include C60, C70, and C130. Fullerene 7 may include atoms other than carbon atoms in its molecular structure. Examples of atoms other than carbon atoms include highly conductive metal atoms such as K (potassium), La (lanthanum), Sc (scandium), Cs (cesium), and Ti (titanium), or nitrogen atoms.

なお、フラーレン7は、フラーレンウイスカーであってもよい。フラーレンウイスカーは、フラーレンナノウイスカーまたはC60ナノウイスカー等とも呼ばれ、フラーレンの分子が針状に繋がって形成された物質で、太さは例えば約250nmであり、長さは例えば約1μm程度のものである。   The fullerene 7 may be a fullerene whisker. Fullerene whiskers, also called fullerene nanowhiskers or C60 nanowhiskers, are substances formed by connecting fullerene molecules in a needle shape, with a thickness of about 250 nm and a length of about 1 μm, for example. is there.

ここで、本実施の形態に係る電気二重層キャパシタの製造方法について説明する。   Here, a method for manufacturing the electric double layer capacitor according to the present embodiment will be described.

本実施の形態に係る電気二重層キャパシタの基板100は、Ta(タンタル)等の導電性材料からなる。他の導電性材料の例として、SUS(ステンレス)、Al(アルミニウム)、Ni(ニッケル)、W(タングステン)、Ti(チタン)、V(バナジウム)、Cr(クロム)、Zr(ジルコニウム)、Nb(ニオブ)、Mo(モリブデン)、Hf(ハフニウム)、Tc(テクネチウム)、Ru(ルテニウム)、Rh(ロジウム)、Re(レニウム)、Os(オスミウム)、Ir(イリジウム)、Pt(白金)、Th(トリウム)、Pa(プロトアクチウム)またはC(炭素)等がある。あるいは、基板100は、SUS、Al、Ni、Ta、W、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Tc、Ru、Rh、Re、Os、Ir、Pt、Th、PaおよびCのうち2種以上を含んでもよい。   Substrate 100 of the electric double layer capacitor according to the present embodiment is made of a conductive material such as Ta (tantalum). Examples of other conductive materials include SUS (stainless steel), Al (aluminum), Ni (nickel), W (tungsten), Ti (titanium), V (vanadium), Cr (chromium), Zr (zirconium), Nb (Niobium), Mo (molybdenum), Hf (hafnium), Tc (technetium), Ru (ruthenium), Rh (rhodium), Re (rhenium), Os (osmium), Ir (iridium), Pt (platinum), Th (Thorium), Pa (Protoactium) or C (Carbon). Alternatively, the substrate 100 can be made of SUS, Al, Ni, Ta, W, Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Tc, Ru, Rh, Re, Os, Ir, Pt, Th, Pa, and C. Two or more of them may be included.

まず、例えば厚さ0.5mmの基板100を、例えば12mm四方の大きさに切断し、アセトン等により超音波洗浄した後、窒素ガンにより乾燥させる。   First, for example, a substrate 100 having a thickness of 0.5 mm is cut into a size of, for example, 12 mm square, ultrasonically cleaned with acetone or the like, and then dried with a nitrogen gun.

次に、冶具によって基板100をスパッタリング装置の容器内に固定する。その後、例えば10-4Pa以下に真空引きする。ターゲットとしてカーボンナノチューブ6を形成するための触媒金属となる例えばAl(アルミニウム)およびFe(鉄)を用意し、上記の基板100上に例えば厚さ50ÅのAlからなる層と、例えば厚さ50ÅのFeからなる層とを順に形成する。 Next, the substrate 100 is fixed in a container of a sputtering apparatus with a jig. Thereafter, vacuuming is performed to 10 −4 Pa or less, for example. For example, Al (aluminum) and Fe (iron) serving as catalyst metals for forming the carbon nanotubes 6 as a target are prepared. A layer made of Fe is formed in order.

上記の触媒金属の他の例として、Ni(ニッケル)、Co(コバルト)、Fe(鉄)、Al(アルミニウム)、Y(イットリウム)、Rh(ロジウム)、Pd(パラジウム)、Pt(白金)、La(ランタン)、Ce(セリウム)、Pr(プラセオジウム)、Nd(ネオジム)、Gd(ガドリニウム)、Tb(テルビウム)、Dy(ジスプロシウム)、Ho(ホルミウム)、Er(エルビウム)またはLu(ルテチウム)等がある。あるいは、触媒金属は、Ni、Co、Fe、Al、Y、Rh、Pd、Pt、La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、ErおよびLuのうち2種以上の金属を含んでもよい。   Other examples of the catalyst metal include Ni (nickel), Co (cobalt), Fe (iron), Al (aluminum), Y (yttrium), Rh (rhodium), Pd (palladium), Pt (platinum), La (lanthanum), Ce (cerium), Pr (praseodymium), Nd (neodymium), Gd (gadolinium), Tb (terbium), Dy (dysprosium), Ho (holmium), Er (erbium), Lu (lutetium), etc. There is. Alternatively, the catalyst metal includes two or more metals of Ni, Co, Fe, Al, Y, Rh, Pd, Pt, La, Ce, Pr, Nd, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, and Lu. But you can.

その後、基板100をCVD(化学的蒸着)装置の容器内にセットし、例えば10-4Pa以下に真空引きする。 Thereafter, the substrate 100 is set in a container of a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus and evacuated to, for example, 10 −4 Pa or less.

次に、減圧下でヒータにより基板100を例えば50℃/分の昇温速度で例えば700℃まで昇温させ、約1時間保持する。He(ヘリウム)で例えば20%に希釈されたアセチレンガスを例えば15sccmで容器内に導入し、容器内の圧力を例えば600Paに設定する。   Next, the substrate 100 is heated to, for example, 700 ° C., for example, at a heating rate of 50 ° C./min under reduced pressure, and held for about 1 hour. Acetylene gas diluted to 20% with He (helium), for example, is introduced into the container at 15 sccm, for example, and the pressure in the container is set to 600 Pa, for example.

次に、圧力が安定すると同時に基板100をセットしているホルダー電極とそれに対向する電極との間にDC(直流)パルス電源によってプラズマを発生させる。プラズマの投入電力は例えば250Wとする。このまま例えば30分間保持し、基板100上にカーボンナノチューブ6を形成する。なお、カーボンナノチューブ6は、単層のグラフェンシートからなる単層カーボンナノチューブまたは複数層のグラフェンシートからなる多層カーボンナノチューブより形成されてもよい。   Next, at the same time that the pressure is stabilized, plasma is generated by a DC (direct current) pulse power source between the holder electrode on which the substrate 100 is set and the electrode facing the holder electrode. The input power of plasma is 250 W, for example. For example, the carbon nanotubes 6 are formed on the substrate 100 by holding for 30 minutes. The carbon nanotubes 6 may be formed of single-walled carbon nanotubes made of a single-layer graphene sheet or multi-walled carbon nanotubes made of a plurality of layers of graphene sheets.

基板100上にカーボンナノチューブ6を形成し終えた後、DCパルス電源およびヒータ電源を遮断にし、基板100を自然冷却する。基板100を室温まで冷却した後、基板100をCVD装置から取り出す。また、カーボンナノチューブ6の形成の量は、形成前後の基板100の重量より算出する。   After the formation of the carbon nanotubes 6 on the substrate 100 is completed, the DC pulse power source and the heater power source are shut off, and the substrate 100 is naturally cooled. After the substrate 100 is cooled to room temperature, the substrate 100 is taken out from the CVD apparatus. The amount of carbon nanotubes 6 formed is calculated from the weight of the substrate 100 before and after the formation.

次に、フラーレン溶液を用意する。本実施の形態では、フラーレンとして例えばC60を用いる。そして、上記の所定の複数の重量のフラーレンを例えば100mlのトルエンの入った異なる容器内にそれぞれ入れ、室温で例えば10分間、超音波を照射することにより完全に溶解させ、フラーレン溶液を作製する。   Next, a fullerene solution is prepared. In the present embodiment, for example, C60 is used as the fullerene. Then, the fullerenes having a predetermined plurality of weights are put in different containers containing, for example, 100 ml of toluene, and completely dissolved by irradiating ultrasonic waves at room temperature, for example, for 10 minutes to prepare a fullerene solution.

続いて、カーボンナノチューブ6が形成された上述の基板100を上記フラーレン溶液内にそれぞれ浸漬させ、溶液中のフラーレン7の一部をカーボンナノチューブ6間に挿入させる。この場合、浸漬時間は、所定の異なる複数の時間を含む。   Subsequently, the substrate 100 on which the carbon nanotubes 6 are formed is immersed in the fullerene solution, and a part of the fullerene 7 in the solution is inserted between the carbon nanotubes 6. In this case, the immersion time includes a plurality of different predetermined times.

次に、容器内から基板100をそれぞれ取り出し、例えば60℃の温度で乾燥させる。乾燥後、基板100の重量を測定する。この基板100の重量と上述したカーボンナノチューブ6の形成後の基板100の重量とにより、カーボンナノチューブ6間に設けられたフラーレン7の重量を算出する。   Next, each substrate 100 is taken out from the container and dried at a temperature of 60 ° C., for example. After drying, the weight of the substrate 100 is measured. Based on the weight of the substrate 100 and the weight of the substrate 100 after the carbon nanotube 6 is formed, the weight of the fullerene 7 provided between the carbon nanotubes 6 is calculated.

次に、一対のカーボンナノチューブ電極21,22を真空中で例えば180℃の温度で、例えば5時間乾燥させる。その後、一対のカーボンナノチューブ電極21,22間にセルロース系のセパレータ40を挿入し、カーボンナノチューブ電極21,22を両側からガラス基板31,32で挟み込むことによりセルを作製する。このセルに電解液を含浸させる。   Next, the pair of carbon nanotube electrodes 21 and 22 are dried in a vacuum at a temperature of, for example, 180 ° C., for example, for 5 hours. Thereafter, a cellulosic separator 40 is inserted between the pair of carbon nanotube electrodes 21 and 22, and the carbon nanotube electrodes 21 and 22 are sandwiched between the glass substrates 31 and 32 from both sides to produce a cell. This cell is impregnated with an electrolytic solution.

電解液には、例えば1MのTEABF4 (4フッ化ホウ酸テトラエチルアンモニウム)/PC(プロピレンカーボネート)を用いる。電解液の種類は、本例に限定されず、種々の電解液を用いることができる。このようにして、電気二重層キャパシタを作製することができる。 For example, 1M TEABF 4 (tetraethylammonium tetrafluoroborate) / PC (propylene carbonate) is used as the electrolytic solution. The type of the electrolytic solution is not limited to this example, and various electrolytic solutions can be used. In this way, an electric double layer capacitor can be produced.

本実施の形態においては、カーボンナノチューブ6間にフラーレン7を挿入する。これにより、分極性電極の比表面積を大きくすることができる。それにより、高い静電容量を得ることができる。   In the present embodiment, fullerene 7 is inserted between carbon nanotubes 6. Thereby, the specific surface area of a polarizable electrode can be enlarged. Thereby, a high capacitance can be obtained.

また、カーボンナノチューブ6間にフラーレン7を挿入することにより、電気二重層キャパシタの充放電の長期的な繰り返しによるカーボンナノチューブ6のバンドル化を防止することができる。これにより、バンドル化によるカーボンナノチューブ6の比表面積の減少を防止することができるので、静電容量が低減することもない。   Further, by inserting the fullerene 7 between the carbon nanotubes 6, it is possible to prevent the carbon nanotubes 6 from being bundled due to long-term repetition of charging and discharging of the electric double layer capacitor. As a result, it is possible to prevent the specific surface area of the carbon nanotubes 6 from being reduced due to bundling, so that the capacitance is not reduced.

また、カーボンナノチューブ6間に挿入されるフラーレン7の重量は、カーボンナノチューブ6およびフラーレン7の重量の合計値に対して5%よりも小さいと上記の効果がなく、上記の合計値に対して40%を超えるとカーボンナノチューブ6間を塞いでしまうこととなり、電解液の浸透を阻害することとなる。したがって、フラーレン7の重量は、カーボンナノチューブ6およびフラーレン7の重量の合計値に対して5〜40%の範囲内にあることが好ましい。   Further, when the weight of the fullerene 7 inserted between the carbon nanotubes 6 is less than 5% with respect to the total value of the weights of the carbon nanotube 6 and the fullerene 7, the above effect is not obtained, and the weight of the fullerene 7 is 40 If it exceeds%, the gap between the carbon nanotubes 6 will be blocked, and the penetration of the electrolyte will be inhibited. Therefore, the weight of fullerene 7 is preferably in the range of 5 to 40% with respect to the total weight of carbon nanotube 6 and fullerene 7.

さらに、カーボンナノチューブ6の直径は、1nm〜500nm程度であることが好ましく、複数のカーボンナノチューブの集合体を模式的に示す図1のカーボンナノチューブ6の形状は略円形であることが好ましい。それにより、カーボンナノチューブ6内部の中央部まで十分に電解液が含浸する。   Further, the diameter of the carbon nanotube 6 is preferably about 1 nm to 500 nm, and the shape of the carbon nanotube 6 in FIG. 1 schematically showing an aggregate of a plurality of carbon nanotubes is preferably substantially circular. Thereby, the electrolytic solution is sufficiently impregnated to the central part inside the carbon nanotube 6.

本実施の形態においては、フラーレン7がフラーレン類に相当し、カーボンナノチューブ電極21,22が分極性電極に相当する。   In the present embodiment, fullerene 7 corresponds to fullerenes, and carbon nanotube electrodes 21 and 22 correspond to polarizable electrodes.

なお、Ta等の導電性材料からなる基板100上にカーボンナノチューブ6を形成することとしているが、これに限定されるものではなく、高分子材料からなる非導電性基板上にスパッタリング法または真空蒸着法により導電性材料からなる層を形成し、この層上にカーボンナノチューブ6を形成してもよい。   The carbon nanotubes 6 are formed on the substrate 100 made of a conductive material such as Ta. However, the present invention is not limited to this, and sputtering or vacuum deposition is performed on a non-conductive substrate made of a polymer material. A layer made of a conductive material may be formed by the method, and the carbon nanotubes 6 may be formed on this layer.

以下の実施例1〜9および比較例では、以下に示す所定の製造方法により電気二重層キャパシタを作製した。基板100の表面を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察し、カーボンナノチューブ6が形成されていることを確認した。そして、作製した電気二重層キャパシタの静電容量および内部抵抗を測定した。   In Examples 1 to 9 and Comparative Examples below, electric double layer capacitors were produced by the following predetermined manufacturing method. The surface of the substrate 100 was observed with a scanning electron microscope (SEM), and it was confirmed that the carbon nanotubes 6 were formed. And the electrostatic capacitance and internal resistance of the produced electric double layer capacitor were measured.

実施例1〜9および比較例のカーボンナノチューブ6は、多層カーボンナノチューブである。カーボンナノチューブ6の直径は約5nm〜約100nmの範囲にあり、その平均は約30nmであった。カーボンナノチューブ6の長さは約100μmであり、カーボンナノチューブ6の密度は約1010本/cm2 であった。 The carbon nanotubes 6 of Examples 1 to 9 and the comparative example are multi-walled carbon nanotubes. The diameter of the carbon nanotube 6 was in the range of about 5 nm to about 100 nm, and the average was about 30 nm. The length of the carbon nanotube 6 was about 100 μm, and the density of the carbon nanotube 6 was about 10 10 pieces / cm 2 .

(実施例1)
本実施例の電気二重層キャパシタの構成は、上記実施の形態に係る電気二重層キャパシタと同様の構成である。
(Example 1)
The configuration of the electric double layer capacitor of this example is the same as that of the electric double layer capacitor according to the above embodiment.

本実施例では、カーボンナノチューブ6およびフラーレン7の重量の合計値に対するフラーレン7の重量の比率(以下、フラーレン重量比率と称する)は5%であった。なお、本実施例ではフラーレン50mgをトルエン100mlに溶解させたフラーレン溶液を用いた。また、上記の浸漬時間は、10分とした。   In this example, the ratio of the weight of fullerene 7 to the total weight of carbon nanotubes 6 and fullerene 7 (hereinafter referred to as fullerene weight ratio) was 5%. In this example, a fullerene solution in which 50 mg of fullerene was dissolved in 100 ml of toluene was used. The immersion time was 10 minutes.

(実施例2)
本実施例の電気二重層キャパシタの構成は、以下の点を除いて上記実施の形態に係る電気二重層キャパシタと同様の構成である。
(Example 2)
The configuration of the electric double layer capacitor of this example is the same as that of the electric double layer capacitor according to the above embodiment except for the following points.

本実施例では、フラーレン重量比率は11%であった。なお、本実施例ではフラーレン50mgをトルエン100mlに溶解させたフラーレン溶液を用いた。また、上記の浸漬時間は30分とした。   In this example, the fullerene weight ratio was 11%. In this example, a fullerene solution in which 50 mg of fullerene was dissolved in 100 ml of toluene was used. The immersion time was 30 minutes.

(実施例3)
本実施例の電気二重層キャパシタの構成は、以下の点を除いて上記実施の形態に係る電気二重層キャパシタと同様の構成である。
(Example 3)
The configuration of the electric double layer capacitor of this example is the same as that of the electric double layer capacitor according to the above embodiment except for the following points.

本実施例では、フラーレン重量比率は19%であった。なお、本実施例ではフラーレン100mgをトルエン100mlに溶解させたフラーレン溶液を用いた。また、上記の浸漬時間は15分とした。   In this example, the fullerene weight ratio was 19%. In this example, a fullerene solution in which 100 mg of fullerene was dissolved in 100 ml of toluene was used. The immersion time was 15 minutes.

(実施例4)
本実施例の電気二重層キャパシタの構成は、以下の点を除いて上記実施の形態に係る電気二重層キャパシタと同様の構成である。
Example 4
The configuration of the electric double layer capacitor of this example is the same as that of the electric double layer capacitor according to the above embodiment except for the following points.

本実施例では、フラーレン重量比率は25%であった。なお、本実施例ではフラーレン100mgをトルエン100mlに溶解させたフラーレン溶液を用いた。また、上記の浸漬時間は30分とした。   In this example, the fullerene weight ratio was 25%. In this example, a fullerene solution in which 100 mg of fullerene was dissolved in 100 ml of toluene was used. The immersion time was 30 minutes.

(実施例5)
本実施例の電気二重層キャパシタの構成は、上以下の点を除いて記実施の形態に係る電気二重層キャパシタと同様の構成である。
(Example 5)
The configuration of the electric double layer capacitor of this example is the same as that of the electric double layer capacitor according to the embodiment except for the following points.

本実施例では、フラーレン重量比率は39%であった。なお、本実施例ではフラーレン200mgをトルエン100mlに溶解させたフラーレン溶液を用いた。また、上記の浸漬時間は60分とした。   In this example, the fullerene weight ratio was 39%. In this example, a fullerene solution in which 200 mg of fullerene was dissolved in 100 ml of toluene was used. The immersion time was 60 minutes.

(実施例6)
本実施例の電気二重層キャパシタは、C60の代わりにLa(ランタン)原子を内包したフラーレン7を用いた点を除いて実施例1と同様に電気二重層キャパシタを作製した。
(Example 6)
As the electric double layer capacitor of this example, an electric double layer capacitor was produced in the same manner as in Example 1 except that fullerene 7 containing La (lanthanum) atoms was used instead of C60.

本実施例では、フラーレン重量比率は13%であった。なお、本実施例ではフラーレン100mgをトルエン100mlに溶解させたフラーレン溶液を用いた。また、上記の浸漬時間は30分とした。   In this example, the fullerene weight ratio was 13%. In this example, a fullerene solution in which 100 mg of fullerene was dissolved in 100 ml of toluene was used. The immersion time was 30 minutes.

(実施例7)
本実施例の電気二重層キャパシタは、C60の代わりにLa原子を内包したフラーレン7を用いた点を除いて実施例1と同様に電気二重層キャパシタを作製した。
(Example 7)
For the electric double layer capacitor of this example, an electric double layer capacitor was produced in the same manner as in Example 1 except that fullerene 7 containing La atoms was used instead of C60.

本実施例では、フラーレン重量比率は22%であった。なお、本実施例ではフラーレン100mgをトルエン100mlに溶解させたフラーレン溶液を用いた。また、上記の浸漬時間は60分とした。   In this example, the fullerene weight ratio was 22%. In this example, a fullerene solution in which 100 mg of fullerene was dissolved in 100 ml of toluene was used. The immersion time was 60 minutes.

(実施例8)
本実施例の電気二重層キャパシタの構成は、以下の点を除いて上記実施の形態に係る電気二重層キャパシタと同様の構成である。
(Example 8)
The configuration of the electric double layer capacitor of this example is the same as that of the electric double layer capacitor according to the above embodiment except for the following points.

本実施例では、100mlのトルエンが入っている容器内に200mgのC60を入れ溶解させた。その後、この容器内にカーボンナノチューブ6が形成された基板100を浸漬させた。そして、100mlのイソプロピルアルコール(IPA)を容器内に導入し、振動を与えないように3日間保持することにより、フラーレンウイスカーを形成した。   In this example, 200 mg of C60 was dissolved in a container containing 100 ml of toluene. Thereafter, the substrate 100 on which the carbon nanotubes 6 were formed was immersed in the container. And 100 ml of isopropyl alcohol (IPA) was introduce | transduced in the container, and it hold | maintained for 3 days so that a vibration might not be given, and the fullerene whisker was formed.

その後、フラーレンウイスカーが形成された基板100を容器内から取り出し60℃の温度で乾燥させた。フラーレン重量比率は8%であった。   Thereafter, the substrate 100 on which fullerene whiskers were formed was taken out of the container and dried at a temperature of 60 ° C. The fullerene weight ratio was 8%.

(実施例9)
本実施例の電気二重層キャパシタの構成は、以下の点を除いて上記実施の形態に係る電気二重層キャパシタと同様の構成である。
Example 9
The configuration of the electric double layer capacitor of this example is the same as that of the electric double layer capacitor according to the above embodiment except for the following points.

本実施例では、100mlのトルエンが入っている容器内に200mgのC60を入れ溶解させた。その後、この容器内にカーボンナノチューブ6が形成された基板100を浸漬させた。そして、100mlのイソプロピルアルコール(IPA)を容器内に導入し、振動を与えないように5日間保持することにより、フラーレンウイスカーを形成した。   In this example, 200 mg of C60 was dissolved in a container containing 100 ml of toluene. Thereafter, the substrate 100 on which the carbon nanotubes 6 were formed was immersed in the container. And 100 ml of isopropyl alcohol (IPA) was introduce | transduced in the container, and it hold | maintained for 5 days so that a vibration might not be given, and the fullerene whisker was formed.

その後、フラーレンウイスカーが形成された基板100を容器内から取り出し60℃の温度で乾燥させた。フラーレン重量比率は15%であった。   Thereafter, the substrate 100 on which fullerene whiskers were formed was taken out of the container and dried at a temperature of 60 ° C. The fullerene weight ratio was 15%.

(比較例)
本実施例の電気二重層キャパシタは、フラーレン7を挿入しない点を除いて実施例1と同様に電気二重層キャパシタを作製した。
(Comparative example)
As the electric double layer capacitor of this example, an electric double layer capacitor was produced in the same manner as in Example 1 except that the fullerene 7 was not inserted.

(評価)
実施例1〜9および比較例で作製した電気二重層キャパシタの静電容量および内部抵抗の測定結果を表1に示す。なお、表1では、実施例1〜9の電気二重層キャパシタの静電容量および内部抵抗の測定結果を比較例の電気二重層キャパシタの静電容量および内部抵抗の測定結果を100として規格化し、規格化した静電容量および内部抵抗の値を示している。また、表1に示すフラーレン濃度とは、トルエンの体積に対するフラーレン7の重量の比率(mg/ml)をいう。
(Evaluation)
Table 1 shows the measurement results of the capacitance and internal resistance of the electric double layer capacitors produced in Examples 1 to 9 and the comparative example. In Table 1, the measurement results of the capacitance and internal resistance of the electric double layer capacitors of Examples 1 to 9 were normalized with the measurement result of the capacitance and internal resistance of the electric double layer capacitor of the comparative example as 100, The normalized capacitance and internal resistance values are shown. Moreover, the fullerene concentration shown in Table 1 refers to the ratio (mg / ml) of the weight of fullerene 7 to the volume of toluene.

Figure 2005268263
Figure 2005268263

表1に示すように、実施例1〜9の電気二重層キャパシタの静電容量は、比較例のフラーレン7を挿入しない電気二重層キャパシタの静電容量よりも大きくなった。実施例1〜9の静電容量の測定結果より、フラーレン7の重量は、カーボンナノチューブ6およびフラーレン7の重量の合計値に対して5〜40%の範囲内にあることが好ましいことがわかった。また、実施例1〜9の電気二重層キャパシタの内部抵抗の値はそれぞれ比較例の電気二重層キャパシタの内部抵抗の値以下となり電流が流れやすいことがわかった。   As shown in Table 1, the capacitances of the electric double layer capacitors of Examples 1 to 9 were larger than the capacitance of the electric double layer capacitor in which the fullerene 7 of the comparative example was not inserted. From the capacitance measurement results of Examples 1 to 9, it was found that the weight of fullerene 7 is preferably in the range of 5 to 40% with respect to the total weight of carbon nanotube 6 and fullerene 7. . Moreover, it turned out that the value of the internal resistance of the electric double layer capacitor of Examples 1-9 becomes below the value of the internal resistance of the electric double layer capacitor of the comparative example, respectively, and current flows easily.

さらに、金属原子を内包したフラーレン7を用いた実施例6,7およびフラーレンウイスカーをフラーレン7として用いた実施例8,9の電気二重層キャパシタの静電容量は、C60をフラーレン7として用いた実施例1〜5の電気二重層キャパシタの静電容量よりも一部を除いて高くなることがわかった。これは、金属原子を内包したフラーレンおよびフラーレンウイスカーは導電性が高いためであると考えられる。   Furthermore, the capacitances of the electric double layer capacitors of Examples 6 and 7 using the fullerene 7 encapsulating metal atoms and Examples 8 and 9 using the fullerene whisker as the fullerene 7 were measured using C60 as the fullerene 7. It turned out that it becomes higher except for a part of capacitance of the electric double layer capacitors of Examples 1 to 5. This is presumably because fullerenes and fullerene whiskers encapsulating metal atoms have high conductivity.

本発明は、電気二重層キャパシタ等の種々のデバイスに利用することができる。   The present invention can be used in various devices such as electric double layer capacitors.

本実施の形態に係る電気二重層キャパシタの構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the electric double layer capacitor which concerns on this Embodiment. 図1に示すカーボンナノチューブ電極の構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the carbon nanotube electrode shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

6 カーボンナノチューブ
7 フラーレン
21,22 カーボンナノチューブ電極
31,32 ガラス基板
51,52 引き出し電極
100 基板
200 電解液
6 Carbon nanotubes 7 Fullerenes 21 and 22 Carbon nanotube electrodes 31 and 32 Glass substrates 51 and 52 Lead electrodes 100 Substrate 200 Electrolyte

Claims (6)

導電性材料からなる基板と、
前記基板上に形成されたカーボンナノチューブからなる分極性電極とを備え、
前記分極性電極は、フラーレン類を含むことを特徴とする電気二重層キャパシタ。
A substrate made of a conductive material;
A polarizable electrode made of carbon nanotubes formed on the substrate,
The electric double layer capacitor, wherein the polarizable electrode contains fullerenes.
前記フラーレン類は、前記カーボンナノチューブ間に挿入されたことを特徴とする請求項1記載の電気二重層キャパシタ。 The electric double layer capacitor according to claim 1, wherein the fullerenes are inserted between the carbon nanotubes. 前記フラーレン類の重量は、前記カーボンナノチューブおよび前記フラーレン類の重量の合計値に対して5%以上40%以下の範囲内にあること特徴とする請求項1または2記載の電気二重層キャパシタ。 3. The electric double layer capacitor according to claim 1, wherein a weight of the fullerene is in a range of 5% to 40% with respect to a total value of the weight of the carbon nanotube and the fullerene. 前記フラーレン類は、炭素原子以外の原子を内包することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電気二重層キャパシタ。 The electric double layer capacitor according to claim 1, wherein the fullerenes include atoms other than carbon atoms. 前記炭素原子以外の原子は、金属原子であることを特徴とする請求項4記載の電気二重層キャパシタ。 The electric double layer capacitor according to claim 4, wherein the atoms other than the carbon atoms are metal atoms. 前記フラーレン類は、フラーレンウイスカーを含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の電気二重層キャパシタ。 The electric double layer capacitor according to claim 1, wherein the fullerene includes a fullerene whisker.
JP2004074157A 2004-03-16 2004-03-16 Electrical double layer capacitor Withdrawn JP2005268263A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004074157A JP2005268263A (en) 2004-03-16 2004-03-16 Electrical double layer capacitor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004074157A JP2005268263A (en) 2004-03-16 2004-03-16 Electrical double layer capacitor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005268263A true JP2005268263A (en) 2005-09-29

Family

ID=35092544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004074157A Withdrawn JP2005268263A (en) 2004-03-16 2004-03-16 Electrical double layer capacitor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005268263A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102376377A (en) * 2011-09-21 2012-03-14 钰邦电子(无锡)有限公司 Method for manufacturing aluminum material with high specific surface area
WO2014011722A3 (en) * 2012-07-11 2014-03-06 Jme, Inc. Conductive material with graphene nanosheet material and charge-storage material in voids
JP2020009660A (en) * 2018-07-10 2020-01-16 アイシン精機株式会社 Carbon nanotube electrode, power storage device using the same, and manufacturing method of carbon nanotube composite

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102376377A (en) * 2011-09-21 2012-03-14 钰邦电子(无锡)有限公司 Method for manufacturing aluminum material with high specific surface area
WO2014011722A3 (en) * 2012-07-11 2014-03-06 Jme, Inc. Conductive material with graphene nanosheet material and charge-storage material in voids
US20150235776A1 (en) * 2012-07-11 2015-08-20 Jme, Inc. Conductive material with charge-storage material in voids
US9437369B2 (en) * 2012-07-11 2016-09-06 Jme, Inc. Conductive material with charge-storage material in voids
JP2020009660A (en) * 2018-07-10 2020-01-16 アイシン精機株式会社 Carbon nanotube electrode, power storage device using the same, and manufacturing method of carbon nanotube composite
JP7163645B2 (en) 2018-07-10 2022-11-01 株式会社アイシン Carbon nanotube electrode, electricity storage device using the same, and method for producing carbon nanotube composite

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Du et al. High power density supercapacitor electrodes of carbon nanotube films by electrophoretic deposition
CN102177563B (en) Electric double layer capacitor and method for manufacturing same
Achour et al. Hierarchical nanocomposite electrodes based on titanium nitride and carbon nanotubes for micro-supercapacitors
Chen et al. Preparation and characterization of iridium dioxide–carbon nanotube nanocomposites for supercapacitors
Gu et al. Silicon carbide nanowires@ Ni (OH) 2 core–shell structures on carbon fabric for supercapacitor electrodes with excellent rate capability
JP2018131381A (en) Energy storage media for ultracapacitors
Wu et al. High-performance asymmetric supercapacitors based on cobalt chloride carbonate hydroxide nanowire arrays and activated carbon
Guan et al. Atomic‐Layer‐Deposition‐Assisted Formation of Carbon Nanoflakes on Metal Oxides and Energy Storage Application
JP2009173476A (en) Carbon nanotube structure, method for manufacturing the same and energy device using the same
JP3837392B2 (en) Carbon nanotube manufacturing method, carbon nanotube device, and electric double layer capacitor
Sridhar et al. Directly grown carbon nano-fibers on nickel foam as binder-free long-lasting supercapacitor electrodes
JP2010245556A (en) Supercapacitor
JPWO2012160822A1 (en) Electrode, manufacturing method thereof, energy device including the same, electronic apparatus and transport device
JP3854958B2 (en) Method for producing carbon nanotube
Hao et al. Highly catalytic cross-stacked superaligned carbon nanotube sheets for iodine-free dye-sensitized solar cells
Chen et al. A nanostructured electrode of IrOx foil on the carbon nanotubes for supercapacitors
JP2007194354A (en) Polarizable electrode, and electric double layer capacitor comprising same
JP2008192695A (en) Electrode body, manufacturing method thereof and electric double-layer capacitor
US20120134071A1 (en) Electrochemical double-layer capacitor using nanotube electrode structures
Saghafi et al. Preparation of vertically aligned carbon nanotubes and their electrochemical performance in supercapacitors
JP2005259760A (en) Electric double-layer capacitor
JP2005268263A (en) Electrical double layer capacitor
Rani et al. Fabrication of Binder‐Free TiO2 Nanofibers@ Carbon Cloth for Flexible and Ultra‐Stable Supercapacitor for Wearable Electronics
Li et al. Supercapacitor characteristics of MoS2 and MoOx coated onto honeycomb-shaped carbon nanotubes
Gudavalli et al. Chemical vapor-deposited carbon nanotubes as electrode material for supercapacitor applications

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060418

A761 Written withdrawal of application

Effective date: 20070727

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761