JP2005260658A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】制御電圧に応じて通電電流が制御される出力トランジスタと、これに並列接続された検出トランジスタと、この検出トランジスタに直列接続された検出抵抗と、検出抵抗から得られる電圧の増加に応じて出力トランジスタと検出トランジスタの通電電流を減少させる過電流保護トランジスタとを備え、前記検出抵抗は前記出力トランジスタのドレイン電圧と比例関係に設定されている半導体装置。
【選択図】図1
Description
また、この2重拡散型電界効果トランジスタは、単位面積当りのオン抵抗を下げる為に年々微細化されており、よりオン抵抗の小さい構造として、図15及び図16に示すように、ゲート電極108を埋め込むタイプが実用化されている。図15は、平面図であり、図16は、図15中のD−D’ 線に沿った断面図である。
前記出力トランジスタは電界効果トランジスタであり、前記第1の端子はドレイン端子であり、前記第2の端子はソース端子であることを特徴とする。
図1は、本発明の第1の実施の形態を示す回路図であり、特許文献1の図10における固定抵抗値を有する検出抵抗105に換えてドレイン電圧に依存して抵抗値が変化する検出抵抗5にしたものである。図1中の出力MOSFET1,検出MOSFET4,検出抵抗5は少なくとも同一半導体基板に形成されており、出力MOSFET1,検出MOSFET4は、図13及び図14のセル構成からなる縦型2重拡散型電界効果トランジスタ構造、或はよりオン抵抗の小さい構造として、図15及び図16のゲート電極107を埋め込む構造を有している。検出抵抗5以外は、従来の構造、製法で形成される。
図8は、本発明の第2の実施の形態を示す回路図であり、第1の実施の形態と同一の構成の部分は同一の符号を用いる。第1の実施の形態と異なるところは、並列に固定抵抗値を有する抵抗15を検出抵抗5に対して並列接続させる点で、この構成によって、低濃度のp型不純物を有する半導体層11の全体が空乏化される電圧以上にしても、出力MOSFET1のソースと検出MOSFET4のソース間の抵抗値は無限大にならず、固定抵抗値に応じたドレイン電流が流れる。この場合の出力MOSFET1のドレイン・ソース間電圧に対するドレイン電流特性は、図9の様になり、出力MOSFET1のドレイン・ソース間電圧VDSが高くなるとドレイン電流IDが下がっていき、半導体層11の全体が空乏化される電圧16.5V以上においても、抵抗15によって制限されるドレイン電流が流れるので、半導体層11の全体が空乏化される電圧以上ではドレイン電流を流すことができないという第1の実施の形態の欠点を取り除くことが出来る。
2 制御端子
3 ゲート抵抗
4 検出MOSFET
5 検出抵抗
6 過電流保護MOSFET
7 第1の端子
8 第2の端子
9 半導体基板
10 エピタキシャル層
11 半導体層
12a、12b コンタクト層
13 絶縁膜
14a、14b 電極
15 抵抗
16 負荷回路
17 電源
Claims (5)
- 制御電圧に応じて第1の端子と第2の端子の間に流れる電流が制御される出力トランジスタと、該出力トランジスタと並列接続されて前記出力トランジスタに印加される制御電圧に応じて通電電流が制御される検出トランジスタと、該検出トランジスタに直列に接続されて前記検出トランジスタに流れる電流を電圧として検出する検出抵抗と、該検出抵抗によって検出された電圧が設定値を超えたときに前記出力トランジスタと検出トランジスタの通電電流を前記電圧の増加に応じて減少させる過電流保護トランジスタとを備えている半導体装置であって、前記検出抵抗は、前記出力トランジスタの第1の端子と第2の端子との間の電位差と比例関係に設定されていることを特徴とする半導体装置。
- 前記検出抵抗は、前記第1の端子に接続される半導体領域内に形成され、前記半導体領域に含まれる不純物の伝導型と反対の伝導型の不純物を有する半導体層から形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記半導体層は、該半導体層と前記半導体領域からなる接合に逆バイアスを印加する事によって前記半導体層が完全に空乏化するように設定されていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記電位差に関わらず抵抗値が固定している固定抵抗が前記検出抵抗に並列に接続されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記出力トランジスタは電界効果トランジスタであり、前記第1の端子はドレイン端子であり、前記第2の端子はソース端子であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一つに記載の半導体装置。
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