JP2005259806A - フォトカプラーとフォトカプラーアレイとフォトカプラー内蔵型半導体集積回路 - Google Patents
フォトカプラーとフォトカプラーアレイとフォトカプラー内蔵型半導体集積回路 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】フォトカプラー100は、シリコン基板101と、シリコン基板101に設けられたフォトダイオード107と、シリコン基板101の上に設けられた酸化シリコン膜102とポリイミド膜103と導電膜116とポリイミド膜115と、ポリイミド膜115の上に配置された透明基板111と、透明基板111の上に設けられた面光源112とを備えている。導電膜116は入力パッド106と可動ミラー104とヒンジ105を構成している。ポリイミド膜103とポリイミド膜115はスペーサーを構成し、可動ミラー104とフォトダイオード107を囲んでいる。さらにフォトカプラー100は透明基板111の下面に設けられた反射膜109を備え、反射膜109は開口部110を有し、面光源112と可動ミラー104は開口部110を通して対向している。
【選択図】 図1
Description
本発明の第一実施形態について説明する。まず、本発明の第一実施形態による単体のフォトカプラーについて説明する。図1は本発明の第一実施形態による単体のフォトカプラー断面を示している。
本実施形態は、第一実施形態のフォトカプラーアレイの応用例であるフォトカプラー内蔵型半導体集積回路に向けられている。より詳しくは、第一実施形態のフォトカプラーアレイを用いて1チップで様々な装置のシーケンス制御を行なうことが可能なシーケンサチップに向けられている。図12は、本発明の第二実施形態によるシーケンサチップの斜視図であり、図13は、本発明の第二実施形態によるシーケンサチップの分解斜視図である。
Claims (30)
- 基板と、
基板に設けられた受光素子と、
基板の上に設けられた光変調素子と、
受光素子と光変調素子とを囲むように基板の上に設けられたスペーサーと、
スペーサーの上に配置された透明基板と、
透明基板の下面(基板に向き合う面)に設けられた反射膜と、
透明基板の上に設けられた光源とを備え、
反射膜は開口部を有し、光源と光変調素子は反射膜の開口部を通して対向している、フォトカプラー。 - 請求項1において、基板がシリコン基板である、フォトカプラー。
- 請求項2において、受光素子がフォトダイオードである、フォトカプラー。
- 請求項2において、受光素子がフォトトランジスターである、フォトカプラー。
- 請求項2において、変調素子が偏向ミラー素子である、フォトカプラー。
- 請求項2において、変調素子が光バルブ素子である、フォトカプラー。
- 請求項1において、光源が面光源である、フォトカプラー。
- 請求項1において、基板とスペーサーと透明基板とで囲まれた空間が真空の雰囲気である、フォトカプラー。
- 請求項1において、基板とスペーサーと透明基板とで囲まれた空間が減圧された雰囲気である、フォトカプラー。
- 請求項1において、基板とスペーサーと透明基板とで囲まれた空間が不活性ガスが充填された雰囲気である、フォトカプラー。
- 基板と、
基板に設けられた複数の受光素子と、
受光素子に対応して基板の上に設けられた複数の光変調素子と、
基板の上に設けられたスペーサーと、
スペーサーの上に配置された透明基板と、
透明基板の下面(基板に向き合う面)に設けられた反射膜と、
透明基板の上に設けられた光源とを備え、
スペーサーは受光素子と光変調素子のそれぞれの組を囲んでおり、反射膜は受光素子と光変調素子の組に対応した複数の開口部を有し、光源とそれぞれの光変調素子とは反射膜のそれぞれの開口部を通して対向している、フォトカプラーアレイ。 - 請求項11において、基板がシリコン基板である、フォトカプラーアレイ。
- 請求項12において、受光素子がフォトダイオードである、フォトカプラーアレイ。
- 請求項12において、受光素子がフォトトランジスターである、フォトカプラーアレイ。
- 請求項12において、変調素子が偏向ミラー素子である、フォトカプラーアレイ。
- 請求項12において、変調素子が光バルブ素子である、フォトカプラーアレイ。
- 請求項11において、光源が面光源である、フォトカプラーアレイ。
- 請求項11において、基板とスペーサーと透明基板とで囲まれた空間が真空の雰囲気である、フォトカプラーアレイ。
- 請求項11において、基板とスペーサーと透明基板とで囲まれた空間が減圧された雰囲気である、フォトカプラーアレイ。
- 請求項11において、基板とスペーサーと透明基板とで囲まれた空間が不活性ガスが充填された雰囲気である、フォトカプラーアレイ。
- 集積回路が形成された半導体基板と、
半導体基板に設けられた少なくとも一つの受光素子と、
受光素子に対応して半導体基板の上に設けられた少なくとも一つの光変調素子と、
半導体基板の上に設けられたスペーサーと、
スペーサーの上に配置された透明基板と、
透明基板の下面(半導体基板に向き合う面)に設けられた反射膜と、
透明基板の上に設けられた光源とを備え、
受光素子と光変調素子のそれぞれの組は互いに空間的に分離されており、反射膜は受光素子と光変調素子の組に対応した複数の開口部を有し、光源とそれぞれの光変調素子とは反射膜のそれぞれの開口部を通して対向している、フォトカプラー内蔵型半導体集積回路。 - 請求項21において、半導体基板がシリコン基板である、フォトカプラー内蔵型半導体集積回路。
- 請求項22において、受光素子がフォトダイオードである、フォトカプラー内蔵型半導体集積回路。
- 請求項22において、受光素子がフォトトランジスターである、フォトカプラー内蔵型半導体集積回路。
- 請求項22において、変調素子が偏向ミラー素子である、フォトカプラー内蔵型半導体集積回路。
- 請求項22において、変調素子が光バルブ素子である、フォトカプラー内蔵型半導体集積回路。
- 請求項21において、光源が面光源である、フォトカプラー内蔵型半導体集積回路。
- 請求項21において、半導体基板とスペーサーと透明基板とで囲まれた空間が真空の雰囲気である、フォトカプラー内蔵型半導体集積回路。
- 請求項21において、半導体基板とスペーサーと透明基板とで囲まれた空間が減圧された雰囲気である、フォトカプラー内蔵型半導体集積回路。
- 請求項21において、半導体基板とスペーサーと透明基板とで囲まれた空間が不活性ガスが充填された雰囲気である、フォトカプラー内蔵型半導体集積回路。
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- 2004-03-09 JP JP2004066037A patent/JP4758069B2/ja not_active Expired - Fee Related
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