JP2005252550A - 接合基板、弾性表面波素子および弾性表面波デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 タンタル酸リチウム基板およびサファイア基板の少なくとも一方の接合表面を、不活性ガスまたは酸素ガスの中性化ビーム、イオンビーム、若しくはプラズマにより活性化させてアモルファス化する、若しくはこれらの基板の少なくとも一方の接合表面上に、所望の組成のアモルファス層を真空成膜して形成する。このようにして得られたタンタル酸リチウム基板とサファイア基板とを接合し、その界面に0.3nm以上2.5nm以下の厚みのアモルファスの接合領域を設けると、接合強度の高い基板が得られる。また、接合領域の厚みを1.5nm以上とすると、150℃で1時間保持した後の反り量を概ね200μm以下とすることができる。
【選択図】 図1
Description
11 圧電基板
12 支持基板
13 接合界面
14 SAW共振器
15 接合基板
16 チップ
17 パッケージ
18 バンプ
19 ワイヤ
20a 内部接続端子
20b 外部接続端子
21 圧電基板の接合面
22 支持基板の接合面
23 不純物
24 アモルファス領域
Claims (7)
- タンタル酸リチウム基板とサファイア基板との接合界面に、0.3nm以上2.5nm以下の厚みのアモルファスの接合領域を備えていることを特徴とする接合基板。
- 前記接合領域の厚みは1.5nm以上であり、150℃で1時間保持した後の反り量が概ね200μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の接合基板。
- 前記アモルファスの接合領域は、前記タンタル酸リチウム基板およびサファイア基板の少なくとも一方の接合表面を、不活性ガスまたは酸素ガスの中性化ビーム、イオンビーム、若しくはプラズマにより活性化させて形成したものであることを特徴とする請求項1または2に記載の接合基板。
- 前記アモルファスの接合領域は、前記タンタル酸リチウム基板およびサファイア基板の少なくとも一方の接合表面上に、所望の組成のアモルファス層を真空成膜して形成したものであることを特徴とする請求項1または2に記載の接合基板。
- 請求項1乃至4の何れかの接合基板のタンタル酸リチウム基板主面上に、少なくとも1つの櫛形電極を備えていることを特徴とする弾性表面波素子。
- 前記タンタル酸リチウム基板は、弾性表面波伝播方向をXとした切り出し角が回転Yカット板であることを特徴とする請求項5に記載の弾性表面波素子。
- 請求項5または6に記載の弾性表面波素子がパッケージ内に封止されている弾性表面波デバイス。
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