JP2005243899A - プリント配線板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁層と、導体層とを順番に積層し、各々の導体層に導通路を介して導通した配線回路を形成したプリント配線板において、微細配線を形成時、配線の剥離する危険性を低下させることと、マイグレーションを生じ難くすること、そして半導体素子等との接続性確保という課題を解決した配線構造を持つプリント配線板及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】プリント配線板の表面の絶縁層上に形成した配線であって、その一部の配線と、絶縁基板を形成する絶縁層との位置関係が、絶縁層内に配線の底面の一部が周辺の絶縁層の層内部まで埋め込まれた状態であって、絶縁層表面の高さの位置が、配線の底面の高さ位置から配線の上面の高さ位置までの間に形成され、且つ配線の断面の幅が最大となる部分、又はコーナー部等の尖って張り出している部分の高さ位置が、絶縁層表面の高さ位置とは、同一平面上の高さ位置に形成されていないプリント配線板。
【選択図】図１

Description

微細な配線を有する各種の電子機器用又は半導体装置用のプリント配線板であって、特に可撓性を有する薄型プリント配線板及びその製造方法に関する。

従来のプリント配線板は、絶縁基板の上に配線を貼り付けた構造であり、必要に応じて配線上に保護用樹脂膜を形成したものが一般的に使用されている。また、ロータリースイッチや整流子等の摺動部など特殊用途向けには、配線を完全に埋め込んで配線の上面と絶縁基板の段差をなくした、いわゆるフラッシュプリント配線板が一部で使用されている。

図５は、従来技術による配線と絶縁基板との位置関係を示す断面図である。従来のプリント配線板は、基板の表面の絶縁基板表面上に配線（７）が形成され、特定した部位の配線（７ａ）は、配線の上面まで絶縁基板の層内に沈み込ませ、接着力を増強した配線が形成されている。従来のプリント配線板は、導体層、絶縁層がこの順に積層され、該導体層は導通路を介して導通された配線回路を形成し、該プリント配線板の基板の表面の絶縁基板上には、入出用の接続端子用の配線の部位及び配線回路の配線が形成されている。図５に示す配線（７）は、その配線底面高さ位置６が、基板表面上（絶縁層表面の高さ位置９）に形成され、配線を保護する絶縁樹脂層、例えばソルダーレジスト等を配線以外の部分に形成する。一方の配線（７ａ）は、ソルダーレジスト層を形成せず、その配線の上面高さ位置５が絶縁基板の表面（絶縁層表面の高さ位置９）まで沈み込み、強固な接着強度が維持されている。

特許文献１は、表面が平滑で精緻な回路パターンを有することが可能なフラッシュプリント配線板とその製造方法について提示している。これは、支持基板上に熱可塑性樹脂を介して銅箔が貼り付けられた素材を使用し、銅箔をエッチングして配線パターンを形成後、ガラスエポキシ等のプリプレグと重ね合わせて積層プレスし、支持基板と熱可塑性樹脂を剥離することによって、プリプレグに埋め込まれた配線を有するフラッシュプリント配線板を得る転写法に属する製造方法である。

特許文献２は、熱可塑性樹脂に配線パターンを埋め込むことを特徴とする転写法による製造方法を示している。特許文献３は、厚手の銅箔を片面からハーフエッチングして配線に対応する凸部とその周囲の凹部を形成し、転写法と同様に配線に対応する凸部を内側にして積層プレスした後、埋め込まれた配線パターンを残してエッチングする工程を有するプリント配線板とその製造方法であり、絶縁基板表面に部分的に埋め込まれた配線は、その製造方法から６角形に近い断面形状を呈し、最も幅の広い部分が絶縁基板表面にあると考えられる。特許文献４は、硬化性組成物を絶縁基板として形成し、絶縁基板上に配線パターンを形成した後、上部から加圧して配線を埋め込み、最後に絶縁基板を硬化させる回路基板の製造方法である。

以下に公知文献を記す。
特開２０００−１３８４４４号公報 特開２００３−２１８５００号公報 特開２００１−３６２００号公報 特開２００３−６０３５５号公報

従来の技術のうち配線が埋め込まれていないタイプでは、配線の微細化が進み、わずかな衝撃で配線が剥離する危険性が高くなっている。そして、配線の微細化は今後更に進展し、それによる配線の剥離の危険性は加速度的に増加すると予想される。また、エッチングのみで形成した配線は角が尖っていることも、更に剥離の危険性を助長している。現在、配線の引き剥がし強度は、９．８〜１４．７Ｎ／ｃｍであり、これ以上の引き剥がし強度の向上と微細配線形成の両立は困難になっている。つまり、現在の引き剥がし強度のままで配線の幅が１０μｍになると、わずか９．８×１０^-3〜１４．７×１０^-3Ｎ／ｃｍの力で剥離してしまうことになる。更に、フレキシブル系のプリント配線板では折り曲げによる配線剥離の危険性もあり、カバーレジストが必須だった。しかし、特に半導体素子との接続部や他のプリント配線板との接続部は保護できない部分がどうしても生じることが多く、その対策が求められていた。特に、ワイヤーボンディングによる接続ではわずかな位置ズレでも配線の転びと剥離が発生しやすい。

一方、配線を完全に埋め込んだ場合は、配線の剥離等の危険性はほとんどないが、例えば半導体素子との接合において周囲の樹脂によって接合を阻害することがあり、多くの場合、接続端子としては周囲の樹脂より出っ張った形状であることが望ましい。また、特許文献３に示された絶縁基板表面に部分的に埋め込まれた配線は、埋め込まれることによるピール強度の向上とそれに付随する信頼性向上に対しては一定の効果があると考えられるが、表裏別々にエッチングして形成するものであるため、表裏の正確な位置合わせが難しく、テープ基板で要求される４０μｍピッチ以下の微細配線への適用は極めて難しい。そして、マイグレーション進行経路となりうるエッチング残さの存在しやすい絶縁基板表面と、マイグレーション発生の起点となる最も配線幅の広い部分もしくはコーナー部等の尖って張り出している部分が同一平面上に位置しているため、通常のプリント配線板のような配線が埋め込まれていないタイプと同様、微細配線を形成しようとする場合にはマイグレーションによる絶縁性低下が生じやすい構造に変わりない。更に、特許文献３で示されたプリント配線板を始めとする一般的なプリント配線板では全く問題のなかったマイグレーションなどの絶縁信頼性を、テープ基板で要求される４０μｍピッチ以下の微細配線を形成したプリント配線板では保つことが非常に難しく、特に間隙が１５μｍ以下の配線になると急速に絶縁信頼性が低下してしまうことが知られている。そのため、従来からのプロセスで通常にエッチングし、十分に洗浄しても絶縁信頼性を保つことができなくなってきたため、銅以外の導電性物質を除去できるような特殊なプロセスの追加が必要になっている。

本発明の課題は、微細配線を形成した場合でも配線の剥離する危険性を低下させることとマイグレーションを生じ難くすること、そして半導体素子等との接続性を確保するという課題を解決できる配線構造を持つプリント配線板及びその製造方法を提供することである。

本発明の請求項１に係る発明は、絶縁層と、その上に配線を形成した導体層とをこの順に積層し、各々の導体層に導通路を介して導通した配線回路を形成したプリント配線板において、プリント配線板の最表面の絶縁層上に形成した配線は、少なくともその一部の配線と、絶縁基板を形成する絶縁層との位置関係が、配線の底面が周辺の絶縁層を伴って沈み込んでいるか、又は絶縁層内に配線の底面の一部が周辺の絶縁層の内部まで埋め込まれた状態であって、絶縁層表面の高さの位置が、配線の底面の高さ位置から配線の上面の高さ位置までの間に形成され、且つ配線の断面の幅が最大となる部分、又は配線のコーナー
部等の尖って張り出している部分の高さ位置が、絶縁層表面の高さ位置とは、同一平面上の高さ位置に形成されていないことを特徴とするプリント配線板である。

本発明では、上記配線と基板を形成する絶縁層との位置関係において、該配線底面が沈み込んでいるか埋め込まれており、基板を形成する絶縁層表面の位置が、配線の底面と上面との間に位置していることを特徴とするプリント配線板である。また、微細配線を形成した場合でも配線の剥離する危険性を低下させることとマイグレーションを生じ難くすること、そして半導体素子等との接続性確保という課題を共に満足させるため、配線の底面を基板に少し埋め込んだ状態で完全には埋め込まない構造とした。

本発明の請求項２に係る発明は、前記一部の配線の底面の高さ位置は、絶縁層表面の高さ位置より、該配線の厚みに対し、１〜９０％の深さの範囲まで絶縁層の内部に埋め込まれた状態で形成されており、同じ種類の部位の全ての配線は、配線の底面からの高さが同一となる位置で、絶縁層表面が形成されていることを特徴とする請求項１記載のプリント配線板である。

本発明では、表面層の配線において、該配線の銅の厚みに対し、底面からの高さ１〜９０％の位置に基板を形成する絶縁層表面が位置しており、同じ層の配線で同じ種類の部位は底面からの高さがほぼ同じ位置に絶縁層表面が位置していること特徴とするプリント配線板であって、配線が少しでも埋め込まれている事によって配線の密着性が向上する特徴と、半導体素子等との接続に必要な配線高さとが両立する範囲を示したものである。

本発明の請求項３に係る発明は、前記一部の配線が、半導体素子、又は他のプリント配線板等との接続端子の部位であって、該接続端子の接続操作において熱及び／又は圧力を加える部位を含む配線であることを特徴とする請求項１、又は２記載のプリント配線板である。

本発明では、前記プリント配線板において、底面が埋め込まれた配線が半導体素子との接続端子または他のプリント配線板等との接続端子など、接続操作において熱及び／又は圧力を加える部位を含む配線であることを特徴とするプリント配線板のうち、接続操作で特に剥離が生じやすい部位について示したものである。具体的には半導体素子との接続部はワイヤーボンディング用パッド、フリップチップ接続用パッドなどが含まれ、配線幅の微細化が著しく進展しているＣＯＦ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｆｉｌｍ）接続用パッドなどには特に望ましいが、該接続用パッドの下に絶縁基板がある構造であればこれ以外の接続方式でも良い。同様に、他のプリント配線板等と接続する端子についても該接続用端子の下に絶縁基板がある構造であれば接続方式は問わない。

本発明の請求項４に係る発明は、前記配線が、配線側面が緩やかな曲面により形成されており、配線底面に対する配線の上面の幅の比が６６．７％以上の配線を有し、少なくとも配線の一部が幅３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のプリント配線板である。

本発明では、配線側面が緩やかな曲面により形成されており、配線底面に対する配線上部の幅の比が６６．７％以上の配線を有し、少なくとも配線の一部が幅３０μｍ以下であることを特徴とするプリント配線板であって、配線側面にはマイグレーションのきっかけとなりやすい不要な凹凸のない緩やかな曲面をもち、埋め込まれやすい形状の配線について示したものである。

本発明の請求項５に係る発明は、前記絶縁層は、異なる樹脂からなる１層または２層以上の複合絶縁層であり、少なくとも表面に位置する絶縁層の樹脂が熱可塑性樹脂または熱
硬化性樹脂からなり、可撓性を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のプリント配線板である。

本発明の請求項６に係る発明は、絶縁層と、その上に配線を形成した導体層とをこの順に積層し、各々の導体層に導通路を介して導通した配線回路を形成したプリント配線板の製造方法において、請求項１乃至５のいずれか１項記載のプリント配線板の表面の絶縁層上に形成した配線を製造する方法であって、少なくともその一部の配線の製造方法は、エッチングまたはめっきによって形成した後、熱によって配線と接する部分及びその周辺の絶縁層を一時的に軟化させ、配線に圧力を加えることで、配線を絶縁層に沈み込ませるプロセスを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法である。

本発明の請求項７に係る発明は、前記少なくともその一部の配線の製造方法は、エッチングまたはめっきによって配線形成後、転写法によって別の基板の絶縁層に配線を形成するプロセスを含むことを特徴とする請求項６記載のプリント配線板の製造方法である。

本発明では、エッチングまたはめっきによって配線形成後、熱によって配線と接する部分に位置する絶縁層を一時的に軟化させ、配線に圧力を加えることで、配線を絶縁層に沈み込ませるプロセスを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法である。又別の製造方法としては、エッチングまたはめっきによって配線形成後、転写法によって別の基板に配線を形成するプロセスを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法である。

本発明により、前述の従来技術における各課題が解消され、他に新たな効果が生じた。まず、従来の技術のうち配線が埋め込まれていないタイプで課題となっていた、配線の微細化と剥離強度の向上の両立が図れ、今後の配線の微細化にも十分対応できるようになった。

また、半導体素子との接続部や他のプリント配線板との接続部の配線が剥離しにくくなって接続信頼性が向上したことともに、半導体素子を搭載する部分の直下にある配線の凹凸が軽減されて半導体素子搭載の信頼性が向上した。特に、半導体素子とのＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｆｉｌｍ）接続における配線間の埋め込み性改善とＣＯＦ接続パッドの更なる微細化達成と剥離防止、ダイボンディングの安定性向上に顕著な効果が見られた。

これとは別に、見掛け上の配線厚さが減少したことにより、配線上にオーバーコートを施した場合、配線間の凹部に発生しやすかった気泡（ボイド）や充填不足（カスレ）の発生が防止でき、オーバーコートの膜厚を薄くすることも可能となった。

更に、マイグレーションによる絶縁性低下が生じ難くなり、配線間隔２０μｍ以下、特に１５μｍ以下の配線間隔が必要とされるＣＯＦ基板の絶縁信頼性が大幅に向上した。

それは、従来技術でのマイグレーションによる絶縁性の低下は、断面形状が鋭角的になった配線コーナー部、中でも底面の角が、エッチングによる微小な残さが生じやすいことと、隣接する配線との間隔が最も接近している場合がほとんどのため、特に生じやすい部位だった。そのため、配線間の絶縁層表面をそこから遠ざけることで、マイグレーションの発生源と進行経路を分断することになり、２０μｍ以下、特に１５μｍ以下の間隙を形成した配線の絶縁信頼性が大幅に向上したと考えられる。

一方、配線を完全に埋め込んだ場合に問題となっていた半導体素子との接合阻害が発生し難くなり、組立時の不具合発生がほとんど無くなった。

図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明による配線と絶縁基板との位置関係を示す断面図である。図１（ａ）の本発明のプリント配線板は、基板の表面の絶縁基板表面上に配線（７）が形成され、特定した部位の配線（７ａ）は、絶縁基板の層内まで沈み込み、接着力を増強した配線が形成されている。前記プリント配線板は、導体層、絶縁層がこの順に積層され、該導体層は導通路を介して導通された配線回路を形成し、該プリント配線板の基板の表面の絶縁基板上には、入出用の接続端子用の配線の部位及び配線回路の配線が形成されている。図１（ａ）に示す配線（７）では、基板表面上に形成され、配線を保護する絶縁樹脂層、例えばソルダーレジスト等を形成する。一方の配線（７ａ）では、ソルダーレジスト等を形成せず、配線底面が絶縁基板の層内まで沈み込み、強固な接着強度を維持し、且つ該配線（７ａ）の上面までの高さが同じ高さになるように調整されている。図１（ｂ）の本発明のプリント配線板は、基板の表面の絶縁基板表面上に配線（７）が形成され、特定した部位の配線（７ａ）は、周辺の絶縁基板表面を伴って沈み込み、接着力を増強した配線が形成されている。図１（ｂ）に示す配線（７）では、基板表面上に形成され、配線を保護する絶縁樹脂層、例えばソルダーレジスト等を形成する。一方の配線（７ａ）では、ソルダーレジスト等を形成せず、配線底面が周辺の絶縁基板表面を伴って沈み込み、強固な接着強度を維持し、且つ該配線（７ａ）の上面までの高さが同じ高さになるように調整されている。前記配線（７ａ）は、特定した部位の配線であり、その位置は各々離散して配置され、その位置の配線の部位のみを、加熱、加圧による積層プレス方法を用いて、配線底面を絶縁基板の表面より下方に沈み込ませる。

以下に実施例について説明する。

図２は、本発明の実施例１の主な工程での状態を示す断面図である。厚みが５０μｍのポリイミドフィルム（１２）（ユーピレックスＳ（商品名）：宇部興産株式会社製）の片面に厚み１２μｍの接着剤（１９）（タイプＸ（商品名）、株式会社巴川製紙所製）をラミネートした絶縁基板を金型で打抜き、スプロケットホールを形成した（図２ａ参照）。ラミネータの設定温度１２０℃、ラミネートローラー圧０．２ＭＰａ、ラミネート速度１．２ｍ／分で接着剤側に厚みが１８μｍの銅箔（１１）をラミネートした（図２ｂ参照）。通常品はラミネート後に加熱して接着剤を硬化させるが、本実施例では省略し、銅箔表面を洗浄後、厚みが１０μｍのドライフィルムレジスト（１４）（ＳＵＮＦＯＲＴ ＳＰＧ−１０２（商品名）：旭化成株式会社製）をロール温度１０５℃、圧力０．３ＭＰａ、ラミネート速度１．５ｍ／分でラミネートした（図２ｃ参照）。投影型露光装置で配線パターンを露光し、３０℃の１％炭酸ナトリウム溶液を約３０秒間スプレーで吹き付けて現像後、５０℃に加熱した塩化第２鉄溶液をスプレーで吹き付けて露出した銅をエッチングし、５０℃の３％水酸化ナトリウム溶液をスプレーで吹き付けてドライフィルムレジストパターン（１５）を剥離した（図２ｄ〜ｆ参照）。以上のプロセスにてポリイミドフィルム上に所望の銅配線パターンを形成した。この状態では絶縁基板を成す接着剤上に厚みが約１８μｍの銅配線パターンが形成された状態である。

次に、リジッド基板用の積層プレスで段階的に加熱・加圧して最終的には１４０℃、圧力約１ＭＰａにて、接着剤からの気泡の発生を抑えながら、加熱により接着剤を軟化させ、圧力によって軟化させた接着剤（２９）に銅の配線（１７ａ）を１０μｍ程度沈み込ませ、接着剤を硬化させた（図２ｇ参照）。

更に、１４０℃のオーブンに５時間入れて接着剤を完全に硬化させた後、ソルダーレジストを印刷し、電解金めっきを施して、パッド幅８０〜８５μｍ、パッド間隙１５〜２０μｍで、１００μｍピッチのワイヤーボンディング用パッドを含む半導体素子搭載用テー
プ基板を完成させた（図示せず）。

図３は、本発明の実施例２の主な工程での状態を示す断面図である。厚みが５０μｍのポリエーテルエーテルケトン系の熱可塑性樹脂フィルム（２２）（三菱樹脂株式会社製）の片面に厚み１２μｍの銅箔（２１）をラミネートした基板を金型で打抜き、スプロケットホールを形成した。銅箔表面を洗浄後、ポジ型液状レジスト（２４）（ＰＭＥＲ−Ｐ（商品名）：東京応化工業株式会社製）を乾燥後の厚みが２〜３μｍになるような条件で塗布し乾燥させた（図３ｂ参照）。投影型露光装置で配線パターンを露光し、２５℃の専用現像液に浸漬することによって現像後、５０℃に加熱した塩化第２鉄溶液をスプレーで吹き付けて露出した銅をエッチングし、５０℃の３％水酸化ナトリウム溶液をスプレーで吹き付けてレジストパターン（２５）を剥離した（図３ｃ〜ｅ参照）。

以上のプロセスにて熱可塑性フィルム上に所望の銅の配線（２７）のパターンを形成した。この状態では絶縁基板を成す熱可塑性樹脂上に厚みが約１２μｍの銅配線パターンが形成された状態で、形成した配線パターンの底面が最大幅となる台形に近い形状で、配線上部の幅１０μｍ、底面の幅１４μｍで間隙１６μｍの配線パターンとなった。また、この時の配線底面に対する配線上部の幅の比を計算すると７１．４％であった。なお、この割合が６０％以下になると、配線はいわゆる裾をひいた断面形状になり、プレスによって配線を押しこんだ時に、裾の部分が押されずに変形してしまい、折れ曲がった状態となってしまうため、悪くても６０％以上、できれば６６．７％以上の裾引きの少ない形状が望ましく、数値は大きければ大きいほど埋め込み性は良い。また、配線側面は凹凸のないなだらかな形状を呈していた。

次に、リジッド基板用の積層プレスで段階的に加熱・加圧して最高温度２４０℃、最大圧力１ＭＰａの条件で熱可塑性樹脂フイルム（２２）を軟化させ、軟化した樹脂フイルム内に銅配線（２７ａ）を４〜８μｍ程度沈み込ませた（図３ｆ参照）。沈み込ませる量は予め条件出しによって確認し、適切な沈み込み量となるよう調節することが望ましく、接続パッドなどの種類によって最適な数値に設定する必要がある。ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｆｉｌｍ）接続用パッドの場合、１０μｍを若干下回る高さとその前後が、配線の加工性を含めて総合的に判断すると最適であった。表面にソルダーレジストを印刷し、錫めっきを施すことによって、３０μｍピッチのＣＯＦ接続用パッドを含む半導体素子搭載用テープ基板を完成させた（図示せず）。

図４は、本発明の実施例３の主な工程での状態を示す断面図である。厚みが約１０μｍのエポキシ樹脂フィルム（３２）の片側に厚み１８μｍの銅箔（３１）が貼りつけられ、反対側には厚み３５μｍの銅箔（３３）が貼り付けられた複合基板の表面を洗浄し、１８μｍ銅箔上に乾燥後の厚みが２〜３μｍになるような条件でポジ型液状レジスト（３４）（ＰＭＥＲ−Ｐ（商品名）：東京応化工業株式会社製）を塗布し乾燥させた（図４ａ〜ｂ参照）。投影型露光装置で配線パターンを露光し、２５℃の専用現像液に浸漬することによって現像後、裏面の３５μｍ銅箔上に保護用のＰＥＴフィルム（３６）を貼り合せた（図４ｃ〜ｄ参照）。５０℃に加熱した塩化第２鉄溶液をスプレーで吹き付けて露出した銅をエッチングし、５０℃の３％水酸化ナトリウム溶液をスプレーで吹き付けてレジストパターン（３５）を剥離した後、裏面のＰＥＴフィルム（３６）を剥離した（図４ｅ参照）。

以上のプロセスにて、厚みが３５μｍの銅箔と１０μｍのエポキシ樹脂層からなる複合基板のエポキシ樹脂側に、厚みが約１８μｍの所望の銅配線パターンを形成した。この時、形成した配線パターンを調べてみると、その底面が最大幅となる台形に近い形状で、配
線上部の幅２０μｍ、底面の幅２４μｍで間隙２６μｍの配線パターンとなった。また、配線底面に対する配線上部の幅の比は８３．３％であった。

次に、厚みが５０μｍのポリイミドフィルム（３８）（ユーピレックスＳ（商品名）：宇部興産株式会社製）に、ビルドアッププリント配線板用のフィルム状絶縁シート（３９）（ＡＢＦ−４５Ｈ（商品名）：味の素ファインテクノ株式会社製）と、パターン形成した複合基板を配線（３７）の面が内側になるよう重ね合わせ（図４ｆ参照）、ロールラミネーターの温度１４０℃、圧力約０．５ＭＰａにて貼り合せた。貼り合せ時の加熱によりフィルム状絶縁シート（３９）は軟化し、銅配線（３７ａ）が完全に埋め込まれた状態となった（図４ｇ参照）。その後、１５０℃のオーブンで３０分間加熱し、フィルム状絶縁シートを硬化させた。

５０℃に加熱した塩化第２鉄溶液をスプレーで吹き付けて表面に露出した３５μｍ銅箔（３３）を除去し（図４ｈ参照）、過マンガン酸処理にて複合基板を構成していた厚み１０μｍのエポキシ樹脂フィルム（３２）を完全に除去した（図４ｉ参照）。この時、配線パターン間の硬化したフィルム状絶縁シートも表面から２〜５μｍの深さで同時に除去した。最後に、ソルダーレジストを印刷し、電解金めっきを施して、１００μｍピッチのワイヤーボンディング用パッドを含む半導体素子搭載用テープ基板を完成させた（図示せず）。

（ａ）〜（ｂ）は、本発明による配線と絶縁基板との位置関係を示す断面図である。 本発明の実施例１の主な工程での状態を示す断面図である。 本発明の実施例２の主な工程での状態を示す断面図である。 本発明の実施例３の主な工程での状態を示す断面図である。 従来技術による配線と絶縁基板との位置関係を示す断面図である。

符号の説明

２…絶縁基板
５…配線の上面の高さ位置
６…配線の底面の高さ位置
７…配線
７ａ…配線（埋め込まれた状態）
９…絶縁層表面の高さ位置
１１…銅箔
１２…ポリイミドフイルム（の絶縁基板）
１４…ドライフイルムレジスト
１５…ドライフイルムレジストパターン
１７…配線
１７ａ…配線（埋め込まれた状態）
２１…銅箔
２２…熱可塑性樹脂フイルム（の絶縁基板）
２４…ポジ型液状レジスト
２５…レシストパターン
２７…配線
２７ａ…配線（埋め込まれた状態）
３１…１８μｍ銅箔
３２…エポキシ樹脂フイルム（の絶縁基板）
３１…３５μｍ銅箔
３４…ポジ型液状レジスト
３５…レジストパターン
３６…ＰＥＴフイルム
３７…配線
３７ａ…配線（埋め込まれた状態）
３８…５０μｍポリイミドフイルム（の絶縁基板）
３９…フイルム状絶縁シート（の絶縁基板）

Claims (7)

1. 絶縁層と、その上に配線を形成した導体層とをこの順に積層し、各々の導体層に導通路を介して導通した配線回路を形成したプリント配線板において、プリント配線板の最表面の絶縁層上に形成した配線は、少なくともその一部の配線と、絶縁基板を形成する絶縁層との位置関係が、配線の底面が周辺の絶縁層を伴って沈み込んでいるか、又は絶縁層内に配線の底面の一部が周辺の絶縁層の内部まで埋め込まれた状態であって、絶縁層表面の高さの位置が、配線の底面の高さ位置から配線の上面の高さ位置までの間に形成され、且つ配線の断面の幅が最大となる部分、又は配線のコーナー部等の尖って張り出している部分の高さ位置が、絶縁層表面の高さ位置とは、同一平面上の高さ位置に形成されていないことを特徴とするプリント配線板。
2. 前記一部の配線の底面の高さ位置は、絶縁層表面の高さ位置より、該配線の厚みに対し、１〜９０％の深さの範囲まで絶縁層の内部に埋め込まれた状態で形成されており、同じ種類の部位の全ての配線は、配線の底面からの高さが同一となる位置で、絶縁層表面が形成されていることを特徴とする請求項１記載のプリント配線板。
3. 前記一部の配線が、半導体素子、又は他のプリント配線板等との接続端子の部位であって、該接続端子の接続操作において熱及び／又は圧力を加える部位を含む配線であることを特徴とする請求項１、又は２記載のプリント配線板。
4. 前記配線が、配線側面が緩やかな曲面により形成されており、配線底面に対する配線の上面の幅の比が６６．７％以上の配線を有し、少なくとも配線の一部が幅３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のプリント配線板。
5. 前記絶縁層は、異なる樹脂からなる１層または２層以上の複合絶縁層であり、少なくとも表面に位置する絶縁層の樹脂が熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂からなり、可撓性を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のプリント配線板。
6. 絶縁層と、その上に配線を形成した導体層とをこの順に積層し、各々の導体層に導通路を介して導通した配線回路を形成したプリント配線板の製造方法において、請求項１乃至５のいずれか１項記載のプリント配線板の表面の絶縁層上に形成した配線を製造する方法であって、少なくともその一部の配線の製造方法は、エッチングまたはめっきによって形成した後、熱によって配線と接する部分及びその周辺の絶縁層を一時的に軟化させ、配線に圧力を加えることで、配線を絶縁層に沈み込ませるプロセスを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
7. 前記少なくともその一部の配線の製造方法は、エッチングまたはめっきによって配線形成後、転写法によって別の基板の絶縁層に配線を形成するプロセスを含むことを特徴とする請求項６記載のプリント配線板の製造方法。

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