JP2005235662A - Plasma device in liquid, and plasma generating method in liquid - Google Patents

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洋通 豊田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma device in a liquid that is used stably under a wide range of using conditions, in which starting and continuation of the plasma generation are controlled, while taking advantage of a high rate of reaction and safe and easy handling properties of the plasma in the liquid, and also to provide a method of generating the plasma in the liquid. <P>SOLUTION: The plasma device 1 in the liquid has a reactor container 2 to retain the liquid 3, an electromagnetic wave irradiation means 4 to irradiate electromagnetic waves into the liquid 3, and a plasma generation auxiliary means 6 to control generation of the plasma. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、液体中においてプラズマを発生させるための方法および装置に関するものである。 The present invention relates to a method and apparatus for generating a plasma in a liquid.

従来より、プラズマを用いた結晶合成技術として気相プラズマによる蒸着技術が幅広く利用されている。たとえば特許文献１にはプラズマＣＶＤ法によってシリコンまたは立方晶シリコンカーバイドの表面にダイヤモンド膜を形成することが記載されている。また、特許文献２、特許文献３には液体中に気泡を発生させるとともに電磁波を照射して、液中でプラズマを発生させてタイヤモンド等を合成したり膜を形成する発明が記載されている。
特開平１０−８１５８９号公報 特開２００３−２９７５９８号公報 国際公開第０３／０８６６１５号パンフレット Conventionally, vapor deposition technology using gas phase plasma has been widely used as a crystal synthesis technology using plasma. For example, Patent Document 1 describes that a diamond film is formed on the surface of silicon or cubic silicon carbide by plasma CVD. Patent Documents 2 and 3 describe inventions in which bubbles are generated in a liquid and electromagnetic waves are irradiated to generate plasma in the liquid to synthesize tiremonds or form a film. .
Japanese Patent Laid-Open No. 10-81589 JP 2003-297598 A International Publication No. 03/086615 Pamphlet

特許文献１に記載の方法等プラズマＣＶＤ法では目的の結晶性物質を大量に合成することは困難である。従って、ある程度厚みのある結晶膜を形成しようとすれば、長時間を要する。あえて蒸着速度を上げるために、メタン等の原材料物質を急速に供給することは危険を招くことにもなりかねない。また、気相で高エネルギーのプラズマを発生させると高温になり、熱に弱い基板材料へ蒸着することはできない。 In the plasma CVD method such as the method described in Patent Document 1, it is difficult to synthesize a target crystalline substance in a large amount. Therefore, it takes a long time to form a crystal film having a certain thickness. In order to increase the deposition rate, supplying raw materials such as methane rapidly can be dangerous. Further, when high energy plasma is generated in the gas phase, the temperature becomes high, and it cannot be deposited on a substrate material that is vulnerable to heat.

特許文献２、特許文献３には、超音波照射等の手段によって液体中で気泡を発生させるとともに電磁波を照射して、液中で高エネルギーのプラズマを発生することが記載されている。この液中プラズマの技術によれば、物質密度の高い液体中でプラズマを発生させるので、高密度の原料物質が供給され、物質の合成、分解等の反応を高速で行うことができるものである。しかし、この液中プラズマ装置および発生方法においては、プラズマの発生および継続を直接的に制御する手段を有しない。したがって、電磁波を液中に送り込む電極先端から発生する自然的放電現象などの偶発的な要因によってプラズマの発生が開始するものであった。また、一旦プラズマが発生すれば電磁波照射によって供給されるエネルギーによってプラズマは持続するのであるが、突発的な揺らぎの発生や電力供給の不安定要因等によってプラズマが停止することもある。もちろん、偶発的な要因といってもプラズマの発生しやすい条件下であればプラズマの開始および継続はある程度の確率で期待できるのであるが、直接的にプラズマの開始や継続が制御できるようになれば、液中プラズマを使用できる条件が広くなる。また、プラズマの開始や継続が制御できるなら、液中プラズマの発生条件を厳密に管理することができ、再現性が高い試験装置および試験方法として利用することもできる。 Patent Documents 2 and 3 describe that bubbles are generated in a liquid by means such as ultrasonic irradiation, and electromagnetic waves are irradiated to generate high energy plasma in the liquid. According to this submerged plasma technology, plasma is generated in a liquid having a high substance density, so that a high-density raw material is supplied and reactions such as synthesis and decomposition of the substance can be performed at high speed. . However, this submerged plasma apparatus and generation method do not have means for directly controlling the generation and continuation of plasma. Therefore, the generation of plasma is started by an accidental factor such as a natural discharge phenomenon generated from the tip of the electrode that sends electromagnetic waves into the liquid. Further, once the plasma is generated, the plasma is sustained by the energy supplied by the electromagnetic wave irradiation. However, the plasma may be stopped due to sudden fluctuations or unstable power supply. Of course, even if it is an accidental factor, the start and continuation of plasma can be expected with a certain degree of probability under conditions where plasma is likely to be generated. However, the start and continuation of plasma can be directly controlled. As a result, the conditions under which in-liquid plasma can be used are widened. Further, if the start and continuation of plasma can be controlled, the generation conditions of plasma in liquid can be strictly managed, and it can be used as a test apparatus and test method with high reproducibility.

この発明は、反応速度が高く、安全で取り扱いやすいという液中プラズマの特性を生かしながら、しかも、プラズマの開始や継続が制御でき、広範囲な使用条件で安定に実施できる液中プラズマ装置および液中プラズマ発生方法を提供することを目的とする。 The present invention provides a submerged plasma apparatus and a submerged apparatus that can control the start and continuation of plasma and can be carried out stably over a wide range of usage conditions while taking advantage of the characteristics of submerged plasma that has a high reaction rate and is safe and easy to handle An object is to provide a plasma generation method.

上記の課題を解決するために、本発明に係る液中プラズマ装置は、液体を保持するための容器と、液体中に電磁波を照射するための電磁波照射手段と、プラズマの発生を制御するためのプラズマ発生補助手段を有するものである。プラズマ発生補助手段として、レーザー照射装置を使用してもよく、また、直流放電発生装置を使用してもよい。さらに、レーザーを走査する走査手段を設けることもできる。液体を保持するための容器を覆う外部容器と、外部容器内の気圧を調整するための気圧調整装置を加えることもできる。 In order to solve the above problems, an in-liquid plasma apparatus according to the present invention includes a container for holding a liquid, an electromagnetic wave irradiation means for irradiating an electromagnetic wave in the liquid, and a method for controlling the generation of plasma. It has plasma generation assisting means. As plasma generation assisting means, a laser irradiation device may be used, or a DC discharge generation device may be used. Further, it is possible to provide scanning means for scanning with a laser. An external container covering the container for holding the liquid and an atmospheric pressure adjusting device for adjusting the atmospheric pressure in the external container may be added.

さらに、本発明に係る液中プラズマ発生方法は、液体中に電磁波を照射し、電磁波が照射されている位置にレーザーを照射することによってプラズマの発生を開始させるものである。電磁波が照射されている位置にレーザーを照射し続けることによってプラズマの発生を継続させてもよい。さらに、レーザーの照射場所を変えることにより、プラズマの発生位置を変化させることもできる。 Furthermore, the method for generating plasma in liquid according to the present invention is to start generation of plasma by irradiating a liquid with an electromagnetic wave and irradiating a laser to a position where the electromagnetic wave is irradiated. The generation of plasma may be continued by continuously irradiating the position where the electromagnetic wave is irradiated with the laser. Furthermore, the plasma generation position can be changed by changing the laser irradiation location.

さらに、本発明に係る別の液中プラズマ発生方法は、液体中に電磁波を照射し、電磁波が照射されている位置に直流放電を発生させることによってプラズマの発生を開始させるものである。電磁波が照射されている位置に直流放電を発生させ続けることによってプラズマの発生を継続させてもよい。 Furthermore, in another method for generating plasma in liquid according to the present invention, plasma generation is started by irradiating an electromagnetic wave in a liquid and generating a direct current discharge at a position where the electromagnetic wave is irradiated. The generation of plasma may be continued by continuously generating a direct current discharge at a position irradiated with electromagnetic waves.

この発明の本発明に係る液中プラズマ装置および液中プラズマ発生方法は、局所的には高エネルギーでありながら巨視的には低温であり安全で取り扱いやすい液中プラズマにより高い反応速度で物質の分解・合成等の処理を行うものであり、結晶を合成するとともに、プラズマ発補助生手段によってプラズマの発生を制御するため、偶発的な要因に頼ることなくプラズマの発生開始を制御することができるという効果を有する。 The submerged plasma apparatus and submerged plasma generation method according to the present invention is capable of decomposing a substance at a high reaction rate by using a submerged plasma that is locally high in energy but low in temperature and safe and easy to handle.・ Processing such as synthesis, which synthesizes crystals and controls plasma generation by means of plasma generation auxiliary means, so that it is possible to control the start of plasma generation without depending on accidental factors. Has an effect.

この発明を実施するための最良の形態について、図面に基づいて説明する。図１はこの発明に係る液中プラズマ装置の一例を示す説明図である。液中プラズマ装置１の反応容器２には原料液体３を入れるようになっている。反応容器２の大きさは必要とされる処理能力に応じて適宜選択でき、ビーカー程度の小型のものであっても、大型プラントとして実施するための大型の処理槽であってもよい。ここで、ステンレス製の容器を用いている。 The best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory view showing an example of a submerged plasma apparatus according to the present invention. The raw material liquid 3 is placed in the reaction vessel 2 of the in-liquid plasma apparatus 1. The size of the reaction vessel 2 can be appropriately selected according to the required processing capacity, and may be a small one such as a beaker or a large processing tank for carrying out as a large plant. Here, a stainless steel container is used.

原料液体３としては、用途に応じてさまざまなものが選択できる。液中プラズマによって物質の合成を行う場合には、原料となる物質を含む液体を使用する。特に、結晶性物質を合成する場合には、還元剤として水や水素ガスの微小な気泡を混入して、高純度の結晶を得るようにしてもよい。ダイオキシンやＰＣＢ等の分解処理を行う場合は、これらを含む液体を使用する。 Various materials can be selected as the raw material liquid 3 depending on the application. In the case where a substance is synthesized by in-liquid plasma, a liquid containing a substance as a raw material is used. In particular, when a crystalline substance is synthesized, high purity crystals may be obtained by mixing fine bubbles of water or hydrogen gas as a reducing agent. When dioxin, PCB, or the like is decomposed, a liquid containing these is used.

この発明の液中プラズマ装置１は、さらにプラズマ発生補助手段を有する。図１の例においては、レーザー照射装置６がプラズマ発生補助手段の役割を果たす。レーザー照射装置６は、電磁波が集中的に照射される領域に向けてレーザーを集中的に照射するように設けられている。レーザー照射装置６は制御器７に接続されており、レーザー照射の開始・停止やレーザー出力レベルの制御を受ける。 The submerged plasma device 1 of the present invention further includes plasma generation assisting means. In the example of FIG. 1, the laser irradiation device 6 serves as a plasma generation assisting means. The laser irradiation device 6 is provided so as to irradiate the laser intensively toward a region where the electromagnetic waves are intensively irradiated. The laser irradiation device 6 is connected to a controller 7 and receives start / stop of laser irradiation and control of the laser output level.

ついで、図１に示す液中プラズマ装置１により液中プラズマを発生させる方法について説明する。反応容器２に原料液体３を入れる。必要に応じて、還元剤等の添加物も原料液体中に混入する。 Next, a method for generating submerged plasma by the submerged plasma apparatus 1 shown in FIG. 1 will be described. The raw material liquid 3 is placed in the reaction vessel 2. If necessary, additives such as a reducing agent are also mixed in the raw material liquid.

電磁波照射手段４を作動させて原料液体３中に電磁波を照射する。電磁波は、アンテナ５によって所定の領域に集中的に照射され、この領域は高エネルギー状態となる。さらに、必要に応じては超音波照射手段（図示省略）を設けて、同じ領域に超音波を重畳させてもよい。こうして、この領域では、もし小さなプラズマが開始すればこの領域に広がり、しかも、連続供給される電磁波のエネルギーによって維持されるような状態になる。しかし、最初のプラズマの発生は、電磁波照射や超音波照射によって、直接的に引き起こされるわけではない。プラズマの開始を制御する手段を講じないなら、アンテナ５からの自然的放電の発生など電磁波照射手段４の本来の機能としては予定されていない偶発的な現象によるプラズマの開始を待つことになる。 The electromagnetic wave irradiation means 4 is operated to irradiate the raw material liquid 3 with electromagnetic waves. The electromagnetic wave is intensively applied to a predetermined area by the antenna 5, and this area is in a high energy state. Furthermore, if necessary, ultrasonic irradiation means (not shown) may be provided to superimpose ultrasonic waves on the same region. Thus, in this region, if a small plasma starts, it spreads into this region and is maintained by the energy of the electromagnetic wave that is continuously supplied. However, the first plasma generation is not directly caused by electromagnetic wave irradiation or ultrasonic wave irradiation. If no means for controlling the start of the plasma is taken, the start of the plasma due to an accidental phenomenon that is not planned as an original function of the electromagnetic wave irradiation means 4 such as the occurrence of a natural discharge from the antenna 5 is awaited.

そこで、制御器７によってレーザー照射装置６を作動させ、電磁波が照射されている領域中にレーザーを集中的に照射する。レーザーを照射された場所では最初のプラズマが発生する。このプラズマは電磁波が照射されている領域内で広がる。このようにしてプラズマが一旦発生すれば、その維持は多くの場合には電磁波や超音波の連続照射のみで維持できる。したがって、制御器７によってレーザー照射装置６を停止させることも可能である。 Therefore, the laser irradiation device 6 is operated by the controller 7 to irradiate the laser intensively in the region where the electromagnetic wave is irradiated. The first plasma is generated in the place irradiated with the laser. This plasma spreads in the region where the electromagnetic wave is irradiated. In this way, once the plasma is generated, it can be maintained only by continuous irradiation of electromagnetic waves or ultrasonic waves in many cases. Therefore, the laser irradiation device 6 can be stopped by the controller 7.

以上、プラズマの発生において、レーザーを照射することによってその開始を制御することができるようになる。プラズマを維持することは開始させることと比べて容易ではあるが、原料液体３の種類や濃度、電磁波の周波数・強度等の条件によっては、電磁波の連続照射のみでは安定的なプラズマの維持が期待し難いときもある。プラズマが発生している領域近傍で突発的な揺らぎが発生したり、電力供給の不安定要因等に起因してプラズマが停止することもあり得る。そこで、プラズマが開始した後も、レーザー照射を継続することも可能である。プラズマの維持に必要な量のレーザーを照射するように制御器７によりレーザー照射装置６へ指示させて、プラズマをより安定に維持することができる。 As described above, the generation of plasma can be controlled by irradiating the laser. Maintaining the plasma is easier than starting it, but depending on the conditions such as the type and concentration of the raw material liquid 3 and the frequency and intensity of the electromagnetic wave, it is expected to maintain a stable plasma only by continuous irradiation of the electromagnetic wave. Sometimes it is difficult. Abrupt fluctuations may occur in the vicinity of the region where the plasma is generated, or the plasma may stop due to factors such as an unstable power supply. Therefore, it is possible to continue the laser irradiation even after the plasma is started. The controller 7 can be instructed to the laser irradiation device 6 to irradiate an amount of laser necessary for maintaining the plasma, so that the plasma can be maintained more stably.

このように発生させたプラズマにより、さまざまな処理を行うことができる。原料液体として炭素を含むものを使用して、ダイヤモンドやカーボンナノチューブを合成することもでき、さまざま有害物質を分解・無害化する等、反応炉として広く使用できる。後述の例のように、基板上にダイヤモンド、アモルファス炭素、シリコンカーバイド等の膜を形成することもできる。ＣＶＤ法等従来の気相による蒸着と異なり、物質密度の高い液体を原料として使用するために反応速度は著しく向上する。また、液中で反応させることにより液体による冷却効果があり、基板上に膜を形成する場合において熱に弱い物質を基板として用いることができ、プラスチックや紙、木材等従来では考えられなかったような材料を基板として使用することができる。 Various treatments can be performed by the generated plasma. Diamonds and carbon nanotubes can be synthesized by using carbon-containing materials as raw material liquids, and can be widely used as reactors for decomposing and detoxifying various harmful substances. A film made of diamond, amorphous carbon, silicon carbide or the like can be formed on the substrate as in the example described later. Unlike conventional vapor deposition such as CVD, the reaction rate is significantly improved because a liquid having a high material density is used as a raw material. In addition, there is a cooling effect by the liquid by reacting in the liquid, and in the case of forming a film on the substrate, it is possible to use a heat-sensitive material as the substrate, which has not been considered in the past such as plastic, paper, wood, etc. Any material can be used as the substrate.

図２は、液中プラズマ反応装置の第２の例を示す説明図である。図１の装置の変形例であり、レーザー照射装置６にレーザーを走査する走査手段８が設けられている。この例では、レーザーを集光するためのレンズ９の角度を所定範囲において変えるものである。レンズ９の角度を変えることによって焦点位置が変化し、レーザーが集中的に照射される点が移動する。図２においてはプラズマが発生する位置に基板１０が取り付けられるようになっており、走査手段８を作動させることによってレーザーの照射位置が基板１０上で移動する。図２は照射位置を略波形状に走査した状態を示しており、基板１０上ではこの走査の軌跡に沿って、プラズマによる化学反応が発生している。このように基板１０の特定部分に加工を施すことが可能である。また、基板１０の表面をまんべんなく走査して、基板１０の表面の所定領域全体に膜を形成することもできる。 FIG. 2 is an explanatory view showing a second example of the in-liquid plasma reactor. This is a modification of the apparatus shown in FIG. 1, and the laser irradiation apparatus 6 is provided with scanning means 8 for scanning the laser. In this example, the angle of the lens 9 for condensing the laser is changed within a predetermined range. By changing the angle of the lens 9, the focal position changes, and the point where the laser is focused is moved. In FIG. 2, the substrate 10 is attached to a position where plasma is generated, and the laser irradiation position moves on the substrate 10 by operating the scanning means 8. FIG. 2 shows a state where the irradiation position is scanned in a substantially wave shape, and a chemical reaction by plasma occurs on the substrate 10 along the scanning locus. Thus, it is possible to process a specific portion of the substrate 10. Further, the surface of the substrate 10 can be scanned evenly to form a film over the entire predetermined region of the surface of the substrate 10.

図３は、液中プラズマ装置の第３の例を示す説明図である。この例においては、プラズマ発生補助手段として直流放電発生装置１１が設けられている。電磁波が集中的に照射される領域の近傍に一対の直流放電用電極１２が設けられており、直流放電用電源１３より電力が供給されることにより、電磁波が集中的に照射される領域内で直流放電が発生するようになっている。制御器７の指示に従って直流放電を発生させることによって、最初のプラズマを発生させる。 FIG. 3 is an explanatory view showing a third example of the in-liquid plasma device. In this example, a DC discharge generator 11 is provided as plasma generation assisting means. A pair of DC discharge electrodes 12 are provided in the vicinity of a region where electromagnetic waves are intensively irradiated, and power is supplied from a DC discharge power supply 13 so that the region is irradiated with electromagnetic waves intensively. Direct current discharge is generated. The first plasma is generated by generating a direct current discharge according to the instruction of the controller 7.

ついで、この発明の実施例について説明する。図１に示す液中プラズマ装置を使用した。ここで、原料液体３としてはドデカン７０ｃｃを使用し、レーザー照射装置６としては、基本波（１０６４ｎｍ）ＹＡＧレーザーを使用した。電磁波としては２．４５GHｚのマイクロ波を使用した。
本実施例においては、液体を保持するための容器を覆う外部容器（図示省略）と、外部容器内の気圧を調整するための気圧調整装置（図示省略）が設けられており、原料液体３にかかる気圧を変化させることができるようになっている。原料液体３にかかる気圧およびレーザーの出力を変化させながら、プラズマの開始に要する電磁波の出力を求め、図示したものが図４のグラフである。レーザー照射を行わない場合のデータも比較として示してある。いずれの気圧においても、レーザー照射を行わない場合に比べてレーザー照射を行った場合のほうがより小さな出力の電磁波照射でプラズマが開始しており、レーザー照射によってプラズマの開始が容易になっていることが確認できる。 Next, examples of the present invention will be described. The in-liquid plasma apparatus shown in FIG. 1 was used. Here, 70 cc of dodecane was used as the raw material liquid 3, and a fundamental wave (1064 nm) YAG laser was used as the laser irradiation device 6. A microwave of 2.45 GHz was used as the electromagnetic wave.
In this embodiment, an external container (not shown) that covers a container for holding the liquid and an atmospheric pressure adjusting device (not shown) for adjusting the atmospheric pressure in the external container are provided. Such an atmospheric pressure can be changed. The graph shown in FIG. 4 shows the electromagnetic wave output required for starting plasma while changing the pressure applied to the raw material liquid 3 and the laser output. The data without laser irradiation is also shown as a comparison. At any atmospheric pressure, the plasma starts with a smaller output of electromagnetic waves when laser irradiation is performed than when laser irradiation is not performed, and the plasma starts easily by laser irradiation. Can be confirmed.

この発明の液中プラズマ装置および液中プラズマ発生方法は、プラズマ発生補助手段によって、プラズマの開始を容易にし、広範囲の使用条件で適用ができるので、より広い用途で利用が可能である。さまざまな物質の合成・分解、膜形成等の分野で利用できるものである。 The submerged plasma apparatus and submerged plasma generation method of the present invention can be used in a wider range of applications because the plasma generation is facilitated by the plasma generation assisting means and can be applied in a wide range of usage conditions. It can be used in fields such as synthesis / decomposition of various substances and film formation.

液中プラズマ装置の第１の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the 1st example of a plasma apparatus in a liquid. 液中プラズマ装置の第２の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the 2nd example of a plasma apparatus in a liquid. 液中プラズマ装置の第３の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the 3rd example of a plasma apparatus in a liquid. 気圧およびレーザーの出力とプラズマの開始に要する電磁波の出力の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the output of an atmospheric pressure and a laser, and the output of the electromagnetic wave required for the start of plasma.

符号の説明Explanation of symbols

１．液中プラズマ装置
２．反応容器
３．原料液体
４．電磁波照射手段
５．アンテナ
６．レーザー照射装置（プラズマ発生補助手段）
７．制御器
８．走査手段
９．レンズ
１０．基板
１１．直流放電発生装置
１２．直流放電用電極
１３．直流放電用電源
1. 1. In-liquid plasma device 2. Reaction vessel 3. Raw material liquid 4. Electromagnetic wave irradiation means Antenna 6. Laser irradiation device (plasma generation assisting means)
7). Controller 8. Scanning means 9. Lens 10. Substrate 11. DC discharge generator 12. DC discharge electrode 13. DC discharge power supply

Claims (10)

液体を保持するための容器と、液体中に電磁波を照射するための電磁波照射手段と、プラズマの発生を制御するためのプラズマ発生補助手段を有する液中プラズマ装置。 An in-liquid plasma apparatus comprising a container for holding a liquid, an electromagnetic wave irradiation means for irradiating an electromagnetic wave in the liquid, and a plasma generation assisting means for controlling the generation of plasma. 前記プラズマ発生補助手段がレーザー照射装置である請求項１に記載の液中プラズマ装置。 The in-liquid plasma apparatus according to claim 1, wherein the plasma generation assisting means is a laser irradiation apparatus. レーザーを走査する走査手段を有する請求項２に記載の液中プラズマ装置。 The in-liquid plasma apparatus of Claim 2 which has a scanning means to scan a laser. 前記プラズマ発生補助手段が直流放電発生装置である請求項１に記載の液中プラズマ装置。 The in-liquid plasma apparatus according to claim 1, wherein the plasma generation auxiliary means is a direct current discharge generator. 液体を保持するための容器を覆う外部容器と、外部容器内の気圧を調整するための気圧調整装置を有する請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の液中プラズマ装置。 The in-liquid plasma apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising: an external container that covers a container for holding a liquid; and an atmospheric pressure adjusting device for adjusting an atmospheric pressure in the external container. 液体中に電磁波を照射し、電磁波が照射されている位置にレーザーを照射することによってプラズマの発生を開始させる液中プラズマ発生方法。 A submerged plasma generation method in which generation of plasma is started by irradiating a liquid with electromagnetic waves and irradiating a laser at a position where the electromagnetic waves are irradiated. 電磁波が照射されている位置にレーザーを照射し続けることによってプラズマの発生を継続させる請求項６に記載の液中プラズマ発生方法。 The in-liquid plasma generation method according to claim 6, wherein generation of plasma is continued by continuing to irradiate a laser to a position where electromagnetic waves are irradiated. レーザーの照射場所を変えることにより、プラズマの発生位置を変化させる請求項７に記載の液中プラズマ発生方法。 The in-liquid plasma generation method according to claim 7, wherein the plasma generation position is changed by changing a laser irradiation place. 液体中に電磁波を照射し、電磁波が照射されている位置に直流放電を発生させることによってプラズマの発生を開始させる液中プラズマ発生方法。 A submerged plasma generation method in which generation of plasma is started by irradiating a liquid with electromagnetic waves and generating a direct current discharge at a position where the electromagnetic waves are irradiated. 電磁波が照射されている位置に直流放電を発生させ続けることによってプラズマの発生を継続させる請求項９に記載の液中プラズマ発生方法。




The in-liquid plasma generation method according to claim 9, wherein the generation of plasma is continued by continuously generating a direct current discharge at a position irradiated with electromagnetic waves.




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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009070586A (en) * 2007-09-10 2009-04-02 Imagineering Kk Plasma generation method, plasma generation device, cavity for plasma generation device, and measuring apparatus
WO2019131777A1 (en) * 2017-12-28 2019-07-04 国立大学法人愛媛大学 Device and method for forming diamond film or the like

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08222549A (en) * 1995-02-16 1996-08-30 Sony Corp Plasma processor and plasma processing
JP2001185545A (en) * 1999-12-24 2001-07-06 Hitachi Ltd Plasma processor
WO2002038827A1 (en) * 2000-11-08 2002-05-16 Chang, Chak, Man, Thomas Plasma electroplating
JP2003017414A (en) * 2001-06-29 2003-01-17 Alps Electric Co Ltd Plasma processing equipment and plasma processing system
JP2004306029A (en) * 2003-03-27 2004-11-04 Techno Network Shikoku Co Ltd Chemical reactor and decomposing method of toxic substance
JP2005108600A (en) * 2003-09-30 2005-04-21 Techno Network Shikoku Co Ltd In-liquid plasma generation device and in-liquid plasma generation method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08222549A (en) * 1995-02-16 1996-08-30 Sony Corp Plasma processor and plasma processing
JP2001185545A (en) * 1999-12-24 2001-07-06 Hitachi Ltd Plasma processor
WO2002038827A1 (en) * 2000-11-08 2002-05-16 Chang, Chak, Man, Thomas Plasma electroplating
JP2003017414A (en) * 2001-06-29 2003-01-17 Alps Electric Co Ltd Plasma processing equipment and plasma processing system
JP2004306029A (en) * 2003-03-27 2004-11-04 Techno Network Shikoku Co Ltd Chemical reactor and decomposing method of toxic substance
JP2005108600A (en) * 2003-09-30 2005-04-21 Techno Network Shikoku Co Ltd In-liquid plasma generation device and in-liquid plasma generation method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009070586A (en) * 2007-09-10 2009-04-02 Imagineering Kk Plasma generation method, plasma generation device, cavity for plasma generation device, and measuring apparatus
WO2019131777A1 (en) * 2017-12-28 2019-07-04 国立大学法人愛媛大学 Device and method for forming diamond film or the like
JPWO2019131777A1 (en) * 2017-12-28 2020-12-17 国立大学法人愛媛大学 Devices for forming diamond films and the like and methods for forming them
JP7335551B2 (en) 2017-12-28 2023-08-30 国立大学法人愛媛大学 DEVICE FOR FORMING DIAMOND FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME

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