JP2005235442A - 平面ディスプレイパネルの製造方法および装置ならびに平面ディスプレイパネル - Google Patents

Abstract

【課題】 平面ディスプレイパネルの製造を安価で容易、かつ蛍光材料の劣化を低減する製造方法を提供する。
【解決手段】 前面ガラス基板Ｐ１を真空状態が保持されるチャンバ１１Ａ内で搬送しながら加熱処理する加熱工程１１Ｚ１、１１Ｚ２と、放電ガスを導入する工程１１Ｚ３と、背面ガラス基板Ｐ２を真空状態が保持されるチャンバ１２Ａ内で搬送しながら加熱処理する加熱工程１２Ｚ１，１２Ｚ２と、放電ガスを導入する工程１２Ｚ３。前面ガラス基板Ｐ１と背面ガラス基板Ｐ２をチャンバ１３内で重ね合わせ真空排気し、再び放電ガスを導入１３Ｅし、その雰囲気中で樹脂系封着剤塗布、封着を行う。
【選択図】 図４

Description

この発明は、内部に密閉空間を有する平面ディスプレイパネルの製造方法および製造装置、ならびに、この製造方法または製造装置によって製造された平面ディスプレイパネルに関する。

平面ディスプレイパネルの中には、例えば、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）やフィールド・エミッション・ディスプレイパネルのように、二枚の平面基板の間に画像形成のための密閉空間を備えているものがある。

図１は、このような平面ディスプレイパネルの一例として、ＰＤＰの構成を概略的に示す側断面図である。

この図１において、ＰＤＰは、背面側に行電極対および誘電体層，保護層等の各種構造物が形成された前面ガラス基板Ｐ１と、この前面ガラス基板Ｐ１と対向する側の面に列電極および列電極保護層，隔壁，蛍光体層等の各種構造物が形成された背面ガラス基板Ｐ２が、間に放電空間Ｓを挟んで互いに平行に対向され、この前面ガラス基板Ｐ１と背面ガラス基板Ｐ２の間の周縁部分に放電空間Ｓを囲むように封着層Ｐ３が形成されて、この封着層Ｐ３によって前面ガラス基板Ｐ１と背面ガラス基板Ｐ２が互いに一体化されるとともに、放電空間Ｓが封止される構造となっている。

図２は、上記のような構成のＰＤＰを製造するための従来の製造装置を概略的に示す側面図である。

この図２の製造装置１は、互いに接続された状態で直線状に配列された複数の加熱チャンバ２と、この各加熱チャンバ２内を水平方向に挿通されるローラ・コンベア３とを備えており、このローラ・コンベア３の搬送方向上流側（図２の左側）から八個の加熱チャンバ２によって昇温ゾーンＺ１が構成され、この昇温ゾーンＺ１の次の二個の加熱チャンバ２によって封着ゾーンＺ２が構成され、この封着ゾーンＺ２の次の八個の加熱チャンバ２によって冷却ゾーンＺ３が構成されている。

そして、封着ゾーンＺ２の加熱チャンバ２のうち最後尾の加熱チャンバ２Ａは、その前後が真空バルブ４によって仕切られているとともに、真空排気装置５とガス導入装置６が接続されている。

図３は、この製造装置１によるＰＤＰの製造工程を示すフロー図である。

この図３において、前面ガラス基板製造工程Ｓ１において所要の構造物が形成された前面ガラス基板Ｐ１と、背面ガラス基板製造工程Ｓ２において所要の構造物が形成され溶剤を含む低融点ガラスペーストが周縁部に塗布されて仮焼成により封着層Ｐ３が形成された背面ガラス基板Ｐ２が、重ね行程Ｓ３において、互いに所定の位置に重ね合わされる。

このようにして前面ガラス基板Ｐ１と背面ガラス基板Ｐ２が重ね合わされたパネルＰ（図２参照）は、次の封着ベーク行程Ｓ４において、ローラ・コンベア３によって製造装置１の昇温ゾーンＺ１内に搬入され、この昇温ゾーンＺ１において、各加熱チャンバ２毎に所定の時間ずつ停止されながら順次加熱されてゆく。

この昇温ゾーンＺ１において所定温度まで加熱されたパネルＰは、次に封着ゾーンＺ２の上流側の加熱チャンバ２内に搬入され、最高温度に保持されたこの加熱チャンバ２内において、加熱によって軟化した封着層Ｐ３の低融点ガラスが前面ガラス基板Ｐ１に溶着されることによって、前面ガラス基板Ｐ１と背面ガラス基板Ｐ２の間の放電空間Ｓが封止される。

そして、次の排気工程Ｓ５において、パネルＰが封着ゾーンＺ２の下流側の加熱チャンバ２Ａ内に搬入されると、その両側の真空バルブ４が閉められた後、真空排気装置５によって、加熱チャンバ２Ａ内が真空にされるとともに、背面ガラス基板Ｐ２の排気孔（図示せず）に接続された排気管（図示せず）を介して放電空間Ｓ（図１参照）内からの排気が行われて、放電空間Ｓ内が真空にされる。

この後、封入行程Ｓ６において、ガス導入装置６から排気管を介して放電空間Ｓ内に放電ガスが導入され、さらに、次の封止行程Ｓ７において、排気管が封止されて、放電空間Ｓ内に放電ガスが封じ込められる。

このようにして、放電ガスが封入されたパネルＰは、加熱チャンバ２Ａから冷却ゾーンＺ３内に搬入されて、この冷却ゾーンＺ３の各加熱チャンバ２内を搬送されながら、徐々に冷却されてゆく（例えば、特許文献１参照）。

上記のようなＰＤＰの製造方法は、バッチ炉を用いた製造方法に対して、ＰＤＰの製造を連続的に行うことが出来るという利点を有している。

しかしながら、この従来のＰＤＰの製造方法には、以下のような問題点が存在する。

すなわち、封着ゾーンＺ２の加熱チャンバ２Ａで行われる排気工程Ｓ５において、真空排気装置５によってパネルＰの放電空間Ｓから真空排気が行われる際に、パネルＰがベーク状態に保持されているために、排気中も、封着層Ｐ３を形成する低融点ガラスや前面ガラス基板Ｐ１と背面ガラス基板Ｐ２のそれぞれの構造物を形成する材料から不純ガスが発生し、さらには、排気管やパネルＰのコンダクタンスによって、放電空間Ｓ内を高真空にするのが難しいという問題がある。

例えば、上記従来の製造方法においては、１０^−７Torrの真空度でパネルＰの放電空間Ｓ内からの排気を行っても、放電空間Ｓ内は、０．０１〜０．１Torr程度の真空度しか得ることが出来ず、また、ＰＤＰの製造に必要な高真空度を得ようとすれば、非常に長い排気時間を要するか、真空排気装置５として、例えばターボ分子ポンプやクライオポンプ等の高価な排気装置を必要とし、何れの場合も製造コストを上昇させる要因になる。

さらに、上記従来のＰＤＰの製造方法によれば、封着ベーク工程Ｓ４において、高温で封着層Ｐ３を形成する低融点ガラスを溶着させることによって放電空間Ｓの封止を行うので、背面ガラス基板Ｐ２の構造物である蛍光体層を形成する蛍光材料が劣化してしまうという問題が発生する。

さらにまた、上記従来のＰＤＰの製造方法によれば、封着層Ｐ３を低融点ガラスによって形成して放電空間Ｓを封止するので、低融点ガラスペーストの溶剤や低融点ガラス自体から発生する不純ガスがパネルの内部に吸着されて、画像形成時の放電空間Ｓ内における放電の発生に悪影響を与えてしまうという問題が発生する。

特開２００２−７５１９３号公報

この発明は、上記のような従来の平面ディスプレイパネルの製造方法および製造装置における一以上の問題点を解決することをその解決課題の一つとしているものである。

第１の発明（請求項１に記載の発明）による平面ディスプレイパネルの製造方法は、上記目的を達成するために、それぞれ構造物が形成された二枚の基板が空間を開けて平行に対向されてこの空間が二枚の基板の間の周縁部に形成された封着部によって封止されている平面ディスプレイパネルの製造方法であって、前記二枚の基板のうちの構造物が形成された一方の基板を真空状態が保持されるチャンバ内で搬送しこのチャンバ内の真空排気を行いながら加熱処理する第１加熱工程と、前記二枚の基板のうちの構造物が形成された他方の基板を真空状態が保持されるチャンバ内で搬送しこのチャンバ内の真空排気を行いながら加熱処理する第２加熱工程と、前記第１加熱工程が行われるチャンバおよび第２加熱工程が行われるチャンバの基板の搬送方向において下流側に設置されて真空排気が行われるチャンバ内で、第１加熱工程を経た一方の基板の他方の基板と対向する側の面の周縁部に封着部を形成するための封着材を塗布する封着材塗布工程と、この封着材塗布工程を経た一方の基板に第２加熱工程を経た他方の基板を真空排気が行われるチャンバ内において重ね合わせる重ね工程と、この重ね工程によって重ね合わされた二枚の基板の間の空間を封着材塗布工程において塗布された封着材によって真空排気が行われるチャンバ内において封止する封止工程とを有していることを特徴としている。

第２の発明（請求項１５に記載の発明）による平面ディスプレイパネルの製造装置は、前記目的を達成するために、それぞれ構造物が形成された二枚の基板が空間を開けて平行に対向されてこの空間が二枚の基板の間の周縁部に形成された封着部によって封止されている平面ディスプレイパネルの製造装置であって、前記二枚の基板のうちの構造物が形成された一方の基板を搬送する第１搬送部材と、前記二枚の基板のうちの構造物が形成された他方の基板を搬送する第２搬送部材と、内部が真空状態に保持されるとともに前記第１搬送部材がこの内部を通って延びていてこの第１搬送部材によって搬送される一方の基板に対して加熱処理を行う加熱チャンバと、内部が真空状態に保持されるとともに前記第２搬送部材がこの内部を通って延びていてこの第２搬送部材によって搬送される他方の基板に対して加熱処理を行う加熱チャンバと、前記一方の基板に対して加熱処理を行う加熱チャンバおよび他方の基板に対して加熱処理を行う加熱チャンバの第１搬送部材および第２搬送部材の搬送方向において下流側に設置されて真空排気が行われるとともに第１搬送部材および第２搬送部材によってそれぞれ基板が搬入されるチャンバと、このチャンバ内に設置されて搬入されてきた一方の基板の他方の基板と対向する側の面の周縁部に封着部を形成するための封着材を塗布する封着材塗布部材と、前記二枚の基板が搬入されるチャンバ内に設置されて封着材塗布部材によって封着材が塗布された一方の基板と他方の基板を重ね合わせる重ね合わせ部材と、前記二枚の基板が搬入されるチャンバ内に設置されて重ね合わせ部材によって重ね合わされた二枚の基板の間の空間を封着材塗布部材において塗布された封着材によって封止する封着部材とを備えていることを特徴としている。

さらに、第３の発明（請求項２８に記載の発明）による平面ディスプレイパネルは、前記目的を達成するために、第１の発明による製造方法によって製造されたことを特徴としている。

さらに、第４の発明（請求項２９に記載の発明）による平面ディスプレイパネルは、前記目的を達成するために、第２の発明による製造装置によって製造されたことを特徴としている。

この発明は、構造物が形成された前面基板を前面基板製造ラインのチャンバ内において搬送装置によって搬送し、構造物が形成された背面基板を背面基板製造ラインのチャンバ内において搬送装置によって搬送し、前面基板製造ラインの途中に構成されるベーキング・ゾーンのチャンバ内において真空排気が行われている条件下で搬送装置によって搬送される前面基板に対して加熱処理を行い、背面基板製造ラインの途中に構成されるベーキング・ゾーンのチャンバ内において真空排気が行われている条件下で搬送装置によって搬送される背面基板に対して加熱処理を行い、この前面基板製造ラインを通過した前面基板と背面基板製造ラインを通過した背面基板とを真空排気が行われている同じチャンバ内に搬入し、このチャンバ内において、封止材塗布および基板重ね合わせ装置によって、先ず、前面基板または背面基板の一方の基板の他方の基板と対向する側の面の周縁部に封着層を形成するための封着材を塗布し、次に、この封着材が塗布された一方の基板と他方の基板を重ね合わせ、その後に、封止装置によって、重ね合わされた前面基板と背面基板の間の空間を塗布された封着材によって封止する製造装置、および、この製造装置によって実施される製造方法、ならびに、この製造装置および製造方法の実施によって製造された平面ディスプレイパネルを、その最良の実施形態としているものである。

この実施形態による製造装置および製造方法によれば、平面ディスプレイパネルを構成する二枚の基板がそれぞれ単板で個別に真空条件下において加熱処理されるので、前面基板製造ラインおよび背面基板製造ラインを通過する際に前面基板および背面基板からの脱ガス処理が完了する。

そして、それぞれ熱処理が完了した前面基板と背面基板が真空排気されているチャンバ内において重ね合わされてその間の内部空間が封止されることにより、改めて内部空間からの真空排気を行うことなく、平面ディスプレイパネルが完成される。

図４は、この発明による平面ディスプレイパネルの製造方法を実施するための製造装置の第１実施例を概略的に示す平面図である。

なお、以下の実施例では、平面ディスプレイパネルとして、パネル内に放電ガスが封入されるＰＤＰを例に挙げて説明を行うが、この発明は、例えばフィールドエミッションディスプレイ等のパネル内が真空状態に保持されるような他の平面ディスプレイを製造する際にも、後述するような放電ガスの導入工程を省略するだけで、実施が可能である。

図４において、ＰＤＰの製造装置１０は、前面ガラス基板Ｐ１（図１参照）を製造する前面ガラス基板製造ライン１１と、背面ガラス基板Ｐ２を製造する背面ガラス基板製造ライン１２と、基板封着部１３とによって構成されており、この前面ガラス基板製造ライン１１と背面ガラス基板製造ライン１２と基板封着部１３は、内部が真空状態に保持されるチャンバ１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ内にそれぞれ構成されている。

前面ガラス基板製造ライン１１は、チャンバ１１Ａ内が複数個（図示の例では１３個）のブロック１１Ａａに区画されており、この各ブロック１１Ａａ内を図示しないコンベアが上流側（図４の左側）から下流側（図４の右側）に向けて挿通されるように設置されていて、後述するように製造工程における前面ガラス基板Ｐ１を前面ガラス基板製造ライン１１の上流側から下流側に搬送してゆくようになっている。

そして、この前面ガラス基板製造ライン１１は、上流側から複数個（図示の例では４個）のブロック１１Ａａによって加熱ゾーン１１Ｚ１が構成され、次の複数個（図示の例では６個）のブロック１１Ａａによってベーキング・ゾーン１１Ｚ２が構成され、さらに、次の複数個（図示の例では３個）のブロック１１Ａａによって放電ガス置換・冷却ゾーン１１Ｚ３が構成されている。

さらに、チャンバ１１Ａの各ゾーンに図示しない加熱装置が取り付けられているとともに、排気装置１１Ｂがそれぞれ接続されており、放電ガス置換・冷却ゾーン１１Ｚ３には、放電ガス導入装置１１Ｃが接続されていている。

背面ガラス基板製造ライン１２も、前面ガラス基板製造ライン１１と同様に、チャンバ１２Ａ内が複数個（図示の例では１３個）のブロック１２Ａａに区画されており、この各ブロック１２Ａａ内を図示しないコンベアが上流側（図４の左側）から下流側（図４の右側）に向けて挿通されるように設置されていて、後述するように、製造工程における背面ガラス基板Ｐ２を背面ガラス基板製造ライン１２の上流側から下流側に搬送してゆくようになっている。

そして、この背面ガラス基板製造ライン１２も、上流側から複数個（図示の例では４個）のブロック１２Ａａによって加熱ゾーン１２Ｚ１が構成され、次の複数個（図示の例では６個）のブロック１２Ａａによって真空保持ゾーン１２Ｚ２が構成され、さらに、次の複数個（図示の例では３個）のブロック１２Ａａによって放電ガス置換・冷却ゾーン１２Ｚ３が構成されている。

さらに、チャンバ１２Ａの各ゾーンに図示しない加熱装置が取り付けられているとともに、排気装置１２Ｂがそれぞれ接続されており、放電ガス置換・冷却ゾーン１２Ｚ３には、放電ガス導入装置１２Ｃが接続されていている。

基板封着部１３は、チャンバ１３Ａ内の上流側（図４の左側）位置に、封着材塗布および基板重ね合わせ装置１３Ｂが設置され、下流側（図４の右側）位置に、複数台（図示の例では二台）の封着装置１３Ｃが設置されている。

そして、この基板封着部１３のチャンバ１３Ａには、排気装置１３Ｄが接続されていて、チャンバ１３Ａ内からの真空排気を行うようになっているとともに、放電ガス導入装置１３Ｅが接続されていて、チャンバ１３Ａ内に放電ガスの導入を行うようになっている。

次に、上記の製造装置１０によるＰＤＰの製造方法を、図５に示される製造工程のフロー図を参照しながら説明する。

この図５において、前面ガラス基板製造工程Ｓ１０の構造物形成工程Ｓ１０Ａにおいて行電極対や誘電体層等の構造物が形成された製造過程の前面ガラス基板Ｐ１が、製造装置１０の前面ガラス基板製造ライン１１に搬入されると、この前面ガラス基板Ｐ１は、コンベアによってチャンバ１１Ａ内を上流のブロック１１Ａａから下流側のブロック１１Ａａに順次搬送される。

この前面ガラス基板製造ライン１１に搬入された前面ガラス基板Ｐ１に対して、先ず、加熱ゾーン１１Ｚ１において、昇温工程Ｓ１０Ｂが実施される。

すなわち、この加熱ゾーン１１Ｚ１では、排気装置１１Ｂによって、ブロック１１Ａａ内の真空度が上流側から下流側にゆくほど高くなるように真空排気が行われているとともに、加熱装置によって、同様に、ブロック１１Ａａ内の温度が上流側から下流側にゆくほど高くなるように加熱が行われている。

これによって、この昇温工程Ｓ１０Ｂにおいて、前面ガラス基板Ｐ１が加熱ゾーン１１Ｚ１内を下流側方向に搬送されてゆくにしたがって、真空度と加熱温度が高くなり、前面ガラス基板Ｐ１の各構造物を形成する材料から加熱によって発生してくる不純ガスが徐々に排気されてゆく。

この昇温工程Ｓ１０Ｂの終了後、前面ガラス基板Ｐ１が次のベーキング・ゾーン１１Ｚ２内に搬送されてくると、このベーキング・ゾーン１１Ｚ２においてベーキング工程Ｓ１０Ｃが実施される。

すなわち、このベーキング・ゾーン１１Ｚ２では、各ブロック１１Ａａ内の真空度と加熱温度が、排気装置１１Ｂと加熱装置によって、それぞれ一定な所定の値に保持されている。

ここで、このベーキング・ゾーン１１Ｚ２の各ブロック１１Ａａ内の真空度は、加熱ゾーン１１Ｚ１において不純ガスの排気が徐々に行われていること、および、前面ガラス基板Ｐ１を単板で処理していることによって、従来の製造装置において要求される真空度（例えば、１０^−７Torr）よりも低い真空度、例えば、０．０１〜０．１Torrの真空度で良く、この程度の真空度で不純ガスの十分な脱ガス効果を得ることが可能である。

例えば、完成品のＰＤＰの放電空間内に導入されている放電ガスのガス圧を５００Torrとした場合に、製造工程において上記のような真空度で脱ガスを行うと、放電空間内の放電ガスの不純度は、
（０．０１〜０．１／５００）×１００ ＝０．００２〜０．０２（％）
となる。

すなわち、完成品のＰＤＰの放電空間内の放電ガスの純度を９９．９９８〜９９．９８パーセントに保つことが出来るので、ブロック１１Ａａ内の真空度を、従来の製造装置に要求されていた真空度よりも低い上記のような真空度に設定した場合でも、ＰＤＰの放電空間内の放電ガスの純度を十分に高純度に保つことが可能になる。

従って、排気装置１１Ｂには、クライオ・ポンプやターボ分子ポンプのような高価で高い排気能力を有する排気装置を使用する必要がなく、例えば回転式ポンプや流体作動式ポンプのような低価格のロータリ・ポンプ等の使用が可能である。

なお、上記真空度は、一般的なロータリ・ポンプの最大排気能力である０．００１Torrまで真空度を高めても純度が高くなるので当然問題はなく、また、ＰＤＰが安定して放電出来る限界点である純度９８パーセントに保つことが出来る真空度である１０Torrまでであれば、チャンバ内の真空度については特に問題なく、ＰＤＰを製造することが出来る。

そして、上記のように、このベーキング工程Ｓ１０Ｃでは従来のような高い真空度を要求されないので、ブロック１１Ａａ内の真空度が設定された値まで到達する時間が短くて済み、従って、工程時間の大幅な短縮が可能となる。

以上のようにして、このベーキング工程Ｓ１０Ｃにおいて、前面ガラス基板Ｐ１がベーキング・ゾーン１１Ｚ２を通過する間、前面ガラス基板Ｐ１に形成された構造物のベーキングと、この構造物からベーキングによって発生する不純ガスの排出（脱ガス）が行われる。

このベーキング工程Ｓ１０Ｃの終了後、前面ガラス基板Ｐ１が次の放電ガス置換・冷却ゾーン１１Ｚ３内に搬送されてくると、この放電ガス置換・冷却ゾーン１１Ｚ３において置換・冷却工程Ｓ１０Ｄが実施される。

すなわち、この放電ガス置換・冷却ゾーン１１Ｚ３では、排気装置１１Ｂによってベーキング・ゾーン１１Ｚ２のブロック１１Ａａと同じ真空度にされたブロック１１Ａａ内に、放電ガス導入装置１１Ｃからキセノン（Ｘｅ）ガスとネオン（Ｎｅ）ガスなどが含まれた放電ガスが、上流側から下流側にゆくにしたがって高濃度になるように導入される。

そして、放電ガス置換・冷却ゾーン１１Ｚ３の最後のブロック１１Ａａ内での放電ガスの圧力が、完成品のＰＤＰの放電空間内における放電ガスの圧力、例えば、５００Torr になるように設定されている。

この放電ガス置換・冷却ゾーン１１Ｚ３において各ブロック１１Ａａ内に導入される放電ガスは、ＰＤＰの完成品に封入される放電ガスと同じその純度がほぼ１００パーセントの放電ガスである。

さらに、この放電ガス置換・冷却ゾーン１１Ｚ３の各ブロック１１Ａａ内の温度は、上流側から下流側にゆくにしたがって、ベーキング・ゾーン１１Ｚ２での加熱温度から段階的に低くなるように、それぞれ設定されている。

前面ガラス基板Ｐ１は、この放電ガス置換・冷却ゾーン１１Ｚ３の各ブロック１１Ａａ内を順次搬送されてゆくことによって、前面ガラス基板Ｐ１の構造物に付着している不純ガスが徐々に放電ガス中の成分と置換されて、前面ガラス基板Ｐ１から不純ガスがさらに徹底して除去されるとともに、徐々に冷却されてゆく。

一方、前面ガラス基板製造工程Ｓ１１の構造物形成工程Ｓ１１Ａにおいて列電極や列電極保護層，隔壁，蛍光体層等の構造物が形成された製造過程の背面ガラス基板Ｐ２が、製造装置１０の背面ガラス基板製造ライン１２に搬入されると、前面ガラス基板製造ライン１１の場合と同様に、背面ガラス基板Ｐ２は、コンベアによってチャンバ１２Ａ内を上流のブロック１２Ａａから下流側のブロック１２Ａａに順次搬送される。

この前面ガラス基板製造ライン１２に搬入された背面ガラス基板Ｐ２に対して、前面ガラス基板製造ライン１１の場合と同様に、加熱ゾーン１２Ｚ１において、昇温工程Ｓ１１Ｂが実施され、この昇温工程Ｓ１１Ｂの終了後、次のベーキング・ゾーン１２Ｚ２においてベーキング工程Ｓ１１Ｃが実施され、このベーキング工程Ｓ１１Ｃの終了後、放電ガス置換・冷却ゾーン１２Ｚ３において置換・冷却工程Ｓ１１Ｄが実施される。

加熱ゾーン１２Ｚ１およびベーキング・ゾーン１２Ｚ２，放電ガス置換・冷却ゾーン１２Ｚ３の各ブロック１２Ａａにおける真空度および温度，放電ガス濃度等の態様は、前述した前面ガラス基板製造ライン１１における場合と同様であり、昇温工程Ｓ１１Ｂおよびベーキング工程Ｓ１１Ｃ，置換・冷却工程Ｓ１１Ｄにおけるそれぞれの背面ガラス基板Ｐ２に対する処理は、前述した前面ガラス基板Ｐ１に対する処理と同様である。

ここで、ベーキング・ゾーン１２Ｚ２でのベーキング工程Ｓ１１Ｃにおいて、ブロック１２Ａａ内の加熱温度（ベーキング温度）は、背面ガラス基板Ｐ２を単板で処理することによって、従来の製造装置におけるべーキング温度（通常、４５０℃）よりも低い温度、例えば３５０〜４００℃で十分である。

このベーキング工程Ｓ１１Ｃにおける加熱温度が、蛍光体塗布後の工程において最高温度となるために、背面ガラス基板Ｐ２の構造物の一つである蛍光体層を形成する蛍光材料の加熱による劣化が、従来の製造方法と比較して軽減される。

以上のようにして、前面ガラス基板製造工程Ｓ１０と背面ガラス基板製造工程Ｓ１１において、それぞれ、ベーキングと脱ガス処理が行われた前面ガラス基板Ｐ１と背面ガラス基板Ｐ２は、基板封着部１３のチャンバ１３Ａ内に搬入され、この後、チャンバ１３Ａ内において、封着材塗布工程Ｓ１２と、基板重ね工程Ｓ１３と、封着工程Ｓ１４が順次行われてゆく。

すなわち、基板封着部１３のチャンバ１３Ａ内は、排気装置１３Ｄによって真空排気されて、前面ガラス基板製造ライン１１のベーキング・ゾーン１１Ｚ２および背面ガラス基板製造ライン１２のベーキング・ゾーン１２Ｚ２での真空度と同様の真空度が達成された後、放電ガス導入装置１３Ｅによって、純度がほぼ１００パーセントの完成品のＰＤＰに封入される放電ガスと同じ放電ガスが導入されて、その放電ガスの圧力が、完成品のＰＤＰの放電空間内における放電ガスの圧力と同じ値、例えば、５００Torrになるように設定されている。

このチャンバ１３Ａ内は加熱されおらず、その温度は、ほぼ常温に設定されている。

このような環境下のチャンバ１３Ａ内において、先ず封着材塗布工程Ｓ１２が実施され、封着材塗布および基板重ね合わせ装置１３Ｂによって、前面ガラス基板製造ライン１１から搬入されてきた前面ガラス基板Ｐ１、または、背面ガラス基板製造ライン１２から搬入されてきた背面ガラス基板Ｐ２の構造物が形成されている側の面の周縁部に、樹脂系封止材が塗布される。

この樹脂系封止材としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル樹脂やシリコン樹脂系接着材，ポリイミド系接着材，シリコン変成オレフィン樹脂系接着材，エポキシ系接着材等が挙げられる。

この封着材塗布工程Ｓ１２の後、基板重ね工程Ｓ１３において、何れかの面に樹脂系封止材が塗布された前面ガラス基板Ｐ１と背面ガラス基板Ｐ２を、封着材塗布および基板重ね合わせ装置１３Ｂによって、互いに構造物が形成されている側の面が対向されるとともに所定の位置に位置合わせされた状態で、重ね合わされる。

次に、この基板重ね工程Ｓ１３の後、封着工程Ｓ１４において、互いに重ね合わされた前面ガラス基板Ｐ１と背面ガラス基板Ｐ２が、チャンバ１３Ａ内の封着装置１３Ｃに移されて、何れかに塗布されている樹脂系封止材による前面ガラス基板Ｐ１と背面ガラス基板Ｐ２との封着が行われる。

すなわち、封着装置１３Ｃによって、樹脂系封止材に対して、例えばこの樹脂系封止材が紫外線硬化型の樹脂である場合には紫外線が照射されることにより、また、樹脂系封止材が自然乾燥または加熱によって硬化する樹脂である場合には乾燥処理または加熱処理が行われることにより、重ね合わせによって前面ガラス基板Ｐ１と背面ガラス基板Ｐ２の間に挟まれて両者を接着している封止材が硬化して、この前面ガラス基板Ｐ１と背面ガラス基板Ｐ２の間に形成される放電空間Ｓが封止される。

以上のように、この封着材塗布工程Ｓ１２および基板重ね工程Ｓ１３，封着工程Ｓ１４が、何れも、チャンバ１３Ａ内が真空排気された後に放電ガス圧力が完成品のＰＤＰの放電空間Ｓ内と同じ５００Torrに設定された環境下で行われることにより、封着工程Ｓ１４の終了によってＰＤＰが完成される。

そして、前面ガラス基板製造ライン１１および背面ガラス基板製造ライン１２における各工程において前面ガラス基板Ｐ１および背面ガラス基板Ｐ２からの脱ガス処理が完了しており、封着工程Ｓ１４においては封着層Ｐ３から不純ガスが発生する虞が無いので、放電空間Ｓ内において行われる画像形成のための放電に悪影響が発生することは無い。

なお、基板封着部１３において、一台の封着材塗布および基板重ね合わせ装置１３Ｂに対して複数台（図示の例では二台）の封着装置１３Ｃが設置されているのは、封着材塗布および基板重ね合わせ装置１３Ｂに対して封着装置１３Ｃの処理速度が遅いためであり、封着装置１３Ｃを複数台設置することによって効率的にＰＤＰの製造を行うようにできるが、一台の封着装置１３Ｃを設置するようにしても良い。

また、上記実施例においては、前面ガラス基板製造ライン１１と背面ガラス基板製造ライン１２，基板封着部１３に、排気装置１１Ｂ，１２Ｂ，１３Ｄと放電ガス導入装置１１Ｃ，１２Ｃ，１３Ｅがそれぞれ別個に接続されているが、一台の排気装置によってそれぞれの真空排気を行い、また、一台の放電ガス導入装置によってそれぞれに放電ガスの導入を行うようにしても良い。

図６は、この発明による平面ディスプレイパネルの製造方法を実施するための製造装置の第２の実施例を概略的に示す平面図である。

前述した第１実施例の製造装置１０においては、前面ガラス基板製造ライン１１が通過するチャンバ１１Ａと背面ガラス基板製造ライン１２が通過するチャンバ１２Ａは、互いに別個に構成されていたのに対し、この図６の製造装置２０は、前面ガラス基板製造ライン２１と背面ガラス基板製造ライン２２が、一列に並ぶ同じチャンバ２３内を通過するように構成されており、前面ガラス基板と背面ガラス基板が、それぞれ前面ガラス基板製造ライン２１と背面ガラス基板製造ライン２２によって、同じチャンバ２３内を並行して通過するようになっている。

基板封止部１３およびその他の部分の構成（図示せず）については、第１実施例の製造装置１０とほぼ同様である。

図７は、この発明による平面ディスプレイパネルの製造方法を実施するための製造装置の第３の実施例を概略的に示す平面図である。

前述した第１実施例の製造装置１０においては、前面ガラス基板製造ライン１１と背面ガラス基板製造ライン１２が別個に構成されていたのに対し、この図７の製造装置３０は、前面ガラス基板と背面ガラス基板を同じガラス基板製造ライン３１によって搬送するようになっており、一列に並ぶチャンバ３２内をこのガラス基板製造ライン３１が通過するようになっている。

基板封止部１３およびその他の部分の構成（図示せず）については、第１実施例の製造装置１０とほぼ同様である。

この製造装置３０によれば、ガラス基板製造ライン３１によって、例えば前面ガラス基板と背面ガラス基板が交互に搬送されて、このペアになっている前面ガラス基板と背面ガラス基板が基板封止部１３において重ね合わされる。

プラズマディスプレイパネルの構成を概略的に示す側断面図である。 従来のプラズマディスプレイパネル製造装置を概略的に示す側断面図である。 従来のプラズマディスプレイパネルの製造方法を示すフロー図である。 この発明による平面ディスプレイパネルの製造装置の第１実施例を概略的に示す平面図である。 この発明による平面ディスプレイパネルの製造方法の実施例を示すフロー図である。 この発明による平面ディスプレイパネルの製造装置の第２実施例を概略的に示す平面図である。 この発明による平面ディスプレイパネルの製造装置の第３実施例を概略的に示す平面図である。

符号の説明

１０ …製造装置
１１ …前面ガラス基板製造ライン
１１Ａ …チャンバ
１１Ａａ …ブロック
１１Ｂ …排気装置
１１Ｃ …放電ガス導入装置
１１Ｚ１ …加熱ゾーン
１１Ｚ２ …ベーキング・ゾーン
１１Ｚ３ …放電ガス置換・冷却ゾーン
１２ …背面ガラス基板製造ライン
１２Ａ …チャンバ
１２Ａａ …ブロック
１２Ｂ …排気装置
１２Ｃ …放電ガス導入装置
１２Ｚ１ …加熱ゾーン
１２Ｚ２ …ベーキング・ゾーン
１２Ｚ３ …放電ガス置換・冷却ゾーン
１３ …基板封着部
１３Ａ …チャンバ
１３Ｂ …封着材塗布および基板重ね合わせ装置（封着材塗布部材，重ね合わせ部材）
１３Ｃ …封着装置（封着部材）
１３Ｄ …排気装置
１３Ｅ …放電ガス導入装置
２０ …製造装置
２１ …前面ガラス基板製造ライン
２２ …背面ガラス基板製造ライン
２３ …チャンバ
３０ …製造装置
３１ …ガラス基板製造ライン
３２ …チャンバ
Ｐ１ …前面ガラス基板（基板）
Ｐ２ …背面ガラス基板（基板）
Ｐ３ …封着層（封着部）
Ｓ …放電空間（空間）

Claims (29)

1. それぞれ構造物が形成された二枚の基板が空間を開けて平行に対向されてこの空間が二枚の基板の間の周縁部に形成された封着部によって封止されている平面ディスプレイパネルの製造方法であって、
   前記二枚の基板のうちの構造物が形成された一方の基板を真空状態が保持されるチャンバ内で搬送しこのチャンバ内の真空排気を行いながら加熱処理する第１加熱工程と、
   前記二枚の基板のうちの構造物が形成された他方の基板を真空状態が保持されるチャンバ内で搬送しこのチャンバ内の真空排気を行いながら加熱処理する第２加熱工程と、
   前記第１加熱工程が行われるチャンバおよび第２加熱工程が行われるチャンバの基板の搬送方向において下流側に設置されて真空排気が行われるチャンバ内で、第１加熱工程を経た一方の基板の他方の基板と対向する側の面の周縁部に封着部を形成するための封着材を塗布する封着材塗布工程と、
   この封着材塗布工程を経た一方の基板に第２加熱工程を経た他方の基板を真空排気が行われるチャンバ内において重ね合わせる重ね工程と、
   この重ね工程によって重ね合わされた二枚の基板の間の空間を封着材塗布工程において塗布された封着材によって真空排気が行われるチャンバ内において封止する封止工程と、
   を有していることを特徴とする平面ディスプレイパネルの製造方法。
2. 前記第１加熱工程および第２加熱工程が行われるチャンバ内の真空度を０．００１〜１０Torrに設定する請求項１に記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。
3. 前記第１加熱工程が行われるチャンバの上流側に設置されて内部を一方の基板が搬送されるチャンバ内において、このチャンバ内の真空度を基板の搬送方向に沿って高めてゆくとともに、チャンバ内における一方の基板に対する加熱温度を搬送方向に沿って第１加熱工程における加熱温度まで上昇させてゆく第１昇温工程と、
   前記第２加熱工程が行われるチャンバの上流側に設置されて内部を他方の基板が搬送されるチャンバ内において、このチャンバ内の真空度を基板の搬送方向に沿って高めてゆくとともに、チャンバ内における他方の基板に対する加熱温度を搬送方向に沿って第２加熱工程における加熱温度まで上昇させてゆく第２昇温工程と、
   をさらに有している請求項１に記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。
4. 前記第１加熱工程が行われるチャンバの下流側に設置されて真空排気が行われるとともに内部を一方の基板が搬送されるチャンバ内において、このチャンバ内を搬送される一方の基板の冷却を行う第１冷却工程と、
   前記第２加熱工程が行われるチャンバの下流側に設置されて真空排気が行われるとともに内部を他方の基板が搬送されるチャンバ内において、このチャンバ内を搬送される他方の基板の冷却を行う第２冷却工程と、
   をさらに有している請求項１に記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。
5. 前記第１加熱工程が行われるチャンバの下流側に設置されて内部を一方の基板が搬送されるチャンバ内において、真空状態のチャンバ内に所要のガスを導入する第１ガス導入工程と、
   前記第２加熱工程が行われるチャンバの下流側に設置されて内部を他方の基板が搬送されるチャンバ内において、真空状態のチャンバ内に所要のガスを導入する第２ガス導入工程と、
   をさらに有している請求項１に記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。
6. 前記第１ガス導入工程または第２ガス導入工程におけるガスの導入を、それぞれ基板の搬送方向に沿って下流側にゆくほどガス濃度が高くなるように行う請求項５に記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。
7. 前記第１ガス導入工程および第２ガス導入工程において、平面ディスプレイパネル内に封入されるガスと同じガスを導入する請求項５に記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。
8. 前記封着材塗布工程と重ね工程と封止工程を、真空排気後に所要のガスを導入したチャンバ内において行う請求項１に記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。
9. 前記チャンバ内に、平面ディスプレイパネル内に封入されるガスと同じガスを導入し、このチャンバ内のガス圧力を、平面ディスプレイパネル内に封入されるガスのガス圧力とほぼ同じ値に設定するする請求項８に記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。
10. 前記平面ディスプレイパネルがプラズマディスプレイパネルである請求項１に記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。
11. 前記平面ディスプレイパネルがプラズマディスプレイパネルであり、第１ガス導入工程および第２ガス導入工程において放電ガスを導入する請求項５に記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。
12. 前記封着材塗布工程において塗布される封着材が、樹脂系材料である請求項１に記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。
13. 前記樹脂系材料が、紫外線硬化型樹脂材料である請求項１２に記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。
14. 前記樹脂系材料が、乾燥または加熱によって硬化する樹脂材料である請求項１２に記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。
15. それぞれ構造物が形成された二枚の基板が空間を開けて平行に対向されてこの空間が二枚の基板の間の周縁部に形成された封着部によって封止されている平面ディスプレイパネルの製造装置であって、
    前記二枚の基板のうちの構造物が形成された一方の基板を搬送する第１搬送部材と、
    前記二枚の基板のうちの構造物が形成された他方の基板を搬送する第２搬送部材と、
    内部が真空状態に保持されるとともに前記第１搬送部材がこの内部を通って延びていてこの第１搬送部材によって搬送される一方の基板に対して加熱処理を行う加熱チャンバと、
    内部が真空状態に保持されるとともに前記第２搬送部材がこの内部を通って延びていてこの第２搬送部材によって搬送される他方の基板に対して加熱処理を行う加熱チャンバと、
    前記一方の基板に対して加熱処理を行う加熱チャンバおよび他方の基板に対して加熱処理を行う加熱チャンバの第１搬送部材および第２搬送部材の搬送方向において下流側に設置されて真空排気が行われるとともに第１搬送部材および第２搬送部材によってそれぞれ基板が搬入されるチャンバと、
    このチャンバ内に設置されて搬入されてきた一方の基板の他方の基板と対向する側の面の周縁部に封着部を形成するための封着材を塗布する封着材塗布部材と、
    前記二枚の基板が搬入されるチャンバ内に設置されて封着材塗布部材によって封着材が塗布された一方の基板と他方の基板を重ね合わせる重ね合わせ部材と、
    前記二枚の基板が搬入されるチャンバ内に設置されて重ね合わせ部材によって重ね合わされた二枚の基板の間の空間を封着材塗布部材において塗布された封着材によって封止する封着部材と、
    を備えていることを特徴とする平面ディスプレイパネルの製造装置。
16. 前記第１搬送部材の搬送方向において加熱チャンバの上流側に設置されて第１搬送部材が内部を通って延びていて、真空度が第１搬送部材の搬送方向に沿って高められるとともに第１搬送部材によって搬送される一方の基板に対する加熱温度が搬送方向に沿って加熱チャンバ内における加熱温度まで上昇してゆく昇温チャンバと、
    前記第２搬送部材の搬送方向において加熱チャンバの上流側に設置されて第２搬送部材が内部を通って延びていて、真空度が第２搬送部材の搬送方向に沿って高められるとともに第２搬送部材によって搬送される他方の基板に対する加熱温度が搬送方向に沿って加熱チャンバ内における加熱温度まで上昇してゆく昇温チャンバと、
    をさらに備えている請求項１５に記載の平面ディスプレイパネルの製造装置。
17. 前記第１搬送部材の搬送方向において加熱チャンバの下流側に設置されて第１搬送部材が内部を通って延びていて真空排気が行われるとともに加熱チャンバ内から搬送されてきた一方の基板を冷却する冷却チャンバと、
    前記第２搬送部材の搬送方向において加熱チャンバの下流側に設置されて第２搬送部材が内部を通って延びていて真空排気が行われるとともに加熱チャンバ内から搬送されてきた他方の基板を冷却する冷却チャンバと、
    をさらに備えている請求項１５に記載の平面ディスプレイパネルの製造装置。
18. 前記第１搬送部材の搬送方向において加熱チャンバの下流側に設置されて第１搬送部材が内部を通って延びていて所要のガスが導入されるガスチャンバと、
    前記第２搬送部材の搬送方向において加熱チャンバの下流側に設置されて第２搬送部材が内部を通って延びていて所要のガスが導入されるガスチャンバと、
    をさらに備えている請求項１５に記載の平面ディスプレイパネルの製造装置。
19. 前記ガスチャンバ内のガス濃度が、第１搬送部材の搬送方向および第２搬送部材の搬送方向においてそれぞれ下流側にゆくほど高くなるように設定されている請求項１８に記載の平面ディスプレイパネルの製造装置。
20. 前記ガスチャンバ内に導入されるガスが、平面ディスプレイパネル内に封入されるガスと同じガスである請求項１８に記載の平面ディスプレイパネルの製造装置。
21. 前記封着材塗布部材と重ね合わせ部材と封着部材が設置されたチャンバ内に、このチャンバ内の真空排気後に所要のガスが導入されている請求項１５に記載の平面ディスプレイパネルの製造装置。
22. 前記チャンバ内に導入されるガスが、平面ディスプレイパネル内に封入されるガスと同じガスであり、このチャンバ内に導入されたガスのガス圧力が、平面ディスプレイパネル内に封入されたガスのガス圧力とほぼ同じ値に設定されている請求項２１に記載の平面ディスプレイパネルの製造装置。
23. 前記平面ディスプレイパネルがプラズマディスプレイパネルである請求項１５に記載の平面ディスプレイパネルの製造装置。
24. 前記平面ディスプレイパネルがプラズマディスプレイパネルであり、ガスチャンバに導入されるガスが放電ガスである請求項１８に記載の平面ディスプレイパネルの製造装置。
25. 前記封着材塗布部材によって塗布される封着材が、樹脂系材料である請求項１５に記載の平面ディスプレイパネルの製造装置。
26. 前記樹脂系材料が、紫外線硬化型樹脂材料である請求項２５に記載の平面ディスプレイパネルの製造装置。
27. 前記樹脂系材料が、乾燥または加熱によって硬化する樹脂材料である請求項２５に記載の平面ディスプレイパネルの製造装置。
28. 請求項１ないし１４に記載の製造方法の何れかによって製造されたことを特徴とする平面ディスプレイパネル。
29. 請求項１５ないし２７に記載の製造装置の何れかによって製造されたことを特徴とする平面ディスプレイパネル。

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