JP5897832B2 - 大気圧プラズマ処理システム - Google Patents
大気圧プラズマ処理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5897832B2 JP5897832B2 JP2011153751A JP2011153751A JP5897832B2 JP 5897832 B2 JP5897832 B2 JP 5897832B2 JP 2011153751 A JP2011153751 A JP 2011153751A JP 2011153751 A JP2011153751 A JP 2011153751A JP 5897832 B2 JP5897832 B2 JP 5897832B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- atmospheric pressure
- chambers
- chamber
- processing system
- pressure plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 181
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 67
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 25
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 10
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 32
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 19
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 19
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
図1〜図3に、本発明の実施例の大気圧プラズマ処理システム(以下、「処理システム」と略す場合がある)10を示す。図1は、処理システム10の斜視図であり、図2は、上部カバーを取り除いた状態での処理システム10を上方からの視点において示した概略平面図であり、図3は、図2のAA線における概略断面図である。処理システム10は、大気圧下でプラズマ処理を施すことが可能な3台の大気圧プラズマ処理装置(以下、「処理装置」と略す場合がある)12,14,16と、4台の連結装置18,20,22,24とによって構成されている。それら3台の処理装置12,14,16と4台の連結装置18,20,22,24とは交互に隣接して並べられており、一列に配置されている。
上述のように構成された処理システム10では、3台の処理装置12,14,16の処理室34毎に異なるプラズマ処理を行うことが可能とされており、搬送装置50によって搬送される基板54に対して、3種類のプラズマ処理が順次行われるようになっている。具体的にいえば、まず、第1連通路40を介して基板54が搬入される第1処理装置12の処理室34では、反応ガスとして酸素が利用されており、プラズマ化された酸素ガスによって、基板表面の有機物を除去するためのプラズマ処理が行われる。プラズマ化された酸素ガスが、基板表面に付着した有機汚染物と化学的に結合することで、有機汚染物が分解され、基板表面から除去されるのである。
形成が行われる。反応ガスとしては、モノシラン,ジクロロシラン等種々のものを採用することが可能であり、形成される薄膜に応じて選択される。
上記処理システム10では、窒素ガスが基板54の側方から吹出されるように構成されていたが、窒素ガスが基板54の上方から吹出されるように構成されてもよい。このように構成されたシステムを、変形例の処理システム80として図5に示す。この図は、上記処理システム10を示す図3に相当する図であり、変形例の処理システム80を前方からの視点において示す概略断面図である。なお、変形例の処理システム80は、エアカーテン装置82を除き、上記処理システム10と略同様の構成であるため、上記処理システム10と同様の機能の構成要素については、同じ符号を用いて説明を省略あるいは簡略に行うものとする。
Claims (6)
- 一列に並んで配置された複数のチャンバーと、
それぞれが、前記複数のチャンバーのうちの隣り合う2つのチャンバーを連通する1以上のチャンバー間連通路と、
それら1以上のチャンバー間連通路を介しつつ、前記複数のチャンバー内を通って被処理物を搬送する搬送装置と、
前記複数のチャンバーに対応して設けられ、それぞれが、前記複数のチャンバーのうちの自身に対応するものの内部で大気圧下においてプラズマを発生可能な複数の大気圧プラズマ発生装置と、
前記1以上のチャンバー間連通路に対応して設けられ、それぞれが、前記1以上のチャンバー間連通路のうちの自身に対応するものを遮るようにガスを吹出し、その吹出されたガスの流れによって隣り合う2つのチャンバーの間を仕切る1以上のチャンバー間仕切装置と
を備え、前記搬送装置によって搬送される被処理物に対して、前記複数のチャンバー内で順次プラズマ処理を施す大気圧プラズマ処理システムであって、
被処理物の搬送方向における前記1以上のチャンバー間連通路の長さが、当該大気圧プラズマ処理システムによって処理できる最も大きな被処理物の前記搬送方向における長さより長い大気圧プラズマ処理システム。 - 前記複数の大気圧プラズマ発生装置の各々が、
前記複数のチャンバーのうちの自身に対応するものの内部にガスを流すように構成され、
前記複数のチャンバー内の気圧が同じとなるように、前記複数の大気圧プラズマ発生装置の作動が制御されることを特徴とする請求項1に記載の大気圧プラズマ処理システム。 - 前記複数の大気圧プラズマ発生装置の各々が、
前記複数のチャンバーのうちの自身に対応するものの内部にガスを流すように構成され、
前記複数のチャンバー内の気圧が陽圧となるように、前記複数の大気圧プラズマ発生装置の作動が制御されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の大気圧プラズマ処理システム。 - 前記複数のチャンバーのうちの両端に配置された2つのチャンバーの各々は、
大気に開口し、被処理物を前記搬送装置によって搬出入するための搬出入口を有し、
当該大気圧プラズマ処理システムは、
前記両端に配置された2つのチャンバーに対応して設けられ、それぞれが、前記搬出入口を遮るようにガスを吹出し、その吹出されたガスの流れによって自身に対応するチャンバーと大気との間を仕切る2つのチャンバー大気間仕切装置を備えた請求項1ないし請求項3のいずれか1つに記載の大気圧プラズマ処理システム。 - 前記2つのチャンバー大気間仕切装置の各々の単位時間当たりの吹出し量は、前記1以上のチャンバー間仕切装置の各々の単位時間当たりの吹出し量より多くなるように、前記チャンバー間仕切装置の作動が制御されることを特徴とする請求項4に記載の大気圧プラズマ処理システム。
- 前記1以上のチャンバー間仕切装置は、それぞれ、被処理物の搬送方向に垂直かつ水平な方向にガスを吹出す構造とされた請求項1ないし請求項5のいずれか1つに記載の大気圧プラズマ処理システム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011153751A JP5897832B2 (ja) | 2011-07-12 | 2011-07-12 | 大気圧プラズマ処理システム |
CN 201220335340 CN203013672U (zh) | 2011-07-12 | 2012-07-11 | 大气压等离子处理*** |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011153751A JP5897832B2 (ja) | 2011-07-12 | 2011-07-12 | 大気圧プラズマ処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013020836A JP2013020836A (ja) | 2013-01-31 |
JP5897832B2 true JP5897832B2 (ja) | 2016-03-30 |
Family
ID=47692084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011153751A Active JP5897832B2 (ja) | 2011-07-12 | 2011-07-12 | 大気圧プラズマ処理システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5897832B2 (ja) |
CN (1) | CN203013672U (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6043968B2 (ja) | 2013-10-30 | 2016-12-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理方法並びに電子デバイスの製造方法 |
EP3197245B1 (en) | 2014-09-16 | 2020-12-16 | FUJI Corporation | Plasma gas jetting device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3071320B2 (ja) * | 1992-01-28 | 2000-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空装置 |
JP2000303175A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-10-31 | Konica Corp | 透明導電膜の製造方法および透明導電膜 |
JP2001093871A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Tadahiro Omi | プラズマ加工装置、製造工程およびそのデバイス |
JP2008100822A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Sharp Corp | 搬送装置および被搬送体 |
JP4821586B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2011-11-24 | マツダ株式会社 | 被塗布物の乾燥炉 |
JP2008218796A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Kobe Steel Ltd | 薄膜トランジスタの製造装置及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-07-12 JP JP2011153751A patent/JP5897832B2/ja active Active
-
2012
- 2012-07-11 CN CN 201220335340 patent/CN203013672U/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN203013672U (zh) | 2013-06-19 |
JP2013020836A (ja) | 2013-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI564429B (zh) | 真空成膜裝置 | |
JP2010077508A (ja) | 成膜装置及び基板処理装置 | |
US20090017637A1 (en) | Method and apparatus for batch processing in a vertical reactor | |
KR20170000790A (ko) | 격납 유닛, 반송 장치, 및 기판 처리 시스템 | |
JP5562759B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TW201510269A (zh) | 氣相成長裝置以及氣相成長方法 | |
KR20100055358A (ko) | 진공 처리 시스템 | |
KR20210066937A (ko) | 측면 저장 포드들, 장비 전단부 모듈들, 및 이를 동작시키기 위한 방법들 | |
JP5897832B2 (ja) | 大気圧プラズマ処理システム | |
KR20150120470A (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 방법 | |
JP6016931B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP4410211B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
CN107615446B (zh) | 处理*** | |
TW201700772A (zh) | 排氣管無害化方法及成膜裝置 | |
WO2007083480A1 (ja) | プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 | |
KR102210390B1 (ko) | 유동가능한 cvd를 위한 이중 원격 플라즈마 소스들의 통합 | |
JP7081119B2 (ja) | ロードポート装置 | |
JP4430417B2 (ja) | 成膜装置及びそのクリーニング方法 | |
JP2007280885A (ja) | プラズマ処理装置 | |
TW200920668A (en) | Vertical circulation conveying facility | |
JP2003109994A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008270670A (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
JP2008172080A (ja) | 処理装置及びこの装置における清浄気体の排出方法 | |
JP2009004642A (ja) | 基板処理装置 | |
KR101632043B1 (ko) | 로드록 장치 및 이를 구비한 진공처리장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140624 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150818 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151009 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160209 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160303 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5897832 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |