JP2005197189A - Manufacturing method of electrooptical device, and electronic equipment - Google Patents

Manufacturing method of electrooptical device, and electronic equipment Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an electrooptical device wherein separation of a light emitting layer is enabled without reducing an illuminating area efficiency and without disturbing homogeneous electrode layer formation. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the electrooptical device (1) having the light emitting layer (105) between a pair of electrode layers (101, 106), includes a process of forming an electrode separating means (103) in which a cross-sectional face for separating one electrode layer (106) of the pair of the electrode layers has an inverted taper shape, and a process to form a bulk head (104) in which the cross-sectional face for surrounding the light emitting layer (105) has a forward taper shape overlapped on one part of the electrode separating means (103). <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、エレクトロルミネッセンス(EL)装置等の電気光学装置の製造方法に係り、特に取り扱いが難しい電極材料を利用する場合の電気光学装置の製造方法の改良に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an electro-optical device such as an electroluminescence (EL) device, and more particularly to an improvement in a method for manufacturing an electro-optical device when an electrode material that is difficult to handle is used.

エレクトロルミネッセンス現象を利用したEL装置は一対の電極層間に狭持された発光層に対し電流を供給してEL現象により発光させるものである。この電極層の材料のうち陰極材料は仕事関数の関係から特定の材料に限定されるが、これらの陰極材料には水分やガス成分に影響を受けやすく、一般的なパターニング方法として普及しているフォトリトグラフィ法を利用できないことが多い。このため従来、側面全面がオーバーハングした形状の隔壁を基板上に形成しその上から陰極用の金属材料を蒸着させたカソードセパレータを用いることによって金属層を分離し、電気的に分離した陰極にする方法が考えられていた。   An EL device utilizing an electroluminescence phenomenon is one in which current is supplied to a light emitting layer sandwiched between a pair of electrode layers to emit light by the EL phenomenon. Of these electrode layer materials, cathode materials are limited to specific materials due to work function relationships, but these cathode materials are susceptible to moisture and gas components and are widely used as general patterning methods. Photolithography is often not available. For this reason, conventionally, the metal layer is separated by using a cathode separator in which a partition wall having an overhanging shape on the entire side surface is formed on the substrate and a metal material for the cathode is vapor-deposited thereon. The way to do was considered.

このようなカソードセパレータの形成方法として、例えば、特開平9―102393号公報には、基板に平行な方向に突出するオーバーハング部を有する隔壁を形成する方法が開示されている(特許文献1)。また例えば、特開2002―189290号公報には、裾広がり形状の絶縁膜上に断面形状が逆テーパー形の隔壁層を設けて電極を分離する方法が開示されている(特許文献2)。特開2003−203761号公報にもカソードセパレータを利用したELディスプレイ装置が開示されている(特許文献3)。
特開平9―102393号公報(図2、段落番号0021〜0023) 特開2002―189290号公報(図4、段落番号0022) 特開2003−203761号公報
As a method for forming such a cathode separator, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 9-102393 discloses a method of forming a partition wall having an overhang portion protruding in a direction parallel to a substrate (Patent Document 1). . Further, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-189290 discloses a method of separating electrodes by providing a partition wall layer having a reverse taper in cross section on an insulating film having a flared shape (Patent Document 2). Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2003-203761 also discloses an EL display device using a cathode separator (Patent Document 3).
JP-A-9-102393 (FIG. 2, paragraph numbers 0021 to 0023) JP 2002-189290 A (FIG. 4, paragraph number 0022) JP 2003-203761 A

しかしながら、上記従来の技術に開示されている形状のカソードセパレータは、溶液プロセスを用いて発光層を形成する際に、次のような不都合を生じることが指摘されていた。   However, it has been pointed out that the cathode separator having the shape disclosed in the above prior art has the following disadvantages when the light emitting layer is formed using a solution process.

発光層は色毎に分離された層となるため、隔壁で囲まれた領域に発光層を形成する蛍光性物質を含む溶液を充填し、乾燥させて溶媒を蒸発させて均一な厚みの層に形成することが好ましい。この溶液からの溶媒蒸気は、充填された溶液の上部に十分な空間が確保されていれば、自然に拡散していくため、乾燥後に残留した溶質で形成される発光層の厚みが均一なものとなる。   Since the light-emitting layer is a layer separated for each color, the region surrounded by the partition wall is filled with a solution containing a fluorescent substance that forms the light-emitting layer, and dried to evaporate the solvent to form a layer having a uniform thickness. Preferably formed. Since the solvent vapor from this solution diffuses naturally if a sufficient space is secured above the filled solution, the thickness of the luminescent layer formed of the solute remaining after drying is uniform. It becomes.

ところが、特開平9―102393号公報のようにカソードセパレータを隔壁として用いた場合には、溶液充填時に開口が十分開いていないため、隔壁近傍に吐出した溶液の吐出位置にずれがあると溶液が隔壁から隣接する他の発光層に漏れ出る場合があった。また充填した溶液がカソードセパレータの側面に溜まって乾燥後に均一な厚みの発光層が得られなくなったりする場合があった。   However, when a cathode separator is used as a partition wall as disclosed in JP-A-9-102393, the opening is not sufficiently opened when the solution is filled. Therefore, if there is a deviation in the discharge position of the solution discharged near the partition wall, In some cases, the partition walls leaked to other adjacent light emitting layers. In addition, the filled solution may accumulate on the side surface of the cathode separator and a light emitting layer having a uniform thickness may not be obtained after drying.

また特開2002−189290号公報のように絶縁膜の上部にカソードセパレータを設けた場合には、絶縁膜上部に高くせり出すカソードセパレータのオーバーハング形状が自然な溶媒蒸気の拡散を阻害して、隔壁周辺部で厚く中央部で薄い発光層が形成されてしまう場合があった。   Further, when a cathode separator is provided on the upper part of the insulating film as disclosed in JP-A-2002-189290, the overhang shape of the cathode separator protruding to the upper part of the insulating film hinders natural diffusion of the solvent vapor, and the partition wall In some cases, a light emitting layer that is thick at the periphery and thin at the center is formed.

さらに、カソードセパレータを隔壁とは別に設けることは、表示装置における発光領域の面積占有率(発光面積効率)を下げることになって、好ましい態様とはいえない。   Furthermore, providing the cathode separator separately from the partition wall is not a preferable mode because it reduces the area occupancy (light emission area efficiency) of the light emitting region in the display device.

そこで本発明は上記課題を解決するために、発光面積効率を下げずに、かつ、均一な発光層形成を妨げることなく、電極層分離を可能とした電気光学装置の製造方法を提供するものである。   Accordingly, in order to solve the above-described problems, the present invention provides a method for manufacturing an electro-optical device that enables electrode layer separation without reducing the light emitting area efficiency and without preventing uniform light emitting layer formation. is there.

上記目的を達成するために、本発明は、一対の電極層間に発光層を有する電気光学装置の製造方法において、一対の電極層のいずれか一方を分離するための、断面が庇形状を有する電極分離手段を形成する工程と、発光層を囲むための、断面が末広がり形状を有する隔壁を電極分離手段の一部と重ねて形成する工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法である。   In order to achieve the above object, the present invention provides an electro-optical device manufacturing method having a light emitting layer between a pair of electrode layers, and an electrode having a cross-sectional shape for separating one of the pair of electrode layers. A method for manufacturing an electro-optical device, comprising: a step of forming a separating unit; and a step of forming a partition wall having a widening cross-section to surround a light emitting layer so as to overlap a part of the electrode separating unit. It is.

ここで「庇形状」とは、空間に張り出している形状で、横断面からみた場合に、頂面が広く基板に近い方の底面が狭いような形状をいい、少なくとも庇の下側に底面との角度が90度を超える面を有してオーバーハングした形状であることを意味する。例えば、断面が逆さにしたテーパーのような形状である場合が含まれる。当該電極分離手段の両側面に庇形状を備える場合も片側の側面のみが庇形状を備える場合も含む。オーバーハングしている面が二面以上で構成されていてもよい
「末広がり形状」とは、横断面から見た場合に、頂面が狭く基板に近い方の底面が広くなっている形状をいい、少なくとも底面との角度が90度より小さい傾斜面を有していることを意味する。例えば、断面がテーパーのような形状である場合が含まれる。また、両側面が末広がりになっている場合も片側の側面のみが末広がりになっている場合も含む。傾斜面が二面以上で構成されていてもよい
上記方法によれば、庇形状を有する電極分離手段が先に形成された後、それに一部重ねて隔壁が形成されるため、電極分離手段の庇形状の頂面が隔壁の頂面より上に出ることはない。このため、発光層の形成時などに吐出する発光層用の溶液充填時に、その着弾位置が僅かにずれても末広がり形状によって発光領域内に溶液を流し込むことができると同時に、溶液充填時に庇部分によって着弾が妨げられる事が無い。
また発光層を形成するために溶液を乾燥させる場合にも、溶媒蒸気の流れに影響を与えることがない。さらに、電極分離手段の一部は隔壁と重ねられているため、電極分離に寄与しながらも、発光面積効率の低下をなるべく小さくすることができる。
As used herein, the “ridge shape” refers to a shape that protrudes into the space, and when viewed from a cross-section, refers to a shape that has a wide top surface and a narrow bottom surface closer to the substrate, This means that the angle is overhanging with a surface exceeding 90 degrees. For example, a case where the cross section is shaped like a taper with an inverted cross section is included. The case where both side surfaces of the electrode separating means are provided with a hook shape includes the case where only one side surface is provided with a hook shape. The overhanging surface may be composed of two or more surfaces. The “end-spread shape” refers to a shape in which the top surface is narrow and the bottom surface closer to the substrate is wide when viewed from the cross section. , It means that it has an inclined surface whose angle with respect to the bottom surface is smaller than 90 degrees. For example, the case where the cross section has a tapered shape is included. Moreover, the case where both side surfaces are diverging also includes the case where only one side surface is diverging. The inclined surface may be composed of two or more surfaces. According to the above method, after the electrode separation means having the bowl shape is formed first, a partition wall is formed so as to partially overlap the electrode separation means. The top surface of the bowl shape does not come out above the top surface of the partition wall. For this reason, when filling the solution for the light emitting layer to be discharged when forming the light emitting layer, the solution can be poured into the light emitting region due to the divergent shape even when the landing position is slightly shifted, and at the same time, when the solution is filled, The landing will not be hindered.
Further, when the solution is dried to form the light emitting layer, the flow of the solvent vapor is not affected. Furthermore, since a part of the electrode separating means is overlapped with the partition wall, it is possible to minimize the reduction in the light emitting area efficiency while contributing to the electrode separation.

本発明はさらに、電極分離手段を形成する工程の前に、一対の電極層の一方を形成する工程を備え、隔壁を形成する工程の後に、当該隔壁で囲まれた領域に発光層を形成する工程と、形成された発光層の上から金属材料を供給して、電極分離手段の庇形状で分離された一対の電極の他方を形成する工程とを備える。   The present invention further includes a step of forming one of the pair of electrode layers before the step of forming the electrode separation means, and after the step of forming the partition, the light emitting layer is formed in a region surrounded by the partition. And a step of supplying a metal material from above the formed light emitting layer to form the other of the pair of electrodes separated by the ridge shape of the electrode separation means.

上記構成によれば、一方の電極層が予め形成され、次いで発光層が形成され、次いで金属材料が供給されるので、電極分離手段の庇形状により当該金属材料によって形成される他方の電極層が分離され、発光層を電極層が狭持する電気光学装置の構造が形成される。このとき、電極分離手段の一部の上から隔壁が形成されているので、発光層を形成する際に生ずる溶媒蒸気の流れを電極分離手段が妨げることがない。また、電極分離手段の一部は隔壁外に出ているので、電極層の分離が行える。さらに、電極分離手段の一部は隔壁と重ねられているため、電極分離に寄与しながらも、発光面積効率の低下をなるべく小さくすることができる。   According to the above configuration, one electrode layer is formed in advance, then the light emitting layer is formed, and then the metal material is supplied. Therefore, the other electrode layer formed of the metal material is formed by the saddle shape of the electrode separating means. The structure of the electro-optical device is formed in which the electrode layer is sandwiched between the light emitting layers. At this time, since the partition is formed from a part of the electrode separation means, the electrode separation means does not hinder the flow of the solvent vapor generated when the light emitting layer is formed. Moreover, since a part of electrode separation means has come out of the partition, electrode layers can be separated. Furthermore, since a part of the electrode separating means is overlapped with the partition wall, it is possible to minimize the reduction in the light emitting area efficiency while contributing to the electrode separation.

また本発明は、一対の電極層間に発光層を有する電気光学装置において、発光層を囲む隔壁のうち、発光層が形成された領域に面する側面が当該隔壁の底面に対して直角より緩い傾斜に形成されており、発光層が形成された領域とは反対側の側面のうち、当該隔壁の頂部より低い位置に電極層を分離するための庇形状を備えていること、を特徴とする電気光学装置である。   In the electro-optical device having a light emitting layer between a pair of electrode layers, the side surface facing the region where the light emitting layer is formed in the partition wall surrounding the light emitting layer is inclined more gently than the right angle with respect to the bottom surface of the partition wall. The electrode has an eaves shape for separating the electrode layer at a position lower than the top of the partition wall on the side surface opposite to the region where the light emitting layer is formed. It is an optical device.

上記構成によれば、製造工程においてこの庇形状によって電極層が分離されるが、このときに、発光層側から見て隔壁の外側であって隔壁の頂部より低い位置に庇形状が突き出ているので、発光層を形成するための溶液充填時の開口を狭めることがない。また庇形状が発光層を形成するために溶液を乾燥させる際の溶媒蒸気の流れ中に存在しないので、当該蒸気の流れに影響を与えることがない。また、電極分離に寄与する庇形状が隔壁に突き出ているだけなので、平面図上、電極分離のための庇形状が占める面積が小さく、発光面積効率を大きく低下させることがない。   According to the above configuration, the electrode layer is separated by the ridge shape in the manufacturing process, and at this time, the ridge shape protrudes to a position outside the partition and lower than the top of the partition as viewed from the light emitting layer side. Therefore, the opening at the time of filling the solution for forming the light emitting layer is not narrowed. In addition, since the soot shape does not exist in the flow of the solvent vapor when the solution is dried to form the light emitting layer, the flow of the vapor is not affected. Further, since the ridge shape that contributes to electrode separation protrudes into the partition wall, the area occupied by the ridge shape for electrode separation is small on the plan view, and the light emitting area efficiency is not greatly reduced.

本発明において、一対の電極層のうち一方の電極層が発光層の下面に形成された電極配線となっており、一対の電極層のうち他方の電極層が発光面の上面に少なくとも形成され、庇形状によって分離された複数の電極配線となっており、一方の電極層によって形成される電極配線と、他方の電極層によって形成される電極配線と、が互いに略直交するように設けられている。上記構成によれば、一方の電極層と他方の電極層とが略直交する構造となっているので、パッシブ駆動型電気光学装置としての構造を提供することができる。   In the present invention, one of the pair of electrode layers is an electrode wiring formed on the lower surface of the light emitting layer, and the other electrode layer of the pair of electrode layers is at least formed on the upper surface of the light emitting surface, A plurality of electrode wirings separated by a bowl shape, and the electrode wiring formed by one electrode layer and the electrode wiring formed by the other electrode layer are provided so as to be substantially orthogonal to each other. . According to the above configuration, since one electrode layer and the other electrode layer have a substantially orthogonal structure, a structure as a passive drive type electro-optical device can be provided.

また、本発明は、上記構造の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器でもある。   In addition, the present invention is an electronic apparatus including the electro-optical device having the above structure.

ここで、「電気光学装置」とは、電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学装置を備えた装置一般をいい、自ら光を発する発光層を備えるものをいう。例えば電気光学装置として、EL(エレクトロルミネッセンス)装置の他、電気泳動装置、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電子放出装置を備えたものをも含む。   Here, the “electro-optical device” means a general device including an electro-optical device that emits light by an electric action or changes the state of light from the outside, and includes a light-emitting layer that emits light itself. For example, as an electro-optical device, in addition to an EL (electroluminescence) device, an electrophoretic device and a device provided with an electron emitting device that emits light by applying electrons generated by application of an electric field to a light emitting plate are included.

また「電子機器」とは、複数の素子または回路の組み合わせにより一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。その構成に特に限定が無いが、例えば、上記電気光学装置を含むテレビジョン装置、ロールアップ形テレビジョン装置、パーソナルコンピュータ、携帯電話、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型TV、DSP装置、PDA、電子手帳、電光掲示盤、ICカード、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。   The “electronic device” means a general device that exhibits a certain function by a combination of a plurality of elements or circuits, and includes, for example, an electro-optical device and a memory. Although there is no particular limitation on the configuration, for example, a television device including the electro-optical device, a roll-up television device, a personal computer, a mobile phone, a video camera, a head-mounted display, a rear-type or front-type projector, Examples include a fax machine with a display function, a finder for a digital camera, a portable TV, a DSP device, a PDA, an electronic notebook, an electric bulletin board, an IC card, and a display for advertisement.

本発明によれば、庇形状を有する電極分離手段が先に形成された後、それに一部重ねて隔壁が形成され、電極分離手段の庇形状が隔壁の頂部より低い位置になるため、発光層を形成するための溶液充填を妨げることがない。また発光層を形成するために溶液を乾燥させる場合に溶媒蒸気の流れに影響を与える位置に庇形状が位置しないので、均一な発光層を形成可能である。さらに、電極分離手段が隔壁と重なっているため、電極分離に寄与しながらも、発光面積効率の低下をなるべく小さくすることができる。   According to the present invention, after the electrode separation means having the ridge shape is formed first, the partition is formed so as to partially overlap the ridge shape, and the ridge shape of the electrode separation means is lower than the top of the partition, so that the light emitting layer It does not interfere with the solution filling to form. In addition, when the solution is dried to form the light emitting layer, since the ridge shape is not located at a position that affects the flow of the solvent vapor, a uniform light emitting layer can be formed. Furthermore, since the electrode separation means overlaps the partition wall, the light emission area efficiency can be reduced as much as possible while contributing to electrode separation.

次に本発明を実施するための好適な実施形態を、図面を参照しながら説明する。
(実施形態1)
本発明の実施形態1は、本発明の電気光学装置の製造方法に係り、EL装置を含む電気光学装置を製造するための方法およびその製造方法によって形成された電気光学装置に関する。
Next, preferred embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
Embodiment 1 of the present invention relates to a method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention, and relates to a method for manufacturing an electro-optical device including an EL device and an electro-optical device formed by the manufacturing method.

図1に、本実施形態の製造方法によって製造された電気光学装置を含む装置1の断面図を示す。当該断面図は、陽極101の延在方向に沿って当該電気光学装置1aを切断した切断面を示している。図1に示すように、本電気光学装置1aは、基板100上に陽極層101、絶縁膜102、電極分離壁103、隔壁104・B、発光層105、陰極層106を備えて構成されている。この電気光学装置1aは、陽極層101と陰極層106がほぼ直角をなすように組み合わされ、両電極層の重なり部に発光層105が狭持された、いわゆるパッシブ駆動型のEL装置となっている。なお、話を簡単にするため、陰極層106や発光層105を水分やガスから隔離するための封止部材は省略してある。   FIG. 1 shows a cross-sectional view of an apparatus 1 including an electro-optical device manufactured by the manufacturing method of the present embodiment. The cross-sectional view shows a cut surface obtained by cutting the electro-optical device 1 a along the extending direction of the anode 101. As shown in FIG. 1, the electro-optical device 1 a includes an anode layer 101, an insulating film 102, an electrode separation wall 103, partition walls 104 and B, a light emitting layer 105, and a cathode layer 106 on a substrate 100. . The electro-optical device 1a is a so-called passive drive type EL device in which the anode layer 101 and the cathode layer 106 are combined so as to form a substantially right angle, and the light emitting layer 105 is sandwiched between the overlapping portions of both electrode layers. Yes. For simplicity, a sealing member for isolating the cathode layer 106 and the light emitting layer 105 from moisture and gas is omitted.

基板100は製造工程におけるハンドリングや熱処理、化学処理に耐える機械的・化学的耐性があり、光透過性があって、発光層105からの光を透過可能な材料で構成されている。陽極層101は、アノード電極であり、発光層105からの射出光を透過可能な程度の光透過性を備えて構成されている。絶縁膜102は、発光層105に対して陽極層101を露出させるための開口を提供し、陽極層101と陰極層106間の短絡を防止するために挿入されている。   The substrate 100 is made of a material that has mechanical and chemical resistance that can withstand handling, heat treatment, and chemical treatment in the manufacturing process, is light transmissive, and can transmit light from the light emitting layer 105. The anode layer 101 is an anode electrode, and is configured to have a light transmittance that allows the light emitted from the light emitting layer 105 to pass therethrough. The insulating film 102 provides an opening for exposing the anode layer 101 to the light emitting layer 105 and is inserted to prevent a short circuit between the anode layer 101 and the cathode layer 106.

電極分離壁103は、本発明の電極分離手段に相当し、オーバーハングした側面1031と頂面1032とを備え、鋭角な庇形状が形成されている。当該庇形状は、上部からスパッタ法や真空蒸着法を用いて金属薄膜が形成されるとき、その庇形状のせり出しによって金属薄膜を分離するように作用するものである。   The electrode separation wall 103 corresponds to the electrode separation means of the present invention, has an overhanging side surface 1031 and a top surface 1032, and has an acute ridge shape. When the metal thin film is formed from above using a sputtering method or a vacuum vapor deposition method, the saddle shape acts to separate the metal thin film by protruding the saddle shape.

隔壁104A及び104Bは、発光層105が形成される発光領域の周囲を囲むように立設しており、発光層105の形成時に当該発光領域に充填される、発光層用蛍光性物質を含む溶液を充填・貯留するための障壁として機能するようになっている。   The partition walls 104 </ b> A and 104 </ b> B are erected so as to surround the periphery of the light emitting region where the light emitting layer 105 is formed, and a solution containing a fluorescent substance for the light emitting layer that fills the light emitting region when the light emitting layer 105 is formed. It functions as a barrier for filling and storing.

発光層105は、この蛍光性物質を含む溶液から溶媒を蒸発させて形成される蛍光性物質層である。その蛍光性物質は有機であるか無機であるか(Zn:Sなど)を問わない。電界の印加によって発光するエレクトロルミネッセンス現象を生ずる物質である。また、発光層105は、蛍光性物質単層で構成される他、当該蛍光性物質層に陰極層106から供給された電子を輸送する電子輸送層をさらに備えていたり、陽極層101から供給された正孔を注入する正孔注入層をさらに備えていたりしてもよい。   The light emitting layer 105 is a fluorescent material layer formed by evaporating a solvent from a solution containing the fluorescent material. It does not matter whether the fluorescent substance is organic or inorganic (such as Zn: S). It is a substance that generates an electroluminescence phenomenon that emits light when an electric field is applied. The light emitting layer 105 includes a single fluorescent material layer, and further includes an electron transport layer that transports electrons supplied from the cathode layer 106 to the fluorescent material layer, or is supplied from the anode layer 101. A hole injection layer for injecting holes may be further provided.

陰極層106は、仕事関数の関係から特定の金属材料によって形成されている。この金属材料がスパッタ法や蒸着法によって供給され、本実施形態の電極分離壁103の庇形状によって分離され、電気的に独立した複数の同一方向に延在する陰極として形成されている。   The cathode layer 106 is made of a specific metal material because of the work function. This metal material is supplied by a sputtering method or a vapor deposition method, separated by the shape of the electrode separation wall 103 of the present embodiment, and formed as a plurality of electrically independent cathodes extending in the same direction.

図1から判るように、特に本実施形態では、本実施形態の隔壁104Aが電極分離壁103の延在方向と同一方向に、一部重ねて形成されている点に特徴がある。このような重なり構造のため、隔壁104A・Bの発光領域に面した側面は、基板底面に対して直角より緩い傾斜の末広がり形状に形成されている一方、発光層105が形成された発光領域とは反対側の側面には、電極分離壁103の一部の庇形状が露出している形状を備えている。この電極分離壁103の頂部1032は、隔壁104Aの頂部1042より低い位置に存在している。すなわち発光領域から見て隔壁104Aの反対側(裏側)の面の中程から電極分離壁103の庇形状が突き出しているように構成されている。この構造によれば、陰極層106の形成工程においてオーバーハングした側面1031と頂面1032とによって形成される庇形状により電極層の連続形成が妨げられる。   As can be seen from FIG. 1, the present embodiment is particularly characterized in that the partition wall 104 </ b> A of the present embodiment is partially overlapped in the same direction as the extending direction of the electrode separation wall 103. Due to such an overlapping structure, the side surface facing the light emitting region of the partition walls 104A and 104B is formed in a divergent shape with a slope that is gentler than the right angle to the bottom surface of the substrate, while the light emitting region on which the light emitting layer 105 is formed. On the opposite side surface, a part of the ridge shape of the electrode separation wall 103 is exposed. The top portion 1032 of the electrode separation wall 103 exists at a position lower than the top portion 1042 of the partition wall 104A. That is, the electrode separation wall 103 has a ridge shape protruding from the middle of the surface on the opposite side (back side) of the partition wall 104A as viewed from the light emitting region. According to this structure, the continuous formation of the electrode layer is hindered by the ridge shape formed by the side surface 1031 and the top surface 1032 that are overhanging in the step of forming the cathode layer 106.

また、このように電気的にかつ物理的に分離した陰極層106を形成するカソードセパレータとして作用する一方で、電極分離壁103は隔壁104Aとほぼ重なっており電極分離に寄与する庇形状のみが隔壁104Aの側壁から突き出ている構造なので、平面図上、電極分離のための庇形状が占める面積が小さく、発光面積効率を大きく低下させることがない。   Further, while acting as a cathode separator for forming the cathode layer 106 thus electrically and physically separated, the electrode separation wall 103 substantially overlaps the partition wall 104A, and only the ridge shape contributing to electrode separation is the partition wall. Since the structure protrudes from the side wall of 104A, the area occupied by the ridge shape for electrode separation is small on the plan view, and the light emission area efficiency is not greatly reduced.

この電極分離壁103と隔壁104とが重なりあい、電極分離壁103の頂部が隔壁104の頂部よりも低く形成されている構造は、後に述べるような製造時におけるメリットもある。   The structure in which the electrode separation wall 103 and the partition 104 overlap each other and the top of the electrode separation wall 103 is formed lower than the top of the partition 104 has an advantage in manufacturing as described later.

(製造方法)
次に、本実施形態に係る電気光学装置1aの製造方法を、図2A〜図2Gの製造工程断面図を参照しながら説明する。当該断面図は、図1における切断面と同一の面における積層状態を示している。
(図2A:陽極層形成まで)
本実施形態では発光層105からの光は基板側(図面下側)に射出されるため、下地となる基板100は充分な光透過性を備えるものとする。例えば硬い材料であればガラスであり、可撓性を有する材料であれば、透明な高分子樹脂材料を利用する。ガラスとしては、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のうち光透過性が比較的高いものが用いられる。高分子樹脂材料としては、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン等のうち光透過性が比較的高いものが用いられる。
(Production method)
Next, a method for manufacturing the electro-optical device 1a according to the present embodiment will be described with reference to the manufacturing process cross-sectional views of FIGS. 2A to 2G. The cross-sectional view shows a stacked state on the same plane as the cut plane in FIG.
(FIG. 2A: Until anode layer formation)
In the present embodiment, since light from the light emitting layer 105 is emitted to the substrate side (the lower side in the drawing), the base substrate 100 is assumed to have sufficient light transmittance. For example, a hard material is glass, and a flexible material is a transparent polymer resin material. As the glass, one having relatively high light transmittance among soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, quartz glass, and the like is used. As the polymer resin material, polycarbonate, acrylic resin, polyethylene terephthalate, polyether sulfone, polysulfone, or the like having a relatively high light transmittance is used.

陽極層101としては、EL装置の陽極として仕事関数(例えば4eV以上)の比較的大きい金属や合金、電気伝導性の比較的高い(シート抵抗の低い)化合物、これらの混合物によって構成される透明電極が用いられる。例えばITO(Indium Tin Oxide)、SnO2、ZnO、In−Zn−O等の導電性材料が挙げられる。陽極層101は基板100にこれら導電性材料を蒸着したりスパッタリングしたりして形成される。陽極層101の厚みは断線のおそれのない程度の厚みにする。例えば10nm〜1μm、好ましくは10nm〜200nm程度の厚みにする。陽極層101を基板100全面に形成した後は、公知のフォトリソグラフィ法によって、平行な複数の陽極配線パターンにエッチングする。図2Aは陽極層101がエッチングされていない部分を示している。 As the anode layer 101, a transparent electrode composed of a metal or alloy having a relatively large work function (for example, 4 eV or more), a compound having a relatively high electrical conductivity (low sheet resistance), or a mixture thereof as an anode of an EL device Is used. For example ITO (Indium Tin Oxide), SnO 2, ZnO, conductive material such as In-ZnO and the like. The anode layer 101 is formed by evaporating or sputtering these conductive materials on the substrate 100. The thickness of the anode layer 101 is set to a thickness that does not cause disconnection. For example, the thickness is about 10 nm to 1 μm, preferably about 10 nm to 200 nm. After the anode layer 101 is formed on the entire surface of the substrate 100, it is etched into a plurality of parallel anode wiring patterns by a known photolithography method. FIG. 2A shows a portion where the anode layer 101 is not etched.

陽極層のパターニング後、絶縁膜102が形成される。絶縁膜の形成には、酸化硅素膜(SiOx:0<x≦2)や窒化硅素膜(Si3x:0<x≦4)等の絶縁性物質が利用可能である。絶縁膜102は、陽極層101及び基板100の露出部分を純水やアルコールなどの有機溶剤で洗浄した後、常圧化学気相堆積法(APCVD法)や低圧化学気相堆積法(LPCVD法)、プラズマ化学気相堆積法(PECVD法)等のCVD法あるいはスパッタ法等を用いて形成される。絶縁膜102を全面に形成したら、再びフォトリソグラフィ法を適用して、発光層105を形成すべき発光領域に対応する開口を画素ごとに設ける。 After the patterning of the anode layer, the insulating film 102 is formed. An insulating material such as a silicon oxide film (SiO x : 0 <x ≦ 2) or a silicon nitride film (Si 3 N x : 0 <x ≦ 4) can be used for forming the insulating film. The insulating film 102 is formed by washing the exposed portion of the anode layer 101 and the substrate 100 with an organic solvent such as pure water or alcohol, and then using an atmospheric pressure chemical vapor deposition method (APCVD method) or a low pressure chemical vapor deposition method (LPCVD method). It is formed using a CVD method such as a plasma chemical vapor deposition method (PECVD method) or a sputtering method. After the insulating film 102 is formed over the entire surface, an opening corresponding to the light emitting region where the light emitting layer 105 is to be formed is provided for each pixel by applying photolithography again.

(図2B:電極分離壁形成まで)
次いで、電極分離壁103を形成する。当該電極分離壁103のように断面が逆テーパー形状の壁を形成するには、特許第2989064号に記載の方法やエッチングを制御する方法が利用できる。
(FIG. 2B: Until electrode separation wall formation)
Next, the electrode separation wall 103 is formed. In order to form a wall having a reverse tapered shape like the electrode separation wall 103, the method described in Japanese Patent No. 2999064 and the method of controlling etching can be used.

特許第2989064号に記載の方法では、次の三つの化合物のいずれか一種類以上を含むネガ型感光性組成物を用い、露光後にアルカリ性水溶液を現像液として現像することによって、オーバーハングした形状を形成する。   In the method described in Japanese Patent No. 2989864, a negative photosensitive composition containing any one or more of the following three compounds is used, and an alkaline aqueous solution is developed as a developer after exposure to form an overhanged shape. Form.

成分(A):光線の露光によって単独で、または他の化合物と架橋する化合物、あるいは露光によって架橋反応の触媒等を生成し、露光後の熱処理を経て、その化合物自身または他の化合物と架橋する化合物ないしは化合物群;
成分(B):アルカリ性水溶液である現像液に可溶で、かつ、水に対しては実質的に不溶の樹脂状の成分;及び
成分(C):成分(A)の架橋反応に関わる露光光線を吸収する成分。
Component (A): A compound that crosslinks with other compounds alone by exposure to light or a catalyst for a crosslinking reaction by exposure to light, and crosslinks with the compound itself or other compounds through heat treatment after exposure. A compound or group of compounds;
Component (B): a resinous component that is soluble in a developer that is an alkaline aqueous solution and is substantially insoluble in water; and Component (C): exposure light rays that are involved in the crosslinking reaction of component (A) Absorbs ingredients.

当該特許によれば、前記成分(A)としては、(1)活性光線の照射によってラジカルを発生する光重合開始剤、ラジカルによって重合する不飽和炭化水素基を有する化合物、必要に応じる増感剤の組み合わせが挙げられている。ここで、光重合開始剤としては、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾインまたはベンゾインエーテル誘導体が挙げられ、不飽和炭化水素基を有する化合物としては、(メタ)アクリル酸エステル類、特に複数の(メタ)アクリル酸残基を有する多官能化合物が挙げられている。また、活性光線によって酸を発生する化合物としては、芳香族スルフォン酸エステル類、芳香族ヨードニウム塩、芳香族スルフォニウム塩、ハロゲン化アルキル残基を有する芳香族化合物が挙げられている。さらに、酸発生剤から発生した酸によって架橋する化合物としては、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、アルキルエーテル化メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、アルキルエーテル化ベンゾグアナミン樹脂、ユリア樹脂、アルキルエーテル化ユリア樹脂、ウレタン−ホルムアルデヒド樹脂、レゾール型フェノールホルムアルデヒド樹脂、アルキルエーテル化レゾール型フェノールホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられている。   According to the patent, the component (A) includes (1) a photopolymerization initiator that generates radicals upon irradiation with actinic rays, a compound having an unsaturated hydrocarbon group that is polymerized by radicals, and a sensitizer according to need. The combination of is mentioned. Here, examples of the photopolymerization initiator include benzophenone derivatives, benzoin or benzoin ether derivatives, and examples of the compound having an unsaturated hydrocarbon group include (meth) acrylic acid esters, particularly a plurality of (meth) acrylic acid residues. Polyfunctional compounds having groups are mentioned. Examples of the compound that generates an acid by actinic rays include aromatic sulfonic acid esters, aromatic iodonium salts, aromatic sulfonium salts, and aromatic compounds having a halogenated alkyl residue. Further, as a compound that is cross-linked by an acid generated from an acid generator, melamine-formaldehyde resin, alkyl etherified melamine resin, benzoguanamine resin, alkyl etherified benzoguanamine resin, urea resin, alkyl etherified urea resin, urethane-formaldehyde resin, Examples include resol type phenol formaldehyde resin, alkyl etherified resol type phenol formaldehyde resin, and epoxy resin.

また成分(B)としては、フェノール性水酸基を有する化合物とアルデヒド類を酸またはアルカリの存在下で反応させて得られるフェノール樹脂類、例えば、フェノールやアルキルフェノールとホルムアルデヒドをシュウ酸で付加縮合したノボラック樹脂、同様の原料をアルカリまたは中性条件で付加反応ないしは一部縮合させて得られるレゾール型フェノール樹脂などが挙げられている。不飽和アルキル基置換フェノール化合物の付加重合高分子としては、ポリ(p−ビニルフェノール)、ポリ(p−イソプロペニルフェノール)およびこれらのモノマーの異性体の単一重合体や共重合体が挙げられ、不飽和カルボン酸または不飽和カルボン酸無水物の単一あるいは共重合体としては、(メタ)アクリル酸、マレイン酸、イタコン酸等、およびそれらの無水物と不飽和炭化水素の付加重合高分子が挙げられている。   Component (B) includes a phenol resin obtained by reacting a compound having a phenolic hydroxyl group with an aldehyde in the presence of an acid or alkali, such as a novolak resin obtained by addition condensation of phenol, alkylphenol and formaldehyde with oxalic acid. Examples thereof include resol type phenol resins obtained by addition reaction or partial condensation of similar raw materials under alkali or neutral conditions. Examples of the addition polymerization polymer of the unsaturated alkyl group-substituted phenol compound include poly (p-vinylphenol), poly (p-isopropenylphenol), and homopolymers and copolymers of isomers of these monomers. Examples of mono- or copolymers of unsaturated carboxylic acids or unsaturated carboxylic acid anhydrides include (meth) acrylic acid, maleic acid, itaconic acid, etc., and addition polymerization polymers of these anhydrides and unsaturated hydrocarbons. Are listed.

また成分(C)としては、アゾ染料、例えば、アゾベンゼン誘導体、アゾナフタレン誘導体、アリールピロリドンのアゾベンゼンまたはアゾナフタレン置換体、さらにピラゾロン、ベンズピラゾロン、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール等の複素環のアリールアゾ化合物等が挙げられている。   Component (C) includes azo dyes such as azobenzene derivatives, azonaphthalene derivatives, azobenzene or azonaphthalene substitutes of arylpyrrolidone, and heterocyclic arylazo compounds such as pyrazolone, benzpyrazolone, pyrazole, imidazole, and thiazole. Are listed.

ここで成分(A)の使用割合は、例えば成分(B)のアルカリ可溶性樹脂100重量部に対し、0.1〜20重量部、好ましくは0.5〜5重量部の範囲で使用するものとされ、成分(C)の使用割合は、通常、成分(B)のアルカリ可溶性樹脂100重量部に対し、0.1〜15重量部、好ましくは0.5〜5重量部の範囲で使用するものとされている。   Here, the proportion of component (A) used is, for example, 0.1 to 20 parts by weight, preferably 0.5 to 5 parts by weight per 100 parts by weight of the alkali-soluble resin of component (B). The component (C) is used usually in an amount of 0.1 to 15 parts by weight, preferably 0.5 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin of the component (B). It is said that.

上記フォトレジストまたは成分(A)〜(C)からなるネガ型感光性組成物は、スピンコート法などの塗布法によって塗布され、所定の温度、例えば80〜110℃で熱処理され、0.5〜数μmの乾燥した膜とされる。   The negative photosensitive composition comprising the photoresist or the components (A) to (C) is applied by a coating method such as a spin coating method, heat-treated at a predetermined temperature, for example, 80 to 110 ° C., and 0.5 to It is a dry film of several μm.

次いで、フォトリソグラフィ法に用いる露光光源を用いてパターン状に露光する。露光後に100〜130℃程度で熱処理して現像する。ここで露光する光源としては、436nm、405nm、365nm、254nm等の水銀の輝線スペクトルや、248nmのKrFエキシマーレーザー光源等を用いることができる。   Subsequently, it exposes in a pattern form using the exposure light source used for the photolithographic method. After the exposure, development is performed by heat treatment at about 100 to 130 ° C. As a light source to be exposed here, an emission line spectrum of mercury such as 436 nm, 405 nm, 365 nm, 254 nm, a 248 nm KrF excimer laser light source, or the like can be used.

一定量以下のエネルギーで露光することによって、断面形状がオーバーハング状または逆テーパー形状に露光され、エッチングによって庇形状を有する逆テーパー形状の電極分離部103を残すことができる(図2C参照)。   By exposing with a certain amount of energy or less, the cross-sectional shape is exposed to an overhang shape or a reverse taper shape, and the reverse taper-shaped electrode separation portion 103 having a ridge shape can be left by etching (see FIG. 2C).

また、エッチング速度を制御してオーバーハング形状を形成する方法では、所定の樹脂、例えばノボラック樹脂とキノンジアジド化合物とからなるポジ形フォトレジストやポリイミドを所定の厚み、例えば数μm程度の厚みにスピンコート等の塗布法やスパッタ法で形成し、次いで頂面を形成する酸化ケイ素膜を例えば0 .5μm程度の厚みに形成し、その上に隔壁形状にフォトレジストを例えば1μm程度の厚みに形成する。そして公知のフォトリソグラフィ法を適用し、フォトレジストパターンを形成して、現像されたフォトレジストパターンをマスクとして、酸化珪素膜をフォトレジストと同一の隔壁パターンにエッチングする。その後、2段階に分けてエッチングを行う。最初に酸素等のガスを用いてリアクティブイオンエッチング(異方性エッチング)を行い、次にアルカリ溶液で30秒間程度あるいは、1〜2分間ウエットエッチングを行いポリイミド膜の側面を等方的にエッチングする。このような手順により側面が多くエッチングされて、オーバーハングした庇形状を有する電極分離部103が形成される(図2C参照)。   Also, in the method of forming an overhang shape by controlling the etching rate, a predetermined resin, for example, a positive photoresist made of a novolak resin and a quinonediazide compound, or polyimide is spin-coated to a predetermined thickness, for example, about several μm. For example, a silicon oxide film formed by a coating method such as a coating method or a sputtering method and then forming a top surface is formed by, for example,. A thickness of about 5 μm is formed, and a photoresist is formed on the barrier rib in a thickness of about 1 μm, for example. A known photolithography method is applied to form a photoresist pattern, and the silicon oxide film is etched into the same partition wall pattern as the photoresist using the developed photoresist pattern as a mask. Thereafter, etching is performed in two stages. First, reactive ion etching (anisotropic etching) is performed using a gas such as oxygen, and then wet etching is performed with an alkaline solution for about 30 seconds or for 1-2 minutes to etch the side surfaces of the polyimide film isotropically. To do. By such a procedure, a large number of side surfaces are etched to form an electrode separating portion 103 having an overhanged bowl shape (see FIG. 2C).

なお、このような2段階エッチングの他に、フォトレジスト層を形成し露光光源で露光した後、現像前にレジスト層膜を有機溶剤で処理してレジスト層上面部分の現像液に対する溶解速度を低下させ、エッチング速度に異方性を持たせてから、異方性エッチングまたはウェットエッチングを行うことにより、相対的に側面を多くエッチングしてオーバーハング面を有する庇形状を形成してもよい。   In addition to such two-step etching, after forming a photoresist layer and exposing with an exposure light source, the resist layer film is treated with an organic solvent before development to reduce the dissolution rate of the resist layer upper surface portion in the developer. Then, after giving anisotropy to the etching rate, anisotropic etching or wet etching may be performed to etch a relatively large number of side surfaces to form a ridge shape having an overhang surface.

なお、図2BにおけるPは、隣接する画素間のピッチを表している。   Note that P in FIG. 2B represents the pitch between adjacent pixels.

(図2C・2D:隔壁形成まで)
電極分離部103形成後、隔壁104を形成する。隔壁104の形成には従来のバンク形成工程を適用できる。まず、以下に述べる樹脂材料を所定の厚みに塗布法またはスパッタ法で成膜する。この厚みは、0.1〜3.5μmの範囲が好ましく、特に2μm程度が好ましい。厚みが薄すぎると発光層の形成時に必要な厚み以下となり、またこれ以上の厚みだと段差が激しすぎて陰極層形成時に陰極層材料のステップカバレッジを超えてしまうからである。
(Figs. 2C and 2D: Until partition formation)
After the electrode separation portion 103 is formed, the partition 104 is formed. A conventional bank formation process can be applied to the formation of the partition wall 104. First, a resin material described below is formed into a predetermined thickness by a coating method or a sputtering method. This thickness is preferably in the range of 0.1 to 3.5 μm, particularly preferably about 2 μm. This is because if the thickness is too small, the thickness is less than that required when the light emitting layer is formed, and if the thickness is more than this, the step becomes so intense that the step coverage of the cathode layer material is exceeded when forming the cathode layer.

樹脂材料としては、例えば特開2002―189290号公報に開示されたような材料が利用可能である。すなわちこの公報によれば、有機材料として、(a)アルカリ可溶性樹脂と、(b)キノンジアジドスルホン酸エステルと、(c)有機溶剤と、(d)熱硬化性成分とを含有する感放射線性樹脂組成物において、(d)熱硬化性成分が、(a)アルカリ可溶性樹脂、(b)キノンジアジドスルホン酸エステル、及び(c)有機溶剤からなる感放射線性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜の耐熱温度より高い温度で硬化する化合物を利用することが開示されている。   As the resin material, for example, a material disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-189290 can be used. That is, according to this publication, a radiation-sensitive resin containing (a) an alkali-soluble resin, (b) a quinonediazide sulfonic acid ester, (c) an organic solvent, and (d) a thermosetting component as an organic material. In the composition, (d) a resin film formed by using a radiation-sensitive resin composition in which the thermosetting component comprises (a) an alkali-soluble resin, (b) a quinonediazide sulfonate ester, and (c) an organic solvent. It is disclosed to use a compound that cures at a temperature higher than the heat-resistant temperature.

(a)成分であるアルカリ可溶性樹脂については、従来のキノンジアジドスルホン酸エステルを感光剤とするポジ型フォトレジストに慣用されているアルカリ可溶性樹脂の中から、任意のものを適宜選択して用いることができるとされ、例えばフェノール類とアルデヒド類又はケトン類との縮合反応生成物(ノボラック型樹脂)、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフェノール系重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加反応生成物が挙げられている。   Regarding the alkali-soluble resin as component (a), any one of alkali-soluble resins commonly used in positive photoresists using a conventional quinonediazide sulfonic acid ester as a photosensitizer may be appropriately selected and used. Examples include condensation reaction products (novolac resins) of phenols with aldehydes or ketones, vinylphenol polymers, isopropenylphenol polymers, and hydrogenation reaction products of these phenol resins. It has been.

また(b)成分として用いられるキノンジアジドスルホン酸エステルとしては、従来の感光剤として公知のものの中から任意のものを適宜選択して用いることができるとされ、例えばポリフェノール化合物のフェノール性水酸基が、一定の割合で、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル化、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル化、1,2−ナフトキノンジアジド−6−スルホン酸エステル化、1,2−ベンゾキノンジアジド−5−スルホン酸エステル化、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル化されたものなどが挙げられている。好ましい材料として1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、より好ましくは1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルである。1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルを用いることが指摘されている。   In addition, as the quinonediazide sulfonic acid ester used as the component (b), any one of known photosensitizers can be appropriately selected and used. For example, the phenolic hydroxyl group of the polyphenol compound is constant. 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid esterification, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid esterification, 1,2-naphthoquinonediazide-6-sulfonic acid esterification, 1,2- Examples include benzoquinonediazide-5-sulfonic acid esterification and 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid esterification. Preferred materials are 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, and more preferred 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester. It has been pointed out to use 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester.

(c)成分の有機溶剤としては、従来のフォトレジストの溶剤として公知のものが利用できるとされ、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−オクタノン、3−オクタノン、4−オクタノンなどの直鎖のケトン類;n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、シクロヘキサノールなどのアルコール類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコールエーテル類;ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類;セロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソルブエステル類;プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリコール類;ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテルなどのジエチレングリコール類;γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−カプリロラクトンなどの飽和γ−ラクトン類;トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水素類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミドなどの極性溶媒などが挙げられており、これら単独でも2種以上を組み合わせてもよいとされている。   As the organic solvent of component (c), known solvents for conventional photoresists can be used. For example, acetone, methyl ethyl ketone, cyclopentanone, 2-hexanone, 3-hexanone, 2-heptanone, 3-heptanone. , 4-heptanone, 2-octanone, 3-octanone, 4-octanone and other linear ketones; n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, cyclohexanol and other alcohols; ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol Ethers such as diethyl ether and dioxane; alcohol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether; propyl formate, butyl formate, propyl acetate, butyl acetate, propion Esters such as methyl, ethyl propionate, methyl butyrate, ethyl butyrate, methyl lactate and ethyl lactate; cellosolv esters such as cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate; propylene glycol, propylene glycol Propylene glycols such as monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether; diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl Diethylene glycols such as ethyl ether; saturated γ-lactones such as γ-butyrolactone, γ-valerolactone, γ-caprolactone, and γ-caprolactone; halogenated hydrocarbons such as trichloroethylene; aromatic carbonization such as toluene and xylene Hydrogen: polar solvents such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylacetamide and the like are mentioned, and these may be used alone or in combination of two or more.

そして(a)成分と(b)成分と(c)有機溶剤とからなる感放射線性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜の耐熱温度が、通常90〜130℃、好ましくは95〜125℃の範囲になるような熱特性を有するものを用いるものとされている。   And the heat-resistant temperature of the resin film formed using the radiation sensitive resin composition which consists of (a) component, (b) component, and (c) organic solvent is 90-130 degreeC normally, Preferably it is 95-125 degreeC Those having thermal characteristics that fall within the range are used.

(d)成分の熱硬化性成分としては、この樹脂膜の耐熱温度より高い温度で硬化するものが用いられ、硬化開始温度が前記の範囲にあると共に、レジスト特性及び得られる膜の絶縁性を損なわないものであればよく、特に制限されず、様々な熱硬化性化合物、具体的にはエポキシ樹脂、グアナミン樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、イミド樹脂、ポリウレタン、マレイン酸樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂などを用いることができるが、これらの中でイミド樹脂、特に熱硬化性イミド樹脂が好ましいとされている。この熱硬化性成分の硬化温度が、この樹脂材料の耐熱温度以下である場合には、末広がり型形状の絶縁膜が得られないため、好ましい硬化開始温度は、この樹脂膜の耐熱温度よりも5℃以上高い温度であり、より好ましくは10℃以上高い温度とされる。ここで、硬化開始温度が、該樹脂膜の耐熱温度より、高すぎると、末広がり率が大きくなりすぎて、所望形状の隔壁が得られないため、硬化開始温度は、当該樹脂膜の耐熱温度より50℃高い温度以下が好ましく、より好ましくは30℃高い温度以下とされる。   As the thermosetting component (d), a component that cures at a temperature higher than the heat resistance temperature of the resin film is used, and the curing start temperature is in the above range, and the resist characteristics and the insulation properties of the resulting film are improved. It is not particularly limited as long as it is not impaired, and various thermosetting compounds, specifically epoxy resin, guanamine resin, phenol resin, unsaturated polyester resin, imide resin, polyurethane, maleic acid resin, melamine resin, A urea resin or the like can be used, and among these, an imide resin, particularly a thermosetting imide resin is preferred. When the curing temperature of the thermosetting component is equal to or lower than the heat resistance temperature of the resin material, a diverging-shaped insulating film cannot be obtained. Therefore, the preferable curing start temperature is 5 times higher than the heat resistance temperature of the resin film. It is a temperature higher by at least 10 ° C., more preferably a temperature higher by at least 10 ° C. Here, if the curing start temperature is too higher than the heat resistance temperature of the resin film, the spreading rate becomes too large and a partition having a desired shape cannot be obtained. Therefore, the curing start temperature is higher than the heat resistance temperature of the resin film. A temperature not higher than 50 ° C. is preferable, and more preferably not higher than 30 ° C.

図2Cに示すように、このような樹脂材料を成膜後、フォトリソグラフィ法や電子線描画法を利用して、隔壁の頂部のパターンになるように露光する。このとき、先に形成した電極分離壁103の延在方向中心軸からやや変位した位置、具体的には発光領域側に若干シフトした位置に隔壁の延在方向中心軸が位置するように露光する。このように位置決めすることで、当該隔壁104が末広がり形状に形成された後、図2Dに示すように、電極分離壁103と隔壁104とが一部重なることとなり、発光領域から見て、電極分離壁103の一方の庇形状が隔壁104の反対側に突き出た形状となる。   As shown in FIG. 2C, after forming such a resin material, exposure is performed using a photolithography method or an electron beam drawing method so as to form a pattern on the top of the partition wall. At this time, the exposure is performed so that the central axis in the extending direction of the partition wall is located at a position slightly displaced from the central axis in the extending direction of the electrode separation wall 103 formed earlier, specifically, a position slightly shifted to the light emitting region side. . By positioning in this way, after the partition 104 is formed in a divergent shape, the electrode separation wall 103 and the partition 104 partially overlap each other as shown in FIG. One ridge shape of the wall 103 protrudes to the opposite side of the partition wall 104.

さて、隔壁104の元となる樹脂材料を露光する露光光源としては例えば紫外線、エキシマレーザを使用するか、電子線により描画し加熱する。その後、現像液、例えば1〜10重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のようなアルカリ性水溶液を用いて現像処理することで矩形形の断面を有する隔壁の原形を形成する。   Now, as an exposure light source for exposing the resin material that is the source of the partition 104, for example, ultraviolet rays or excimer lasers are used, or drawing and heating are performed with an electron beam. Then, the original form of the partition which has a rectangular cross section is formed by developing using a developing solution, for example, alkaline aqueous solution like 1-10 weight% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution.

さらに、この隔壁の原形に対し、当該隔壁を構成する樹脂材料より高い温度、例えば耐熱より5℃以上、好ましくは10℃以上高い温度で加熱処理をして、樹脂材料中の熱硬化性成分を硬化させる。この際、加熱処理温度は、樹脂材料の耐熱温度及び使用する熱硬化性成分の硬化開始温度などに応じて、頂部の端縁部が丸みを帯びた末広がり型形状の隔壁が形成されるように制御する。樹脂材料の耐熱温度としては、90〜200℃の範囲が好ましく、より好ましくは95〜180℃の範囲である。また、この樹脂材料の加熱処理温度としては130〜300℃の範囲が好ましく、特に150〜250℃の範囲が好ましい。また、加熱処理時間は、加熱処理温度や加熱処理装置に左右され、一概に定めることはできないが、加熱処理装置として、ホットプレートを用いる場合、通常30〜900秒間程度であり、オーブンを用いる場合は、10〜120分間程度とされる。   Further, the original shape of the partition wall is subjected to a heat treatment at a temperature higher than the resin material constituting the partition wall, for example, 5 ° C. or more, preferably 10 ° C. or more higher than the heat resistance, and the thermosetting component in the resin material is removed. Harden. At this time, the heat treatment temperature is such that the end-shaped partition wall having a rounded end edge is formed according to the heat resistance temperature of the resin material and the curing start temperature of the thermosetting component to be used. Control. The heat resistant temperature of the resin material is preferably in the range of 90 to 200 ° C, more preferably in the range of 95 to 180 ° C. Further, the heat treatment temperature of this resin material is preferably in the range of 130 to 300 ° C, particularly preferably in the range of 150 to 250 ° C. In addition, the heat treatment time depends on the heat treatment temperature and the heat treatment apparatus and cannot be determined in general. However, when a hot plate is used as the heat treatment apparatus, it is usually about 30 to 900 seconds, and an oven is used. Is about 10 to 120 minutes.

ここで、電極分離壁103を構成する樹脂材料の耐熱温度と当該隔壁104を形成する際の加熱温度との関係は重要である。電極分離壁103が先に形成されるため、隔壁104の加熱処理温度が電極分離壁103の耐熱温度を超えるとすれば、エッチング処理や露光処理によって成形された電極分離壁103の庇形状を保持できなくなる場合があるからである。すなわち電極分離壁103の構成材料の耐熱温度Tdと隔壁形成時の加熱処理最高温度Thとの間には、以下の関係があることが好ましい。   Here, the relationship between the heat resistance temperature of the resin material constituting the electrode separation wall 103 and the heating temperature when forming the partition 104 is important. Since the electrode separation wall 103 is formed first, if the heat treatment temperature of the partition wall 104 exceeds the heat resistance temperature of the electrode separation wall 103, the saddle shape of the electrode separation wall 103 formed by etching treatment or exposure treatment is maintained. This is because it may become impossible. That is, it is preferable that the following relationship exists between the heat-resistant temperature Td of the constituent material of the electrode separation wall 103 and the maximum heat treatment temperature Th during the partition formation.

耐熱温度Td > 加熱処理最高温度Th        Heat-resistant temperature Td> Heat treatment maximum temperature Th

(図2E・2F:発光層形成まで)
隔壁104が形成されたら、液滴吐出装置I/JからEL材料である蛍光性物質を含む溶液を吐出して、隔壁104A及び104Bで囲まれた発光領域に溶液を充填させる。
(Figures 2E and 2F: Until formation of light emitting layer)
When the partition wall 104 is formed, a solution containing a fluorescent substance that is an EL material is discharged from the droplet discharge device I / J to fill the light emitting region surrounded by the partition walls 104A and 104B with the solution.

発光層105に用いられる蛍光性物質については特に制限はなく、従来のEL装置における蛍光性物質として公知のものを用いることができる。例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤や、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、芳香族ジメチリジン化合物などを使用できる。   There is no particular limitation on the fluorescent substance used for the light emitting layer 105, and a known substance can be used as a fluorescent substance in a conventional EL device. For example, fluorescent brighteners such as benzothiazole, benzimidazole, and benzoxazole, metal chelated oxinoid compounds, styrylbenzene compounds, distyrylpyrazine derivatives, and aromatic dimethylidine compounds can be used.

この蛍光性物質を含む溶液は、隔壁104間に所定量充填される。この充填量は乾燥時に発光層として機能しうる厚みに蛍光性物質が堆積する程度の量に調整する。またこの溶液を充填してもあふれ出ない程度の高さに隔壁104の高さを調整しておくことが好ましい。   A predetermined amount of the solution containing the fluorescent substance is filled between the partition walls 104. This filling amount is adjusted to such an amount that the fluorescent substance is deposited to a thickness that can function as a light emitting layer when dried. Moreover, it is preferable to adjust the height of the partition wall 104 to a height that does not overflow even when the solution is filled.

ここで、本実施形態によれば、電極分離壁103の庇形状が発光層側から見て隔壁104の外側に庇形状が突き出ているので、発光層を形成するための溶液充填の開口を狭めることがない。このため、液滴吐出装置I/Jからの溶液吐出を発光領域の端部まで及ぼすことができ、僅かに着弾位置がずれても隔壁104の発光領域側の末広がり形状によって発光領域内に溶液を流し込むことができる。   Here, according to this embodiment, since the ridge shape of the electrode separation wall 103 protrudes outside the partition wall 104 when viewed from the luminescent layer side, the solution filling opening for forming the luminescent layer is narrowed. There is nothing. Therefore, it is possible to discharge the solution from the droplet discharge device I / J to the end of the light emitting region, and even if the landing position is slightly shifted, the solution is put into the light emitting region due to the divergent shape of the partition wall 104 on the light emitting region side. Can be poured.

次いで図2Fに示すように、溶液を隔壁104で囲まれた発光領域に充填したら、加熱処理をして溶液中の溶媒成分を蒸発させる。この加熱温度は、溶液中の蛍光性物質に変性を来さない程度の温度に調整される。   Next, as shown in FIG. 2F, after the solution is filled in the light emitting region surrounded by the partition 104, heat treatment is performed to evaporate the solvent component in the solution. This heating temperature is adjusted to a temperature that does not denature the fluorescent substance in the solution.

ここで本実施形態によれば、電極分離壁103の庇形状が隔壁104の外側であって隔壁の頂部より低い位置に配置されているので、溶液を乾燥させる際の溶媒蒸気の流れ中に庇形状が存在せず、蒸気の流れに影響を与えることがない。これにより、形成される発光層の厚みが不均一になるということがない。   Here, according to this embodiment, the shape of the eaves of the electrode separation wall 103 is arranged outside the partition wall 104 and lower than the top of the partition wall, so that during the flow of the solvent vapor when the solution is dried, There is no shape and it does not affect the flow of steam. Thereby, the thickness of the light emitting layer to be formed does not become uneven.

なお、発光層105を蛍光性物質からなる単層とするのみならず、陽極層101より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有する正孔注入層や、陰極層106により注入される電子を発光層105に伝達する電子輸送層を併せて形成してもよい。いずれの層を併せて形成する場合でも、当該層を形成する溶液の充填と乾燥とを行って層構造にする必要がある。   The light emitting layer 105 is not only a single layer made of a fluorescent substance, but also injected by a hole injection layer having a function of transmitting holes injected from the anode layer 101 to the light emitting layer, or the cathode layer 106. An electron transport layer that transmits electrons to the light-emitting layer 105 may also be formed. In the case of forming both layers together, it is necessary to form a layer structure by filling and drying a solution for forming the layer.

正孔注入層を用いる場合には、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系化合物、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマーなどの特定の導電性高分子オリゴマーなどを使用する。   In the case of using a hole injection layer, for example, triazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, arylamine derivative, amino-substituted chalcone derivative, oxazole derivative, styryl Specific conductive polymer oligomers such as anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, polysilane compounds, aniline copolymers, and thiophene oligomers are used.

電子輸送層を形成する場合には、例えば、ニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、さらには8−キノリノール又はその誘導体の金属錯体を利用できる。   When forming an electron transport layer, for example, nitro-substituted fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as naphthalene perylene, carbodiimide, fluorenylidene, etc. Methane derivatives, anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, and metal complexes of 8-quinolinol or its derivatives can be used.

(図2G:陰極層形成まで)
発光層形成後、所定の金属材料を供給して陰極層106を形成する。
(FIG. 2G: Until cathode layer formation)
After forming the light emitting layer, a predetermined metal material is supplied to form the cathode layer 106.

陰極層106の材料としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、導電性化合物及びこれらの混合物などを電極物質とする金属電極が用いられる。例えば、アルカリ金属であるナトリウム、カリウム、リチウム、ルビジウム、セシウム、アルカリ土金属であるマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、イットリウム及びランタノイドからなる希土類元素などが挙げられる。また、電極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。 陰極層を形成するために、上記陰極材料をスパッタ法または蒸着法により、所定の厚みに形成する。陰極層の厚みは薄すぎて膜形成が部分的に不全となって断線が生じることのない程度の厚み、例えば10nm〜1μm、好ましくは10nm〜200nm程度の厚みにする。   As a material of the cathode layer 106, a metal electrode using a metal, an alloy, a conductive compound, a mixture thereof, or the like having a low work function (4 eV or less) as an electrode material is used. Examples thereof include rare earth elements composed of alkali metals such as sodium, potassium, lithium, rubidium, cesium and alkaline earth metals such as magnesium, calcium, strontium, barium, yttrium and lanthanoids. The sheet resistance as an electrode is preferably several hundred Ω / □ or less. In order to form the cathode layer, the cathode material is formed to a predetermined thickness by sputtering or vapor deposition. The thickness of the cathode layer is too thin so that film formation is partially incomplete and disconnection does not occur, for example, 10 nm to 1 μm, preferably about 10 nm to 200 nm.

ここで、EL装置の陰極材料や発光層材料は、一般に水やガスに対する耐性が弱く、陰極配線のパターニングに通常のパターニング方法として多用されるフォトリソグラフィ法や電子描画法が利用できない。この点、本実施形態では、電極分離壁103が設けてあるので、陰極材料を用いた薄膜形成を行う際、電極分離壁103の庇形状でこの陰極薄膜が分断され、結果的に電気的に分離した平行に走る陰極配線が成膜と同時にパターニングされることになる。   Here, the cathode material and the light emitting layer material of the EL device generally have low resistance to water and gas, and the photolithography method and the electron drawing method that are frequently used as the patterning method for the cathode wiring cannot be used. In this regard, in this embodiment, since the electrode separation wall 103 is provided, when the thin film is formed using the cathode material, the cathode thin film is divided by the ridge shape of the electrode separation wall 103, and as a result, electrically The separated cathode wirings running in parallel are patterned simultaneously with the film formation.

以上の工程によって製造された電気光学装置1aは図示しない封止樹脂により空気等に触れないよう封止される。   The electro-optical device 1a manufactured through the above steps is sealed so as not to touch air or the like with a sealing resin (not shown).

図3に、上記した製造工程で製造された電気光学装置1を電気的に配線して構成される電子機器10のブロック図を示す。   FIG. 3 is a block diagram of an electronic apparatus 10 configured by electrically wiring the electro-optical device 1 manufactured in the above manufacturing process.

図3に示すように、本電子機器10は、描画プロセッサ2、デコーダ3、陽極ドライバ4、陰極ドライバ5、及び電気光学装置1を備えている。描画プロセッサ2は図示しない画像メモリに格納された画像データを所定のタイミングごとに読み出してデコーダ3に転送する。デコーダ3は当該画像データに基づいて電気光学装置1に表示可能なパッシブ駆動型の走査信号に変換して、陽極に関する走査信号は陽極ドライバ4へ、陰極に関する走査信号は陰極ドライバ5へ供給する。陽極ドライバ4は当該電気光学装置1の仕様によって定められる適正な陽極駆動電圧で各陽極配線Va1〜Vamを駆動する。また陰極ドライバ5は電気光学装置1の仕様によって定められる適正な陰極駆動電圧で各陰極配線Vc1〜Vcnを駆動する。   As shown in FIG. 3, the electronic apparatus 10 includes a drawing processor 2, a decoder 3, an anode driver 4, a cathode driver 5, and the electro-optical device 1. The drawing processor 2 reads out image data stored in an image memory (not shown) at a predetermined timing and transfers it to the decoder 3. The decoder 3 converts the scanning signal relating to the anode to the anode driver 4 and the scanning signal relating to the cathode to the cathode driver 5 by converting into a passive drive type scanning signal which can be displayed on the electro-optical device 1 based on the image data. The anode driver 4 drives each anode wiring Va <b> 1 to Vam with an appropriate anode driving voltage determined by the specifications of the electro-optical device 1. The cathode driver 5 drives the cathode wirings Vc1 to Vcn with an appropriate cathode driving voltage determined by the specifications of the electro-optical device 1.

電気光学装置1は、上記製造方法により、適正に電極分離がされ、陽極層101のパターニングで形成されている陽極配線と、陰極層106の、電極分離壁103による電極分離で形成されている陰極配線とがマトリクス状に配線されており、両配線によって狭持される領域には発光層105が上記製造工程によって形成され、EL装置OELDを形成している。   The electro-optical device 1 includes an anode wiring formed by patterning the anode layer 101 and an anode formed by patterning the anode layer 101 and a cathode formed by electrode separation by the electrode separation wall 103 by the above manufacturing method. Wirings are wired in a matrix, and a light emitting layer 105 is formed in the region sandwiched between the two wirings by the above manufacturing process to form an EL device OELD.

したがって上記構成において、いずれかの陽極配線Vaといずれか陰極配線Vcとがともに同時に駆動されることにより、両者によって駆動されるEL装置OELDに電流が供給され発光する。
図4A及び図4Bに図3に示すようなブロック構成を備える電子機器の概観を示す。
図4Aは、テレビジョン装置20の例であり、当該電子機器は、本実施形態に係る電気光学装置本体10を含んで構成されている。
また図4Bはロールアップ形テレビジョン装置30に本実施形態に係る電気光学装置本体10を含んで構成されている。
Therefore, in the above-described configuration, when any one of the anode wiring Va and any one of the cathode wiring Vc is simultaneously driven, a current is supplied to the EL device OELD driven by both to emit light.
4A and 4B show an overview of an electronic apparatus having a block configuration as shown in FIG.
FIG. 4A is an example of the television device 20, and the electronic apparatus includes the electro-optical device body 10 according to the present embodiment.
4B includes a roll-up television device 30 including the electro-optical device body 10 according to the present embodiment.

以上、本実施形態1によれば、以下の利点を有する。
まず、本実施形態における電気光学装置は発光効率が比較的高い。つまり、図2Cにおいて、画素間のピッチPに対して発光層の開口面積が大きい程、発光効率がよくなる。図2Dから判るように、発光領域の幅p1に対して、電極分離をさせるための幅p2が必要になる。ここで、本実施形態によれば、電極分離壁103は隔壁104と重なっており、電極分離に必要とされる庇形状のみが突出しているような構造となっているため、発光に直接は寄与しない幅p2を発光領域の幅p1に対して極力小さくできる。このため本実施形態の電気光学装置によれば、電極分離が必要な構造の電気光学装置における発光効率を最大限に上げることができる。
As described above, the first embodiment has the following advantages.
First, the electro-optical device according to the present embodiment has a relatively high light emission efficiency. That is, in FIG. 2C, the larger the opening area of the light emitting layer with respect to the pitch P between pixels, the better the light emission efficiency. As can be seen from FIG. 2D, a width p2 for electrode separation is required with respect to the width p1 of the light emitting region. Here, according to the present embodiment, the electrode separation wall 103 overlaps with the partition wall 104 and has a structure in which only the ridge shape required for electrode separation protrudes, and thus contributes directly to light emission. The width p2 not to be made can be made as small as possible with respect to the width p1 of the light emitting region. Therefore, according to the electro-optical device of this embodiment, the light emission efficiency in the electro-optical device having a structure that requires electrode separation can be maximized.

また本実施形態1によれば、電極分離壁103の庇形状が発光層側から見て隔壁104の外側に庇形状が突き出ている。このため発光層を形成するための溶液充填の開口を狭めることがない。このため、液滴吐出装置I/Jからの溶液吐出を発光領域の端部まで及ぼすことができ、僅かに着弾位置がずれても隔壁104の発光領域側の末広がり形状によって発光領域内に溶液を流し込むことができる。   Further, according to the first embodiment, the ridge shape of the electrode separation wall 103 protrudes outside the partition wall 104 when viewed from the light emitting layer side. Therefore, the solution filling opening for forming the light emitting layer is not narrowed. Therefore, it is possible to discharge the solution from the droplet discharge device I / J to the end of the light emitting region, and even if the landing position is slightly shifted, the solution is put into the light emitting region due to the divergent shape of the partition wall 104 on the light emitting region side. Can be poured.

さらに本実施形態1によれば、電極分離壁103の庇形状が隔壁104の外側であって隔壁の頂部より低い位置に配置されている。このため溶液を乾燥させる際の溶媒蒸気の流れ中に庇形状が存在せず、蒸気の流れに影響を与えることがない。よって、溶媒蒸発によって形成される発光層の厚みが不均一になるということがない。   Further, according to the first embodiment, the ridge shape of the electrode separation wall 103 is disposed outside the partition 104 and at a position lower than the top of the partition. For this reason, no soot shape exists in the flow of the solvent vapor when the solution is dried, and the flow of the vapor is not affected. Therefore, the thickness of the light emitting layer formed by solvent evaporation does not become uneven.

(実施形態2)
本発明の実施形態2は、上記実施形態1における電極分離手段である電極分離壁の変形例に関する。図5に、本実施形態における電気光学装置1bの陽極配線の延在方向に沿った断面図を示す。実施形態1と同様の部材については、同一の符号を付し説明を省略する。
(Embodiment 2)
The second embodiment of the present invention relates to a modification of the electrode separation wall that is the electrode separation means in the first embodiment. FIG. 5 shows a cross-sectional view along the extending direction of the anode wiring of the electro-optical device 1b in the present embodiment. About the member similar to Embodiment 1, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

図5に示すように、本実施形態では、電極分離壁107の一方の側面がオーバーハングした面1071となっており、他の側面が傾斜の異なる面1072を形成している。このように断面から見て非対称的な形状の電極分離壁107は、例えば製造時に隔壁104の内部に電極分離壁107の一部が包含されてしまうことにより、電極分離壁の片方の庇形状が変形を起こした場合に考えられる。   As shown in FIG. 5, in this embodiment, one side surface of the electrode separation wall 107 is an overhanging surface 1071, and the other side surface forms a surface 1072 having a different inclination. In this way, the electrode separation wall 107 having an asymmetrical shape when viewed from the cross-section has a part of the electrode separation wall 107 included in the partition wall 104 at the time of manufacture, for example, so that the shape of one of the electrode separation walls 107 is reduced. This is considered when deformation occurs.

このような状態であっても、電極分離に寄与する側には庇形状が維持されているので、陰極層106の分離は問題無く行える。   Even in such a state, since the ridge shape is maintained on the side that contributes to electrode separation, the cathode layer 106 can be separated without any problem.

(実施形態3)
本発明の実施形態3は、上記実施形態1における隔壁の変形例に関する。図6に、本実施形態における電気光学装置1cの陽極配線の延在方向に沿った断面図を示す。実施形態1と同様の部材については、同一の符号を付し説明を省略する。
(Embodiment 3)
The third embodiment of the present invention relates to a modification of the partition wall in the first embodiment. FIG. 6 shows a cross-sectional view along the extending direction of the anode wiring of the electro-optical device 1c in the present embodiment. About the member similar to Embodiment 1, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

図6に示すように、本実施形態では、隔壁108の発光領域の反対側の側面が、末広がり形状になっておらず、発光領域に面する側面と異なる傾斜をしている。このように断面から見て非対称的な形状の隔壁108は、例えば製造時の熱処理によって順テーパー形状を形成する際に、下部に電極分離壁103が存在することによって、十分隔壁の変形が進まず、垂直なまま側壁が残されることによって生じうる。   As shown in FIG. 6, in the present embodiment, the side surface of the partition 108 opposite to the light emitting region is not divergent and has a slope different from the side surface facing the light emitting region. In this way, the partition wall 108 having an asymmetrical shape when viewed from the cross section has a forward tapered shape formed by, for example, heat treatment during manufacturing, and the partition wall 103 is not sufficiently deformed due to the presence of the electrode separation wall 103 in the lower portion. Can be caused by leaving the sidewalls vertical.

このような状態であっても、蛍光性物質を含む溶液の充填時に溶液を発光領域に導く側の末広がり形状は維持されているので、溶液充填は問題無く行える。   Even in such a state, when the solution containing the fluorescent substance is filled, the divergent shape on the side where the solution is guided to the light emitting region is maintained, so that the solution filling can be performed without any problem.

(実施形態4)
本発明の実施形態4は、上記実施形態1における電極分離手段である電極分離壁の変形例に関する。図7に、本実施形態における電気光学装置1dの陽極配線の延在方向に沿った断面図を示す。実施形態1と同様の部材については、同一の符号を付し説明を省略する。
(Embodiment 4)
The fourth embodiment of the present invention relates to a modification of the electrode separation wall that is the electrode separation means in the first embodiment. FIG. 7 shows a cross-sectional view along the extending direction of the anode wiring of the electro-optical device 1d in the present embodiment. About the member similar to Embodiment 1, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

図7に示すように、本実施形態では、電極分離壁109の側面が複数の面1091及び1092によって構成されている。このように複数の面で構成された側面は、例えば異方性のウェットエッチングで側壁をエッチングする場合に形成される場合がある。さらに図面のように複数の平面ではなく、曲面のようにエッチングされる場合もある。   As shown in FIG. 7, in this embodiment, the side surface of the electrode separation wall 109 is constituted by a plurality of surfaces 1091 and 1092. Thus, the side surface constituted by a plurality of surfaces may be formed when the sidewall is etched by, for example, anisotropic wet etching. Further, there are cases where etching is performed like a curved surface instead of a plurality of flat surfaces as shown in the drawing.

しかしこのような逆テーパー形状とは言い難い側面に形成されたとしも、一部にオーバーハングした面1091があれば、その部分において電極層が分離され電極分離壁として機能しうるので、問題はない。   However, even if it is formed on a side surface that is difficult to say such a reverse taper shape, if there is an overhanging surface 1091 in part, the electrode layer can be separated at that part and function as an electrode separation wall, so the problem is Absent.

(実施形態5)
本発明の実施形態5は、上記実施形態1における電極分離手段である電極分離壁の変形例に関する。図8に、本実施形態における電気光学装置1eの陽極配線の延在方向に沿った断面図を示す。実施形態1と同様の部材については、同一の符号を付し説明を省略する。
(Embodiment 5)
The fifth embodiment of the present invention relates to a modification of the electrode separation wall that is the electrode separation means in the first embodiment. FIG. 8 is a cross-sectional view along the extending direction of the anode wiring of the electro-optical device 1e in the present embodiment. About the member similar to Embodiment 1, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

図8に示すように、本実施形態では、隔壁110の側面が複数の面1101及び1102によって構成されている。このように複数の面で構成された側面は、例えば異方性のウェットエッチングで側壁をエッチングする場合に形成される場合がある。さらに図面のように複数の平面ではなく、曲面のようにエッチングされる場合もある。   As shown in FIG. 8, in this embodiment, the side surface of the partition wall 110 is composed of a plurality of surfaces 1101 and 1102. Thus, the side surface constituted by a plurality of surfaces may be formed when the sidewall is etched by, for example, anisotropic wet etching. Further, there are cases where etching is performed like a curved surface instead of a plurality of flat surfaces as shown in the drawing.

しかしこのような末広がりのテーパー形状とは言い難い側面に形成されたとしても、一部に末広がりの面1102があれば、その部分において溶液の発光領域への流し込みが行え、隔壁として機能しうるので、問題はない。   However, even if it is formed on a side surface that is difficult to say such a divergent taper shape, if there is a divergent surface 1102 in part, the solution can be poured into the light emitting region in that part and can function as a partition wall. ,No problem.

上記実施形態に基づいて実際に電気光学装置を製造した。製造した条件は以下の表1のとおりである。
An electro-optical device was actually manufactured based on the above embodiment. The manufactured conditions are as shown in Table 1 below.

Figure 2005197189
本電極分離壁を利用することによって、インクジェット法による正孔注入層や発光層形成時に不都合は生じず、また、発光層の膜厚を均一に形成することができた。さらに陰極層の電極分離もスムースに行えた。
Figure 2005197189
By using this electrode separation wall, no inconvenience occurred when forming the hole injection layer or the light emitting layer by the ink jet method, and the film thickness of the light emitting layer could be formed uniformly. Furthermore, the electrode separation of the cathode layer could be performed smoothly.

実施形態1における電気光学装置の断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of the electro-optical device according to the first embodiment. 実施形態の電気光学装置の製造方法における陽極層形成工程を説明する製造工程断面図。FIG. 6 is a manufacturing process cross-sectional view illustrating an anode layer forming process in the electro-optical device manufacturing method according to the embodiment. 実施形態の電気光学装置の製造方法におけるカソードセパレータ形成工程を説明する製造工程断面図。FIG. 6 is a manufacturing process cross-sectional view illustrating a cathode separator forming process in the electro-optical device manufacturing method according to the embodiment. 実施形態の電気光学装置の製造方法における隔壁形成工程を説明する製造工程断面図。FIG. 6 is a manufacturing process cross-sectional view illustrating a partition wall forming process in the electro-optical device manufacturing method according to the embodiment. 実施形態の電気光学装置の製造方法における隔壁構造説明図。FIG. 6 is an explanatory diagram of a partition structure in the method for manufacturing the electro-optical device according to the embodiment. 実施形態の電気光学装置の製造方法における溶液充填工程を説明する製造工程断面図。FIG. 6 is a manufacturing process cross-sectional view illustrating a solution filling process in the electro-optical device manufacturing method according to the embodiment. 実施形態の電気光学装置の製造方法における発光層形成工程を説明する製造工程断面図。FIG. 6 is a manufacturing process cross-sectional view illustrating a light emitting layer forming process in the method for manufacturing the electro-optical device according to the embodiment. 実施形態の電気光学装置の製造方法における陰極層形成工程を説明する製造工程断面図。FIG. 5 is a manufacturing process cross-sectional view illustrating a cathode layer forming process in the electro-optical device manufacturing method according to the embodiment. 実施形態1の電気光学装置本体のブロック図。FIG. 3 is a block diagram of the electro-optical device main body according to the first embodiment. 電子機器の例示であるテレビジョン装置。A television device which is an example of an electronic device. 電子機器の例示である巻き取り可能なロールアップ形テレビジョン装置。A roll-up television apparatus capable of winding up, which is an example of an electronic device. 実施形態2における電気光学装置の断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view of an electro-optical device according to a second embodiment. 実施形態3における電気光学装置の断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view of an electro-optical device according to a third embodiment. 実施形態4における電気光学装置の断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view of an electro-optical device according to a fourth embodiment. 実施形態5における電気光学装置の断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view of an electro-optical device according to a fifth embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1a、1b、1c、1d、1e…電気光学装置、2…表示プロセッサ、3…デコーダ、4…陽極ドライバ、5…陰極ドライバ、10、20、30…電子機器、100…基板、101…陽極層、102…絶縁膜、103…陰極分離壁(カソードセパレータ)、104、104A、104B…隔壁、105…発光層、106…陰極層、107、109…電極分離壁(カソードセパレータ)、108、110…隔壁、1031…逆テーパー面

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a, 1b, 1c, 1d, 1e ... Electro-optical device, 2 ... Display processor, 3 ... Decoder, 4 ... Anode driver, 5 ... Cathode driver, 10, 20, 30 ... Electronic device, 100 ... Substrate, 101 ... Anode layer , 102 ... Insulating film, 103 ... Cathode separation wall (cathode separator), 104, 104A, 104B ... Partition, 105 ... Light emitting layer, 106 ... Cathode layer, 107, 109 ... Electrode separation wall (cathode separator), 108, 110 ... Partition wall, 1031 ... reverse taper surface

Claims (5)

一対の電極層間に発光層を有する電気光学装置の製造方法において、
前記一対の電極層の一方を分離するための、断面が庇形状を有する電極分離手段を形成する工程と、
前記発光層を囲むための、断面が末広がり形状を有する隔壁を前記電極分離手段の一部と重ねて形成する工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
In a method for manufacturing an electro-optical device having a light emitting layer between a pair of electrode layers,
Forming an electrode separating means for separating one of the pair of electrode layers, the cross section of which has a bowl shape;
And a step of overlapping a part of the electrode separation means to surround the light-emitting layer with a cross-sectionally widening partition. The method of manufacturing an electro-optical device, comprising:
前記電極分離手段を形成する工程の前に、前記一対の電極層の一方を形成する工程を備え、
前記隔壁を形成する工程の後に、
当該隔壁で囲まれた領域に前記発光層を形成する工程と、
形成された前記発光層の上から、金属材料を供給して、前記電極分離手段の前記庇形状で分離された前記一対の電極の他方を形成する工程とを備える、請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。
Before the step of forming the electrode separation means, comprising the step of forming one of the pair of electrode layers,
After the step of forming the partition wall,
Forming the light emitting layer in a region surrounded by the partition;
2. The method according to claim 1, further comprising: supplying a metal material from above the formed light emitting layer to form the other of the pair of electrodes separated by the saddle shape of the electrode separating means. Manufacturing method of optical device.
一対の電極層間に発光層を有する電気光学装置において、
前記発光層を囲む隔壁のうち、前記発光層が形成された領域に面する側面が当該隔壁の底面に対して直角より緩い傾斜に形成されており、
前記発光層が形成された領域とは反対側の側面のうち、当該隔壁の頂部より低い位置に前記電極層を分離するための庇形状を備えていること、を特徴とする電気光学装置。
In an electro-optical device having a light emitting layer between a pair of electrode layers,
Of the partition wall surrounding the light emitting layer, the side surface facing the region where the light emitting layer is formed is formed with a slope that is gentler than the right angle with respect to the bottom surface of the partition wall,
An electro-optical device comprising a saddle shape for separating the electrode layer at a position lower than the top of the partition wall on the side surface opposite to the region where the light emitting layer is formed.
前記一対の電極層のうち一方の電極層が前記発光層の下面に形成された電極配線となっており、
前記一対の電極層のうち他方の電極層が前記発光面の上面に少なくとも形成され、前記庇形状によって分離された複数の電極配線となっており、
前記一方の電極層によって形成される電極配線と、前記他方の電極層によって形成される電極配線と、が互いに略直交するように設けられている、請求項3に記載の電気光学装置。
One electrode layer of the pair of electrode layers is an electrode wiring formed on the lower surface of the light emitting layer,
The other electrode layer of the pair of electrode layers is formed at least on the upper surface of the light emitting surface, and is a plurality of electrode wirings separated by the ridge shape,
The electro-optical device according to claim 3, wherein the electrode wiring formed by the one electrode layer and the electrode wiring formed by the other electrode layer are provided so as to be substantially orthogonal to each other.
請求項3または4に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 3.

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