JP2008098106A - Manufacturing method of organic electroluminescent element - Google Patents

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Norito Ito
範人 伊藤
Tomoyuki Tachikawa
智之 立川
Keisuke Hashimoto
慶介 橋本
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an organic EL element for patterning an organic EL layer by using a photolithographic method providing the organic EL element with excellent lifetime characteristics. <P>SOLUTION: The organic EL layer, a protective layer, and a photoresist layer are laminated in this order in patterning the organic EL layer by using the photolithographic method. After the patterning, the photoresist layer and protective layer are stripped in this order. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、フォトリソグラフィー法を用いた有機エレクトロルミネッセンス（以下、エレクトロルミネッセンスをＥＬと略す場合がある。）素子の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescence (hereinafter, electroluminescence may be abbreviated as EL) element using a photolithography method.

ＥＬ素子は、対向する２つの電極から注入された正孔および電子が発光層内で結合し、そのエネルギーで発光層中の蛍光物質を励起し、蛍光物質に応じた色の発光を行うものであり、自発光の面状表示素子として注目されている。その中でも、有機物質を発光材料として用いた有機ＥＬ素子は、印加電圧が１０Ｖ弱であっても高輝度な発光を実現できるなど発光効率が高く、単純な素子構造で発光が可能であり、特定のパターンを発光表示させる広告その他低価格の簡易表示ディスプレイへの応用が期待されている。   In the EL element, holes and electrons injected from two opposing electrodes are combined in the light emitting layer, and the fluorescent material in the light emitting layer is excited by the energy to emit light of a color corresponding to the fluorescent material. Therefore, it has been attracting attention as a self-luminous planar display element. Among them, an organic EL element using an organic substance as a light emitting material has high luminous efficiency, such as being able to realize high luminance light emission even when an applied voltage is less than 10 V, and can emit light with a simple element structure. It is expected to be applied to advertisements that display these patterns in light emission and other simple display displays at low cost.

一般に、有機ＥＬ素子を用いたディスプレイの製造にあっては、発光層等のパターニングがなされている。発光層のパターニング方法としては、発光材料をシャドウマスクを介して蒸着する方法、インクジェット法により塗り分ける方法、フォトリソグラフィー法等が提案されている。   In general, in manufacturing a display using an organic EL element, a light emitting layer and the like are patterned. As a patterning method of the light emitting layer, a method of evaporating a light emitting material through a shadow mask, a method of separately coating by an ink jet method, a photolithography method, and the like have been proposed.

これらの方法の中でも、フォトリソグラフィー法では、蒸着によるパターニング方法と比較すると、高精度のアライメント機構を備えた真空設備等が不要であることから、比較的容易にかつ安価に有機ＥＬ素子を製造することができる。また、フォトリソグラフィー法は、インクジェット法によるパターニング方法と比較すると、パターニングを補助する構造物や基板に対する前処理等を行うことがない点で好ましい。さらに、インクジェットヘッドの吐出精度との関係から、フォトリソグラフィー法の方がより高精細なパターンの形成に対して有利である。   Among these methods, the photolithography method does not require a vacuum facility or the like having a highly accurate alignment mechanism as compared with the patterning method by vapor deposition, so that an organic EL element is manufactured relatively easily and inexpensively. be able to. In addition, the photolithography method is preferable in that it does not perform a pretreatment or the like on a structure or a substrate that assists patterning, as compared with a patterning method using an inkjet method. Furthermore, from the relationship with the ejection accuracy of the inkjet head, the photolithography method is more advantageous for the formation of a higher definition pattern.

フォトリソグラフィー法によって有機ＥＬ層をパターニングする際に、有機ＥＬ層上にフォトレジストを塗布する場合には、有機ＥＬ層に用いられる有機材料が、フォトレジスト溶媒だけでなく、フォトレジスト現像液、剥離液およびリンス液等に不溶であることが必要とされる。しかしながら、一般的に有機ＥＬ層に用いられる有機材料は多くの溶剤に可溶であるため、有機ＥＬ層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成するのが困難であった。   When patterning an organic EL layer by photolithography, when applying a photoresist on the organic EL layer, the organic material used for the organic EL layer is not only a photoresist solvent but also a photoresist developer, a peeling It is required to be insoluble in the liquid and the rinse liquid. However, since the organic material generally used for the organic EL layer is soluble in many solvents, it is difficult to form a photoresist layer by applying a photoresist on the organic EL layer.

そこで、例えば、基板上の全面に陽極、有機ＥＬ層、陰極および保護層を形成し、保護層上にフォトレジスト層を形成し、このフォトレジスト層を所望の形状にパターニングし、その後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりフォトレジスト層が除去された部分の陰極、保護層および有機ＥＬ層を連続してエッチングすることにより、有機ＥＬ層をパターニングする方法が開示されている（特許文献１参照）。しかしながら、この方法を用いて、３色の発光層をパターニングするには、有機ＥＬ層上に陰極および保護層を真空成膜し、その後、陰極、保護層および有機ＥＬ層をエッチングし、フォトレジスト層を除去するという工程を繰り返し行うため、工程が非常に複雑であり、製造コストが増加するという問題がある。   Therefore, for example, an anode, an organic EL layer, a cathode, and a protective layer are formed on the entire surface of the substrate, a photoresist layer is formed on the protective layer, this photoresist layer is patterned into a desired shape, and then reactive. A method of patterning an organic EL layer by successively etching the cathode, the protective layer, and the organic EL layer where the photoresist layer has been removed by ion etching (RIE) is disclosed (see Patent Document 1). . However, in order to pattern the three-color light emitting layer using this method, a cathode and a protective layer are vacuum-deposited on the organic EL layer, and then the cathode, the protective layer, and the organic EL layer are etched to form a photoresist. Since the process of removing the layer is repeated, there is a problem that the process is very complicated and the manufacturing cost increases.

また、有機ＥＬ層を形成する有機材料を硬化・架橋処理することにより不溶化する方法が提案されている。例えば、特許文献２には、発光層および正孔輸送層に熱硬化性樹脂を含む有機材料を用い、この熱硬化性樹脂を含む有機材料を塗布した後に加熱硬化処理を行うことにより、不溶化する方法が開示されている。この方法によれば、発光層や正孔輸送層の上にフォトレジスト層を容易に形成することができる。   In addition, a method for insolubilizing an organic material forming an organic EL layer by curing and crosslinking is proposed. For example, in Patent Document 2, an organic material containing a thermosetting resin is used for the light emitting layer and the hole transporting layer, and the organic material containing the thermosetting resin is applied and then heat-cured to insolubilize. A method is disclosed. According to this method, a photoresist layer can be easily formed on the light emitting layer or the hole transport layer.

この方法では、発光材料または正孔輸送性材料と熱硬化性樹脂と混合したものを発光層や正孔輸送層に用いている。この際、例えば熱硬化性樹脂と正孔輸送性材料との混合比を４：６に設定している。このような混合比では、実際には正孔輸送性材料の比率が低すぎて、正孔の注入および輸送特性が著しく低下する。
また、一般に、発光層に高分子系発光材料を用いる場合、発光効率および長寿命化のためには、高分子系発光材料の精製が重要となる。このため、高分子発光材料と感光性樹脂とを混合した場合に、反応開始剤や、反応物質としてのイオン等が不純物として作用し、特性劣化を引き起こす場合がある。このような理由から、上記特許文献２には、不純物のない熱硬化性樹脂が有効であると記載されている。しかしながら、熱硬化性樹脂であっても不純物として作用する場合がある。 In this method, a light emitting material or a hole transporting material mixed with a thermosetting resin is used for the light emitting layer or the hole transporting layer. At this time, for example, the mixing ratio of the thermosetting resin and the hole transporting material is set to 4: 6. In such a mixing ratio, the ratio of the hole transporting material is actually too low, and the hole injection and transport characteristics are remarkably deteriorated.
In general, when a polymer-based light-emitting material is used for the light-emitting layer, it is important to purify the polymer-based light-emitting material in order to increase the light emission efficiency and the lifetime. For this reason, when a polymer light-emitting material and a photosensitive resin are mixed, a reaction initiator, ions as a reactant, or the like may act as impurities to cause deterioration of characteristics. For these reasons, Patent Document 2 describes that a thermosetting resin having no impurities is effective. However, even a thermosetting resin may act as an impurity.

さらに、上記特許文献２には、１色目の発光層をドライエッチングによりパターニングした後に、一度フォトレジスト層を剥離し、熱硬化性樹脂を完全に硬化させ、１色目の発光層表面が露出した状態で、２色目の発光層を形成する方法が開示されている。この方法では、１色目の発光層表面は、２色目の発光層をパターニングするためのドライエッチングにさらされて、ダメージを受ける。そのため、正孔および電子の注入効率が著しく低下するという問題がある。   Further, in Patent Document 2, after the first color light emitting layer is patterned by dry etching, the photoresist layer is once peeled off, the thermosetting resin is completely cured, and the surface of the first color light emitting layer is exposed. A method of forming a light emitting layer for the second color is disclosed. In this method, the surface of the light emitting layer of the first color is exposed to damage by being subjected to dry etching for patterning the light emitting layer of the second color. Therefore, there is a problem that the injection efficiency of holes and electrons is remarkably lowered.

また、有機ＥＬ層に用いられる有機材料に対して、フォトレジスト溶媒、フォトレジスト現像液および剥離液等の溶解度を適切に調整することにより、有機ＥＬ層上にフォトレジスト層を形成して、有機ＥＬ層をパターニングする方法が提案されている（特許文献３参照）。この方法では、まず、１色目の発光層上にフォトレジスト層を形成し、所望の形状にパターニングし、フォトレジスト層が除去された部分の１色目の発光層をエッチングする。その後、フォトレジスト層を除去することなく、２色目の発光層を形成し、２色目の発光層上にさらにフォトレジスト層を形成し、所望の形状にパターニングし、フォトレジスト層が除去された部分の２色目の発光層をエッチングする。そして、このような工程を繰り返し行って、複数色の発光層をパターニングした後に、各フォトレジスト層を除去する。   In addition, by appropriately adjusting the solubility of a photoresist solvent, a photoresist developer, a stripping solution, etc. with respect to the organic material used for the organic EL layer, a photoresist layer is formed on the organic EL layer, and organic A method for patterning an EL layer has been proposed (see Patent Document 3). In this method, first, a photoresist layer is formed on the light emitting layer of the first color, patterned into a desired shape, and the light emitting layer of the first color in the portion where the photoresist layer has been removed is etched. Then, without removing the photoresist layer, a light emitting layer of the second color is formed, a photoresist layer is further formed on the light emitting layer of the second color, patterned into a desired shape, and the portion where the photoresist layer is removed The second color light emitting layer is etched. And after repeating such a process and patterning the light emitting layer of multiple colors, each photoresist layer is removed.

この方法によれば、２色目の発光層形成時にも、１色目の発光層上にはフォトレジスト層が残されており、１色目の発光層が２色目の発光層を形成するための塗工液および２色目の発光層をパターニングするためのドライエッチングから保護されるので、ダメージを低減することができる。この方法においては、有機ＥＬ層上にフォトレジストを直接塗布している。   According to this method, even when the second color light emitting layer is formed, the photoresist layer remains on the first color light emitting layer, and the first color light emitting layer is applied to form the second color light emitting layer. Since it is protected from dry etching for patterning the liquid and the light emitting layer of the second color, damage can be reduced. In this method, a photoresist is directly applied on the organic EL layer.

特開平９−２９３５８９号公報JP-A-9-293589 特開２００１−２３７０７５公報JP 2001-237075 A 特開２００４−６２３１公報JP 2004-6231 A

しかしながら、有機ＥＬ層上にフォトレジストを直接塗布すると、寿命特性等が低下することがあった。これは、フォトレジスト層の剥離後もフォトレジスト成分が有機ＥＬ層表面にわずかに付着しており、この微量のフォトレジスト成分が寿命特性等に何らかの影響を及ぼしていると思料される。   However, when a photoresist is applied directly on the organic EL layer, the life characteristics and the like may be deteriorated. This is because the photoresist component is slightly adhered to the surface of the organic EL layer even after the photoresist layer is peeled off, and it is considered that this small amount of the photoresist component has some influence on the lifetime characteristics and the like.

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、フォトリソグラフィー法を用いて有機ＥＬ層をパターニングする有機ＥＬ素子の製造方法であって、寿命特性に優れる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを主目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and provides a method for manufacturing an organic EL element in which an organic EL layer is patterned using a photolithography method, and provides a method for manufacturing an organic EL element having excellent lifetime characteristics. The main purpose is to do.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、有機ＥＬ層上にフォトレジストを直接塗布した場合に寿命特性を低下させる原因として、フォトレジスト成分の残留物に着目した。一般に、フォトレジストは、主成分である樹脂と感光剤と塗工性等を改善するための種々の添加剤とを含有するものである。また、主成分である樹脂は、現像性および剥離性を向上させるために、低分子量化等の工夫がなされている。このようなフォトレジストを有機ＥＬ層上に直接塗布した場合、フォトレジスト層の剥離後もフォトレジスト成分が有機ＥＬ層表面にわずかに残留し、この微量のフォトレジスト成分の残留物が寿命特性等に悪影響を与えることがある。そこで、本発明者らは、有機ＥＬ層とフォトレジストとが直接接しないように、フォトレジストを塗布する前に有機ＥＬ層上に保護層を形成することにより、寿命特性等が改善されることを見出し、本発明を完成させた。   As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have focused on the residue of the photoresist component as a cause of deteriorating the life characteristics when the photoresist is directly applied on the organic EL layer. In general, a photoresist contains a resin as a main component, a photosensitive agent, and various additives for improving coating properties and the like. Further, the resin as the main component has been devised such as lowering the molecular weight in order to improve developability and peelability. When such a photoresist is applied directly on the organic EL layer, a slight amount of the photoresist component remains on the surface of the organic EL layer even after the photoresist layer is peeled off. May be adversely affected. Therefore, the present inventors improve the life characteristics and the like by forming a protective layer on the organic EL layer before applying the photoresist so that the organic EL layer and the photoresist are not in direct contact with each other. The present invention was completed.

すなわち、本発明は、電極層が形成された基板上に、少なくとも１層の有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程と、上記有機ＥＬ層上に保護層を形成する保護層形成工程と、上記保護層上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、上記フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、上記フォトレジスト層をパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、上記フォトレジスト層が除去された部分の上記保護層および上記有機ＥＬ層を除去することにより、上記有機ＥＬ層をパターニングする有機ＥＬ層パターニング工程と、残存する上記フォトレジスト層および上記保護層をこの順に剥離する剥離工程とを有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。   That is, the present invention includes an organic EL layer forming step of forming at least one organic EL layer on a substrate on which an electrode layer is formed, a protective layer forming step of forming a protective layer on the organic EL layer, A photoresist layer forming step of applying a photoresist on the protective layer to form a photoresist layer, and a photoresist layer patterning step of patterning the photoresist layer by pattern exposure and development of the photoresist layer And an organic EL layer patterning step of patterning the organic EL layer by removing the protective layer and the organic EL layer in a portion where the photoresist layer is removed, and the remaining photoresist layer and the protective layer. And a peeling step for peeling the layers in this order.

本発明によれば、有機ＥＬ層上に保護層を形成し、またフォトレジスト層および保護層をこの順に剥離するので、有機ＥＬ層がフォトレジスト成分にさらされるのを防ぐことができる。したがって、長寿命の有機ＥＬ素子を得ることが可能である。   According to the present invention, since the protective layer is formed on the organic EL layer and the photoresist layer and the protective layer are peeled in this order, the organic EL layer can be prevented from being exposed to the photoresist component. Therefore, it is possible to obtain a long-life organic EL element.

上記発明においては、上記有機ＥＬ層形成工程にて、上記有機ＥＬ層として少なくとも発光層を形成することが好ましい。上述したように、発光層を含む有機ＥＬ層がフォトレジスト成分にさられるのを防ぐことができるので、さらなる長寿命化が可能となるからである。   In the said invention, it is preferable to form at least a light emitting layer as said organic EL layer in the said organic EL layer formation process. This is because, as described above, the organic EL layer including the light emitting layer can be prevented from being exposed to the photoresist component, so that the lifetime can be further increased.

また、本発明は、電極層が形成された基板上に、少なくとも第１発光層を含む第１有機ＥＬ層を形成する第１有機ＥＬ層形成工程と、上記第１有機ＥＬ層上に第１保護層を形成する第１保護層形成工程と、上記第１保護層上にフォトレジストを塗布し、第１フォトレジスト層を形成する第１フォトレジスト層形成工程と、上記第１フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、第１発光領域の上記第１フォトレジスト層が残存するように上記第１フォトレジスト層をパターニングする第１フォトレジスト層パターニング工程と、上記第１フォトレジスト層が除去された部分の上記第１保護層および上記第１有機ＥＬ層を除去することにより、上記第１有機ＥＬ層をパターニングする第１有機ＥＬ層パターニング工程と、上記第１有機ＥＬ層、上記第１保護層および上記第１フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、少なくとも第２発光層を含む第２有機ＥＬ層を形成する第２有機ＥＬ層形成工程と、上記第２有機ＥＬ層上に第２保護層を形成する第２保護層形成工程と、上記第２保護層上にフォトレジストを塗布し、第２フォトレジスト層を形成する第２フォトレジスト層形成工程と、上記第２フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、第２発光領域の上記第２フォトレジスト層が残存するように上記第２フォトレジスト層をパターニングする第２フォトレジスト層パターニング工程と、上記第２フォトレジスト層が除去された部分の上記第２保護層および上記第２有機ＥＬ層を除去することにより、上記第２有機ＥＬ層をパターニングする第２有機ＥＬ層パターニング工程と、上記第１有機ＥＬ層、上記第１保護層および上記第１フォトレジスト層がパターン状に形成され、さらに上記第２有機ＥＬ層、上記第２保護層および上記第２フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、少なくとも第３発光層を含む第３有機ＥＬ層を形成する第３有機ＥＬ層形成工程と、上記第３有機ＥＬ層上に第３保護層を形成する第３保護層形成工程と、上記第３保護層上にフォトレジストを塗布し、第３フォトレジスト層を形成する第３フォトレジスト層形成工程と、上記第３フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、第３発光領域の上記第３フォトレジスト層が残存するように上記第３フォトレジスト層をパターニングする第３フォトレジスト層パターニング工程と、上記第３フォトレジスト層が除去された部分の上記第３保護層および上記第３有機ＥＬ層を除去することにより、上記第３有機ＥＬ層をパターニングする第３有機ＥＬ層パターニング工程と、残存する上記第１フォトレジスト層、上記第２フォトレジスト層および上記第３フォトレジスト層、ならびに、上記第１保護層、上記第２保護層および上記第３保護層をこの順に剥離する剥離工程とを有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。   In addition, the present invention provides a first organic EL layer forming step of forming a first organic EL layer including at least a first light emitting layer on a substrate on which an electrode layer is formed, and a first organic EL layer on the first organic EL layer. A first protective layer forming step of forming a protective layer; a first photoresist layer forming step of applying a photoresist on the first protective layer to form a first photoresist layer; and the first photoresist layer. A first photoresist layer patterning step of patterning the first photoresist layer so that the first photoresist layer in the first light emitting region remains by pattern exposure and development, and the first photoresist layer A first organic EL layer patterning step of patterning the first organic EL layer by removing the removed first protective layer and the first organic EL layer, and the first A second organic EL layer forming step of forming a second organic EL layer including at least a second light emitting layer on a substrate on which the EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer are formed in a pattern; A second protective layer forming step for forming a second protective layer on the second organic EL layer; and a second photoresist layer for forming a second photoresist layer by applying a photoresist on the second protective layer A second photoresist layer for patterning the second photoresist layer so that the second photoresist layer in the second light-emitting region remains by pattern exposure and development of the second photoresist layer; Patterning the second organic EL layer by removing the second protective layer and the second organic EL layer in a patterning step and the portion where the second photoresist layer is removed A second organic EL layer patterning step, the first organic EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer are formed in a pattern, and the second organic EL layer, the second protective layer, and A third organic EL layer forming step of forming a third organic EL layer including at least a third light emitting layer on the substrate on which the second photoresist layer is formed in a pattern; and a second organic EL layer on the third organic EL layer. A third protective layer forming step for forming three protective layers; a third photoresist layer forming step for forming a third photoresist layer by applying a photoresist on the third protective layer; and the third photoresist layer. A third photoresist layer patterning step of patterning the third photoresist layer so that the third photoresist layer in the third light emitting region remains by pattern exposure and development And a third organic EL layer patterning step of patterning the third organic EL layer by removing the third protective layer and the third organic EL layer in a portion where the third photoresist layer is removed, A peeling step of peeling the remaining first photoresist layer, the second photoresist layer and the third photoresist layer, and the first protective layer, the second protective layer and the third protective layer in this order; The manufacturing method of the organic EL element characterized by having.

本発明によれば、各有機ＥＬ層上に各保護層を形成するので、各有機ＥＬ層上にフォトレジストを直接塗布することがない。また、第２有機ＥＬ層をパターニングする際には、パターニングされた第１有機ＥＬ層および第１保護層の上に、第２有機ＥＬ層および第２保護層が形成され、この第２保護層上にフォトレジストが塗布されるので、第１有機ＥＬ層が第２フォトレジスト層と接触することもない。さらに、第３有機ＥＬ層をパターニングする際にも、同様に、第１有機ＥＬ層および第２有機ＥＬ層が第３フォトレジスト層と接触することがない。また、各フォトレジスト層および各保護層をこの順に剥離するので、各有機ＥＬ層がフォトレジスト成分にさらされるのを防ぐことができる。
さらに、上述したように、第２有機ＥＬ層をパターニングする際には、パターニングされた第１有機ＥＬ層および第１保護層の上に、第２有機ＥＬ層および第２保護層が形成されるので、第２有機ＥＬ層のエッチング時の第１有機ＥＬ層へのダメージを低減することができる。また、第３有機ＥＬ層をパターニングする際にも、同様に、第３有機ＥＬ層のエッチング時の第１有機ＥＬ層および第２有機ＥＬ層へのダメージを低減することができる。
したがって、長寿命の有機ＥＬ素子を得ることが可能である。 According to the present invention, since each protective layer is formed on each organic EL layer, a photoresist is not directly applied on each organic EL layer. Further, when patterning the second organic EL layer, the second organic EL layer and the second protective layer are formed on the patterned first organic EL layer and the first protective layer, and the second protective layer. Since the photoresist is applied thereon, the first organic EL layer does not come into contact with the second photoresist layer. Furthermore, when the third organic EL layer is patterned, similarly, the first organic EL layer and the second organic EL layer do not come into contact with the third photoresist layer. Moreover, since each photoresist layer and each protective layer are peeled in this order, each organic EL layer can be prevented from being exposed to the photoresist component.
Further, as described above, when the second organic EL layer is patterned, the second organic EL layer and the second protective layer are formed on the patterned first organic EL layer and the first protective layer. Therefore, damage to the first organic EL layer during etching of the second organic EL layer can be reduced. Similarly, when patterning the third organic EL layer, it is possible to reduce damage to the first organic EL layer and the second organic EL layer when the third organic EL layer is etched.
Therefore, it is possible to obtain a long-life organic EL element.

上記発明においては、上記第１有機ＥＬ層、上記第１保護層および上記第１フォトレジスト層が、上記第２有機ＥＬ層および上記第３有機ＥＬ層の形成に用いる溶媒に不溶であり、上記第２有機ＥＬ層、上記第２保護層および上記第２フォトレジスト層が、上記第３有機ＥＬ層の形成に用いる溶媒に不溶であることが好ましい。これにより、各層を安定して積層することができるからである。   In the above invention, the first organic EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer are insoluble in a solvent used for forming the second organic EL layer and the third organic EL layer, and The second organic EL layer, the second protective layer, and the second photoresist layer are preferably insoluble in the solvent used for forming the third organic EL layer. This is because each layer can be laminated stably.

また本発明においては、上記各保護層が、水溶性セルロース誘導体、有機溶剤可溶性の変性セルロース誘導体、水溶性ポリビニルアルコール誘導体およびフッ素系高分子材料からなる群から選択される少なくとも１種を含有することが好ましい。このような材料を用いて保護層を形成した場合には、有機ＥＬ層、保護層およびフォトレジスト層を安定して積層することができるからである。   In the present invention, each of the protective layers contains at least one selected from the group consisting of a water-soluble cellulose derivative, a modified cellulose derivative soluble in an organic solvent, a water-soluble polyvinyl alcohol derivative, and a fluoropolymer material. Is preferred. This is because when the protective layer is formed using such a material, the organic EL layer, the protective layer, and the photoresist layer can be stably stacked.

さらに本発明においては、上記剥離工程が、上記各フォトレジスト層のみを剥離する工程と、上記各保護層のみを剥離する工程とを有していてもよい。フォトレジスト層および保護層を別々に除去することにより、有機ＥＬ層の表面がフォトレジスト成分にさらされるのを効果的に防ぐことができるからである。   Furthermore, in this invention, the said peeling process may have the process of peeling only each said photoresist layer, and the process of peeling only each said protective layer. This is because the surface of the organic EL layer can be effectively prevented from being exposed to the photoresist component by separately removing the photoresist layer and the protective layer.

また、上記剥離工程が、上記各フォトレジスト層および上記各保護層を溶解する剥離液を用いて、上記各フォトレジスト層および上記各保護層を上層から徐々に剥離する工程であってもよい。このような工程は、工程数の削減やコスト低減の点で好ましい。   Further, the peeling step may be a step of gradually peeling the photoresist layers and the protective layers from an upper layer using a stripping solution that dissolves the photoresist layers and the protective layers. Such a process is preferable in terms of reduction in the number of processes and cost reduction.

さらに本発明においては、上記剥離工程後、上記各有機ＥＬ層の最表面を洗浄する洗浄工程を行うことが好ましい。有機ＥＬ層の表面に残留するフォトレジスト成分を効果的に除去することができるからである。   Furthermore, in this invention, it is preferable to perform the washing | cleaning process which wash | cleans the outermost surface of each said organic EL layer after the said peeling process. This is because the photoresist component remaining on the surface of the organic EL layer can be effectively removed.

また、上記剥離工程後、上記各有機ＥＬ層の最表面をプラズマ処理するプラズマ処理工程を行ってもよい。この場合も同様に、有機ＥＬ層の表面に残留するフォトレジスト成分を効果的に除去することができるからである。   Moreover, you may perform the plasma processing process which plasma-processes the outermost surface of each said organic EL layer after the said peeling process. In this case as well, the photoresist component remaining on the surface of the organic EL layer can be effectively removed.

本発明においては、有機ＥＬ層上に保護層を形成し、またフォトレジスト層および保護層をこの順に剥離するので、有機ＥＬ層がフォトレジスト成分にさらされるのを防ぐことができ、長寿命の有機ＥＬ素子を得ることが可能である。   In the present invention, a protective layer is formed on the organic EL layer, and the photoresist layer and the protective layer are peeled in this order, so that the organic EL layer can be prevented from being exposed to the photoresist component, and the long-life An organic EL element can be obtained.

以下、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法について詳細に説明する。本発明の有機ＥＬ素子の製造方法には、単色の発光層をパターン状に形成する場合、および、３色の発光層をパターン状に形成する場合の２つの態様がある。以下、各態様について説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the organic EL element of this invention is demonstrated in detail. The method for producing an organic EL device of the present invention has two modes: a case where a monochromatic light emitting layer is formed in a pattern, and a case where a three color light emitting layer is formed in a pattern. Hereinafter, each aspect will be described.

Ｉ．第１態様
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の第１態様は、電極層が形成された基板上に、少なくとも１層の有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程と、上記有機ＥＬ層上に保護層を形成する保護層形成工程と、上記保護層上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、上記フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、上記フォトレジスト層をパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、上記フォトレジスト層が除去された部分の上記保護層および上記有機ＥＬ層を除去することにより、上記有機ＥＬ層をパターニングする有機ＥＬ層パターニング工程と、残存する上記フォトレジスト層および上記保護層をこの順に剥離する剥離工程とを有することを特徴とするものである。 I. 1st aspect The 1st aspect of the manufacturing method of the organic EL element of this invention is the organic EL layer formation process which forms at least 1 layer of organic EL layer on the board | substrate with which the electrode layer was formed, On the said organic EL layer A protective layer forming step for forming a protective layer, a photoresist is applied on the protective layer, a photoresist layer forming step for forming a photoresist layer, a pattern exposure of the photoresist layer, and development, A photoresist layer patterning step for patterning the photoresist layer, and an organic EL layer patterning step for patterning the organic EL layer by removing the protective layer and the organic EL layer in a portion where the photoresist layer has been removed. And a peeling step for peeling off the remaining photoresist layer and the protective layer in this order. It is.

本態様の有機ＥＬ素子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本態様の有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す工程図である。まず、基板１上に電極層２をパターン状に形成し、この電極層２のパターン間に絶縁層３を形成し、電極層２および絶縁層３の上に正孔注入層４および発光層５を形成し、有機ＥＬ層６とする（図１（ａ）、有機ＥＬ層形成工程）。次いで、発光層５上に保護層７を形成する（図１（ｂ）、保護層形成工程）。
次に、保護層７上にポジ型フォトレジストを塗布して、フォトレジスト層８を形成する（図１（ｃ）、フォトレジスト層形成工程）。次いで、少なくとも発光領域１０のフォトレジスト層８が残存するように、フォトマスク１１を介してフォトレジスト層８をパターン露光した後、フォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、パターン状のフォトレジスト層８´を形成する（図１（ｄ）、（ｅ）、フォトレジスト層パターニング工程）。
次に、フォトレジスト層の除去により露出した部分の保護層７、発光層５および正孔注入層４を除去することにより、パターン状の保護層７´、発光層５´および正孔注入層４´を形成する（図１（ｆ）、有機ＥＬ層パターニング工程）。
次いで、最上層に位置するフォトレジスト層８´を剥離し、さらに保護層７´を剥離する（図１（ｇ）、（ｈ）、剥離工程）。
最後に、発光層５´上に対向電極層９を形成する（図１（ｉ）、対向電極層形成工程）。 The manufacturing method of the organic EL element of this aspect is demonstrated referring drawings.
FIG. 1 is a process diagram showing an example of a method for producing an organic EL element of this embodiment. First, the electrode layer 2 is formed in a pattern on the substrate 1, the insulating layer 3 is formed between the patterns of the electrode layer 2, and the hole injection layer 4 and the light emitting layer 5 are formed on the electrode layer 2 and the insulating layer 3. To form an organic EL layer 6 (FIG. 1A, organic EL layer forming step). Subsequently, the protective layer 7 is formed on the light emitting layer 5 (FIG.1 (b), protective layer formation process).
Next, a positive photoresist is applied on the protective layer 7 to form a photoresist layer 8 (FIG. 1C, a photoresist layer forming step). Next, the photoresist layer 8 is subjected to pattern exposure through a photomask 11 so that at least the photoresist layer 8 in the light emitting region 10 remains, and then developed with a photoresist developer and washed to obtain a patterned photo resist. A resist layer 8 ′ is formed (FIGS. 1D and 1E, a photoresist layer patterning step).
Next, by removing the portions of the protective layer 7, the light emitting layer 5 and the hole injection layer 4 exposed by removing the photoresist layer, the patterned protective layer 7 ′, the light emitting layer 5 ′ and the hole injection layer 4 are removed. 'Is formed (FIG. 1 (f), organic EL layer patterning step).
Next, the uppermost layer of the photoresist layer 8 'is peeled off, and further the protective layer 7' is peeled off (FIGS. 1 (g) and (h), peeling step).
Finally, the counter electrode layer 9 is formed on the light emitting layer 5 ′ (FIG. 1 (i), counter electrode layer forming step).

本態様においては、パターニングされる有機ＥＬ層上に保護層を形成するので、有機ＥＬ層上にフォトレジストを直接塗布することがない。また、有機ＥＬ層のパターニング後に、フォトレジスト層および保護層をこの順に剥離するので、フォトレジスト成分が有機ＥＬ層に接触する機会を減らすことができる。すなわち、保護層によって、フォトレジスト成分が有機ＥＬ層に接触するのを防ぐことができる。したがって、フォトレジスト成分による有機ＥＬ層の発光特性等の低下を回避することができ、発光特性等に優れる有機ＥＬ素子を得ることが可能である。   In this embodiment, since a protective layer is formed on the organic EL layer to be patterned, a photoresist is not directly applied on the organic EL layer. Moreover, since the photoresist layer and the protective layer are peeled in this order after the patterning of the organic EL layer, the opportunity for the photoresist component to contact the organic EL layer can be reduced. That is, the protective layer can prevent the photoresist component from coming into contact with the organic EL layer. Accordingly, it is possible to avoid a decrease in the light emission characteristics and the like of the organic EL layer due to the photoresist component, and it is possible to obtain an organic EL element having excellent light emission characteristics and the like.

また、図１に示す剥離工程においては、まずフォトレジスト層を剥離し、次いで保護層を剥離している。この場合、フォトレジスト層を溶解するが、保護層および有機ＥＬ層を溶解しないフォトレジスト剥離液を用いることにより、フォトレジスト層のみを除去することができる。次いで、保護層を溶解するが、有機ＥＬ層を溶解しない保護層剥離液を用いることにより、保護層のみを除去することができる。このような剥離工程では、フォトレジスト成分が有機ＥＬ層に全く接触しないように、フォトレジスト層および保護層を剥離することができる。これにより、有機ＥＬ層表面が、フォトレジスト成分、例えば、感光剤、添加剤、樹脂等によって汚染されるのを防ぐことができ、さらなる長寿命化が可能である。
以下、本態様の有機ＥＬ素子の製造方法の各工程について説明する。 Moreover, in the peeling process shown in FIG. 1, the photoresist layer is first peeled and then the protective layer is peeled. In this case, only the photoresist layer can be removed by using a photoresist stripping solution that dissolves the photoresist layer but does not dissolve the protective layer and the organic EL layer. Subsequently, only the protective layer can be removed by using a protective layer peeling solution that dissolves the protective layer but does not dissolve the organic EL layer. In such a stripping step, the photoresist layer and the protective layer can be stripped so that the photoresist component does not contact the organic EL layer at all. Thereby, the organic EL layer surface can be prevented from being contaminated by a photoresist component, for example, a photosensitizer, an additive, a resin, and the like, and the lifetime can be further increased.
Hereinafter, each process of the manufacturing method of the organic EL element of this aspect is demonstrated.

１．有機ＥＬ層形成工程
本態様における有機ＥＬ層形成工程は、電極層が形成された基板上に、少なくとも１層の有機ＥＬ層を形成する工程である。
以下、有機ＥＬ層、電極層および基板について説明する。 1. Organic EL layer forming step The organic EL layer forming step in this embodiment is a step of forming at least one organic EL layer on the substrate on which the electrode layer is formed.
Hereinafter, the organic EL layer, the electrode layer, and the substrate will be described.

（１）有機ＥＬ層
本態様における有機ＥＬ層は、１層もしくは複数層の有機層から構成されるものである。すなわち、有機ＥＬ層とは、その層構成が有機層１層以上の層をいう。通常、湿式法で有機ＥＬ層を形成する場合は、溶媒との関係で多数の層を積層することが困難であることから、１層もしくは２層の有機層を形成する場合が多いが、溶媒への溶解性が異なるように有機材料を工夫したり、真空蒸着法を組み合わせたりすることにより、さらに多数層とすることも可能である。 (1) Organic EL layer The organic EL layer in this embodiment is composed of one or more organic layers. That is, the organic EL layer is a layer having a layer configuration of one or more organic layers. Usually, when an organic EL layer is formed by a wet method, it is difficult to stack a large number of layers in relation to the solvent, so that one or two organic layers are often formed. It is possible to further increase the number of layers by devising organic materials so as to have different solubility in water or by combining vacuum deposition methods.

中でも、有機ＥＬ層は、少なくとも発光層を含むことが好ましい。すなわち、有機ＥＬ層として少なくとも発光層を形成することが好ましい。この場合には、発光層がフォトレジスト成分によって汚染されるのを防ぐことができるので、さらなる長寿命化が可能となるからである。   Especially, it is preferable that an organic EL layer contains a light emitting layer at least. That is, it is preferable to form at least a light emitting layer as the organic EL layer. In this case, it is possible to prevent the light emitting layer from being contaminated by the photoresist component, so that the lifetime can be further increased.

発光層以外の有機ＥＬ層を構成する有機層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等を挙げることができる。この正孔輸送層は、正孔注入層に正孔輸送の機能を付与することにより、正孔注入層と一体化される場合が多い。また、有機ＥＬ層を構成する有機層としては、正孔ブロック層や電子ブロック層のような正孔もしくは電子の突き抜けを防止し、さらに励起子の拡散を防止して発光層内に励起子を閉じ込めることにより、再結合効率を高めるための層等を挙げることができる。   Examples of the organic layer constituting the organic EL layer other than the light emitting layer include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer. This hole transport layer is often integrated with the hole injection layer by imparting a hole transport function to the hole injection layer. In addition, as an organic layer constituting the organic EL layer, holes or electrons such as a hole blocking layer and an electron blocking layer are prevented from penetrating, and further, exciton diffusion is prevented and excitons are placed in the light emitting layer. By confining, a layer for increasing the recombination efficiency can be cited.

有機ＥＬ層の構成としては、一般的な構成であればよく、発光層のみ、正孔注入層／発光層、正孔注入層／発光層／電子注入層、正孔注入層／正孔ブロック層／発光層／電子注入層、正孔注入層／発光層／電子輸送層などを例示することができる。   The organic EL layer may have a general configuration, and only the light emitting layer, hole injection layer / light emitting layer, hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer, hole injection layer / hole blocking layer. / Light emitting layer / electron injection layer, hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer, and the like can be exemplified.

複数の有機層を積層する場合、例えば、発光層、または、正孔注入層および発光層をフォトリソグラフィー法によりパターニングした後に、パターン状の発光層上に、電子輸送層や電子注入層等を真空蒸着法によりパターン状に形成してもよい。また、例えば、正孔注入層を真空蒸着法によりパターン状に形成した後に、パターン状の正孔注入層上に発光層を成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングしてもよい。さらに、例えば、正孔注入層をフォトリソグラフィー法によりパターニングした後に、パターン状の正孔注入層上に、発光層等を真空蒸着法によりパターン状に形成してもよい。   When laminating a plurality of organic layers, for example, after patterning the light-emitting layer or the hole injection layer and the light-emitting layer by a photolithography method, the electron transport layer, the electron injection layer, etc. are vacuumed on the patterned light-emitting layer. You may form in a pattern form by a vapor deposition method. Further, for example, after the hole injection layer is formed in a pattern by a vacuum deposition method, a light emitting layer may be formed on the pattern hole injection layer and patterned by a photolithography method. Furthermore, for example, after patterning the hole injection layer by a photolithography method, a light emitting layer or the like may be formed in a pattern shape by a vacuum evaporation method on the pattern hole injection layer.

また、有機ＥＬ層として、正孔注入層および発光層を形成する場合、基板上の全面に正孔注入層および発光層を形成した後に、正孔注入層および発光層をフォトリソグラフィー法によりパターニングしてもよく、発光層のみをフォトリソグラフィー法によりパターニングしてもよい。中でも、正孔注入層の導電性が高い場合には、素子のダイオード特性を保ち、クロストークを防ぐために、正孔注入層および発光層をフォトリソグラフィー法によりパターニングすることが好ましい。一方、正孔注入層の抵抗が高い場合には、正孔注入層をパターニングしてもよく、パターニングしなくてもよい。   When forming a hole injection layer and a light emitting layer as an organic EL layer, after forming the hole injection layer and the light emitting layer on the entire surface of the substrate, the hole injection layer and the light emitting layer are patterned by a photolithography method. Alternatively, only the light emitting layer may be patterned by a photolithography method. In particular, when the conductivity of the hole injection layer is high, the hole injection layer and the light emitting layer are preferably patterned by a photolithography method in order to maintain the diode characteristics of the device and prevent crosstalk. On the other hand, when the resistance of the hole injection layer is high, the hole injection layer may be patterned or not patterned.

ここで、一般的に、膜の溶解性は、膜中の固体成分を溶剤に溶解した場合の溶解度（１００×溶解した固形分重量／（溶解した固形分重量＋溶剤量））で定義される。このような定義では、溶解度が０．１％を下回るような場合には、難溶もしくは不溶と判断されることが多い。しかしながら、上記定義において難溶もしくは不溶であると判断される溶剤を使用しても、膜を溶剤に浸漬した場合に、膜が溶解して膜減りが発生する。
特に、有機ＥＬ素子では、有機ＥＬ層の膜厚が非常に薄く、一般的に有機ＥＬ層を構成する有機層１層の膜厚は１００ｎｍ以下である。このため、上記定義において溶解度が０．１％以下であり、難溶もしくは不溶であると判断された溶剤に膜を浸漬した場合でも、１００ｎｍ程度の膜厚であれば厚みが容易に減少してしまう。 Here, the solubility of the membrane is generally defined by the solubility when the solid components in the membrane are dissolved in a solvent (100 × weight of dissolved solid content / (weight of dissolved solid content + solvent amount)). . In such a definition, when the solubility is less than 0.1%, it is often determined that the solubility is insoluble or insoluble. However, even when a solvent that is determined to be hardly soluble or insoluble in the above definition is used, when the film is immersed in the solvent, the film dissolves and film loss occurs.
In particular, in the organic EL element, the film thickness of the organic EL layer is very thin, and generally the film thickness of one organic layer constituting the organic EL layer is 100 nm or less. For this reason, even when the film is immersed in a solvent whose solubility is 0.1% or less in the above definition and is hardly soluble or insoluble, the thickness is easily reduced if the film thickness is about 100 nm. End up.

そこで、本発明においては、膜の溶解性について、基板上に膜を形成し十分に乾燥させて、その膜を２５℃で１分間溶剤に浸漬させた後、浸漬前後での膜厚を測定し、その差（浸漬前の膜厚−浸漬後の膜厚）により、以下のように定義することとした。
膜減り量が５ｎｍ以下／ｍｉｎの場合 … 不溶
膜減り量が５ｎｍ超／ｍｉｎ〜２０ｎｍ以下／ｍｉｎの場合 … 難溶
膜減り量が２０ｎｍ超／ｍｉｎの場合 … 可溶
なお、膜の溶解性の定義については、有機ＥＬ層だけでなく、保護層およびフォトレジスト層等にも適用される。 Therefore, in the present invention, regarding the solubility of the film, a film is formed on the substrate and sufficiently dried, and the film is immersed in a solvent at 25 ° C. for 1 minute, and then the film thickness before and after the immersion is measured. Depending on the difference (film thickness before immersion-film thickness after immersion), it was defined as follows.
When the film loss is 5 nm or less / min ... Insoluble When the film loss is more than 5 nm / min to 20 nm or less / min ... Difficultly soluble When the film loss is more than 20 nm / min ... Soluble The solubility of the film About a definition, it applies not only to an organic electroluminescent layer but to a protective layer, a photoresist layer, etc.

本発明においては、有機ＥＬ層上に保護層を形成するため、有機ＥＬ層を構成する有機層のうち、最上層の有機層は、後述する保護層形成用塗工液の溶媒および保護層の剥離液に不溶であることが好ましい。すなわち、有機ＥＬ層を構成する有機層のうち、最上層の有機層の溶解性は、保護層形成用塗工液の溶媒および保護層の剥離液に対して、５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。
以下、発光層、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層について説明する。 In the present invention, in order to form a protective layer on the organic EL layer, among the organic layers constituting the organic EL layer, the uppermost organic layer is composed of a solvent for the protective layer-forming coating liquid described later and the protective layer. It is preferably insoluble in the stripping solution. That is, the solubility of the uppermost organic layer among the organic layers constituting the organic EL layer is 5 nm or less / min with respect to the solvent of the protective layer-forming coating solution and the protective layer peeling solution. preferable.
Hereinafter, the light emitting layer, the hole injection layer, the electron transport layer, and the electron injection layer will be described.

（ｉ）発光層
本態様における発光層に用いられる発光材料としては、蛍光を発する材料を含み、発光するものであれば特に限定されるものではなく、発光機能と正孔輸送機能もしくは電子輸送機能とを兼ねていてもよい。 (I) Light emitting layer The light emitting material used for the light emitting layer in this embodiment is not particularly limited as long as it includes a material that emits fluorescence and emits light. The light emitting function and the hole transport function or the electron transport function are not particularly limited. It may also serve as.

発光層上に保護層を形成する場合には、発光材料が、後述する保護層形成用塗工液の溶媒および保護層の剥離液に不溶であることが好ましく、さらにフォトレジスト剥離液に不溶であることがより好ましい。すなわち、発光層の溶解性は、保護層形成用塗工液の溶媒および保護層の剥離液に対して、５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましく、さらにはフォトレジスト剥離液に対して、５ｎｍ以下／ｍｉｎであることがより好ましい。   In the case of forming a protective layer on the light emitting layer, the light emitting material is preferably insoluble in the solvent for the protective layer forming coating liquid described below and the protective layer stripping solution, and further insoluble in the photoresist stripping solution. More preferably. That is, the solubility of the light emitting layer is preferably 5 nm or less / min with respect to the solvent of the protective layer forming coating solution and the stripping solution of the protective layer, and further 5 nm or less with respect to the photoresist stripping solution. / Min is more preferable.

発光材料としては、色素系発光材料、金属錯体系発光材料、および高分子系発光材料を挙げることができる。   Examples of the light-emitting material include a dye-based light-emitting material, a metal complex-based light-emitting material, and a polymer-based light-emitting material.

色素系発光材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等を挙げることができる。   Examples of dye-based luminescent materials include cyclopentamine derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, triphenylamine derivatives, oxadiazol derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, silole derivatives, thiophene ring compounds. Pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, trifumanylamine derivatives, oxadiazole dimers, pyrazoline dimers, and the like.

金属錯体系発光材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体、あるいは、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等またはＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子に、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体等を挙げることができる。   Examples of the metal complex light emitting material include an aluminum quinolinol complex, a benzoquinolinol beryllium complex, a benzoxazole zinc complex, a benzothiazole zinc complex, an azomethyl zinc complex, a porphyrin zinc complex, a europium complex, or a central metal such as Al, Zn, Examples thereof include a metal complex having a rare earth metal such as Be or the like or Tb, Eu or Dy, and having a oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, quinoline structure or the like as a ligand.

高分子系発光材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体等、あるいは、上記の色素系発光材料や金属錯体系発光材料を高分子化したもの等を挙げることができる。   Examples of the polymer-based light emitting material include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, and the like, or the above-described dye-based light emitting materials and metal complexes. Examples include those obtained by polymerizing a system light emitting material.

後述するように、発光層形成用塗工液を塗布することにより発光層を形成する場合には、フォトリソグラフィー法によって発光層を精度良くパターニングすることができるという利点を活かすという観点から、発光材料として、上記高分子系発光材料を用いることが好ましい。   As will be described later, in the case of forming a light emitting layer by applying a light emitting layer forming coating solution, the light emitting material is used from the viewpoint of utilizing the advantage that the light emitting layer can be accurately patterned by a photolithography method. As the above, it is preferable to use the polymer light emitting material.

また、上記発光材料には、種々の添加剤を添加することが可能である。例えば、上記発光材料には、発光効率の向上、発光波長を変化させる等の目的でドーピング剤を添加してもよい。このようなドーピング剤としては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体を挙げることができる。   Further, various additives can be added to the light emitting material. For example, a doping agent may be added to the light emitting material for the purpose of improving the light emission efficiency and changing the light emission wavelength. Examples of such doping agents include perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squalium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazoline derivatives, decacyclene, phenoxazone, quinoxaline derivatives, carbazole derivatives, fluorene derivatives. Can be mentioned.

発光層の形成方法としては、上記発光材料等を含む発光層形成用塗工液を塗布する方法、あるいは、真空蒸着法等を用いることができる。中でも、製造コスト低減の観点から、発光層形成用塗工液を塗布する方法が好ましい。   As a method for forming the light emitting layer, a method of applying a light emitting layer forming coating solution containing the above light emitting material or the like, or a vacuum deposition method or the like can be used. Among these, from the viewpoint of reducing manufacturing costs, a method of applying a light emitting layer forming coating solution is preferable.

本態様において、後述する正孔注入層を形成する場合であって、正孔注入層上に発光層形成用塗工液を塗布することにより発光層を形成する場合には、発光層の成膜の際に、正孔注入層を形成する材料と発光層形成用塗工液とが混合したり溶解したりするのを防ぐとともに、発光材料本来の発光特性を保つために、発光層形成用塗工液には、正孔注入層を溶解しない溶媒を用いることが好ましい。具体的には、発光層形成用塗工液に用いられる溶媒は、正孔注入層の溶解性が５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。   In this embodiment, when a hole injection layer to be described later is formed and the light emitting layer is formed by applying a light emitting layer forming coating solution on the hole injection layer, the light emitting layer is formed. In this case, in order to prevent the material for forming the hole injection layer and the coating solution for forming the light emitting layer from being mixed or dissolved, and to maintain the original light emitting characteristics of the light emitting material, the coating for forming the light emitting layer is used. It is preferable to use a solvent that does not dissolve the hole injection layer in the working solution. Specifically, the solvent used for the light emitting layer forming coating solution preferably has a solubility of the hole injection layer of 5 nm or less / min.

例えば、後述する正孔注入層を形成する材料が水系溶媒やジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＩＭＳＯ）、アルコール等の極性溶媒に溶解する場合には、上記溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンの各異性体およびそれらの混合物、メシチレン、テトラリン、ｐ−シメン、クメン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ブチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンの各異性体およびそれらの混合物等の芳香族系溶媒；アニソール、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、テトラヒドロフラン、２−ブタノン、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、ジグライム等のエーテル系溶媒；ジクロロメタン、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１−クロロナフタレン等のクロル系溶媒；シクロヘキサノンなどが好ましく用いられる。これらの溶媒は、１種単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。   For example, when a material for forming a hole injection layer described later is dissolved in a polar solvent such as an aqueous solvent, dimethylformamide (DMF), dimethyl sulfoxide (DIMSO), or alcohol, examples of the solvent include benzene and toluene. , Xylene isomers and mixtures thereof, aromatic solvents such as mesitylene, tetralin, p-cymene, cumene, ethylbenzene, diethylbenzene, butylbenzene, chlorobenzene, dichlorobenzene isomers and mixtures thereof; anisole, phenetole , Ether solvents such as butylphenyl ether, tetrahydrofuran, 2-butanone, 1,4-dioxane, diethyl ether, diisopropyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, diglyme; dichloromethane, 1,1-dic Roetan, 1,2-dichloroethane, trichlorethylene, tetrachlorethylene, chloroform, carbon tetrachloride, chlorobenzene-based solvents such as 1-chloronaphthalene; and cyclohexanone are preferably used. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

また、発光層形成用塗工液の塗布方法としては、例えば、ディップコート法、ロールコート法、ブレードコート法、スピンコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ワイヤーバーコート法、キャスティング法、フレキソ印刷法等を挙げることができる。   Examples of the application method of the light emitting layer forming coating liquid include a dip coating method, a roll coating method, a blade coating method, a spin coating method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a wire bar coating method. , Casting method, flexographic printing method and the like.

上記発光層形成用塗工液の塗布後は、乾燥を行ってもよい。   You may dry after application | coating of the said light emitting layer forming coating liquid.

本態様における発光層は硬化剤を含まないものであり、また発光層形成時には硬化・架橋処理を行わない。このため、乾燥後の発光層は、発光層形成用塗工液の溶媒に対して可溶な状態のままとなっている。   The light emitting layer in this embodiment does not contain a curing agent, and no curing / crosslinking treatment is performed when the light emitting layer is formed. For this reason, the light emitting layer after drying remains soluble in the solvent of the light emitting layer forming coating solution.

発光層の膜厚としては、電子と正孔との再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる厚みであれば特に限定されるものではなく、具体的には１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度とすることができる。   The thickness of the light emitting layer is not particularly limited as long as it can provide a function of emitting light by providing a recombination field between electrons and holes, and specifically 10 nm to 500 nm. Can be about.

（ii）正孔注入層
本態様における正孔注入層は、発光層に正孔の注入が容易に行われるように、陽極と発光層との間に設けられるものである。 (Ii) Hole Injecting Layer The hole injecting layer in this embodiment is provided between the anode and the light emitting layer so that holes can be easily injected into the light emitting layer.

正孔注入層に用いられる材料としては、発光層内への正孔の注入を安定化させることができる、正孔注入性を有する材料であれば特に限定されるものではない。正孔注入性を有する材料としては、例えば、アリールアミン類、フタロシアニン類、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレンおよびこれらの誘導体等の導電性高分子などを挙げることができる。具体的には、アリールアミン類としてはビス（Ｎ−（１−ナフチル−Ｎ−フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＤ）、４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられ、ポリチオフェン誘導体としてはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。   The material used for the hole injection layer is not particularly limited as long as it is a material having a hole injection property that can stabilize the injection of holes into the light emitting layer. Examples of the material having hole injecting properties include arylamines, phthalocyanines, vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, aluminum oxide, titanium oxide and other oxides, amorphous carbon, polyaniline, polythiophene, polyphenylene vinylene, and these. Examples thereof include conductive polymers such as derivatives. Specifically, arylamines include bis (N- (1-naphthyl-N-phenyl) benzidine (α-NPD), 4,4,4-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (MTDATA). And the like, and examples of the polythiophene derivative include poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS).

また、正孔注入層に硬化性樹脂を用いてもよい。さらに、正孔注入層として、無機酸化物のゾルゲル膜を用いてもよい。これにより、溶媒に不溶な正孔注入層とすることができるからである。なお、溶媒に不溶な正孔注入層については、後述の第２態様に詳しく記載するので、ここでの説明は省略する。   Further, a curable resin may be used for the hole injection layer. Further, an inorganic oxide sol-gel film may be used as the hole injection layer. This is because a hole injection layer insoluble in the solvent can be obtained. In addition, since it describes in detail in the below-mentioned 2nd aspect about the hole injection layer insoluble in a solvent, description here is abbreviate | omitted.

正孔注入層上に発光層形成用塗工液を塗布することにより発光層を形成する場合には、正孔注入層を形成する材料は、発光層形成用塗工液の溶媒に不溶であることが好ましい。すなわち、正孔注入層の溶解性は、発光層形成用塗工液の溶媒に対して、５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。   When the light emitting layer is formed by applying the light emitting layer forming coating solution on the hole injecting layer, the material for forming the hole injecting layer is insoluble in the solvent of the light emitting layer forming coating solution. It is preferable. That is, the solubility of the hole injection layer is preferably 5 nm or less / min with respect to the solvent of the light emitting layer forming coating solution.

正孔注入層の形成方法としては、上記の材料等を含む正孔注入層形成用塗工液を塗布する方法、あるいは、真空蒸着法等を用いることができる。中でも、製造コスト低減の観点から、正孔注入層形成用塗工液を塗布する方法が好ましい。   As a method for forming the hole injection layer, a method of applying a coating liquid for forming a hole injection layer containing the above materials, a vacuum deposition method, or the like can be used. Among these, from the viewpoint of reducing manufacturing costs, a method of applying a hole injection layer forming coating solution is preferable.

正孔注入層形成用塗工液に用いられる溶媒としては、上記の材料が分散もしくは溶解するものであれば特に限定されるものではなく、例えば、水、メタノール、エタノール等のアルコール類、あるいは、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等が挙げられる。これらの溶媒は、１種単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。   The solvent used in the hole injection layer forming coating solution is not particularly limited as long as the above materials are dispersed or dissolved, for example, alcohols such as water, methanol, and ethanol, or Examples include dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, and N-methyl-2-pyrrolidone. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

また、正孔注入層形成用塗工液の塗布方法としては、例えば、ディップコート法、ロールコート法、ブレードコート法、スピンコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ワイヤーバーコート法、キャスティング法、フレキソ印刷法等を挙げることができる。   Examples of the coating method for forming the hole injection layer forming liquid include dip coating, roll coating, blade coating, spin coating, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, and wire bar. Examples thereof include a coating method, a casting method, and a flexographic printing method.

また、正孔注入層の膜厚としては、その機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されるものではなく、具体的には０．５ｎｍ〜１０００ｎｍ程度とすることができ、中でも１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。   In addition, the thickness of the hole injection layer is not particularly limited as long as the thickness of the hole injection layer is sufficiently exhibited. Specifically, the thickness of the hole injection layer can be about 0.5 nm to 1000 nm. It is preferable to be within a range of ˜500 nm.

（iii）電子輸送層
本態様における電子輸送層は、発光層に電子の輸送が容易に行われるように、陰極と発光層との間に設けられるものである。 (Iii) Electron Transport Layer The electron transport layer in this embodiment is provided between the cathode and the light emitting layer so that electrons can be easily transported to the light emitting layer.

電子輸送層に用いられる材料としては、陰極から注入された電子を発光層内へ輸送することができる材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、オキサジアゾール類、トリアゾール類、バソキュプロイン、バソフェナントロリン等のフェナントロリン類、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等のアルミキノリノール錯体などが挙げられる。 The material used for the electron transport layer is not particularly limited as long as it can transport the electrons injected from the cathode into the light emitting layer. For example, oxadiazoles, triazoles, bathocuproin, Examples thereof include phenanthrolines such as bathophenanthroline, and aluminum quinolinol complexes such as tris (8-quinolinolato) aluminum complex (Alq 3 ).

電子輸送層の形成方法としては、上記の材料等を含む電子輸送層形成用塗工液を塗布する方法、あるいは、真空蒸着法等を用いることができる。通常は、真空蒸着法が用いられる。   As a method for forming the electron transport layer, a method of applying an electron transport layer forming coating solution containing the above materials or the like, a vacuum deposition method, or the like can be used. Usually, a vacuum deposition method is used.

電子輸送層の厚みとしては、その機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。   The thickness of the electron transport layer is not particularly limited as long as the thickness of the electron transport layer is sufficiently exerted.

（iv）電子注入層
本態様における電子注入層は、発光層に電子の注入が容易に行われるように、陰極と発光層との間に設けられるものである。 (Iv) Electron Injection Layer The electron injection layer in this embodiment is provided between the cathode and the light emitting layer so that electrons can be easily injected into the light emitting layer.

電子注入層に用いられる材料としては、発光層内への電子の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、アルミリチウム合金、リチウム、セシウム等のアルカリ金属やその合金；フッ化リチウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属のハロゲン化物；ストロンチウム、カルシウム等のアルカリ土類金属；フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム等のアルカリ土類金属のハロゲン化物；酸化マグネシウム、酸化ストロンチウム、酸化アルミニウム等の酸化物；などが挙げられる。また、電子注入層に用いられる材料として、ポリメチルメタクリレートポリスチレンスルホン酸ナトリウム等を挙げることができる。   The material used for the electron injection layer is not particularly limited as long as it can stabilize the injection of electrons into the light emitting layer. For example, an alkali metal such as an aluminum lithium alloy, lithium, or cesium is used. Alkaline metal halides such as lithium fluoride and cesium fluoride; alkaline earth metals such as strontium and calcium; alkaline earth metals such as magnesium fluoride, strontium fluoride, calcium fluoride, and barium fluoride And oxides such as magnesium oxide, strontium oxide, and aluminum oxide. Examples of the material used for the electron injection layer include sodium polymethyl methacrylate polystyrene sulfonate.

電子注入層の形成方法としては、上記の材料等を含む電子注入層形成用塗工液を塗布する方法、あるいは、真空蒸着法等を用いることができる。通常は、真空蒸着法が用いられる。   As a method for forming the electron injection layer, a method for applying a coating solution for forming an electron injection layer containing the above materials or the like, a vacuum deposition method, or the like can be used. Usually, a vacuum deposition method is used.

電子注入層の膜厚としては、その機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されるものではない。   The thickness of the electron injection layer is not particularly limited as long as the thickness of the electron injection layer is sufficiently exhibited.

（２）電極層
本態様に用いられる電極層は、陽極であってもよく陰極であってもよい。一般に、有機ＥＬ素子を製造する際には、陽極側から積層する方が安定して有機ＥＬ素子を作製することができることから、電極層が陽極であることが好ましい。 (2) Electrode layer The electrode layer used in this embodiment may be an anode or a cathode. In general, when an organic EL element is produced, it is preferable that the electrode layer is an anode because the organic EL element can be stably produced by laminating from the anode side.

陽極には、正孔が注入し易いように仕事関数の大きい導電性材料が好ましく用いられる。一方、陰極には、電子が注入し易いように仕事関数の小さな導電性材料が好ましく用いられる。導電性材料としては、一般に金属材料が用いられるが、有機物や無機化合物を用いてもよい。また、電極層には、複数の材料を混合して用いてもよい。   For the anode, a conductive material having a large work function is preferably used so that holes can be easily injected. On the other hand, a conductive material having a small work function is preferably used for the cathode so that electrons can be easily injected. As the conductive material, a metal material is generally used, but an organic substance or an inorganic compound may be used. In addition, a plurality of materials may be mixed and used for the electrode layer.

また、例えば図１（ｉ）に示す有機ＥＬ素子においてボトムエミッション型とする場合には、電極層は透明性を有することが好ましい。透明性を有する導電性材料としては、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ（ＩＺＯ）、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＩＴＯ）、ＺｎＯ−Ａｌ、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ等を好ましいものとして例示することができる。さらに、例えば図１（ｉ）に示す有機ＥＬ素子においてトップエミッション型とする場合には、電極層に透明性は要求されない。この場合、導電性材料として、金属を用いることができ、具体的にはＡｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、あるいは、Ａｌ合金、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金等を挙げることができる。   For example, in the case of the bottom emission type in the organic EL element shown in FIG. 1 (i), the electrode layer preferably has transparency. As a conductive material having transparency, In—Zn—O (IZO), In—Sn—O (ITO), ZnO—Al, Zn—Sn—O, and the like can be exemplified as preferable examples. Further, for example, in the case of the top emission type in the organic EL element shown in FIG. 1 (i), the electrode layer is not required to be transparent. In this case, a metal can be used as the conductive material, and specifically, Au, Ta, W, Pt, Ni, Pd, Cr, Al alloy, Ni alloy, Cr alloy, or the like can be given.

電極層が陽極および陰極のいずれであっても、抵抗が比較的小さいことが好ましい。   Whether the electrode layer is an anode or a cathode, the resistance is preferably relatively small.

電極層の成膜方法としては、一般的な電極の成膜方法を用いることができ、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等を挙げることができる。また、電極層のパターニング方法としては、フォトリソグラフィー法を挙げることができる。   As a method for forming the electrode layer, a general electrode forming method can be used, and examples thereof include a sputtering method, an ion plating method, and a vacuum deposition method. An example of the patterning method for the electrode layer is a photolithography method.

（３）基板
本態様に用いられる基板は、特に限定されるものではない。例えば図１（ｉ）に示す有機ＥＬ素子においてボトムエミッション型とする場合には、基板は透明性を有することが好ましい。一方、例えば図１（ｉ）に示す有機ＥＬ素子においてトップエミッション型とする場合には、基板に透明性は要求されない。
透明性を有する基板には、例えば、ガラス等の無機材料や、透明樹脂等を用いることができる。 (3) Substrate The substrate used in this embodiment is not particularly limited. For example, in the case of the bottom emission type in the organic EL element shown in FIG. 1 (i), the substrate preferably has transparency. On the other hand, for example, when the top emission type is used in the organic EL element shown in FIG. 1I, the substrate is not required to have transparency.
For the transparent substrate, for example, an inorganic material such as glass, a transparent resin, or the like can be used.

上記透明樹脂としては、フィルム状に成形可能であれば特に限定されるものではないが、透明性が高く、耐溶媒性、耐熱性の比較的高いことが好ましい。このような透明樹脂としては、具体的に、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリフッ化ビニル（ＰＦＶ）、ポリアクリレート（ＰＡ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、非晶質ポリオレフィン、またはフッ素系樹脂等が挙げられる。   The transparent resin is not particularly limited as long as it can be formed into a film shape, but preferably has high transparency, relatively high solvent resistance and heat resistance. Specific examples of such transparent resins include polyethersulfone, polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polyetheretherketone (PEEK), polyvinyl fluoride (PFV), polyacrylate (PA), polypropylene ( PP), polyethylene (PE), amorphous polyolefin, or fluorine resin.

２．保護層形成工程
本態様における保護層形成工程は、有機ＥＬ層上に保護層を形成する工程である。 2. Protective layer forming step The protective layer forming step in this embodiment is a step of forming a protective layer on the organic EL layer.

本発明においては保護層上にフォトレジスト層を形成するので、保護層は、フォトレジスト溶媒に不溶もしくは難溶であることが好ましい。すなわち、保護層の溶解性は、フォトレジスト溶媒に対して、２０ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましく、５ｎｍ以下／ｍｉｎであることがより好ましい。
一方、保護層がフォトレジスト溶媒に可溶である場合には、保護層の膜厚を比較的厚くすることにより、フォトレジスト成分が有機ＥＬ層表面に到達するのを防ぐことができる。また、この場合には、保護層上に、フォトレジスト溶媒に不溶もしくは難溶であり、フォトレジスト成分を含まない層を形成してもよい。 In the present invention, since the photoresist layer is formed on the protective layer, the protective layer is preferably insoluble or hardly soluble in the photoresist solvent. That is, the solubility of the protective layer is preferably 20 nm or less / min with respect to the photoresist solvent, and more preferably 5 nm or less / min.
On the other hand, when the protective layer is soluble in the photoresist solvent, it is possible to prevent the photoresist component from reaching the surface of the organic EL layer by making the protective layer relatively thick. In this case, a layer that is insoluble or hardly soluble in the photoresist solvent and does not contain the photoresist component may be formed on the protective layer.

また、保護層は、フォトレジスト現像液に不溶もしくは難溶であることが好ましい。すなわち、保護層の溶解性は、フォトレジスト現像液に対して、２０ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましく、５ｎｍ以下／ｍｉｎであることがより好ましい。これにより、フォトレジスト層を安定にパターニングすることができ、また高解像度のディスプレイを作製することができるからである。
一方、保護層がフォトレジスト現像液に可溶である場合であっても、フォトレジスト現像液にさらされる保護層の露出部の面積は比較的小さいため、特に問題にはならない。 The protective layer is preferably insoluble or hardly soluble in the photoresist developer. That is, the solubility of the protective layer is preferably 20 nm or less / min, and more preferably 5 nm or less / min with respect to the photoresist developer. This is because the photoresist layer can be stably patterned and a high-resolution display can be manufactured.
On the other hand, even when the protective layer is soluble in the photoresist developer, there is no particular problem because the area of the exposed portion of the protective layer exposed to the photoresist developer is relatively small.

さらに、保護層は、フォトレジスト剥離液に不溶もしくは難溶であることが好ましい。すなわち、保護層の溶解性は、フォトレジスト剥離液に対して、２０ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましく、５ｎｍ以下／ｍｉｎであることがより好ましい。この場合、後述する剥離工程にてフォトレジスト層および保護層を別々に剥離することが可能となり、有機ＥＬ層表面がフォトレジスト成分に接触する機会をさらに減らすことができるからである。
一方、保護層は、フォトレジストの剥離液に可溶であってもよい。この場合には、剥離工程にてフォトレジスト層および保護層を上層から徐々に剥離することができ、工程数の削減やコスト低減の点で好ましい。 Furthermore, the protective layer is preferably insoluble or hardly soluble in the photoresist stripping solution. That is, the solubility of the protective layer is preferably 20 nm or less / min, and more preferably 5 nm or less / min with respect to the photoresist stripping solution. In this case, it is possible to separate the photoresist layer and the protective layer separately in a later-described peeling step, and further reduce the chance that the surface of the organic EL layer contacts the photoresist component.
On the other hand, the protective layer may be soluble in a photoresist stripping solution. In this case, the photoresist layer and the protective layer can be gradually peeled off from the upper layer in the peeling step, which is preferable in terms of reduction in the number of steps and cost reduction.

このような保護層を形成する材料としては、上述の性質を満たすものであれば特に限定されるものではなく、無機材料および有機材料のいずれも用いることができる。保護層を形成する有機材料としては、例えば、水溶性セルロース誘導体、水溶性セルロース誘導体を有機溶剤に可溶とした変性セルロース誘導体、水溶性ポリビニルアルコール誘導体、フッ素系高分子材料等が挙げられる。具体的には、保護層を形成する材料としては、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートフタレート、アセチルセルロース、テトラフルオロエチレンが好ましく用いられる。また、無機材料からなる保護層として、無機酸化物のゾルゲル膜を用いることができる。   The material for forming such a protective layer is not particularly limited as long as it satisfies the above-described properties, and any of inorganic materials and organic materials can be used. Examples of the organic material forming the protective layer include a water-soluble cellulose derivative, a modified cellulose derivative in which the water-soluble cellulose derivative is soluble in an organic solvent, a water-soluble polyvinyl alcohol derivative, and a fluorine-based polymer material. Specifically, hydroxypropylmethylcellulose, hydroxypropylmethylcellulose acetate phthalate, acetylcellulose, and tetrafluoroethylene are preferably used as a material for forming the protective layer. In addition, a sol-gel film of an inorganic oxide can be used as a protective layer made of an inorganic material.

特に、正孔注入層、発光層、および保護層の順に積層し、各層を各塗工液を塗布することにより形成する場合であって、正孔注入層および発光層に形成に下記の溶媒を用い、フォトレジスト層の形成に下記のフォトレジストおよびフォトレジスト溶媒を用いた場合には、保護層に上記の材料が好ましく用いられる。ここで、正孔注入層形成用塗工液の溶媒として、水系溶媒、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＩＭＳＯ）、アルコール等の極性溶媒を用い、発光層形成用塗工液の溶媒として、キシレン、トルエン、アニソール、メシチレン、テトラリン、ｐ−シメン、クメン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ブチルベンゼン、クロロベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族系溶媒、あるいは、テトラヒドロフラン、２−ブタノン、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒を用い、フォトレジストとして、一般的なノボラック系のポジ型フォトレジストを用い、フォトレジスト溶媒として、ケトン類、プロピレングルコールモノメチルエーテルアセテート等のセロソルブアセテート類、エーテル等のセロソルブ類、乳酸エチルを用いた場合である。   In particular, the hole injection layer, the light emitting layer, and the protective layer are laminated in this order, and each layer is formed by applying each coating solution, and the following solvent is used for forming the hole injection layer and the light emitting layer. When the following photoresist and photoresist solvent are used for forming the photoresist layer, the above materials are preferably used for the protective layer. Here, as a solvent of the coating solution for forming the hole injection layer, a polar solvent such as an aqueous solvent, dimethylformamide (DMF), dimethyl sulfoxide (DIMSO) or alcohol is used, and as a solvent of the coating solution for forming the light emitting layer, Aromatic solvents such as xylene, toluene, anisole, mesitylene, tetralin, p-cymene, cumene, ethylbenzene, diethylbenzene, butylbenzene, chlorobenzene, cyclohexylbenzene, or tetrahydrofuran, 2-butanone, 1,4-dioxane, diethyl ether Ether solvent such as, a common novolac positive photoresist is used as a photoresist, and as a solvent, ketones, cellosolv acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, ethers, etc. Cellosolves, a case of using the ethyl lactate.

保護層の膜厚は、保護層の種類により適宜選択される。例えば、保護層がフォトレジスト溶媒に不溶もしくは難溶である場合、保護層の膜厚は０．０１μｍ以上であることが好ましい。また例えば、保護層がフォトレジスト溶媒に可溶である場合、保護層の膜厚は０．１μｍ以上であることが好ましい。保護層の膜厚の上限値は、１μｍ程度であることが好ましい。   The thickness of the protective layer is appropriately selected depending on the type of the protective layer. For example, when the protective layer is insoluble or hardly soluble in the photoresist solvent, the thickness of the protective layer is preferably 0.01 μm or more. For example, when the protective layer is soluble in a photoresist solvent, the thickness of the protective layer is preferably 0.1 μm or more. The upper limit value of the thickness of the protective layer is preferably about 1 μm.

保護層の形成方法としては、上記の材料を含む保護層形成用塗工液を塗布する方法が用いられる。   As a method for forming the protective layer, a method of applying a protective layer-forming coating solution containing the above-described material is used.

保護層形成用塗工液に用いられる溶媒は、有機ＥＬ層を構成する有機層のうち、最上層の有機層を溶解しないものであることが好ましい。具体的には、保護層形成用塗工液に用いられる溶媒は、最上層の有機層の溶解性が５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。例えば、有機ＥＬ層として正孔注入層および発光層が形成されており、発光層上に保護層を形成する場合、上記溶媒は、発光層を溶解しないものであることが好ましい。この場合、上記溶媒は、正孔注入層を溶解するものであってもよく、溶解しないものであってもよい。   It is preferable that the solvent used for the coating liquid for forming the protective layer is a solvent that does not dissolve the uppermost organic layer among the organic layers constituting the organic EL layer. Specifically, the solvent used for the protective layer-forming coating solution preferably has a solubility of the uppermost organic layer of 5 nm or less / min. For example, when the hole injection layer and the light emitting layer are formed as the organic EL layer, and the protective layer is formed on the light emitting layer, the solvent is preferably one that does not dissolve the light emitting layer. In this case, the solvent may dissolve the hole injection layer or may not dissolve it.

具体的には、上記溶媒としては、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル系溶媒；エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系溶媒；ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＩＭＳＯ）、アルコール、γ−ブチロラクトン等の極性溶媒などを挙げることができる。これらの溶媒は、単独で用いてもよく、２種類以上を混合して用いてもよい。   Specifically, the solvent includes ester solvents such as methyl acetate and ethyl acetate; cellosolv solvents such as ethyl cellosolve, ethyl cellosolve acetate, butyl cellosolve, and butyl cellosolve acetate; dimethylformamide (DMF), dimethyl sulfoxide (DIMSO), Examples thereof include polar solvents such as alcohol and γ-butyrolactone. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

また、保護層形成用塗工液が、最上層の有機層を溶解する溶媒を含んでいる場合であっても、最上層の有機層がその溶媒に難溶であればよい。すなわち、最上層の有機層の溶解性が２０ｎｍ以下／ｍｉｎである溶媒であれば、使用可能である。   Moreover, even if the coating liquid for protective layer formation contains the solvent which melt | dissolves the uppermost organic layer, the uppermost organic layer should just be hardly soluble in the solvent. That is, any solvent can be used as long as the solubility of the uppermost organic layer is 20 nm or less / min.

また、保護層形成用塗工液の塗布方法としては、例えば、ディップコート法、ロールコート法、ブレードコート法、スピンコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ワイヤーバーコート法、キャスティング法、フレキソ印刷法等を挙げることができる。   Examples of the method for applying the protective layer-forming coating solution include dip coating, roll coating, blade coating, spin coating, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, and wire bar coating. , Casting method, flexographic printing method and the like.

３．フォトレジスト層形成工程
本態様におけるフォトレジスト層形成工程は、保護層上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成する工程である。 3. Photoresist Layer Forming Step The photoresist layer forming step in this embodiment is a step of forming a photoresist layer by applying a photoresist on the protective layer.

本態様に用いられるフォトレジストは、ポジ型およびネガ型のいずれであってもよい。中でも、フォトレジストの剥離し易さを考慮すると、ポジ型フォトレジストが好ましい。フォトレジストとしては、一般的なものを用いることができ、例えば、ノボラック系樹脂、ゴム＋ビスアジド系樹脂等を挙げることができる。   The photoresist used in this embodiment may be either a positive type or a negative type. Among these, considering the ease of peeling off the photoresist, a positive photoresist is preferable. As a photoresist, a general thing can be used, For example, a novolak-type resin, rubber | gum + bis azide-type resin etc. can be mentioned.

また、フォトレジストに用いられるフォトレジスト溶媒としては、保護層上にフォトレジストを塗布した際に保護層とフォトレジストとが混合したり溶解したりするのを防ぐために、保護層を形成する材料が溶解しないものであることが好ましい。具体的には、フォトレジスト溶媒は、保護層の溶解性が５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。   The photoresist solvent used for the photoresist includes a material for forming the protective layer in order to prevent the protective layer and the photoresist from being mixed or dissolved when the photoresist is applied on the protective layer. It is preferable that it does not dissolve. Specifically, the photoresist solvent preferably has a protective layer solubility of 5 nm or less / min.

具体的には、フォトレジスト溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のセロソルブアセテート類；プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のセロソルブ類；メタノール、エタノール、１−ブタノール、２−ブタノール、シクロヘキサノール等のアルコール類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒；シクロヘキサン、デカリンなどが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。   Specifically, examples of the photoresist solvent include ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; cellosolve acetates such as propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate; Cellosolves such as propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether; alcohols such as methanol, ethanol, 1-butanol, 2-butanol and cyclohexanol; ethyl acetate and butyl acetate And ester solvents such as cyclohexane and decalin. These may be used alone or in combination of two or more.

フォトレジストの塗布方法としては、基板上の全面に塗布することができる方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、スピンコート法、キャスティング法、ディップコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、スプレーコート法、フレキソ印刷法等が用いられる。   The method for applying the photoresist is not particularly limited as long as it can be applied to the entire surface of the substrate. For example, the spin coating method, the casting method, the dip coating method, the bar coating method, and the blade coating method. Roll coating method, gravure coating method, spray coating method, flexographic printing method and the like are used.

フォトレジスト層の膜厚は、特に限定されるものではないが、後述する有機ＥＬ層パターニング工程にて、保護層および有機ＥＬ層をドライエッチングする場合には、０．１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは０．５μｍ〜５μｍの範囲内である。フォトレジスト層の膜厚が上記範囲であれば、レジスト機能を保ったまま、加工精度の高いドライエッチングが可能となるからである。   The film thickness of the photoresist layer is not particularly limited, but when the protective layer and the organic EL layer are dry-etched in the organic EL layer patterning step described later, the thickness is within a range of 0.1 μm to 10 μm. It is preferable that it exists, More preferably, it exists in the range of 0.5 micrometer-5 micrometers. This is because if the thickness of the photoresist layer is in the above range, dry etching with high processing accuracy can be performed while maintaining the resist function.

４．フォトレジスト層パターニング工程
本態様におけるフォトレジスト層パターニング工程は、フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、発光領域のフォトレジスト層が残存するようにフォトレジスト層をパターニングする工程である。 4). Photoresist Layer Patterning Step The photoresist layer patterning step in this embodiment is a step of patterning the photoresist layer so that the photoresist layer in the light emitting region remains by pattern exposure and development of the photoresist layer.

フォトレジスト層をパターン露光する方法としては、例えば、フォトマスクを介して露光する方法、レーザ描画法など、一般的な方法を用いることができる。   As a method for pattern exposure of the photoresist layer, for example, a general method such as a method of exposing through a photomask or a laser drawing method can be used.

パターン露光の際、ポジ型フォトレジストを用いた場合には、少なくとも発光領域が非露光領域となるように露光し、ネガ型フォトレジストを用いた場合には、少なくとも発光領域が露光領域となるように露光する。   At the time of pattern exposure, when a positive photoresist is used, exposure is performed so that at least the light emitting region is a non-exposed region, and when a negative photoresist is used, at least the light emitting region is an exposed region. To expose.

本態様に用いられるフォトレジスト現像液としては、保護層を形成する材料を溶解しないものであれば特に限定されるものではない。具体的には、フォトレジスト現像液は、保護層の溶解性が５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。このようなフォトレジスト現像液としては、一般的に使用されている有機アルカリ系現像液を使用できる。また、フォトレジスト現像液として、無機アルカリ系現像液や、第１フォトレジスト層の現像が可能な水溶液を使用することもできる。   The photoresist developer used in this embodiment is not particularly limited as long as it does not dissolve the material forming the protective layer. Specifically, the photoresist developer preferably has a protective layer solubility of 5 nm or less / min. As such a photoresist developer, a generally used organic alkaline developer can be used. Further, as the photoresist developer, an inorganic alkaline developer or an aqueous solution capable of developing the first photoresist layer can be used.

また、フォトレジスト層を現像した後は、水で洗浄するのが好ましい。   Moreover, it is preferable to wash with water after developing the photoresist layer.

５．有機ＥＬ層パターニング工程
本態様における有機ＥＬ層パターニング工程は、フォトレジスト層が除去された部分の保護層および有機ＥＬ層を除去することにより、有機ＥＬ層をパターニングする工程である。 5. Organic EL Layer Patterning Step The organic EL layer patterning step in this embodiment is a step of patterning the organic EL layer by removing the portion of the protective layer and the organic EL layer from which the photoresist layer has been removed.

保護層および有機ＥＬ層の除去方法としては、保護層および有機ＥＬ層を溶解する溶媒を用いるウェットエッチング、およびドライエッチングのいずれも用いることができる。中でも、混色等が生じにくく、また高精細なパターニングが可能であることから、ドライエッチングが好ましい。   As a method for removing the protective layer and the organic EL layer, both wet etching using a solvent that dissolves the protective layer and the organic EL layer, and dry etching can be used. Among these, dry etching is preferable because color mixing or the like hardly occurs and high-definition patterning is possible.

ウェットエッチングでは、フォトレジスト層を溶解することなく、保護層および有機ＥＬ層を溶解することができる溶媒を用いて、フォトレジスト層が除去された部分の保護層および有機ＥＬ層を溶解して除去する。この際に使用できる溶媒としては、上述した発光層形成用塗工液、正孔注入層形成用塗工液、保護層形成用塗工液等に用いられる溶媒を例示することができる。   In wet etching, the protective layer and the organic EL layer are removed by dissolving the protective layer and the organic EL layer using a solvent that can dissolve the protective layer and the organic EL layer without dissolving the photoresist layer. To do. Examples of the solvent that can be used in this case include the solvents used in the above-described light emitting layer forming coating solution, hole injection layer forming coating solution, protective layer forming coating solution, and the like.

また、ウェットエッチングでは、超音波浴中で保護層および有機ＥＬ層の除去を行ってもよい。超音波浴を用いることにより、例えば発光層のパターンの線幅が細くなったり、発光層から発光材料等が流出したりするのを防ぐことができ、高精度のパターニングが可能となるからである。また、短時間で高精度のパターニングが可能となる点でも好ましい。   In wet etching, the protective layer and the organic EL layer may be removed in an ultrasonic bath. By using an ultrasonic bath, for example, it is possible to prevent the line width of the light emitting layer pattern from being narrowed or to prevent the light emitting material or the like from flowing out of the light emitting layer, thereby enabling highly accurate patterning. . Further, it is also preferable in that high-precision patterning can be performed in a short time.

この超音波浴に用いる超音波の条件は、２５℃、２０〜１００ＫＨｚの発振周波数で、０．１〜６０秒間が好ましい。このような条件とすることで、短時間で精度の高いパターニングが可能となるからである。   The ultrasonic conditions used for this ultrasonic bath are preferably at an oscillation frequency of 25 ° C. and 20 to 100 KHz, and 0.1 to 60 seconds. This is because such a condition enables high-precision patterning in a short time.

また、ドライエッチングでは、フォトレジスト層の膜厚が保護層および有機ＥＬ層よりもかなり厚いことから、基板に対して全体的にドライエッチングを行うことにより、フォトレジスト層が除去された部分の保護層および有機ＥＬ層を除去することができる。ドライエッチングを用いれば、エッチングの端部をよりシャープとすることができるため、保護層および有機ＥＬ層のパターンの端部に存在する膜厚不均一領域より狭くすることができ、その結果、より高精細なパターニングが可能となる。   In dry etching, the thickness of the photoresist layer is considerably thicker than that of the protective layer and the organic EL layer. Therefore, by performing dry etching on the entire substrate, the portion where the photoresist layer is removed is protected. The layer and the organic EL layer can be removed. If dry etching is used, the edge of etching can be made sharper, so that it can be made narrower than the film thickness non-uniformity region existing at the edge of the pattern of the protective layer and the organic EL layer. High-definition patterning is possible.

ドライエッチングの方法としては、例えば、大気圧プラズマエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、不活性ガスによるプラズマエッチング、レーザー、イオンビーム等によるエッチングなどを用いることができる。   As a dry etching method, for example, atmospheric pressure plasma etching, reactive ion etching (RIE), plasma etching using an inert gas, etching using a laser, an ion beam, or the like can be used.

反応性イオンエッチングでは、有機膜が化学的に反応を受け、分子量の小さい化合物となることにより、気化・蒸発して除去される。このため、反応性イオンエッチングを用いた場合には、エッチング精度が高く、短時間での加工が可能となる。   In reactive ion etching, an organic film undergoes a chemical reaction to become a compound having a low molecular weight, which is removed by vaporization and evaporation. For this reason, when reactive ion etching is used, etching accuracy is high and processing in a short time is possible.

また、大気圧プラズマエッチングを用いた場合には、真空装置を要することがなく、処理時間の短縮およびコストの低減が可能である。大気圧プラズマエッチングでは、プラズマ化した大気中の酸素によって有機物が酸化分解することを利用する。この際、ガスの置換および循環によって、反応雰囲気のガス組成を任意に調整してもよい。   In addition, when atmospheric pressure plasma etching is used, a vacuum apparatus is not required, and the processing time and cost can be reduced. Atmospheric pressure plasma etching utilizes the fact that organic substances are oxidatively decomposed by oxygen in the atmosphere that has been turned into plasma. At this time, the gas composition of the reaction atmosphere may be arbitrarily adjusted by gas replacement and circulation.

さらに、ドライエッチングに際して、酸素単体または酸素を含むガスを用いてもよい。酸素単体または酸素を含むガスを用いることで、有機膜の酸化反応による分解除去が可能であり、不要な有機物を除去することができるからである。   Further, in dry etching, oxygen alone or a gas containing oxygen may be used. This is because by using oxygen alone or a gas containing oxygen, the organic film can be decomposed and removed by an oxidation reaction, and unnecessary organic substances can be removed.

６．剥離工程
本態様における剥離工程は、残存するフォトレジスト層および保護層をこの順に剥離する工程である。 6). Stripping Step The stripping step in this embodiment is a step of stripping the remaining photoresist layer and protective layer in this order.

剥離工程は、図１（ｆ）〜（ｈ）に例示するように、フォトレジスト層８´のみを剥離する工程と、保護層７´のみを剥離する工程とを有していてもよく、また図２（ｆ）、（ｇ）に例示するように、フォトレジスト層および保護層を溶解する剥離液を用いて、フォトレジスト層８´および保護層７´を上層から徐々に剥離する工程であってもよい。
剥離工程が、フォトレジスト層のみを剥離する工程と、保護層のみを剥離する工程とを有する場合は、フォトレジスト層および保護層を別々に剥離するので、有機ＥＬ層表面がフォトレジスト成分に触れることが全くない。このため、寿命特性を効果的に改善することができる。
また、剥離工程が、フォトレジスト層および保護層を溶解する剥離液を用いて、フォトレジスト層および保護層を上層から徐々に剥離する工程である場合は、工程数の削減やコスト低減の点で好ましい。この場合は、剥離液との接触面積が大きいフォトレジスト層の上面側から徐々に溶解が進行するため、実質的にはフォトレジスト層および保護層の順に除去される。このため、有機ＥＬ層表面がフォトレジスト成分にさらされる機会を減らすことができる。 As illustrated in FIGS. 1F to 1H, the peeling process may include a process of peeling only the photoresist layer 8 ′ and a process of peeling only the protective layer 7 ′. As illustrated in FIGS. 2 (f) and 2 (g), the photoresist layer 8 ′ and the protective layer 7 ′ are gradually peeled from the upper layer using a stripping solution that dissolves the photoresist layer and the protective layer. May be.
When the peeling step includes a step of peeling only the photoresist layer and a step of peeling only the protective layer, the photoresist layer and the protective layer are peeled separately, so that the surface of the organic EL layer touches the photoresist component. There is nothing at all. For this reason, a lifetime characteristic can be improved effectively.
In addition, when the peeling process is a process of gradually peeling the photoresist layer and the protective layer from the upper layer using a stripping solution that dissolves the photoresist layer and the protective layer, in terms of reducing the number of steps and reducing the cost. preferable. In this case, since the dissolution gradually proceeds from the upper surface side of the photoresist layer having a large contact area with the stripping solution, the photoresist layer and the protective layer are substantially removed in this order. For this reason, the opportunity for the organic EL layer surface to be exposed to the photoresist component can be reduced.

剥離工程が、フォトレジスト層のみを剥離する工程と、保護層のみを剥離する工程とを有する場合、フォトレジスト層を剥離する方法としては、フォトレジスト剥離液に基板を浸漬させる方法、フォトレジスト剥離液をシャワー状に基板に噴出する方法等を用いることができる。   When the peeling step includes a step of peeling only the photoresist layer and a step of peeling only the protective layer, as a method of peeling the photoresist layer, a method of immersing the substrate in a photoresist stripping solution, a photoresist peeling A method of jetting the liquid onto the substrate in the form of a shower can be used.

フォトレジスト剥離液は、保護層および有機ＥＬ層を溶解せずに、フォトレジスト層を溶解することができるものであれば特に限定されるものではなく、使用するフォトレジストおよび保護層を形成する材料の組み合わせ等により異なるものであり、適宜選択される。具体的には、フォトレジスト剥離液は、フォトレジスト層の溶解性が２０ｎｍ超／ｍｉｎであり、保護層および有機ＥＬ層の溶解性がそれぞれ２０ｎｍ以下／ｍｉｎ、中でも５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。   The photoresist stripping solution is not particularly limited as long as it can dissolve the photoresist layer without dissolving the protective layer and the organic EL layer, and a material for forming the photoresist and the protective layer to be used. Depending on the combination of these, etc., it is appropriately selected. Specifically, in the photoresist stripping solution, the solubility of the photoresist layer is more than 20 nm / min, and the solubility of the protective layer and the organic EL layer is each 20 nm or less / min, especially 5 nm or less / min. preferable.

このようなフォトレジスト剥離液としては、上述したフォトレジスト溶媒を使用することができる。また、ポジ型フォトレジストを用いた場合は、フォトレジスト現像液をフォトレジスト剥離液として用いることができる。さらに、フォトレジスト剥離液として、強アルカリ水溶液、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等、それらの混合物、および、市販のフォトレジスト剥離液を用いてもよい。   As such a photoresist stripping solution, the above-described photoresist solvent can be used. When a positive photoresist is used, a photoresist developer can be used as the photoresist stripping solution. Further, as the photoresist stripping solution, a strong alkaline aqueous solution, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, N-methyl-2-pyrrolidone, or a mixture thereof, and a commercially available photoresist stripping solution may be used.

また、保護層を剥離する方法としては、保護層剥離液に基板を浸漬させる方法、保護層剥離液をシャワー状に基板に噴出する方法等を用いることができる。   Moreover, as a method of peeling a protective layer, the method of immersing a board | substrate in a protective layer peeling liquid, the method of ejecting a protective layer peeling liquid to a board | substrate in shower shape, etc. can be used.

保護層剥離液は、有機ＥＬ層を溶解せずに、保護層を溶解することができるものであれば特に限定されるものではなく、使用するフォトレジストおよび保護層を形成する材料の組み合わせ等により異なるものであり、適宜選択される。具体的には、保護層剥離液は、保護層の溶解性が２０ｎｍ超／ｍｉｎであり、有機ＥＬ層の溶解性が２０ｎｍ以下／ｍｉｎ、中でも５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。   The protective layer remover is not particularly limited as long as it can dissolve the protective layer without dissolving the organic EL layer, and depends on the combination of the photoresist used and the material forming the protective layer, etc. It is different and is appropriately selected. Specifically, the protective layer stripping solution preferably has a solubility of the protective layer of more than 20 nm / min and a solubility of the organic EL layer of 20 nm or less / min, especially 5 nm or less / min.

このような保護層剥離液としては、上述した保護層形成用塗工液の溶媒を使用することができる。   As such a protective layer peeling liquid, the solvent of the protective layer forming coating liquid described above can be used.

例えば、フォトレジストとしてノボラック系樹脂を用い、保護層にヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートフタレートを用いた場合には、フォトレジスト剥離液として、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒を用いることが好ましく、また保護層剥離液として酢酸エチル等のエステル系溶媒を用いることが好ましい。   For example, when a novolak resin is used as the photoresist and hydroxypropylmethylcellulose acetate phthalate is used as the protective layer, a ketone solvent such as methyl isobutyl ketone is preferably used as the photoresist stripping solution. It is preferable to use an ester solvent such as ethyl acetate as the liquid.

また、剥離工程が、フォトレジスト層および保護層を溶解する剥離液を用いて、フォトレジスト層および保護層を上層から徐々に剥離する工程である場合、フォトレジスト層および保護層を剥離する方法としては、剥離液に基板を浸漬させる方法、剥離液をシャワー状に基板に噴出する方法等を用いることができる。   Further, when the peeling step is a step of gradually peeling the photoresist layer and the protective layer from the upper layer using a peeling solution for dissolving the photoresist layer and the protective layer, as a method for peeling the photoresist layer and the protective layer For example, a method of immersing the substrate in the stripping solution, a method of spraying the stripping solution on the substrate in a shower shape, or the like can be used.

剥離液は、有機ＥＬ層を溶解せずに、フォトレジスト層および保護層を溶解することができるものであれば特に限定されるものではなく、使用するフォトレジストおよび保護層を形成する材料の組み合わせ等により異なるものであり、適宜選択される。具体的には、剥離液は、フォトレジスト層および保護層の溶解性がそれぞれ２０ｎｍ超／ｍｉｎであり、有機ＥＬ層の溶解性が２０ｎｍ以下／ｍｉｎ、中でも５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。   The stripping solution is not particularly limited as long as it can dissolve the photoresist layer and the protective layer without dissolving the organic EL layer, and a combination of materials used to form the photoresist and the protective layer to be used. It is different depending on etc., and is appropriately selected. Specifically, the stripping solution preferably has a solubility of the photoresist layer and the protective layer of more than 20 nm / min, and the solubility of the organic EL layer is 20 nm or less / min, particularly 5 nm or less / min.

このような剥離液としては、上述のフォトレジスト剥離液、保護層剥離液を使用することができる。具体的には、剥離液としては、酢酸エチル等のエステル系溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエーテル系溶媒が挙げられる。   As such a stripping solution, the above-mentioned photoresist stripping solution and protective layer stripping solution can be used. Specifically, examples of the stripper include ester solvents such as ethyl acetate and ether solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate.

７．洗浄工程
本態様においては、上記剥離工程後に、有機ＥＬ層の最表面を洗浄する洗浄工程を行うことが好ましい。これにより、有機ＥＬ層表面に残留する成分を取り除くことができるからである。 7). Cleaning Step In this embodiment, it is preferable to perform a cleaning step for cleaning the outermost surface of the organic EL layer after the peeling step. This is because components remaining on the surface of the organic EL layer can be removed.

本工程においては、洗浄液を用いて、有機ＥＬ層の最表面を洗浄する。洗浄液としては、フォトレジスト層および保護層を溶解し、かつ、有機ＥＬ層を溶解しない溶剤を用いることができる。この場合、有機ＥＬ層の最表面の残留成分を効果的に取り除くことができる。具体的には、洗浄液は、フォトレジスト層および保護層の溶解性がそれぞれ２０ｎｍ超／ｍｉｎであり、有機ＥＬ層の溶解性が５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。
このような洗浄液としては、上述のフォトレジスト剥離液、保護層剥離液および剥離液を用いることができる。具体的には、洗浄液としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン等が好ましく用いられる。 In this step, the outermost surface of the organic EL layer is cleaned using a cleaning liquid. As the cleaning liquid, a solvent that dissolves the photoresist layer and the protective layer and does not dissolve the organic EL layer can be used. In this case, the residual component on the outermost surface of the organic EL layer can be effectively removed. Specifically, in the cleaning liquid, the solubility of the photoresist layer and the protective layer is preferably more than 20 nm / min, and the solubility of the organic EL layer is preferably 5 nm or less / min.
As such a cleaning solution, the above-described photoresist stripping solution, protective layer stripping solution and stripping solution can be used. Specifically, propylene glycol monomethyl ether acetate, γ-butyrolactone, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl isobutyl ketone and the like are preferably used as the cleaning liquid.

また、洗浄液としては、有機ＥＬ層の最表面、すなわち有機ＥＬ層を構成する有機層のうち、最上層の有機層を溶解する溶剤を用いることもできる。この場合には、残留成分により汚染された有機ＥＬ層の最表面を除去することができる。具体的には、洗浄液は、最上層の有機層の溶解性が２０ｎｍ超／ｍｉｎであることが好ましい。
このような洗浄液としては、上述の発光層形成用塗工液の溶媒、正孔注入層形成用塗工液の溶媒などを用いることができる。 In addition, as the cleaning liquid, a solvent that dissolves the uppermost organic layer among the organic layers constituting the outermost surface of the organic EL layer, that is, the organic EL layer can be used. In this case, the outermost surface of the organic EL layer contaminated with residual components can be removed. Specifically, in the cleaning liquid, the solubility of the uppermost organic layer is preferably more than 20 nm / min.
As such a cleaning liquid, a solvent for the above-described light emitting layer forming coating liquid, a solvent for the hole injecting layer forming coating liquid, or the like can be used.

この際、除去される最上層の有機層の厚みが２０ｎｍ以下、中でも１０ｎｍ以下となるように洗浄を調整することが好ましい。除去される最上層の有機層の厚みが上記範囲を超えると、有機ＥＬ層の最表面のみを除去するのが非常に困難となり、最上層の有機層の欠落、混色等が発生するおそれがあるからである。   At this time, it is preferable to adjust the cleaning so that the thickness of the uppermost organic layer to be removed is 20 nm or less, particularly 10 nm or less. If the thickness of the uppermost organic layer to be removed exceeds the above range, it is very difficult to remove only the outermost surface of the organic EL layer, and the uppermost organic layer may be missing or mixed. Because.

除去される最上層の有機層の厚みを上記範囲とするためには、洗浄液として、最上層の有機層のみを溶解する溶剤と、最上層の有機層が不溶もしくは難溶である溶剤とを混合したものを用いることが好ましい。すなわち、洗浄液として、最上層の有機層の溶解性が２０ｎｍ超／ｍｉｎである溶剤と、最上層の有機層の溶解性が２０ｎｍ以下／ｍｉｎ、中でも５ｎｍ以下／ｍｉｎである溶剤とを混合したものを用いることが好ましい。
最上層の有機層が不溶もしくは難溶である溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン等が挙げられる。 In order to set the thickness of the uppermost organic layer to be removed within the above range, a solvent that dissolves only the uppermost organic layer and a solvent in which the uppermost organic layer is insoluble or hardly soluble are mixed as a cleaning solution. It is preferable to use what was done. That is, as a cleaning liquid, a mixture of a solvent having a solubility of the uppermost organic layer of more than 20 nm / min and a solvent having a solubility of the uppermost organic layer of 20 nm or less / min, especially 5 nm or less / min. Is preferably used.
Examples of the solvent in which the uppermost organic layer is insoluble or hardly soluble include propylene glycol monomethyl ether acetate, γ-butyrolactone, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, and methyl isobutyl ketone.

また、除去される最上層の有機層の厚みを上記範囲とするために、洗浄液として最上層の有機層が難溶である溶剤を用いて、比較的長い時間をかけて洗浄を行ってもよい。   Further, in order to make the thickness of the uppermost organic layer to be removed within the above range, cleaning may be performed over a relatively long time using a solvent in which the uppermost organic layer is hardly soluble as a cleaning liquid. .

８．プラズマ処理工程
本態様においては、上記剥離工程後に、有機ＥＬ層の最表面をプラズマ処理するプラズマ処理工程を行ってもよい。これにより、有機ＥＬ層表面に残留する成分を取り除くことができるからである。 8). Plasma processing step In this embodiment, a plasma processing step of performing plasma processing on the outermost surface of the organic EL layer may be performed after the peeling step. This is because components remaining on the surface of the organic EL layer can be removed.

プラズマ処理の際に用いられる導入ガスとしては、一般的に用いられているガスを使用することが可能である。中でも、有機ＥＬ層の最表面のみを除去し、有機ＥＬ層への影響が少ないガスであることが好ましい。このようなガスとしては、フッ素またはフッ素化合物を含んだガス、塩素または塩素化合物を含んだガス、酸素、アルゴン、窒素等が挙げられる。導入ガスとして、２種類以上の混合ガスを用いてもよい。   As the introduced gas used in the plasma treatment, a generally used gas can be used. Especially, it is preferable that it is a gas which removes only the outermost surface of an organic EL layer and has little influence on an organic EL layer. Examples of such a gas include a gas containing fluorine or a fluorine compound, a gas containing chlorine or a chlorine compound, oxygen, argon, nitrogen, and the like. Two or more kinds of mixed gases may be used as the introduction gas.

プラズマ処理の条件としては、用いる導入ガスの種類によって適宜選択される。例えば、導入ガスとしてアルゴンを使用する場合には、パワー：200W、チャンバー内の圧力：10mTorr、ガス流量：10sccm、処理時間：30秒程度でプラズマ処理を行うことができる。   The conditions for the plasma treatment are appropriately selected depending on the type of introduced gas used. For example, when argon is used as the introduced gas, the plasma processing can be performed with a power of 200 W, a pressure in the chamber of 10 mTorr, a gas flow rate of 10 sccm, and a processing time of about 30 seconds.

９．その他の工程
本態様においては、通常、上記剥離工程後に、有機ＥＬ層上に対向電極層を形成する対向電極層形成工程が行われる。上記の洗浄工程やプラズマ処理工程を行った場合には、これらの洗浄工程やプラズマ処理工程後に、対向電極層形成工程が行われる。 9. Other Steps In this embodiment, usually, a counter electrode layer forming step for forming a counter electrode layer on the organic EL layer is performed after the peeling step. When the cleaning process or the plasma processing process is performed, the counter electrode layer forming process is performed after the cleaning process or the plasma processing process.

対向電極層は、電極層と反対の電荷をもつ電極であり、陽極であってもよく陰極であってもよい。一般に、有機ＥＬ素子を製造する際には、陽極側から積層する方が安定して有機ＥＬ素子を作製することができることから、対向電極層が陰極であることが好ましい。   The counter electrode layer is an electrode having a charge opposite to that of the electrode layer, and may be an anode or a cathode. Generally, when manufacturing an organic EL element, it is preferable that the counter electrode layer is a cathode because the organic EL element can be more stably produced from the anode side.

また、例えば図１（ｉ）に示す有機ＥＬ素子においてトップエミッション型とする場合には、対向電極層は透明性を有することが好ましい。さらに、例えば図１（ｉ）に示す有機ＥＬ素子においてボトムエミッション型とする場合には、対向電極層には透明性は要求されない。   For example, when the top emission type is used in the organic EL element shown in FIG. 1I, the counter electrode layer preferably has transparency. Further, for example, in the case of the bottom emission type in the organic EL element shown in FIG. 1 (i), the counter electrode layer does not require transparency.

なお、対向電極層を形成する材料および対向電極層の形成方法については、上記有機ＥＬ層形成工程の項に記載した電極層のものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   Note that the material for forming the counter electrode layer and the method for forming the counter electrode layer are the same as those of the electrode layer described in the section of the organic EL layer forming step, and thus description thereof is omitted here.

また、本態様においては、基板上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程を行ってもよい。絶縁層を形成することにより、有機ＥＬ素子の短絡等を抑制し、安定に発光する有機ＥＬ素子とすることができる。   Moreover, in this aspect, you may perform the insulating layer formation process which forms an insulating layer on a board | substrate. By forming the insulating layer, a short circuit of the organic EL element can be suppressed and the organic EL element that emits light stably can be obtained.

絶縁層に用いられる材料としては、例えば、光硬化性樹脂等を挙げることができる。
また、絶縁層の膜厚としては、０．１μｍ〜１０μｍ程度で設定することができる。中でも、ドライエッチングにより発光層をパターニングする場合には、ドライエッチング耐性が発現される程度の厚みであることが好ましい。 Examples of the material used for the insulating layer include a photocurable resin.
Further, the film thickness of the insulating layer can be set to about 0.1 μm to 10 μm. Especially, when patterning a light emitting layer by dry etching, it is preferable that it is the thickness of the grade that dry etching tolerance is expressed.

絶縁層の形成方法としては、一般的な絶縁層の形成方法を用いることができる。絶縁層を形成する際には、発光領域が開口部となるように、あらかじめ絶縁層をパターン状に形成してもよい。   As a method for forming the insulating layer, a general method for forming an insulating layer can be used. When forming the insulating layer, the insulating layer may be formed in advance in a pattern so that the light emitting region becomes an opening.

II．第２態様
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の第２態様は、電極層が形成された基板上に、少なくとも第１発光層を含む第１有機ＥＬ層を形成する第１有機ＥＬ層形成工程と、上記第１有機ＥＬ層上に第１保護層を形成する第１保護層形成工程と、上記第１保護層上にフォトレジストを塗布し、第１フォトレジスト層を形成する第１フォトレジスト層形成工程と、上記第１フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、第１発光領域の上記第１フォトレジスト層が残存するように上記第１フォトレジスト層をパターニングする第１フォトレジスト層パターニング工程と、上記第１フォトレジスト層が除去された部分の上記第１保護層および上記第１有機ＥＬ層を除去することにより、上記第１有機ＥＬ層をパターニングする第１有機ＥＬ層パターニング工程と、上記第１有機ＥＬ層、上記第１保護層および上記第１フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、少なくとも第２発光層を含む第２有機ＥＬ層を形成する第２有機ＥＬ層形成工程と、上記第２有機ＥＬ層上に第２保護層を形成する第２保護層形成工程と、上記第２保護層上にフォトレジストを塗布し、第２フォトレジスト層を形成する第２フォトレジスト層形成工程と、上記第２フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、第２発光領域の上記第２フォトレジスト層が残存するように上記第２フォトレジスト層をパターニングする第２フォトレジスト層パターニング工程と、上記第２フォトレジスト層が除去された部分の上記第２保護層および上記第２有機ＥＬ層を除去することにより、上記第２有機ＥＬ層をパターニングする第２有機ＥＬ層パターニング工程と、上記第１有機ＥＬ層、上記第１保護層および上記第１フォトレジスト層がパターン状に形成され、さらに上記第２有機ＥＬ層、上記第２保護層および上記第２フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、少なくとも第３発光層を含む第３有機ＥＬ層を形成する第３有機ＥＬ層形成工程と、上記第３有機ＥＬ層上に第３保護層を形成する第３保護層形成工程と、上記第３保護層上にフォトレジストを塗布し、第３フォトレジスト層を形成する第３フォトレジスト層形成工程と、上記第３フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、第３発光領域の上記第３フォトレジスト層が残存するように上記第３フォトレジスト層をパターニングする第３フォトレジスト層パターニング工程と、上記第３フォトレジスト層が除去された部分の上記第３保護層および上記第３有機ＥＬ層を除去することにより、上記第３有機ＥＬ層をパターニングする第３有機ＥＬ層パターニング工程と、残存する上記第１フォトレジスト層、上記第２フォトレジスト層および上記第３フォトレジスト層、ならびに、上記第１保護層、上記第２保護層および上記第３保護層をこの順に剥離する剥離工程とを有することを特徴とするものである。 II. 2nd aspect The 2nd aspect of the manufacturing method of the organic EL element of this invention is a 1st organic EL layer formation process of forming the 1st organic EL layer containing at least a 1st light emitting layer on the board | substrate with which the electrode layer was formed. A first protective layer forming step for forming a first protective layer on the first organic EL layer; and a first photoresist for applying a photoresist on the first protective layer to form a first photoresist layer. A layer forming step, and pattern exposure of the first photoresist layer and development to pattern the first photoresist layer so that the first photoresist layer in the first light emitting region remains. A layer patterning step, and a first pattern for patterning the first organic EL layer by removing the first protective layer and the first organic EL layer in a portion where the first photoresist layer is removed. And a second organic EL layer including at least a second light emitting layer on a substrate on which the first organic EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer are formed in a pattern. A second organic EL layer forming step to be formed; a second protective layer forming step of forming a second protective layer on the second organic EL layer; and a photoresist applied on the second protective layer; A second photoresist layer forming step for forming a resist layer; and pattern exposure of the second photoresist layer and development to develop the second photoresist layer so that the second photoresist layer in the second light emitting region remains. A second photoresist layer patterning step of patterning the resist layer, and removing the second protective layer and the second organic EL layer in a portion where the second photoresist layer is removed. A second organic EL layer patterning step of patterning the second organic EL layer, the first organic EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer are formed in a pattern, and the second organic EL layer is further patterned. A third organic EL layer forming step of forming a third organic EL layer including at least a third light emitting layer on the substrate on which the EL layer, the second protective layer, and the second photoresist layer are formed in a pattern; A third protective layer forming step of forming a third protective layer on the third organic EL layer; and a third photoresist layer forming of applying a photoresist on the third protective layer to form a third photoresist layer Patterning the third photoresist layer and developing the pattern, and patterning the third photoresist layer so that the third photoresist layer in the third light emitting region remains. A third photoresist layer patterning step, and a third patterning of the third organic EL layer by removing the third protective layer and the third organic EL layer in a portion where the third photoresist layer is removed; Organic EL layer patterning step, remaining first photoresist layer, second photoresist layer and third photoresist layer, and first protective layer, second protective layer and third protective layer It has the peeling process which peels in this order, It is characterized by the above-mentioned.

本態様の有機ＥＬ素子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図３〜図５は、本態様の有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す工程図である。まず、基板１上に電極層２をパターン状に形成し、この電極層２のパターン間に絶縁層３を形成し、電極層２および絶縁層３の上に第１正孔注入層４ａおよび第１発光層５ａを形成し、第１有機ＥＬ層６ａとする（図３（ａ）、第１有機ＥＬ層形成工程）。次いで、第１発光層５ａ上に第１保護層７ａを形成する（図３（ｂ）、第１保護層形成工程）。次に、第１保護層７ａ上にポジ型フォトレジストを塗布して、第１フォトレジスト層８ａを形成する（図３（ｃ）、第１フォトレジスト層形成工程）。次いで、少なくとも第１発光領域１０ａの第１フォトレジスト層８ａが残存するように、フォトマスク１１を介して第１フォトレジスト層８ａをパターン露光した後、フォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、パターン状の第１フォトレジスト層８ａ´を形成する（図３（ｄ）、（ｅ）、第１フォトレジスト層パターニング工程）。次に、第１フォトレジスト層の除去により露出した部分の第１保護層７ａ、第１発光層５ａおよび第１正孔注入層４ａを除去することにより、パターン状の第１保護層７ａ´、第１発光層５ａ´および第１正孔注入層４´を形成する（図３（ｆ）、第１有機ＥＬ層パターニング工程）。 The manufacturing method of the organic EL element of this aspect is demonstrated referring drawings.
3-5 is process drawing which shows an example of the manufacturing method of the organic EL element of this aspect. First, the electrode layer 2 is formed in a pattern on the substrate 1, the insulating layer 3 is formed between the patterns of the electrode layer 2, and the first hole injection layer 4a and the first hole injection layer 4a are formed on the electrode layer 2 and the insulating layer 3. One light emitting layer 5a is formed to be a first organic EL layer 6a (FIG. 3A, first organic EL layer forming step). Next, the first protective layer 7a is formed on the first light emitting layer 5a (FIG. 3B, first protective layer forming step). Next, a positive photoresist is applied on the first protective layer 7a to form the first photoresist layer 8a (FIG. 3C, first photoresist layer forming step). Next, the first photoresist layer 8a is subjected to pattern exposure through the photomask 11 so that at least the first photoresist layer 8a in the first light emitting region 10a remains, and then developed and washed with a photoresist developer. Thus, a patterned first photoresist layer 8a 'is formed (FIGS. 3D and 3E, first photoresist layer patterning step). Next, by removing the portions of the first protective layer 7a, the first light emitting layer 5a and the first hole injection layer 4a exposed by the removal of the first photoresist layer, the patterned first protective layer 7a ′, First light emitting layer 5a 'and first hole injection layer 4' are formed (FIG. 3F, first organic EL layer patterning step).

次に、パターン状の第１フォトレジスト層８ａ´、第１保護層７ａ´、第１発光層５ａ´および第１正孔注入層４ａ´が形成された基板１上に、第２正孔注入層４ｂおよび第２発光層５ｂを形成し、第２有機ＥＬ層６ｂとする（図３（ｇ）、第２有機ＥＬ層形成工程）。次いで、第２発光層５ｂ上に第２保護層７ｂを形成する（図３（ｈ）、第２保護層形成工程）。次に、第２保護層７ｂ上にポジ型フォトレジストを塗布して、第２フォトレジスト層８ｂを形成する（図４（ａ）、第２フォトレジスト層形成工程）。次いで、少なくとも第２発光領域１０ｂの第２フォトレジスト層８ｂが残存するように、フォトマスク１１を介して第２フォトレジスト層８ｂをパターン露光した後、フォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、パターン状の第２フォトレジスト層８ｂ´を形成する（図４（ｂ）、（ｃ）、第２フォトレジスト層パターニング工程）。次に、第２フォトレジスト層の除去により露出した部分の第２保護層７ｂ、第２発光層５ｂおよび第２正孔注入層４ｂを除去することにより、パターン状の第２保護層７ｂ´、第２発光層５ｂ´および第２正孔注入層ｂ´を形成する（図４（ｄ）、第２有機ＥＬ層パターニング工程）。   Next, the second hole injection is performed on the substrate 1 on which the patterned first photoresist layer 8a ′, the first protective layer 7a ′, the first light emitting layer 5a ′, and the first hole injection layer 4a ′ are formed. The layer 4b and the second light emitting layer 5b are formed to form the second organic EL layer 6b (FIG. 3G, second organic EL layer forming step). Next, the second protective layer 7b is formed on the second light emitting layer 5b (FIG. 3H, second protective layer forming step). Next, a positive photoresist is applied on the second protective layer 7b to form a second photoresist layer 8b (FIG. 4A, second photoresist layer forming step). Next, the second photoresist layer 8b is subjected to pattern exposure through the photomask 11 so that at least the second photoresist layer 8b in the second light emitting region 10b remains, and then developed and washed with a photoresist developer. Thus, a patterned second photoresist layer 8b 'is formed (FIGS. 4B and 4C, second photoresist layer patterning step). Next, by removing the second protective layer 7b, the second light emitting layer 5b, and the second hole injection layer 4b exposed by removing the second photoresist layer, the patterned second protective layer 7b ′, The second light emitting layer 5b ′ and the second hole injection layer b ′ are formed (FIG. 4D, second organic EL layer patterning step).

次に、パターン状の第１フォトレジスト層８ａ´、第１保護層７ａ´、第１発光層５ａ´および第１正孔注入層４ａ´、ならびにパターン状の第２フォトレジスト層８ｂ´、第２保護層７ｂ´、第２発光層５ｂ´および第２正孔注入層４ｂ´が形成された基板１上に、第３正孔注入層４ｃおよび第３発光層５ｃを形成し、第３有機ＥＬ層６ｃとする（図４（ｅ）、第３有機ＥＬ層形成工程）。次いで、第３発光層５ｃ上に第３保護層７ｃを形成する（図４（ｆ）、第３保護層形成工程）。次に、第３保護層７ｃ上にポジ型フォトレジストを塗布して、第３フォトレジスト層８ｃを形成する（図４（ｇ）、第３フォトレジスト層形成工程）。次いで、少なくとも第３発光領域１０ｃの第３フォトレジスト層８ｃが残存するように、フォトマスク１１を介して第３フォトレジスト層８ｃをパターン露光した後、フォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、パターン状の第３フォトレジスト層８ｃ´を形成する（図５（ａ）、（ｂ）、第３フォトレジスト層パターニング工程）。次に、第３フォトレジスト層の除去により露出した部分の第３保護層７ｃ、第３発光層５ｃおよび第３正孔注入層４ｃを除去することにより、パターン状の第３保護層７ｃ´、第３発光層５ｃ´および第３正孔注入層４ｃ´を形成する（図５（ｃ）、第２有機ＥＬ層パターニング工程）。   Next, the patterned first photoresist layer 8a ′, the first protective layer 7a ′, the first light emitting layer 5a ′ and the first hole injection layer 4a ′, and the patterned second photoresist layer 8b ′, The third hole injection layer 4c and the third light emitting layer 5c are formed on the substrate 1 on which the second protective layer 7b ', the second light emitting layer 5b', and the second hole injection layer 4b 'are formed, and the third organic The EL layer 6c is formed (FIG. 4E, third organic EL layer forming step). Next, a third protective layer 7c is formed on the third light emitting layer 5c (FIG. 4F, third protective layer forming step). Next, a positive photoresist is applied on the third protective layer 7c to form a third photoresist layer 8c (FIG. 4G, third photoresist layer forming step). Next, the third photoresist layer 8c is pattern-exposed through the photomask 11 so that at least the third photoresist layer 8c in the third light emitting region 10c remains, and then developed and washed with a photoresist developer. Thus, a patterned third photoresist layer 8c ′ is formed (FIGS. 5A and 5B, a third photoresist layer patterning step). Next, by removing the portions of the third protective layer 7c, the third light emitting layer 5c, and the third hole injection layer 4c exposed by the removal of the third photoresist layer, the patterned third protective layer 7c ′, A third light emitting layer 5c ′ and a third hole injection layer 4c ′ are formed (FIG. 5C, second organic EL layer patterning step).

次いで、最上層に位置する第１フォトレジスト層８ａ´、第２フォトレジスト層８ｂ´および第３フォトレジスト層８ｃ´を剥離し、さらに第１保護層７ａ´、第２保護層７ｂ´および第３保護層７ｃ´を剥離する（図５（ｄ）、剥離工程）。
最後に、第１発光層５ａ´、第２発光層５ｂ´および第３発光層５ｃ´の上に対向電極層９を形成する（図５（ｅ）、対向電極層形成工程）。 Next, the first photoresist layer 8a ′, the second photoresist layer 8b ′, and the third photoresist layer 8c ′, which are positioned at the uppermost layer, are peeled, and the first protective layer 7a ′, the second protective layer 7b ′, and the first 3 The protective layer 7c ′ is peeled off (FIG. 5D, peeling step).
Finally, the counter electrode layer 9 is formed on the first light emitting layer 5a ′, the second light emitting layer 5b ′, and the third light emitting layer 5c ′ (FIG. 5E, counter electrode layer forming step).

本態様においては、各フォトレジスト層を形成する前に、パターニングされる各有機ＥＬ層上に各保護層を形成するので、各有機ＥＬ層上にフォトレジストを直接塗布することがない。また、第２有機ＥＬ層をパターニングする際には、パターニングされた第１有機ＥＬ層および第１保護層の上に、第２有機ＥＬ層および第２保護層が形成され、この第２保護層上にフォトレジストが塗布されるので、第１有機ＥＬ層が第２フォトレジスト層と接触することもない。さらに、第３有機ＥＬ層をパターニングする際にも、同様に、第１有機ＥＬ層および第２有機ＥＬ層が第３フォトレジスト層と接触することがない。また、すべての有機ＥＬ層のパターニング後に、各フォトレジスト層および各保護層をこの順に剥離するので、パターニングされた各有機ＥＬ層の表面が、フォトレジスト成分、例えば、感光剤、添加剤、樹脂等にさらされるのを抑制することができる。このため、各保護層によって、フォトレジスト成分が各有機ＥＬ層に接触するのを防止することができる。したがって、フォトレジスト成分による寿命特性等の低下を回避することができる。   In this aspect, since each protective layer is formed on each organic EL layer to be patterned before forming each photoresist layer, the photoresist is not directly applied on each organic EL layer. Further, when patterning the second organic EL layer, the second organic EL layer and the second protective layer are formed on the patterned first organic EL layer and the first protective layer, and the second protective layer. Since the photoresist is applied thereon, the first organic EL layer does not come into contact with the second photoresist layer. Furthermore, when the third organic EL layer is patterned, similarly, the first organic EL layer and the second organic EL layer do not come into contact with the third photoresist layer. Moreover, after patterning all the organic EL layers, each photoresist layer and each protective layer are peeled in this order, so that the surface of each patterned organic EL layer is a photoresist component, for example, a photosensitive agent, an additive, a resin. It is possible to suppress exposure to the like. For this reason, it can prevent that a photoresist component contacts each organic EL layer by each protective layer. Accordingly, it is possible to avoid a decrease in life characteristics due to the photoresist component.

また、上述したように、第２有機ＥＬ層をパターニングする際には、パターニングされた第１有機ＥＬ層および第１保護層の上に、第２有機ＥＬ層および第２保護層が形成されるので、第２有機ＥＬ層を除去するときの第１有機ＥＬ層へのダメージを低減することができる。また、第３有機ＥＬ層をパターニングする際にも、同様に、第３有機ＥＬ層を除去するときの第１有機ＥＬ層および第２有機ＥＬ層へのダメージを低減することができる。
したがって、長寿命の有機ＥＬ素子を得ることが可能である。 Further, as described above, when the second organic EL layer is patterned, the second organic EL layer and the second protective layer are formed on the patterned first organic EL layer and the first protective layer. Therefore, damage to the first organic EL layer when removing the second organic EL layer can be reduced. Similarly, when patterning the third organic EL layer, it is possible to reduce damage to the first organic EL layer and the second organic EL layer when the third organic EL layer is removed.
Therefore, it is possible to obtain a long-life organic EL element.

さらに、第２フォトレジスト層パターニング工程にて、第２発光領域の第２フォトレジスト層が残存するように第２フォトレジスト層をパターニングするので、パターニングされた第１有機ＥＬ層上に、第２フォトレジスト層が残存することがない。すなわち、パターニングされた第１有機ＥＬ層上に積層されているフォトレジスト層は第１フォトレジスト層のみである。さらに、第２フォトレジスト層の除去により露出した部分の第２有機ＥＬ層も、第２有機ＥＬ層パターニング工程にて、除去されることから、第１有機ＥＬ層上に、第２有機ＥＬ層が残存することもない。したがって、パターニングされた第１有機ＥＬ層上に、余分な層が積層されている状態を回避することができる。これにより、複数の層を積層することから生じる膜厚ムラ等を解消することが可能となる。   Further, in the second photoresist layer patterning step, the second photoresist layer is patterned so that the second photoresist layer in the second light emitting region remains, so that the second photoresist layer is patterned on the patterned first organic EL layer. No photoresist layer remains. That is, the photoresist layer laminated on the patterned first organic EL layer is only the first photoresist layer. Further, the portion of the second organic EL layer exposed by the removal of the second photoresist layer is also removed in the second organic EL layer patterning step, so that the second organic EL layer is formed on the first organic EL layer. Does not remain. Therefore, it is possible to avoid a state in which an extra layer is stacked on the patterned first organic EL layer. As a result, it is possible to eliminate film thickness unevenness caused by stacking a plurality of layers.

また、第１有機ＥＬ層上には、剥離工程にて剥離される第１フォトレジスト層および第１保護層が積層されているだけであり、これらの第１フォトレジスト層および第１保護層は、各有機ＥＬ層パターニング工程後において、最上層に位置することとなる。したがって、第１フォトレジスト層および第１保護層を容易に速やかに剥離することができる。   Further, only the first photoresist layer and the first protective layer that are peeled off in the peeling step are laminated on the first organic EL layer, and the first photoresist layer and the first protective layer are After each organic EL layer patterning step, it will be positioned in the uppermost layer. Therefore, the first photoresist layer and the first protective layer can be easily and quickly peeled off.

なお、第１フォトレジスト層パターニング工程、第１有機ＥＬ層パターニング工程、第２フォトレジスト層パターニング工程、第２有機ＥＬ層パターニング工程、第３フォトレジスト層パターニング工程、第３有機ＥＬ層パターニング工程および剥離工程については、上記第１態様のフォトレジスト層パターニング工程、有機ＥＬ層パターニング工程および剥離工程とそれぞれ同様であるので、ここでの説明は省略する。
以下、本態様の有機ＥＬ素子の製造方法の上記以外の各工程について説明する。 The first photoresist layer patterning step, the first organic EL layer patterning step, the second photoresist layer patterning step, the second organic EL layer patterning step, the third photoresist layer patterning step, the third organic EL layer patterning step, and The peeling process is the same as the photoresist layer patterning process, the organic EL layer patterning process, and the peeling process of the first aspect, and a description thereof will be omitted here.
Hereafter, each process other than the above of the manufacturing method of the organic EL element of this aspect is demonstrated.

１．第１有機ＥＬ層形成工程
本態様における第１有機ＥＬ層形成工程は、電極層が形成された基板上に、少なくとも第１発光層を含む第１有機ＥＬ層を形成する工程である。 1. First Organic EL Layer Forming Step The first organic EL layer forming step in this aspect is a step of forming a first organic EL layer including at least a first light emitting layer on a substrate on which an electrode layer is formed.

本態様においては、複数回にわたりフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、複数色の発光層をパターン状に形成することができる。したがって、第１、第２および第３有機ＥＬ層形成工程では、それぞれ異なる種類の発光材料が用いられる。この際、製造コスト低減の観点から、発光層形成用塗工液を塗布することにより発光層を形成することが好ましい。   In this embodiment, the light emitting layer of a plurality of colors can be formed in a pattern by patterning a plurality of times using a photolithography method. Therefore, different types of light emitting materials are used in the first, second, and third organic EL layer forming steps. At this time, it is preferable to form the light emitting layer by applying a light emitting layer forming coating solution from the viewpoint of reducing the manufacturing cost.

第１有機ＥＬ層が第１正孔注入層および第１発光層から構成されている場合であって、後述する第２有機ＥＬ層形成工程にて、第１有機ＥＬ層、第１保護層および第１フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第２正孔注入層形成用塗工液を塗布することにより第２正孔注入層を形成する場合には、第１正孔注入層は、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。すなわち、第１正孔注入層の溶解性は、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。これにより、第２正孔注入層の成膜の際に、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒が第１正孔注入層のパターンの端部に接触しても、第１正孔注入層は溶解されないので、安定して第２正孔注入層を積層することができるからである。   In the case where the first organic EL layer is composed of the first hole injection layer and the first light emitting layer, in the second organic EL layer forming step described later, the first organic EL layer, the first protective layer, and When the second hole injection layer is formed by applying a coating solution for forming a second hole injection layer on the substrate on which the first photoresist layer is formed in a pattern, the first hole injection is performed. The layer is preferably insoluble in the solvent of the second hole injection layer forming coating solution. That is, the solubility of the first hole injection layer is preferably 5 nm or less / min with respect to the solvent of the second hole injection layer forming coating solution. Thus, when the second hole injection layer is formed, even if the solvent of the second hole injection layer forming coating solution contacts the edge of the pattern of the first hole injection layer, the first positive injection layer is formed. This is because the hole injection layer is not dissolved, so that the second hole injection layer can be stably laminated.

第１正孔注入層を第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするためには、第１正孔注入層に、熱もしくは放射線エネルギーにより硬化する硬化性バインダを用いることができる。加熱または活性放射線照射によって、硬化性バインダを硬化させることにより、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒に不溶な第１正孔注入層とすることができるからである。   In order to make the first hole injection layer insoluble in the solvent of the second hole injection layer forming coating solution, the first hole injection layer is cured with heat or radiation energy. Can be used. This is because the first hole injection layer insoluble in the solvent of the coating solution for forming the second hole injection layer can be obtained by curing the curable binder by heating or irradiation with actinic radiation.

この際、第１正孔注入層を形成する材料としては、硬化性バインダと正孔注入性を有する材料とを混合したもの、あるいは、分子内に水酸基（−ＯＨ）またはカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）を有する水溶性または水分散性の導電性材料に不溶化処理を施したものを用いることができる。
後者の場合、例えば、高分子発光材料を用いた発光層を有する有機ＥＬ素子において、正孔注入層を形成する材料として非常に有効である、ポリ（３，４−アルケンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）およびそれら誘導体からなる導電性高分子材料は、一般的に加熱乾燥後には不溶化しない。しかしながら、Applied physics letter, Vol 81, (2002)に記載されているような光開始剤等を上記導電性高分子材料に混合することにより、紫外線照射によって硬化させることができる。 At this time, as a material for forming the first hole injection layer, a mixture of a curable binder and a material having a hole injection property, or a hydroxyl group (—OH) or a carboxyl group (—COOH) in the molecule is used. A water-soluble or water-dispersible conductive material having an insolubilization treatment can be used.
In the latter case, for example, poly (3,4-alkenedioxythiophene) / polystyrene, which is very effective as a material for forming a hole injection layer in an organic EL device having a light emitting layer using a polymer light emitting material. Conductive polymer materials composed of sulfonate (PEDOT / PSS) and their derivatives are generally not insolubilized after heat drying. However, by mixing a photoinitiator or the like described in Applied physics letter, Vol 81, (2002) with the conductive polymer material, it can be cured by ultraviolet irradiation.

硬化性バインダとしては、熱もしくは放射線エネルギーの作用により硬化するものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ゾルゲル反応液、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂を挙げることができる。なお、ゾルゲル反応液とは、硬化後にゲル化する反応液をいう。   The curable binder is not particularly limited as long as it is cured by the action of heat or radiation energy, and examples thereof include a sol-gel reaction liquid, a photocurable resin, and a thermosetting resin. Note that the sol-gel reaction liquid refers to a reaction liquid that gels after curing.

中でも、硬化性バインダは、オルガノポリシロキサンを含むことが好ましい。オルガノポリシロキサンは、汎用性が高く、入手が容易だからである。また、特殊な反応条件を必要とせず、簡便な方法によりオルガノポリシロキサンの架橋反応を進行させることができるので、オルガノポリシロキサンは取扱い易いという利点も有する。   Especially, it is preferable that a sclerosing | hardenable binder contains organopolysiloxane. This is because organopolysiloxane is highly versatile and easily available. In addition, the organopolysiloxane has an advantage that it is easy to handle because it does not require special reaction conditions and the crosslinking reaction of the organopolysiloxane can be advanced by a simple method.

上記オルガノポリシロキサンとしては、例えば特開２０００−２４９８２１号公報に記載されているもの等を用いることができる。   As said organopolysiloxane, what was described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-249821 etc. can be used, for example.

第１正孔注入層形成用塗工液は、上記の硬化性バインダおよび正孔注入性を有する材料等を、溶媒に分散もしくは溶解して調製される。例えば、硬化性バインダがオルガノポリシロキサンを含む場合には、溶媒としては、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系が好ましく用いられる。
第１正孔注入層形成用塗工液の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法、ビードコート法等が挙げられる。 The first hole injection layer forming coating solution is prepared by dispersing or dissolving the curable binder and the material having hole injection properties in a solvent. For example, when the curable binder contains an organopolysiloxane, an alcohol such as ethanol or isopropanol is preferably used as the solvent.
Examples of the coating method of the first hole injection layer forming coating solution include spin coating, spray coating, dip coating, roll coating, and bead coating.

第１正孔注入層は、第１正孔注入層形成用塗工液を塗布して得られる塗膜に硬化処理を行うことにより、形成することができる。
硬化処理としては、熱エネルギーの付与、または放射線の照射が挙げられる。熱エネルギーの付与としては、８０〜２５０℃程度、好ましくは１００〜２００℃程度の温度で加熱すればよい。これにより、シランカップリング反応を進行させて、第１正孔注入層を架橋硬化することができる。 The first hole injection layer can be formed by subjecting a coating film obtained by applying the first hole injection layer forming coating solution to a curing treatment.
Examples of the curing treatment include application of thermal energy or irradiation with radiation. Application of thermal energy may be performed at a temperature of about 80 to 250 ° C, preferably about 100 to 200 ° C. Thereby, a silane coupling reaction can be advanced and a 1st positive hole injection layer can be bridge | crosslinked and hardened.

また、第１正孔注入層を第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするために、第１正孔注入層に熱もしくは放射線エネルギーの作用により溶解性が変化する材料を用いるか、第１正孔注入層および第２正孔注入層にそれぞれ溶解性が異なる材料を用いてもよい。   In addition, in order to make the first hole injection layer insoluble in the solvent of the coating solution for forming the second hole injection layer, the first hole injection layer is dissolved by the action of heat or radiation energy. A material that changes may be used, or materials having different solubility may be used for the first hole injection layer and the second hole injection layer.

ここで、材料の溶解性が変化するとは、材料の主成分が溶解もしくは分散する溶媒の極性が変化することをいう。熱もしくは放射線エネルギーの作用により溶解性が変化する材料を含有する層に対して、熱エネルギーを付与または放射線を照射することにより、材料の溶解性を変化させると、その層を形成するために用いた塗工液の溶媒と、熱エネルギー付与または放射線照射後の層が溶解する溶媒とでは、極性が異なるものとなる。   Here, the change in the solubility of the material means that the polarity of the solvent in which the main component of the material is dissolved or dispersed is changed. When a layer containing a material whose solubility is changed by the action of heat or radiation energy is changed by changing the solubility of the material by applying thermal energy or irradiating with radiation, it is used to form the layer. The solvent of the applied coating solution and the solvent in which the layer after application of heat energy or radiation is dissolved have different polarities.

材料の溶解性が変化する程度としては、熱エネルギー付与または放射線照射後の第１正孔注入層が、第１正孔注入層形成用塗工液に用いた溶媒に、実質的に溶解したり混和したりしない程度であればよい。具体的には、熱エネルギー付与または放射線照射後の第１正孔注入層の溶解性が、第１正孔注入層形成用塗工液に用いた溶媒に対して、５ｎｍ以下／ｍｉｎとなることを指標にすることができる。   The extent to which the solubility of the material changes is that the first hole injection layer after application of thermal energy or irradiation is substantially dissolved in the solvent used in the first hole injection layer forming coating solution. It is sufficient if it is not mixed. Specifically, the solubility of the first hole injection layer after application of thermal energy or irradiation is 5 nm or less / min with respect to the solvent used in the first hole injection layer forming coating solution. Can be used as an index.

第１正孔注入層に用いられる、熱もしくは放射線エネルギーの作用により溶解性が変化する材料としては、例えば、親水性有機材料の親水性基の一部または全部が親油性基に変換されたものであり、かつ、熱もしくは放射線エネルギーの作用により親油性基の一部または全部が親水性基に戻るものが好適に用いられる。   As a material whose solubility is changed by the action of heat or radiation energy used for the first hole injection layer, for example, a part or all of the hydrophilic group of the hydrophilic organic material is converted into a lipophilic group And a part or all of the lipophilic group that returns to the hydrophilic group by the action of heat or radiation energy is preferably used.

上記の材料においては、親水性有機材料の親水性基のすべてが親油性基に変換されている必要はない。親水性基が親油性基に変換されている割合としては、一般的な非水系有機溶剤に対して、所望の濃度以上の溶解性を保持し得る程度であればよい。具体的には、水、アルコール系溶剤に溶解もしくは分散する親水性有機材料が、一般的な非水系溶剤である、トルエン、キシレン、酢酸エチル、シクロヘキサノン等に０．５質量％以上溶解する程度に、親水性基が親油性基に変換されていることが好ましい。   In the above materials, it is not necessary that all the hydrophilic groups of the hydrophilic organic material are converted into lipophilic groups. The ratio at which the hydrophilic group is converted to the lipophilic group may be a level that can maintain solubility at a desired concentration or higher in a general non-aqueous organic solvent. Specifically, the hydrophilic organic material that dissolves or disperses in water or an alcohol-based solvent is dissolved to 0.5% by mass or more in a general non-aqueous solvent such as toluene, xylene, ethyl acetate, or cyclohexanone. The hydrophilic group is preferably converted to a lipophilic group.

また、上記の材料においては、親油性基のすべてが親水性基に戻る必要はない。親油性基が親水性基に戻る割合としては、第１正孔注入層が第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒に溶解しない程度であればよい。具体的には、トルエン、キシレン、酢酸エチル、シクロヘキサノン等に０．５質量％以上溶解する材料が、トルエン、キシレン、酢酸エチル、シクロヘキサノン等に不溶もしくは難溶になる程度に、親油性基が親水性基に戻ることが好ましい。この際、完全に当初の親水性有機材料に戻らなくてもよい。   Further, in the above material, it is not necessary for all of the lipophilic groups to return to the hydrophilic groups. The ratio of the lipophilic group returning to the hydrophilic group may be such that the first hole injection layer does not dissolve in the solvent of the second hole injection layer forming coating solution. Specifically, the lipophilic group is hydrophilic to such an extent that a material that dissolves 0.5% by mass or more in toluene, xylene, ethyl acetate, cyclohexanone, etc. becomes insoluble or hardly soluble in toluene, xylene, ethyl acetate, cyclohexanone, etc. It is preferable to return to the sex group. At this time, it is not necessary to completely return to the original hydrophilic organic material.

上記親水性有機材料としては、親水性基を有し、水に分散もしくは溶解するものであればよく、例えば、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミンやトリフェニルジアミン等のアリールアミン類などが挙げられる。ポリアルキルチオフェン誘導体およびポリアニリン誘導体は、ポリスチレンスルホン酸等の酸によりドーピングされていてもよい。
また、親水性基としては、変換反応の容易さから、塩を含まない、スルホン酸基、カルボン酸基、水酸基が好ましい。 The hydrophilic organic material may have any hydrophilic group and can be dispersed or dissolved in water. For example, polyalkylthiophene derivatives, polyaniline derivatives, arylamines such as triphenylamine and triphenyldiamine, etc. Is mentioned. The polyalkylthiophene derivative and the polyaniline derivative may be doped with an acid such as polystyrene sulfonic acid.
Moreover, as a hydrophilic group, the sulfonic acid group, carboxylic acid group, and hydroxyl group which do not contain a salt are preferable from the ease of conversion reaction.

第１正孔注入輸送層に用いられる親水性有機材料としては、変換処理に対する耐久性、精製の容易さ、コストの点から、ポリスチレンスルホン酸もしくはポリチオフェンスルホン酸またはそれらの誘導体を含んでいることが好ましい。   The hydrophilic organic material used for the first hole injecting and transporting layer includes polystyrene sulfonic acid, polythiophene sulfonic acid, or derivatives thereof from the viewpoint of durability against conversion treatment, ease of purification, and cost. preferable.

親水性有機材料における親水性基を親油性基に変換する方法としては、熱もしくは放射線エネルギーの作用により親油性基の一部または全部が親水性基に戻ることから、保護反応を利用する方法であることが好ましい。ここで、保護反応とは、親水性基を誘導体化して、一時的に親水性基に保護基を導入する反応をいう。保護反応としては、エステル化、アセチル化、トシル化、トリフェニルメチル化、アルキルシリル化、またはアルキルカルボニル化であることが好ましい。   As a method of converting a hydrophilic group in a hydrophilic organic material into a lipophilic group, a part or all of the lipophilic group returns to the hydrophilic group by the action of heat or radiation energy, and therefore a method utilizing a protective reaction. Preferably there is. Here, the protective reaction refers to a reaction in which a hydrophilic group is derivatized and a protective group is temporarily introduced into the hydrophilic group. The protection reaction is preferably esterification, acetylation, tosylation, triphenylmethylation, alkylsilylation, or alkylcarbonylation.

具体的な保護反応としては、スルホン酸基やカルボン酸基の少なくとも一部を、五酸化リンや塩化チオニルなどの塩素化剤により、スルホクロリド基やカルボニルクロリド基に変換し、これらの塩化物にメタノールやエタノール等のアルコールを反応させてエステル化する方法が挙げられる。   As a specific protection reaction, at least a part of the sulfonic acid group or carboxylic acid group is converted into a sulfochloride group or a carbonyl chloride group by a chlorinating agent such as phosphorus pentoxide or thionyl chloride, and converted into these chlorides. The method of esterifying by making alcohols, such as methanol and ethanol, react is mentioned.

このように親水性有機材料の親水性基の一部または全部が親油性基に変換された材料は、親水性基に保護基が導入されたために、溶解性が親水性から親油性に変化する。   Thus, the material in which a part or all of the hydrophilic group of the hydrophilic organic material is converted into a lipophilic group has its solubility changed from hydrophilic to lipophilic because a protective group is introduced into the hydrophilic group. .

第１正孔注入層形成用塗工液は、上記の親水性有機材料の親水性基の一部または全部が親油性基に変換された材料を、溶媒に分散もしくは溶解することにより調製することができる。この際、溶媒としては、親油性の材料を分散もしくは溶解できるものが用いられる。このような溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、アセトン、酢酸エチル等が挙げられる。
また、第１正孔注入層形成用塗工液中の、親水性有機材料の親水性基の一部または全部が親油性基に変換された材料の濃度としては、材料の成分または組成によって異なるものではあるが、通常、０．１質量％以上で設定され、好ましくは１質量％〜５質量％程度である。 The first hole injection layer forming coating solution is prepared by dispersing or dissolving a material in which a part or all of the hydrophilic group of the hydrophilic organic material is converted into a lipophilic group in a solvent. Can do. At this time, a solvent that can disperse or dissolve a lipophilic material is used. Examples of such a solvent include chloroform, methylene chloride, dichloroethane, tetrahydrofuran, acetone, ethyl acetate and the like.
In addition, the concentration of the material in which part or all of the hydrophilic groups of the hydrophilic organic material are converted to lipophilic groups in the first hole injection layer forming coating solution varies depending on the component or composition of the material. Although it is a thing, it is normally set at 0.1 mass% or more, Preferably it is about 1 mass%-5 mass%.

第１正孔注入層は、上記第１正孔注入層形成用塗工液を塗布して得られる塗膜に、熱エネルギーを付与または放射線を照射して、塗膜の溶解性を変化させることにより、得ることができる。上記第１正孔注入層形成用塗工液の塗布後には、乾燥を行ってもよい。第１正孔注入層形成用塗工液塗布後の塗膜の溶解性は、親油性となっている。   The first hole injection layer changes the solubility of the coating film by applying thermal energy or irradiating the coating film obtained by applying the first hole injection layer forming coating solution. Can be obtained. You may dry after application | coating of the said 1st positive hole injection layer formation coating liquid. The solubility of the coating film after application of the first hole injection layer forming coating solution is oleophilic.

この塗膜に熱エネルギーを付与または放射線を照射すると、上記保護反応により導入された保護基が脱離し、揮散する。具体的には、エステル化されたスルホン酸基やカルボン酸基に、熱エネルギーを付与または放射線を照射すると、エステル結合が分解され、フリーまたは塩の状態のスルホン酸基やカルボン酸基が復元される。   When this coating film is applied with thermal energy or irradiated with radiation, the protective group introduced by the above protective reaction is eliminated and volatilized. Specifically, when an esterified sulfonic acid group or carboxylic acid group is given thermal energy or irradiated with radiation, the ester bond is decomposed, and the sulfonic acid group or carboxylic acid group in a free or salt state is restored. The

保護基が脱離すると、膜の溶解性が親油性から親水性に変化する。このように親水性となった膜は、第１正孔注入層形成用塗工液に用いた溶媒には混和しなくなる。すなわち、熱エネルギー付与または放射線照射後の第１正孔注入層は、第１正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶となる。   When the protecting group is eliminated, the solubility of the membrane changes from lipophilic to hydrophilic. Thus, the film | membrane which became hydrophilic becomes immiscible with the solvent used for the coating liquid for 1st positive hole injection layer formation. That is, the first hole injection layer after application of thermal energy or irradiation with radiation is insoluble in the solvent of the first hole injection layer forming coating solution.

熱エネルギーの付与としては、例えば、約２００〜２２０℃で約６０〜９０分間加熱処理すればよい。この加熱処理は、第１正孔注入層形成用塗工液塗布後の乾燥と同時に行ってもよい。   For example, the heat energy may be applied by heating at about 200 to 220 ° C. for about 60 to 90 minutes. This heat treatment may be performed simultaneously with the drying after the application of the first hole injection layer forming coating solution.

また、放射線としては、例えば、紫外線や電子線が挙げられる。紫外線の照射条件としては、例えば、２００〜２５０ｍＪ／ｃｍ２程度（波長：４００ｎｍ以下）で設定することができる。また、電子線の照射条件としては、例えば、５００ｋＶ以上、３５ｍＡで設定することができる。 Moreover, as a radiation, an ultraviolet-ray and an electron beam are mentioned, for example. The irradiation condition of the ultraviolet rays can be set, for example, at about 200 to 250 mJ / cm 2 (wavelength: 400 nm or less). Moreover, as irradiation conditions of an electron beam, it can set, for example at 500 kV or more and 35 mA.

また、第１有機ＥＬ層が第１正孔注入層および第１発光層から構成されている場合であって、後述する第２有機ＥＬ層形成工程にて、上記第２正孔注入層上に、第２発光層形成用塗工液を塗布することにより第２発光層を形成する場合には、第１発光層は、第２発光層形成用塗工液の溶媒に対して、不溶、難溶および可溶のいずれであってもよい。第２発光層形成前において、第１発光層は、第２正孔注入層によって覆われているため、第２発光層形成用塗工液の溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   The first organic EL layer is composed of a first hole injection layer and a first light emitting layer, and is formed on the second hole injection layer in a second organic EL layer formation step described later. When the second light emitting layer is formed by applying the second light emitting layer forming coating solution, the first light emitting layer is insoluble and difficult to dissolve in the solvent of the second light emitting layer forming coating solution. It may be either dissolved or soluble. Before forming the second light-emitting layer, the first light-emitting layer is covered with the second hole injection layer. Therefore, even if the first light-emitting layer is soluble in the solvent of the second light-emitting layer forming coating solution, the solvent It is because it does not contact and does not melt.

さらに、第１有機ＥＬ層が第１正孔注入層および第１発光層から構成されている場合であって、後述する第３有機ＥＬ層形成工程にて、第１有機ＥＬ層、第１保護層および第１フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第３正孔注入層形成用塗工液を塗布することにより第３正孔注入層を形成する場合には、第１正孔注入層は、第３正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。   Furthermore, in the case where the first organic EL layer is composed of the first hole injection layer and the first light emitting layer, the first organic EL layer and the first protection are formed in the third organic EL layer forming step described later. When the third hole injection layer is formed by applying the third hole injection layer forming coating liquid on the substrate on which the layer and the first photoresist layer are formed in a pattern, The hole injection layer is preferably insoluble in the solvent of the third hole injection layer forming coating solution.

なお、第１正孔注入層を第３正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとすることについては、上述した第１正孔注入層を第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとする場合と同様である。   In addition, about making the 1st hole injection layer insoluble with respect to the solvent of the coating liquid for 3rd hole injection layer formation, the 1st hole injection layer mentioned above is formed in 2nd hole injection layer. This is the same as the case where the coating liquid is insoluble in the solvent of the coating liquid.

また、第１有機ＥＬ層が第１正孔注入層および第１発光層から構成されている場合であって、後述する第３有機ＥＬ層形成工程にて、上記第３正孔注入層上に、第３発光層形成用塗工液を塗布することにより第３発光層を形成する場合には、第１発光層は、第３発光層形成用塗工液の溶媒に対して、不溶、難溶および可溶のいずれであってもよい。   The first organic EL layer is composed of a first hole injection layer and a first light emitting layer, and is formed on the third hole injection layer in a third organic EL layer formation step described later. When the third light emitting layer is formed by applying the third light emitting layer forming coating solution, the first light emitting layer is insoluble and difficult to dissolve in the solvent of the third light emitting layer forming coating solution. It may be either dissolved or soluble.

なお、第１有機ＥＬ層形成工程のその他の点については、上記第１態様の有機ＥＬ層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   In addition, since it is the same as that of what was described in the term of the organic EL layer forming process of the said 1st aspect about the other point of a 1st organic EL layer forming process, description here is abbreviate | omitted.

２．第１保護層形成工程
本態様における第１保護層形成工程は、第１有機ＥＬ層上に第１保護層を形成する工程である。 2. First protective layer forming step The first protective layer forming step in this aspect is a step of forming the first protective layer on the first organic EL layer.

後述する第２有機ＥＬ層形成工程にて、第１有機ＥＬ層、第１保護層および第１フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第２正孔注入層形成用塗工液を塗布することにより第２正孔注入層を形成する場合には、第１保護層は、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。すなわち、第１保護層の溶解性は、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。これにより、第２正孔注入層の成膜の際に、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒が第１保護層のパターンの端部に接触しても、第１保護層は溶解されないので、安定して第２正孔注入層を積層することができるからである。   In the second organic EL layer forming step described later, a second hole injection layer forming coating solution is formed on the substrate on which the first organic EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer are formed in a pattern. When the second hole injection layer is formed by coating, the first protective layer is preferably insoluble in the solvent of the second hole injection layer forming coating solution. That is, the solubility of the first protective layer is preferably 5 nm or less / min with respect to the solvent of the second hole injection layer forming coating solution. Accordingly, even when the solvent of the second hole injection layer forming coating solution contacts the end of the pattern of the first protective layer when forming the second hole injection layer, the first protective layer is This is because the second hole injection layer can be stably laminated because it is not dissolved.

第１保護層を第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするために、第１保護層および第２正孔注入層に溶解性が異なる材料を用いればよい。   In order to make the first protective layer insoluble in the solvent of the coating solution for forming the second hole injection layer, materials having different solubility may be used for the first protective layer and the second hole injection layer. .

さらに、後述する第２保護層形成工程にて、第２有機ＥＬ層上に第２保護層形成用塗工液を塗布することにより第２保護層を形成する場合には、第１保護層は、第２保護層形成用塗工液の溶媒に対して、不溶、難溶および可溶のいずれであってもよい。第２保護層形成前において、第１保護層は、第２有機ＥＬ層によって覆われているため、第２保護層形成用塗工液の溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   Furthermore, when the second protective layer is formed by applying a second protective layer-forming coating solution on the second organic EL layer in the second protective layer forming step described later, the first protective layer is Any of insoluble, hardly soluble and soluble in the solvent of the second protective layer forming coating solution may be used. Before forming the second protective layer, the first protective layer is covered with the second organic EL layer, so even if it is soluble in the solvent of the second protective layer forming coating solution, This is because they do not come into contact and do not dissolve.

なお、第１保護層形成工程のその他の点については、上記第１態様の保護層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   In addition, since it is the same as that of what was described in the term of the protective layer formation process of the said 1st aspect about the other point of a 1st protective layer formation process, description here is abbreviate | omitted.

３．第１フォトレジスト層形成工程
本態様における第１フォトレジスト層形成工程は、第１保護層上にフォトレジストを塗布し、第１フォトレジスト層を形成する工程である。
本態様においては、フォトレジスト層に第１、第２および第３の３種類を用いているが、いずれも便宜上使い分けているだけであり、全て同様のフォトレジスト層であってもよい。 3. First photoresist layer forming step The first photoresist layer forming step in this aspect is a step of applying a photoresist on the first protective layer to form a first photoresist layer.
In this embodiment, the first, second, and third types are used for the photoresist layer, but all are used for convenience, and all may be the same photoresist layer.

後述する第２有機ＥＬ層形成工程にて、第１有機ＥＬ層、第１保護層および第１フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第２正孔注入層形成用塗工液を塗布することにより第２正孔注入層を形成する場合には、第１フォトレジスト層は、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。すなわち、第１フォトレジスト層の溶解性は、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。これにより、第２正孔注入層の成膜の際に、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒が第１フォトレジスト層に接触しても、第１フォトレジスト層は溶解されないので、安定して第２正孔注入層を積層することができるからである。   In the second organic EL layer forming step described later, a second hole injection layer forming coating solution is formed on the substrate on which the first organic EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer are formed in a pattern. When the second hole injection layer is formed by coating, the first photoresist layer is preferably insoluble in the solvent of the second hole injection layer forming coating solution. That is, the solubility of the first photoresist layer is preferably 5 nm or less / min with respect to the solvent of the second hole injection layer forming coating solution. Accordingly, when the second hole injection layer is formed, even if the solvent of the second hole injection layer forming coating solution contacts the first photoresist layer, the first photoresist layer is not dissolved. This is because the second hole injection layer can be laminated stably.

第１フォトレジスト層を第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするために、第１フォトレジスト層および第２正孔注入層に溶解性が異なる材料を用いればよい。   In order to make the first photoresist layer insoluble in the solvent of the coating solution for forming the second hole injection layer, materials having different solubility are used for the first photoresist layer and the second hole injection layer. That's fine.

さらに、第１フォトレジスト層は、第２フォトレジスト層形成工程にて用いられるフォトレジスト溶媒に対して、不溶、難溶および可溶のいずれであってもよい。第２フォトレジスト層形成前において、第１フォトレジスト層は、第２有機ＥＬ層および第２保護層によって覆われているため、第２保護層形成用塗工液の溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   Furthermore, the first photoresist layer may be insoluble, hardly soluble or soluble in the photoresist solvent used in the second photoresist layer forming step. Before the second photoresist layer is formed, the first photoresist layer is covered with the second organic EL layer and the second protective layer, so that it is soluble in the solvent of the second protective layer forming coating solution. Even if it exists, it is because it does not come into contact with the solvent and does not dissolve.

なお、第１フォトレジスト層形成工程のその他の点については、上記第１態様のフォトレジスト層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   Since the other points of the first photoresist layer forming step are the same as those described in the section of the photoresist layer forming step of the first aspect, description thereof is omitted here.

４．第２有機ＥＬ層形成工程
本態様における第２有機ＥＬ層形成工程は、第１有機ＥＬ層、第１保護層および第１フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、少なくとも第２発光層を含む第２有機ＥＬ層を形成する工程である。 4). Second organic EL layer forming step The second organic EL layer forming step in this aspect includes at least second light emission on the substrate on which the first organic EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer are formed in a pattern. This is a step of forming a second organic EL layer including a layer.

第１有機ＥＬ層、第１保護層および第１フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第２正孔注入層形成用塗工液を塗布することにより第２正孔注入層を形成する場合には、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒は、第１有機ＥＬ層、第１保護層および第１フォトレジスト層を溶解しないものであることが好ましい。すなわち、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒は、第１有機ＥＬ層、第１保護層および第１フォトレジスト層の溶解性がそれぞれ５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。これは、第２正孔注入層の成膜の際に、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒が、第１有機ＥＬ層、第１保護層および第１フォトレジスト層に接触するためである。具体的には、第２正孔注入層の成膜の際に、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒が、第１有機ＥＬ層および第１保護層のパターンの端部、ならびに、第１フォトレジスト層のパターンの表面および端部に接触する。   A second hole injection layer is formed by applying a coating solution for forming a second hole injection layer on a substrate on which the first organic EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer are formed in a pattern. When formed, the solvent of the second hole injection layer forming coating solution is preferably one that does not dissolve the first organic EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer. That is, it is preferable that the solubility of the first organic EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer in the solvent of the second hole injection layer forming coating solution is 5 nm / min or less, respectively. This is because when the second hole injection layer is formed, the solvent of the second hole injection layer forming coating solution comes into contact with the first organic EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer. Because. Specifically, during the formation of the second hole injection layer, the solvent of the second hole injection layer forming coating solution is used as the edge of the pattern of the first organic EL layer and the first protective layer, and , Contacting the surface and edge of the pattern of the first photoresist layer.

上記の場合、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒が、第１フォトレジスト層のパターンの表面および端部に接触する面積に比べて、第１有機ＥＬ層および第１保護層のパターンの端部に接触する面積は非常に小さい。このため、第２正孔注入層を安定に積層する、あるいは、１画素の最小寸法値が１００μｍよりも小さい部分を有する場合には、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒が、第１有機ＥＬ層および第１保護層を溶解しないことが非常に有効である。   In the above case, the solvent of the second hole injection layer forming coating solution is compared with the area in contact with the surface and the edge of the pattern of the first photoresist layer. The area contacting the edge of the pattern is very small. Therefore, when the second hole injection layer is stably laminated, or when the minimum dimension value of one pixel is smaller than 100 μm, the solvent of the second hole injection layer forming coating solution is It is very effective not to dissolve the first organic EL layer and the first protective layer.

また、第１有機ＥＬ層、第１保護層および第１フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第２発光層形成用塗工液を塗布することにより第２発光層を形成する場合には、第２発光層形成用塗工液の溶媒は、第１フォトレジスト層を溶解しないものであることが好ましい。すなわち、第２発光層形成用塗工液の溶媒は、第１フォトレジスト層の溶解性が５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。   Further, the second light emitting layer is formed by applying a second light emitting layer forming coating solution on the substrate on which the first organic EL layer, the first protective layer and the first photoresist layer are formed in a pattern. In that case, the solvent of the second light emitting layer forming coating solution is preferably one that does not dissolve the first photoresist layer. That is, the solvent of the second light emitting layer forming coating solution preferably has a solubility of the first photoresist layer of 5 nm or less / min.

例えば、第１フォトレジスト層に一般的なノボラック系ポジ型フォトレジストを用いた場合、上記溶媒としては、上記第１態様の有機ＥＬ層形成工程の項に記載した、発光層形成用塗工液に用いられる溶媒が好ましく用いられる。   For example, when a general novolak positive photoresist is used for the first photoresist layer, the solvent is a light emitting layer forming coating solution described in the section of the organic EL layer forming step of the first aspect. The solvent used for is preferably used.

第２有機ＥＬ層が第２正孔注入層および第２発光層から構成されている場合であって、後述する第３有機ＥＬ層形成工程にて、第２有機ＥＬ層、第２保護層および第２フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第２正孔注入層形成用塗工液を塗布することにより第２正孔注入層を形成する場合には、第２正孔注入層は、第３正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。   In the case where the second organic EL layer is composed of a second hole injection layer and a second light emitting layer, in the third organic EL layer forming step described later, the second organic EL layer, the second protective layer, and In the case where the second hole injection layer is formed by applying a coating solution for forming a second hole injection layer on the substrate on which the second photoresist layer is formed in a pattern, the second hole injection is performed. The layer is preferably insoluble in the solvent of the third hole injection layer forming coating solution.

なお、第２正孔注入層を第３正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとすることについては、上述した第１正孔注入層を第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとする場合と同様であるので、ここでの説明は省略する。   In addition, about making the 2nd positive hole injection layer insoluble with respect to the solvent of the coating liquid for 3rd positive hole injection layer formation, the 1st positive hole injection layer mentioned above is 2nd positive hole injection layer formation. Since it is the same as the case where it is made insoluble with respect to the solvent of the coating liquid for coating, description here is abbreviate | omitted.

また、第２有機ＥＬ層が第２正孔注入層および第２発光層から構成されている場合であって、後述する第３有機ＥＬ層形成工程にて、上記第３正孔注入層上に、第３発光層形成用塗工液を塗布することにより第３発光層を形成する場合には、第２発光層は、第３発光層形成用塗工液の溶媒に対して、不溶、難溶および可溶のいずれであってもよい。第３発光層形成前において、第２発光層は、第３正孔注入層によって覆われているため、第３発光層形成用塗工液の溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   The second organic EL layer is composed of a second hole injection layer and a second light emitting layer, and is formed on the third hole injection layer in a third organic EL layer formation step to be described later. When the third light emitting layer is formed by applying the third light emitting layer forming coating solution, the second light emitting layer is insoluble or difficult to dissolve in the solvent of the third light emitting layer forming coating solution. It may be either dissolved or soluble. Before the third light emitting layer is formed, the second light emitting layer is covered with the third hole injection layer, so that even if it is soluble in the solvent of the third light emitting layer forming coating solution, the solvent It is because it does not contact and does not melt.

また、第２有機ＥＬ層形成工程のその他の点については、上記第１態様の有機ＥＬ層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   In addition, the other points of the second organic EL layer forming step are the same as those described in the section of the organic EL layer forming step of the first aspect, and thus description thereof is omitted here.

５．第２保護層形成工程
本態様における第２保護層形成工程は、第２有機ＥＬ層上に第２保護層を形成する工程である。 5. Second protective layer forming step The second protective layer forming step in this aspect is a step of forming the second protective layer on the second organic EL layer.

第２有機ＥＬ層上に、第２保護層形成用塗工液を塗布することにより第２保護層を形成する場合には、第２保護層形成用塗工液の溶媒は、第１有機ＥＬ層、第１保護層および第１フォトレジスト層を溶解するものであってもよく溶解しないものであってもよい。第２保護層形成前において、第１有機ＥＬ層、第１保護層および第１フォトレジスト層は、第２有機ＥＬ層によって覆われているため、第２保護層形成用塗工液の溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   When the second protective layer is formed by applying the second protective layer-forming coating liquid on the second organic EL layer, the solvent of the second protective layer-forming coating liquid is the first organic EL. The layer, the first protective layer, and the first photoresist layer may or may not dissolve. Before forming the second protective layer, the first organic EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer are covered with the second organic EL layer, so that the second protective layer forming coating solution is used as a solvent. This is because even if it is soluble, it does not come into contact with the solvent and does not dissolve.

また、後述する第３有機ＥＬ層形成工程にて、第２有機ＥＬ層、第２保護層および第２フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第３正孔注入層形成用塗工液を塗布することにより第３正孔注入層を形成する場合には、第２保護層は、第３正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。すなわち、第２保護層の溶解性は、第３正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。これにより、第３正孔注入層の成膜の際に、第３正孔注入層形成用塗工液の溶媒が第２保護層のパターンの端部に接触しても、第２保護層は溶解されないので、安定して第３正孔注入層を積層することができるからである。   Further, in the third organic EL layer forming step described later, a third hole injection layer forming coating is formed on the substrate on which the second organic EL layer, the second protective layer, and the second photoresist layer are formed in a pattern. In the case where the third hole injection layer is formed by applying a working solution, the second protective layer is preferably insoluble in the solvent of the third hole injection layer forming coating solution. That is, the solubility of the second protective layer is preferably 5 nm or less / min with respect to the solvent of the third hole injection layer forming coating solution. As a result, even when the solvent of the third hole injection layer forming coating solution comes into contact with the end of the pattern of the second protective layer during the formation of the third hole injection layer, the second protective layer is This is because the third hole injection layer can be stably laminated because it is not dissolved.

第２保護層を第３正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするために、第２保護層および第３正孔注入層に溶解性が異なる材料を用いればよい。   In order to make the second protective layer insoluble in the solvent of the third hole injection layer forming coating solution, materials having different solubility may be used for the second protective layer and the third hole injection layer. .

さらに、後述する第３保護層形成工程にて、第３有機ＥＬ層上に第３保護層形成用塗工液を塗布することにより第３保護層を形成する場合には、第２保護層は、第３保護層形成用塗工液の溶媒に対して、不溶、難溶および可溶のいずれであってもよい。第３保護層形成前において、第２保護層は、第３有機ＥＬ層によって覆われているため、第３保護層形成用塗工液の溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   Furthermore, in the case where the third protective layer is formed by applying a third protective layer-forming coating solution on the third organic EL layer in the third protective layer forming step described later, the second protective layer is Any of insoluble, hardly soluble and soluble in the solvent of the third protective layer forming coating solution may be used. Before forming the third protective layer, the second protective layer is covered with the third organic EL layer, so even if it is soluble in the solvent of the third protective layer-forming coating solution, This is because they do not come into contact and do not dissolve.

なお、第２保護層形成工程のその他の点については、上記第１態様の保護層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   In addition, since it is the same as that of what was described in the term of the protective layer formation process of the said 1st aspect about the other point of a 2nd protective layer formation process, description here is abbreviate | omitted.

６．第２フォトレジスト層形成工程
本態様における第２フォトレジスト層形成工程は、第２保護層上にフォトレジストを塗布し、第２フォトレジスト層を形成する工程である。 6). Second Photoresist Layer Formation Step The second photoresist layer formation step in this aspect is a step of applying a photoresist on the second protective layer to form a second photoresist layer.

本工程に用いられるフォトレジスト溶媒は、第１有機ＥＬ層、第１保護層および第１フォトレジスト層を溶解するものであってもよく溶解しないものであってもよい。第２フォトレジスト層形成前において、第１有機ＥＬ層、第１保護層および第１フォトレジスト層は、第２有機ＥＬ層および第２保護層によって覆われているため、フォトレジスト溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   The photoresist solvent used in this step may or may not dissolve the first organic EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer. Before forming the second photoresist layer, the first organic EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer are covered with the second organic EL layer and the second protective layer. This is because even if soluble, it does not come into contact with the solvent and does not dissolve.

また、後述する第３有機ＥＬ層形成工程にて、第２有機ＥＬ層、第２保護層および第２フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第３正孔注入層形成用塗工液を塗布することにより第３正孔注入層を形成する場合には、第２フォトレジスト層は、第３正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。すなわち、第２フォトレジスト層の溶解性は、第３正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。これにより、第３正孔注入層の成膜の際に、第３正孔注入層形成用塗工液の溶媒が第２フォトレジスト層に接触しても、第２フォトレジスト層は溶解されないので、安定して第３正孔注入層を積層することができるからである。   Further, in the third organic EL layer forming step described later, a third hole injection layer forming coating is formed on the substrate on which the second organic EL layer, the second protective layer, and the second photoresist layer are formed in a pattern. In the case where the third hole injection layer is formed by applying a working liquid, the second photoresist layer is preferably insoluble in the solvent of the third hole injection layer forming coating liquid. That is, the solubility of the second photoresist layer is preferably 5 nm or less / min with respect to the solvent of the third hole injection layer forming coating solution. Accordingly, when the third hole injection layer is formed, even if the solvent of the third hole injection layer forming coating solution contacts the second photoresist layer, the second photoresist layer is not dissolved. This is because the third hole injection layer can be laminated stably.

第２フォトレジスト層を第３正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするために、第２フォトレジスト層および第３正孔注入層に溶解性が異なる材料を用いればよい。   In order to make the second photoresist layer insoluble in the solvent of the third hole injection layer forming coating solution, materials having different solubility are used for the second photoresist layer and the third hole injection layer. That's fine.

さらに、第２フォトレジスト層は、第３フォトレジスト層形成工程にて用いられるフォトレジスト溶媒に対して、不溶、難溶および可溶のいずれであってもよい。第３フォトレジスト層形成前において、第２フォトレジスト層は、第３有機ＥＬ層および第３保護層によって覆われているため、第３保護層形成用塗工液の溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   Further, the second photoresist layer may be insoluble, hardly soluble or soluble in the photoresist solvent used in the third photoresist layer forming step. Before the third photoresist layer is formed, the second photoresist layer is covered with the third organic EL layer and the third protective layer, so that it is soluble in the solvent of the third protective layer forming coating solution. Even if it exists, it is because it does not come into contact with the solvent and does not dissolve.

なお、第２フォトレジスト層形成工程のその他の点については、上記第１態様のフォトレジスト層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   Since the other points of the second photoresist layer forming step are the same as those described in the section of the photoresist layer forming step of the first aspect, description thereof is omitted here.

７．第３有機ＥＬ層形成工程
本態様における第３有機ＥＬ層形成工程は、第１有機ＥＬ層、第１保護層および第１フォトレジスト層がパターン状に形成され、さらに第２有機ＥＬ層、第２保護層および第２フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、少なくとも第３発光層を含む第３有機ＥＬ層を形成する工程である。 7). Third Organic EL Layer Forming Step In the third organic EL layer forming step in this embodiment, the first organic EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer are formed in a pattern, and the second organic EL layer, 2 is a step of forming a third organic EL layer including at least a third light-emitting layer on a substrate on which a protective layer and a second photoresist layer are formed in a pattern.

第１有機ＥＬ層、第１保護層および第１フォトレジスト層がパターン状に形成され、さらに第２有機ＥＬ層、第２保護層および第２フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第３正孔注入層形成用塗工液を塗布することにより第３正孔注入層を形成する場合には、第３正孔注入層形成用塗工液の溶媒は、第１有機ＥＬ層、第１保護層、第１フォトレジスト層、第２有機ＥＬ層、第２保護層および第２フォトレジスト層を溶解しないものであることが好ましい。すなわち、第２正孔注入層形成用塗工液の溶媒は、第１有機ＥＬ層、第１保護層、第１フォトレジスト層、第２有機ＥＬ層、第２保護層および第２フォトレジスト層の溶解性がそれぞれ５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。   On the substrate on which the first organic EL layer, the first protective layer, and the first photoresist layer are formed in a pattern, and the second organic EL layer, the second protective layer, and the second photoresist layer are further formed in a pattern. When the third hole injection layer is formed by applying the third hole injection layer forming coating liquid, the solvent of the third hole injection layer forming coating liquid is the first organic EL layer. The first protective layer, the first photoresist layer, the second organic EL layer, the second protective layer, and the second photoresist layer are preferably not dissolved. That is, the solvent of the coating solution for forming the second hole injection layer is the first organic EL layer, the first protective layer, the first photoresist layer, the second organic EL layer, the second protective layer, and the second photoresist layer. It is preferable that the solubility of each is 5 nm or less / min.

なお、第３有機ＥＬ層形成工程のその他の点については、上記第１態様の有機ＥＬ層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   In addition, about the other point of a 3rd organic EL layer formation process, since it is the same as that of what was described in the term of the organic EL layer formation process of the said 1st aspect, description here is abbreviate | omitted.

８．第３保護層形成工程
本発明における第３保護層形成工程は、第３有機ＥＬ層上に第３保護層を形成する工程である。 8). Third protective layer forming step The third protective layer forming step in the present invention is a step of forming a third protective layer on the third organic EL layer.

第３有機ＥＬ層上に、第３保護層形成用塗工液を塗布することにより第３保護層を形成する場合には、第３保護層形成用塗工液の溶媒は、第１有機ＥＬ層、第１保護層、第１フォトレジスト層、第２有機ＥＬ層、第２保護層および第２フォトレジスト層を溶解するものであってもよく溶解しないものであってもよい。第２保護層形成前において、第１有機ＥＬ層、第１保護層、第１フォトレジスト層、第２有機ＥＬ層、第２保護層および第２フォトレジスト層は、第３有機ＥＬ層によって覆われているため、第３保護層形成用塗工液の溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   When the third protective layer is formed by applying the third protective layer-forming coating liquid on the third organic EL layer, the solvent of the third protective layer-forming coating liquid is the first organic EL. The layer, the first protective layer, the first photoresist layer, the second organic EL layer, the second protective layer, and the second photoresist layer may be dissolved or not dissolved. Before forming the second protective layer, the first organic EL layer, the first protective layer, the first photoresist layer, the second organic EL layer, the second protective layer, and the second photoresist layer are covered with the third organic EL layer. Therefore, even if it is soluble in the solvent of the third protective layer forming coating solution, it does not come into contact with the solvent and does not dissolve.

なお、第３保護層形成工程のその他の点については、上記第１態様の保護層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   In addition, since it is the same as that of what was described in the term of the protective layer formation process of the said 1st aspect about the other point of a 3rd protective layer formation process, description here is abbreviate | omitted.

９．第３フォトレジスト層形成工程
本発明における第３フォトレジスト層形成工程は、第３保護層上にフォトレジストを塗布し、第３フォトレジスト層を形成する工程である。 9. Third Photoresist Layer Forming Step The third photoresist layer forming step in the present invention is a step of forming a third photoresist layer by applying a photoresist on the third protective layer.

本工程に用いられるフォトレジスト溶媒は、第１有機ＥＬ層、第１保護層、第１フォトレジスト層、第２有機ＥＬ層、第２保護層および第２フォトレジスト層を溶解するものであってもよく溶解しないものであってもよい。第２フォトレジスト層形成前において、第１有機ＥＬ層、第１保護層、第１フォトレジスト層、第２有機ＥＬ層、第２保護層および第２フォトレジスト層は、第３有機ＥＬ層および第３保護層によって覆われているため、フォトレジスト溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   The photoresist solvent used in this step dissolves the first organic EL layer, the first protective layer, the first photoresist layer, the second organic EL layer, the second protective layer, and the second photoresist layer. May not dissolve well. Before forming the second photoresist layer, the first organic EL layer, the first protective layer, the first photoresist layer, the second organic EL layer, the second protective layer, and the second photoresist layer are composed of the third organic EL layer and Because it is covered with the third protective layer, even if it is soluble in the photoresist solvent, it does not come into contact with the solvent and does not dissolve.

なお、第３フォトレジスト層形成工程のその他の点については、上記第１態様のフォトレジスト層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   Since the other points of the third photoresist layer forming step are the same as those described in the section of the photoresist layer forming step of the first aspect, description thereof is omitted here.

１０．その他の工程
本態様においては、剥離工程後、各有機ＥＬ層の最表面を洗浄する洗浄工程を行ってもよい。また、剥離工程後、各有機ＥＬ層の最表面をプラズマ処理するプラズマ処理工程を行ってもよい。
なお、洗浄工程およびプラズマ処理工程については、上記第１態様の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。 10. Other Steps In this aspect, a cleaning step for cleaning the outermost surface of each organic EL layer may be performed after the peeling step. Moreover, you may perform the plasma processing process which plasma-processes the outermost surface of each organic EL layer after a peeling process.
Note that the cleaning process and the plasma treatment process are the same as those described in the section of the first aspect, and thus the description thereof is omitted here.

さらに、本態様においては、通常、上記剥離工程後に、各有機ＥＬ層上に対向電極層を形成する対向電極層形成工程が行われる。
なお、対向電極層形成工程については、上記第１態様の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。 Furthermore, in this aspect, the counter electrode layer formation process which forms a counter electrode layer on each organic EL layer normally is performed after the said peeling process.
Since the counter electrode layer forming step is the same as that described in the first aspect, description thereof is omitted here.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.

以下、本発明について実施例および比較例を用いて具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described using examples and comparative examples.

［実施例１］
（電極層および絶縁層の形成）
透明ガラス基板上に、電極層として、幅８５μｍ、ピッチ１００μｍの酸化インジウム錫（ITO）膜が形成された基板を準備した。この基板上の全面に、ポジ型フォトレジスト（東京応化社製、OFPR-800）をスピンコーティング法により塗布し、乾燥させ、膜厚１μｍの絶縁膜を形成した。次に、発光領域が開口部となるように設計されたフォトマスク（クロムライン幅（遮光部）７０μｍ、開口幅（透過部）３０μｍ）を用いて、ITO膜の端部が覆い隠されるようにアライメント露光機により紫外線照射を行った。次いで、フォトレジスト現像液（東京応化社製、NMD-3）により露光部の絶縁膜を除去し、その後、ホットプレート上で２３０℃、１時間加熱処理を行い、絶縁膜を完全に加熱硬化させ、絶縁層を形成した。 [Example 1]
(Formation of electrode layer and insulating layer)
A substrate on which an indium tin oxide (ITO) film having a width of 85 μm and a pitch of 100 μm was formed as an electrode layer on a transparent glass substrate was prepared. A positive photoresist (OFPR-800, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied to the entire surface of this substrate by a spin coating method and dried to form an insulating film having a thickness of 1 μm. Next, using a photomask (chrome line width (light-shielding part) 70 μm, opening width (transmission part) 30 μm) designed so that the light emitting region becomes an opening, the end of the ITO film is covered. Ultraviolet irradiation was performed with an alignment exposure machine. Next, the exposed portion of the insulating film is removed with a photoresist developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., NMD-3), and then heat-treated on a hot plate at 230 ° C. for 1 hour to completely heat and cure the insulating film. An insulating layer was formed.

（有機ＥＬ層の形成）
ポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（PEDOT/PSS）の水溶液（スタルク社製 Baytron P CH-8000）に、有機官能基としてグリシド基（-CHOCH2）を有するγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東芝シリコーン社製 TSL8350）を、PEDOT/PSS固形分に対して１０重量％添加し、正孔注入層形成用塗工液を調製した。上記絶縁層が形成された基板上の全面に、この正孔注入層形成用塗工液をスピンコーティング法により塗布し、加熱乾燥させ、膜厚１００ｎｍの正孔注入層を形成した。 (Formation of organic EL layer)
An aqueous solution of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS) (Startron's Baytron P CH-8000) and a γ-glycid having a glycidic group (-CHOCH 2 ) as an organic functional group 10% by weight of xylpropyltrimethoxysilane (TSL8350 manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.) was added to the PEDOT / PSS solid content to prepare a coating solution for forming a hole injection layer. This hole injection layer forming coating solution was applied to the entire surface of the substrate on which the insulating layer had been formed by a spin coating method and dried by heating to form a hole injection layer having a thickness of 100 nm.

次に、赤色の発光を示すポリフルオレン誘導体（American Dye Source社製、ADS100RE）の１ｗｔ％トルエン溶液を調製し、発光層形成用塗工液を得た。上記正孔注入層上の全面に、この発光層形成用塗工液をスピンコーティング法により塗布し、加熱乾燥させて、膜厚１００ｎｍの発光層を形成した。これにより、有機ＥＬ層を形成した。   Next, a 1 wt% toluene solution of a polyfluorene derivative exhibiting red luminescence (American Dye Source, ADS100RE) was prepared to obtain a light emitting layer forming coating solution. This light emitting layer forming coating solution was applied to the entire surface of the hole injection layer by a spin coating method and dried by heating to form a light emitting layer having a thickness of 100 nm. Thereby, an organic EL layer was formed.

（保護層の形成）
酢酸セルロース（ダイセル化学社製）を、酢酸メチルおよびメタノールの混合溶媒（酢酸メチル：メタノール＝９：１）に溶解させ、酢酸セルロースの２ｗｔ％混合溶液を調製し、保護層形成用塗工液とした。上記発光層上の全面に、この保護層形成用塗工液をスピンコーティング法により塗布し、加熱乾燥させ、膜厚０．１μｍの保護層を形成した。 (Formation of protective layer)
Cellulose acetate (manufactured by Daicel Chemical Industries) is dissolved in a mixed solvent of methyl acetate and methanol (methyl acetate: methanol = 9: 1) to prepare a 2 wt% mixed solution of cellulose acetate, and a protective layer forming coating solution did. The protective layer-forming coating solution was applied to the entire surface of the light emitting layer by a spin coating method and dried by heating to form a protective layer having a thickness of 0.1 μm.

（フォトレジスト層の形成）
上記保護層上の全面に、ポジ型フォトレジスト（東京応化社製、OFPR-800）をスピンコーティング法により塗布し、乾燥させ、膜厚１μｍのフォトレジスト層を形成した。 (Formation of photoresist layer)
A positive photoresist (OFPR-800, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied on the entire surface of the protective layer by a spin coating method and dried to form a 1 μm-thick photoresist layer.

（有機ＥＬ層のパターニング）
発光領域が遮光部となるように設計されたフォトマスク（ライン幅（遮光部）８５μｍ、スペース幅（透過部）１５μｍ）を用いて、アライメント露光機により紫外線照射を行った。次いで、レジスト現像液（東京応化社製、NMD-3）により露光部のフォトレジスト層を除去した。その後、真空プラズマ装置によりドライエッチングを行い、フォトレジスト層が除去された部分の有機ＥＬ層および保護層を完全に除去した。 (Organic EL layer patterning)
Using a photomask (line width (light-shielding part) 85 μm, space width (transmission part) 15 μm) designed so that the light-emitting region becomes a light-shielding part, ultraviolet irradiation was performed by an alignment exposure machine. Subsequently, the photoresist layer of the exposed part was removed with a resist developer (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd., NMD-3). Thereafter, dry etching was performed with a vacuum plasma apparatus to completely remove the organic EL layer and the protective layer where the photoresist layer was removed.

（フォトレジスト層および保護層の剥離）
次に、未露光部の残ったフォトレジスト層および保護層を、酢酸エチルに室温で２０分間浸漬し、その後、再度、酢酸エチルにより基板の表裏面を十分に洗浄し、フォトレジスト成分および保護層を十分に洗い流し、フォトレジスト層および保護層を完全に除去した。 (Removal of photoresist layer and protective layer)
Next, the remaining photoresist layer and the protective layer of the unexposed portion are immersed in ethyl acetate at room temperature for 20 minutes, and then the front and back surfaces of the substrate are thoroughly washed again with ethyl acetate, and the photoresist component and the protective layer The photoresist layer and the protective layer were completely removed.

（対向電極層の形成）
次に、露出した有機ＥＬ層上に、カルシウムを１０００Åの厚さで蒸着し、さらに、酸化保護層として銀を２０００Åの厚さで蒸着して、対向電極層を形成した。
さらに、ガラス基板上に熱硬化性接着剤が塗布されたものを封止板として、窒素ガス置換されたグローブボックス中で、この封止板を有機ＥＬ層が完全に密閉されるように接着し、８０℃で１時間加熱を行い、完全に密閉した。 (Formation of counter electrode layer)
Next, on the exposed organic EL layer, calcium was vapor-deposited with a thickness of 1000 mm, and silver was further vapor-deposited with a thickness of 2000 mm as an oxidation protective layer to form a counter electrode layer.
Furthermore, using a glass substrate coated with a thermosetting adhesive as a sealing plate, the sealing plate was bonded in a glove box substituted with nitrogen gas so that the organic EL layer was completely sealed. , Heated at 80 ° C. for 1 hour and completely sealed.

［実施例２］
実施例１において、フォトレジスト層および保護層の除去後に、基板をγ−ブチロラクトンに５分間浸漬した以外は、実施例１と同様して有機ＥＬ素子を作製した。 [Example 2]
In Example 1, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the substrate was immersed in γ-butyrolactone for 5 minutes after removing the photoresist layer and the protective layer.

［実施例３］
実施例１において、下記のようにしてフォトレジスト層および保護層を除去した以外は、実施例１と同様して有機ＥＬ素子を作製した。
未露光部の残ったフォトレジスト層を、メチルイソブチルケトンに室温で１０分間浸漬し、その後、再度、メチルイソブチルケトンにより基板の表裏面を十分に洗浄し、フォトレジスト成分を十分に洗い流し、フォトレジスト層のみを完全に除去した。次に、別チャンバーにて、未露光部の残った保護層を、酢酸エチルに室温で１０分間浸漬し、保護層のみを完全に除去した。 [Example 3]
In Example 1, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the photoresist layer and the protective layer were removed as described below.
The photoresist layer with the unexposed portion remaining is immersed in methyl isobutyl ketone at room temperature for 10 minutes, and then the front and back surfaces of the substrate are thoroughly washed again with methyl isobutyl ketone, and the photoresist components are thoroughly washed away. Only the layer was completely removed. Next, in a separate chamber, the remaining protective layer of the unexposed portion was immersed in ethyl acetate at room temperature for 10 minutes to completely remove only the protective layer.

［実施例４］
実施例１において、下記のようにしてフォトレジスト層および保護層を除去した以外は、実施例１と同様して有機ＥＬ素子を作製した。
未露光部の残ったフォトレジスト層を、メチルイソブチルケトンに室温で１０分間浸漬し、その後、再度、メチルイソブチルケトンにより基板の表裏面を十分に洗浄し、フォトレジスト成分を十分に洗い流し、フォトレジスト層のみを完全に除去した。次に、別チャンバーにて、未露光部の残った保護層を、酢酸エチルに室温で１０分間浸漬し、保護層のみを完全に除去した。次いで、フォトレジスト層および保護層の除去後に、基板をγ−ブチロラクトンに５分間浸漬した。 [Example 4]
In Example 1, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the photoresist layer and the protective layer were removed as described below.
The photoresist layer with the unexposed portion remaining is immersed in methyl isobutyl ketone at room temperature for 10 minutes, and then the front and back surfaces of the substrate are thoroughly washed again with methyl isobutyl ketone, and the photoresist components are thoroughly washed away. Only the layer was completely removed. Next, in a separate chamber, the remaining protective layer of the unexposed portion was immersed in ethyl acetate at room temperature for 10 minutes to completely remove only the protective layer. Next, after removing the photoresist layer and the protective layer, the substrate was immersed in γ-butyrolactone for 5 minutes.

［実施例５］
（電極層および絶縁層の形成）
透明ガラス基板上に、電極層として、幅８５μｍ、ピッチ１００μｍの酸化インジウム錫（ITO）膜が形成された基板を準備した。この基板上の全面に、ポジ型フォトレジスト（東京応化社製、OFPR-800）をスピンコーティング法により塗布し、乾燥させ、膜厚１μｍの絶縁膜を形成した。次に、発光領域が開口部となるように設計されたフォトマスク（クロムライン幅（遮光部）７０μｍ、開口幅（透過部）３０μｍ）を用いて、ITO膜の端部が覆い隠されるようにアライメント露光機により紫外線照射を行った。次いで、フォトレジスト現像液（東京応化社製、NMD-3）により露光部の絶縁膜を除去し、その後、ホットプレート上で２３０℃、１時間加熱処理を行い、絶縁膜を完全に加熱硬化させ、絶縁層を形成した。 [Example 5]
(Formation of electrode layer and insulating layer)
A substrate on which an indium tin oxide (ITO) film having a width of 85 μm and a pitch of 100 μm was formed as an electrode layer on a transparent glass substrate was prepared. A positive photoresist (OFPR-800, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied to the entire surface of this substrate by a spin coating method and dried to form an insulating film having a thickness of 1 μm. Next, using a photomask (chrome line width (light-shielding part) 70 μm, opening width (transmission part) 30 μm) designed so that the light emitting region becomes an opening, the end of the ITO film is covered. Ultraviolet irradiation was performed with an alignment exposure machine. Next, the exposed portion of the insulating film is removed with a photoresist developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., NMD-3), and then heat-treated on a hot plate at 230 ° C. for 1 hour to completely heat and cure the insulating film. An insulating layer was formed.

（第１有機ＥＬ層の形成）
ポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（PEDOT/PSS）の水溶液（スタルク社製 Baytron P CH-8000）に、有機官能基としてグリシド基（-CHOCH2）を有するγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東芝シリコーン社製 TSL8350）を、PEDOT/PSS固形分に対して１０重量％添加し、正孔注入層形成用塗工液を調製した。上記絶縁層が形成された基板上の全面に、この正孔注入層形成用塗工液をスピンコーティング法により塗布し、加熱乾燥させ、膜厚１００ｎｍの第１正孔注入層を形成した。 (Formation of first organic EL layer)
An aqueous solution of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS) (Startron's Baytron P CH-8000) and a γ-glycid having a glycidic group (-CHOCH 2 ) as an organic functional group 10% by weight of xylpropyltrimethoxysilane (TSL8350 manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.) was added to the PEDOT / PSS solid content to prepare a coating solution for forming a hole injection layer. This hole injection layer forming coating solution was applied to the entire surface of the substrate on which the insulating layer had been formed by spin coating, and dried by heating to form a first hole injection layer having a thickness of 100 nm.

次に、赤色の発光を示すポリフルオレン誘導体（American Dye Source社製、ADS100RE）の１ｗｔ％トルエン溶液を調製し、赤色発光層形成用塗工液を得た。上記第１正孔注入層上の全面に、この赤色発光層形成用塗工液をスピンコーティング法により塗布し、加熱乾燥させて、膜厚１００ｎｍの第１発光層を形成した。これにより、第１有機ＥＬ層を形成した。   Next, a 1 wt% toluene solution of a polyfluorene derivative exhibiting red luminescence (American Dye Source, ADS100RE) was prepared to obtain a red luminescent layer forming coating solution. This red light emitting layer forming coating solution was applied to the entire surface of the first hole injection layer by a spin coating method and dried by heating to form a first light emitting layer having a thickness of 100 nm. Thereby, the first organic EL layer was formed.

（第１保護層の形成）
酢酸セルロース（ダイセル化学社製）を、酢酸メチルおよびメタノールの混合溶媒（酢酸メチル：メタノール＝９：１）に溶解させ、酢酸セルロースの２ｗｔ％混合溶液を調製し、保護層形成用塗工液とした。上記第１発光層上の全面に、この保護層形成用塗工液をスピンコーティング法により塗布し、加熱乾燥させ、膜厚０．１μｍの第１保護層を形成した。 (Formation of first protective layer)
Cellulose acetate (manufactured by Daicel Chemical Industries) is dissolved in a mixed solvent of methyl acetate and methanol (methyl acetate: methanol = 9: 1) to prepare a 2 wt% mixed solution of cellulose acetate, and a protective layer forming coating solution did. This protective layer-forming coating solution was applied to the entire surface of the first light-emitting layer by a spin coating method and dried by heating to form a first protective layer having a thickness of 0.1 μm.

（第１フォトレジスト層の形成）
上記第１保護層上の全面に、ポジ型フォトレジスト（東京応化社製、OFPR-800）をスピンコーティング法により塗布し、乾燥させ、膜厚１μｍの第１フォトレジスト層を形成した。 (Formation of first photoresist layer)
A positive photoresist (OFPR-800, manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) was applied on the entire surface of the first protective layer by a spin coating method and dried to form a first photoresist layer having a thickness of 1 μm.

（第１有機ＥＬ層のパターニング）
第１発光領域が遮光部となるように設計されたフォトマスク（ライン幅（遮光部）８５μｍ、スペース幅（透過部）２１５μｍ）を用いて、アライメント露光機により紫外線照射を行った。次いで、レジスト現像液（東京応化社製、NMD-3）により露光部の第１フォトレジスト層を除去した。その後、真空プラズマ装置によりドライエッチングを行い、第１フォトレジスト層が除去された部分の第１有機ＥＬ層および第１保護層を完全に除去した。 (Patterning of the first organic EL layer)
The photomask (line width (light-shielding part) 85 μm, space width (transmission part) 215 μm) designed so that the first light-emitting region becomes a light-shielding part was irradiated with ultraviolet rays by an alignment exposure machine. Next, the first photoresist layer in the exposed portion was removed with a resist developer (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd., NMD-3). Thereafter, dry etching was performed by a vacuum plasma apparatus, and the first organic EL layer and the first protective layer in a portion where the first photoresist layer was removed were completely removed.

（第２有機ＥＬ層の形成）
次に、残った第１フォトレジスト層を剥離することなく、上記基板上の全面に、上記正孔注入層形成用塗工液をスピンコーティング法により塗布し、加熱乾燥させ、膜厚１００ｎｍの第２正孔注入層を形成した。 (Formation of second organic EL layer)
Next, without removing the remaining first photoresist layer, the hole injection layer-forming coating solution is applied to the entire surface of the substrate by a spin coating method, dried by heating, and a 100 nm-thickness first coating layer is formed. A two-hole injection layer was formed.

次に、緑色の発光を示すポリフルオレン誘導体（American Dye Source社製、ADS132GE）の１ｗｔ％トルエン溶液を調製し、緑色発光層形成用塗工液を得た。上記第２正孔注入層上の全面に、この緑色発光層形成用塗工液をスピンコーティング法により塗布し、加熱乾燥させて、膜厚１００ｎｍの第２発光層を形成した。これにより、第２有機ＥＬ層を形成した。   Next, a 1 wt% toluene solution of a polyfluorene derivative (American Dye Source, ADS132GE) exhibiting green light emission was prepared to obtain a green light emitting layer forming coating solution. The green light emitting layer forming coating solution was applied to the entire surface of the second hole injection layer by a spin coating method and dried by heating to form a second light emitting layer having a thickness of 100 nm. As a result, a second organic EL layer was formed.

（第２保護層の形成）
上記第２発光層上の全面に、上記保護層形成用塗工液をスピンコーティング法により塗布し、加熱乾燥させ、膜厚０．１μｍの第２保護層を形成した。 (Formation of second protective layer)
The protective layer-forming coating solution was applied to the entire surface of the second light emitting layer by a spin coating method and dried by heating to form a second protective layer having a thickness of 0.1 μm.

（第２フォトレジスト層の形成）
上記第２保護層上の全面に、ポジ型フォトレジスト（東京応化社製、OFPR-800）をスピンコーティング法により塗布し、乾燥させ、膜厚１μｍの第２フォトレジスト層を形成した。 (Formation of second photoresist layer)
A positive photoresist (OFPR-800, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied on the entire surface of the second protective layer by a spin coating method and dried to form a second photoresist layer having a thickness of 1 μm.

（第２有機ＥＬ層のパターニング）
第２発光領域が遮光部となるように設計されたフォトマスク（ライン幅（遮光部）８５μｍ、スペース幅（透過部）２１５μｍ）を用いて、アライメント露光機により紫外線照射を行った。次いで、レジスト現像液（東京応化社製、NMD-3）により露光部の第２フォトレジスト層を除去した。その後、真空プラズマ装置によりドライエッチングを行い、第２フォトレジスト層が除去された部分の第２有機ＥＬ層および第２保護層を完全に除去した。 (Patterning of second organic EL layer)
The photomask (line width (light-shielding part) 85 μm, space width (transmission part) 215 μm) designed so that the second light-emitting region becomes a light-shielding part was irradiated with ultraviolet rays by an alignment exposure machine. Next, the second photoresist layer in the exposed portion was removed with a resist developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., NMD-3). Thereafter, dry etching was performed with a vacuum plasma apparatus to completely remove the second organic EL layer and the second protective layer in the portion where the second photoresist layer was removed.

（第３有機ＥＬ層の形成）
次に、残った第１フォトレジスト層および第２フォトレジスト層を剥離することなく、上記基板上の全面に、上記正孔注入層形成用塗工液をスピンコーティング法により塗布し、加熱乾燥させ、膜厚１００ｎｍの第３正孔注入層を形成した。 (Formation of third organic EL layer)
Next, without removing the remaining first photoresist layer and second photoresist layer, the hole injection layer forming coating solution is applied to the entire surface of the substrate by a spin coating method and dried by heating. A third hole injection layer having a thickness of 100 nm was formed.

次に、青色の発光を示すポリフルオレン誘導体（American Dye Source社製、ADS135BE）の１ｗｔ％トルエン溶液を調製し、青色発光層形成用塗工液を得た。上記第３正孔注入層上の全面に、この青色発光層形成用塗工液をスピンコーティング法により塗布し、加熱乾燥させて、膜厚１００ｎｍの第３発光層を形成した。これにより、第３有機ＥＬ層を形成した。   Next, a 1 wt% toluene solution of a polyfluorene derivative exhibiting blue luminescence (American Dye Source, ADS135BE) was prepared to obtain a coating solution for forming a blue luminescent layer. The blue light-emitting layer forming coating solution was applied to the entire surface of the third hole injection layer by a spin coating method and dried by heating to form a third light-emitting layer having a thickness of 100 nm. Thereby, the third organic EL layer was formed.

（第３保護層の形成）
上記第３発光層上の全面に、上記保護層形成用塗工液をスピンコーティング法により塗布し、加熱乾燥させ、膜厚０．１μｍの第３保護層を形成した。 (Formation of third protective layer)
The protective layer-forming coating solution was applied to the entire surface of the third light emitting layer by a spin coating method and dried by heating to form a third protective layer having a thickness of 0.1 μm.

（第３フォトレジスト層の形成）
上記第３保護層上の全面に、ポジ型フォトレジスト（東京応化社製、OFPR-800）をスピンコーティング法により塗布し、乾燥させ、膜厚１μｍの第３フォトレジスト層を形成した。 (Formation of third photoresist layer)
A positive photoresist (OFPR-800, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied on the entire surface of the third protective layer by a spin coating method and dried to form a third photoresist layer having a thickness of 1 μm.

（第３有機ＥＬ層のパターニング）
第３発光領域が遮光部となるように設計されたフォトマスク（ライン幅（遮光部）８５μｍ、スペース幅（透過部）２１５μｍ）を用いて、アライメント露光機により紫外線照射を行った。次いで、レジスト現像液（東京応化社製、NMD-3）により露光部の第３フォトレジスト層を除去した。その後、真空プラズマ装置によりドライエッチングを行い、第３フォトレジスト層が除去された部分の第３有機ＥＬ層および第３保護層を完全に除去した。 (Patterning of third organic EL layer)
The photomask (line width (light-shielding part) 85 μm, space width (transmission part) 215 μm) designed so that the third light-emitting region becomes a light-shielding part was irradiated with ultraviolet rays by an alignment exposure machine. Next, the third photoresist layer in the exposed portion was removed with a resist developer (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd., NMD-3). Thereafter, dry etching was performed with a vacuum plasma apparatus to completely remove the third organic EL layer and the third protective layer in the portion where the third photoresist layer was removed.

（フォトレジスト層および保護層の剥離）
次に、未露光部の残った各フォトレジスト層および各保護層を、酢酸エチルに室温で２０分間浸漬し、その後、再度、酢酸エチルにより基板の表裏面を十分に洗浄し、各フォトレジスト成分および各保護層を十分に洗い流し、各フォトレジスト層および各保護層を完全に除去した。 (Removal of photoresist layer and protective layer)
Next, each photoresist layer and each protective layer in which an unexposed portion remains are immersed in ethyl acetate at room temperature for 20 minutes, and then the front and back surfaces of the substrate are thoroughly washed again with ethyl acetate, And each protective layer was thoroughly washed away, and each photoresist layer and each protective layer were completely removed.

（対向電極層の形成）
次に、露出した有機ＥＬ層上に、カルシウムを１０００Åの厚さで蒸着し、さらに、酸化保護層として銀を２０００Åの厚さで蒸着して、対向電極層を形成した。
さらに、ガラス基板上に熱硬化性接着剤が塗布されたものを封止板として、窒素ガス置換されたグローブボックス中で、この封止板を有機ＥＬ層が完全に密閉されるように接着し、８０℃で１時間加熱を行い、完全に密閉した。 (Formation of counter electrode layer)
Next, on the exposed organic EL layer, calcium was vapor-deposited with a thickness of 1000 mm, and silver was further vapor-deposited with a thickness of 2000 mm as an oxidation protective layer to form a counter electrode layer.
Furthermore, using a glass substrate coated with a thermosetting adhesive as a sealing plate, the sealing plate was bonded in a glove box substituted with nitrogen gas so that the organic EL layer was completely sealed. , Heated at 80 ° C. for 1 hour and completely sealed.

［実施例６］
実施例５において、各フォトレジスト層および各保護層の除去後に、基板をγ−ブチロラクトンに５分間浸漬した以外は、実施例５と同様して有機ＥＬ素子を作製した。 [Example 6]
In Example 5, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 5 except that after removing each photoresist layer and each protective layer, the substrate was immersed in γ-butyrolactone for 5 minutes.

［実施例７］
実施例５において、下記のようにして各フォトレジスト層および各保護層を除去した以外は、実施例５と同様して有機ＥＬ素子を作製した。
未露光部の残った各フォトレジスト層を、メチルイソブチルケトンに室温で１０分間浸漬し、その後、再度、メチルイソブチルケトンにより基板の表裏面を十分に洗浄し、フォトレジスト成分を十分に洗い流し、各フォトレジスト層のみを完全に除去した。次に、別チャンバーにて、未露光部の残った各保護層を、酢酸エチルに室温で１０分間浸漬し、各保護層のみを完全に除去した。 [Example 7]
In Example 5, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 5 except that each photoresist layer and each protective layer were removed as described below.
Each photoresist layer in which the unexposed portion remains is immersed in methyl isobutyl ketone at room temperature for 10 minutes, and then, again, the front and back surfaces of the substrate are thoroughly washed with methyl isobutyl ketone, and the photoresist components are thoroughly washed away. Only the photoresist layer was completely removed. Next, in a separate chamber, each of the protective layers remaining in the unexposed part was immersed in ethyl acetate at room temperature for 10 minutes, and only each protective layer was completely removed.

［実施例８］
実施例５において、下記のようにして各フォトレジスト層および各保護層を除去した以外は、実施例５と同様して有機ＥＬ素子を作製した。
未露光部の残った各フォトレジスト層を、メチルイソブチルケトンに室温で１０分間浸漬し、その後、再度、メチルイソブチルケトンにより基板の表裏面を十分に洗浄し、フォトレジスト成分を十分に洗い流し、各フォトレジスト層のみを完全に除去した。次に、別チャンバーにて、未露光部の残った各保護層を、酢酸エチルに室温で１０分間浸漬し、各保護層のみを完全に除去した。次いで、各フォトレジスト層および各保護層の除去後に、基板をγ−ブチロラクトンに５分間浸漬した。 [Example 8]
In Example 5, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 5 except that each photoresist layer and each protective layer were removed as described below.
Each photoresist layer in which the unexposed portion remains is immersed in methyl isobutyl ketone at room temperature for 10 minutes, and then, again, the front and back surfaces of the substrate are thoroughly washed with methyl isobutyl ketone, and the photoresist components are thoroughly washed away. Only the photoresist layer was completely removed. Next, in a separate chamber, each of the protective layers remaining in the unexposed part was immersed in ethyl acetate at room temperature for 10 minutes, and only each protective layer was completely removed. Next, after removing each photoresist layer and each protective layer, the substrate was immersed in γ-butyrolactone for 5 minutes.

［比較例１］
実施例１において、保護層を形成しなかった以外は、実施例１と同様して有機ＥＬ素子を作製した。 [Comparative Example 1]
In Example 1, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the protective layer was not formed.

［比較例２］
実施例５において、各保護層を形成しなかった以外は、実施例５と同様して有機ＥＬ素子を作製した。 [Comparative Example 2]
In Example 5, the organic EL element was produced like Example 5 except not having formed each protective layer.

［素子寿命の評価］
実施例１〜８および比較例１，２の有機ＥＬ素子について、ＩＴＯ電極側を正極、金属電極側を負極として、ソースメーターに接続し、直流電流を印加し、それぞれの例において同一の輝度になる電流値を確認した。その後、その電流値を維持するように電圧を変化させながら輝度を測定した。結果を下記表１に示す。 [Evaluation of device life]
For the organic EL elements of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 and 2, with the ITO electrode side as the positive electrode and the metal electrode side as the negative electrode, connected to a source meter and applied with a direct current, the same brightness in each example The current value was confirmed. Thereafter, the luminance was measured while changing the voltage so as to maintain the current value. The results are shown in Table 1 below.

Figure 2008098106
Figure 2008098106

本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the manufacturing method of the organic EL element of this invention. 本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の他の例を示す工程図である。It is process drawing which shows the other example of the manufacturing method of the organic EL element of this invention. 本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の他の例を示す工程図である。It is process drawing which shows the other example of the manufacturing method of the organic EL element of this invention. 本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の他の例を示す工程図である。It is process drawing which shows the other example of the manufacturing method of the organic EL element of this invention. 本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の他の例を示す工程図である。It is process drawing which shows the other example of the manufacturing method of the organic EL element of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ … 基板
２ … 電極層
３ … 絶縁層
４、４´ … 正孔注入層
５、５´ … 発光層
６ … 有機ＥＬ層
７、７´ … 保護層
８、８´ … フォトレジスト層
９ … 対向電極層
１０ … 発光領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... Electrode layer 3 ... Insulating layer 4, 4 '... Hole injection layer 5, 5' ... Light emitting layer 6 ... Organic EL layer 7, 7 '... Protective layer 8, 8' ... Photoresist layer 9 ... Opposite Electrode layer 10 ... Light emitting region

Claims (9)

電極層が形成された基板上に、少なくとも１層の有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層上に保護層を形成する保護層形成工程と、
前記保護層上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、
前記フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、前記フォトレジスト層をパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、
前記フォトレジスト層が除去された部分の前記保護層および前記有機エレクトロルミネッセンス層を除去することにより、前記有機エレクトロルミネッセンス層をパターニングする有機エレクトロルミネッセンス層パターニング工程と、
残存する前記フォトレジスト層および前記保護層をこの順に剥離する剥離工程と
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 An organic electroluminescence layer forming step of forming at least one organic electroluminescence layer on the substrate on which the electrode layer is formed;
A protective layer forming step of forming a protective layer on the organic electroluminescence layer;
A photoresist layer forming step of applying a photoresist on the protective layer to form a photoresist layer;
A photoresist layer patterning step of patterning the photoresist layer by pattern exposing and developing the photoresist layer; and
An organic electroluminescence layer patterning step of patterning the organic electroluminescence layer by removing the protective layer and the organic electroluminescence layer in a portion where the photoresist layer is removed;
A method for producing an organic electroluminescent element, comprising: a peeling step of peeling the remaining photoresist layer and the protective layer in this order. 前記有機エレクトロルミネッセンス層形成工程にて、前記有機エレクトロルミネッセンス層として少なくとも発光層を形成することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The method for producing an organic electroluminescent element according to claim 1, wherein at least a light emitting layer is formed as the organic electroluminescent layer in the organic electroluminescent layer forming step. 電極層が形成された基板上に、少なくとも第１発光層を含む第１有機エレクトロルミネッセンス層を形成する第１有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、
前記第１有機エレクトロルミネッセンス層上に第１保護層を形成する第１保護層形成工程と、
前記第１保護層上にフォトレジストを塗布し、第１フォトレジスト層を形成する第１フォトレジスト層形成工程と、
前記第１フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、第１発光領域の前記第１フォトレジスト層が残存するように前記第１フォトレジスト層をパターニングする第１フォトレジスト層パターニング工程と、
前記第１フォトレジスト層が除去された部分の前記第１保護層および前記第１有機エレクトロルミネッセンス層を除去することにより、前記第１有機エレクトロルミネッセンス層をパターニングする第１有機エレクトロルミネッセンス層パターニング工程と、
前記第１有機エレクトロルミネッセンス層、前記第１保護層および前記第１フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、少なくとも第２発光層を含む第２有機エレクトロルミネッセンス層を形成する第２有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、
前記第２有機エレクトロルミネッセンス層上に第２保護層を形成する第２保護層形成工程と、
前記第２保護層上にフォトレジストを塗布し、第２フォトレジスト層を形成する第２フォトレジスト層形成工程と、
前記第２フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、第２発光領域の前記第２フォトレジスト層が残存するように前記第２フォトレジスト層をパターニングする第２フォトレジスト層パターニング工程と、
前記第２フォトレジスト層が除去された部分の前記第２保護層および前記第２有機エレクトロルミネッセンス層を除去することにより、前記第２有機エレクトロルミネッセンス層をパターニングする第２有機エレクトロルミネッセンス層パターニング工程と、
前記第１有機エレクトロルミネッセンス層、前記第１保護層および前記第１フォトレジスト層がパターン状に形成され、さらに前記第２有機エレクトロルミネッセンス層、前記第２保護層および前記第２フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、少なくとも第３発光層を含む第３有機エレクトロルミネッセンス層を形成する第３有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、
前記第３有機エレクトロルミネッセンス層上に第３保護層を形成する第３保護層形成工程と、
前記第３保護層上にフォトレジストを塗布し、第３フォトレジスト層を形成する第３フォトレジスト層形成工程と、
前記第３フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、第３発光領域の前記第３フォトレジスト層が残存するように前記第３フォトレジスト層をパターニングする第３フォトレジスト層パターニング工程と、
前記第３フォトレジスト層が除去された部分の前記第３保護層および前記第３有機エレクトロルミネッセンス層を除去することにより、前記第３有機エレクトロルミネッセンス層をパターニングする第３有機エレクトロルミネッセンス層パターニング工程と、
残存する前記第１フォトレジスト層、前記第２フォトレジスト層および前記第３フォトレジスト層、ならびに、前記第１保護層、前記第２保護層および前記第３保護層をこの順に剥離する剥離工程と
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 A first organic electroluminescence layer forming step of forming a first organic electroluminescence layer including at least a first light emitting layer on the substrate on which the electrode layer is formed;
A first protective layer forming step of forming a first protective layer on the first organic electroluminescence layer;
A first photoresist layer forming step of applying a photoresist on the first protective layer to form a first photoresist layer;
A first photoresist layer patterning step of patterning the first photoresist layer so that the first photoresist layer in the first light emitting region remains by pattern exposure and development of the first photoresist layer;
A first organic electroluminescence layer patterning step of patterning the first organic electroluminescence layer by removing the first protective layer and the first organic electroluminescence layer in a portion where the first photoresist layer is removed; ,
A second organic layer that forms a second organic electroluminescent layer including at least a second light emitting layer on a substrate on which the first organic electroluminescent layer, the first protective layer, and the first photoresist layer are formed in a pattern. An electroluminescence layer forming step;
A second protective layer forming step of forming a second protective layer on the second organic electroluminescence layer;
A second photoresist layer forming step of applying a photoresist on the second protective layer to form a second photoresist layer;
A second photoresist layer patterning step of patterning the second photoresist layer so that the second photoresist layer in the second light emitting region remains by pattern-exposing and developing the second photoresist layer;
A second organic electroluminescence layer patterning step of patterning the second organic electroluminescence layer by removing the second protective layer and the second organic electroluminescence layer in a portion where the second photoresist layer is removed; ,
The first organic electroluminescence layer, the first protective layer, and the first photoresist layer are formed in a pattern, and the second organic electroluminescence layer, the second protective layer, and the second photoresist layer are patterned. A third organic electroluminescence layer forming step of forming a third organic electroluminescence layer including at least a third light emitting layer on the substrate formed in a shape;
A third protective layer forming step of forming a third protective layer on the third organic electroluminescence layer;
A third photoresist layer forming step of applying a photoresist on the third protective layer to form a third photoresist layer;
A third photoresist layer patterning step of patterning the third photoresist layer so that the third photoresist layer in the third light emitting region remains by pattern exposure and development of the third photoresist layer;
A third organic electroluminescence layer patterning step of patterning the third organic electroluminescence layer by removing the third protective layer and the third organic electroluminescence layer in a portion where the third photoresist layer is removed; ,
A stripping step of stripping the remaining first photoresist layer, the second photoresist layer, and the third photoresist layer, and the first protective layer, the second protective layer, and the third protective layer in this order; The manufacturing method of the organic electroluminescent element characterized by having. 前記第１有機エレクトロルミネッセンス層、前記第１保護層および前記第１フォトレジスト層が、前記第２有機エレクトロルミネッセンス層および前記第３有機エレクトロルミネッセンス層の形成に用いる溶媒に不溶であり、前記第２有機エレクトロルミネッセンス層、前記第２保護層および前記第２フォトレジスト層が、前記第３有機エレクトロルミネッセンス層の形成に用いる溶媒に不溶であることを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The first organic electroluminescent layer, the first protective layer, and the first photoresist layer are insoluble in a solvent used for forming the second organic electroluminescent layer and the third organic electroluminescent layer, and The organic electroluminescence device according to claim 3, wherein the organic electroluminescence layer, the second protective layer, and the second photoresist layer are insoluble in a solvent used for forming the third organic electroluminescence layer. Manufacturing method. 前記各保護層が、水溶性セルロース誘導体、有機溶剤可溶性の変性セルロース誘導体、水溶性ポリビニルアルコール誘導体およびフッ素系高分子材料からなる群から選択される少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   Each of the protective layers contains at least one selected from the group consisting of a water-soluble cellulose derivative, a modified cellulose derivative soluble in an organic solvent, a water-soluble polyvinyl alcohol derivative, and a fluorine-based polymer material. The manufacturing method of the organic electroluminescent element in any one of Claim 1- Claim 4. 前記剥離工程が、前記各フォトレジスト層のみを剥離する工程と、前記各保護層のみを剥離する工程とを有することを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The organic electro of any one of claims 1 to 5, wherein the peeling step includes a step of peeling only each of the photoresist layers and a step of peeling only each of the protective layers. Manufacturing method of luminescence element. 前記剥離工程が、前記各フォトレジスト層および前記各保護層を溶解する剥離液を用いて、前記各フォトレジスト層および前記各保護層を上層から徐々に剥離する工程であることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The stripping step is a step of gradually stripping each photoresist layer and each protective layer from an upper layer using a stripping solution that dissolves each photoresist layer and each protective layer. The manufacturing method of the organic electroluminescent element in any one of Claim 1- Claim 5. 前記剥離工程後、前記各有機エレクトロルミネッセンス層の最表面を洗浄する洗浄工程を行うこと特徴とする請求項１から請求項７までのいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The method for producing an organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 7, wherein a cleaning step of cleaning the outermost surface of each organic electroluminescent layer is performed after the peeling step. 前記剥離工程後、前記各有機エレクトロルミネッセンス層の最表面をプラズマ処理するプラズマ処理工程を行うことを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The method for producing an organic electroluminescence element according to any one of claims 1 to 7, wherein a plasma treatment step of performing a plasma treatment on an outermost surface of each organic electroluminescence layer is performed after the peeling step.
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