JP2005191551A - 半導体チップ製造方法および半導体チップ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 この発明の半導体チップ製造方法は、基板1の主面上に窒化ガリウム系化合物半導体2,3を積層したウェハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法であり、ウェハーの窒化ガリウム系化合物半導体層2,3側に第一の割り溝11を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成する工程と、ウェハーの基板1側に第一の割り溝11の中央線と合致しない位置で、第一の割り溝11の線幅(W1)とほぼ同等もしくはより細い線幅(W2)を有する第二の割り溝22を形成する工程と、第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って、ウェハーをチップ状に分離する工程と、を有することを特徴としている。
【選択図】 図1
Description
また、チップ断面が斜めになるため、チップサイズを小さくすることが困難で、一枚のウェハーから取り出せるチップ数が制約され、生産性が悪化するという問題点も有していた。
このようにして350μm角のチップになるようにスクライブラインを入れ、第二の割り溝を形成する。但し、第二の割り溝を形成する位置は、第一の割り溝11aの線の中央線11bと合致しない位置とする。
2 n型層
2a n型GaN層
3 p型層
3a p型GaN層
11 第一の割り溝
11a 第一の割り溝
11b 第一の割り溝の中央線
22 第二の割溝
W1 第一の割り溝の線幅
W2 第二の割り溝の線幅
Claims (11)
- 基板の主面上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウェハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する半導体チップ製造方法において、
前記ウェハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側に第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成する工程と、
前記ウェハーの基板側に第一の割り溝の中央線と合致しない位置で、第一の割り溝の線幅(W1)とほぼ同等もしくはより細い線幅(W2)を有する第二の割り溝を形成する工程と、
前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って、前記ウェハーをチップ状に分離する工程と、
を有することを特徴とする半導体チップ製造方法。 - 前記基板をサファイアとし、そのサファイア基板のC面を主面としたときに、前記第一および第二の割り溝は、オリフラ(11‐20)と平行な第一の方向と、当該第一の方向と直交する第二の方向とに沿って形成され、その第一および第二の割り溝に沿ってウェハーを分離する、請求項1に記載の半導体チップ製造方法。
- 前記第一の割り溝の線と合致しない位置は、基板を平面視した場合に、第一の割り溝の中央線に対してその第一の割り溝の線幅(W1)の20〜100%だけ離れた位置である、請求項1または2に記載の半導体チップ製造方法。
- 前記第二の割り溝を形成する工程において、チップの斜め割れする角度が60〜85°の切断面を有するように、第二の割り溝を形成する、請求項1から3の何れか1項に記載の半導体チップ製造方法。
- 前記第二の割り溝を形成する前に、基板側を研磨して基板の厚さを60〜100μmに調整する工程を具備する、請求項1から4の何れか1項に記載の半導体チップ製造方法。
- 前記第一の割り溝に、窒化ガリウム系化合物半導体チップの電極を形成する電極形成面を臨ませる、請求項1から5の何れか1項に記載の半導体チップ製造方法。
- 前記第二の割り溝をエッチング、ダイシング、パルスレーザー、およびスクライブから選ばれた少なくとも一つの方法により形成する、請求項1から6の何れか1項に記載の半導体チップ製造方法。
- 前記基板が六方晶のSiCからなる、請求項1から7の何れか1項に記載の半導体チップ製造方法。
- 前記基板が六方晶の窒化物半導体からなる、請求項1から7の何れか1項に記載の半導体チップ製造方法。
- 前記基板が六方晶のGaNからなる、請求項1から7の何れか1項に記載の半導体チップ製造方法。
- 請求項1から10の何れか1項に記載の半導体チップ製造方法により得られた半導体チップ。
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