JP2005158796A - Treatment equipment - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To enable a treatment in which a sufficient treatment speed is not obtained by the treatment by activated oxygen, such as the ashing, removal or the like of an ion-implanted resist in treatment equipment, and which differs from the treatment by activated oxygen in conventional devices, inhibits the effect of an oxidation to an article to be treated and utilizes vacuum ultraviolet rays. <P>SOLUTION: The treatment equipment is provided with a light source emitting vacuum ultraviolet rays and a discharge vessel and/or a treatment space with the light source, and an introducing port introducing a gas activated by the irradiation of a light is arranged in the treatment equipment. In the treatment equipment, N<SB>m</SB>H<SB>n</SB>(N represents a nitrogen atom, H a hydrogen atom and (m) and (n) arbitrary natural numbers) is used as the activated gas. In the treatment equipment, the irradiating means of vacuum ultraviolet rays emitted from the light source are imparted to the N<SB>m</SB>H<SB>n</SB>gas. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、真空紫外光を利用する処理装置に関する。更には、処理用ガスに真空紫外光を照射することにより該処理用ガスを活性化させ被処理物に作用させる処理装置であって、例えば表面改質、乾式洗浄、レジストの灰化・除去、Ｓｉ表面のエッチングなどに利用できる処理装置に関する。   The present invention relates to a processing apparatus using vacuum ultraviolet light. Furthermore, a processing apparatus that activates the processing gas by irradiating the processing gas with vacuum ultraviolet light and acts on the object to be processed, such as surface modification, dry cleaning, resist ashing / removal, The present invention relates to a processing apparatus that can be used for etching a Si surface.

従来、真空紫外光を利用して処理を行う処理装置は、例えば表面改質、乾式洗浄、レジストの灰化・除去等の種々の分野で広く利用されてる。これらの処理装置を大別すると、該真空紫外光を被照射物に直接照射することで該被照射物が光化学反応等を起こすことにより処理される場合と、該真空紫外光を酸素分子等に照射して活性酸素原子等を生成し該被照射物を処理する場合とがある。   2. Description of the Related Art Conventionally, processing apparatuses that perform processing using vacuum ultraviolet light are widely used in various fields such as surface modification, dry cleaning, resist ashing and removal, and the like. These processing devices can be broadly classified into cases where the irradiated object is processed by causing a photochemical reaction or the like by directly irradiating the irradiated object with the vacuum ultraviolet light, and the vacuum ultraviolet light is converted into oxygen molecules or the like. In some cases, irradiation is performed to generate active oxygen atoms and the like, and the irradiated object is processed.

特に、洗浄やレジストの灰化・除去の分野では該真空紫外光を酸素分子に照射して活性酸素原子を生成し該被照射物を処理することが広く利用されている。この技術としては、例えば低圧水銀ランプを利用した処理装置として、特公平４−９３７３号等が知られている。   In particular, in the fields of cleaning and resist ashing / removal, it is widely used to irradiate oxygen molecules with the vacuum ultraviolet light to generate active oxygen atoms and to treat the irradiated object. For example, Japanese Patent Publication No. 4-9373 is known as a processing apparatus using a low-pressure mercury lamp.

該公報によれば、光源としての低圧水銀ランプから放射される波長１８４ｎｍの真空紫外光が酸素と反応してオゾンを生成し、波長２４５ｎｍの紫外線が生成された該オゾンを分解することにより活性酸素原子を生成し、被照射物表面に付着した有機汚染物を酸化分解し飛散させることが記載されている。この場合、該低圧水銀ランプから放射される光は該低圧水銀ランプ内に封入された水銀の共鳴線であり、真空紫外光領域の光（１８５ｎｍ）と紫外線領域の光（２５４ｎｍ）との両方を利用し処理を行うものである。   According to the publication, vacuum ultraviolet light having a wavelength of 184 nm emitted from a low-pressure mercury lamp as a light source reacts with oxygen to generate ozone, and active oxygen is decomposed by decomposing the ozone from which ultraviolet light having a wavelength of 245 nm is generated. It describes that atoms are generated and organic contaminants attached to the surface of the irradiated object are oxidatively decomposed and scattered. In this case, the light emitted from the low-pressure mercury lamp is a resonance line of mercury enclosed in the low-pressure mercury lamp, and both the light in the vacuum ultraviolet region (185 nm) and the light in the ultraviolet region (254 nm) are used. It is used for processing.

ここで、真空紫外光及び紫外線によるオゾンの生成機構とその洗浄作用とは次のように考えられている。
Ｏ２＋１８５ｎｍ光→Ｏ（３Ｐ）＋Ｏ（３Ｐ）
Ｏ２＋Ｏ（３Ｐ）→Ｏ３
Ｏ３＋２５４ｎｍ光→Ｏ２＋Ｏ（１Ｄ）
この反応式では、酸素分子Ｏ２に１８５ｎｍの真空紫外光が照射されると、低エネルギーの酸素原子Ｏ（３Ｐ）が２個生成される。この低エネルギーの酸素原子Ｏ（３Ｐ）と酸素分子Ｏ２とが衝突することによりオゾンＯ３が生成される。更に、生成されたオゾンＯ３に２５４ｎｍの紫外線が照射されることによりオゾンＯ３が分解し酸素分子と活性酸素Ｏ（１Ｄ）が生成される、ことを示している。 Here, the generation mechanism of ozone by vacuum ultraviolet light and ultraviolet light and its cleaning action are considered as follows.
O 2 +185 nm light → O (3P) + O (3P)
O 2 + O (3P) → O 3
O 3 +254 nm light → O 2 + O (1D)
In this reaction formula, when the oxygen molecule O 2 is irradiated with 185 nm vacuum ultraviolet light, two low-energy oxygen atoms O (3P) are generated. Ozone O 3 is generated by collision of the low energy oxygen atoms O (3P) and oxygen molecules O 2 . Further, it is shown that the ozone O 3 is decomposed by irradiating the generated ozone O 3 with ultraviolet rays of 254 nm to generate oxygen molecules and active oxygen O (1D).

また、従来の真空紫外光を利用した処理における他の例としては、エキシマランプから照射される真空紫外光を酸素分子に照射する技術がある。図８に従来の処理装置として誘電体バリア放電を利用したエキシマランプを具備した表面洗浄装置を示す。該表面洗浄装置８０は、ランプハウス８１と処理室８２との間に光取り出し窓８７を配置したものである。該ランプハウス８１内には円筒形の外側管８４ａと円筒形の内側管８４ｂとを同軸に配置し該内側管８４ｂの内面と該外側管８４ａの外面に電極８３ａ、８３ｂを設け、該外側管８４ａと該内側管８４ｂとの間に放電用ガスを封入したエキシマランプ８４が配置されている。該エキシマランプ８４には放電用電源８５から高周波高電圧が印加されている。また、処理室８２側には、酸化性流体導入口８６ａと酸化性流体排出口８６ｂとが設けられている。また、該処理室８２内には試料台８８の上に被処理物８９が配置され、該エキシマランプ８４側から放射される真空紫外光が該被処理物８９表面と該処理室８２内に導入された酸化性流体に照射されるものである。   As another example of processing using conventional vacuum ultraviolet light, there is a technique of irradiating oxygen molecules with vacuum ultraviolet light irradiated from an excimer lamp. FIG. 8 shows a surface cleaning apparatus equipped with an excimer lamp using dielectric barrier discharge as a conventional processing apparatus. In the surface cleaning device 80, a light extraction window 87 is disposed between the lamp house 81 and the processing chamber 82. In the lamp house 81, a cylindrical outer tube 84a and a cylindrical inner tube 84b are disposed coaxially, and electrodes 83a and 83b are provided on the inner surface of the inner tube 84b and the outer surface of the outer tube 84a, respectively. An excimer lamp 84 in which a discharge gas is sealed is disposed between 84a and the inner tube 84b. A high frequency high voltage is applied to the excimer lamp 84 from a discharge power supply 85. Further, an oxidizing fluid inlet 86a and an oxidizing fluid outlet 86b are provided on the processing chamber 82 side. Further, an object 89 to be processed is disposed on the sample stage 88 in the processing chamber 82, and vacuum ultraviolet light emitted from the excimer lamp 84 side is introduced into the surface of the object 89 and the processing chamber 82. The irradiated oxidizing fluid is irradiated.

このような従来の真空紫外光を利用した処理装置として例えば、特許第２９４８１１０号公報が知られている。該公報によれば、キセノンが主成分であるガスを封入した誘電体バリア放電ランプから照射される真空紫外光を利用してオゾンと活性酸素を生成し処理物表面を酸化、洗浄する方法が開示されている。該公報にあるように、キセノンエキシマＸｅ２を利用するＸｅ２エキシマランプから放射されるエキシマ光である波長１７２ｎｍの真空紫外光を酸素分子に照射すると、直接活性酸素が生成される。この場合、該真空紫外光による活性酸素の生成機構は次のように考えられている。
Ｏ２＋１７２ｎｍ光→Ｏ（３Ｐ）＋Ｏ（１Ｄ）
この反応は、酸素分子Ｏ２にＸｅ２エキシマランプから放射されるエキシマ光である波長１７２ｎｍの真空紫外光が照射されると該酸素分子Ｏ２は低エネルギーの酸素原子Ｏ（３Ｐ）と活性酸素Ｏ（１Ｄ）とに分解する、ことを示している。 For example, Japanese Patent No. 2948110 is known as a processing apparatus using such conventional vacuum ultraviolet light. According to the publication, there is disclosed a method for generating ozone and active oxygen by using vacuum ultraviolet light irradiated from a dielectric barrier discharge lamp in which a gas containing xenon as a main component is sealed, and oxidizing and cleaning the surface of the processed material. Has been. As disclosed in the publication, when oxygen molecules are irradiated with vacuum ultraviolet light having a wavelength of 172 nm, which is excimer light emitted from an Xe 2 excimer lamp using xenon excimer Xe 2 , active oxygen is directly generated. In this case, the generation mechanism of active oxygen by the vacuum ultraviolet light is considered as follows.
O 2 +172 nm light → O (3P) + O (1D)
In this reaction, when oxygen molecules O 2 are irradiated with vacuum ultraviolet light having a wavelength of 172 nm, which is excimer light emitted from a Xe 2 excimer lamp, the oxygen molecules O 2 are reduced to low-energy oxygen atoms O (3P) and active oxygen. It decomposes into O (1D).

しかし、前記低圧水銀ランプや前記エキシマランプによる処理においては、必ず酸素から光励起により活性酸素を形成して処理を行っており、被処理物が酸化されては困るような場合には大きな問題があった。例えば、Ｓｉ表面を洗浄する場合、該活性酸素の影響で部分的にはＳｉＯ２が形成され半導体素子形成時の接触抵抗等の特性に大きく影響してしまう。また、銅等の金属表面においては、酸化銅等の金属酸化物が形成されてしまうといった問題が生じていた。更には、上述したように該活性酸素原子はエネルギーが非常に高いので被処理物内に酸素原子が侵入し、被処理物を変質させたり、吸収された酸素が後に不純ガスとして放出されるといった問題があった。 However, in the treatment with the low-pressure mercury lamp or the excimer lamp, active oxygen is always formed from oxygen by photoexcitation, and there is a big problem when it is difficult to oxidize the workpiece. It was. For example, when cleaning the Si surface, SiO 2 is partially formed under the influence of the active oxygen, which greatly affects characteristics such as contact resistance when forming a semiconductor element. Further, there has been a problem that metal oxides such as copper oxide are formed on the metal surface such as copper. Furthermore, as described above, the active oxygen atoms have very high energy, so that oxygen atoms enter the object to be processed, alter the object to be processed, and absorbed oxygen is later released as an impure gas. There was a problem.

また、レジストの灰化・除去においては、例えばレジストを塗布した状態でイオン注入等の処理を行った場合レジスト自身が変質し分解されにくくなるため活性酸素を形成してもレジストの除去速度が極端に低下するといった問題があった。   In resist ashing / removal, for example, when ion implantation or the like is performed with the resist applied, the resist itself changes in quality and is not easily decomposed. There was a problem such as lowering.

一方、真空紫外光を用いた処理装置には酸素を用いない場合もある。例えば、特公平７−１１０９０４号公報には、反応ガスとしてＮＨ３とＢ３Ｈ６の混合ガスを１．９ＫＰａで反応セルに封入し、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを照射することが開示されている。この技術はフッ素系樹脂の表面改質を行う場合に真空紫外光をＮＨ３雰囲気中で被照射物表面に照射することにより該フッ素系樹脂のＦ−Ｃ結合を切断し、−ＮＨ２基が形成され親水性の改善が行われるといったものである。 On the other hand, oxygen may not be used in a processing apparatus using vacuum ultraviolet light. For example, Japanese Patent Publication No. 7-110904 discloses that a mixed gas of NH 3 and B 3 H 6 is sealed in a reaction cell at 1.9 KPa as a reaction gas and irradiated with an ArF excimer laser having a wavelength of 193 nm. Yes. This technique disconnects the F-C bonds of the fluorocarbon resin by irradiating the object to be irradiated surface of the vacuum ultraviolet light in an NH 3 atmosphere when performing the surface modification of the fluorine-based resin, -NH 2 groups It is formed and hydrophilicity is improved.

また、真空紫外光を用いた処理装置であって酸素を用いない場合の他の例として、窒化膜の形成後のアニール処理に真空紫外光をアンモニアに照射し低温処理を可能にしたものが特開平１１−３３５８５０号公報に記載されている。該公報によれば、低圧水銀灯から放射される紫外線をアンモニアに照射することにより、アンモニア自身が励起され、被対象物を５００℃程度加熱するだけで安定した窒化膜の形成が可能になることが開示されてる。この技術は、紫外線のエネルギーをアンモニアを介して被対象物に伝えることで熱エネルギーの不足分を補うと共に、アンモニア中のＮを利用して窒化膜の形成を促進するといったものである。   Another example of a processing apparatus that uses vacuum ultraviolet light and does not use oxygen is one that enables low-temperature processing by irradiating ammonia with vacuum ultraviolet light for annealing after the formation of the nitride film. It is described in Kaihei 11-335850. According to this publication, by irradiating ammonia with ultraviolet light emitted from a low-pressure mercury lamp, ammonia itself is excited, and a stable nitride film can be formed simply by heating the object to about 500 ° C. It is disclosed. This technique compensates for the shortage of thermal energy by transmitting ultraviolet energy to the object via ammonia, and promotes the formation of a nitride film using N in ammonia.

このように酸素を用いないで真空紫外光を照射する処理装置としては、被照射物と反応ガスとが置換、もしくは被照射物上に積層するといった技術は知られているが、真空紫外光を照射する処理装置において、例えば有機物の洗浄等は酸素を用いないで行うことはできなかった。   As a processing apparatus for irradiating vacuum ultraviolet light without using oxygen as described above, there is known a technique in which an object to be irradiated and a reactive gas are substituted or laminated on the object to be irradiated. In the irradiation processing apparatus, for example, cleaning of organic substances cannot be performed without using oxygen.

特公平４−９３７３号No. 4-9373 特許第２９４８１１０号Patent No. 2948110 特開平１１−３３５８５０号JP-A-11-335850

この発明が解決しようとする課題は、従来の活性化された酸素による処理とは異なり、被処理物への酸化の影響を抑制した処理装置を提供することにある。更には、真空紫外光を利用した処理装置であって活性化された酸素による処理では充分な処理速度が得られないような処理、例えばイオン注入されたレジストの灰化・除去等を可能とする処理装置を提供することを目的とする。   The problem to be solved by the present invention is to provide a treatment apparatus that suppresses the influence of oxidation on an object to be treated, unlike the conventional treatment with activated oxygen. Furthermore, it is a processing apparatus using vacuum ultraviolet light, and enables processing that does not provide a sufficient processing speed by processing with activated oxygen, for example, ashing / removing the ion-implanted resist. An object is to provide a processing apparatus.

本発明は、ＮｍＨｎ（Ｎは窒素原子、Ｈは水素原子、ｍ、ｎは、任意の自然数）から成るガスに真空紫外光を照射することにより、励起された該ＮｍＨｎガスを利用して、従来の酸素による洗浄等で用いられる酸素との結合、いわゆる燃焼反応とは異なる反応により処理を行うことを特徴としている。 The present invention relates to the excited N m H n gas by irradiating vacuum ultraviolet light to a gas composed of N m H n (N is a nitrogen atom, H is a hydrogen atom, m and n are arbitrary natural numbers). Is characterized in that the treatment is performed by a reaction different from the so-called combustion reaction, which is combined with oxygen used in conventional oxygen cleaning or the like.

具体的には、ＮｍＨｎ（Ｎは窒素原子、Ｈは水素原子、ｍ、ｎは、任意の自然数）から成るガス、例えばアンモニア（ＮＨ３）について述べると、該アンモニアに真空紫外光を照射すると、活性なＮＨ（ａ１Δ）、ＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈ、が生成される。この
活性なＮＨ（ａ１Δ）、ＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈ、等を用いることにより、有機物分解による洗浄、レジストの灰化・除去、といった処理において被処理物への酸素の影響を抑制することを可能としたものである。 Specifically, a gas composed of N m H n (N is a nitrogen atom, H is a hydrogen atom, m and n are arbitrary natural numbers), for example, ammonia (NH 3 ), vacuum ultraviolet light is applied to the ammonia. When irradiated, active NH (a 1 Δ), NH (X 3 Σ), and H are generated. By using this active NH (a 1 Δ), NH (X 3 Σ), H, etc., the influence of oxygen on the object to be processed is suppressed in processes such as cleaning by organic substance decomposition and resist ashing / removal. It is possible to do.

本発明の処理装置における具体的な構成としては、真空紫外光を放射する光源と、該光源を具備した放電容器及び／または処理空間を備え、光を照射することにより活性化されるガスを導入する導入口を配置した処理装置であって、該活性化されるガスがＮｍＨｎ（Ｎは窒素原子、Ｈは水素原子、ｍ、ｎは、任意の自然数）であり、該ＮｍＨｎガスに、前記光源から放射される真空紫外光の照射手段を具備したことを特徴とする。 As a specific configuration of the processing apparatus of the present invention, a light source that radiates vacuum ultraviolet light, a discharge vessel equipped with the light source and / or a processing space is provided, and a gas activated by irradiation with light is introduced. The gas to be activated is N m H n (N is a nitrogen atom, H is a hydrogen atom, m and n are arbitrary natural numbers), and the N m H The n gas is provided with means for irradiating vacuum ultraviolet light emitted from the light source.

更には、前記ＮｍＨｎガスがアンモニアガスであって、該アンモニアガスの分圧が０．１ＫＰａ以上１０ＫＰａ以下であることを特徴とする。 Furthermore, the N m H n gas is ammonia gas, and the partial pressure of the ammonia gas is 0.1 KPa or more and 10 KPa or less.

また、前記光源が、波長１７２ｎｍに最大値を有するＸｅ２エキシマ光、波長１４６ｎｍに最大値を有するＫｒ２エキシマ光、あるいは波長１２６ｎｍに最大値を有するＡｒ２エキシマ光を発生する誘電体バリア放電を利用したエキシマランプであることを特徴とする。 In addition, the light source generates a dielectric barrier discharge that generates Xe 2 excimer light having a maximum value at a wavelength of 172 nm, Kr 2 excimer light having a maximum value at a wavelength of 146 nm, or Ar 2 excimer light having a maximum value at a wavelength of 126 nm. The excimer lamp is used.

また、前記アンモニアガスに、真空紫外光を照射した後、該真空紫外光で励起された該アンモニアガスを被処理物に噴射することを特徴とする。   In addition, the ammonia gas is irradiated with vacuum ultraviolet light, and then the ammonia gas excited by the vacuum ultraviolet light is jetted onto an object to be processed.

また、真空紫外光を発生する手段として、放電用ガスを希ガスとした誘電体バリア放電を用い、且つ該放電用ガスにアンモニアを混合させたことを特徴とする。   Further, as means for generating vacuum ultraviolet light, dielectric barrier discharge using a discharge gas as a rare gas is used, and ammonia is mixed with the discharge gas.

更に、前記真空紫外光を被照射物に直接照射しない為の遮光手段を設けるても良い。   Further, a light shielding means may be provided so that the object to be irradiated is not directly irradiated with the vacuum ultraviolet light.

また、真空紫外光を放射する光源と、該光源を具備した放電容器及び／または処理空間を備え、光を照射することにより活性化されるガスを導入する導入口を配置した処理装置であって、該活性化されるガスがアンモニアであり、該アンモニアガスに該光源から放射される真空紫外光を照射する手段を具備しており、該光源として、波長１４６ｎｍに最大値を有するＫｒ２エキシマ光あるいは波長１２６ｎｍに最大値を有するＡｒ２エキシマ光を発生する誘電体バリア放電を用い、ＳｉＯ２の表面をエッチングすることを特徴とする。 Also, a processing apparatus comprising a light source that radiates vacuum ultraviolet light, a discharge vessel equipped with the light source and / or a processing space, and an introduction port for introducing a gas activated by irradiation with light. The activated gas is ammonia, and the ammonia gas is provided with means for irradiating vacuum ultraviolet light emitted from the light source. As the light source, Kr 2 excimer light having a maximum value at a wavelength of 146 nm is provided. Alternatively, the surface of SiO 2 is etched using dielectric barrier discharge that generates Ar 2 excimer light having a maximum value at a wavelength of 126 nm.

本発明の請求項１の記載によれば、光照射により活性化されるガスに酸素を含むことなく洗浄等の処理が可能となるため、被処理物への酸素の影響を抑制することができる。更には、活性化されるガスがＮｍＨｎ（Ｎは窒素原子、Ｈは水素原子、ｍ、ｎは、任意の自然数）であるので、生成された活性種はＮＨ分子の状態で存在する。このＮＨ分子からなる活性種は酸素原子等と比べて分子量が大きくなるため、例えばＳｉＯ２等の被処理物に該活性種が侵入して、該被処理物を変質させたり、表面に吸収され後の工程で不純ガスとして放出されるような不具合を生じない。 According to the first aspect of the present invention, it is possible to perform a treatment such as cleaning without containing oxygen in the gas activated by light irradiation, so that the influence of oxygen on the object to be treated can be suppressed. . Furthermore, since the gas to be activated is N m H n (N is a nitrogen atom, H is a hydrogen atom, and m and n are arbitrary natural numbers), the generated active species exists in the state of NH molecules. . Since the active species composed of NH molecules has a molecular weight larger than that of oxygen atoms or the like, for example, the active species penetrates into the object to be treated such as SiO 2 and changes the property of the object to be treated or absorbed on the surface. There is no problem of being released as an impure gas in a later process.

また、本発明の請求項２に記載の発明によれば、該ＮｍＨｎガスがアンモニアであるため、真空紫外光を該ガスに照射することにより、活性なＮＨ（ａ１Δ）、ＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈ等が生成され、被処理物を酸化することなく、分解しにくい有機物の灰化・除去を行うことができるといった効果がある。また、ＮＨ（ａ１Δ）、ＮＨ（Ｘ３Σ）は分子であるため、被処理物に侵入することがないので、後の工程でガスとして放出されたり、該被照射物自身を変質させたりすることが無く、処理が可能であるといった利点がある。更には、真空紫外光の照射により生成されたＨは、拡散係数が大きいので、被処理物に侵入したとしても直ちに放出されるため、後の工程でガス放出等を発生するといった害にならない。 According to the second aspect of the present invention, since the N m H n gas is ammonia, active NH (a 1 Δ), NH can be obtained by irradiating the gas with vacuum ultraviolet light. (X 3 Σ), H, and the like are generated, and there is an effect that it is possible to ash and remove organic substances that are difficult to decompose without oxidizing the object to be processed. In addition, since NH (a 1 Δ) and NH (X 3 Σ) are molecules, they do not enter the object to be processed. Therefore, NH (a 1 Δ) and NH (X 3 Σ) are released as a gas in a later process or alter the object itself. There is an advantage that processing is possible. Furthermore, since H generated by irradiation with vacuum ultraviolet light has a large diffusion coefficient, it is released immediately even if it enters the object to be processed, so that it does not cause harm such as generation of gas in a later process.

また、該アンモニアガスの分圧が１００Ｐａ以上なので、不純ガスである酸素、水の混入が少なく、被処理物を酸化することが無い。更に、アンモニアの分圧が１０ｋＰａ以下であるので、ＮＨ（ａ１Δ）、ＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈ等がアンモニアと衝突して消滅する割合が少なく、効率の良い有機物の灰化・除去等が出来る。 Further, since the partial pressure of the ammonia gas is 100 Pa or more, there is little mixing of impure oxygen and water, and the object to be treated is not oxidized. Furthermore, since the partial pressure of ammonia is 10 kPa or less, NH (a 1 Δ), NH (X 3 Σ), H, etc. collide with ammonia and the rate of disappearance is small, and ashing / removal of organic substances is efficient. Etc. can be done.

アンモニアガスＮＨ３の分圧による洗浄効果の確認には、例えば光洗浄した石英ガラスに対する水の接触角を測定することにより行える。具体的には、予め精密洗浄を行った石英ガラス（縦３０ｍｍ、横３０ｍｍ、厚み１ｍｍ）を室内で２４時間大気中放置し、図１に示す照射装置の光取り出し窓２７の下面と該石英ガラス表面までの距離を３ｍｍ、及び６ｍｍとしてアンモニアガスＮＨ３の分圧を変えて照射処理し、その後水との接触角を測定した。光照射にはＡｒを放電容器内に３５ＫＰａ封入し電極間にＡｒプラズマを発生させ、光取り出し窓２７の下面における放射輝度を４．５ｍＷ／ｃｍ２と成るようにし、各分圧下で各々２分間の照射処理を行った。アンモニアガスＮＨ３の分圧は０．０５ＫＰａから１５ＫＰａまで図７のように変えた場合の測定を行った。 The cleaning effect due to the partial pressure of the ammonia gas NH 3 can be confirmed by, for example, measuring the contact angle of water with quartz glass that has been optically cleaned. Specifically, quartz glass (30 mm long, 30 mm wide, 1 mm thick) that has been precision-cleaned in advance is left indoors in the atmosphere for 24 hours, and the lower surface of the light extraction window 27 of the irradiation apparatus shown in FIG. The distance to the surface was 3 mm and 6 mm, and irradiation treatment was performed while changing the partial pressure of ammonia gas NH 3 , and then the contact angle with water was measured. For light irradiation, Ar is sealed in a discharge vessel at 35 KPa, Ar plasma is generated between the electrodes, the radiance at the lower surface of the light extraction window 27 is 4.5 mW / cm 2, and each time for 2 minutes under each partial pressure. The irradiation treatment was performed. Measurement was performed when the partial pressure of the ammonia gas NH 3 was changed from 0.05 KPa to 15 KPa as shown in FIG.

０．１ＫＰａ未満では、全体としての活性なＮＨ（ａ１Δ）、ＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈなどの量が少なくなり、充分な洗浄ができなかった。これにより、０．０５ＫＰａでは接触角自身が大きくなったと考えられる。また、逆にアンモニアガスＮＨ３の分圧を高くした場合、１０ＫＰａを超えると接触角が大きくなっていた。これは、該アンモニアガスＮＨ３は多原子分子であるため、アンモニアガスＮＨ３の分圧が高くなると活性化されていないアンモニアガスＮＨ３との衝突により活性なＮＨ（ａ１Δ）、ＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈなどが消滅する効果が大きくなり、洗浄効果が低下したと考えられる。これらの確認実験によりアンモニアガスＮＨ３の分圧は０．１ＫＰａ以上、１０ＫＰａ以下において効果があると言える。更に好ましくは、０．５ＫＰａ以上、５ＫＰａ以下においてより顕著な効果があると言える。 If it was less than 0.1 KPa, the amount of active NH (a 1 Δ), NH (X 3 Σ), H and the like as a whole decreased, and sufficient cleaning could not be performed. Thereby, it is considered that the contact angle itself increased at 0.05 KPa. On the contrary, when the partial pressure of the ammonia gas NH 3 is increased, the contact angle is increased when the partial pressure exceeds 10 KPa. This is because the ammonia gas NH 3 is a polyatomic molecule. Therefore, when the partial pressure of the ammonia gas NH 3 is increased, the ammonia gas NH 3 is activated by collision with the ammonia gas NH 3 that is not activated, NH (a 1 Δ), NH ( X 3 Σ), H and the like disappear, and the cleaning effect is considered to be reduced. According to these confirmation experiments, it can be said that the partial pressure of the ammonia gas NH 3 is effective when it is 0.1 KPa or more and 10 KPa or less. More preferably, it can be said that there are more remarkable effects at 0.5 KPa or more and 5 KPa or less.

更に、本発明の請求項３に記載の発明によれば、真空紫外光を放射する光源が誘電体バリア放電を利用した波長１７２ｎｍに最大値を有するＸｅ２エキシマ光であるので、反応ガスが例えばアンモニアガスであれば活性なＮＨ（ａ１Δ）を形成できる。また、該光源が波長１４６ｎｍに最大値を有するＫｒ２エキシマ光あるいは波長１２６ｎｍに最大値を有するＡｒ２エキシマ光を利用することにより、アンモニアガスに該真空紫外光を照射すると活性なＮＨ（ａ１Δ）に加えて、活性なＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈが生成され、被処理物を効率良く処理できるといった利点がある。更には、該光源を誘電体バリア放電を利用したエキシマランプにすることにより、高効率で所定の真空紫外光を発生することが出来るので、余分な波長域の光が被処理物に照射されず、被処理物の過熱等を招くことなく例えば有機物等の除去が可能となるといった効果がある。また、該光源の形態上、金属電極の損耗が無いので、被処理物を汚染しない。 Further, according to the invention described in claim 3 of the present invention, since the light source that emits vacuum ultraviolet light is Xe 2 excimer light having a maximum value at a wavelength of 172 nm using dielectric barrier discharge, the reaction gas is, for example, If it is ammonia gas, active NH (a 1 Δ) can be formed. Further, since the light source is utilized Ar 2 excimer light having the maximum value Kr 2 excimer light or wavelength 126nm with a maximum at a wavelength 146 nm, when irradiated with vacuum ultraviolet light to ammonia gas active NH (a 1 In addition to Δ), active NH (X 3 Σ) and H are generated, and there is an advantage that the object to be processed can be processed efficiently. Furthermore, by using an excimer lamp that uses dielectric barrier discharge as the light source, predetermined vacuum ultraviolet light can be generated with high efficiency, so that light to be processed is not irradiated with light in an extra wavelength region. For example, organic substances can be removed without causing overheating of the object to be processed. Moreover, since the metal electrode is not worn due to the form of the light source, the object to be processed is not contaminated.

更には、本発明の請求項4に記載の発明によれば、生成されたＮＨ（ａ１Δ）、ＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈ等を噴射を用いて被処理物まで有効に運ぶことが出来るため、ＮＨ（ａ１Δ）、ＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈ等の利用率が向上し、その結果、有機物の除去等、処理速度が向上するとった利点がある。また、該構成にすることにより、被処理物を大気中（通常の空気中）に置いて処理することが可能となり、被処理物が大型化した場合でも該被処理物の移動が容易となり、被処理物の連続処理も容易に行えるといった効果がある。 Furthermore, according to the invention described in claim 4 of the present invention, the produced NH (a 1 Δ), NH (X 3 Σ), H, etc. can be effectively conveyed to the object to be processed using the injection. Therefore, there is an advantage that the utilization rate of NH (a 1 Δ), NH (X 3 Σ), H, etc. is improved, and as a result, the processing speed is improved such as removal of organic substances. In addition, with this configuration, it becomes possible to process the object to be processed in the atmosphere (normal air), and even when the object to be processed is enlarged, the object to be processed can be easily moved. There is an effect that the continuous processing of the workpiece can be easily performed.

また、請求項５に記載の発明によれば、真空紫外光を発生する手段として、放電用ガスを希ガスとした誘電体バリア放電を用い、かつ、該放電用ガスにアンモニアを混入した手段を用いたので、希ガス誘電体バリア放電で発生した真空紫外光領域のエキシマ光がアンモニアに効率よく照射され、かつ、アンモニアの一部は誘電体バリア放電によってＮＨ（ａ１Δ）、ＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈ等に変えられるので、高密度のＮＨ（ａ１Δ）、ＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈ等を生成でき、有機物の除去等の速い処理速度が得られるといった利点がある。 According to the invention described in claim 5, as means for generating vacuum ultraviolet light, dielectric barrier discharge using a discharge gas as a rare gas and means for mixing ammonia in the discharge gas are provided. Therefore, excimer light in the vacuum ultraviolet light region generated by the rare gas dielectric barrier discharge is efficiently irradiated to the ammonia, and a part of the ammonia is NH (a 1 Δ), NH (X 3 Σ), H, and the like, so that high-density NH (a 1 Δ), NH (X 3 Σ), H, and the like can be generated, and a high processing speed such as removal of organic substances can be obtained.

また、請求項６に記載の発明によれば、該被照射物に直接光が照射されないように遮光の手段を設けることにより、該被照射物が光によりダメージを受けることがないといった利点がある。   According to the invention described in claim 6, there is an advantage that the irradiated object is not damaged by the light by providing a light shielding means so that the irradiated object is not directly irradiated with light. .

また、請求項７に記載の発明によれば、ＳｉＯ２に、波長１４６ｎｍに最大値を有するＫｒ２エキシマ光あるいは波長１２６ｎｍに最大値を有するＡｒ２エキシマ光を照射することで、ＳｉＯ２をＳｉ＋ＳｉＯに分解すると同時に、アンモニアに該真空紫外光を照射することよって生成されたＮＨ（ａ１Δ）、ＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈ、とを反応させることにより、ＳｉＯ２のエッチングを可能とすることができるといった効果がある。 Further, according to the invention described in claim 7, the SiO 2, by irradiating the Ar 2 excimer light having the maximum value Kr 2 excimer light or wavelength 126nm with a maximum at a wavelength 146 nm, a SiO 2 Si + SiO At the same time, it is possible to etch SiO 2 by reacting NH (a 1 Δ), NH (X 3 Σ), and H produced by irradiating ammonia with the vacuum ultraviolet light. There is an effect that can be.

本発明の処理装置は、真空紫外光を放射する手段を備え、該真空紫外光を活性化するガスに照射する装置において、該真空紫外光により活性化されるガスとしてＮｍＨｎ（Ｎは窒素原子、Ｈは水素原子、ｍ、ｎは、任意の自然数）を用いることにより、被処理物に酸素の影響を与えることなく、表面改質、乾式洗浄、レジストの灰化・除去、Ｓｉ表面のエッチングなどを良好に行えるようにしたものである。特に、該活性化されるガスにアンモニアガスを用いた場合、例えば波長１７２ｎｍに最大値を有するＸｅ２エキシマ光を照射することにより以下の反応が起こり活性なＮＨ（ａ１Δ）が生成される。
アンモニア＋真空紫外光→ＮＨ（ａ１Δ）＋Ｈ２ The processing apparatus of the present invention includes means for emitting vacuum ultraviolet light, and in an apparatus for irradiating the gas for activating the vacuum ultraviolet light, N m H n (N is a gas activated by the vacuum ultraviolet light). By using nitrogen atoms, H is hydrogen atoms, and m and n are arbitrary natural numbers), surface modification, dry cleaning, resist ashing / removal, Si surface without affecting the object to be processed Etching and the like can be performed satisfactorily. In particular, when ammonia gas is used as the gas to be activated, for example, irradiation with Xe 2 excimer light having a maximum value at a wavelength of 172 nm causes the following reaction to generate active NH (a 1 Δ). .
Ammonia + vacuum ultraviolet light → NH (a 1 Δ) + H 2

また、該活性化されるガスをアンモニアガスとし、波長１４６ｎｍに最大値を有するＫｒ２エキシマ光、あるいは波長１２６ｎｍに最大値を有するＡｒ２エキシマ光を照射することにより、ＮＨ（ａ１Δ）より更に活性なＮＨ（Ｘ３Σ）、及び活性なＨが生成される。
アンモニア＋１４６ｎｍ以下の光→ＮＨ（Ｘ３Σ）＋Ｈ＋Ｈ
かかる処理装置の具体的な構成を実施例１から実施例６までに示す。 Further, by irradiating the activated gas with ammonia gas and irradiating Kr 2 excimer light having a maximum value at a wavelength of 146 nm or Ar 2 excimer light having a maximum value at a wavelength of 126 nm, NH (a 1 Δ) Further, active NH (X 3 Σ) and active H are generated.
Ammonia + light below 146 nm → NH (X 3 Σ) + H + H
A specific configuration of such a processing apparatus is shown in the first to sixth embodiments.

本発明の処理装置における第１の実施例を図１に示す。図１は、円筒形の電極３ａ、３ｂ、３ｃの電極軸に直行する面で切った概略断面図である。該処理装置１１は放電容器１と処理空間２とから成り、該放電容器１と該処理空間２との間にはＭｇＦ２からなる光取り出し窓７が配置されている。該放電容器１から波長１２６ｎｍに最大値を有するＡｒ２エキシマ光を発生するために、放電容器１内に配置された誘電体バリア放電用の電極３ａ、３ｂ、３ｃが放電用電源５と電気的に接続され、該電極３ａ、３ｂ、３ｃは、例えば誘電体としての石英ガラス管の内側に設けられており、高周波高電圧を該電極間に印加している。本実施例において、光源とは該放電容器１と、光取り出し窓７と、該放電容器１内に配置された誘電体バリア放電用の電極３ａ、３ｂ、３ｃと、該放電容器１内に導入された発光用のＡｒガスとからなっている。該放電容器１内には、波長１２６ｎｍに最大値を有するＡｒ２エキシマ光を発生させるためＡｒが放電ガス導入口６ａから導入され、排出口６ｂから排出される。また、真空紫外光を該ＮｍＨｎガスに照射する手段としては該光取り出し窓７をＭｇＦ２のような真空紫外光を透過する部材から構成することにより達成している。 A first embodiment of the processing apparatus of the present invention is shown in FIG. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view taken along a plane orthogonal to the electrode axes of cylindrical electrodes 3a, 3b, and 3c. The processing apparatus 11 includes a discharge vessel 1 and a processing space 2, and a light extraction window 7 made of MgF 2 is disposed between the discharge vessel 1 and the processing space 2. In order to generate Ar 2 excimer light having a maximum value at a wavelength of 126 nm from the discharge vessel 1, the dielectric barrier discharge electrodes 3 a, 3 b, 3 c disposed in the discharge vessel 1 are electrically connected to the discharge power source 5. The electrodes 3a, 3b, 3c are provided, for example, inside a quartz glass tube as a dielectric, and a high frequency high voltage is applied between the electrodes. In the present embodiment, the light source is introduced into the discharge vessel 1, the light extraction window 7, the dielectric barrier discharge electrodes 3 a, 3 b, 3 c disposed in the discharge vessel 1, and the discharge vessel 1. And Ar gas for light emission. In the discharge vessel 1, Ar is introduced from the discharge gas inlet 6a and discharged from the outlet 6b in order to generate Ar 2 excimer light having a maximum value at a wavelength of 126 nm. Further, the means for irradiating the N m H n gas with vacuum ultraviolet light is achieved by forming the light extraction window 7 from a member that transmits vacuum ultraviolet light such as MgF 2 .

一方、処理空間２内には被処理物９が設置され、該被処理物９はヒーター８によって加熱が可能と成っている。該処理空間２には真空紫外光を照射することにより活性化されるガスを導入するための導入口１０ａ、及び排出口１０ｂが設けられている。この活性化されるガスは、ＮｍＨｎ（Ｎは窒素原子、Ｈは水素原子、ｍ、ｎは、任意の自然数）で表されるものであって、例えば、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、更には、アミノ基（−ＮＨ２）を有するものの化合物等がある。 On the other hand, an object to be processed 9 is installed in the processing space 2, and the object to be processed 9 can be heated by a heater 8. The processing space 2 is provided with an inlet 10a and an outlet 10b for introducing a gas activated by irradiation with vacuum ultraviolet light. Gas This activation, N m H n (N is a nitrogen atom, H is a hydrogen atom, m, n is an arbitrary natural number) be one represented by, for example, ammonia (NH 3), hydrazine (N 2 H 4 ) and further compounds having an amino group (—NH 2 ).

第１の実施例として図１に示した該処理装置１１を用いて液晶表示装置用ガラス基板の洗浄実験を行った。以下に具体的な光の照射条件等を示す。誘電体バリア放電用の電極３ａ、３ｂ、３ｃは図中では円形に示しているが、円筒形の形状であって、外径２０ｍｍ、肉厚１ｍｍ、長さ２５０ｍｍの石英ガラス管の内側にアルミニウムを挿入したもので、放電距離は６ｍｍとした。放電用ガスにはＡｒを用い、該放電容器１内のＡｒ圧力は６６．７ｋＰａ、放電電力は２００Ｗでとした。該電極３ａ、３ｂ、３ｃ間には放電プラズマ４ａ，４ｂが発生し、該放電プラズマ４ａ，４ｂから波長１２６ｎｍのＡｒのエキシマ光が放射され、光取り出し窓７から処理空間２へ照射される。該処理空間２内では導入口１０ａからアンモニアガスＮＨ３が導入され、該アンモニアガスＮＨ３にＡｒエキシマ光が照射され活性なＮＨ（Ｘ３Σ）及びＨを生成すると共に、一部の光は直接被処理物９に照射される。 As a first example, a cleaning experiment of a glass substrate for a liquid crystal display device was performed using the processing apparatus 11 shown in FIG. Specific light irradiation conditions and the like are shown below. The electrodes 3a, 3b and 3c for dielectric barrier discharge are shown in a circle in the figure, but are cylindrical and have aluminum inside a quartz glass tube having an outer diameter of 20 mm, a wall thickness of 1 mm and a length of 250 mm. The discharge distance was 6 mm. Ar was used as the discharge gas, the Ar pressure in the discharge vessel 1 was 66.7 kPa, and the discharge power was 200 W. Discharge plasmas 4a and 4b are generated between the electrodes 3a, 3b, and 3c, Ar excimer light having a wavelength of 126 nm is emitted from the discharge plasmas 4a and 4b, and irradiated to the processing space 2 from the light extraction window 7. In the processing space 2, ammonia gas NH 3 is introduced from the introduction port 10 a, and the ammonia gas NH 3 is irradiated with Ar excimer light to generate active NH (X 3 Σ) and H, and part of the light is The workpiece 9 is directly irradiated.

本実施例では該被処理物９は液晶表示装置用のガラス基板で、被処理物９と光取り出し窓７との距離は３ｍｍとした。処理空間２内のアンモニアＮＨ３の圧力を０．５３ｋＰａとし、波長１２６ｎｍのＡｒ２エキシマ光を照射した。その結果、約２０秒間の処理時間で液晶表示装置用のガラス基板を洗浄できた。 In this embodiment, the object 9 is a glass substrate for a liquid crystal display device, and the distance between the object 9 and the light extraction window 7 is 3 mm. The pressure of ammonia NH 3 in the processing space 2 was set to 0.53 kPa, and Ar 2 excimer light having a wavelength of 126 nm was irradiated. As a result, a glass substrate for a liquid crystal display device could be cleaned in a processing time of about 20 seconds.

本発明における第２の実施例を図２に示す。図２は、エキシマランプ２１のランプ管軸に直行する面で切った概略断面図で、該第２の実施例は、図１における波長１２６ｎｍに最大値を有するＡｒ２エキシマ光を発生させる放電空間1等からなる光源の構成をＸｅ２エキシマランプに置き換えたものである。具体的には、処理装置２０はランプハウス２１と処理空間２２とから成り、該ランプハウス２１と処理空間２２との間に光取り出し窓２７が配置されている。該ランプハウス２１の内部にはＸｅ２エキシマランプ２３が配置されており、該Ｘｅ２エキシマランプ２３は、放電容器として、外径２６ｍｍ、肉厚１ｍｍの外側管と、外形１６ｍｍ、肉厚１ｍｍの内側管を同軸に配置し、外側管と内側管の間の空間に５３．３ｋＰａのＸｅガスを封入したＸｅ２エキシマランプ２３である。該Ｘｅ２エキシマランプ２３は、放電用電源２５と電気的に接続され高周波高電圧を該外側管と該内側管とに各々配置された電極の間に印加する。Ｘｅ２エキシマランプ２３の放電プラズマ２４からは、波長１７２ｎｍのＸｅ２エキシマ光が放射され、光取り出し窓２７から処理空間２２へ照射される。本実施例において、光源とは、該エキシマランプ２３のことである。また、真空紫外光を該ＮｍＨｎガスに照射する手段としては、該エキシマランプの外側管を波長１７２ｎｍを透過する合成石英ガラスによって構成することにより達成している。更には、ランプハウス２１には、ガス導入口２６ａとガス排出口２６ｂとが設けられ窒素を流入しランプハウス２１内をＮ２でパージできるようにし、真空紫外光の減衰を少なくしている。また、光取り出し窓２７も波長１７２ｎｍの真空紫外光の減衰が少ない合成石英ガラスで形成している。一方、処理空間２２内には被処理物２９が設置され、該被処理物２９はヒーター２８によって加熱が可能と成っている。該処理空間２２にはＮｍＨｎガスとして例えばアンモニアＮＨ３を導入するための導入口３０ａ、及び排出口３０ｂが設けられている。 A second embodiment of the present invention is shown in FIG. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along a plane orthogonal to the lamp tube axis of the excimer lamp 21. The second embodiment is a discharge space for generating Ar 2 excimer light having a maximum value at a wavelength of 126 nm in FIG. The configuration of the light source consisting of 1 etc. is replaced with a Xe 2 excimer lamp. Specifically, the processing apparatus 20 includes a lamp house 21 and a processing space 22, and a light extraction window 27 is disposed between the lamp house 21 and the processing space 22. An Xe 2 excimer lamp 23 is arranged inside the lamp house 21. The Xe 2 excimer lamp 23 is a discharge vessel having an outer tube with an outer diameter of 26 mm and a wall thickness of 1 mm, an outer diameter of 16 mm, and a wall thickness of 1 mm. This is an Xe 2 excimer lamp 23 in which an inner tube is arranged coaxially and 53.3 kPa of Xe gas is sealed in a space between the outer tube and the inner tube. The Xe 2 excimer lamp 23 is electrically connected to the discharge power source 25 and applies a high frequency high voltage between the electrodes respectively disposed on the outer tube and the inner tube. From discharge plasma 24 of Xe 2 excimer lamp 23 is Xe 2 excimer light radiation of wavelength 172 nm, it is emitted from the light transmitting window 27 to the processing space 22. In this embodiment, the light source is the excimer lamp 23. As a means for irradiating vacuum ultraviolet light to the N m H n gases, it is achieved by forming a synthetic quartz glass which transmits wavelength 172nm outer tube of the excimer lamp. Further, the lamp house 21 is provided with a gas introduction port 26a and a gas discharge port 26b so that nitrogen can be introduced and the inside of the lamp house 21 can be purged with N 2 to reduce the attenuation of vacuum ultraviolet light. Further, the light extraction window 27 is also made of synthetic quartz glass with little attenuation of vacuum ultraviolet light having a wavelength of 172 nm. On the other hand, a processing object 29 is installed in the processing space 22, and the processing object 29 can be heated by a heater 28. The processing space 22 is provided with an inlet 30a and an outlet 30b for introducing, for example, ammonia NH 3 as N m H n gas.

本実施例では、放電電力を第１の実施例の場合と同じ２００Ｗで実験した。被処理物２９は石英ガラスで、被処理物２９と光取り出し窓２７との距離は３ｍｍ、被処理物２９の温度は２５℃で照射実験を行った。処理空間２２内のアンモニアＮＨ３の圧力は５．３ｋＰａとした。この場合、石英ガラス上の有機汚染物が約１５秒で除去できた。また、本実施例ではＸｅエキシマランプ２３はＸｅガスを封入し封止切ったランプなので、長時間に渡って安定した光出力が得られるといった利点もある。 In this example, the discharge power was tested at 200 W, which is the same as that in the first example. The object 29 was quartz glass, and the distance between the object 29 and the light extraction window 27 was 3 mm, and the temperature of the object 29 was 25 ° C. The pressure of ammonia NH 3 in the treatment space 22 was set to 5.3 kPa. In this case, organic contaminants on the quartz glass could be removed in about 15 seconds. Further, in this embodiment, the Xe excimer lamp 23 is a lamp in which Xe gas is sealed and sealed, so that there is an advantage that a stable light output can be obtained for a long time.

本発明の第３の実施例を図３に示す。図３は、円筒形の電極３ａ、３ｂ、３ｃの電極軸に直行する面で切った概略断面図である。該第３の実施例における処理装置４０は、前記第１の実施例における光取り出し窓を取り去り、放電ガスの供給方向を被照射物９から放電プラズマ４ｂを挟んで上方に設けたものである。放電用ガス導入口３６ａ，３６ｂから光発生用の放電ガスを供給し、被処理物９の表面付近に設けられたアンモニアＮＨ３の導入口１０ａからアンモニアＮＨ３を供給する。ここで供給されるアンモニアガスは、窒素やアルゴンガスで希釈したものを使用しても良い。該処理装置においては、放電用ガス、アンモニアＮＨ３、そして被処理物の表面から飛散する例えば有機物等が分解することによって発生したガスは排出口１０ｂから排出される。本実施例において、光源とは誘電体を周りに設けた該電極３ａ、３ｂ、３ｃと、該電極周辺に導入された発光用ガスとからなっている。また、該放電容器１と処理室２とは、同じ部材であって２つの機能を共用した部材から成っている。また、真空紫外光を該ＮｍＨｎガスに照射する手段としては該電極３ａ、３ｂ、３ｃ間に生成された放電プラズマ４ｂから放射される光が窓等を介さず直接導入口１０ａから供給されるガスに照射されるようにすることにより達成されている。尚、その他の構成は第１の実施例の場合と同様であるので、ここでの記載は省略する。
このように光取り出し窓を持たない構成によれば、該光取り出し窓による吸収損失が無くなるので、エキシマ光を有効に利用できるといった利点が生じる。 A third embodiment of the present invention is shown in FIG. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along a plane orthogonal to the electrode axes of the cylindrical electrodes 3a, 3b, and 3c. The processing apparatus 40 in the third embodiment is such that the light extraction window in the first embodiment is removed, and the supply direction of the discharge gas is provided above the irradiated object 9 with the discharge plasma 4b interposed therebetween. Discharge gas inlet 36a, a discharge gas for light generation supplied from 36b, for supplying ammonia (NH 3) from the inlet 10a of the ammonia NH 3 that is provided in the vicinity of the surface of the object 9. The ammonia gas supplied here may be diluted with nitrogen or argon gas. In the processing apparatus, the gas generated by the decomposition of the discharge gas, ammonia NH 3 , and, for example, organic matter scattered from the surface of the object to be processed is discharged from the discharge port 10b. In the present embodiment, the light source is composed of the electrodes 3a, 3b, 3c provided with a dielectric around them, and a light emission gas introduced around the electrodes. Further, the discharge vessel 1 and the processing chamber 2 are the same members and are members that share two functions. The supply of vacuum ultraviolet light from the N m H n the electrode 3a as a means for irradiating the gas, 3b, direct inlet 10a the light emitted from the discharge plasma 4b generated between 3c is not through the window or the like This is achieved by irradiating the gas to be irradiated. Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted here.
Thus, according to the configuration having no light extraction window, there is no absorption loss due to the light extraction window, and there is an advantage that excimer light can be used effectively.

本発明の第４の実施例を図４に示す。図４は、長方形の板状金属からなる第1の電極５１の厚みが見える方向、つまり該長方形の長辺である幅方向に直交する面で切った概略断面図である。該第４の実施例における処理装置５０は、誘電体バリア放電を利用した放電空間５４と光取り出し窓７を介して連接されたアンモニアガスＮＨ３への光照射を行う活性種生成室５６、及び被照射物９にアンモニアガスＮＨ３から生成された活性なＮＨ（ａ１Δ）、Ｈ２、ＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈを吹き付ける噴射口５７から成っている。該放電空間５４は、第１の電極５１として、厚さ１ｍｍ、高さ１００ｍｍ、幅１０００ｍｍのＳＵＳ板に、厚さ０．５ｍｍのアルミナ５２ａを覆ったものであり、第２の電極５３は、放電容器を兼ね、内面は厚さ０．５ｍｍのアルミナ５２ｂで覆われている部材から構成されている。放電距離は３ｍｍで、該放電空間５４には波長１２６ｎｍのＡｒエキシマ光を発生させるためにＡｒが導入口５５ａから導入され、排出口５５ｂから排出している。該Ａｒの放電空間５４における導入圧力は４６．７ｋＰａである。本実施例において、光源とは光取り出し窓７と、放電容器を兼ねる第２の電極５３と、アルミナ５２ｂで覆われた第1の電極５１と、放電用ガスと、からなっている。また、真空紫外光を該ＮｍＨｎガスに照射する手段としては該光取り出し窓７を例えばＭｇＦ２等の波長１２６ｎｍの光を透過する部材で構成していることにより達成される。 A fourth embodiment of the present invention is shown in FIG. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along a plane perpendicular to the direction in which the thickness of the first electrode 51 made of a rectangular plate metal is visible, that is, the width direction that is the long side of the rectangle. The processing apparatus 50 according to the fourth embodiment includes an active species generation chamber 56 that performs light irradiation on the ammonia gas NH 3 connected via the light extraction window 7 and the discharge space 54 using dielectric barrier discharge, and It comprises an injection port 57 for spraying active NH (a 1 Δ), H 2 , NH (X 3 Σ), and H generated from ammonia gas NH 3 on the object 9. The discharge space 54 is a first electrode 51 in which an SUS plate having a thickness of 1 mm, a height of 100 mm, and a width of 1000 mm is covered with an alumina 52a having a thickness of 0.5 mm. Also serving as a discharge vessel, the inner surface is composed of a member covered with 0.5 mm thick alumina 52b. The discharge distance is 3 mm, and Ar is introduced into the discharge space 54 from the inlet 55a and discharged from the outlet 55b in order to generate Ar excimer light having a wavelength of 126 nm. The introduction pressure of Ar in the discharge space 54 is 46.7 kPa. In the present embodiment, the light source includes the light extraction window 7, the second electrode 53 that also serves as a discharge vessel, the first electrode 51 covered with alumina 52b, and a discharge gas. The means for irradiating the N m H n gas with vacuum ultraviolet light is achieved by configuring the light extraction window 7 with a member that transmits light having a wavelength of 126 nm, such as MgF 2 .

該処理装置５０によれば、第１の電極５１、第２の電極５３に高周波電圧を印加することで放電プラズマ３が発生し、Ａｒエキシマ光が発生する。このＡｒエキシマ光が、光取り出し窓７を通して活性種生成室５６に照射され、導入口１０から導入されたアンモニアＮＨ３から活性なＮＨ（ａ１Δ）、Ｈ２、ＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈが生成される。生成された活性なＮＨ（ａ１Δ）、Ｈ２、ＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈは、１ｍｍ×１０００ｍｍの活性種噴射口５７から被処理物９めがけて噴射される。被処理物９あるいは処理装置を動かすことにより、被処理物９全面の処理を行うことができる。尚、高周波電圧を印加する場合の印加電圧はパルス波、矩形波、サイン波等、必要に応じて種々の形状のものを用いることができる。 According to the processing apparatus 50, the discharge plasma 3 is generated by applying a high frequency voltage to the first electrode 51 and the second electrode 53, and Ar excimer light is generated. This Ar excimer light is irradiated to the active species generation chamber 56 through the light extraction window 7, and the active NH (a 1 Δ), H 2 , NH (X 3 Σ), ammonia NH 3 introduced from the inlet 10, H is generated. The generated active NH (a 1 Δ), H 2 , NH (X 3 Σ), and H are injected toward the object 9 from the active species injection port 57 of 1 mm × 1000 mm. By moving the object 9 or the processing apparatus, the entire surface of the object 9 can be processed. In addition, the application voltage in the case of applying a high frequency voltage can use a pulse wave, a rectangular wave, a sine wave, etc. of various shapes as needed.

本発明の第５の実施例を図５に示す。図５も図４の場合と同様に、長方形の板状金属からなる第1の電極５１の厚みが見える方向、つまり該長方形板状金属の長辺である幅方向に直交する面で切った概略断面図である。該第５の実施例に示した処理装置６０は、図４に示した第４の実施例において、活性種噴射口５７に対向した活性種生成室５６内に遮光板６１を設け、被処理物に活性種を生成するための光が当たらない様にしたものである。尚、その他の構成は図４の場合と同等であるのでここでの説明は省略する。   A fifth embodiment of the present invention is shown in FIG. As in the case of FIG. 4, FIG. 5 is also a schematic view cut along a direction in which the thickness of the first electrode 51 made of a rectangular plate metal can be seen, that is, a plane orthogonal to the width direction that is the long side of the rectangular plate metal. It is sectional drawing. In the processing apparatus 60 shown in the fifth embodiment, in the fourth embodiment shown in FIG. 4, a light shielding plate 61 is provided in the active species generating chamber 56 facing the active species injection port 57, and the object to be processed is provided. Is not exposed to light for generating active species. Since the other configuration is the same as that in FIG. 4, the description thereof is omitted here.

本発明の第６の実施例を図６に示す。図６も図４の場合と同様に、長方形の板状金属からなる第1の電極５１の厚みが見える方向、つまり該長方形の板状金属の長辺である幅方向に直交する面で切った概略断面図である。該第６の実施例に示した処理装置７０は、図４で示した処理装置５０において、光取り出し窓７と、活性種生成室５６とを取り除いたものである。また、電極５１、及び電極５３の表面に設けられたアルミナ５２ａ、５２ｂによって形成される放電距離を３ｍｍとした。また、導入口５５ａからＡｒ２エキシマ光を発生させるためにＡｒガスに１２％のアンモニアＮＨ３を混合したガスを放電空間５４に供給している。電極５１、５３に放電用電源５から高周波電圧を印加すると放電プラズマ４が形成され、Ａｒ２エキシマ光が発生する。本実施例においては、ＡｒガスにアンモニアＮＨ３が混合しているので、該アンモニアＮＨ３自身に効率よくＡｒ２エキシマ光が照射され、高濃度の活性なＮＨ（ａ１Δ）、Ｈ２、ＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈを生成することができる。更には、該アンモニアＮＨ３の一部は誘電体バリア放電によって形成された放電プラズマ４によって活性種に変えられるので、活性種の密度は更に高密度になる。このようにして生成された活性なＮＨ（ａ１Δ）、Ｈ２、ＮＨ（Ｘ３Σ）、Ｈは放電用ガスであるＡｒガスと一緒に排出口５５ｂより被処理物に向けて噴射される。本実施例において、光源とは放電容器を兼ねる第２の電極５３で覆われ放電を形成している部分であって、該第２の電極５３と、アルミナ５２ａで覆われた第1の電極５１と、放電用ガスと、からなっている。また、真空紫外光を該ＮｍＨｎガスに照射する手段としては、窓部材を介さずに該光源を構成し、ＡｒガスにアンモニアＮＨ３を混合した混合ガスを放電空間５４に供給することにより波長１２６ｎｍの光を発生する放電プラズマ４中にアンモニアＮＨ３を通過させることにより達成している。 A sixth embodiment of the present invention is shown in FIG. As in the case of FIG. 4, FIG. 6 is also cut along a plane perpendicular to the direction in which the thickness of the first electrode 51 made of a rectangular plate metal can be seen, that is, the long side of the rectangular plate metal. It is a schematic sectional drawing. The processing apparatus 70 shown in the sixth embodiment is obtained by removing the light extraction window 7 and the active species generation chamber 56 from the processing apparatus 50 shown in FIG. The discharge distance formed by the alumina 52a and 52b provided on the surfaces of the electrode 51 and the electrode 53 was 3 mm. Further, in order to generate Ar 2 excimer light from the introduction port 55 a, a gas in which 12% ammonia NH 3 is mixed with Ar gas is supplied to the discharge space 54. When a high frequency voltage is applied to the electrodes 51 and 53 from the discharge power supply 5, the discharge plasma 4 is formed and Ar 2 excimer light is generated. In the present embodiment, since the ammonia NH 3 in Ar gas is mixed, to the ammonia NH 3 itself efficiently Ar 2 excimer light is irradiated, the high concentration of active NH (a 1 Δ), H 2, NH (X 3 Σ), H can be generated. Furthermore, since a part of the ammonia NH 3 is converted into active species by the discharge plasma 4 formed by dielectric barrier discharge, the density of the active species is further increased. The active NH (a 1 Δ), H 2 , NH (X 3 Σ), and H generated in this manner are injected toward the object to be processed from the discharge port 55b together with the Ar gas that is a discharge gas. The In the present embodiment, the light source is a portion that is covered with the second electrode 53 that also serves as a discharge vessel and forms a discharge, and the second electrode 53 and the first electrode 51 that is covered with alumina 52a. And a discharge gas. Further, as means for irradiating the N m H n gas with vacuum ultraviolet light, the light source is configured without passing through a window member, and a mixed gas in which ammonia NH 3 is mixed with Ar gas is supplied to the discharge space 54. This is achieved by passing ammonia NH 3 through the discharge plasma 4 that generates light having a wavelength of 126 nm.

第７の実施例としては、装置の構成が第１の実施例に示した図１の装置と同等な装置を用い、図１における被処理物９をＳｉウエーハ上の表面に約２ｎｍのＳｉＯ２を覆ったものとした。該被処理物９と光取り出し窓７との距離を３ｍｍとし、処理空間内のアンモニアの分圧は０．５ＫＰａとした。かかる条件で処理空間内のアンモニアの圧力が比較的低いので、ＳｉＯ２に照射される１２６ｎｍの量が多くなり、１００秒間の処理でＳｉＯ２をエッチングできた。 In the seventh embodiment, an apparatus having the same structure as that of the apparatus shown in FIG. 1 shown in the first embodiment is used, and the object 9 in FIG. 1 is disposed on the surface of the Si wafer with about 2 nm of SiO 2. Was covered. The distance between the workpiece 9 and the light extraction window 7 was 3 mm, and the partial pressure of ammonia in the processing space was 0.5 KPa. Under such conditions, the pressure of ammonia in the processing space was relatively low, so that the amount of 126 nm irradiated onto SiO 2 increased, and SiO 2 could be etched in 100 seconds of processing.

本発明の第１の実施例を表す概念図。The conceptual diagram showing the 1st Example of this invention. 本発明の第２の実施例を表す概念図。The conceptual diagram showing the 2nd Example of this invention. 本発明の第３の実施例を表す概念図。The conceptual diagram showing the 3rd Example of this invention. 本発明の第４の実施例を表す概念図。The conceptual diagram showing the 4th Example of this invention. 本発明の第５の実施例を表す概念図。The conceptual diagram showing the 5th Example of this invention. 本発明の第６の実施例を表す概念図。The conceptual diagram showing the 6th Example of this invention. 本発明のアンモニアガスの量による効果を示す表。The table | surface which shows the effect by the quantity of ammonia gas of this invention. 従来の処理装置を表す概念図。The conceptual diagram showing the conventional processing apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１ 放電容器
２ 処理空間
３ａ 電極
３ｂ 電極
３ｃ 電極
４ 放電プラズマ
４ａ 放電プラズマ
４ｂ 放電プラズマ
５ 放電用電源
６ａ 放電ガス導入口
６ｂ 排出口
７ 光取り出し窓
８ ヒーター
９ 被処理物
１０ａ 導入口
１０ｂ 排出口
１１ 処理装置
２０ 処理装置
２１ ランプハウス
２２ 処理空間
２３ Ｘｅ２エキシマランプ
２４ 放電プラズマ
２５ 放電用電源
２６ａ ガス導入口
２６ｂ ガス排出口
２７ 光取り出し窓
２８ ヒーター
２９ 被処理物
３０ａ 導入口
３０ｂ 排出口
３６ａ 放電用ガス導入口
３６ｂ 放電用ガス導入口
４０ 処理装置
５０ 処理装置
５１ 第１の電極
５２ａ アルミナ
５２ｂ アルミナ
５３ 第２の電極
５４ 放電空間
５５ａ 導入口
５５ｂ 排出口
５６ 活性種生成室
５７ 活性種噴射口
６０ 処理装置
６１ 遮光板
７０ 処理装置
８０ 表面洗浄装置
８１ ランプハウス
８２ 処理室
８３ａ 電極
８３ｂ 電極
８４ エキシマランプ
８４ａ 外側管
８４ｂ 内側管
８５ 放電用電源
８６ａ 酸化性流体導入口
８６ｂ 酸化性流体排出口
８７ 光取り出し窓
８８ 試料台
８９ 被処理物









DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Discharge container 2 Processing space 3a Electrode 3b Electrode 3c Electrode 4 Discharge plasma 4a Discharge plasma 4b Discharge plasma 5 Discharge power supply 6a Discharge gas introduction port 6b Discharge port 7 Light extraction window 8 Heater 9 Processed object 10a Inlet port 10b Discharge port 11 Processing device 20 Processing device 21 Lamp house 22 Processing space 23 Xe 2 Excimer lamp 24 Discharge plasma 25 Discharge power supply 26a Gas inlet 26b Gas outlet 27 Light extraction window 28 Heater 29 Processed object 30a Inlet 30b Discharge outlet 36a For discharge Gas inlet port 36b Discharge gas inlet port 40 Processing device 50 Processing device 51 First electrode 52a Alumina 52b Alumina 53 Second electrode 54 Discharge space 55a Inlet port 55b Outlet port 56 Active species generation chamber 57 Active species injection port 60 Processing Device 61 Shading plate 7 DESCRIPTION OF SYMBOLS 0 Processing apparatus 80 Surface cleaning apparatus 81 Lamp house 82 Processing chamber 83a Electrode 83b Electrode 84 Excimer lamp 84a Outer tube 84b Inner tube 85 Discharge power supply 86a Oxidizing fluid inlet 86b Oxidizing fluid outlet 87 Light extraction window 88 Sample stand 89 Workpiece









Claims (7)

真空紫外光を放射する光源と、該光源を具備した放電容器及び／または処理空間を備え、光を照射することにより活性化されるガスを導入する導入口を配置した処理装置であって、該活性化されるガスがＮｍＨｎ（Ｎは窒素原子、Ｈは水素原子、ｍ、ｎは、任意の自然数）であり、前記光源から放射される真空紫外光を該ＮｍＨｎガスに照射する手段を具備したことを特徴とする処理装置。 A processing apparatus comprising a light source that radiates vacuum ultraviolet light, a discharge vessel equipped with the light source and / or a processing space, and an introduction port for introducing a gas that is activated by irradiation with light. gas n m H n (n is a nitrogen atom, H is a hydrogen atom, m, n is an arbitrary natural number) to be activated is, the vacuum ultraviolet light emitted from said light source to said n m H n gas A processing apparatus comprising means for irradiating. 前記ＮｍＨｎガスがアンモニアガスであって、該アンモニアガスの分圧が０．１ＫＰａ以上１０ＫＰａ以下であることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。 The processing apparatus according to claim 1, wherein the N m H n gas is ammonia gas, and a partial pressure of the ammonia gas is 0.1 KPa or more and 10 KPa or less. 前記光源が、波長１７２ｎｍに最大値を有するＸｅ２エキシマ光、波長１４６ｎｍに最大値を有するＫｒ２エキシマ光、あるいは波長１２６ｎｍに最大値を有するＡｒ２エキシマ光を発生する誘電体バリア放電を利用したエキシマランプであることを特徴とした請求項１乃至請求項２に記載の処理装置。 The light source utilizes a dielectric barrier discharge that generates Xe 2 excimer light having a maximum value at a wavelength of 172 nm, Kr 2 excimer light having a maximum value at a wavelength of 146 nm, or Ar 2 excimer light having a maximum value at a wavelength of 126 nm. The processing apparatus according to claim 1, wherein the processing apparatus is an excimer lamp. 前記アンモニアガスに、真空紫外光を照射した後、該真空紫外光で励起された該アンモニアガスを被処理物に噴射することを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の処理装置。       4. The processing apparatus according to claim 1, wherein the ammonia gas is irradiated with vacuum ultraviolet light, and then the ammonia gas excited by the vacuum ultraviolet light is sprayed onto an object to be processed. 前記真空紫外光を発生する手段として、放電用ガスを希ガスとした誘電体バリア放電を用い、該放電用ガスには活性種を生成するためのアンモニアガスを混合したことを特徴とする請求項１乃至請求項４に記載の処理装置。       The dielectric barrier discharge using a discharge gas as a rare gas as the means for generating the vacuum ultraviolet light, wherein the discharge gas is mixed with ammonia gas for generating active species. The processing apparatus according to any one of claims 1 to 4. 前記真空紫外光を被照射物に直接照射しない為の遮光手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載の処理装置。       6. The processing apparatus according to claim 1, further comprising a light shielding unit for preventing the object to be irradiated with the vacuum ultraviolet light directly. 真空紫外光を放射する光源と、該光源を具備した放電容器及び／または処理空間を備え、光を照射することにより活性化されるガスを導入する導入口を配置した処理装置であって、該活性化されるガスがアンモニアであり、該アンモニアガスに該光源から放射される真空紫外光を照射する手段を具備しており、該光源として、波長１４６ｎｍに最大値を有するＫｒ２エキシマ光あるいは波長１２６ｎｍに最大値を有するＡｒ２エキシマ光を発生する誘電体バリア放電を用い、ＳｉＯ２の表面をエッチングすることを特徴とした処理装置。
A processing apparatus comprising a light source that radiates vacuum ultraviolet light, a discharge vessel equipped with the light source and / or a processing space, and an introduction port for introducing a gas that is activated by irradiation with light. The activated gas is ammonia, and the ammonia gas is provided with means for irradiating vacuum ultraviolet light emitted from the light source. As the light source, Kr 2 excimer light having a maximum value at a wavelength of 146 nm or wavelength A processing apparatus characterized by etching a surface of SiO 2 using a dielectric barrier discharge that generates Ar 2 excimer light having a maximum value at 126 nm.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011007663A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 ウシオ電機株式会社 Irradiation device
JP2011023255A (en) * 2009-07-17 2011-02-03 Ushio Inc Irradiation device
JP2011040192A (en) * 2009-08-07 2011-02-24 Ushio Inc Irradiation device
WO2011158680A1 (en) * 2010-06-14 2011-12-22 ウシオ電機株式会社 Device for removing organic contaminants on artificial dental roots
JP2012000120A (en) * 2010-06-14 2012-01-05 Ushio Inc Device for removing organic contaminant on artificial dental root
JP2012000118A (en) * 2010-06-14 2012-01-05 Ushio Inc Device for removing organic contaminant on artificial dental root
JP2012000119A (en) * 2010-06-14 2012-01-05 Ushio Inc Device for removing organic contaminant on artificial dental root
JP2012049305A (en) * 2010-08-26 2012-03-08 Hitachi High-Technologies Corp Vacuum ultraviolet light processor
JP2014024751A (en) * 2012-06-20 2014-02-06 Gifu Univ Hydrogen generation method and hydrogen generation apparatus
US9390941B2 (en) 2009-11-17 2016-07-12 Hitachi High-Technologies Corporation Sample processing apparatus, sample processing system, and method for processing sample
WO2021052664A1 (en) * 2019-09-16 2021-03-25 Robert Bosch Gmbh Method and device for local removal and/or modification of a polymer material on a surface
KR20230114758A (en) 2021-02-08 2023-08-01 우시오덴키 가부시키가이샤 light processing unit

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7527695B2 (en) * 2006-06-21 2009-05-05 Asahi Glass Company, Limited Apparatus and method for cleaning substrate
CN102386088B (en) * 2010-09-03 2014-06-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Method for removing photoinduced resist layer on semiconductor device structure
JP5729034B2 (en) * 2011-03-15 2015-06-03 ウシオ電機株式会社 Light irradiation device
US10211056B2 (en) * 2014-04-25 2019-02-19 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device manufacturing method
CN104858193B (en) * 2015-06-12 2017-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 ultraviolet cleaning device of glass substrate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244159A (en) * 1993-02-18 1994-09-02 Hitachi Ltd Light-excited gas reactor
JP2002502108A (en) * 1997-12-08 2002-01-22 クエスター テクノロジー インコーポレイテッド Surface modification of semiconductors using electromagnetic radiation

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2948110B2 (en) * 1994-09-19 1999-09-13 ウシオ電機株式会社 Method for oxidizing the surface of an object to be treated or a substance on the surface under reduced pressure
JP2956693B1 (en) * 1998-05-27 1999-10-04 日本電気株式会社 Metal nitride film forming method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244159A (en) * 1993-02-18 1994-09-02 Hitachi Ltd Light-excited gas reactor
JP2002502108A (en) * 1997-12-08 2002-01-22 クエスター テクノロジー インコーポレイテッド Surface modification of semiconductors using electromagnetic radiation

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011007663A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 ウシオ電機株式会社 Irradiation device
JP2011023255A (en) * 2009-07-17 2011-02-03 Ushio Inc Irradiation device
CN102473585A (en) * 2009-07-17 2012-05-23 优志旺电机株式会社 Irradiation device
JP2011040192A (en) * 2009-08-07 2011-02-24 Ushio Inc Irradiation device
US9390941B2 (en) 2009-11-17 2016-07-12 Hitachi High-Technologies Corporation Sample processing apparatus, sample processing system, and method for processing sample
JP2012000119A (en) * 2010-06-14 2012-01-05 Ushio Inc Device for removing organic contaminant on artificial dental root
JP2012000118A (en) * 2010-06-14 2012-01-05 Ushio Inc Device for removing organic contaminant on artificial dental root
JP2012000120A (en) * 2010-06-14 2012-01-05 Ushio Inc Device for removing organic contaminant on artificial dental root
WO2011158680A1 (en) * 2010-06-14 2011-12-22 ウシオ電機株式会社 Device for removing organic contaminants on artificial dental roots
JP2012049305A (en) * 2010-08-26 2012-03-08 Hitachi High-Technologies Corp Vacuum ultraviolet light processor
JP2014024751A (en) * 2012-06-20 2014-02-06 Gifu Univ Hydrogen generation method and hydrogen generation apparatus
WO2021052664A1 (en) * 2019-09-16 2021-03-25 Robert Bosch Gmbh Method and device for local removal and/or modification of a polymer material on a surface
KR20230114758A (en) 2021-02-08 2023-08-01 우시오덴키 가부시키가이샤 light processing unit

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