JP2005158391A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

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雅史 森田
Yoshihiro Yanagi
義弘 柳
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Abstract

【課題】プラズマディスプレイパネルの前面板に形成される保護膜を大気から遮蔽する第二の保護膜を形成し、保護膜にダメージを与えずに容易に除去する方法を提供する。
【解決手段】第一のガラス基板上に第一の電極、第一の誘電体層、保護膜を順次形成して第一の基板を製造する工程と、第二のガラス基板上に第二の電極、第二の誘電体層、複数の隔壁、蛍光体層を順次形成して第二の基板を製造する工程と、前記第一の基板と前記第二の基板を重ね合わせて封着し、前記封着した基板内部を排気して放電ガスを封入する組み立て工程を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、第一の基板を製造する工程S10には、保護膜上に炭素含有堆積層を形成する工程S141が含まれる。また組み立て工程S30には炭素含有堆積層を除去する工程S321が含まれる。
【選択図】図1

Description

本発明は、平板型表示装置(フラットパネルディスプレイとも呼ぶ)として大型のテレビジョンや広告・情報等の公衆表示用への利用が拡大してきているプラズマディスプレイパネル(以下、PDPとも記す)の製造方法に関する。
近年、大型の平板型表示装置として希ガス放電による紫外線で蛍光体を励起発光させて画像・映像表示に利用するPDPは、対角1m以上になるような大型製品を目標に開発されてきた。PDPの開発は加速してきており、コンピューター等に代表される情報処理装置の表示機器として、あるいは大型のテレビジョン受信機や公衆表示用モニターとして、高性能化、低価格化、最適量産化等を目指して次々と新しい技術が開発されてきている。
PDPには交流駆動方式と直流駆動方式があるが、ここでは一般的な交流駆動方式のPDP(以下、交流駆動方式のPDPをAC型PDPと記す)の構造を図6に示した。AC型PDPにも各種の方式があり、図6は面放電型と呼ばれる方式の構造を一例として、その一部を立体的に描いた斜視図で示している。PDPは、ガラス製の前面板1、背面板2にそれぞれ行電極、列電極が直交配置され、画素(ピクセル)となる行・列両電極の交点及び両基板間にある隔壁により放電空間3を形成する構造となっている。
図7は、従来のAC型PDPの製造工程の概略を示す流れ図である。図7において、従来のAC型PDPの製造工程は前面板形成工程S10、背面板形成工程S20及びこれらの組み立て工程S30に大別される。前面板形成工程S10は、走査電極/維持電極形成工程S11と、誘電体層形成工程S12と、誘電体保護膜形成工程(以下、単に保護膜形成工程とも記す)S13からなり、背面板形成工程S20はデータ電極形成工程S21と、下地誘電体層形成工程S22と、隔壁形成工程S23と、蛍光体層形成工程S24とからなり、組み立て工程S30は、封着工程S31、排気工程S32、放電ガス封入工程S33、エージング工程S34とPDPパネル完成工程S35の各工程とからなっており、これらの工程を経てPDPパネルが完成する。
以下、図6に示した従来の面放電型AC型PDPの前面板及び背面板の構成について、図7に示した工程と対応させながら説明する。
前面板1は、前面ガラス基板10上に放電の維持信号を入力するための維持電極13及び順次表示用の走査信号を入力するための走査電極14が、図7に示した走査電極/維持電極形成工程S11を経て、それぞれ対をなして平行に複数形成されて行電極が構成されている。次いで、これら行電極上に放電による壁電荷を形成するための透明な誘電体層11が誘電体層形成工程S12を経て成膜される。更に、誘電体層11上に放電によるイオン衝撃から誘電体層11を保護するための誘電体保護膜12(以下、単に保護膜12とも記す)が保護膜形成工程S13を経て形成されている。また、隣り合う維持電極13と走査電極14対間に、表示面のコントラストを高めるため、遮光層となるブラックマトリクス15を必要に応じて形成することもあるがこの形成工程は図7には示していない。
次に、背面板2は、背面ガラス基板16上に複数の表示データ信号を入力するための列電極となるデータ電極(アドレス電極とも呼ばれる)19が、前面板1の行電極を構成する維持電極13及び走査電極14とそれぞれ交差する方向に、図7に示したデータ電極形成工程S21を経て複数形成されている。データ電極19の上にやはり放電による壁電荷を形成するための下地誘電体層17が下地誘電体層形成工程S22を経て成膜され、更にその上にアドレス電極19と平行して隔壁18が隔壁形成工程S23により形成され、隔壁18間には赤、青、緑に発光する蛍光体層20が蛍光体層形成工程S24を経て設けられている。
そして、前面板1と背面板2とをフリットガラス等のシール材を用いて対向させながら貼りあわせてパネル化(封着工程S31)して、加熱しながら脱ガス処理(排気工程S32)を行った後、放電ガスとしてネオン(Ne)、キセノン(Xe)等を主体とする希ガスを封入(放電ガス封入工程S33)して、パネルの各電極に所定の電圧、波形の駆動パルスを印加して放電を行うエージングを実施(エージング工程S34)し、放電空間3が形成されたPDPパネルが完成する(PDPパネル完成工程S35)。
完成したPDPパネルには、走査電極14と維持電極13及びアドレス電極19とに電気信号を供給するため、これらの電極の電極端子に駆動用のドライバICが搭載された回路基板が接続され、制御信号回路や電源回路とともに筐体に組み込んで表示装置として完成する。維持電極13及び走査電極14、アドレス電極19に所定の信号の電圧パルスを印加することにより封入された希ガスが励起され紫外線を放出し、その紫外線により隔壁18間に設けられた蛍光体層20が可視光を励起発光し、情報を表示することができる。
特に、前面板1の形成工程S10において、前面ガラス基板10上に維持電極13、走査電極14と誘電体層11を形成し、その上に、放電によるイオン衝突から誘電体層11を保護するとともに、二次電子放出による蛍光体の発光を促進する目的で、保護膜12が所定の条件下で電子ビーム蒸着などによって形成されているが、この保護膜12は、酸化マグネシウム(MgO)が広く用いられている。このような電子ビーム蒸着で形成されたMgO膜は、結晶性が高く緻密な膜であり、耐スパッタ性に優れ、且つ二次電子放出係数が高いという優れた特徴を有している。しかし、MgO膜は大気中の水分(H2O)や二酸化炭素(CO2)と反応して水酸化マグネシウム(Mg(OH)2)、炭酸マグネシウム(MgCO3)などの化合物を生成し、その化合物がMgO膜の表面に析出する。このようなMgO膜の表面に存在する化合物層の影響のため、PDPパネルの放電特性の劣化、悪化を招き、PDPパネルの表示領域内における特性がばらつき、均一な表示ができないということが生じていた。これのみならず、上述のエージング工程S34は、このような化合物を除去し、清浄なMgO面をMgO膜の表面に露出させることにあるが、AC型PDPの動作中の耐スパッタ性を高めることを主眼とした従来の製造方法で形成されたMgO膜では、エージング工程に多量の時間を要していた。
そのため、保護膜12の上部に更にSiN、SiO2、Al23、MgO、TiO2、MgF2などを成膜して第二の保護膜を形成し、保護膜12を水分や炭酸ガスの吸着から守る方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。そして、第二の保護膜はエージング工程(S34)において、エージング放電時のスパッタ性を利用して除去している。
特許第3073451号公報(第3−5頁、第1−3図)
しかしながら、上述したように前面板1の保護膜12の上部に更にSiN、SiO2、Al23、MgO、TiO2、MgF2などの第二の保護膜を形成した場合、前面板1を大気に曝しても第二の保護膜により保護膜12の表面にMg(OH)2やMgCO3などの化合物が析出することはないが、PDPパネルを組み立ててエージング工程S34で放電を行って、スパッタリングにより形成した第二の保護膜を除去する必要がある。また、SiN、SiO2、Al23、MgO、TiO2、MgF2などの材料で形成した第二の保護膜は、MgOなどの保護膜12と同様に結晶性が高く、緻密で安定した膜であることが多く、スパッタリングによってなかなか除去できず、その下の保護膜12が露出するまでにはより多大なエージング時間が必要とすることが多かった。更に、エージング工程S34における放電によるスパッタリングで除去された第二の保護膜の成分はPDPパネル内に残留し、PDPパネルの放電特性やPDPパネルで構成される表示装置の寿命特性に大きな影響を与えるという課題もあった。
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、PDPパネルの前面板に形成される保護膜を大気から保護する目的で形成する第二の保護膜を短時間で有効に除去するPDPの製造方法を提供し、併せて、この方法でPDPパネルを製造して表示領域内における特性のばらつきが少なく、均一な表示で品位の高い映像・画像が得られるPDP表示装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、第一のガラス基板上に第一の電極を形成し、第一のガラス基板上と第一の電極上に第一の誘電体層を形成し、第一の誘電体層上に保護膜を形成して第一の基板を製造する工程と、第二のガラス基板上に第二の電極を形成し、第二のガラス基板上と第二の電極上に第二の誘電体層を形成し、第二の誘電体層上に複数の隔壁を形成し、隔壁の間に蛍光体層を形成して第二の基板を製造する工程と、第一の基板と第二の基板を重ね合わせて封着し、封着した基板内部を排気して放電ガスを封入する組み立て工程を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、第一の基板を製造する工程に、保護膜上に炭素含有堆積層を形成する工程を備える構成、及び組み立て工程に、炭素含有堆積層を真空中で除去する工程を有している。
また、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、炭素含有堆積層がポリマである構成、また、ポリマが炭素と水素とを含む化合物である構成、ポリマが炭素と水素と弗素とを含む化合物である構成、炭素含有堆積層を除去する工程は、酸素を含むガスのプラズマにより行う構成、炭素含有堆積層を除去する工程は、オゾンを含むガス雰囲気中で第一の基板を加熱することにより行う構成を有している。
これらの構成により、保護膜面への大気中の水分や炭酸ガスの吸着を低減する目的で形成した炭素含有堆積層をPDPパネル完成前に除去することができるので、特性のばらつきの小さい安定したプラズマディスプレイパネルを製造できる。また、保護膜の表面への大気中の水分や炭酸ガスの吸着を低減する目的で形成した炭素含有堆積層を、PDPパネル完成前に低ダメージで除去することができるので、エージング工程における放電処理で劣化する材料を使用している場合でも特性のばらつきの小さい安定したプラズマディスプレイパネルを製造できる。
本発明におけるPDPの製造方法により、第一の基板の保護膜表面上に第二の保護膜が形成されているので、完成した第一の基板を大気に曝しても、保護膜にPDPの特性を劣化させる化合物層が形成されず、化合物層の除去作業によって保護膜が損傷を受けることがないので、特性のばらつきの小さい安定したPDPを製造できることになる。また、第二の保護膜を炭素含有堆積層で形成しているので、酸素ラジカルやオゾンを利用して第二の保護膜を除去できるので、従来のSiN、SiO2、Al23、MgO、TiO2、MgF2などからなる第二の保護膜に比べ除去が容易であり、保護膜表面を損傷することが少なくパネル面内での特性のばらつきが少なく、動作が安定した画質の優れたPDPを製造することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
(第1の実施の形態)
図1は本発明の第1の実施の形態におけるPDPの製造方法を概略的に示す製造工程の流れ図である。図2は、本発明の第1の実施の形態における製造方法で、炭素含有堆積層形成工程後の前面板の構造を示す拡大部分断面図である。図2は、図6に示すAC型PDPのA−A’線で前面板1を切断し、1組の維持電極13と走査電極14を含む部分のみを拡大して示したものに相当する。
ここで、図1が図7における従来のPDPの製造方法を概略的に示す流れ図と異なるところは、前面板1の形成工程S10において保護膜形成工程S13の後に炭素含有堆積層形成工程S141及び組み立て工程S30において炭素含有堆積層除去工程S321が追加されている点である。そのほかは、従来のPDPの製造工程を概略的に示す図7の流れ図の工程とほとんど同じである。また、本発明の第1の実施の形態におけるPDPの製造方法で製造されるPDPパネルの構造は、図6に示した前面板1の構成とほとんど同じである。異なるところは、図1の前面板形成工程S10における炭素含有堆積層形成工程S141以降、放電ガス封入工程S33までの間で保護膜12の表面が大気に曝される間、前面板1の構造は図2に示すように、前面板1の保護膜12の表面上に炭素含有堆積層21が形成されているところがわずかに異なっている。なお、本発明の第1の実施の形態のPDPの製造方法を示す図1、及び形成される前面板の構造を示す図2においては、それぞれ従来のPDPの製造方法を示す図7、及び形成される前面板の構造を示す図6と同じ構成要素には同じ符号を付している。
続いて、本発明の第1の実施の形態における製造方法で製造されるPDPの構成について、AC型PDPを例に挙げ、図6及び図2を参照しつつ、図1に示した工程と対応させて説明する。
前面板1は、前面ガラス基板10上に放電の維持信号を入力するための維持電極13及び順次表示用の走査信号を入力するための走査電極14が、図1に示した走査電極/維持電極形成工程S11を経て、それぞれ対をなして平行に複数形成されてストライプ状の表示電極となる行電極が構成されている。次いで、これらの行電極上に放電による壁電荷を形成するための透明な前面側の誘電体層11が誘電体層形成工程S12を経て成膜される。更に、前面側の誘電体層11上に放電によるイオン衝突から誘電体層11を保護するための誘電体保護膜(以下、単に保護膜とも記す)12が保護膜形成工程S13を経て形成されている。この後、従来のAC型PDPと同様に第二の保護膜を形成するが、第二の保護膜が従来のSiN、SiO2、Al23、MgO、TiO2、MgF2などの材料とは異なり、本発明の第1の実施の形態では炭素含有堆積層で形成されている。炭素含有堆積層で形成された第二の保護膜については後述する。また、隣り合う維持電極13と走査電極14対間に、表示面のコントラストを高めるため、遮光層となるブラックマトリックス15を必要に応じて形成することもあるが、この形成工程は図1には示していない。
次に、背面板2は、背面ガラス基板16上に複数の表示データ信号を入力するための列電極となるデータ電極(アドレス電極とも呼ばれる)19が、前面板1の行電極を構成する維持電極13及び走査電極14とそれぞれ交差する方向に、図1に示したデータ電極形成工程S21を経てストライプ状に複数形成されている。ストライプ状のデータ電極19の上にやはり放電による壁電荷を形成するための背面側の下地誘電体層17が下地誘電体層形成工程S22を経て成膜され、更にその上にストライプ状のアドレス電極19と平行して隔壁18が隔壁形成工程S23により形成され、隔壁18間には赤、青、緑に発光する蛍光体層20が蛍光体層形成工程S24を経て設けられている。
そして、前面板1と背面板2とをフリットガラス等のシール材を用いて対向させながら貼りあわせてパネル化(封着工程S31)して、加熱しながら脱ガス処理(排気工程S33)を行った後、放電ガスとしてNe、Xe等を主体とする希ガスを封入(放電ガス封入工程S33)して、パネルの各電極に所定の電圧、波形の駆動パルスを印加して放電を行うエージングを実施(エージング工程S34)し、放電空間3が形成されたPDPパネルが完成する(PDPパネル完成工程S35)。第二の保護膜は炭素含有堆積層除去工程S321で除去するが、これについても後述する。
完成したPDPパネルには、走査電極14と維持電極13及びアドレス電極19とに電気信号を供給するため、これらの電極の電極端子に駆動用のドライバICが搭載された回路基板が接続され、制御信号回路や電源回路とともに筐体に組み込んで表示装置として完成する。維持電極13及び走査電極14、アドレス電極19に所定の信号の電圧パルスを印加することにより封入された希ガスが励起され紫外線を放出し、その紫外線により隔壁18間に設けられた蛍光体層20が可視光を励起発光し、情報を表示することができる。
次に、本発明の第1の実施の形態におけるPDPパネルの特徴である炭素含有堆積層で形成された第二の保護膜及びその除去方法について、詳しく説明する。
前面ガラス基板10上に維持電極13、走査電極14と誘電体層11を形成し、その上に、放電によるイオン衝突から誘電体層11を保護するとともに、二次電子放出による蛍光体の発光を促進する目的で、保護膜12が所定の条件下で電子ビーム蒸着などによって形成されていることは上述した。
前面板形成工程S10を経て形成した前面板1を大気に曝すと、MgOで形成された誘電体保護膜12の表面が水分や炭酸ガスと吸着反応して変質することを防止するために、保護膜形成工程S13で保護膜12を成膜後、炭素含有堆積層形成工程S141で、保護膜12上の表面に炭素含有堆積層21を形成し、図2に示すような構成の前面板1を作製する。保護膜12の表面への炭素含有堆積層21の形成は、前面板1に誘電体保護膜12を成膜した後、チャンバ内を10-3Paまで真空排気し、炭化水素(C−H)系あるいはC−F−H系ガスを配管でチャンバ内にノズルを通して導入し、ガスをプラズマ化してC−H系あるいはC−F−H系ポリマからなる炭素含有堆積層21を保護膜12の表面上に堆積成膜して形成することにより実施した。堆積成膜時のチャンバ内圧力は1Pa〜10-1Paの範囲で設定した所定の圧力に保持し、前面板1の温度を50℃にした時、8分間保護膜12の表面をプラズマ化したガスに曝して膜厚80nmの炭素含有堆積層21を成膜できた。本発明の第1の実施の形態におけるPDPの製造方法において、炭素含有堆積層21を成膜するパラメータとなるチャンバ内圧力、前面板1の温度、噴霧時間等の上述の条件、数値は例として示したものであって、本発明はこの条件、数値に限定されるものではない。炭素含有堆積層21の成膜厚さについて80nmの例を示したが、10nmよりも薄いと堆積層(膜)の均一性から長時間の大気の遮蔽効果に問題があり、120nmよりも厚い膜は大気の遮蔽の目的には過剰であるので、前面板1の大気への暴露時間を考慮して、10nm〜120nmの厚さに成膜すればよい。また、上述の例では、保護膜12を成膜した前面板1を保護膜12を形成するチャンバ内に保持したまま、炭素含有堆積層21を成膜する構成で説明したが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、保護膜12を成膜した前面板1を別のチャンバに真空搬送し、別のチャンバにおいて炭素含有堆積層21を保護膜12の表面上に形成成膜することも当然可能である。
前面板1の保護膜12の表面上に形成した炭素含有堆積層21は、PDPパネルが完成する前、つまりPDPパネルに放電ガスを封入する放電ガス封入工程S33の前までに除去しなければならない。除去しないと、PDPパネル内に不純物として残留し、特性劣化に大きく影響を及ぼす。そこで、前面板1と背面板2のそれぞれにガラスフリットを塗布し、各電極位置を合わせて目合わせして貼りあわせてから加熱封着し(封着工程S31)、内部ガスを排気(排気工程S32)した後に、図3に示すような真空容器32内にPDPパネル31を真空搬送し、パネル載置台37に載置する。次に、真空容器32に取り付けたガス導入装置33から真空容器32内に酸素を含むガスを導入する。この時、PDPパネル31内にも酸素を含むガスが導入される。続いて、排気装置38に付属する圧力調整装置34にて一定圧力に調圧しつつ真空容器32内を排気する。その後、真空容器32内に具備された電極35に高周波電源36から電力を供給して容器内及びパネル内に存在する酸素を含むガスを高周波放電によりプラズマ化させる。なお、酸素を含むガスは酸素ガス(O2)100%の純酸素ガスでもよいし、C、F、O等の元素で構成されるガスやアルゴン(Ar)、Ne等の希ガスと酸素ガスとの混合ガスでもよい。また、図3において、電極35はPDPパネル31からかなり離れた位置に配置して示しているが、電極35をPDPパネル31の近傍に配置してもよい。更に、電極35の大きさは、PDPパネル31内部の酸素を含むガスをプラズマ化させるのが主目的であるので、PDPパネル31の大きさに合わせて図3に示す大きさよりも小さくしてもよい。
PDPパネル31内の酸素を含むガスは高周波放電によりプラズマ化されるのであるが、酸素を含むガスは電子と構成元素のイオンに分離する過程、即ち、酸素ガスが酸素イオンと電子に分離するプラズマ化の過程で、遊離基(free radical)である酸素ラジカルが形成される。この酸素ラジカルとは酸素のイオン化の途中で形成される一種の中間形成体であるが、非常に活性が強く、自身でほかの物質と反応して酸化物を形成するだけでなく、ほかの物質の水素化やハロゲン化反応等を促進する触媒作用が大きいと言われている。従って、PDPパネル31中の酸素を含むガスのプラズマ化により、誘電体保護膜12上に形成された炭素を含む堆積物がプラズマ中の酸素ラジカルと反応して、CO2、H2O、炭化水素や弗化物等が形成され、気相中にガスの形で放出される。放出された炭素含有堆積層21を構成する元素で形成されたガスはPDPパネル31内と真空容器32内の圧力差により、PDPパネル31外にPDPパネル31に付属する排気管を通して排気される。このように、酸素を含むガスをプラズマ化させる高周波放電を前面板1の保護膜12上の炭素含有堆積層21が無くなるまで続ける。炭素含有堆積層21が無くなる時点で、酸素を含むガスの導入と高周波放電を停止し、真空容器32及びPDPパネル31内の排気のみを行う。その結果、表面の炭素含有堆積層21は全て除去されることになる。なお、真空容器32内に酸素を含むガスがガス導入装置33を通して導入され、真空容器32内は圧力調整装置34で圧力を所定の圧力に調整されつつ、排気装置38で排気されるが、圧力を10Pa〜200Paに設定すると良好な除去性能が得られることが試作実験の結果から明らかになった。酸素を含むガスの真空容器32内の圧力が10Pa以下では、酸素を含むガスのブラズマ種のスパッタ性が高く、誘電体保護膜12や蛍光体層20にダメージを与えてしまう。また、酸素を含むガスの真空容器32内の圧力が200Pa以上では、プラズマが発生しにくい。従って、酸素を含むガスの真空容器32内の圧力を10Pa〜200Paに設定することが好ましい。また、真空容器32内に具備された電極35に高周波電源36から供給する電力は、単位面積当たりで5.5kW/m2以上が望ましい。特に、(11±3)kW/m2前後の電力が、炭素含有堆積層21の除去に長時間を要せず、保護膜12への影響が少なくて好ましい。5.5kW/m2より少ない電力では炭素含有堆積層21の除去に多大な時間を要する。また、余りに大きい電力を印加すると炭素含有堆積層21の下にある保護膜12を損傷する恐れがある。
また、高周波電界を印加して酸素を含むガスを放電させる際のプラズマ化におけるプラズマ形成時間は、パネルの排気特性や供給される高周波電力に依存する。このため、上記の真空容器32内の設定圧力や供給高周波電力は、事前に試作パネルあるいは試験片を準備して、炭素含有堆積層21の除去性能を評価しておき、得られたテスト結果に基づいて、十分に除去できる時間等の条件に設定する必要がある。真空容器32内の酸素を含むガスの圧力を40Paに設定し、供給高周波電力10kW/m2を印加し、50nmの炭素含有堆積層21は約6分、100nmの炭素含有堆積層21は約10分で除去できた。このようにして、炭素含有堆積層21を除去(炭素含有堆積層除去工程S321)した後、PDPパネル31をガス封入設備に真空搬送し、放電ガスとしてNe、Xe等を主体とする希ガスを封入(放電ガス封入工程S33)して、パネルの各電極に所定の電圧、波形の駆動パルスを印加して放電を行うエージングを実施(エージング工程S34)してPDPパネルの完成となる。
なお、上記の本発明の第1の実施の形態におけるPDPパネルの製造方法の説明では、パネルの封着、排気の各工程後に炭素含有堆積層を除去する工程を実施しているが、本発明はこの手順に限定されるものではない。なぜならば、前面板に成膜された保護膜が大気中に曝される間だけ保護膜を覆う炭素含有堆積層で保護膜を大気から遮蔽しておけば保護膜表面に化合物層が形成されるのを防止できるので、炭素含有堆積層を除去する工程を実施する手順は、PDPパネルの製造ラインに合わせて変更できる。例えば、図4に本発明の第1の実施の形態におけるPDPの製造方法を概略的に示す製造工程の別の流れ図で示すように、封着工程S31と排気工程S32の間に炭素含有堆積層除去工程S321を実施することも可能である。また、同様に炭素含有堆積層21を除去するための処理装置についても、図3に示した装置の構成に限定されるものではない。炭素含有堆積層21を除去するための処理装置は、PDPパネル31内に酸素ラジカルを発生させて炭素含有堆積層21と反応させ、反応生成物を気相中に放出させ、排気することができれば問題なく、排気装置38に組み込んだ構成なども可能である。上記の説明ように排気工程S32と放電ガス封入工程S33の間(図1)、あるいは封着工程S31と排気工程(S32)の間(図4)に別途装置を構成して炭素含有堆積層除去工程S321を実施しなくても、炭素含有堆積層21を除去するための処理装置を排気装置38に組み込んだ構成の装置により炭素含有堆積層除去工程S321を実施することが可能である。また、酸素を含むガスをプラズマ化させるためのプラズマ発生源も、上記の例で示した高周波電力を電極に印加する構成のほかに、マイクロ波を用いる構成のプラズマ発生源や、アンテナを用いた誘導結合型のプラズマ発生源でも同様の効果が得られることは言うまでもない。
(第2の実施の形態)
以下、本発明の第2の実施の形態におけるPDPの製造方法について説明する。
本発明の第2の実施の形態におけるPDPの製造方法は、図1に製造工程を概略的に流れ図で示した本発明の第1の実施の形態におけるPDPの製造方法と基本的に同じである。また、上記の第1の実施の形態における製造方法の説明において示したのと同様に、図2に示すように前面ガラス基板10に形成された維持電極13及び走査電極14からなる行電極上に誘電体層11を形成後、保護膜12を成膜し、更に保護膜12の表面に第二の保護膜となる炭素含有堆積層21を形成する構造とした前面板1の構成も同じである。従って、本発明の第2の実施の形態におけるPDPの製造方法についての説明は、第1の実施の形態と異なるところに重点を置き、重複を避けるため、第1の実施の形態と同じ内容については省略するか、あるいは簡単な説明に留める。
本発明の第2の実施の形態におけるPDPの製造方法が、第1の実施の形態におけるPDPのそれと大きく異なるところは、第二の保護膜として堆積、成膜された炭素含有堆積層21の除去方法にある。以下、この炭素含有堆積層21の除去方法について、詳しく説明する。
保護膜12が大気中の水分や酸素により化合物が形成されるのを防ぐために成膜、形成した炭素含有堆積層21は、そのままではパネル内に不純物として残留し、特性劣化に大きく影響を及ぼすので、PDPパネルが完成する前、つまりPDPパネルに放電ガスを封入する放電ガス封入工程S33の前までに除去しなければならないことは、既に本発明の第1の実施の形態におけるPDPの製造方法の説明で述べた通りである。
そこで、炭素含有堆積層21の除去を行わなければならないのであるが、その除去方法は本発明の第2の実施の形態におけるPDPの製造方法における除去方法と類似の方法で以下に示す手順のように行われる。また、炭素含有堆積層21を除去するのに図5に示す装置を使用する。図5で、図3に示した本発明の第1の実施の形態のPDPの製造方法における炭素含有堆積層21の除去装置と同じ構成要素には同じ符号を付している。
前面板1と背面板2のそれぞれにガラスフリット塗布し、各電極位置を合わせて目合わせし、貼りあわせてから加熱封着し(封着工程S31)、内部ガスを排気(排気工程S32)した後に、図5に示すような真空容器32内にPDPパネル31を真空搬送し、パネル載置台37に載置する。次に、真空容器32に取り付けたガス導入装置53から真空容器32内にオゾンを含むガスを導入する。この時、PDPパネル31内にもオゾンを含むガスが導入される。続いて排気装置38に付属する圧力調整装置34にて一定圧力(10Pa〜200Pa)に調圧しつつ真空容器32内を排気しながらPDPパネル31をパネル載置台37に付属する加熱手段51により加熱する。ここでは加熱手段51として抵抗加熱ヒータを用いたが、パネル載置台37に配置する抵抗加熱ヒータの代わりにレーザビーム照射や赤外線照射による加熱も利用できる。なお、オゾンを含むガスは、オゾン発生手段を備えるガス供給手段52を接続したガス導入装置53から真空容器32内に導入されるが、オゾンガス100%のオゾンガスでもよいし、乾燥空気や酸素ガスとの混合ガスでもよい。ここでは、オゾンガス20%+酸素ガス80%の混合ガスを用いた。また、加熱温度は、200℃よりも低い温度ではオゾンと炭素含有堆積層21との反応が遅く除去に長時間を要し、600℃よりも高温では、PDPパネルのガラス基板が変形してしまうので、200℃〜600℃の温度範囲が望ましい。ここでは、炭素含有堆積層21の除去後のパネル冷却に要する時間との兼ね合いで400℃を採用している。
周知のように、オゾンは活性が強く、保護膜12上に形成された炭素を含む堆積物がオゾンと反応して、CO2、H2O、炭化水素や弗化物等が形成され、気相中にガスの形で放出される。放出された炭素含有堆積層21を構成する元素で形成されたガスはPDPパネル31内と真空容器32内の圧力差により、PDPパネル31外にPDPパネル31に付属する排気管を通して排気される。このように、オゾンを含むガスの導入とPDPパネル31の加熱を前面板1の保護膜12上の炭素含有堆積層21が無くなるまで続ける。炭素含有堆積層21が無くなる時点で、オゾンを含むガスの導入とPDPパネル31の加熱を停止し、真空容器32及びPDPパネル31内の排気のみを行う。その結果、表面の炭素含有堆積層21は全て除去されることになる。なお、真空容器32内にオゾンを含むガスがガス導入装置53を通して導入され、真空容器32内は圧力調整装置34で圧力を所定の圧力に調整されつつ、排気装置38で排気されるが、圧力を10Pa〜200Paに設定すると良好な除去性能が得られることが試作実験の結果から明らかになった。オゾンを含むガスの真空容器32内の圧力が10Pa以下では、オゾンを含むガスと炭素含有堆積層21との反応が進みにくく、炭素含有堆積層21の除去に長時間を要する。また、オゾンを含むガスの真空容器32内の圧力が200Pa以上では、オゾンガスの安定供給が難しいだけでなく、真空容器32を排気する排気性能が不十分となり、除去した炭素含有堆積層21からの除去物の再付着が生じてしまう。従って、オゾンを含むガスの真空容器32内の圧力を10Pa〜200Paに設定することが好ましい。
このようにして、炭素含有堆積層21を除去(炭素含有堆積層除去工程S321)した後、PDPパネル31をガス封入設備に真空搬送し、PDPパネル31内に放電ガスとしてNe、Xe等を主体とする希ガスを封入(放電ガス封入工程S33)して、パネル各電極に所定の電圧、波形の駆動パルスを印加して放電を行うエージングを実施(エージング工程S34)してPDPパネルの完成となる。
なお、上記の本発明の第2の実施の形態におけるPDPパネルの製造方法の説明では、パネルの封着、排気の各工程後に炭素含有堆積層を除去する工程を実施しているが、本発明はこの手順に限定されるものではない。なぜならば、前面板1に成膜された保護膜12が大気中に曝される間だけ保護膜12を覆う炭素含有堆積層21で保護膜12を大気から遮蔽しておけば保護膜12表面に化合物層が形成されるのを防止できるので、炭素含有堆積層21を除去する工程を実施する手順は、PDPパネル31の製造ラインに合わせて変更できる。例えば、第1の実施の形態の場合と同様に、図4に本発明の第1の実施の形態におけるPDPの製造方法を概略的に示す製造工程の別の流れ図で示すように、封着工程S31と排気工程S32の間に炭素含有堆積層除去工程S321を実施することも可能である。また、炭素含有堆積層21を除去するための処理装置についても、図5に示した装置の構成に限定されるものではない。炭素含有堆積層21を除去するための処理装置は、PDPパネル31内にオゾンガスを導入してPDPパネル31を加熱し、炭素含有堆積層21と反応させ、反応生成物を気相中に放出させ、排気することができれば問題なく、排気装置38に組み込んだ構成なども可能である。上記の説明ように排気工程S32と放電ガス封入工程S33の間(図1)、あるいは封着工程S31と排気工程(S32)の間(図4)に別途装置を構成して炭素含有堆積層除去工程S321を実施しなくても、炭素含有堆積層21を除去するための処理装置を排気装置38に組み込んだ構成の装置により炭素含有堆積層除去工程S321を実施することが可能である。
以上説明したように、本発明におけるPDPの製造方法により、前面板のMgOからなる保護膜表面上に第二の保護膜が形成されているので、完成した前面板を大気に曝しても、保護膜にPDPの特性を劣化させる化合物層が形成されず、化合物層の除去作業によるMgOからなる保護膜が損傷を受けることがないので、特性のばらつきの小さい安定したPDPを製造できることになる。また、第二の保護膜を炭素含有堆積層で形成しているので、酸素ラジカルやオゾンを利用して第二の保護膜を除去できるので、従来のSiN、SiO2、Al23、MgO、TiO2、MgF2などからなる第二の保護膜に比べ除去が容易であり、MgOからなる保護膜表面を損傷することが少なくパネル面内での特性のばらつきが少なく、動作が安定した画質の優れたPDPを製造することができる。
本発明のPDPの製造方法は、MgOからなる保護膜上に第二の保護膜として炭素含有堆積層を形成し、この形成された炭素含有堆積層を効率的に、且つ、保護膜に大きな損傷を与えることなく除去することができ、PDPの特性改善やそのばらつきを低減できるので、動作が安定した画質の優れたPDP表示装置への利用に適している。
本発明の第1の実施の形態におけるPDPの製造方法を概略的に示す製造工程の流れ図 本発明の第1の実施の形態におけるPDPの製造方法で、炭素含有堆積層形成工程後の前面板の構造を示す拡大部分断面図 本発明の第1の実施の形態における製造方法で、PDPパネル前面板に形成した炭素含有堆積層を除去する装置の概略構成図 本発明の第1の実施の形態におけるPDPの製造方法を概略的に示す製造工程の別の流れ図 本発明の第2の実施の形態における製造方法で、PDPパネル前面板に形成した炭素含有堆積層を除去する装置の概略構成図 面放電型AC型PDPの一部を立体的に描いて構造を示した斜視図 従来のAC型PDPの製造工程の概略を示す流れ図
符号の説明
1 前面板
2 背面板
3 放電空間
10 前面ガラス基板
11 誘電体層
12 (誘電体)保護膜
13 維持電極
14 走査電極
16 背面ガラス基板
17 下地誘電体層
18 隔壁
19 データ電極(アドレス電極)
20 蛍光体層
21 炭素含有堆積層
31 PDPパネル
32 真空容器
33,53 ガス導入装置
34 圧力調整装置
35 電極
36 高周波電源
37 パネル載置台
38 排気装置
51 加熱手段
52 ガス供給手段

Claims (7)

  1. 第一のガラス基板上に第一の電極を形成し、前記第一のガラス基板上と前記第一の電極上に第一の誘電体層を形成し、前記第一の誘電体層上に保護膜を形成して第一の基板を製造する工程と、第二のガラス基板上に第二の電極を形成し、前記第二のガラス基板上と前記第二の電極上に第二の誘電体層を形成し、前記第二の誘電体層上に複数の隔壁を形成し、前記隔壁の間に蛍光体層を形成して第二の基板を製造する工程と、前記第一の基板と前記第二の基板を重ね合わせて封着し、封着した基板内部を排気して放電ガスを封入する組み立て工程を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
    前記第一の基板を製造する工程に、前記保護膜上に炭素含有堆積層を形成する工程を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  2. 組み立て工程に、前記炭素含有堆積層を真空中で除去する工程を有することを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  3. 前記炭素含有堆積層がポリマであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  4. 前記ポリマが炭素と水素とを含む化合物であることを特徴とする請求項3に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  5. 前記ポリマが炭素と水素と弗素とを含む化合物であることを特徴とする請求項3に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  6. 前記炭素含有堆積層を除去する工程は、酸素を含むガスのプラズマにより行うことを特徴とする請求項2から請求項5のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  7. 前記炭素含有堆積層を除去する工程は、オゾンを含むガス雰囲気中で前記第一の基板を加熱することにより行うことを特徴とする請求項2から請求項5のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
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