JP2005142328A - Heat transmission apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、発熱体と放熱体の間に設置した熱伝導性のよい熱伝達装置に関するものである。 The present invention relates to a heat transfer device having good thermal conductivity installed between a heat generator and a heat radiator.
図15は、従来の熱伝達装置である冷却装置の構成を示す断面図である。図15において、1は配線板(電子回路基板ともいう)、2は配線板上に装着および配線接合されたICなどの電子回路部品である。3は水冷あるいは空冷される放熱体である。4は伝熱マットであり、5a、5bは伝熱マット膜で、変形自在な材料で構成されている。6は熱媒体であり、例えば水などの液体が封入されている。伝熱マット4は、電子回路部品群2と放熱体3の間隙に設置されており、その自在に変形することから、凸凹のある電子回路部品群2と放熱体3に密着する。電子回路部品群2で発生した熱は、伝熱マット4の伝熱マット膜5aに熱伝導で伝わり、次に熱媒体6中に対流熱伝達で伝わる。そして低温の放熱体6側の伝熱マット膜5bに対流熱伝達で伝わり、伝熱マット膜5bを経て、放熱体3に放熱される。伝熱マット4は、自在に変形できることから、凸凹のある電子回路部品群2と放熱体3との接触性をよくでき、いわゆる接触熱抵抗を軽減できる特徴を有する(例えば、特許文献1参照)。
FIG. 15 is a cross-sectional view showing a configuration of a cooling device which is a conventional heat transfer device. In FIG. 15,
ところで、上記従来の熱伝達装置である伝熱マットにおいては、伝熱マット膜5a、5bが破損すると、熱媒体6が漏洩するという欠点があった。また、発熱する電子回路部品群2から放熱体3への熱の移動が、熱媒体6の対流熱伝達で行われるため、半導体技術の進展に伴い増大する発熱量を有する電子回路部品の冷却に十分対応できないという欠点があった。
このような欠点を解決する方法として、例えば、図16に示すように、市販されている熱伝導性のシート状のラバー51を電子回路部品群2と放熱体3の間に用いることが考えられる。しかしながら、このようなシート状のラバー51では、図16に示すような、凸凹のある複数の電子回路部品2の場合、シート状のラバー51を介在させても、なお放熱体3とシート状のラバー51の間に空隙52が存在する。なお、電子回路部品群2の凸凹は、最大で500μm程度が想定される。また、対象とする電子装置としては、おおよそ200〜300mm角の配線板上に、10〜20個程度のLSIなどの電子回路部品が設置されたものを想定している。このため、図17に示すように、電子回路部品群2と放熱体3の間の据付熱抵抗が電子回路部品間でおおいにばらつくことになる。ここで、据付熱抵抗R[K/W]とは、電子回路部品1個の発熱量をQ[W]、電子回路部品の表面温度をTj(℃)、放熱体3の表面温度をTh(℃)とすると、次式で定義される値である。
R=(Tj−Th)/Q (1)
据付熱抵抗Rがばらつくと言うことは、電子回路部品の発熱量Qと放熱体3の表面温度Thがどの部品も同じとすると、電子回路部品の表面温度Tj、すなわち、電子回路部品の中心部温度がばらつくことを意味する。一般的に、電子回路部品はその温度上昇によって、故障率が異なり、温度上昇が大きい部品ほど動作が不安定になると同時に壊れ易くなる。従って、温度上昇が異なる複数の電子回路部品からなる配線板1では、その動作が不安定になると同時に、配線板1としての故障率も増大することになる。
By the way, in the heat transfer mat which is the said conventional heat transfer apparatus, when the heat
As a method for solving such a drawback, for example, as shown in FIG. 16, it is conceivable to use a commercially available heat conductive sheet-
R = (Tj−Th) / Q (1)
The fact that the installed thermal resistance R varies means that if the heat generation amount Q of the electronic circuit component and the surface temperature Th of the
この発明は、上記のような従来のものの欠点を解決するためになされたもので、発熱体と放熱体の間の間隙に、両者に密着されて設置され、熱伝導性とバネ性を兼ね備えた材料からなり、電子回路部品間の温度差(ばらつき)を極力少なくすると同時に発熱体の熱を効果的に放熱できる熱伝達装置を提供するものである。 This invention was made in order to solve the above-mentioned drawbacks of the conventional one, and was installed in close contact with both in the gap between the heating element and the heat dissipation element, and had both thermal conductivity and spring property. It is an object of the present invention to provide a heat transfer device that is made of a material and that can reduce the temperature difference (variation) between electronic circuit components as much as possible and at the same time effectively dissipate the heat of the heating element.
この発明に係る熱伝達装置は、発熱体、放熱体、および両者の間隙に、両者に密着して設置され、熱伝導性とバネ性を兼ね備えた材料からなる熱伝達手段を備えたものである。 A heat transfer device according to the present invention is provided with a heat transfer unit made of a material having both heat conductivity and spring property, which is installed in close contact with both of a heating element, a heat dissipation element, and a gap between them. .
この発明は以上説明したとおり、発熱体と放熱体との間隙に、熱伝導性とバネ性を有する熱伝達手段を密着させて置くことにより、熱輸送能力を増大させ、また、電子回路部品間の温度差(ばらつき)を抑えることにより発熱体の熱を効果的に放熱できる。 As described above, the present invention increases the heat transport capability by placing the heat transfer means having heat conductivity and spring property in close contact with the gap between the heat generating element and the heat radiating element, and between the electronic circuit components. By suppressing the temperature difference (variation), the heat of the heating element can be radiated effectively.
実施の形態1.
図1及び図2はこの発明を実施するための実施の形態1における熱伝達装置及び熱伝達手段を示すものである。図1において、1は配線板(電子回路基板ともいう)、2は配線板1上に装着および配線接合されたICなどの電子回路部品である。3は水冷あるいは空冷される放熱体である。7はこの発明になる熱伝達手段であり、熱伝導性とバネ性を兼ね備えた材料、例えばリン青銅、ステンレス板などからなる。この熱伝達手段7は、発熱体である電子回路部品群2と放熱体3の間に密着されて設置されている場合は、図1のように変形し、それ自身が持つバネ特性により、発熱体である電子回路部品群2と放熱体3の対抗面に強力にその圧接力で密着させている。そして、熱伝達手段7単独では、例えば、図2のように円筒状となっている。図1のように、熱伝達手段7が電子回路部品群2と放熱体3の間に密着された状態では、発熱体である電子回路部品群2からの熱は、熱伝達手段7に伝わり、放熱体3に至る極めて単純な熱移動形式となっている。また、図15に示した従来例のような熱媒体6の漏れなどの心配もない。また、この発明になる熱伝達手段7では、それ自身が持つバネ性ゆえに、最大で500μm程度の凸凹がある電子回路部品群2にも自在に変形して追従することができる。なお、回路部品の配線板への実装では、おおよそ最大500μm程度の凸凹が想定されるが、この発明になる熱伝達装置では、それ以上の凸凹にも追従できる。また、対象とする電子装置としては、おおよそ200〜300mm角の配線板上に、10〜20個程度のLSIなどの電子回路部品が設置されたものを想定している。なお、パソコンなど、大きい発熱量を有するCPUなどの冷却にもこの発明になる熱伝達装置が使用できることはいうまでもない。
1 and 2 show a heat transfer device and heat transfer means in
実施の形態2.
図3及び図4はこの発明の実施の形態2における熱伝達手段及び熱伝達装置を示すものである。熱伝達手段7を別の形状、すなわち、扁平楕円形状に構成されたものである。この扁平楕円形状は、バネ特性を確保するためと、破損の危険性を回避するために、両端部を鋭角とせずに円弧状7aとし、かつ上面中央部を切り離して間隙8を形成している。この間隙8は熱伝達手段7を板状の材料で作成する場合にできるものである。また間隙8は発熱体2と放熱体3の間隙に密着して設置された状態では、図4のように変形してほぼ閉じられることになる。また、熱伝達手段7自身のバネ特性で、発熱体2と放熱体3の両者を強力に圧接する。なお、図2に示した円筒状の熱伝達手段7において、その途中が図3に示すように切り離して間隙8を形成していても良い。ただし、図4に示したように、間隙8は必ず、発熱体2あるいは放熱体3の接触面のほぼ中央部に位置する必要がある。例えば、図5のように間隙8が一方の側面に位置すると、発熱体2で発生した熱は、熱移動が一方の側面では間隙8で遮断され、他方の側面のみしか熱移動ができない。
現在、入手できる、熱伝導性とバネ性を兼ね備えた材料として、前述したうように、例えば、リン青銅、ステンレスなどが考えられる。一般に、このような材料は温度上昇とともに膨張するため、図2、又は図3に示した形状の熱伝達手段7では、発熱体2および放熱体3との圧接力が増大するという利点がある。
ところで、熱伝導性とバネ性を兼ね備えた材料の熱伝導率は、リン青銅が84(W/m・K)、ステンレスが16(W/m・K)で、熱伝導性に優れた銅の398(W/m・K)に比べて、極めて小さい。
3 and 4 show a heat transfer means and a heat transfer device in
As described above, phosphor bronze, stainless steel, and the like are conceivable as materials that are currently available and have both thermal conductivity and spring property. In general, since such a material expands with an increase in temperature, the heat transfer means 7 having the shape shown in FIG. 2 or FIG. 3 has an advantage that the pressure contact force between the
By the way, the thermal conductivity of a material having both thermal conductivity and spring property is 84 (W / m · K) for phosphor bronze and 16 (W / m · K) for stainless steel. Very small compared to 398 (W / m · K).
実施の形態3.
図6及び図7はこの発明の実施の形態3における熱伝達手段を示すものである。熱伝導性材料からなる部品9とバネ性材料からなる部品10の異種材料から熱伝達手段7が構成されている。また、熱伝導性材料からなる部品9は、図1又は図4のように、発熱体2と放熱体3の間隙に密着して設置される場合は、図6又は図7のように外周側に位置するように構成される。これにより、図8に示すように、発熱体2と放熱体3に熱的に強固にバネ性材料からなる部品10によって内部から圧接され、密着されることになる。この実施の形態3においては、熱伝導性材料からなる部品9として銅板を用い、バネ性材料からなる部品10としてステンレス板を用い、いずれの部品も厚さ0.1mmのものとする。銅板が熱を主に伝えることから、銅板の厚みは厚いほど据付熱抵抗は低減できる。ただし、あまり厚いと弾力性がなくなるため、その厚さには限界がある。この発明が対象とする電子回路部品の冷却では1mm以下となる。また、ステンレス板のバネ性も、板の厚さTと長さLに影響される。板厚をT、長さをLとすると、バネ性は、L3/T3に比例して大きくなる。本実験結果によれば、L3/T3=27×106である。
図7の実施の形態3では、熱伝導性材料からなる部品9とバネ性材料からなる部品10とは、一体化される必要はない。そのため、分離・分解が可能となり、再利用などリサイクル性が優れたものとすることができる。
6 and 7 show heat transfer means in
In the third embodiment shown in FIG. 7, the
実施の形態4.
図9はこの発明の実施の形態4における熱伝達装置を示すものである。一つの発熱体2と放熱体3の間隙に複数個の熱伝達手段7が密着されて設置されている。熱伝導性材料からなる部品9を通して熱が伝わる流路が多くなるので、熱輸送能力が一段と増大する。
FIG. 9 shows a heat transfer device according to
実施の形態5.
図10及び図11はこの発明の実施の形態5における熱伝達装置及び熱伝達手段を示すものである。この実施の形態5における熱伝達手段7は、図11に示すように、単一材料からなる円弧状の熱伝達手段又は異種の複合材料からなる円弧状の熱伝達手段である。この円弧状の熱伝達手段7を図10に示すように、多数の熱伝達手段7が発熱体2と放熱体3の間隙に設置できることから、熱輸送能力が一段と増大する。
なお、上述した異種材料で構成される熱伝達手段7において、発熱体2から熱伝達される熱によって熱伝達手段7が温度上昇すると、熱伝達手段7が熱膨張し、熱伝達手段7と発熱体2および放熱体3のその密着性が更に良くなる。特に、バネ性材料10の熱膨張率が熱伝導性材料9のそれに比して大きい場合には、熱伝導性材料9の発熱体2と放熱体3への圧接力が増大し、接触熱抵抗が低くできるという利点がある。
上述した例では、熱伝達手段7が単独で存在する場合について述べたが、発熱体2あるいは放熱体3に直接接合されていてもよい。接合されていると、熱伝達手段7と発熱体2あるいは放熱体3との接触熱低下の低減がはかれると同時に、熱伝達手段の実装(着脱など)が容易になるという利点がある。
Embodiment 5 FIG.
10 and 11 show a heat transfer device and heat transfer means in Embodiment 5 of the present invention. As shown in FIG. 11, the heat transfer means 7 in the fifth embodiment is an arc-shaped heat transfer means made of a single material or an arc-shaped heat transfer means made of a different kind of composite material. As shown in FIG. 10, the arc-shaped heat transfer means 7 can be installed in the gap between the
In the heat transfer means 7 composed of the above-described different materials, when the temperature of the heat transfer means 7 rises due to the heat transferred from the
In the example described above, the case where the heat transfer means 7 is present alone has been described. However, the heat transfer means 7 may be directly joined to the
実施の形態6.
図12及び図13はこの発明の実施の形態6における熱伝達手段を示すものである。この 実施の形態6における熱伝達手段7は、発熱体、及び放熱体に密着する面側に、その密着性を良くするために、柔らかくて薄い熱伝導性介在物11が接合されている。この熱伝導性介在物11としては、例えば、熱伝導性のよいアルミナ粉末などのフィラーが混入された高分子材料などが適している。熱伝導性介在物11の厚みは、その熱抵抗が無視できる程度に薄いことが望ましい。
12 and 13 show heat transfer means in
図14は、この発明の実施の形態3になる熱伝達手段7と、市販の熱伝導性シート状ラバー51と、電子回路部品と放熱体の間に何も介在しない(空気)の場合の据付熱抵抗Rの実験結果の一例を示したものである。この実験例では、250mm角の配線板上に電子回路部品2が16個のLSI(LSI11〜LSI44、1個のLSIの放熱体への接触面積は30×30mm)が装着された場合であり、水で冷却された放熱体3を用いた実験が行われた場合の結果である。この発明になる熱伝達手段7では、そのバネ性と熱伝導性により、電子回路部品2の凸凹に追随して、据付熱抵抗Rのばらつきが小さくなっているのがわかる。また、据付熱抵抗の値自体も小さくなっている。この実験例では、最小の据付熱抵抗は2[K/W]となっている。これは電子回路部品と放熱体とに空隙ができたためである。この空隙はおおよそ
R=G/(k・A)
より計算すると、47μmに相当する。最大値は8.6[K/W]で、これは200μmに相当する。ここで、Gは平均的な空隙距離、kは空気の熱伝導率、Aは回路部品の見かけの接触面積である。
空気のデータで、2.0[K/W]という最小値を示している。16個の回路部品に放熱体を設置すると、どれか1個は接触が最もよくなる。他は何らかの空隙を持つことになる。最も接触のよいのが、2.0[K/W]である。この発明の実施の形態3では、回路部品と放熱体の熱の伝導路は、両端の円弧状部7aから上方に向かう図3の矢印2個所のみである。このため、図9に示すように、複数個の熱伝達手段を用いると、熱の伝導路が増加し、据付熱抵抗が減少することになる。最終的には、空気のデータで最小値を示す2.0[K/W]に全ての回路部品が到達することになる。更に、回路部品、放熱体、熱伝達手段の各接触面に、熱伝導性のグリースなどを薄く塗布し、空隙を無くす工夫をすることで、据付熱抵抗の軽減が図れる。
FIG. 14 shows an installation in the case where there is nothing (air) between the heat transfer means 7, the commercially available heat
More calculated corresponds to 47 μm. The maximum value is 8.6 [K / W], which corresponds to 200 μm. Here, G is the average gap distance, k is the thermal conductivity of air, and A is the apparent contact area of the circuit component.
The minimum value of 2.0 [K / W] is shown in the air data. If a radiator is installed on 16 circuit components, one of them will have the best contact. Others will have some void. The best contact is 2.0 [K / W]. In the third embodiment of the present invention, the heat conduction paths of the circuit component and the heat dissipating body are only the two arrows in FIG. 3 directed upward from the
1 発熱体である電子回路部品
2 配線板
3 放熱体
7 熱伝達手段
7a 円弧状部
8 間隙
9 熱伝導性材料からなる部品
10 バネ性材料からなる部品
11 熱伝導性介在物
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7239514B2 (en) * | 2005-12-06 | 2007-07-03 | Industrial Design Laboratories Inc. | Heat transfer structure for electronic devices |
JP2008034474A (en) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Sharp Corp | Heat transfer sheet and substrate device |
JP2013026212A (en) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Lg Innotek Co Ltd | Backlight unit and display device using the same |
JP2016015420A (en) * | 2014-07-02 | 2016-01-28 | Necエンジニアリング株式会社 | Heat conduction member |
JP2016171142A (en) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | 富士通株式会社 | Electronic apparatus |
KR101733531B1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-05-08 | 아리투스주식회사 | A heat dissipation system having a heat dissipation tube of a multilayer structure film |
JP2017162963A (en) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | 株式会社デンソー | Electronic device |
JP2020136607A (en) * | 2019-02-25 | 2020-08-31 | 信越ポリマー株式会社 | Heat radiation structure, and device including the same |
JP2021034508A (en) * | 2019-08-22 | 2021-03-01 | 信越ポリマー株式会社 | Heat dissipation structure and battery with the same |
JPWO2019244881A1 (en) * | 2018-06-20 | 2021-03-18 | 信越ポリマー株式会社 | Heat dissipation structure, manufacturing method of heat dissipation structure and battery |
-
2003
- 2003-11-06 JP JP2003376693A patent/JP2005142328A/en active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7239514B2 (en) * | 2005-12-06 | 2007-07-03 | Industrial Design Laboratories Inc. | Heat transfer structure for electronic devices |
JP2008034474A (en) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Sharp Corp | Heat transfer sheet and substrate device |
KR101824038B1 (en) * | 2011-07-22 | 2018-01-31 | 엘지이노텍 주식회사 | display apparatus |
JP2013026212A (en) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Lg Innotek Co Ltd | Backlight unit and display device using the same |
JP2016015420A (en) * | 2014-07-02 | 2016-01-28 | Necエンジニアリング株式会社 | Heat conduction member |
JP2016171142A (en) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | 富士通株式会社 | Electronic apparatus |
KR101733531B1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-05-08 | 아리투스주식회사 | A heat dissipation system having a heat dissipation tube of a multilayer structure film |
JP2017162963A (en) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | 株式会社デンソー | Electronic device |
WO2017154923A1 (en) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | 株式会社デンソー | Electronic device |
JPWO2019244881A1 (en) * | 2018-06-20 | 2021-03-18 | 信越ポリマー株式会社 | Heat dissipation structure, manufacturing method of heat dissipation structure and battery |
JP7144514B2 (en) | 2018-06-20 | 2022-09-29 | 信越ポリマー株式会社 | Heat dissipation structure, method for manufacturing heat dissipation structure, and battery |
JP2020136607A (en) * | 2019-02-25 | 2020-08-31 | 信越ポリマー株式会社 | Heat radiation structure, and device including the same |
JP2021034508A (en) * | 2019-08-22 | 2021-03-01 | 信越ポリマー株式会社 | Heat dissipation structure and battery with the same |
JP7254661B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-04-10 | 信越ポリマー株式会社 | Heat dissipation structure and battery with same |
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