JP2005136202A - 波長可変レーザ及びその制御方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 46
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 78
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 33
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 18
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 51
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920005560 fluorosilicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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- H01S5/06808—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the electrical laser parameters, e.g. voltage or current
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Abstract
【解決手段】 光検出器10A及び10Bによる検出結果に基づいて導波路集積部2を構成する導波路の屈折率を調節することにより、共振器内で共振するレーザ光の位相を制御する位相制御部11が設けられている。位相制御部11は、光検出器10Aにより検出された強度に対する光検出器10Bにより検出された強度の比が、予め求めておいた基準値となるように、帰還制御により導波路の屈折率を調節する。光検出器10Aには、共振器から出力されたレーザ光の一部がそのまま照射されるが、光検出器10Bには、共振器から出力されたレーザ光の一部がエタロン5Bを透過して照射される。エタロン5Bの透過波長の周期は、エタロン5Aの透過波長の周期の2倍である。
【選択図】 図1
Description
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る波長可変レーザの構造を示す模式図である。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図5は、本発明の第2の実施形態に係る波長可変レーザの構造を示す模式図である。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。図9は、本発明の第3の実施形態に係る波長可変レーザの構造を示す模式図である。
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。図10は、本発明の第4の実施形態に係る波長可変レーザの構造を示す模式図である。
レーザ光を出射する半導体光増幅器と、
前記レーザ光の経路に配置された波長可変フィルタと、
前記レーザ光の経路に配置され、周期的な透過波長を具えた第1の光フィルタと、
前記半導体光増幅器、位相制御手段、波長可変フィルタ及び第1の光フィルタを間に挟む位置に配置され、前記レーザ光を共振させる2個の反射部材と、
前記2個の反射部材間で共振するレーザ光の位相を制御する位相制御手段と、
前記2個の反射部材の一方を透過したレーザ光の一部を分離する第1及び第2のビームスプリッタと、
前記第1のビームスプリッタにより分離されたレーザ光の強度を検出する第1の光検出器と、
前記第2のビームスプリッタにより分離されたレーザ光の経路に配置され、周期的な透過波長を具えた第2の光フィルタと、
前記第2の光フィルタを透過したレーザ光の強度を検出する第2の光検出器と、
を有し、
前記位相制御手段は、前記第1の光検出器により検出された強度に対する前記第2の光検出器により検出された強度の比が一定の値になるように前記レーザ光の位相を制御することを特徴とする波長可変レーザ。
前記2個の反射部材のうち前記第1及び第2のビームスプリッタから離間する側に配置された反射部材と前記波長可変フィルタとが同一の部材から構成されていることを特徴とする付記1に記載の波長可変レーザ。
前記同一の部材は、回折格子を利用した反射型のフィルタであることを特徴とする付記2に記載の波長可変レーザ。
前記第1の光フィルタの透過波長の周期と、前記第2の光フィルタの透過波長の周期とが、互いに一致していることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の波長可変レーザ。
前記第2の光フィルタの透過波長の周期は、前記第1の光フィルタの透過波長の周期の2倍となっていることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の波長可変レーザ。
前記波長可変フィルタに対して、前記第1の光検出器により検出されるレーザ光の強度が最大となるように制御が行われることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載の波長可変レーザ。
前記波長可変フィルタに対して、前記半導体光増幅器にかかる電圧が最小となるように制御が行われることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載の波長可変レーザ。
前記反射型のフィルタの透過光の強度を検出する第3の光検出器を有し、
前記第1の光検出器により検出される光強度と前記第3の光検出器により検出される光強度との比が特定の値になるように前記反射型のフィルタのフィルタ波長を制御することを特徴とする付記3に記載の波長可変レーザ。
前記2個の反射部材の一方を透過したレーザ光の一部を分離する第3のビームスプリッタと、
前記第3のビームスプリッタにより分離されたレーザ光の経路に配置され、波長に対して緩やかに、且つ単調に透過率が変化する媒質と、
前記媒質を透過したレーザ光の強度を検出する第4の光検出器と、
を有し、
前記第4の光検出器により検出された光強度に基づいて発振している波長が特定されることを特徴とする付記1乃至8のいずれか1項に記載の波長可変レーザ。
前記一定の値は、前記2個の反射部材間で共振するレーザ光の位相と前記2個の反射部材の一方を透過したレーザ光の強度との関係から予め求められた値であることを特徴とする付記1乃至9のいずれか1項に記載の波長可変レーザ。
前記半導体光増幅器には、前記2個の反射部材間で同一の縦モードで共振することができる位相の範囲が存在し、
前記一定の値は、前記位相の範囲の中心の位相が得られるときに、前記第1の光検出器により検出された強度に対する前記第2の光検出器により検出された強度の比であることを特徴とする付記1乃至9のいずれか1項に記載の波長可変レーザ。
前記第1及び第2の光フィルタは、エタロンであることを特徴とする付記1乃至11のいずれか1項に記載の波長可変レーザ。
レーザ光を出射する半導体光増幅器と、
前記レーザ光の経路に配置された波長可変フィルタと、
前記レーザ光の経路に配置され、周期的な透過波長を具えた第1の光フィルタと、
前記半導体光増幅器、位相制御手段、波長可変フィルタ及び第1の光フィルタを間に挟む位置に配置され、前記レーザ光を共振させる2個の反射部材と、
前記2個の反射部材の一方を透過したレーザ光の一部を分離する第1及び第2のビームスプリッタと、
前記第1のビームスプリッタにより分離されたレーザ光の強度を検出する第1の光検出器と、
前記第2のビームスプリッタにより分離されたレーザ光の経路に配置され、周期的な透過波長を具えた第2の光フィルタと、
前記第2の光フィルタを透過したレーザ光の強度を検出する第2の光検出器と、
を有する波長可変レーザの制御方法であって、
前記第1の光検出器により検出された強度に対する前記第2の光検出器により検出された強度の比が一定の値になるように、前記2個の反射部材間で共振するレーザ光の位相を制御することを特徴とする波長可変レーザの制御方法。
前記波長可変フィルタに対して、前記第1の光検出器により検出されるレーザ光の強度が最大となるように、フィルタの選択を行うことを特徴とする付記13に記載の波長可変レーザの制御方法。
前記波長可変フィルタに対して、前記半導体光増幅器にかかる電圧が最小となるように、フィルタの選択を行うことを特徴とする付記13に記載の波長可変レーザの制御方法。
前記一定の値として、前記2個の反射部材間で共振するレーザ光の位相と前記2個の反射部材の一方を透過したレーザ光の強度との関係から予め求められた値を用いることを特徴とする付記13乃至15のいずれか1項に記載の波長可変レーザの制御方法。
前記半導体光増幅器には、前記2個の反射部材間で同一の縦モードで共振することができる位相の範囲が存在し、
前記一定の値として、前記位相の範囲の中心の位相が得られるときに、前記第1の光検出器により検出された強度に対する前記第2の光検出器により検出された強度の比を用いることを特徴とする付記13乃至15のいずれか1項に記載の波長可変レーザの制御方法。
2:導波路集積部
3:音響光学波長可変フィルタ(AOTF)
4:レンズ
5A、5B:エタロン
5L:リニアフィルタ
6:反射鏡
7:反射膜
8:電圧モニタ
9A、9B、9C:ビームスプリッタ
10A、10B、10C、10D:光検出器(PD)
11:位相制御部
13:反射型波長可変フィルタ
Claims (10)
- レーザ光を出射する半導体光増幅器と、
前記レーザ光の経路に配置された波長可変フィルタと、
前記レーザ光の経路に配置され、周期的な透過波長を具えた第1の光フィルタと、
前記半導体光増幅器、位相制御手段、波長可変フィルタ及び第1の光フィルタを間に挟む位置に配置され、前記レーザ光を共振させる2個の反射部材と、
前記2個の反射部材間で共振するレーザ光の位相を制御する位相制御手段と、
前記2個の反射部材の一方を透過したレーザ光の一部を分離する第1及び第2のビームスプリッタと、
前記第1のビームスプリッタにより分離されたレーザ光の強度を検出する第1の光検出器と、
前記第2のビームスプリッタにより分離されたレーザ光の経路に配置され、周期的な透過波長を具えた第2の光フィルタと、
前記第2の光フィルタを透過したレーザ光の強度を検出する第2の光検出器と、
を有し、
前記位相制御手段は、前記第1の光検出器により検出された強度に対する前記第2の光検出器により検出された強度の比が一定の値になるように前記レーザ光の位相を制御することを特徴とする波長可変レーザ。 - 前記第1の光フィルタの透過波長の周期と、前記第2の光フィルタの透過波長の周期とが、互いに一致していることを特徴とする請求項1に記載の波長可変レーザ。
- 前記第2の光フィルタの透過波長の周期は、前記第1の光フィルタの透過波長の周期の2倍となっていることを特徴とする請求項1又は2に記載の波長可変レーザ。
- 前記波長可変フィルタに対して、前記第1の光検出器により検出されるレーザ光の強度が最大となるように制御が行われることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の波長可変レーザ。
- 前記波長可変フィルタに対して、前記半導体光増幅器にかかる電圧が最小となるように制御が行われることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の波長可変レーザ。
- 前記一定の値は、前記2個の反射部材間で共振するレーザ光の位相と前記2個の反射部材の一方を透過したレーザ光の強度との関係から予め求められた値であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の波長可変レーザ。
- 前記半導体光増幅器には、前記2個の反射部材間で同一の縦モードで共振することができる位相の範囲が存在し、
前記一定の値は、前記位相の範囲の中心の位相が得られるときに、前記第1の光検出器により検出された強度に対する前記第2の光検出器により検出された強度の比であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の波長可変レーザ。 - レーザ光を出射する半導体光増幅器と、
前記レーザ光の経路に配置された波長可変フィルタと、
前記レーザ光の経路に配置され、周期的な透過波長を具えた第1の光フィルタと、
前記半導体光増幅器、位相制御手段、波長可変フィルタ及び第1の光フィルタを間に挟む位置に配置され、前記レーザ光を共振させる2個の反射部材と、
前記2個の反射部材の一方を透過したレーザ光の一部を分離する第1及び第2のビームスプリッタと、
前記第1のビームスプリッタにより分離されたレーザ光の強度を検出する第1の光検出器と、
前記第2のビームスプリッタにより分離されたレーザ光の経路に配置され、周期的な透過波長を具えた第2の光フィルタと、
前記第2の光フィルタを透過したレーザ光の強度を検出する第2の光検出器と、
を有する波長可変レーザの制御方法であって、
前記第1の光検出器により検出された強度に対する前記第2の光検出器により検出された強度の比が一定の値になるように、前記2個の反射部材間で共振するレーザ光の位相を制御することを特徴とする波長可変レーザの制御方法。 - 前記一定の値として、前記2個の反射部材間で共振するレーザ光の位相と前記2個の反射部材の一方を透過したレーザ光の強度との関係から予め求められた値を用いることを特徴とする請求項8に記載の波長可変レーザの制御方法。
- 前記半導体光増幅器には、前記2個の反射部材間で同一の縦モードで共振することができる位相の範囲が存在し、
前記一定の値として、前記位相の範囲の中心の位相が得られるときに、前記第1の光検出器により検出された強度に対する前記第2の光検出器により検出された強度の比を用いることを特徴とする請求項8又は9に記載の波長可変レーザの制御方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003370805A JP4713073B2 (ja) | 2003-10-30 | 2003-10-30 | 波長可変レーザ及びその制御方法 |
US10/810,601 US7130322B2 (en) | 2003-10-30 | 2004-03-29 | Wavelength tunable laser and method of controlling the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003370805A JP4713073B2 (ja) | 2003-10-30 | 2003-10-30 | 波長可変レーザ及びその制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005136202A true JP2005136202A (ja) | 2005-05-26 |
JP4713073B2 JP4713073B2 (ja) | 2011-06-29 |
Family
ID=34543901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003370805A Expired - Lifetime JP4713073B2 (ja) | 2003-10-30 | 2003-10-30 | 波長可変レーザ及びその制御方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7130322B2 (ja) |
JP (1) | JP4713073B2 (ja) |
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JP4713073B2 (ja) | 2011-06-29 |
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