JP2002296147A - 波長可変半導体レーザの検査方法及び検査装置、コヒーレント光源の検査方法 - Google Patents

波長可変半導体レーザの検査方法及び検査装置、コヒーレント光源の検査方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長可変半導体レーザの波長可変特性を簡便
でかつ高速に評価する方法を提供する。 【解決手段】 活性領域と位相調整領域とＤＢＲ領域か
ら構成される波長可変半導体レーザ１に電流を供給する
電源と、半導体レーザの出力強度を検出する受光素子３
と、受光素子までの光路上に挿入可能な透過型波長選択
素子６から構成される検査装置であり、活性領域に一定
の活性電流を注入し、半導体レーザから受光素子までの
光路上に透過型波長選択素子を挿入した状態で、位相調
整領域に注入する位相電流とＤＢＲ領域に注入するＤＢ
Ｒ電流の少なくとも一方を変化させ、透過型波長選択素
子後の半導体レーザ光の出力強度を受光素子により検出
し、出力強度の変化点に対応する位相電流及びＤＢＲ電
流を求め、波長可変ＤＢＲ半導体レーザの波長可変の安
定性などを簡単でかつ高速に検査することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信や第２高調
波発生などに用いられる波長可変機能を有する半導体レ
ーザの検査装置及び検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、波長可変可能な半導体レーザが、
光通信分野や非線形効果を用いた第２高調波発生の基本
波として注目されている。半導体レーザ上にグレーティ
ングが集積化された、分布帰還型（distributeｄ feedb
ack : DFB）半導体レーザ並びに分布反射型（distribut
ed Bragg reflector : DBR）半導体レーザは、レーザ
単体で単一縦モード発振が可能な半導体レーザである。
現在、DBR半導体レーザおよびDFB半導体レーザは、長距
離・大容量の光通信システムを実現する上で重要な光部
品と成っている。
【０００３】波長可変方式としては、DBR半導体レーザ
上のDBR部に電流注入し、プラズマ効果や温度変化によ
り屈折率変化を与えることで、発振波長をチューニング
することが提案されている。
【０００４】波長可変機能を有するＤＢＲ半導体レーザ
について説明する（横山他：電気学会論文誌Ｃ、Vol.12
0-C、P938、平成１２年）。図１４に、３電極構造のＡ
ｌＧａＡｓ系波長可変ＤＢＲ半導体レーザの構成であ
る。波長可変ＤＢＲ半導体レーザ３４は、活性領域３
５、位相調整領域３６、ＤＢＲ領域３７の３つの領域か
ら構成されている。ｎ−ＧａＡｓ基板上にＭＯＣＶＤ装
置を用いてエピタキシャル成長により、ｎ−ＡｌＧａＡ
ｓを成長させた後、ＡｌＧａＡｓの活性領域を形成す
る。クラッド層としてｐ−ＡｌＧａＡｓを積層し、フォ
トリソグラフィー技術により、リブ構造の光導波路を形
成している。次に、光導波路上に電子ビーム描画により
１次のグレーティング（周期１００ｎｍ）を形成し、グ
レーティングを形成したＤＢＲ領域と、位相調整領域に
は、シリコンを注入し、パッシブな光導波路を形成して
いる。第２の結晶成長を行い、クラッド層としてｐ−Ａ
ｌＧａＡｓを積層し、最後にｎ側及びｐ側には、電流注
入するための電極を形成している。
【０００５】３電極構造ＡｌＧａＡｓ系波長可変ＤＢＲ
半導体レーザは、しきい値が２５ｍＡで、活性領域への
注入電流（動作電流）１５０ｍＡに対し出力５０ｍＷが
得られている。図１５にＤＢＲ領域へ電流注入を行った
場合の波長可変特性を示す。ＤＢＲ領域への注入電流
（ＤＢＲ電流）を変化させ、ＤＢＲ領域の屈折率を熱的
に変化させることにより、波長可変が実現される。出射
された半導体レーザ光を光スペクトラムアナライザに導
き、発振波長を観測した。注入電流１００ｍＡ、位相電
流０ｍＡに対し、図１５に示すように階段状の２ｎｍの
波長可変幅が得られた。波長可変時においても発振波長
は単一縦モードに維持された。
【０００６】次に、位相電流を２０ｍＡに設定し、同様
にＤＢＲ電流を変化させた時の波長可変特性を測定し
た。さらに、位相電流を４０ｍＡに設定し、同様にＤＢ
Ｒ電流を変化させた時の波長可変特性を測定した。得ら
れた結果をもとに、モードホップが生じたＤＢＲ電流値
（階段のステップとなる電流値Ａ点）をプロットした結
果を図１６に示す。このマップから、ＤＢＲ電流（Ｉｄ
ｂｒ）と位相調整領域への注入電流（位相電流：Ｉｐ
ｈ）をＩｄｂｒ／Ｉｐｈ＝０．５の関係を保持して、同
時に制御すると図１７に示すような連続的な波長可変特
性が実現できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
波長可変ＤＢＲ半導体レーザやＤＦＢ半導体レーザにお
いては、その波長可変特性が重要である。波長可変特性
として重要な要素は、 １）単一縦モード性 ２）波長可変再現性 ３）連続波長可変に必要なＩｄｂｒ／Ｉｐｈの関係 である。１）単一モード性は、光通信用途や第２高調波
発生においては、最も要求される項目であり、第２高調
波発生などでは、縦モードがマルチモード化すると、変
換効率の大きな減少を招く。２）波長可変再現性は、波
長制御上重要な項目であり、まず図１５に示すように単
調増加特性であり、また波長可変特性の再現性が優れて
いることが重要である。３）連続波長可変に必要なＩｄ
ｂｒ／Ｉｐｈの関係は、半導体レーザ間の個体ばらつき
を有するため、それぞれの半導体レーザに対して測定す
る必要がある。
【０００８】従来は、これらの特性を評価する際、光ス
ペクトラムアナライザなどを用いて測定を行っていて、
相当な作業量を必要としていた。波長可変ＤＢＲ半導体
レーザの量産化などを考えると、検査工程の簡素化は重
要な課題であった。
【０００９】そこで、本発明は上記の課題を解決し、簡
単な構成、スピーディーで正確な波長可変機能を有する
半導体レーザの検査装置、及び簡便な検査方法を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の波長可変半導体レーザの検査装置は、活性
領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領域
を有する半導体レーザの検査装置であって、前記活性領
域と前記位相調整領域と前記ＤＢＲ領域に電流を供給す
る電源と、前記半導体レーザから出射される光の出力強
度を検出するための受光素子と、前記半導体レーザから
前記受光素子までの光路上に挿入可能な透過型波長選択
素子から構成されていて、そのことによって、上記の目
的が達成される。
【００１１】本発明の波長可変半導体レーザの検査装置
は、前記半導体レーザから前記受光素子までの光路上に
前記透過型波長選択素子を挿入した状態において、前記
活性領域に注入する所定の活性電流に対し、前記位相調
整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入する
ＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記透過型波
長選択素子後の前記半導体レーザ光の出力強度を前記受
光素子により検出することによって、上記目的が達成さ
れる。
【００１２】本発明の波長可変半導体レーザの検査方法
は、波長可変半導体レーザ検査装置を用いて、前記半導
体レーザから前記受光素子までの光路上に前記透過型波
長選択素子を挿入しない状態において、前記活性領域に
注入する活性電流を変化させ、前記半導体レーザから出
射される光の出力強度を前記受光素子により検出し、前
記活性電流と前記出力強度の関係を求めることによっ
て、上記目的が達成される。
【００１３】本発明の波長可変半導体レーザの検査方法
は、前記波長可変半導体レーザ検査装置を用いて、前記
活性領域に一定の活性電流を注入し、前記半導体レーザ
から前記受光素子までの光路上に前記透過型波長選択素
子を挿入した状態において、前記位相調整領域に注入す
る位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少
なくとも一方を変化させ、前記透過型波長選択素子後の
前記半導体レーザ光の出力強度を前記受光素子により検
出し、前記半導体レーザの所望の波長に対応する前記位
相電流及び前記ＤＢＲ電流を求めることによって、上記
目的が達成される。
【００１４】ある実施の形態においては、前記半導体レ
ーザの所望の波長が、前記透過型波長選択素子後の前記
半導体レーザ光の出力強度が最大になる波長であること
によって、上記目的が達成される。
【００１５】また、本発明の波長可変半導体レーザの検
査方法は、前記波長可変半導体レーザ検査装置を用い
て、前記活性領域に一定の電流を注入し、前記半導体レ
ーザから前記受光素子までの光路上に前記透過型波長選
択素子を挿入した状態において、前記位相調整領域に注
入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流
の少なくとも一方を変化させ、前記透過型波長選択素子
後の前記半導体レーザ光の出力強度を前記受光素子によ
り検出し、前記出力強度の変化点に対応する前記位相電
流及び前記ＤＢＲ電流を求めることによって、上記目的
が達成される。
【００１６】ある実施の形態においては、前記変化点に
対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流から、前記位
相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比を算出することによっ
て、上記目的が達成される。
【００１７】ある実施の形態においては、前記位相電流
を変化させた時に得られる前記変化点に対応する前記位
相電流の間隔△Ｉｐｈと、前記ＤＢＲ電流を変化させた
時に得られる前記変化点に対応する前記ＤＢＲ電流の間
隔△Ｉｄｂｒから、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電
流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒを算出することによって、上
記目的が達成される。
【００１８】ある実施の形態においては、前記ＤＢＲ電
流の電流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒを算出し、前記位相電
流と前記ＤＢＲ電流を前記電流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒ
の関係で動作させることで、前記半導体レーザの波長が
連続的に変化することによって、上記目的が達成され
る。
【００１９】ある実施の形態においては、前記透過型波
長選択素子が、基板上に形成された誘電体多層膜からな
ることによって、上記目的が達成される。ある実施の形
態においては、前記透過型波長選択素子が、基板上に形
成された誘電体多層膜からなることによって、上記目的
が達成される。
【００２０】また、本発明の波長可変半導体レーザの検
査方法は、活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射
（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザの検査装置であっ
て、前記活性領域と前記位相調整領域と前記ＤＢＲ領域
に電流を供給する電源と、前記半導体レーザから出射さ
れる光の出力強度を検出するための受光素子を有し、前
記活性領域に所定の活性電流を注入し、前記位相調整領
域に注入する位相電流を変化させた時に得られる出力変
化点の位相電流間隔△Ｉｐｈと、前記ＤＢＲ領域に注入
するＤＢＲ電流を変化させた時に得られる出力変化点の
ＤＢＲ電流間隔△Ｉｄｂｒを求め、前記位相電流間隔△
Ｉｐｈと前記ＤＢＲ電流間隔△Ｉｄｂｒの電流比△Ｉｐ
ｈ／△Ｉｄｂｒを算出することによって、上記目的が達
成される。
【００２１】ある実施の形態においては、前記位相電流
を変化させた時に得られる出力変化点、及びＤＢＲ電流
を変化させた時に得られる出力変化点が、出力減少から
出力増加に変化する変化点であることによって、上記目
的が達成される。
【００２２】ある実施の形態においては、前記位相電流
と前記ＤＢＲ電流を前記電流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒの
関係で動作させることで、前記半導体レーザの波長が連
続的に変化することによって、上記目的が達成される。
【００２３】また、本発明の波長可変半導体レーザの検
査方法は、活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射
（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザの検査装置であっ
て、前記活性領域と前記位相調整領域と前記ＤＢＲ領域
に電流を供給する電源と、光の出力強度を検出するため
の受光素子と、前記半導体レーザから前記受光素子まで
の光路上に挿入可能な第２高調波発生素子から構成され
ていることによって、上記目的が達成される。
【００２４】本発明の波長可変半導体レーザの検査方法
は、前記半導体レーザから前記受光素子までの光路上に
前記第２高調波発生素子を挿入した状態において、前記
活性領域に注入する所定の活性電流に対し、前記位相調
整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入する
ＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記第２高調
波発生素子により波長変換された高調波光の出力強度を
前記受光素子により検出することによって、上記目的が
達成される。
【００２５】本発明の波長可変半導体レーザの検査方法
は、前記波長可変半導体レーザ検査装置を用いて、前記
半導体レーザから前記受光素子までの光路上に前記第２
高調波発生素子を挿入しない状態において、前記活性領
域に注入する活性電流を変化させ、前記半導体レーザか
ら出射される光の出力強度を前記受光素子により検出
し、前記活性電流と前記出力強度の関係を求めることに
よって、上記目的が達成される。
【００２６】本発明の波長可変半導体レーザの検査方法
は、前記波長可変半導体レーザ検査装置を用いて、前記
活性領域に一定の電流を注入し、前記半導体レーザから
前記受光素子までの光路上に前記第２高調波発生素子を
挿入した状態において、前記位相調整領域に注入する位
相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なく
とも一方を変化させ、前記第２高調波発生素子により波
長変換された高調波光の出力強度を前記受光素子により
検出し、前記半導体レーザの所望の波長に対応する前記
位相電流及び前記ＤＢＲ電流を求めることによって、上
記目的が達成される。
【００２７】ある実施の形態においては、前記半導体レ
ーザの所望の波長が、前記第２高調波発生素子後の前記
高調波光の出力強度が最大になる波長であることによっ
て、上記目的が達成される。
【００２８】ある実施の形態においては、前記波長可変
半導体レーザ検査装置を用いて、前記活性領域に一定の
電流を注入し、前記半導体レーザから前記受光素子まで
の光路上に前記第２高調波発生素子を挿入した状態にお
いて、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢ
Ｒ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化さ
せ、前記第２高調波発生素子により波長変換された高調
波光の出力強度を前記受光素子により検出し、前記高調
波の出力強度の変化点に対応する前記位相電流及び前記
ＤＢＲ電流を求めることによって、上記目的が達成され
る。
【００２９】ある実施の形態においては、前記変化点に
対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流から、前記位
相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比を算出することによっ
て、上記目的が達成される。
【００３０】ある実施の形態においては、前記位相電流
を変化させた時に得られる前記変化点に対応する前記位
相電流の間隔△Ｉｐｈと、前記ＤＢＲ電流を変化させた
時に得られる前記変化点に対応する前記ＤＢＲ電流の間
隔△Ｉｄｂｒから、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電
流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒを算出することによって、上
記目的が達成される。
【００３１】ある実施の形態においては、前記ＤＢＲ電
流の電流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒを算出し、前記位相電
流と前記ＤＢＲ電流を前記電流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒ
の関係で動作させることで、前記半導体レーザの波長が
連続的に変化することによって、上記目的が達成され
る。
【００３２】ある実施の形態においては、前記第２高調
波発生素子が、バルク型の擬似位相整合方式により波長
変換するものであることによって、上記目的が達成され
る。
【００３３】ある実施の形態においては、前記第２高調
波発生素子が、バルク型の擬似位相整合方式により波長
変換するものであることによって、上記目的が達成され
る。
【００３４】また、本実施の形態のコヒーレント光源の
検査方法は、活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ反
射（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザと、第２高調波
発生（ＳＨＧ）素子から構成されるコヒーレント光源に
おいて、前記活性領域に一定の活性電流を注入し、前記
位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注
入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記第
２高調波発生素子により波長変換された高調波光の出力
強度を前記受光素子により検出し、前記半導体レーザの
所望の波長に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流
を求めることによって、上記目的が達成される。
【００３５】ある実施の形態においては、前記半導体レ
ーザの所望の波長が、前記第２高調波発生素子後の前記
高調波光の出力強度が最大になる波長であることによっ
て、上記目的が達成される。
【００３６】ある実施の形態においては、活性領域と位
相調整領域と分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領域を有する
半導体レーザと、第２高調波発生（ＳＨＧ）素子から構
成されるコヒーレント光源において、前記位相調整領域
に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ
電流の少なくとも一方を変化させ、前記第２高調波発生
素子により波長変換された高調波光の出力強度を前記受
光素子により検出し、前記高調波の出力強度の変化点に
対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流を求めること
によって、上記目的が達成される。
【００３７】ある実施の形態においては、前記変化点に
対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流から、前記位
相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比を算出することによっ
て、上記目的が達成される。
【００３８】ある実施の形態においては、前記位相電流
を変化させた時に得られる前記変化点に対応する前記位
相電流の間隔△Ｉｐｈと、前記ＤＢＲ電流を変化させた
時に得られる前記変化点に対応する前記ＤＢＲ電流の間
隔△Ｉｄｂｒから、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電
流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒを算出することによって、上
記目的が達成される。
【００３９】ある実施の形態においては、前記ＤＢＲ電
流の電流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒを算出し、前記位相電
流と前記ＤＢＲ電流を前記電流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒ
の関係で動作させることで、前記半導体レーザの波長が
連続的に変化することによって、上記目的が達成され
る。
【００４０】
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明の実施の
形態を説明する。
【００４１】（実施の形態１）図１は、本発明の波長可
変機能を有するＤＢＲ半導体レーザ（以下、波長可変Ｄ
ＢＲ半導体レーザとする）の検査装置の構成図である。
波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１から出射された光は、レ
ンズ２によりコリメートされ、レーザ光の出力強度を検
出するための受光素子３に導かれる。受光素子としては
帯域としてＭＨｚ程度まで有するものが用いられた。さ
らに高速のものを用いることで、光検出速度を向上させ
ることはできるが、受光面積が小さくなる。受光素子３
で検出された信号は、Ａ／Ｄ変換器４によりディジタル
信号に変換され、制御回路５中のメモリーに蓄積され
る。制御用マイコンとしては、１２ｂｉｔのものが用い
られた。受光素子３とレンズ２の間には、透過型波長選
択素子６が挿入される。
【００４２】本実施の形態においては、透過型波長選択
素子６として石英ガラス基板上に形成された誘電体多層
膜が用いられた。誘電体多層膜はＴｉＯ2とＳｉＯ2との
積層構造になっている。誘電体多層膜から構成される透
過型波長選択素子では、光軸に対する角度を変化させる
ことで、透過ピーク波長を変化することができ、角度が
大きくなると透過ピーク波長は短波長側にシフトする。
本実施の形態で用いられた透過型波長選択素子６の角度
を固定して透過スペクトラムを評価した。本実施の形態
では３種類（サンプルＡ，Ｂ，Ｃ）の透過型波長選択素
子が用いられ、それぞれの最大透過率（％）及び透過率
が半分になる波長全幅（ｎｍ）は、サンプルＡ：５０％
と０．１５ｎｍ、サンプルＢ：７０％と０．３ｎｍ、サ
ンプルＣ：９０％と０．６ｎｍであった。
【００４３】波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１は、活性領
域と位相調整領域と分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領域の
３つの領域から構成される。活性領域は利得を発生させ
る領域である。ＤＢＲ領域には、回折格子が形成されて
いてある特定の波長の光を反射することができる。その
ため、活性領域に電流注入（以下、活性電流とする）を
行うと、活性領域側の端面とＤＢＲ領域間で、レーザ発
振が生じる。ＤＢＲ領域及び位相調整領域に電流（以
下、ＤＢＲ電流及び位相電流とする）を注入すると、内
部抵抗があるため温度が上昇し、屈折率変化を生じる。
そのため、ＤＢＲ領域では、反射する光の波長が変化
し、位相調整領域では端面とＤＢＲ領域で構成される共
振器の位相状態が変化する。
【００４４】従来例に示すように、活性領域に注入する
電流を一定にして、ＤＢＲ電流を変化させると、階段状
の波長可変特性が得られる。さらに、位相電流を変化さ
せて、再度ＤＢＲ電流を変化させて波長可変特性を得、
階段状のステップ（即ち、出力強度の変化点）となる電
流値Ａ点をプロットすると従来例の図１６に示すマップ
が得られる。このマップから、ＤＢＲ電流（Ｉｄｂｒ）
と位相調整領域への注入電流（位相電流：Ｉｐｈ）をＩ
ｄｂｒ／Ｉｐｈ＝０．５の関係を保持して、同時に制御
すると図１７に示すような連続的な波長可変特性が実現
できる。
【００４５】図１のＤＢＲ半導体レーザの検査装置を用
いた検査方法について説明する。
【００４６】１）Ｉ−Ｌカーブ はじめに、透過型波長選択素子６をレーザ光の光軸から
除去し、活性領域への注入電流に対する光出力強度を受
光素子３により検出する。透過型波長選択素子６がない
状態においては、活性領域に電流注入することにより、
図２に示す電流―出力特性が得られる。
【００４７】２）ＤＢＲ半導体レーザの波長検出 活性電流を１５０ｍＡ（出力５０ｍＷ）、位相電流０ｍ
Ａに設定し、ＤＢＲ電流を変化させた時の出力特性を受
光素子３により検出した。透過型波長選択素子（サンプ
ルＣ：０．６ｎｍ）の角度を調整し、透過ピーク波長を
８２０ｎｍに設定した。本実施の形態では、所望の波長
として８２０±０．５ｎｍと設定した。ＤＢＲ電流を０
〜１００ｍＡまで変化した時に、発振波長が８２０ｎｍ
になると、透過型波長選択素子６後で検出した信号が最
も大きくなる。本実施の形態で用いられた波長可変ＤＢ
Ｒ半導体レーザ１の発振波長は、ＤＢＲ電流が０ｍＡの
時８１９．５ｎｍで、５０ｍＡの時８２０．５ｎｍまで
変化するものである。この時受光素子で検出した信号
（Ａ／Ｄ変換する前の信号）を図３に示す。ＤＢＲ電流
が２５ｍＡの時、最大の光出力を検出した。よって、本
実施の形態では半導体レーザの所望の波長に対応するＤ
ＢＲ電流が２５ｍＡであることが分かった。
【００４８】３）電流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒ検出 図３に示すＤＢＲ電流を変化させた時、透過型波長選択
素子６後の光出力強度の変化点（階段のステップとなる
電流値Ｂ１〜Ｂ５）は、波長がモードホップした点を示
している。即ち、図１５のモードホップ点（例えば、Ａ
点）に対応している。次に、位相電流を２０ｍＡに設定
し、同様にＤＢＲ電流を変化させた時の透過型波長選択
素子後の光出力を受光素子により検出する。位相電流を
大きくすることで、光導波路内の屈折率、即ち位相状態
が変化するので、変化点Ｂ１〜Ｂ５はシフトする。さら
に、位相電流を４０ｍＡに設定して、同様に変化点Ｂ１
〜Ｂ５を求めた。結果を図４にまとめる。
【００４９】図４のマップは、従来例の図１６に相当
し、このマップからＤＢＲ電流（Ｉｄｂｒ）と位相調整
領域への注入電流（位相電流：Ｉｐｈ）の電流比Ｉｄｂ
ｒ／Ｉｐｈを求め、この電流比でＤＢＲ電流（Ｉｄｂ
ｒ）と位相調整領域へ電流注入することにより連続波長
可変を実現できる。本実施の形態では、図４よりＩｄｂ
ｒ／Ｉｐｈ＝０．５が算出でき、この電流比で制御する
ことにより連続的な波長可変を実現できた。
【００５０】以下に、実際に制御回路５（マイコン）を
使ったデータ処理について説明する。１２ｂｉｔのマイ
コンを使用しているため、各領域への注入電流を０Ｘ０
００〜０ＸＦＦＦまで４０９６段階に分割できる。０Ｘ
は１６進数を意味する。位相電流及びＤＢＲ電流の最大
電流は約１２８ｍＡとした。即ち、０Ｘ０２０が１ｍＡ
に相当する。活性領域への注入電流の最大電流は約２５
６ｍＡとした。即ち、０Ｘ０１０が１ｍＡに相当する。
【００５１】第１の方法（マップから算出） 活性電流を０Ｘ６４０（１００ｍＡ、５０ｍＷ相当）に
設定した。はじめ、位相電流を０Ｘ０００（０ｍＡ）に
設定する。この位相電流を固定した状態で、ＤＢＲ電流
を０Ｘ０１０（０．５ｍＡ）ずつ０Ｘ７００（５６ｍ
Ａ）まで変化させた。受光素子４で検出した信号をＡ／
Ｄ変換し、Ｐｄ（１）〜Ｐｄ（５６）のデータをメモリ
ーに蓄積する。次に、位相電流を０Ｘ２８０（２０ｍ
Ａ）、０Ｘ５００（４０ｍＡ）、それぞれに設定する。
同様に、ＤＢＲ電流を変化させ、データを制御回路５内
のメモリーに蓄積する。
【００５２】メモリーに蓄積されたデータより、 １）Ｐｄ（Ｎ）が最大となるＩｄｂｒｍａｘ（Ｎ）を求
める。これにより、半導体レーザの所望の波長に対応す
るＤＢＲ電流が０Ｘ３２０（２５ｍＡ）であることが分
かった。
【００５３】２）Ｐｄ（Ｎ＋１）−Ｐｄ（Ｎ）＞δＰと
なるＩｄｂｒδ（Ｎ）、即ち、出力強度の変化点を求め
る。δＰは、使用される透過型波長選択素子の波長選択
性に依存する。本実施の形態においては、 δＰ＝Ｐｄ（Ｎ）＊０．０５ と、最大出力の５％に設定した。
【００５４】これらのデータをプロットすることによ
り、図４と同等のマップが得られる。このマップからＤ
ＢＲ電流（Ｉｄｂｒ）と位相調整領域への注入電流（位
相電流：Ｉｐｈ）の電流比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈの平均値を
求め、この電流比でＤＢＲ電流（Ｉｄｂｒ）と位相調整
領域へ電流注入することにより連続波長可変を実現でき
る。本実施の形態では、Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈ＝０．５であ
った。
【００５５】本実施の形態では、波長可変ＤＢＲ半導体
レーザの波長可変特性及び単一モード性などを検査する
ことも実施できる。図４より、受光素子で検出された信
号が最大となる０Ｘ３２０（２５ｍＡ）以下では、得ら
れる信号が単調に増加し、０Ｘ３２０（２５ｍＡ）以上
では得られる信号が単調に減少する。また、Ｐｄ（Ｎ＋
１）−Ｐｄ（Ｎ）＞δＰとなる出力強度の変化点に対応
するＤＢＲ電流の間隔は、ほぼ一定である。測定する波
長可変ＤＢＲ半導体レーザの波長可変特性が、 ・単調増加でない ・縦モードがマルチモード化する ・波長可変時のモードホップ点（出力変化点）が不安定 場合には、図４のような特性が得られない。
【００５６】本実施の形態において、 １）０Ｘ３２０（２５ｍＡ）前後の、単調増加及び単調
減少特性を評価 ２）出力変化点の間隔が、間隔の平均値から大きくはず
れるもの（例えば、３０％以上）を評価することによ
り、波長可変ＤＢＲ半導体レーザの波長可変特性及び単
一モード性などを検査することができた。
【００５７】本実施の形態の検査装置及び検査方法の特
長は、装置が安価で検査速度が高速であることである。
従来例で用いられているような光スペクトラムアナライ
ザは装置が高価で、またスキャンスピード及びデータ取
り込みが遅い。トリガからデータ出力までの時間は通常
数秒程度を必要とする。一方、本実施の形態の構成で
は、検査時間は波長可変ＤＢＲ半導体レーザへの注入電
流のスピードと、フォトディテクタの応答速度に依存
し、μｓｅｃ（μ秒）〜ｍｓｅｃ（ミリ秒）以下オーダ
ーで検査が可能となる。実際には、高速のフォトティテ
クタを用いれば、ｎｓｅｃ（ナノ秒）〜μｓｅｃ（マイ
クロ秒）以下も可能である。
【００５８】さらに、透過型波長選択素子の特長は、そ
の波長選択性を多層膜の構成により自由に設計できるこ
とであり、本実施の形態のように半値全幅を０．６ｎｍ
程度に設計することで、１ｎｍ程度の範囲での波長可変
特性を評価できる。そのため、本実施の形態の特長は、
波長可変特性、所望の波長に対するＤＢＲ電流、連続波
長可変に必要なＩｄｂｒ／Ｉｐｈ＝０．５が同時に測定
できることである。さらに、波長選択性の半値全幅を１
ｎｍ程度に設計することで、２ｎｍ程度の波長可変領域
における波長可変特性を検査することも可能である。し
かしながら、波長可変幅を広げると、出力変化点で検出
される受光素子での信号差が小さくなるため、検出分解
能に応じた波長選択幅に設定する必要がある。
【００５９】（実施の形態２）第２の方法（微少領域で
傾きより算出） 波長可変ＤＢＲ半導体レーザにおいて、位相電流をモー
ドホップ点の±１０ｍＡ程度の範囲で変化させた場合、
その範囲ではモードホップ（出力変化点）は生じない。
この領域において、Ｉｄｂｒ（ｍａｘ）の位相電流依存
性を測定すれば、より簡単に電流比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈが
求められる。本実施の形態においては、図１の構成にお
いて、透過型波長選択素子としてサンプルＡ（透過率５
０％と半値全幅０．１５ｎｍ）が用いられた。
【００６０】活性電流を０Ｘ６４０（１００ｍＡ、５０
ｍＷ相当）に設定した。はじめに、位相電流を０Ｘ００
０（０ｍＡ）に設定し、次に、ＤＢＲ電流を０Ｘ０１０
（０．５ｍＡ）ずつ０Ｘ７００（５６ｍＡ）まで変化さ
せた。受光素子３で検出した信号をＡ／Ｄ変換し、Ｐｄ
（１）−Ｐｄ（５６）のデータを制御回路５内のメモリ
ーに蓄積する。位相電流を０Ｘ０００（０ｍＡ）から０
Ｘ５００（４０ｍＡ）まで０．５ｍＡ（０Ｘ０１０）ず
つ上昇させた時のそれぞれの位相電流に対して、ＤＢＲ
電流を０Ｘ０１０（０．５ｍＡ）ずつ０Ｘ７００（５６
ｍＡ）まで変化させた。
【００６１】受光素子３で検出した信号をＡ／Ｄ変換器
でディジタル信号に変換し、Ｐｄｎ（１）−Ｐｄｎ（５
６）のデータを制御回路５内のメモリーに蓄積する。こ
の時、メモリーに蓄積されたＰｄ１（１）からＰｄｎ
（５６）の中で最大値となる、位相電流とＤＢＲ電流
（Ｉｐｈ０、Ｉｄｂｒ０）を求める。本実施の形態で
は、Ｉｐｈ０＝２０ｍＡ、Ｉｄｂｒ０＝２５ｍＡが最大
値となった。ここで、信号光が最大値となる位相電流を
求める理由は、ＤＢＲ電流を変化させた時に得られるＰ
ｄｎ（１）−Ｐｄｎ（５６）において、出力強度の変化
点における変化量を大きくするためである。
【００６２】検査方法について説明する。まず、位相電
流を０Ｘ２８０（２０ｍＡ）に設定し、ＤＢＲ電流を０
Ｘ０１０（０．５ｍＡ）ずつ０Ｘ７００（５６ｍＡ）ま
で変化させ、Ｐｄ１（１）−Ｐｄ１（５６）のデータを
メモリーに蓄積する。位相電流を５ｍＡ小さくした０Ｘ
１Ｅ０（１５ｍＡ）に設定し、同様にＤＢＲ電流を０Ｘ
０１０（０．５ｍＡ）ずつ０Ｘ７００（５６ｍＡ）まで
変化させ、Ｐｄ２（１）−Ｐｄ２（５６）のデータをメ
モリーに蓄積する。さらに、位相電流を５ｍＡ大きくし
た０Ｘ３２０（２５ｍＡ）に設定し、同様にＤＢＲ電流
を０Ｘ０１０（０．５ｍＡ）ずつ０Ｘ７００（５６ｍ
Ａ）まで変化させ、Ｐｄ３（１）−Ｐｄ３（５６）のデ
ータを制御回路５内のメモリーに蓄積する。
【００６３】得られたデータより、それぞれの位相電流
に対して、Ｐｄ１（Ｎ＋１）−Ｐｄ１（Ｎ）、Ｐｄ２
（Ｎ＋１）−Ｐｄ２（Ｎ）、Ｐｄ３（Ｎ＋１）−Ｐｄ３
（Ｎ）が最大値となる、即ち、出力強度の変化点に対応
するＤＢＲ電流を求める。（但し、本実施の形態ではマ
イナスになる値は無視する）結果を図５にプロットす
る。横軸が出力強度の変化点に対する位相電流で、縦軸
がＤＢＲ電流である。３点を結んだ直線の傾きが、電流
比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈとなり、Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈ＝０．５
が求まった。
【００６４】実施の形態１と同様、本実施の形態の構成
では、検査時間は波長可変ＤＢＲ半導体レーザへの注入
電流のスピードと、フォトディテクタの応答速度に依存
し、ｍｓｅｃ（ミリ秒）以下オーダーで検査が可能とな
る。
【００６５】また、本実施の形態では半値全幅が０．１
５ｎｍと非常に狭い波長選択幅である。また、位相電流
の最適点も検出する。波長可変幅を狭くすることで、出
力変化点で検出される受光素子での信号差が大きくな
り、信号差Ｐｄ（Ｎ＋１）−Ｐｄ（Ｎ）の検出精度が向
上する。そのため、本実施の形態のように、信号差Ｐｄ
（Ｎ＋１）−Ｐｄ（Ｎ）が最大となるＩｄｂｒを検出す
ることが可能となり、簡単に電流比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈを
算出することができるので、検査時間のさらなる短縮化
が期待できる。
【００６６】（実施の形態３）本実施の形態では、変化
点の間隔より電流比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈを算出する方法に
ついて説明する。この方法では、透過型波長選択素子と
して透過スペクトラムの半値全幅が０．３ｎｍのサンプ
ルＢが用いられた。
【００６７】活性電流を０Ｘ６４０（１００ｍＡ、５０
ｍＷ相当）に設定した。はじめに、位相電流を０Ｘ００
０（０ｍＡ）に設定し、次に、ＤＢＲ電流を０Ｘ０１０
（０．５ｍＡ）ずつ０Ｘ７００（５６ｍＡ）まで変化さ
せた。受光素子で検出した信号をＡ／Ｄ変換し、Ｐｄ
（１）−Ｐｄ（５６）のデータをメモリーに蓄積する。
Ｐｄ（Ｎ）が最大になるＩｄｂｒにＤＢＲ電流（２５ｍ
Ａ）を固定する。
【００６８】次に、位相電流を０Ｘ０００から０Ｘ０１
０（０．５ｍＡ）ずつ０Ｘ７００（５６ｍＡ）まで変化
させた。受光素子で検出した信号をＡ／Ｄ変換し、Ｐｉ
（１）〜Ｐｉ（５６）のデータをメモリーに蓄積する。
【００６９】得られたデータを図６（ａ）、（ｂ）に示
す。図６（ａ）より、Ｐｄ（Ｎ＋１）−Ｐｄ（Ｎ）＞δ
ＰとなるＩｄｂｒ（ｍａｘδ）、即ち、出力強度の変化
点を求め、その間隔の平均値δＩｄｂｒ（ｍａｘδ）を
算出する。図６（ｂ）より、Ｐｉ（Ｎ＋１）−Ｐｉ
（Ｎ）＞δＰとなるＩｐｈ（ｍａｘδ）を求め、その間
隔の平均値δＩｐｈ（ｍａｘδ）を算出する。これらの
値から、連続波長可変に必要な電流比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈ
＝δＩｄｂｒ（ｍａｘδ）／δＩｐｈ（ｍａｘδ）を算
出する。δＰは、使用される透過型波長選択素子の波長
選択性に依存する。本実施の形態においては、 δＰ＝Ｐｄ（Ｎ）＊０．１ と、最大出力の１０％に設定した。図６の結果として、
電流比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈ＝０．５が求まった。
【００７０】実施の形態１及び２と同様、本実施の形態
の構成では、検査時間は波長可変ＤＢＲ半導体レーザへ
の注入電流のスピードと、フォトディテクタの応答速度
に依存し、ｍｓｅｃ（ミリ秒）以下オーダーで検査が可
能となる。本実施の形態の特長は、ＤＢＲ電流を１回ス
キャンし、その後位相電流を１回スキャンするだけで、
電流比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈが算出できることである。その
ため、さらに高速の波長可変特性の検査が行え、その実
用的効果は大きい。
【００７１】（実施の形態４）次に、この波長可変ＤＢ
Ｒ半導体レーザのチップと波長変換デバイスをサブマウ
ント上に実装して、ＳＨＧ青色光源を試作し、青色光を
検出して波長可変特性を検査する方法について説明す
る。光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスを用いた青色光
源の概略構成図を図７に示す。半導体レーザとして、波
長可変ＤＢＲ半導体レーザ７が用いられている。７は
０．８５μｍ帯の１００ｍＷ級ＡｌＧａＡｓ系波長可変
ＤＢＲ半導体レーザで、活性領域８と位相調整領域９と
ＤＢＲ領域１０から構成される。ＤＢＲ領域１０への注
入電流が変化させることにより、発振波長を変化させる
ことができる。
【００７２】波長変換素子である光導波路型擬似位相整
合方式（以下、ＱＰＭとする）第２高調波発生（以下、
ＳＨＧとする）デバイス１１は、Ｘ板５ｍｏｌ％ＭｇＯ
ドープＬｉＮｂＯ3基板上に形成された光導波路１２と
周期分極反転領域１３より構成されている。周期的分極
反転領域１３は、＋ｘ表面に櫛形電極と平行電極を形成
し、５ｋＶ程度の電界を櫛形電極と平行電極の間に印加
することにより形成される。光導波路１２は、ピロリン
酸中でプロトン交換し形成する。光導波路形成面にはＳ
ｉＯ2の保護膜が形成されている。光導波路型ＱＰＭ−
ＳＨＧデバイス１１は、基本波の波長を光導波路型ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイスの位相整合波長に一致させることに
より波長変換が実現される。この時、最大変換効率が得
られる波長に対して、変換効率が半分になる波長の許容
幅は０．１ｎｍ程度である。
【００７３】波長可変ＤＢＲ半導体レーザ７と光導波路
型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス１１は、活性層及び光導波路
が形成された面がサブマウント１４に接するように固定
され、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ７の出射面より得ら
れたレーザ光は、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス１
１の光導波路１２に直接結合される。
【００７４】半導体レーザを発光させながら光結合の調
整を行い、１００ｍＷのレーザ出力に対して６０ｍＷの
レーザ光を光導波路に結合させた。波長可変ＤＢＲ半導
体レーザ７のＤＢＲ電流と位相電流を制御し、発振波長
を光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス１１の位相整合波
長許容度内に固定する。現在、波長４２５ｎｍの青色光
が１０ｍＷ程度得られている。
【００７５】本実施の形態では、波長変換によって得ら
れた高調波光（青色光）の出力を検出して、連続波長可
変に必要なＤＢＲ電流と位相電流の電流比を検出する方
法について説明する。連続的な波長可変が実現される
と、青色光出力を安定に制御することが可能となる（横
山他：電気学会論文誌Ｃ、Vol.120-C、P938、平成１２
年）。
【００７６】光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス１１の
位相整合に波長許容幅は０．１ｎｍ程度である。即ち、
青色光を検出することは、実施の形態１から３において
透過型波長選択素子後の半導体レーザ出力を検出するこ
とと同等であり、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス１
１は透過型波長選択素子の代替と考えられる。本実施の
形態では、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ７と光導波路型
ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス１１から構成されるＳＨＧレー
ザにおいて、波長可変ＤＢＲ半導体レーザの波長可変特
性の検査方法について説明する。
【００７７】実施の形態２に相当する検査方法について
説明する。図８の検査装置を用いた。ＳＨＧ青色光源か
ら出射した青色光は、レンズによりコリメートし、受光
素子１７に導かれる。受光素子１７の前には、波長変換
されなかった半導体レーザ光（基本波）をカットするた
めの基本波カットフィルタ１８が設置された。受光素子
の前には、基本波である半導体レーザ光を遮断し、波長
変換により得られた青色光を透過するフィルタが挿入さ
れた。受光素子では、波長変換により得られた青色光の
みを信号光として得る。受光素子１７で検出された信号
は、Ａ／Ｄ変換器１９によりディジタル信号に変換さ
れ、制御回路２０中のメモリーに蓄積される。
【００７８】活性電流を０ＸＡ００（１６０ｍＡ、１０
０ｍＷ相当）に設定した。波長変換により得られる青色
光は、１００ｍＷの半導体レーザ出力に対して１０ｍＷ
程度なので、検出精度を向上させるため注入電流を大き
くした。はじめに、位相電流を０Ｘ０００（０ｍＡ）に
設定し、次に、ＤＢＲ電流を０Ｘ０１０（０．５ｍＡ）
ずつ０Ｘ７００（５６ｍＡ）まで変化させた。波長変換
により得られた青色光を受光素子で検出し、信号をＡ／
Ｄ変換し、Ｐｄ2ω（１）−Ｐｄ2ω（５６）のデータを
メモリーに蓄積する。
【００７９】位相電流を０Ｘ０００（０ｍＡ）から０Ｘ
５００（４０ｍＡ）まで０．５ｍＡ（０Ｘ０１０）ずつ
上昇させた時のそれぞれの位相電流に対して、ＤＢＲ電
流を０Ｘ０１０（０．５ｍＡ）ずつ０Ｘ７００（５６ｍ
Ａ）まで変化させた。波長変換により得られた青色光を
受光素子で検出し、信号をＡ／Ｄ変換し、Ｐｄｎ2ω
（１）−Ｐｄｎ2ω（５６）のデータをメモリーに蓄積
する。この時、メモリーに蓄積されたＰｄ2ω１（１）
からＰｄ2ωｎ（５６）の中で最大値となる、位相電流
とＤＢＲ電流（Ｉｐｈ０、Ｉｄｂｒ０）を求める。本実
施の形態では、Ｉｐｈ０＝２０ｍＡ、Ｉｄｂｒ０＝２５
ｍＡが最大値となった。ここで、信号光が最大値となる
位相電流を求める理由は、ＤＢＲ電流を変化させた時に
得られるＰｄ 2ωｎ（１）−Ｐｄ2ωｎ（５６）におい
て、出力強度の変化点における変化量を大きくするため
である。
【００８０】検査方法について説明する。まず、位相電
流を０Ｘ２８０（２０ｍＡ）に設定し、ＤＢＲ電流を０
Ｘ０１０（０．５ｍＡ）ずつ０Ｘ７００（５６ｍＡ）ま
で変化させ、Ｐｄ2ω１（１）−Ｐｄ2ω１（５６）のデ
ータをメモリーに蓄積する。位相電流を５ｍＡ小さくし
た０Ｘ１Ｅ０（１５ｍＡ）に設定し、同様にＤＢＲ電流
を０Ｘ０１０（０．５ｍＡ）ずつ０Ｘ７００（５６ｍ
Ａ）まで変化させ、Ｐｄ 2ω２（１）−Ｐｄ2ω２（５
６）のデータをメモリーに蓄積する。さらに、位相電流
を５ｍＡ大きくした０Ｘ３２０（２５ｍＡ）に設定し、
同様にＤＢＲ電流を０Ｘ０１０（０．５ｍＡ）ずつ０Ｘ
７００（５６ｍＡ）まで変化させ、Ｐｄ2ω３（１）−
Ｐｄ2ω３（５６）のデータをメモリーに蓄積する。
【００８１】得られたデータより、それぞれの位相電流
に対して、Ｐｄ2ω１（Ｎ＋１）−Ｐｄ2ω１（Ｎ）、Ｐ
ｄ2ω２（Ｎ＋１）−Ｐｄ2ω２（Ｎ）、Ｐｄ2ω３（Ｎ
＋１）−Ｐｄ2ω３（Ｎ）が最大値となる、即ち、出力
強度の変化点に対応するＤＢＲ電流を求める。（但し、
本実施の形態ではマイナスになる値は無視する）結果を
図９にプロットする。３点を結んだ直線の傾きが、電流
比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈとなり、Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈ＝０．５
が求まった。
【００８２】図９の結果は、図５の結果とほぼ同じであ
る。透過型波長選択素子を用いて波長可変ＤＢＲ半導体
レーザの波長可変特性を求める代わりに、波長可変ＤＢ
Ｒ半導体レーザと光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスか
ら構成されるＳＨＧレーザにおいては、波長変換により
得られる青色光出力を検出することで、同様に波長可変
特性が得られ、また連続波長可変に必要とされる電流比
Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈが容易に求めることができる。
【００８３】同様にして、実施の形態３に相当する検査
方法を用いても、波長可変特性を検査できる。その方法
について説明する。実施の形態３に相当する検査法法で
は、位相電流を変化させた時に、出力強度の変化点が検
出される必要がある。そのため、光導波路型ＱＰＭ−Ｓ
ＨＧデバイスの位相整合に対する波長許容幅が小さい
と、検出できない。本実施の形態では、素子長５ｍｍ波
長許容幅０．２ｎｍのものが用いられた。
【００８４】活性電流を０ＸＡ００（１６０ｍＡ、１０
０ｍＷ相当）に設定した。波長変換により得られる青色
光は、１００ｍＷの半導体レーザ出力に対して１０ｍＷ
程度なので、検出精度を向上させるため注入電流を大き
くした。はじめに、位相電流を０Ｘ０００（０ｍＡ）に
設定し、次に、ＤＢＲ電流を０Ｘ０１０（０．５ｍＡ）
ずつ０Ｘ７００（５６ｍＡ）まで変化させた。受光素子
で検出した信号をＡ／Ｄ変換し、Ｐｄ2ω（１）−Ｐｄ2
ω（５６）のデータをメモリーに蓄積する。Ｐｄ2ω
（Ｎ）が最大になるＩｄｂｒにＤＢＲ電流（２５ｍＡ）
を固定する。
【００８５】次に、位相電流を０Ｘ０００から０Ｘ０１
０（０．５ｍＡ）ずつ０Ｘ７００（５６ｍＡ）まで変化
させた。受光素子で検出した信号をＡ／Ｄ変換し、Ｐｉ
2ω（１）〜Ｐｉ2ω（５６）のデータをメモリーに蓄積
する。
【００８６】得られたデータを図１０（ａ），（ｂ）に
示す。図１０（ａ）より、Ｐｄ2ω（Ｎ＋１）−Ｐｄ2ω
（Ｎ）＞δＰとなるＩｄｂｒ（ｍａｘδ）、即ち、出力
強度の変化点を求め、その間隔の平均値δＩｄｂｒ（ｍ
ａｘδ）を算出する。また、図１０（ｂ）よりＰｉ2ω
（Ｎ＋１）−Ｐｉ2ω（Ｎ）＞δＰとなる、Ｉｐｈ（ｍ
ａｘδ）を求め、その間隔の平均値δＩｐｈ（ｍａｘ
δ）を算出する。これらの値から、連続波長可変に必要
な電流比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈ＝δＩｄｂｒ（ｍａｘδ）／
δＩｐｈ（ｍａｘδ）を算出する。本実施の形態におい
ては、 δＰ＝Ｐｄ（Ｎ）＊０．２ と、最大出力の２０％に設定した。図１０の結果とし
て、電流比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈ＝０．５が求まった。
【００８７】なお、本実施の形態では波長可変ＤＢＲ半
導体レーザと光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスから構
成されるＳＨＧレーザについて説明したが、波長可変Ｄ
ＢＲ半導体レーザとバルク型のＱＰＭ−ＳＨＧデバイス
に構成されるＳＨＧレーザにおいても同様の効果が得ら
れる。さらに、複屈折率性を利用した位相整合型のＳＨ
Ｇデバイスを用いても同様の効果が得られる。
【００８８】このように、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ
と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスから構成されるＳ
ＨＧレーザの検査において、波長可変ＤＢＲ半導体レー
ザ単体の検査をする必要がなく、実装組立後のＳＨＧレ
ーザの波長変換特性を評価することにより一括して、
１）波長可変ＤＢＲ半導体レーザの出力、波長可変特性
など、２）波長変換特性、ＳＨＧレーザの出力安定化に
必要な連続波長可変に必要な電流比などを、検査するこ
とができるため、検査時間の短縮化も図れ、その実用的
効果は大きい。
【００８９】また、本実施の形態の特長は図１０に示す
ように、出力変化点での出力変化が大きいことである。
図６は、半導体レーザ光を直接受光した時の出力変化の
様子を示している。第２高調波発生では、得られる高調
波光出力が基本波である半導体レーザ光の出力変化の２
乗に比例する。そのため、第２高調波発生により得られ
た高調波光を信号光として受光する場合、出力変化点で
の出力変化を大きくすることができる。よって、検出精
度も向上することができる。
【００９０】（実施の形態５）ＤＢＲ及び位相部を変化
させただけの変化点検出方法 本実施の形態においては、透過型波長選択素子を用いな
いで、連続的波長可変に必要とされる位相電流とＤＢＲ
電流の電流比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈを求める方法について説
明する。
【００９１】波長可変ＤＢＲ半導体レーザは、活性領域
と位相調整領域と分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領域の３
つの領域から構成される。ＤＢＲ領域及び位相調整領域
に電流を注入すると、内部抵抗があるため温度が上昇
し、屈折率変化を生じるため、ＤＢＲ領域では、反射す
る光の波長が変化し、位相調整領域では端面とＤＢＲ領
域で構成される共振器の位相状態が変化する。ＤＢＲ電
流や位相電流を変化させると、階段状の波長可変特性が
得られるのは、位相状態が変化して共振器内の波の数が
変化するためである。共振器内の位相状態及び波の数が
変化すると、半導体レーザの発振状態も変化するため、
得られる出力強度にも変化を与える。
【００９２】図１１に本実施の形態の検査装置を示す。
本実施の形態では、透過型波長選択素子を必要としな
い。波長可変ＤＢＲ半導体レーザ２１からのレーザ光を
レンズ２２により平行光に変換された半導体レーザ光が
直接受光素子２３に導かれる。受光素子２３で検出され
た信号は、Ａ／Ｄ変換器２４によりディジタル信号に変
換され、制御回路２５中のメモリーに蓄積される。
【００９３】図１２は、波長可変ＤＢＲ半導体レーザの
活性電流を１００ｍＡに設定し、ＤＢＲ電流及び位相電
流を変化させた時の出力強度を示す。縦軸は相対強度で
示している。Ｃ点が、波の数が変化した点であり、従来
例の図１５に示す階段状のＡ点に相当する。実施の形態
３で求めた出力強度の変化点は、図１２のＣ点であるた
め、このＣ点の電流間隔を位相電流及びＤＢＲ電流に対
して求めることにより、連続的波長可変に必要とされる
位相電流とＤＢＲ電流の電流比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈを算出
することができる。
【００９４】実際の検査法法について説明する。活性電
流を０Ｘ６４０（１００ｍＡ、５０ｍＷ相当）に設定し
た。はじめに、位相電流を０Ｘ０００（０ｍＡ）に設定
し、ＤＢＲ電流を０Ｘ０１０（０．５ｍＡ）ずつ０Ｘ７
００（５６ｍＡ）まで変化させた。受光素子で検出した
信号をＡ／Ｄ変換し、Ｐｄ（１）−Ｐｄ（５６）のデー
タをメモリーに蓄積する。次に、ＤＢＲ電流を０Ｘ００
０（０ｍＡ）に設定し、０Ｘ０１０（０．５ｍＡ）ずつ
０Ｘ７００（５６ｍＡ）まで変化させた。受光素子で検
出した信号をＡ／Ｄ変換し、Ｐｉ（１）−Ｐｉ（５６）
のデータをメモリーに蓄積する。
【００９５】図１２のＣ点に相当するのは、Ｐｄ（１）
−Ｐｄ（５６）及びＰｉ（１）−Ｐｉ（５６）の値が、
マイナスからプラスに変化する点である。マイナスから
プラスに変化する点を求め、その間隔の平均値δＩｄｂ
ｒ（±）及びδＩｐｈ（±）を算出する。これらの値か
ら、連続波長可変に必要な電流比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈ＝δ
Ｉｄｂｒ（±）／δＩｐｈ（±）を算出する。本実施の
形態では、電流比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈ＝０．５が求まっ
た。
【００９６】本実施の形態の構成では、検査時間は波長
可変ＤＢＲ半導体レーザへの注入電流のスピードと、フ
ォトディテクタの応答速度に依存し、ｍｓｅｃ（ミリ
秒）以下オーダーで検査が可能となる。また、ＤＢＲ電
流を１回スキャンし、その後位相電流を１回スキャンす
るだけで、電流比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈが算出できることで
ある。さらには、波長可変領域において、出力強度の変
化点の間隔が一定であることを検査することにより、概
ねの波長可変特性も検査することができる。この間隔が
不安定になることは、縦モードがマルチモード化してい
るか、波長可変が不安定であることを意味する。
【００９７】また、実施の形態１から３のように透過型
波長選択素子も必要としないため、従来の半導体レーザ
の検査装置と同様の装置を利用できる、実用的な検査方
法である。但し、図１２で示す出力変化は、波長可変Ｄ
ＢＲ半導体レーザの出射端面及びＤＢＲ領域の回折光量
に依存する。特に、高出力半導体レーザでは、出射端面
の反射率が小さいため、その出力変化を検出することが
困難となる。実施の形態１から４の構成では、検出でき
る信号が大きく、またその変化量も大きい。さらに、位
相整合波長など、所望の波長付近の電流比Ｉｄｂｒ／Ｉ
ｐｈが求められる特長がある。
【００９８】なお、本実施の形態の検査方法は、波長可
変ＤＢＲ半導体レーザと光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバ
イスから構成されるＳＨＧレーザにおいても同様の効果
が得られる。しかしながら、ＳＨＧレーザにおいては、
波長可変ＤＢＲ半導体レーザの波長が光導波路型ＱＰＭ
−ＳＨＧデバイスの位相整合波長に一致した時、光導波
路の出射部から得られる半導体レーザ光が波長変換によ
り減少するため、その効果による出力変動も生じる。そ
のため、位相整合波長から離れた波長領域で検査する方
が、より高精度に検査することができる。波長変換によ
り得られる青色光出力を検出することで、同様に波長可
変特性が得られ、また連続波長可変に必要とされる電流
比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈが容易に求めることができる。
【００９９】（実施の形態６）バルク型波長変換素子を
利用した構成 実施の形態１から３では、透過型波長選択素子を用い
て、波長可変ＤＢＲ半導体レーザの波長可変特性を検査
する方法について説明した。実施の形態４では、光導波
路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスにより波長変換された青色
光を検出して、波長可変特性を検査する方法について説
明した。以上より、透過型波長選択素子の代わりにＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイスを用いても、波長可変ＤＢＲ半導体
レーザの波長可変特性を検査できることが分かる。しか
しながら、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスでは、半
導体レーザ光を光導波路に光結合する必要があるため、
使用上不便である。本実施の形態では、バルク型のＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイスを用いた波長可変ＤＢＲ半導体レー
ザの波長可変特性を検査する方法について説明する。
【０１００】バルク型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスの作製方
法について説明する。厚み１ｍｍのｚカットＬｉＴａＯ
3基板上に周期的分極反転を形成する。＋ｚ表面に櫛形
電極と−ｚ面に裏面電極を形成し、２０ｋＶ程度の電界
を印加することにより形成する。反転周期は、１０μｍ
であり３次の擬似位相整合条件とした。素子長は３ｍｍ
であり、最大変換効率が得られる波長に対して、変換効
率が半分になる波長の許容幅は０．３ｎｍ程度であっ
た。許容幅は素子長に依存し、長さを１ｍｍにすること
で１ｎｍ程度まで広げることができる。
【０１０１】検査装置を図１３に示す。波長可変ＤＢＲ
半導体レーザ２６から出射された光は、レンズ２７によ
りコリメートされ、バルク型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２
８に集光され、波長変換された青色光（高調波光）をレ
ンズ２９によりコリメートし、受光素子３１に導く。本
実施の形態では、素子長３ｍｍ、許容幅０．３ｎｍのサ
ンプルが用いられた。半導体レーザ光は、基本波カット
フィルタ３０により遮断され、青色光のみが受光素子３
１に導かれる。
【０１０２】本実施の形態の構成では、バルク型ＱＰＭ
−ＳＨＧデバイス２８により得られる青色光出力が小さ
いため、受光素子３１の付加抵抗を大きくし、感度を向
上させている。バルク型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスに集光
される基本波は、光導波路型に対してパワー密度が小さ
く、また相互作用長が短いため、変換効率が小さくな
る。よって、受光素子の応答速度は、実施の形態１で用
いられたフォトディテクタと比較して、２桁程度遅くな
った。受光素子３１で検出された信号は、Ａ／Ｄ変換器
３２によりディジタル信号に変換され、制御回路３３内
のメモリーに蓄積される。制御用マイコンとしては、１
２ｂｉｔのものが用いられた。
【０１０３】検査方法について説明する。青色光を検出
することは、実施の形態１から３において透過型波長選
択素子後の半導体レーザ出力を検出することと同等であ
り、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスは透過型波長選
択素子の代替と考えられる。そのため、本実施の形態４
と同様の方法により、波長可変ＤＢＲ半導体レーザの波
長可変特性の検査方法ができる。
【０１０４】実施の形態２に相当する検査方法について
簡単に説明する。活性電流を出力１００ｍＷに設定す
る。波長変換により得られる青色光は、１００ｍＷの半
導体レーザ出力に対して１００μＷ程度である。はじめ
に、ＤＢＲ電流を０〜５０ｍＡまで変化させる。波長変
換により得られた青色光を受光素子で検出し、信号をＡ
／Ｄ変換し、Ｐｄ2ω（１）−Ｐｄ2ω（Ｎ）のデータを
メモリーに蓄積する。
【０１０５】位相電流を０〜４０ｍＡまで上昇させた
時、それぞれの位相電流に対してＤＢＲ電流を０〜５０
ｍＡまで変化させた。波長変換により得られた青色光を
受光素子で検出し、信号をＡ／Ｄ変換し、Ｐｄｎ2ω
（１）−Ｐｄｎ2ω（Ｎ）のデータをメモリーに蓄積す
る。この時、メモリーに蓄積されたＰｄ2ω１（１）か
らＰｄ2ωｎ（Ｎ）の中で最大値となる、位相電流とＤ
ＢＲ電流（Ｉｐｈ０、Ｉｄｂｒ０）を求める。
【０１０６】位相電流をＩｄｂｒ０に設定し、ＤＢＲ電
流を０〜５０ｍＡまで変化させ、Ｐｄ2ω１（１）−Ｐ
ｄ2ω１（Ｎ）のデータをメモリーに蓄積する。次に、
位相電流をＩｄｂｒ０−５ｍＡに設定し、同様にＤＢＲ
電流を０〜５０ｍＡまで変化させ、Ｐｄ2ω２（１）−
Ｐｄ2ω２（Ｎ）のデータをメモリーに蓄積する。さら
に、位相電流をＩｄｂｒ０＋５ｍＡに設定し、同様にＤ
ＢＲ電流を０〜５０ｍＡまで変化させ、Ｐｄ2ω３
（１）−Ｐｄ2ω３（Ｎ）のデータをメモリーに蓄積す
る。
【０１０７】得られたデータより、それぞれの位相電流
に対して、Ｐｄ2ω１（Ｎ＋１）−Ｐｄ2ω１（Ｎ）、Ｐ
ｄ2ω２（Ｎ＋１）−Ｐｄ2ω２（Ｎ）、Ｐｄ2ω３（Ｎ
＋１）−Ｐｄ2ω３（Ｎ）が最大値となる、即ち、出力
強度の変化点に対応するＤＢＲ電流を求める。（但し、
本実施の形態ではマイナスになる値は無視する）図９と
同様の結果が得られ、３点を結んだ直線の傾きが、電流
比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈとなる。
【０１０８】実施の形態３に相当する検査方法を用いて
も、波長可変特性を検査できる。活性電流を出力１００
ｍＷに設定する。はじめに、位相電流を０ｍＡに設定
し、次にＤＢＲ電流を０〜５０ｍＡまで変化させた。受
光素子で検出した信号をＡ／Ｄ変換し、Ｐｄ2ω（１）
−Ｐｄ2ω（Ｎ）のデータをメモリーに蓄積する。Ｐｄ2
ω（Ｎ）が最大になるＩｄｂｒｍａｘに固定する。
【０１０９】次に、位相電流を０〜５０ｍＡまで変化さ
せた。受光素子で検出した信号をＡ／Ｄ変換し、Ｐｉ2
ω（１）〜Ｐｉ2ω（Ｎ）のデータをメモリーに蓄積す
る。
【０１１０】得られたデータを図１０（ａ），（ｂ）と
同様の結果を示す。図１０（ａ）より、Ｐｄ2ω（Ｎ＋
１）−Ｐｄ2ω（Ｎ）＞δＰとなるＩｄｂｒ（ｍａｘ
δ）、即ち、出力強度の変化点を求め、その間隔の平均
値δＩｄｂｒ（ｍａｘδ）を算出する。また、図１０
（ｂ）よりＰｉ2ω（Ｎ＋１）−Ｐｉ2ω（Ｎ）＞δＰと
なる、Ｉｐｈ（ｍａｘδ）を求め、その間隔の平均値δ
Ｉｐｈ（ｍａｘδ）を算出する。これらの値から、連続
波長可変に必要な電流比Ｉｄｂｒ／Ｉｐｈ＝δＩｄｂｒ
（ｍａｘδ）／δＩｐｈ（ｍａｘδ）を算出する。
【０１１１】なお、本実施の形態ではバルク型ＱＰＭ−
ＳＨＧデバイスを用いた波長可変ＤＢＲ半導体レーザの
検査方法について説明した。バルク型ＱＰＭ−ＳＨＧデ
バイスは、作製が容易であり安価なことである。また切
断研磨により、素子作製後に高精度に波長選択幅（許容
幅）を変化させられることである。波長可変ＤＢＲ半導
体レーザの縦モード間隔（モードホップ間隔）は、共振
器長に依存する。そのため、最適な許容幅を選択する場
合、有効な方法である。
【０１１２】また、実施の形態４と同様、第２高調波発
生を利用しているため、出力変化点での出力変化が大き
い特長を有する。第２高調波発生により得られた高調波
光を信号光として受光する場合、出力変化点での出力変
化を大きくすることができ、よって検出精度も向上する
ことができる。
【０１１３】
【発明の効果】以上述したように、本発明によれば、活
性領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領
域を有する波長可変ＤＢＲ半導体レーザの検査装置が、
活性領域と位相調整領域とＤＢＲ領域に電流を供給する
電源と、前記半導体レーザから出射される光の出力強度
を検出するための受光素子と、前記半導体レーザから前
記受光素子までの光路上に挿入可能な透過型波長選択素
子から構成されていて、活性領域に一定の活性電流を注
入し、半導体レーザから受光素子までの光路上に透過型
波長選択素子を挿入した状態において、位相調整領域に
注入する位相電流とＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の
少なくとも一方を変化させ、透過型波長選択素子後の半
導体レーザ光の出力強度を受光素子により検出し、出力
強度の変化点に対応する位相電流及びＤＢＲ電流を求め
ることにより、波長可変ＤＢＲ半導体レーザの波長可変
の安定性や、連続波長可変に必要なＩｄｂｒ／Ｉｐｈの
比などを簡単でかつ高速に検査することができる。
【０１１４】即ち、位相電流を変化させた時に得られる
変化点に対応する位相電流の間隔△Ｉｐｈと、ＤＢＲ電
流を変化させた時に得られる変化点に対応するＤＢＲ電
流の間隔△Ｉｄｂｒから、連続波長可変に必要な位相電
流とＤＢＲ電流の電流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒを、容易
にかつ高速に算出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の波長可変半導体レーザ検査装置の概略
構成図
【図２】波長可変半導体レーザの活性電流と出力強度の
関係を示す図
【図３】ＤＢＲ電流を変化させた時の、ＤＢＲ電流と、
透過型波長選択素子後の出力の関係を示す図
【図４】出力変化点に対応した位相電流とＤＢＲ電流の
関係を示す図
【図５】出力変化点に対応した位相電流とＤＢＲ電流の
関係を示す図
【図６】（ａ）ＤＢＲ電流を変化させた時の、ＤＢＲ電
流と、透過型波長選択素子後の出力の関係を示す図
（ｂ）位相電流を変化させた時の、ＤＢＲ電流と、透過
型波長選択素子後の出力の関係を示す図
【図７】光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスを用いた青
色光源の概略構成図
【図８】本発明の波長可変半導体レーザ検査装置の概略
構成図
【図９】出力変化点に対応した位相電流とＤＢＲ電流の
関係を示す図
【図１０】（ａ）ＤＢＲ電流を変化させた時の、ＤＢＲ
電流と、透過型波長選択素子後の出力の関係を示す図 （ｂ）位相電流を変化させた時の、ＤＢＲ電流と、透過
型波長選択素子後の出力の関係を示す図
【図１１】本発明の波長可変半導体レーザ検査装置の概
略構成図
【図１２】ＤＢＲ電流及び位相電流を変化させた時の、
ＤＢＲ電流と、透過型波長選択素子後の出力の関係を示
す図
【図１３】本発明の波長可変半導体レーザ検査装置の概
略構成図
【図１４】波長可変半導体レーザの概略構成図
【図１５】波長可変半導体レーザのＤＢＲ電流を変化さ
せた時の波長可変特性を示す図
【図１６】モードホップ点に対応した位相電流とＤＢＲ
電流の関係を示す図
【図１７】波長可変半導体レーザの連続波長可変特性を
示す図
【符号の説明】
１，７，２１，２６，３４ 波長可変ＤＢＲ半導体レー
ザ ２，１６，２２，２７，２９ レンズ ３，１７，２３，３１ 受光素子 ４，１９，２４，３２ Ａ／Ｄ変換器 ５，２０，２５，３３ 制御回路 ６ 透過型波長変換素子 ８，３５ 活性領域 ９，３６ 位相調整領域 １０，３７ ＤＢＲ領域 １１ 光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス １２ 光導波路 １３ 周期的分極反転領域 １４ サブマウント １５ ＳＨＧ青色光源 １８，３０ 基本波カットフィルタ ２８ バルク型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｇ０１Ｊ 9/00 Ｇ０１Ｊ 9/00 (72)発明者 山本 和久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2G065 AB02 AB04 AB09 BA02 BB27 BC28 BC33 BC35 DA05 DA13 2G086 EE03 2K002 AA04 AB12 DA01 GA04 HA20 5F073 AA65 AB27 BA01 EA02 FA01 HA04 HA08 HA11

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ反
    射（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザの検査装置であ
    って、前記活性領域と前記位相調整領域と前記ＤＢＲ領
    域に電流を供給する電源と、前記半導体レーザから出射
    される光の出力強度を検出するための受光素子と、前記
    半導体レーザから前記受光素子までの光路上に挿入可能
    な透過型波長選択素子から構成されていることを特徴と
    する波長可変半導体レーザの検査装置。
  2. 【請求項２】前記半導体レーザから前記受光素子までの
    光路上に前記透過型波長選択素子を挿入した状態におい
    て、前記活性領域に注入する所定の活性電流に対し、前
    記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に
    注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記
    透過型波長選択素子後の前記半導体レーザ光の出力強度
    を前記受光素子により検出することを特徴とする請求項
    １記載の波長可変半導体レーザの検査装置。
  3. 【請求項３】請求項１記載の波長可変半導体レーザ検査
    装置を用いて、前記半導体レーザから前記受光素子まで
    の光路上に前記透過型波長選択素子を挿入しない状態に
    おいて、前記活性領域に注入する活性電流を変化させ、
    前記半導体レーザから出射される光の出力強度を前記受
    光素子により検出し、前記活性電流と前記出力強度の関
    係を求めることを特徴とする波長可変半導体レーザの検
    査方法。
  4. 【請求項４】請求項１記載の波長可変半導体レーザ検査
    装置を用いて、前記活性領域に一定の活性電流を注入
    し、前記半導体レーザから前記受光素子までの光路上に
    前記透過型波長選択素子を挿入した状態において、前記
    位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注
    入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記透
    過型波長選択素子後の前記半導体レーザ光の出力強度を
    前記受光素子により検出し、前記半導体レーザの所望の
    波長に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流を求め
    ることを特徴とする波長可変半導体レーザの検査方法。
  5. 【請求項５】前記半導体レーザの所望の波長が、前記透
    過型波長選択素子後の前記半導体レーザ光の出力強度が
    最大になる波長であることを特徴とする請求項４記載の
    波長可変半導体レーザの検査方法。
  6. 【請求項６】請求項１記載の波長可変半導体レーザ検査
    装置を用いて、前記活性領域に一定の電流を注入し、前
    記半導体レーザから前記受光素子までの光路上に前記透
    過型波長選択素子を挿入した状態において、前記位相調
    整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入する
    ＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記透過型波
    長選択素子後の前記半導体レーザ光の出力強度を前記受
    光素子により検出し、前記出力強度の変化点に対応する
    前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流を求めることを特徴と
    する波長可変半導体レーザの検査方法。
  7. 【請求項７】前記変化点に対応する前記位相電流及び前
    記ＤＢＲ電流から、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電
    流比を算出することを特徴とする請求項６記載の波長可
    変半導体レーザの検査方法。
  8. 【請求項８】前記位相電流を変化させた時に得られる前
    記変化点に対応する前記位相電流の間隔△Ｉｐｈと、前
    記ＤＢＲ電流を変化させた時に得られる前記変化点に対
    応する前記ＤＢＲ電流の間隔△Ｉｄｂｒから、前記位相
    電流と前記ＤＢＲ電流の電流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒを
    算出することを特徴とする請求項６記載の波長可変半導
    体レーザの検査方法。
  9. 【請求項９】前記ＤＢＲ電流の電流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄ
    ｂｒを算出し、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流を前記電
    流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒの関係で動作させることで、
    前記半導体レーザの波長が連続的に変化することを特徴
    とする請求項７または８記載の波長可変半導体レーザの
    検査方法。
  10. 【請求項１０】前記透過型波長選択素子が、基板上に形
    成された誘電体多層膜からなることを特徴とする請求項
    １または２記載の波長可変半導体レーザの検査装置。
  11. 【請求項１１】前記透過型波長選択素子が、基板上に形
    成された誘電体多層膜からなることを特徴とする請求項
    ３から９のいずれかに記載の波長可変半導体レーザの検
    査方法。
  12. 【請求項１２】活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ
    反射（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザの検査方法に
    おいて、前記活性領域に所定の活性電流を注入し、得ら
    れる光の出力強度を受光素子により検出し、前記位相調
    整領域に注入する位相電流を変化させた時に得られる出
    力変化点の位相電流間隔△Ｉｐｈと、前記ＤＢＲ領域に
    注入するＤＢＲ電流を変化させた時に得られる出力変化
    点のＤＢＲ電流間隔△Ｉｄｂｒを求め、前記位相電流間
    隔△Ｉｐｈと前記ＤＢＲ電流間隔△Ｉｄｂｒの電流比△
    Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒを算出することを特徴とする波長可
    変半導体レーザの検査方法。
  13. 【請求項１３】前記位相電流を変化させた時に得られる
    出力変化点、及びＤＢＲ電流を変化させた時に得られる
    出力変化点が、出力減少から出力増加に変化する変化点
    であることを特徴とする請求項１２記載の波長可変半導
    体レーザの検査方法。
  14. 【請求項１４】前記位相電流と前記ＤＢＲ電流を前記電
    流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒの関係で動作させることで、
    前記半導体レーザの波長が連続的に変化することを特徴
    とする請求項１２記載の波長可変半導体レーザの検査方
    法。
  15. 【請求項１５】活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ
    反射（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザの検査装置で
    あって、前記活性領域と前記位相調整領域と前記ＤＢＲ
    領域に電流を供給する電源と、光の出力強度を検出する
    ための受光素子と、前記半導体レーザから前記受光素子
    までの光路上に挿入可能な第２高調波発生素子から構成
    されていることを特徴とする波長可変半導体レーザの検
    査装置。
  16. 【請求項１６】前記半導体レーザから前記受光素子まで
    の光路上に前記第２高調波発生素子を挿入した状態にお
    いて、前記活性領域に注入する所定の活性電流に対し、
    前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域
    に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前
    記第２高調波発生素子により波長変換された高調波光の
    出力強度を前記受光素子により検出することを特徴とす
    る請求項１５記載の波長可変半導体レーザの検査装置。
  17. 【請求項１７】請求項１５記載の波長可変半導体レーザ
    検査装置を用いて、前記半導体レーザから前記受光素子
    までの光路上に前記第２高調波発生素子を挿入しない状
    態において、前記活性領域に注入する活性電流を変化さ
    せ、前記半導体レーザから出射される光の出力強度を前
    記受光素子により検出し、前記活性電流と前記出力強度
    の関係を求めることを特徴とする波長可変半導体レーザ
    の検査方法。
  18. 【請求項１８】請求項１５記載の波長可変半導体レーザ
    検査装置を用いて、前記活性領域に一定の電流を注入
    し、前記半導体レーザから前記受光素子までの光路上に
    前記第２高調波発生素子を挿入した状態において、前記
    位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注
    入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記第
    ２高調波発生素子により波長変換された高調波光の出力
    強度を前記受光素子により検出し、前記半導体レーザの
    所望の波長に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流
    を求めることを特徴とする波長可変半導体レーザの検査
    方法。
  19. 【請求項１９】前記半導体レーザの所望の波長が、前記
    第２高調波発生素子後の前記高調波光の出力強度が最大
    になる波長であることを特徴とする請求項１８記載の波
    長可変半導体レーザの検査方法。
  20. 【請求項２０】請求項１５記載の波長可変半導体レーザ
    検査装置を用いて、前記活性領域に一定の電流を注入
    し、前記半導体レーザから前記受光素子までの光路上に
    前記第２高調波発生素子を挿入した状態において、前記
    位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注
    入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記第
    ２高調波発生素子により波長変換された高調波光の出力
    強度を前記受光素子により検出し、前記高調波の出力強
    度の変化点に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流
    を求めることを特徴とする波長可変半導体レーザの検査
    方法。
  21. 【請求項２１】前記変化点に対応する前記位相電流及び
    前記ＤＢＲ電流から、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の
    電流比を算出することを特徴とする請求項２０記載の波
    長可変半導体レーザの検査方法。
  22. 【請求項２２】前記位相電流を変化させた時に得られる
    前記変化点に対応する前記位相電流の間隔△Ｉｐｈと、
    前記ＤＢＲ電流を変化させた時に得られる前記変化点に
    対応する前記ＤＢＲ電流の間隔△Ｉｄｂｒから、前記位
    相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒ
    を算出することを特徴とする請求項２０記載の波長可変
    半導体レーザの検査方法。
  23. 【請求項２３】前記ＤＢＲ電流の電流比△Ｉｐｈ／△Ｉ
    ｄｂｒを算出し、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流を前記
    電流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒの関係で動作させること
    で、前記半導体レーザの波長が連続的に変化することを
    特徴とする請求項２１または２２記載の波長可変半導体
    レーザの検査方法。
  24. 【請求項２４】前記第２高調波発生素子が、バルク型の
    擬似位相整合方式により波長変換するものであることを
    特徴とする請求項１５または１６記載の波長可変半導体
    レーザの検査装置。
  25. 【請求項２５】前記第２高調波発生素子が、バルク型の
    擬似位相整合方式により波長変換するものであることを
    特徴とする請求項１７から２２のいずれかに記載の波長
    可変半導体レーザの検査方法。
  26. 【請求項２６】活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ
    反射（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザと、第２高調
    波発生（ＳＨＧ）素子から構成されるコヒーレント光源
    において、前記活性領域に一定の活性電流を注入し、前
    記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に
    注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記
    第２高調波発生素子により波長変換された高調波光の出
    力強度を前記受光素子により検出し、前記半導体レーザ
    の所望の波長に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電
    流を求めることを特徴とするコヒーレント光源の検査方
    法。
  27. 【請求項２７】前記半導体レーザの所望の波長が、前記
    第２高調波発生素子後の前記高調波光の出力強度が最大
    になる波長であることを特徴とする請求項２６記載のコ
    ヒーレント光源の検査方法。
  28. 【請求項２８】活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ
    反射（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザと、第２高調
    波発生（ＳＨＧ）素子から構成されるコヒーレント光源
    において、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記
    ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変
    化させ、前記第２高調波発生素子により波長変換された
    高調波光の出力強度を前記受光素子により検出し、前記
    高調波の出力強度の変化点に対応する前記位相電流及び
    前記ＤＢＲ電流を求めることを特徴とするコヒーレント
    光源の検査方法。
  29. 【請求項２９】前記変化点に対応する前記位相電流及び
    前記ＤＢＲ電流から、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の
    電流比を算出することを特徴とする請求項２８記載のコ
    ヒーレント光源の検査方法。
  30. 【請求項３０】前記位相電流を変化させた時に得られる
    前記変化点に対応する前記位相電流の間隔△Ｉｐｈと、
    前記ＤＢＲ電流を変化させた時に得られる前記変化点に
    対応する前記ＤＢＲ電流の間隔△Ｉｄｂｒから、前記位
    相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒ
    を算出することを特徴とする請求項２８記載のコヒーレ
    ント光源の検査方法。
  31. 【請求項３１】前記ＤＢＲ電流の電流比△Ｉｐｈ／△Ｉ
    ｄｂｒを算出し、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流を前記
    電流比△Ｉｐｈ／△Ｉｄｂｒの関係で動作させること
    で、前記半導体レーザの波長が連続的に変化することを
    特徴とする請求項２９または３０記載のコヒーレント光
    源の検査方法。
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