JP2005129648A - コンタクトホールの形成方法 - Google Patents
コンタクトホールの形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005129648A JP2005129648A JP2003362145A JP2003362145A JP2005129648A JP 2005129648 A JP2005129648 A JP 2005129648A JP 2003362145 A JP2003362145 A JP 2003362145A JP 2003362145 A JP2003362145 A JP 2003362145A JP 2005129648 A JP2005129648 A JP 2005129648A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- line
- contact hole
- space
- photosensitive resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76816—Aspects relating to the layout of the pattern or to the size of vias or trenches
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】 第1の方向及びこれに直交する第2の方向に周期的に配置されたマスクパターンを有するフォトマスクと2重照明とを用いて、基板上の第1の感光性レジスト膜を露光及び現像して、前記第1の方向に沿った第1のラインアンドスペースを形成し、この後、前記基板上に、第2の感光性レジスト膜を形成し、前記フォトマスクと、前記2重照明に直交する2重照明を用いて、前記第2の感光性レジスト膜を露光及び現像して、前記第1のラインアンドスペースに直交する第2のラインアンドスペースを形成する。
【選択図】 図2
Description
図1は、本発明の実施の形態で用いる露光装置の概略図である。
ここで、λは露光光の波長、NAは投影レンズの開口数、σは照明の大きさ(孔の半径)(図2(a)参照)、pはパターンピッチ(図2(b)参照)である。
ここで、λは露光光の波長、NAは投影レンズの開口数、σは照明の大きさ(孔の半径(図2(a)参照)、pはパターンピッチ(図2(b)参照)、σxは照明の座標(孔の中心の座標)(図2(a)参照)である。
第1の実施の形態では、第1の露光により形成されたスペース及び第2の露光により形成されたスペースの交差部全てにコンタクトホールを形成したが、本実施の形態では、交差部のうち1つのコンタクトホールパターンのみを用いて孤立のコンタクトホールを形成する。このためには、上述した第1及び第2の工程に続いて、以下に説明する第3の工程を行う。
第2の実施の形態では、第2の工程で形成したコンタクトホールパターン群のうち、1つのコンタクトホールパターンのみを残したが、本実施の形態では、第2の工程で形成したコンタクトホールパターン群のうち複数を選択的に残し、これにより、複数のコンタクトホールを選択的に形成する。以下、図9及び図10を用いて、本実施の形態について詳しく説明する。
上述した第1の実施の形態における第2のレジスト膜41の現像処理(図6(c)参照)においては、現像に用いる溶剤の種類によっては第1のレジスト膜38が溶解することもあり得る。第1のレジスト膜38が溶解すると、第1のレジスト膜38のパターンが変形したり、溶解した第1のレジスト膜38と溶解した第2のレジスト膜41とが混合したり(ミキシングが起こったり)する。ミキシングが起こると、現像液の濃度が薄まって、第2のレジスト膜41が所期のパターンに形成されない問題が生じ得る。そこで、本実施の形態では、このようなミキシングを防ぎつつ第2のレジスト膜41を形成する方法について説明する。
12 フライアイレンズ
13、24、33、39、43 アパーチャ
14 レチクルブラインド
15 反射ミラー
16 コンデンサレンズ
18 レチクルステージ
19、29、35、45、50 フォトマスク(レチクル)
20 投影レンズ
21 ウエハステージ
22、37 ウエハ(基板)
23、38、41、48 レジスト膜
25a、25b、34a、34b、40a、40b、44 孔
26、36、46、51a〜51c 開口パターン
28、37、47、52 遮光パターン
42、49、53 コンタクトホールパターン
54 下地加工膜
P ピッチ
H、M 幅
Claims (5)
- 光源とアパーチャとコンデンサレンズとを有する照明系と、前記照明系からの光が入射されるフォトマスクと、前記フォトマスクからの光を基板上に投影する投影レンズとを備えた投影露光装置を用いて前記基板上にコンタクトホールを形成するコンタクトホールの形成方法であって、
基板上に第1の感光性レジスト膜を形成し、
第1の方向及びこれに直交する第2の方向に周期的に配置されたマスクパターンを有するフォトマスクと、前記第1の方向に沿って中心点に点対称に配置された第1及び第2の光透過部を有するアパーチャとを用いて、前記第1の感光性レジスト膜を露光して、前記第1の方向に沿った第1のラインアンドスペースのパターンを前記第1の感光性レジスト膜に転写し、
露光された前記第1の感光性レジスト膜を現像して前記第1のラインアンドスペースを形成し、
この後、前記基板上に、第2の感光性レジスト膜を形成し、
前記フォトマスクと、前記第2の方向に沿って中心点に点対称に配置された前記第1及第2の光透過部を有するアパーチャとを用いて、前記第2の感光性レジスト膜を露光して、前記第1のラインアンドスペースのパターンに直交する第2のラインアンドスペースのパターンを前記第2の感光性レジスト膜に転写し、
この後、前記第2の感光性レジスト膜を現像して、前記第2のラインアンドスペースを形成する、
ことを特徴とするコンタクトホールの形成方法。 - 前記第2のラインアンドスペースを形成した後、第3の感光性レジスト膜を前記基板上に形成し、
前記マスクパターンより大きいサイズを有する別のマスクパターンを有する別のフォトマスクを、前記別のマスクパターンが、前記第1及び第2のラインアンドスペースにおけるスペースの直交部に対応する状態に位置合せして、前記第3の感光性レジスト膜を露光し、
この後、前記第3の感光性レジスト膜を現像する、
ことを特徴とするコンタクトホールの形成方法。 - 前記マスクパターンのサイズをH、前記マスクパターンの配置ピッチをPとした場合に、
1<2×H/P<1.4
を満たすことを特徴とする請求項1又は2に記載のコンタクトホールの形成方法。 - 前記別のマスクパターンのサイズをMとし、前記マスクパターンの配置ピッチをPとした場合に、
1<M/P
を満たすことを特徴とする請求項2又は3に記載のコンタクトホールの形成方法。 - 前記第1の感光性レジスト膜を形成する前に、被加工膜を形成し、
前記第1のラインアンドスペースの形成後且つ前記第2の感光性レジスト膜の形成前に、前記第1の感光性レジスト膜を用いて前記被加工膜をエッチングし、前記エッチング後に、前記第1の感光性レジスト膜を除去して、前記被加工膜によるラインアンドスペースを形成する、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のコンタクトホールの形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003362145A JP4184918B2 (ja) | 2003-10-22 | 2003-10-22 | コンタクトホールの形成方法 |
US10/969,996 US7148138B2 (en) | 2003-10-22 | 2004-10-22 | Method of forming contact hole and method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003362145A JP4184918B2 (ja) | 2003-10-22 | 2003-10-22 | コンタクトホールの形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005129648A true JP2005129648A (ja) | 2005-05-19 |
JP4184918B2 JP4184918B2 (ja) | 2008-11-19 |
Family
ID=34641885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003362145A Expired - Fee Related JP4184918B2 (ja) | 2003-10-22 | 2003-10-22 | コンタクトホールの形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7148138B2 (ja) |
JP (1) | JP4184918B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100609227B1 (ko) | 2005-08-12 | 2006-08-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 컨택 홀 포토 레지스트 패턴 및 그 형성방법 |
JP2007240865A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Nec Electronics Corp | フォトマスクおよび露光方法 |
JP2010050384A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2011258842A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 |
KR20120122707A (ko) * | 2011-04-29 | 2012-11-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치의 홀 패턴 제조 방법 |
JP2015032815A (ja) * | 2013-08-07 | 2015-02-16 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI240979B (en) * | 2004-10-28 | 2005-10-01 | Advanced Semiconductor Eng | Bumping process |
JP4988223B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2012-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
US7824827B2 (en) * | 2005-09-12 | 2010-11-02 | Imec | Method and system for improved lithographic processing |
US20070059849A1 (en) * | 2005-09-12 | 2007-03-15 | Interuniversitair Microelktronica Centrum (Imec) | Method and system for BARC optimization for high numerical aperture applications |
US7781349B2 (en) * | 2005-09-12 | 2010-08-24 | Imec | Method and system for optimizing a BARC stack |
JP2007103835A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 露光装置及び露光方法 |
US7794921B2 (en) * | 2006-12-30 | 2010-09-14 | Sandisk Corporation | Imaging post structures using x and y dipole optics and a single mask |
US20090011370A1 (en) * | 2007-06-11 | 2009-01-08 | Hiroko Nakamura | Pattern forming method using two layers of resist patterns stacked one on top of the other |
KR20100112669A (ko) * | 2009-04-10 | 2010-10-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 이의 제조방법 |
US8916051B2 (en) * | 2010-12-23 | 2014-12-23 | United Microelectronics Corp. | Method of forming via hole |
CN109104822A (zh) * | 2018-11-15 | 2018-12-28 | 梅州市志浩电子科技有限公司 | 菲林与曝光机的对位方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0338110B1 (en) * | 1988-04-21 | 1993-03-17 | International Business Machines Corporation | Method for forming a photoresist pattern and apparatus applicable with said method |
JPH10232496A (ja) | 1997-02-20 | 1998-09-02 | Nikon Corp | 3重露光法 |
JP3344403B2 (ja) * | 2000-03-03 | 2002-11-11 | 日本電気株式会社 | 光学収差の測定用マスク及び光学収差の測定方法 |
-
2003
- 2003-10-22 JP JP2003362145A patent/JP4184918B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-10-22 US US10/969,996 patent/US7148138B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100609227B1 (ko) | 2005-08-12 | 2006-08-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 컨택 홀 포토 레지스트 패턴 및 그 형성방법 |
JP2007240865A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Nec Electronics Corp | フォトマスクおよび露光方法 |
JP2010050384A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2011258842A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 |
KR20120122707A (ko) * | 2011-04-29 | 2012-11-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치의 홀 패턴 제조 방법 |
KR101708375B1 (ko) | 2011-04-29 | 2017-02-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치의 홀 패턴 제조 방법 |
JP2015032815A (ja) * | 2013-08-07 | 2015-02-16 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050153540A1 (en) | 2005-07-14 |
JP4184918B2 (ja) | 2008-11-19 |
US7148138B2 (en) | 2006-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5532090A (en) | Method and apparatus for enhanced contact and via lithography | |
JP4184918B2 (ja) | コンタクトホールの形成方法 | |
US7214453B2 (en) | Mask and its manufacturing method, exposure, and device fabrication method | |
US6934007B2 (en) | Method for photolithography using multiple illuminations and a single fine feature mask | |
JP2000206667A (ja) | フォトマスク及びフォトマスクを用いた露光方法 | |
JPH10239827A (ja) | フォトマスク | |
US8221943B2 (en) | Photomask with assist features | |
JP2007053403A (ja) | リソグラフ方法 | |
US6680150B2 (en) | Suppression of side-lobe printing by shape engineering | |
KR20070008677A (ko) | 접촉 홀 제조방법 및 시스템 | |
WO2005036274A2 (en) | Optical lithography method for patterning lines of equal width | |
US20060286460A1 (en) | Photomask, method of making a photomask and photolithography method and system using the same | |
US7910266B2 (en) | Pattern forming method and mask | |
JP4886169B2 (ja) | マスク及びその設計方法、露光方法、並びに、デバイス製造方法 | |
JP4139859B2 (ja) | 照射パターンツール、及び照射パターンツールの形成方法 | |
JP2006191088A (ja) | リソグラフィ・デバイス製造方法 | |
US20110033656A1 (en) | Pattern forming method, electronic device manufacturing method and electronic device | |
US20030148193A1 (en) | Photomask for off-axis illumination and method of fabricating the same | |
JP2004251969A (ja) | 位相シフトマスク、位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法および電子デバイスの製造方法 | |
US6811933B2 (en) | Vortex phase shift mask for optical lithography | |
JP2000305247A (ja) | フォトマスク、パターン形成方法及びデバイス製造方法 | |
US7139064B2 (en) | Optical system for providing a hexapole illumination and method of forming a photoresist pattern on a substrate using the same | |
US8742546B2 (en) | Semiconductor device with a plurality of dot patterns and a line pattern having a projection part | |
KR100772090B1 (ko) | 반도체 제조용 노광 마스크의 제조방법 | |
JP5311326B2 (ja) | フォトマスク、パターンの形成方法および電子デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050316 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071130 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080404 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080603 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080829 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080904 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |