JP2005122163A - サブ波長の光リソグラフィのための位相平衡された散乱バーのモデル・ベースの配置を実施するための方法及び装置 - Google Patents
サブ波長の光リソグラフィのための位相平衡された散乱バーのモデル・ベースの配置を実施するための方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005122163A JP2005122163A JP2004293098A JP2004293098A JP2005122163A JP 2005122163 A JP2005122163 A JP 2005122163A JP 2004293098 A JP2004293098 A JP 2004293098A JP 2004293098 A JP2004293098 A JP 2004293098A JP 2005122163 A JP2005122163 A JP 2005122163A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- features
- interference
- phase
- feature
- level
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】基板に投影すべきフィーチャを有するターゲット・パターンを取得する段階と、少なくとも1つのフィーチャとこれに隣接するフィールド区域との間の強め合う干渉区域を定義する、第1の干渉マップを決定する段階と、第1の干渉マップによって定義される干渉区域に基づいてマスクデザイン中に第1の位相を有する第1の組の支援フィーチャを配置する段階と、この第1の組の支援フィーチャと、このうちの少なくとも1つの支援フィーチャに隣接したフィールド区域との間の干渉区域を定義する、第2の干渉マップを決定する段階と、この第2の干渉マップによって定義される干渉区域に基づいてマスクデザイン中に第2の位相を有する第2の組の支援フィーチャを配置する段階を含んでおり、この第1の位相と第2の位相は等しくないものである。
【選択図】図1
Description
産業界が、露光ツール供給業者に対して非常に高開口数の露光ツール(NA>0.90)を開発するように推進してきたが、また、製造についてプロセス性能がより小さなk1を実現できるようにする方法を求めて模索してもいる。low k1フォトリソグラフィ方法は、今や半導体製造についての主流になっていることは明らかである。多くのlow k1技法の中でも、とりわけOPC(optical proximity correction光学的近接補正)を有するバイナリ・マスク(binary mask)又はPSM(phase-shifted mask位相シフト・マスク)と組み合わせた高NA及びOAI(off-axis illumination軸外照明)の使用が、知られている。散乱バー(SB)又は支援フィーチャOPCは、特に魅力があり、経済的であることから実際の製造でも使用されてきており、クリア・フィールド・マスク・タイプ及びダーク・フィールド・マスク・タイプの両方においてすべての限界マスク層に効果的に適用することができる。
式中、
Ixx=Σρixixi
Ixy=Σρixiyi
Iyx=Σρiyixi
Iyy=Σρiyiyi
であり、ρiは位置iにおけるE−フィールド値である。
方向角θは、以下の式を満たす。
−照射投影ビームPBを供給するための照射システムEX、IL。この特定の場合においては、照射システムは、照射源LAも含む。
−マスクMA(例えば、レチクル)を保持するマスク・ホルダが設けられ、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段に接続された第1のオブジェクト・テーブル(マスク・テーブル)MT。
−基板W(例えば、レジスト・コーティングされたシリコン・ウェーハ)を保持するための基板ホルダが設けられ、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段に接続された第2のオブジェクト・テーブル(基板テーブル)WT。
−マスクMAの照射部分を基板Wの(例えば、1つ又は複数のダイを含む)ターゲット部分C上に投影するための投影システム(「レンズ」)PL(例えば、屈折光学系、反射光学系、又は反射屈折光学系)。
−ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTをほぼ固定したまま、全体のマスク画像は、一括で(すなわち、単一「フラッシュ」で)、ターゲット部分C上に投影される。次いで基板テーブルWTをx方向及び/又はy方向にシフトし、その結果、異なるターゲット部分CをビームPBによって照射することができる。
−スキャン・モードでは、所与のターゲット部分Cが単一「フラッシュ」で露光されない点を除いて、ほぼ同じシナリオが適用される。代わりに、マスク・テーブルMTは、速度νで所与の方向(いわゆる「スキャン方向」、例えばy方向)に移動可能であり、その結果、投影ビームPBは、マスク画像上でスキャンされるようになる。並行して、基板テーブルWTは、同一方向又は逆方向に速度V=Mνで同時に移動され、式中、Mは、レンズPLの倍率(一般に、M=1/4又は1/5)である。このようにして、分解能に関して妥協する必要なしに比較的大きなターゲット部分Cを露光することができる。
21 位相0のSBフィーチャ
23 位相πのSBフィーチャ
1000 プロセッサ
1001 RAM
1002 ROM
1003 入力
1004 ディスプレイ
AM 調整手段
C ターゲット部分
CO コンデンサ
Ex ビーム・エキスパンダ
IF 干渉測定手段
IL 照明システム、照明装置
IN インテグレータ
LA 照射源
MA マスク
MT マスク・テーブル、第1のオブジェクト・テーブル
PB 投影ビーム、ビームの経路
PL 投影システム、レンズ
W 基板
WT 基板テーブル、第2のオブジェクト・テーブル
Claims (18)
- 光学的近接補正フィーチャが挿入されたマスクデザインを生成する方法であって、
基板上に投影すべきフィーチャを有する所望のターゲット・パターンを取得する段階と、
投影すべき少なくとも1つの前記フィーチャと該少なくとも1つのフィーチャに隣接するフィールド区域との間の強め合う干渉区域を定義する、前記ターゲット・パターンに基づく第1の干渉マップを決定する段階と、
前記第1の干渉マップによって定義される前記強め合う干渉区域に基づいて前記マスク設計中に第1の位相を有する第1の組の支援フィーチャを配置する段階と、
前記第1の組の支援フィーチャのうちの支援フィーチャと、前記第1の組の支援フィーチャのうちの少なくとも1つの前記支援フィーチャに隣接したフィールド区域との間の強め合う干渉区域を定義する、前記第1の組の支援フィーチャに基づく第2の干渉マップを決定する段階と、
前記第2の干渉マップによって定義される前記強め合う干渉区域に基づいて前記マスク設計中に第2の位相を有する第2の組の支援フィーチャを配置する段階とを含み、前記第1の位相が、前記第2の位相と等しくない方法。 - 前記第2の組の支援フィーチャ中の各支援フィーチャが、前記第1の組の支援フィーチャ中の各支援フィーチャに対して180度の位相シフトを示す、請求項1に記載の方法。
- 前記ターゲット・パターン中の少なくとも1つのフィーチャを取り囲む除外領域を定義する段階をさらに含み、
前記第1の組の支援フィーチャからの支援フィーチャも、前記第2の組の支援フィーチャからの支援フィーチャも前記除外領域内に配置されない、請求項1に記載の方法。 - 前記第1の組の支援フィーチャ中の前記支援フィーチャが、前記所望のターゲットの前記フィーチャの焼付けを強調し強め合う干渉区域に配置され、前記第2の組の支援フィーチャ中の支援フィーチャが、前記第1の組の支援フィーチャ中に含まれる支援フィーチャ間に生ずる強め合う干渉を打ち消す、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の干渉マップが、前記投影すべきフィーチャに対するフィールドの輝度レベルを定義し、前記第1の干渉マップが、非ゼロのDCレベルに相対的に正の輝度値と負の輝度値の両方を表すことができ、
前記非ゼロのDCレベルに相対的に正の輝度値を有するフィールド領域が、強め合う干渉区域に対応し、前記非ゼロのDCレベルに相対的に負の輝度値を有するフィールド領域が、弱め合う干渉区域に対応する、請求項1に記載の方法。 - 前記第2の干渉マップが、前記第1の組の支援フィーチャに対するフィールドの輝度レベルを定義し、前記第2の干渉マップが、非ゼロのDCレベルに相対的に正の輝度値と負の輝度値の両方を表すことができ、
前記非ゼロのDCレベルに相対的に正の輝度値を有するフィールド領域が、強め合う干渉区域に対応し、前記非ゼロのDCレベルに相対的に負の輝度値を有するフィールド領域が、弱め合う干渉区域に対応する、請求項1に記載の方法。 - 光学的近接補正フィーチャが挿入されたマスクデザインを生成する装置であって、
基板上に投影すべきフィーチャを有する所望のターゲット・パターンを取得する手段と、
投影すべき少なくとも1つの前記フィーチャと前記少なくとも1つのフィーチャに隣接するフィールド区域との間の強め合う干渉区域を定義する、前記ターゲット・パターンに基づく第1の干渉マップを決定する手段と、
前記第1の干渉マップによって定義される前記強め合う干渉区域に基づいて前記マスク設計中に第1の位相を有する第1の組の支援フィーチャを配置する手段と、
前記第1の組の支援フィーチャのうちの支援フィーチャと、前記第1の組の支援フィーチャのうちの少なくとも1つの前記支援フィーチャに隣接したフィールド区域との間の強め合う干渉区域を定義する、前記第1の組の支援フィーチャに基づく第2の干渉マップを決定する手段と、
前記第2の干渉マップによって定義される前記強め合う干渉区域に基づいて前記マスク設計中に第2の位相を有する第2の組の支援フィーチャを配置する手段とを備え、前記第1の位相が、前記第2の位相と等しくない装置。 - 前記第2の組の支援フィーチャ中の各支援フィーチャが、前記第1の組の支援フィーチャ中の各支援フィーチャに対して180度の位相シフトを示す、請求項7に記載の装置。
- 前記ターゲット・パターン中の少なくとも1つのフィーチャを取り囲む除外領域を定義する手段をさらに備え、
前記第1の組の支援フィーチャからの支援フィーチャも、前記第2の組の支援フィーチャからの支援フィーチャも前記除外領域内に配置されない、請求項7に記載の装置。 - 前記第1の組の支援フィーチャ中の前記支援フィーチャが、前記所望のターゲットの前記フィーチャの焼付けを強調し強め合うな干渉区域に配置され、前記第2の組の支援フィーチャ中の支援フィーチャが、前記第1の組の支援フィーチャ中に含まれる支援フィーチャ間に生ずる強め合う干渉を打ち消す、請求項7に記載の装置。
- 前記第1の干渉マップが、前記投影すべきフィーチャに対するフィールドの輝度レベルを定義し、前記第1の干渉マップが、非ゼロのDCレベルに相対的に正の輝度値と負の輝度値の両方を表すことができ、
前記非ゼロのDCレベルに相対的に正の輝度値を有するフィールド領域が、強め合う干渉区域に対応し、前記非ゼロのDCレベルに相対的に負の輝度値を有するフィールド領域が、弱め合う干渉区域に対応する、請求項7に記載の装置。 - 前記第2の干渉マップが、前記第1の組の支援フィーチャに対するフィールドの輝度レベルを定義し、前記第2の干渉マップが、非ゼロのDCレベルに相対的に正の輝度値と負の輝度値の両方を表すことができ、
前記非ゼロのDCレベルに相対的に正の輝度値を有するフィールド領域が、強め合う干渉区域に対応し、前記非ゼロのDCレベルに相対的に負の輝度値を有するフィールド領域が、弱め合う干渉区域に対応する、請求項7に記載の装置。 - リソグラフィ投影プロセスで使用するためのマスクに対応するファイルを生成するようにコンピュータに指示する手段が記録される、前記コンピュータによって読み取り可能な記録媒体を含む前記コンピュータを制御するためのコンピュータ・プログラム製品であって、前記ファイルの生成が、
基板上に投影すべきフィーチャを有する所望のターゲット・パターンを取得する段階と、
投影すべき少なくとも1つの前記フィーチャと該少なくとも1つのフィーチャに隣接するフィールド区域との間の強め合う干渉区域を定義する、前記ターゲット・パターンに基づく第1の干渉マップを決定する段階と、
前記第1の干渉マップによって定義される前記強め合う干渉区域に基づいて前記マスクデザイン中に第1の位相を有する第1の組の支援フィーチャを配置する段階と、
前記第1の組の支援フィーチャのうちの支援フィーチャと、前記第1の組の支援フィーチャのうちの少なくとも1つの前記支援フィーチャに隣接したフィールド区域との間の強め合う干渉区域を定義する、前記第1の組の支援フィーチャに基づく第2の干渉マップを決定する段階と、
前記第2の干渉マップによって定義される前記強め合う干渉区域に基づいて前記マスク設計中に第2の位相を有する第2の組の支援フィーチャを配置する段階とを含み、前記第1の位相が、前記第2の位相と等しくないコンピュータ・プログラム製品。 - 前記第2の組の支援フィーチャ中の各支援フィーチャが、前記第1の組の支援フィーチャ中の各支援フィーチャに対して180度の位相シフトを示す、請求項13に記載のコンピュータ・プログラム製品。
- 前記ファイルの生成機構が、前記ターゲット・パターン中の少なくとも1つのフィーチャを取り囲む除外領域を定義する段階をさらに含み、
前記第1の組の支援フィーチャからの支援フィーチャも、前記第2の組の支援フィーチャからの支援フィーチャも前記除外領域内に配置されない、請求項13に記載のコンピュータ・プログラム製品。 - 前記第1の組の支援フィーチャ中の前記支援フィーチャが、前記所望のターゲットの前記フィーチャの焼付けを強調し強め合うな干渉区域に配置され、前記第2の組の支援フィーチャ中の支援フィーチャが、前記第1の組の支援フィーチャ中に含まれる支援フィーチャ間に生ずる強め合う干渉を打ち消す、請求項13に記載のコンピュータ・プログラム製品。
- 前記第1の干渉マップが、前記投影すべきフィーチャに対するフィールドの輝度レベルを定義し、前記第1の干渉マップが、非ゼロのDCレベルに相対的に正の輝度値と負の輝度値の両方を表すことができ、
前記非ゼロのDCレベルに相対的に正の輝度値を有するフィールド領域が、強め合う干渉区域に対応し、前記非ゼロのDCレベルに相対的に負の輝度値を有するフィールド領域が、弱め合う干渉区域に対応する、請求項13に記載のコンピュータ・プログラム製品。 - 前記第2の干渉マップが、前記第1の組の支援フィーチャに対するフィールドの輝度レベルを定義し、前記第2の干渉マップが、非ゼロのDCレベルに相対的に正の輝度値と負の輝度値の両方を表すことができ、
前記非ゼロのDCレベルに相対的に正の輝度値を有するフィールド領域が、強め合う干渉区域に対応し、前記非ゼロのDCレベルに相対的に負の輝度値を有するフィールド領域が、弱め合う干渉区域に対応する、請求項13に記載のコンピュータ・プログラム製品。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US50026003P | 2003-09-05 | 2003-09-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005122163A true JP2005122163A (ja) | 2005-05-12 |
JP4659425B2 JP4659425B2 (ja) | 2011-03-30 |
Family
ID=34135370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004293098A Expired - Fee Related JP4659425B2 (ja) | 2003-09-05 | 2004-09-06 | サブ波長の光リソグラフィのための位相平衡された散乱バーのモデル・ベースの配置を実施するための方法及び装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7550235B2 (ja) |
EP (1) | EP1513012B1 (ja) |
JP (1) | JP4659425B2 (ja) |
KR (1) | KR20050025095A (ja) |
CN (1) | CN100465789C (ja) |
DE (1) | DE602004011860T2 (ja) |
SG (1) | SG109607A1 (ja) |
TW (1) | TW200519526A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009093138A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-30 | Canon Inc | 原版データの生成方法、原版作成方法、露光方法、デバイス製造方法及び原版データを作成するためのプログラム |
US8239787B2 (en) | 2007-07-24 | 2012-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of generating original plate data by repeatedly calculating approximate aerial image |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7620930B2 (en) * | 2004-08-24 | 2009-11-17 | Asml Masktools B.V. | Method, program product and apparatus for model based scattering bar placement for enhanced depth of focus in quarter-wavelength lithography |
CN1800971A (zh) * | 2004-09-14 | 2006-07-12 | Asml蒙片工具有限公司 | 一种用于实施全芯片制造可靠性检查和校正的方法 |
WO2006138410A2 (en) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and system for using pattern matching to process an integrated circuit design |
US7266798B2 (en) * | 2005-10-12 | 2007-09-04 | International Business Machines Corporation | Designer's intent tolerance bands for proximity correction and checking |
US7614034B2 (en) * | 2005-11-08 | 2009-11-03 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for generating OPC rules for placement of scattering bar features utilizing interface mapping technology |
US7493589B2 (en) * | 2005-12-29 | 2009-02-17 | Asml Masktools B.V. | Method, program product and apparatus for model based geometry decomposition for use in a multiple exposure process |
US7604909B2 (en) * | 2005-12-29 | 2009-10-20 | Asml Masktools B.V. | Method for improved manufacturability and patterning of sub-wavelength contact hole mask |
CN101086622B (zh) * | 2006-06-08 | 2010-05-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种应用反散射带的方法 |
JP5235322B2 (ja) * | 2006-07-12 | 2013-07-10 | キヤノン株式会社 | 原版データ作成方法及び原版データ作成プログラム |
JP2008076683A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Canon Inc | 原版データ作成プログラム、原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法及びデバイスの製造方法 |
KR101096145B1 (ko) * | 2007-06-04 | 2011-12-19 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 모델-기반 리소그래피 안내 레이아웃 설계를 수행하는 방법들 |
KR100891336B1 (ko) * | 2007-07-05 | 2009-03-31 | 삼성전자주식회사 | 마스크 레이아웃 이미지의 생성 방법, 이를 수행하는프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한저장 매체 및 이미징 시스템 |
US9779186B2 (en) | 2007-08-28 | 2017-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Methods for performing model-based lithography guided layout design |
EP2040120B1 (en) | 2007-09-19 | 2011-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask data generation method, mask fabrication method, exposure method, device fabrication method, and program |
JP5607308B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2014-10-15 | キヤノン株式会社 | 原版データ生成プログラムおよび方法 |
JP5607348B2 (ja) * | 2009-01-19 | 2014-10-15 | キヤノン株式会社 | 原版データを生成する方法およびプログラム、ならびに、原版製作方法 |
US8166423B2 (en) * | 2009-09-08 | 2012-04-24 | International Business Machines Corporation | Photomask design verification |
US8122597B2 (en) * | 2010-05-07 | 2012-02-28 | Digital Graphics Incorporation | Method for fabricating light emitting diode signboard |
US8739078B2 (en) | 2012-01-18 | 2014-05-27 | International Business Machines Corporation | Near-neighbor trimming of dummy fill shapes with built-in optical proximity corrections for semiconductor applications |
KR101991380B1 (ko) | 2012-07-26 | 2019-06-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 레이아웃 생성 방법 |
US9223911B2 (en) | 2014-01-30 | 2015-12-29 | Globalfoundries Inc. | Optical model employing phase transmission values for sub-resolution assist features |
US9310674B2 (en) | 2014-02-20 | 2016-04-12 | International Business Machines Corporation | Mask that provides improved focus control using orthogonal edges |
KR102238742B1 (ko) * | 2014-09-11 | 2021-04-12 | 삼성전자주식회사 | 마스크 패턴의 측정 관심 영역 그룹화 방법 및 이를 이용한 마스크 패턴의 선폭 계측 방법 |
CN104391425B (zh) * | 2014-10-20 | 2019-01-22 | 中国科学院微电子研究所 | 一种小间隙平面电极的制作方法 |
KR102335186B1 (ko) * | 2014-12-24 | 2021-12-03 | 삼성전자주식회사 | 렌즈 조립체, 이를 이용한 장애물 감지유닛, 및 이를 구비한 이동로봇 |
CN106444272A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-02-22 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 光刻工艺中光学临近修正方法 |
US11380516B2 (en) | 2017-04-13 | 2022-07-05 | Fractilia, Llc | System and method for generating and analyzing roughness measurements and their use for process monitoring and control |
US10522322B2 (en) | 2017-04-13 | 2019-12-31 | Fractilia, Llc | System and method for generating and analyzing roughness measurements |
US10176966B1 (en) | 2017-04-13 | 2019-01-08 | Fractilia, Llc | Edge detection system |
CN108153115A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-06-12 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 极紫外光刻掩模、其制作方法及生成掩模图案的方法 |
CN110119065B (zh) * | 2018-02-06 | 2022-08-26 | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 | 图形优化方法及掩膜版的制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000206667A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-28 | Nec Corp | フォトマスク及びフォトマスクを用いた露光方法 |
JP2002334836A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-11-22 | Asml Netherlands Bv | 特定のマスク・パターンのための照明の最適化 |
JP2003015273A (ja) * | 2001-02-28 | 2003-01-15 | Asml Masktools Bv | 極端相互作用ピッチ領域を識別する方法、マスクパターンを設計する方法およびマスクを製造する方法、デバイス製造方法およびコンピュータプログラム |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60234320A (ja) * | 1984-05-08 | 1985-11-21 | Hitachi Ltd | フオトマスクの欠陥修正方法及び装置 |
JPH04216548A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク |
KR960002536A (ja) | 1994-06-29 | 1996-01-26 | ||
US5682323A (en) | 1995-03-06 | 1997-10-28 | Lsi Logic Corporation | System and method for performing optical proximity correction on macrocell libraries |
US5663893A (en) | 1995-05-03 | 1997-09-02 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Method for generating proximity correction features for a lithographic mask pattern |
US6223139B1 (en) | 1998-09-15 | 2001-04-24 | International Business Machines Corporation | Kernel-based fast aerial image computation for a large scale design of integrated circuit patterns |
US6214497B1 (en) | 1999-06-29 | 2001-04-10 | Micron Technology, Inc. | Method to eliminate side lobe printing of attenuated phase shift masks |
US6303253B1 (en) | 2000-03-16 | 2001-10-16 | International Business Machines Corporation | Hierarchy and domain-balancing method and algorithm for serif mask design in microlithography |
US6787271B2 (en) | 2000-07-05 | 2004-09-07 | Numerical Technologies, Inc. | Design and layout of phase shifting photolithographic masks |
US6777141B2 (en) | 2000-07-05 | 2004-08-17 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift mask including sub-resolution assist features for isolated spaces |
TW552561B (en) | 2000-09-12 | 2003-09-11 | Asml Masktools Bv | Method and apparatus for fast aerial image simulation |
US6901575B2 (en) | 2000-10-25 | 2005-05-31 | Numerical Technologies, Inc. | Resolving phase-shift conflicts in layouts using weighted links between phase shifters |
US6792591B2 (en) | 2001-02-28 | 2004-09-14 | Asml Masktools B.V. | Method of identifying an extreme interaction pitch region, methods of designing mask patterns and manufacturing masks, device manufacturing methods and computer programs |
DE60214506T2 (de) * | 2001-10-09 | 2007-05-16 | Asml Masktools B.V. | Methode zur Kalibrierung und Optimierung einer 2-dimensionalen Modellierung von Mustern |
JP4191923B2 (ja) * | 2001-11-02 | 2008-12-03 | 株式会社東芝 | 露光方法および露光装置 |
US6749970B2 (en) | 2001-12-11 | 2004-06-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of enhancing clear field phase shift masks with border regions around phase 0 and phase 180 regions |
US6887633B2 (en) * | 2002-02-08 | 2005-05-03 | Chih-Hsien Nail Tang | Resolution enhancing technology using phase assignment bridges |
US7023528B2 (en) | 2002-06-10 | 2006-04-04 | International Business Machines Corporation | Hybrid electronic mask |
US6807662B2 (en) | 2002-07-09 | 2004-10-19 | Mentor Graphics Corporation | Performance of integrated circuit components via a multiple exposure technique |
US7266480B2 (en) | 2002-10-01 | 2007-09-04 | The Regents Of The University Of California | Rapid scattering simulation of objects in imaging using edge domain decomposition |
US6964032B2 (en) * | 2003-02-28 | 2005-11-08 | International Business Machines Corporation | Pitch-based subresolution assist feature design |
-
2004
- 2004-09-03 US US10/933,496 patent/US7550235B2/en active Active
- 2004-09-03 EP EP04255386A patent/EP1513012B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-03 DE DE602004011860T patent/DE602004011860T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-03 TW TW093126696A patent/TW200519526A/zh unknown
- 2004-09-03 SG SG200405018A patent/SG109607A1/en unknown
- 2004-09-06 JP JP2004293098A patent/JP4659425B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-06 KR KR1020040070727A patent/KR20050025095A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-09-06 CN CNB2004100997929A patent/CN100465789C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000206667A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-28 | Nec Corp | フォトマスク及びフォトマスクを用いた露光方法 |
JP2002334836A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-11-22 | Asml Netherlands Bv | 特定のマスク・パターンのための照明の最適化 |
JP2003015273A (ja) * | 2001-02-28 | 2003-01-15 | Asml Masktools Bv | 極端相互作用ピッチ領域を識別する方法、マスクパターンを設計する方法およびマスクを製造する方法、デバイス製造方法およびコンピュータプログラム |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8239787B2 (en) | 2007-07-24 | 2012-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of generating original plate data by repeatedly calculating approximate aerial image |
JP2009093138A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-30 | Canon Inc | 原版データの生成方法、原版作成方法、露光方法、デバイス製造方法及び原版データを作成するためのプログラム |
JP2013011898A (ja) * | 2007-09-19 | 2013-01-17 | Canon Inc | 原版データの生成方法、原版作成方法、原版データを作成するためのプログラム及び処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200519526A (en) | 2005-06-16 |
EP1513012A3 (en) | 2006-02-22 |
SG109607A1 (en) | 2005-03-30 |
DE602004011860T2 (de) | 2009-02-12 |
US7550235B2 (en) | 2009-06-23 |
JP4659425B2 (ja) | 2011-03-30 |
EP1513012A2 (en) | 2005-03-09 |
KR20050025095A (ko) | 2005-03-11 |
EP1513012B1 (en) | 2008-02-20 |
CN1664702A (zh) | 2005-09-07 |
CN100465789C (zh) | 2009-03-04 |
DE602004011860D1 (de) | 2008-04-03 |
US20050142449A1 (en) | 2005-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4659425B2 (ja) | サブ波長の光リソグラフィのための位相平衡された散乱バーのモデル・ベースの配置を実施するための方法及び装置 | |
JP4101770B2 (ja) | ディープ・サブ波長の光リソグラフィのためのレチクル・パターンに光近接フィーチャを提供する方法および装置 | |
KR100865768B1 (ko) | 다크 필드 더블 이중극 리소그래피(ddl)를 수행하는방법 및 장치 | |
JP4383400B2 (ja) | 1/4波長リソグラフィの焦点深さを上げるためにモデルに基づき散乱バーを配置する方法、プログラム製品および装置 | |
JP4602962B2 (ja) | 多重露光プロセスに用いられるモデルベースのジオメトリ分解のための方法、プログラム製品及び装置 | |
JP5121117B2 (ja) | 強度プロフィールを最適化する方法及びプログラム | |
KR100566151B1 (ko) | 무크롬 상 리소그래피를 이용하여 상 및 크롬영역으로반도체디바이스패턴을 분해하는 방법 및 장치 | |
KR100566153B1 (ko) | 다이폴 조명을 활용하여 규칙기반 게이트 슈링크를수행하는 방법 및 장치 | |
JP2004133427A (ja) | ダイポール照明技術とともに用いる配向依存遮蔽 | |
US7376930B2 (en) | Method, program product and apparatus for generating assist features utilizing an image field map | |
JP2006191088A (ja) | リソグラフィ・デバイス製造方法 | |
KR100563776B1 (ko) | 공간 주파수 2배가 기술을 활용하여 마스크패턴을형성하는 방법 및 장치 | |
US7604909B2 (en) | Method for improved manufacturability and patterning of sub-wavelength contact hole mask | |
US7614034B2 (en) | Method and apparatus for generating OPC rules for placement of scattering bar features utilizing interface mapping technology |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070307 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070517 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101028 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101202 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101227 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4659425 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |