JP6566092B2 - パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法に関するものである。
発光ダイオード（以下、ＬＥＤ）は、その製造工程の中に、パッケージの成形工程があり、その成形工程を経ることで製造される。中でもＬＥＤの製造工程では、金型でリードフレームを挟み込み、液状の樹脂を注入していく成形方法であるトラスファーモールドが一般的に使用されている。しかしながら、前記したＬＥＤの製造方法では、リードフレームと金型との隙間に樹脂が流れ込んで樹脂バリが発生する。これらの樹脂バリは、ＬＥＤ素子やワイヤのボンディング不良を発生させるので、除去する必要がある。そのため、従来、ＬＥＤの製造方法では、成形工程の次工程にバリ取り工程が必ず行われている。
こうしたＬＥＤの製造工程では、樹脂バリを防ぐ対策として、例えば、成形工程での条件の最適化、金型のクランプ力を増大させる、１枚のリードフレームで成形するＬＥＤ個数を減らす、樹脂の粘度を上げて流れにくくする等が行われている。
また、特許文献１には、表面にめっき層を形成したリードフレームにおいて、金属部を露出させたい部分（ＬＥＤ実装部、ワイヤーボンディング部）の境界のめっき自体を盛り上げて突出させる、あるいは、リードフレーム本体の一部を盛り上げ、その上にめっきを被覆して突出させることで、バリの低減が可能であることが開示されている。
特許文献１に記載された金型には、パッケージの凹部に対応する形状の凸部が設けられている。したがって、金型は、リードフレームを挟み込んだときに、金型の凸部が、ＬＥＤ実装部等の境界に盛り上げられためっき、あるいは、リードフレーム自体を盛り上げた部位をめっきで被覆した突出部に当接して押圧することでバリとなる樹脂の流入を防ぐ構成を備えている。
特開２０１４−２９９９５号公報
しかしながら、特許文献１に記載された製造方法では、めっき自体を盛り上げて突出させる場合、金型でクランプした際に、突出しためっきが押しつぶされ、ＬＥＤ実装部にも金型が接触することがある。そのため、接触部位に金型の加工痕が残り、めっきの光沢度が低下し、ＬＥＤの出力低下につながるという問題がある。
本発明に係る実施形態は、バリの発生を抑制することのできるパッケージ、発光装置及びそれらを製造する方法を提供する。
本開示に係る実施形態のパッケージは、凹部が形成され、前記凹部の底面部に露出した一対のリード電極と、前記一対のリード電極の表面を被覆するめっき層と、前記一対のリード電極を保持し、前記凹部の底面部の前記一対のリード電極間及び前記凹部の側面部を形成する樹脂成形体と、を備え、前記一対のリード電極の少なくとも一方のリード電極は、前記凹部の底面部の前記樹脂成形体に沿って、及び、前記凹部の底面部の周縁に沿って、線状に形成された突出部である表面突出部を有し、かつ、前記表面突出部の位置に相対する裏面の位置に形成された突出部である裏面突出部を有し、前記表面突出部及び前記裏面突出部の少なくとも先端が前記めっき層から露出している。
また、本開示に係る実施形態のパッケージは、凹部が形成され、前記凹部の底面部に露出した一対のリード電極と、前記一対のリード電極の表面を被覆するめっき層と、前記一対のリード電極を保持し、前記凹部の底面部の前記一対のリード電極間及び前記凹部の側面部を形成する樹脂成形体と、を備え、前記一対のリード電極の少なくとも一方のリード電極は、前記凹部の底面部の前記樹脂成形体に沿って、及び、前記凹部の底面部の周縁に沿って、線状に形成された突出部である表面突出部を有し、かつ、前記表面突出部の位置に相対する裏面の位置に形成された突出部である裏面突出部を有し、前記表面突出部の幅が１１０μｍ以上である。
また、本開示に係る実施形態の発光装置は、前記パッケージと、前記パッケージの前記凹部に収容されて前記一対のリード電極の一方のリード電極に実装された発光素子とを備えている。
また、本開示に係る実施形態のパッケージの製造方法は、金属板からなる一対のリード電極の少なくとも一方のリード電極に、前記金属板の母材自体を加工して、発光素子を実装するための領域を囲むように環状に形成された突出部である表面突出部と、前記表面突出部の位置に相対する前記金属板の裏面の位置に形成された突出部である裏面突出部と、を形成した前記一対のリード電極を準備する工程と、前記表面突出部及び前記裏面突出部の少なくとも先端が露出するように前記一対のリード電極の表面にめっき層を形成する工程と、前記一対のリード電極と樹脂成形体とにより凹部を形成するため、前記凹部の形状に対応した凸部を有する上金型と、下金型とを備える金型を用いて、露出した前記表面突出部の前記先端を前記上金型に当接させるとともに、露出した前記裏面突出部の前記先端を前記下金型に当接させるように前記一対のリード電極を挟み込む工程と、前記一対のリード電極を挟み込んだ金型に樹脂を注入する工程と、前記注入された樹脂を硬化し前記樹脂成形体を形成する工程と、前記上金型と前記下金型とを取り外す工程と、を有する。
また、本開示に係る実施形態のパッケージの製造方法は、金属板からなる一対のリード電極の少なくとも一方のリード電極に、前記金属板の母材自体を加工して、発光素子を実装するための領域を囲むように線状かつ環状に形成された突出部である表面突出部と、前記表面突出部の位置に相対する前記金属板の裏面の位置に形成された突出部である裏面突出部と、を形成した前記一対のリード電極を準備する工程と、前記一対のリード電極の表面にめっき層を形成する工程と、前記一対のリード電極と樹脂成形体とにより凹部を形成するため、前記凹部の形状に対応した凸部を有する上金型と、下金型とを備える金型を用いて、前記表面突出部の先端を前記上金型に当接させるとともに、前記裏面突出部の先端を前記下金型に当接させるように前記一対のリード電極を挟み込む工程と、前記一対のリード電極を挟み込んだ金型に樹脂を注入する工程と、前記注入された樹脂を硬化し前記樹脂成形体を形成する工程と、前記上金型と前記下金型とを取り外す工程と、を有する。
また、本開示に係る実施形態の発光装置の製造方法は、前記パッケージの製造方法でパッケージを製造する工程と、前記パッケージに形成された前記凹部に発光素子を実装する工程と、を有する。
本開示に係る実施形態のパッケージ及び発光装置によれば、ＬＥＤの出力を低下させることなくバリの発生を抑制することができる。また、本開示に係るパッケージ及び発光装置の製造方法によれば、ＬＥＤの出力を低下させることなくバリの発生を抑制したパッケージ及び発光装置を製造することができる。
実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の全体を示す斜視図である。 実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図１のＩＩ−ＩＩ矢視方向を示した断面図である。 実施形態に係る発光装置の一部の概略を示す図であり、めっき層の状態を示す断面図である。 実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の上面図である。 実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の下面図である。 実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図１のＩＩ−ＩＩ線に対応した位置におけるリード電極と金型の配置を模式的に示す断面図である。 実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、上金型と下金型でリード電極を挟持する工程を模式的に示す断面図である。 実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、樹脂注入及び硬化後の断面図である。 実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、上金型を脱型する工程を模式的に示す断面図である。 実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、図１のＸ−Ｘ線に対応した位置における樹脂注入及び硬化後の断面図である。 実施形態に係る発光装置の表面突出部の概略を示す図であり、表面突出部をエッチングにより形成した場合の断面図である。 実施形態に係るパッケージにおいて、クランプ前とクランプ後の表面突出部の状態の概略を示す断面図である。 実施形態に係る発光装置において、金属部が形成された表面突出部と封止部材との関係の概略を示す断面図である。 変形例１に係る発光装置の一部の概略を示す図であり、めっき層の状態を示す断面図である。 変形例２に係るリード電極の概略を示す図であり、側面突出部が形成されたリード電極の断面図である。 変形例２に係るリード電極の概略を示す図であり、側面突出部が形成されたリード電極の上面図である。 変形例３に係る発光装置の表面突出部と樹脂成形体の位置関係の概略を示す断面図である。 変形例３に係る発光装置の表面突出部及び樹脂成形体と、金型の位置関係の概略を示す断面図である。 変形例４に係る発光装置において、クランプ前とクランプ後の溝部が形成された表面突出部の状態の概略を示す断面図である。 変形例５に係る発光装置の概略を示す図であり、発光素子を実装するための領域にダイボンド部材を充填した発光装置の断面図である。
＜実施形態＞
実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。但し、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具現化するための発光装置を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。
図１は、実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の全体を示す斜視図である。図２は、実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図１のＩＩ−ＩＩ矢視方向を示した断面図である。図３は、実施形態に係る発光装置の一部の概略を示す図であり、めっき層の状態を示した断面図である。図４は、実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の上面図である。図５は、実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の下面図である。
発光装置１は、パッケージ９０と、発光素子２と、ワイヤＷと、封止部材４０と、を備えている。
パッケージ９０は、金属板からなる一対のリード電極２０，３０と、一対のリード電極２０，３０の表面を被覆するめっき層６０と、樹脂成形体１０とを備えている。パッケージ９０は、発光素子２を収容するための凹部１０ａが形成され、凹部１０ａの底面部１０ｃに一対のリード電極２０，３０が露出している。
パッケージ９０は、全体の形状が略直方体であって、上面に発光素子２を収容するためのカップ状の凹部（キャビティ）１０ａが形成されている。このパッケージ９０は、金属板からなる一対のリード電極２０，３０が凹部１０ａの底面部１０ｃにおいて樹脂成形体１０から露出するように、樹脂成形体１０によって一体的に保持されてなる。
樹脂成形体１０は、凹部１０ａの底面部１０ｃの第１リード電極２０と第２リード電極３０との間及び凹部１０ａの側面部１０ｂを形成し、一対のリード電極２０，３０を保持している。これにより、樹脂成形体１０は、第１リード電極２０及び第２リード電極３０を固定している。また、樹脂成形体１０は、平面視で矩形の対向する２辺から、第１リード電極２０及び第２リード電極３０の一端部が突出するように形成されている。また、樹脂成形体１０は、平面視で矩形の他の対向する２辺により、第１リード電極２０及び第２リード電極３０を挟み込むように形成されている。これにより、樹脂成形体１０は、第１リード電極２０及び第２リード電極３０を凹部１０ａの底面部１０ｃに離間して固定している。
また、樹脂成形体１０の外側面１１ａにはゲート痕５０が成形されている。ゲート痕５０は、金型の注入口から樹脂を注入する際に、注入口部分に成形される樹脂成形体（ゲート）のうち、二次加工の切削工程によって残った突起物をいう。ここでは、後記する注入口７７の断面形状が半円形状であるため、ゲート痕５０は、断面半円の柱状体を呈するものとした。即ち、ゲート痕５０の形状は、注入口の断面形状に従って成形される。
樹脂成形体１０の高さ、長さ、幅は特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。樹脂成形体１０の材質としては、例えば熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂を挙げることができる。熱可塑性樹脂の場合、例えば、ポリフタルアミド樹脂、液晶ポリマー、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、不飽和ポリエステルなどを用いることができる。熱硬化性樹脂の場合、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂などを用いることができる。
凹部１０ａは、側面部１０ｂ及び底面部１０ｃを有し、底面部１０ｃに向けて幅狭となる円錐台形状を呈する。発光素子２から発光された光は、側面部１０ｂによって反射され、側面部１０ｂの角度を適宜変えることで、光を集中又は拡散させることができる。底面部１０ｃは、第１リード電極２０と、第２リード電極３０と、樹脂成形体１０の一部である間隙部１０ｅとからなる。間隙部１０ｅは、第１リード電極２０と第２リード電極３０が短絡しないように、第１リード電極２０と第２リード電極３０の間に設けられている。
凹部１０ａの側面部１０ｂにおいて光を効率よく反射するために、樹脂成形体１０に光反射部材が含有されていても構わない。光反射部材は、例えば、酸化チタン、ガラスフィラー、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛等の白色フィラーなどの光反射率の高い材料である。反射率は可視光の反射率が７０％以上、若しくは８０％以上が好ましい。特に、発光素子の出射する波長域において反射率が７０％以上、若しくは８０％以上が好ましい。酸化チタン等の配合量は５重量％以上、５０重量％以下であればよく、１０重量％〜３０重量％が好ましいが、これに限定されない。
第１リード電極２０は、第１インナーリード部２０ａと、第１アウターリード部２０ｂと、を備えている。
第１インナーリード部２０ａは、平面視において樹脂成形体１０の内側及び樹脂成形体１０の下に位置するリード部分をいう。第１インナーリード部２０ａの形状は平面視では略矩形であるが、形状はこれに限定されず、一部に切り欠き、凹み、凸部等を設けたものでもよい。
第１アウターリード部２０ｂは、平面視において樹脂成形体１０の外側に位置するリード部分をいう。第１アウターリード部２０ｂの形状は平面視では矩形であるが、形状はこれに限定されず、一部に切り欠き、凹み、凸部等を設けたものでもよい。
第２リード電極３０は、第２インナーリード部３０ａと、第２アウターリード部３０ｂと、を備えている。
第２インナーリード部３０ａは、平面視において樹脂成形体１０の内側及び樹脂成形体１０の下に位置するリード部分をいう。第２インナーリード部３０ａの形状は平面視では略矩形であるが、形状はこれに限定されず、一部に切り欠き、凹み、凸部等を設けたものでもよい。
第２アウターリード部３０ｂは、平面視において樹脂成形体１０の外側に位置するリード部分をいう。第２アウターリード部３０ｂの形状は平面視では矩形であるが、形状はこれに限定されず、一部に切り欠き、凹み、凸部等を設けたものでもよい。
第１リード電極２０と第２リード電極３０とは、パッケージ９０の底面において、樹脂成形体１０の外側に露出して形成されている。パッケージ９０の外側底面は、外部の基板に実装される側の面である。第１リード電極２０と第２リード電極３０は、樹脂成形体１０の間隙部１０ｅにより離間させて配置されており、発光装置として使用される際、アノード電極、カソード電極として使用される。
なお、ここでは、第２リード電極３０は、第１リード電極２０よりも長く形成されているが、第１リード電極２０及び第２リード電極３０の長さ、幅、厚さは特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。第１リード電極２０、第２リード電極３０は、例えば、鉄、銅、リン青銅、銅合金等の電気良導体を用いて形成される。また、発光素子２からの光の反射率を高めるため、第１リード電極２０及び第２リード電極３０に、金、銀、銅又はアルミニウム等の金属めっきが施されている。
第１リード電極２０は、凹部１０ａの底面部１０ｃの樹脂成形体１０に沿って、及び、凹部１０ａの底面部１０ｃの周縁に沿って、線状に形成された突出部である表面突出部４を有している。すなわち、第１リード電極２０は、ワイヤボンディングされる部分と樹脂成形体１０との境に表面突出部４が設けられている。
具体的には、表面突出部４は、一部が凹部１０ａの側面部１０ｂを構成する樹脂成形体１０の側面に沿って形成され、一部が、第１リード電極２０と第２リード電極３０を接続する間隙部１０ｅに沿って形成されている。
また、凹部１０ａの側面部１０ｂは、表面突出部４の外側の角部と連続して繋がっている。すなわち、断面視において、凹部１０ａの側面部１０ｂの下部が、表面突出部４の外側の角部の位置に接して、表面突出部４の上面と凹部１０ａの側面部１０ｂとが連続するように構成されている。また、凹部１０ａの側面部１０ｂと繋がる最下面と表面突出部４，５の上面とが同一平面となっていてもよい。上金型７０と、一対のリード電極２０，３０と、が位置ずれした場合でも、凹部１０ａの底面部１０ｃを容易に形成することができる。
また、第１リード電極２０は、表面突出部４の位置に相対する裏面の位置に形成された突出部である裏面突出部６を有する。すなわち、裏面突出部６は、第１リード電極２０の裏面に、表面突出部４が形成された位置に沿って形成されている。
第２リード電極３０は、凹部１０ａの底面部１０ｃの樹脂成形体１０に沿って、及び、凹部１０ａの底面部１０ｃの周縁に沿って、線状に形成された突出部である表面突出部５を有している。すなわち、第２リード電極３０は、発光素子２がダイボンディングされる部分と樹脂成形体１０との境に表面突出部５が設けられている。
具体的には、表面突出部５は、一部が凹部１０ａの側面部１０ｂを構成する樹脂成形体１０の側面に沿って形成され、一部が、第１リード電極２０と第２リード電極３０を接続する間隙部１０ｅに沿って形成されている。
また、凹部１０ａの側面部１０ｂは、表面突出部５の外側の角部と連続して繋がっている。すなわち、断面視において、凹部１０ａの側面部１０ｂの下部が、表面突出部５の外側の角部の位置に接して、表面突出部５の上面と凹部１０ａの側面部１０ｂとが連続するように構成されている。
また、第２リード電極３０は、表面突出部５の位置に相対する裏面の位置に形成された突出部である裏面突出部７を有する。すなわち、裏面突出部７は、第２リード電極３０の裏面に、表面突出部５が形成された位置に沿って形成されている。
ここでは、表面突出部５は、発光素子２を実装するための領域を囲むように環状に形成されていることとした。発光素子２を実装するための領域とは、具体的には、第２インナーリード部３０ａにおいて凹部１０ａの底面部１０ｃに露出した領域のことである（以下、発光素子の実装領域という）。
表面突出部４，５及び裏面突出部６，７は、金属板の母材自体を加工して形成することができる。本実施形態では、一対のリード電極２０，３０の素材と、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の素材とは同じものであり、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７は、一対のリード電極２０，３０と一体に形成されている。
一対のリード電極２０，３０の表面は、めっき層６０で被覆されている。なお、ここでの一対のリード電極２０，３０の表面とは、一対のリード電極２０，３０の上面及び裏面を意味する。ただし、本実施形態では、第１リード電極２０と第２リード電極３０とが相対する側の側面にもめっき層６０が形成されているものとする。そして、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７は、先端がめっき層６０から露出している。すなわち、表面突出部４，５の上面、及び、裏面突出部６，７の下面には、めっき層６０が設けられておらず、金属板が露出した状態となっている。このように、本実施形態では、一対のリード電極２０，３０は、第１リード電極２０の外側の側面及び第２リード電極３０の外側の側面、表面突出部４，５の上面及び裏面突出部６，７の下面以外に、めっき層６０が設けられている。
表面突出部４，５の幅Ａ１は、１１０μｍ以上とすることが好ましい。表面突出部４，５の幅Ａ１を１１０μｍ以上とすることで、表面突出部４，５を容易に形成することができる。また、表面突出部４，５の幅Ａ１が１１０μｍ以上であれば、発光装置１の製造において、金型に樹脂を注入した際に、仮に樹脂が表面突出部４，５の上面に侵入しても、表面突出部４，５の上面の途中で樹脂が止まり易い。そのため、第１リード電極２０及び第２リード電極３０上の金属露出部に樹脂が流れ込みにくくなり、樹脂バリの発生を抑制する効果が高くなる。表面突出部４，５の幅Ａ１は、前記の各効果をより得やすくするため、より好ましくは１３０μｍ以上、さらに好ましくは１５０μｍ以上である。
なお、第１リード電極２０上の金属露出部とは、凹部１０ａの底面部１０ｃの第１リード電極２０上において表面突出部４を除く部分のことであり、第２リード電極３０上の金属露出部とは、凹部１０ａの底面部１０ｃの第２リード電極３０上において表面突出部５を除く部分のことである。
また、表面突出部４，５の幅Ａ１は、２００μｍ以下であることが好ましい。表面突出部４，５の幅Ａ１が２００μｍ以下であれば、発光装置１の製造において、一対のリード電極２０，３０を金型でクランプした際に、表面突出部４，５にクランプ力がより集中し易くなる。表面突出部４，５の幅Ａ１は、前記の効果をより得やすくするため、より好ましくは１８０μｍ以下、さらに好ましくは１５０μｍ以下である。
なお、表面突出部４，５の幅Ａ１は、めっき層６０の厚みを除いた幅であり、また、後記するように、表面突出部４，５が潰れることで形成された金属部１４の厚みは含まない。裏面突出部６，７の幅Ａ２についても同様である。
表面突出部４，５の厚みＢ１は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。表面突出部４，５の厚みＢ１が５μｍ以上であれば、後記するように、発光装置１の製造において、一対のリード電極２０，３０を金型でクランプした際に、上金型が第１リード電極２０及び第２リード電極３０上の金属露出部に接触する恐れがより低減される。一方、表面突出部４，５の厚みＢ１が５０μｍ以下であれば、一対のリード電極２０，３０の全体の厚みを薄くすることができる。表面突出部４，５の厚みＢ１は、前記の効果をより得やすくするため、より好ましくは１０μｍ以上、さらに好ましくは１５μｍ以上である。また、表面突出部４，５の厚みＢ１は、前記の効果をより得やすくするため、より好ましくは４５μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下である。
なお、発光装置１における表面突出部４，５の厚みＢ１とは、パッケージ９０の製造後の表面突出部４，５の厚みであり、また、めっき層６０の厚みを除いた厚みである。裏面突出部６，７の厚みＢ２についても同様である。
裏面突出部６，７の幅Ａ２は、１１０μｍ以上とすることが好ましい。裏面突出部６，７の幅Ａ２を１１０μｍ以上とすることで、裏面突出部６，７を容易に形成することができる。また、裏面突出部６，７の幅Ａ２を１１０μｍ以上とすることで、発光装置１を外部の基板に実装した際に、裏面突出部６，７が基板の実装面と広範囲で接触するため、熱引きが良好となる。さらには、発光装置１の実装の際に、第１リード電極２０と第２リード電極３０との間に接合部材がより侵入しにくくなる。裏面突出部６，７の幅Ａ２は、前記の各効果をより得やすくするため、より好ましくは１３０μｍ以上、さらに好ましくは１５０μｍ以上である。
また、裏面突出部６，７の幅Ａ２は、２００μｍ以下であることが好ましい。裏面突出部６，７の幅Ａ２が２００μｍ以下であれば、発光装置１の製造において、一対のリード電極２０，３０を金型でクランプした際に、裏面突出部６，７にクランプ力がより集中し易くなる。裏面突出部６，７の幅Ａ２は、前記の効果をより得やすくするため、より好ましくは１８０μｍ以下、さらに好ましくは１５０μｍ以下である。
裏面突出部６，７の厚みＢ２は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。裏面突出部６，７の厚みＢ２が５μｍ以上であれば、後記するように、発光装置１の製造において、一対のリード電極２０，３０を金型でクランプした際に、下金型が一対のリード電極２０，３０に接触する恐れがより低減される。また、発光装置１の実装の際に、第１リード電極２０と第２リード電極３０との間に接合部材がより侵入しにくくなる。一方、裏面突出部６，７の厚みＢ２が５０μｍ以下であれば、一対のリード電極２０，３０の全体の厚みを薄くすることができる。裏面突出部６，７の厚みＢ２は、前記の効果をより得やすくするため、より好ましくは１０μｍ以上、さらに好ましくは１５μｍ以上である。また、裏面突出部６，７の厚みＢ２は、前記の効果をより得やすくするため、より好ましくは４５μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下である。
なお、第１リード電極２０、第２リード電極３０の材質や樹脂形成体の大きさ等により表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の幅、厚さは適宜変更される。
発光素子２は、パッケージ９０の第２リード電極３０の上に実装されている。ここで用いられる発光素子２は形状や大きさ等が特に限定されない。発光素子２の発光色としては、用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色（波長４３０〜４９０ｎｍの光）の発光素子としては、ＧａＮ系やＩｎＧａＮ系を用いることができる。ＩｎＧａＮ系としては、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ＜１）等を用いることができる。
ワイヤＷは、発光素子２や保護素子等の電子部品と、第１リード電極２０や第２リード電極３０を電気的に接続するための導電性の配線である。ワイヤＷの材質としては、Ａｕ、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｐｔ（白金）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属、及び、それらの合金を用いたものが挙げられるが、特に、熱伝導率等に優れたＡｕを用いるのが好ましい。なお、ワイヤＷの太さは特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。
封止部材４０は、パッケージ９０の凹部１０ａ内に発光素子２等を覆うように設けられている。封止部材４０は、発光素子２等を、外力、埃、水分などから保護すると共に、発光素子２等の耐熱性、耐候性、耐光性を良好なものとするために設けられている。封止部材４０の材質としては、熱硬化性樹脂、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等の透明な材料を挙げることができる。このような材料に加えて、所定の機能を持たせるために、蛍光体や光反射率が高い物質等のフィラーを含有させることもできる。
封止部材４０は、例えば蛍光体を混合することで、発光装置１の色調調整を容易にすることができる。なお、蛍光体としては、封止部材４０よりも比重が大きく、発光素子２からの光を吸収し、波長変換するものを用いることができる。蛍光体は、封止部材４０よりも比重が大きいと、第１リード電極２０及び第２リード電極３０の側に沈降するので好ましい。具体的には、例えば、ＹＡＧ（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ）やシリケート等の黄色蛍光体、ＣＡＳＮ（ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ）やＫＳＦ（Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎ）等の赤色蛍光体、あるいは、クロロシリケートやＢａＳｉＯ４：Ｅｕ２＋等の緑色蛍光体、を挙げることができる。
封止部材４０に含有させるフィラーとしては、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＭｇＯ等の光反射率が高い物質を好適に用いることができる。また、所望外の波長をカットする目的で、例えば、有機や無機の着色染料や着色顔料を用いることができる。
＜発光装置の製造方法＞
次に、本実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。図６は、実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図１のＩＩ−ＩＩ線に対応した位置におけるリード電極と金型の配置を模式的に示す断面図である。図７は、実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、上金型と下金型でリード電極を挟持する工程を模式的に示す断面図である。図８は、実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、樹脂注入及び硬化後の断面図である。図９は、実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、上金型を脱型する工程を模式的に示す断面図である。図１０は、実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、図１のＸ−Ｘ線に対応した位置における樹脂注入及び硬化後の断面図である。図１１は、実施形態に係る発光装置の表面突出部の概略を示す図であり、表面突出部をエッチングにより形成した場合の断面図である。図１２は、実施形態に係るパッケージにおいて、クランプ前とクランプ後の表面突出部の状態の概略を示す断面図である。図１３は、実施形態に係る発光装置において、金属部が形成された表面突出部と封止部材との関係の概略を示す断面図である。
ここでは、図示を省略するが、一対の第１リード電極２０及び第２リード電極３０となる金属板の組が吊りリードによって複数個接続されたリードフレームを用いることとする。また、このリードフレーム上の前記金属板の組のことを、第１リード電極２０及び第２リード電極３０と呼ぶ。
本実施形態の発光装置１の製造方法は、一例として下記第１工程から第１１工程を有する。
第１工程は、第１リード電極２０及び第２リード電極３０を準備する工程である。
第１リード電極２０及び第２リード電極３０の構成については、前記したとおりであり、予め、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７を形成しておく。
表面突出部４，５及び裏面突出部６，７は、例えば、エッチングやプレスにより金属板の母材自体を加工することで形成することができる。
表面突出部４，５及び裏面突出部６，７をエッチングにより形成する場合は、一対のリード電極２０，３０を所定形状のマスクで覆い、エッチング液に浸けるため、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の側面がやや丸みを帯びた形状となる（図１１参照）。一方、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７をプレスにより形成する場合は、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の側面が垂直で、角を有する形状とすることができる（図３参照）。
また、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７は、クランプする圧力によっては金型でクランプした際に潰れる。そのため、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の厚みは、クランプする圧力を考慮して、クランプした際に、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の厚みＢ１，Ｂ２が５μｍ以上５０μｍ以下となるように設計することが好ましい。
第２工程は、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の少なくとも先端が露出するように一対のリード電極２０，３０の表面にめっき層６０を形成する工程である。めっき層６０の形成箇所については、前記したとおりである。
めっき層６０は、無電解めっきあるいは電解めっきにより形成することができる。また、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の先端をめっき層６０から露出させるには、例えば、マスクを用いたり、めっき層６０の形成後に、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の先端のめっき層６０をエッチングにより除去したりすればよい。無電解めっき、電解めっきの方法は特に限定されるものではなく、従来公知の方法で行えばよい。
そして、第３工程を行う前に、図６に示すように、上金型７０及び下金型７１の間に第１リード電極２０及び第２リード電極３０を配置する。第１リード電極２０及び第２リード電極３０は、短絡を防ぐための間隙部１０ｅ（図２参照）の間隔を開けて配置する。この際、下金型７１が第２リード電極３０の裏面突出部７の先端に当接すると共に、下金型７１が第１リード電極２０の裏面突出部６の先端に当接する。なお、上金型７０は、一対のリード電極２０，３０と樹脂成形体１０とにより発光素子２を収容するための凹部１０ａを形成するため、凹部１０ａの形状に対応した凸部７５を有している。
第３工程は、例えばパッケージ製造用金型Ｋを用いて、露出した表面突出部４，５の先端を上金型７０に当接させるとともに、露出した裏面突出部６，７の先端を下金型７１に当接させるように一対のリード電極２０，３０を挟み込む工程である。ここでは、図７に示すように、上金型７０と下金型７１で第１リード電極２０及び第２リード電極３０を挟持する。
具体的には、上金型７０の第２切欠き部７４ｂが、第２リード電極３０の第２アウターリード部３０ｂに相当する部分に当接すると共に、上金型７０の凸部７５に形成された第２底面部７５ｂが、第２リード電極３０の表面突出部５に当接する。また、上金型７０の第１切欠き部７４ａが、第１リード電極２０の第１アウターリード部２０ｂに相当する部分に当接すると共に、上金型７０の凸部７５に形成された第１底面部７５ａが、第１リード電極２０の表面突出部４に当接する。これにより、上金型７０と下金型７１によって空間部８０，８１が形成される。
上金型の凸部７５に形成された第３底面部７５ｃは第１底面部７５ａと第２底面部７５ｂとの間に凸状に形成する。これは第１リード２０と第２リード３０との隙間を防ぐためである。
ただし、上金型７０の凸部７５を平坦とし、第１底面部７５ａ、第２底面部７５ｂ、第３底面部７５ｃが面一とすることもできる。この場合は、第１リード２０の表面突出部４と第２リード３０の表面突出部５と間隙部１０ｅとは同一平面、面一となる。また、下金型７１も第１リード２０の裏面突出部６と第２リード３０の裏面突出部７との間に相当する間隙部１０ｅを平坦とし、下金型７１の上面を面一とすることもできる。この場合は、第１リード２０の裏面突出部６と第２リード３０の裏面突出部７と間隙部１０ｅとは同一平面、面一となる。
第３工程では、上金型７０の凸部７５に形成された第２底面部７５ｂが第２リード電極３０の金属露出部に接触しないように、また、第１底面部７５ａが第１リード電極２０の金属露出部に接触しないような金型のクランプ力で第１リード電極２０及び第２リード電極３０を挟み込む。このとき、表面突出部４，５は、クランプ圧によってはクランプした際に潰れるが、第２底面部７５ｂは、第２リード電極３０の金属露出部に当接しないので、空間部８２が形成される。同様に、第１底面部７５ａは、第１リード電極２０の金属露出部に当接しないので、空間部８３が形成される。
また、裏面突出部６，７は、クランプ圧によってはクランプした際に潰れるが、下金型７１は、第２リード電極３０の金属露出部に当接しないので、空間部８５が形成される。同様に、下金型７１は、第１底面部７５ａは、第１リード電極２０の金属露出部に当接しないので、空間部８４が形成される。なお、一対のリード電極２０，３０の裏面における金属露出部とは、一対のリード電極２０，３０の裏面において裏面突出部６，７を除く部分のことである。
第３工程では、製造後の発光装置１において、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の厚みＢ１，Ｂ２が５μｍ以上５０μｍ以下となるように、クランプすることが好ましい。
第４工程は、一対のリード電極２０，３０を挟み込んだパッケージ製造用金型Ｋに樹脂Ｊを注入する工程である。ここでは、図７、図８に示すように、上金型７０と下金型７１によって形成された空間部８０，８１に、注入口７７からトランスファーモールドにより樹脂Ｊを注入する。この第４工程では、第１リード電極２０及び第２リード電極３０は、上金型７０及び下金型７１によって挟持されているため、樹脂Ｊを注入する際に第１リード電極２０及び第２リード電極３０がバタつかず、バリの発生を抑制することができる。なお、一対のリード電極２０，３０には表面突出部４，５及び裏面突出部６，７が設けられているため、樹脂Ｊは空間部８２，８３，８４，８５に入り込みにくくなっている。
第５工程は、パッケージ製造用金型Ｋに注入された樹脂Ｊを硬化して樹脂成形体１０を生成する工程である。ここでは、樹脂Ｊとして例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を注入した場合、上金型７０及び下金型７１を加熱して樹脂Ｊを所定の時間加熱して硬化させる。なお、例えばポリフタルアミド樹脂のような熱可塑性樹脂を注入する場合、射出成形で成形することができる。この場合、熱可塑性樹脂を高温にして溶融させ、低温の金型に入れて冷却により固化させればよい。
第６工程は、上金型７０と下金型７１とを取り外す工程である。ここでは、例えば図９に示すように上金型７０を脱型する。これにより、第１リード電極２０及び第２リード電極３０が樹脂成形体１０によって一体的に保持されてなるパッケージが完成する。
なお、前記第５工程にて樹脂Ｊを硬化させたとき、上金型７０の注入口７７を含む断面、つまり、図１のＸ−Ｘ矢視方向に相当する断面では、図１０に示すように、注入口７７部分にゲート８６が成形される。このゲート８６は、上金型７０を脱型した後で、樹脂成形体１０の外側面１１ａに沿って公知の切削機械で切削される（第７工程）。これにより、ゲート８６の切削痕としてゲート痕５０が成形される。
第８工程は、パッケージ９０に形成された凹部１０ａに発光素子２を実装する工程である。本実施形態において、発光素子２は、上面に一対のｎ電極及びｐ電極が形成された片面電極構造の素子であるものとした。この場合、発光素子２は、その裏面が絶縁性のダイボンド部材で第２リード電極３０に接合され、上面の一方の電極がワイヤＷによって第１リード電極２０に接続され、上面の他方の電極がワイヤＷによって第２リード電極３０に接続される。
第９工程は、パッケージ９０の凹部１０ａ内に発光素子２を覆うように封止部材４０を充填する工程である。ここでは、図２に示すように、パッケージ９０の樹脂成形体１０に囲まれた凹部１０ａ内に封止部材４０を塗布し、発光素子２を封止する。このとき、封止部材４０を樹脂成形体１０の凹部１０ａの上面まで滴下する。樹脂成形体１０の凹部１０ａ内に封止部材４０を充填する方法は、例えば、射出、圧縮や押出などを用いることもできる。封止部材４０には、蛍光体を混合させておくことが好ましい。これにより、発光装置の色調節を容易に行うことができる。
第１０工程は、凹部１０ａに充填された封止部材４０を硬化する工程である。ここでは、封止部材４０として例えばシリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂を注入した場合、樹脂を所定の時間加熱して硬化させる。
第１１工程は、リードフレームからパッケージ９０を切り離す工程である。ここでは、リードフレームから樹脂成形体１０と一対のリード電極２０，３０とを切断し、パッケージ９０を個片化する。ここで、リードフレームの吊りリードを切断する治具は、例えばリードカッターを用いることができる。
以上の方法により、発光装置１を形成することができる。
以上説明したように実施形態に係るパッケージの製造方法では、図７及び図８に示すように上金型７０と下金型７１によって第１リード電極２０及び第２リード電極３０をクランプし、樹脂Ｊを注入させるときに、リード電極に表面突出部４，５及び裏面突出部６，７が存在しない場合に比べてクランプする面積が減少する。そのため、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７にクランプ力が集中し、上金型７０及び下金型７１と第１リード電極２０及び第２リード電極３０とが密に密着する。また、表面突出部４，５と裏面突出部６，７とを、第１リード電極２０及び第２リード電極３０の表裏で同じ位置に設けているため、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７にクランプ力がより集中しやすくなる。さらに、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の先端にめっき層６０が形成されていないため、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７にクランプ力がより集中しやすくなる。
したがって、樹脂Ｊが、空間部８２，８３、すなわち、第１リード電極２０及び第２リード電極３０上の金属露出部へと流れ出しにくくなる。これにより、実施形態に係るパッケージ及び発光装置は、バリの発生を抑制することができる。
このことから、パッケージの成形工程後に従来必要としている、凹部１０ａの底面部１０ｃのバリを除去する工程を不要にすることができる。したがって、実施形態に係るパッケージ及び発光装置の製造方法によれば、バリの発生を抑制することのできるパッケージ及び発光装置を簡便に製造することができる。その結果、コストダウン、リードタイムの短縮につながる。
さらには、樹脂Ｊが、空間部８４，８５へと流れ出しにくくなる。これにより、実施形態に係るパッケージ及び発光装置は、パッケージの裏面のバリを除去する工程を不要にすることができる。
加えて、リード電極において、従来のように表面突出部４，５が存在しない場合、金型でリードフレームを挟持した場合、金型による加工の痕跡が生じると共に、金型のクランプ圧と熱により、第１リード電極２０及び第２リード電極３０上のめっき層６０の表面の光沢度が変化してしまう。このため、成形前に、第１リード電極２０及び第２リード電極３０上のめっき層６０の表面の光沢度を上げていたとしても、成形後には光沢度が下がり、ＬＥＤの光束が低下し、出力も下がってしまう。
しかしながら、実施形態に係る第１リード電極２０及び第２リード電極３０には表面突出部４，５が存在するので、上金型７０の凸部７５に形成された第１底面部７５ａ及び第２底面部７５ｂと、第１リード電極２０及び第２リード電極３０の金属露出部との接触がなくなる。そのため、第１リード電極２０及び第２リード電極３０のめっきの光沢度を低下させずに成形することができる。これにより、従来のＬＥＤの出力が低下する問題を解消することができる。
また、第１リード電極２０及び第２リード電極３０には表面突出部４，５及び裏面突出部６，７が存在するので、金型によってクランプする面積が従来よりも小さく、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７にクランプ圧が集中するため、１枚のリードフレームから製造できるＬＥＤの取り個数を増やすこともできる。
また、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７のみにクランプ圧が集中するため、パッケージ製造用金型Ｋ自体のクランプ圧を従来の金型に比べて例えば半分ほどの値に低減することができる。その結果、金型装置の寿命が長くなる効果もある。
また、第１リード電極２０及び第２リード電極３０には表面突出部４，５が形成されているので、封止部材４０との接触面積が増加し、封止部材４０との密着性が向上する。また、図１２に示すように、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７は、クランプの際に潰れることで、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の金属の一部が横方向にはみ出て金属部１４が形成される。図１３に示すように、この金属部１４の下部に封止部材４０が入り込むことで、封止部材４０が上方へ抜けることが防止される。なお、表面突出部４，５が環状となっていることも封止部材４０の抜けの防止に寄与する。
さらに、パッケージ９０は、凹部１０ａに露出した第１リード電極２０及び第２リード電極３０上のめっき層６０の表面の光沢度を低下させずに成形されるので、発光装置１の光束の低下を抑制し、出力低下を防止することができる。
また、第１リード電極２０及び第２リード電極３０には表面突出部４，５が存在するので、発光素子２を実装する際のダイボンド部材の流れだし（ブリード）を抑制することができる。特に複数の発光素子２を実装する場合は横方向へのダイボンド部材の流れだしが問題となる。しかしながら、表面突出部４，５の幅Ａ１が１１０μｍ以上であれば、ダイボンド部材が表面突出部４，５を超えて流れにくくなる。
また、第１リード電極２０及び第２リード電極３０には裏面突出部６，７が存在するので、発光装置１の実装の際に、裏面突出部６，７に囲まれた領域に半田ペースト等の接合部材を注入することができる。これにより、接合強度を向上させることができる。また、接合部材の横方向への漏れが防止され、第１リード電極２０と第２リード電極３０との間に接合部材が侵入することでショートすることが防止される。裏面突出部６，７の幅Ａ２が１１０μｍ以上であれば、接合部材が裏面突出部６，７を超えて流れにくくなる。さらに、裏面突出部６，７の厚みを全て同じとすることで、発光装置１の実装の際の安定性が向上する。
＜実施例１＞
以下に、本発明の実施例を説明する。図２、図３に示すような、第１リード電極２０及び第２リード電極３０の金属露出部と樹脂成形体１０の境に表面突出部４，５を設け、表面突出部４，５の位置に相対する裏面の位置に裏面突出部６，７を設けた第１リード電極２０及び第２リード電極３０を用いてトランスファーモールド機を使用して成形を行った。
表面突出部４，５及び裏面突出部６，７がない従来の形状のリード電極を使用したときに樹脂バリが発生した従来のクランプ圧条件及び注入圧条件にて成形を行いバリの発生の確認を行った。
その結果、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７がある第１リード電極２０及び第２リード電極３０では、第１リード電極２０及び第２リード電極３０の双方の金属露出部へのバリの発生がないことが確認できた。また、第１リード電極２０及び第２リード電極３０の双方の裏面へのバリの発生がないことが確認できた。
また、上金型７０の凸部７５に形成された第２底面部７５ｂが、パッケージ９０の凹部１０ａに露出した第２リード電極３０の金属露出部に接触しなかったことを確認できた。この金属露出部は表面突出部５を除く第２インナーリード部３０ａの中央部分のことである。
また、上金型７０の凸部７５に形成された第１底面部７５ａが、パッケージ９０の凹部１０ａに露出した第１リード電極２０の金属露出部に接触しなかったことを確認できた。この金属露出部は表面突出部４を除く第１インナーリード部２０ａの中央部分のことである。
＜変形例＞
次に、本実施形態に係る発光装置の変形例について説明する。
［変形例１］
図１４は、変形例１に係る発光装置の一部の概略を示す図であり、めっき層の状態を示す断面図である。
前記した実施形態では、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の先端がめっき層６０から露出しているが、変形例１では、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の先端がめっき層６０で被覆されている。さらには、前記した実施形態では、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の幅Ａ１，Ａ２は、好ましくは１１０μｍ以上としたが、変形例１では、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の幅Ａ１，Ａ２が１１０μｍ以上であることを必須の構成とする。その他の構成は、前記した実施形態と同様である。
このような構成によれば、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の先端がめっき層６０から露出していること以外について、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７を有する効果、及び、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の幅Ａ１，Ａ２が１１０μｍ以上であることの効果を得ることができる。
また、変形例１のパッケージの製造方法では、第２の工程において、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の先端をめっき層６０で被覆する。
［変形例２］
図１５は、変形例２に係るリード電極の概略を示す図であり、側面突出部が形成されたリード電極の断面図である。図１６は、変形例２に係るリード電極の概略を示す図であり、側面突出部が形成されたリード電極の上面図である。
第１リード電極２０及び第２リード電極３０は、互いに相対する側のそれぞれの側面において、側面の高さ方向の中央に、側面の幅方向に沿って形成された突出部である側面突出部８，９を備えてもよい。すなわち、第１リード電極２０及び第２リード電極３０は、これらの一対のリード電極２０，３０が樹脂成形体１０により接続される部位において、それぞれ水平方向に突出した側面突出部８，９を有している。
第１リード電極２０の側面突出部８は、断面視で、高さ方向に中央に、所定の厚みで形成されている。また、第１リード電極２０の側面突出部８は、上面視で、第１リード電極２０の幅方向、すなわち第１リード電極２０と第２リード電極３０とを接続する間隙部１０ｅの長手方向と並行方向に、第１リード電極２０の幅方向の全てに形成されている。
第２リード電極の側面突出部９は、断面視で、高さ方向に中央に、所定の厚みで形成されている。また、第２リード電極３０の側面突出部９は、上面視で、第２リード電極３０の幅方向、すなわち第１リード電極２０と第２リード電極３０とを接続する間隙部１０ｅの長手方向と並行方向に、第２リード電極３０の幅方向の全てに形成されている。
側面突出部８，９は、第１リード電極２０及び第２リード電極３０において、例えば、エッチングやプレスにより金属板の母材自体を加工することで形成することができる。
パッケージ９０は、側面突出部８，９を有することで、第１リード電極２０及び第２リード電極３０と樹脂成形体１０との密着性が向上し、第１リード電極２０と第２リード電極３０とがより強固に固着する。なお、側面突出部８，９の厚さ及び長さは、特に規定されるものではなく、適宜調整すればよい。
［変形例３］
図１７は、変形例３に係る発光装置の表面突出部と樹脂成形体の位置関係の概略を示す断面図である。図１８は、変形例３に係る発光装置の表面突出部及び樹脂成形体と、金型の位置関係の概略を示す断面図である。
凹部１０ａの側面部１０ｂは、表面突出部４，５上にあり、表面突出部４，５の上面と連続して繋がっていてもよい。すなわち、パッケージ９０は、表面突出部４，５の一部が、樹脂成形体１０に被覆されており、断面視において、凹部１０ａの側面部１０ｂの下部が、表面突出部４，５の上面の位置に接して、表面突出部４，５の上面と凹部１０ａの側面部１０ｂが連続して繋がっている。
このような構成とすることで、一対のリード電極２０，３０への樹脂成形体１０の密着性をより向上させることができる。
このパッケージの製造方法は、第１リード電極２０及び第２リード電極３０を金型で挟み込む工程において、表面突出部４，５の上面の所定の位置に、上金型７０の凸部７５の外周端部が配置されるように、第１リード電極２０及び第２リード電極３０を挟み込む。
第１リード電極２０及び第２リード電極３０を金型で挟み込む際に、金型の熱によるリード電極の熱膨張や、リード電極の寸法のバラツキ等により、表面突出部４，５の上面で、上金型７０と一対のリード電極２０，３０を精度良くセットすることが出来ない場合がある。そのため、表面突出部４，５の幅が狭いと、表面突出部４，５の上面の所定の位置に、上金型７０の凸部７５の外周端部が配置されない場合がある。しかしながら、表面突出部４，５の幅を１１０μｍ以上とすることで、表面突出部４，５の上面の所定の位置に、上金型７０の凸部７５の外周端部を配置することができ、表面突出部４，５上に、凹部１０ａの側面部１０ｂを配置することができる。
なお、樹脂成形体１０から露出した表面突出部４，５の幅が１１０μｍ以上となるように設定することが好ましい。
［変形例４］
図１９は、変形例４に係る発光装置において、クランプ前とクランプ後の溝部が形成された表面突出部の状態の概略を示す断面図である。
発光装置は、表面突出部４，５の先端に、表面突出部４，５の長手方向（図１９の紙面に垂直な方向であり、凹部１０ａの底面部１０ｃの周縁に沿って延びる方向）に沿って形成された溝部１５を有し、裏面突出部６，７の先端に、裏面突出部６，７の長手方向（表面突出部４，５の長手方向に対応する方向）に沿って形成された溝部１５を有する構成としてもよい。
表面突出部４，５には、上面の幅方向の中央に、表面突出部４，５の長手方向に沿って形成された所定深さ及び形状の溝部１５が形成されている。同様に、裏面突出部６，７には、下面の幅方向の中央に、裏面突出部６，７の長手方向に沿って形成された所定深さ及び形状の溝部１５が形成されている。この溝部１５には、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７が潰れるようなクランプ力でクランプした場合には、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７が潰れることで横方向にはみ出た金属が埋設されている。
このような発光装置の製造方法では、まず、一対のリード電極２０，３０を準備する工程で、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の先端に溝部１５を形成する。そして、一対のリード電極２０，３０をクランプした際に、クランプ圧によっては表面突出部４，５及び裏面突出部６，７が潰れ、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の金属の一部が横方向にはみ出る。これにより、溝部１５に前記のはみ出た金属が埋設され、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の外側に金属部１４が生じることが防止される。したがって、製造されたパッケージには、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７に金属が埋設された溝部１５が残るものの、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７が金属部１４を有するものとならない。
よって、発光装置において、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の形状を保ちたい場合には、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の先端に溝部１５を有する構成とすることが好ましい。
溝部１５の深さ、形状、及び形成される位置等は限定されるものではなく、適宜調整すればよい。また、溝部１５は、表面突出部４，５及び裏面突出部６，７のいずれか一方に形成されたものであってもよい。
［変形例５］
図２０は、変形例５に係る発光装置の概略を示す図であり、発光素子を実装するための領域にダイボンド部材を充填した発光装置の断面図である。
発光装置は、封止部材４０が第１蛍光体を含有し、発光素子２の実装領域に第１蛍光体の発光波長と異なる発光波長の第２蛍光体を含有した樹脂が充填された構成としてもよい。
例えば、第１蛍光体として緑色の光を発光する蛍光体を封止部材４０に混ぜ合わせ、第２蛍光体として赤色の光を発光する蛍光体をダイボンド部材４５に混ぜ合わせる。そして、第２蛍光体を含有したダイボンド部材４５を発光素子２の実装領域（第２リード電極３０の金属露出部）に充填して発光素子２を実装した後、第１蛍光体を含有した封止部材４０をパッケージ９０の凹部１０ａに充填して発光装置とする。これにより、発光装置を鮮やかな白色光源とすることができる。なお、図２０に示すように、第１リード電極２０の金属露出部にも蛍光体含有したダイボンド部材４５を充填してもよい。
第１蛍光体、第２蛍光体の種類及び組み合わせは、所望に応じて適宜、選択すればよい。
［その他の変形例］
パッケージ９０の第１リード電極２０及び第２リード電極３０の双方にそれぞれ表面突出部４，５及び裏面突出部６，７が形成されているものとして説明したが、いずれか一方のリード電極にだけ表面突出部及び裏面突出部を設けるようにしてもよい。
また、表面突出部４，５の金属露出面側の側面は、断面視で下部から上部へ向けて外側に傾斜させてもよい。このような構成によれば、光取り出し効率が向上する。
パッケージ９０の凹部１０ａは、傾斜を設けず円筒形状を呈するように形成してもよい。
また、凹部１０ａの側面部１０ｂは、必ずしも平坦である必要はなく、側面部１０ｂを凸凹に成形することにより、樹脂成形体１０と封止部材４０との界面の密着性を向上させるように成形してもよい。また、凹部１０ａは、本実施形態においては平面視円形に成形したが、楕円形を呈するように成形してもよい。また、樹脂成形体１０は、本実施形態においては長方形に成形したが、平面視円形、楕円形、他の多角形状としてもよい。
リード電極は、本実施形態のように、少なくとも正負一対の電極（第１リード電極２０及び第２リード電極３０）が一組あればよいが、３つ以上のリード電極を設けてもよい。
発光素子２は、第２リード電極３０の代わりに第１リード電極２０の上に実装することもできる。発光装置１が例えば２個の発光素子２を備える場合、第１リード電極２０及び第２リード電極３０の上にそれぞれ発光素子２を実装することもできる。発光素子を実装していないインナーリード部に、保護素子を実装してもよい。例えば、表面突出部４，５の幅を１１０μｍ以上とすることで、第１リード電極２０の表面突出部４上又は表面突出部５上に保護素子を実装することができる。
発光素子２は、例えば、ｎ電極（又はｐ電極）が素子基板の裏面に形成された対向電極構造（両面電極構造）の素子であってもよい。また、発光素子２は、フェイスアップ型に限らず、フェイスダウン型でもよい。フェイスダウン型の発光素子を用いるとワイヤを不要とすることができる。
発光装置１の製造方法では、予め発光素子２をパッケージ９０に実装した後に個片化して製造したが、個片化されたパッケージ９０に発光素子２を実装するようにしてもよい。
ワイヤＷを接続する位置は、表面突出部４，５の上面としてもよい。ワイヤＷを張る場合、発光素子２の上面とワイヤＷを張る位置との高低差が少ない方が、すなわち、ワイヤＷを張る位置が高い方がワイヤＷを張り易い。なお、表面突出部４，５の幅が１１０μｍ以上であれば、ワイヤＷを表面突出部４，５の上面に接続する場合にワイヤＷを接続し易くなる。
表面突出部４，５及び裏面突出部６，７の先端をめっき層６０から露出させる場合には、めっき層６０は、一対のリード電極２０，３０の上面のみに設けてもよい。
本発明に係る実施形態の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用することができる。
１ 発光装置
２ 発光素子
４，５ 表面突出部
６，７ 裏面突出部
８，９ 側面突出部
１０ 樹脂成形体
１０ａ 凹部
１０ｂ 側面部
１０ｃ 底面部
１０ｅ 間隙部
１１ａ 外側面
１４ 金属部
１５ 溝部
２０ 第１リード電極
２０ａ 第１インナーリード部
２０ｂ 第１アウターリード部
３０ 第２リード電極
３０ａ 第２インナーリード部
３０ｂ 第２アウターリード部
４０ 封止部材
４５ ダイボンド部材
５０ ゲート痕
６０ めっき層
７０ 上金型
７１ 下金型
７４ａ 第１切欠き部
７４ｂ 第２切欠き部
７５ 凸部
７５ａ 第１底面部
７５ｂ 第２底面部
７５ｃ 第３底面部
７７ 注入口
８０，８１，８２，８３，８４，８５ 空間部
８６ ゲート
９０ パッケージ
Ｊ 樹脂
Ｋ パッケージ製造用金型
Ｗ ワイヤ

Claims (13)

  1. 凹部が形成され、前記凹部の底面部に露出した一対のリード電極と、
    前記一対のリード電極の表面を被覆するめっき層と、
    前記一対のリード電極を保持し、前記凹部の底面部の前記一対のリード電極間及び前記凹部の側面部を形成する樹脂成形体と、を備え、
    前記一対のリード電極の少なくとも一方のリード電極は、前記凹部の底面部の前記樹脂成形体に沿って、及び、前記凹部の底面部の周縁に沿って、線状に形成された突出部である表面突出部を有し、かつ、前記表面突出部の位置に相対する裏面の位置に形成された突出部である裏面突出部を有し、
    前記表面突出部の幅が１１０μｍ以上であるパッケージ。
  2. 前記表面突出部の厚みが５μｍ以上５０μｍ以下である請求項１に記載のパッケージ。
  3. 前記裏面突出部の幅が１１０μｍ以上である請求項１又は請求項２に記載のパッケージ。
  4. 前記表面突出部は、発光素子を実装するための領域を囲むように環状に形成されている請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のパッケージ。
  5. 前記一対のリード電極は、互いに相対する側のそれぞれの側面において、前記側面の高さ方向の中央に、前記側面の幅方向に沿って形成された突出部である側面突出部を備える請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のパッケージ。
  6. 前記凹部の側面部は、前記表面突出部上にあり、前記表面突出部の上面と連続して繋がっている請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のパッケージ。
  7. 前記表面突出部の先端に、前記表面突出部の長手方向に沿って形成された溝部を有し、前記裏面突出部の先端に、前記裏面突出部の長手方向に沿って形成された溝部を有する請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のパッケージ。
  8. 請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のパッケージと、前記パッケージの前記凹部に収容されて前記一対のリード電極の一方のリード電極に実装された発光素子とを備えている発光装置。
  9. 前記凹部内に前記発光素子を覆うように設けた封止部材を有する請求項８に記載の発光装置。
  10. 金属板からなる一対のリード電極の少なくとも一方のリード電極に、前記金属板の母材自体を加工して、発光素子を実装するための領域を囲むように線状かつ環状に形成された突出部であり、幅が１１０μｍ以上である表面突出部と、前記表面突出部の位置に相対する前記金属板の裏面の位置に形成された突出部である裏面突出部と、を形成した前記一対のリード電極を準備する工程と、
    前記一対のリード電極の表面にめっき層を形成する工程と、
    前記一対のリード電極と樹脂成形体とにより凹部を形成するため、前記凹部の形状に対応した凸部を有する上金型と、下金型とを備える金型を用いて、前記表面突出部の先端を前記上金型に当接させるとともに、前記裏面突出部の先端を前記下金型に当接させるように前記一対のリード電極を挟み込む工程と、
    前記一対のリード電極を挟み込んだ金型に樹脂を注入する工程と、
    前記注入された樹脂を硬化し前記樹脂成形体を形成する工程と、
    前記上金型と前記下金型とを取り外す工程と、
    を有するパッケージの製造方法。
  11. 前記上金型と前記下金型とによって挟み込む前記一対のリード電極は、複数の前記一対のリード電極が接続されたリードフレームに一体的に設けられたものであり、
    前記リードフレームから前記パッケージを切り離す工程を有する請求項１０に記載のパッケージの製造方法。
  12. 請求項１０又は請求項１１に記載のパッケージの製造方法でパッケージを製造する工程と、
    前記パッケージに形成された前記凹部に発光素子を実装する工程と、を有する発光装置の製造方法。
  13. 前記凹部内に前記発光素子を覆うように封止部材を充填する工程と、を有する請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
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